CN114262338A - 一种无铅杂化半导体材料、制备方法及光电探测器 - Google Patents
一种无铅杂化半导体材料、制备方法及光电探测器 Download PDFInfo
- Publication number
- CN114262338A CN114262338A CN202111523089.6A CN202111523089A CN114262338A CN 114262338 A CN114262338 A CN 114262338A CN 202111523089 A CN202111523089 A CN 202111523089A CN 114262338 A CN114262338 A CN 114262338A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- semiconductor material
- inorganic hybrid
- hybrid semiconductor
- lead
- organic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 63
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 54
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title abstract description 12
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 48
- DWRNSCDYNYYYHT-UHFFFAOYSA-K gallium(iii) iodide Chemical compound I[Ga](I)I DWRNSCDYNYYYHT-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims abstract description 10
- LLWRXQXPJMPHLR-UHFFFAOYSA-N methylazanium;iodide Chemical compound [I-].[NH3+]C LLWRXQXPJMPHLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 9
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims abstract description 8
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims abstract description 7
- -1 halogen anion Chemical class 0.000 claims abstract description 4
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 claims abstract description 4
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims description 20
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 14
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 14
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 13
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 10
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 10
- 239000011358 absorbing material Substances 0.000 claims description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 5
- 229920002545 silicone oil Polymers 0.000 claims description 5
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 claims description 4
- 150000001768 cations Chemical group 0.000 claims description 3
- 239000013590 bulk material Substances 0.000 claims 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims 1
- 230000004044 response Effects 0.000 abstract description 17
- 231100000252 nontoxic Toxicity 0.000 abstract description 6
- 230000003000 nontoxic effect Effects 0.000 abstract description 6
- 231100000956 nontoxicity Toxicity 0.000 abstract description 3
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 abstract 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 3
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 2
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 2
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002835 absorbance Methods 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 150000002892 organic cations Chemical class 0.000 description 1
- 238000000103 photoluminescence spectrum Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000013112 stability test Methods 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 231100000701 toxic element Toxicity 0.000 description 1
- 231100000419 toxicity Toxicity 0.000 description 1
- 230000001988 toxicity Effects 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
本发明公开了一种无铅有机－无机杂化半导体材料，有机－无机杂化半导体材料分子式为[Ga(C3H7NO)6](I3)3，有机－无机杂化半导体材料由有机物N,N－二甲基甲酰胺(C3H7NO)、金属元素Ga和卤素元素I组成，其中N,N－二甲基甲酰胺中的O元素与Ga金属离子产生配位键，Ga金属阳离子与I卤素阴离子形成离子键。与现有的技术相比，本发明具有如下优点：通过N,N－二甲基甲酰胺，碘化甲胺和碘化镓利用室温液体扩散分离方法合成新型无毒稳定的窄带隙有机－无机杂化半导体材料[Ga(C3H7NO)6](I3)3，制备方法简单可行。该半导体材料具有无毒和优异的光电特性等特点，采用该杂化半导体材料的光电探测器光暗电流稳定，响应时间灵敏，具有运行稳定、良好的响应时间和宽波段响应。
Description
技术领域
本发明涉及半导体材料技术领域，特别是涉及一种无铅杂化半导体材料、制备方法及光电探测器。
背景技术
近年来有机无机杂化半导体材料由于其优异的光电特性，在能源、照明和显示领域显示出巨大的潜力。现有的有机无机杂化材料中，有机无机杂化钙钛矿材料的潜力尤为突出，无疑是最耀眼的材料之一。在短短的十多年时间里，铅基卤化物钙钛矿太阳能电池的效率得到了迅速的提高，已经非常接近于商业化的硅太阳能电池。然而铅基钙钛矿材料中含有有毒元素Pb和挥发性有机阳离子导致差的稳定性，极大地限制了其商业应用潜力。已有文献表明，钙钛矿中的铅泄露到地下，会被植物吸收，进入食物链。卤化物钙钛矿中的铅比已经存在于地下的其他铅污染源更危险，因为它的生物可利用性是其他来源的十倍。为了解决钙钛矿的毒性问题，研究人员从理论和实验上不断努力筛选合适的钙钛矿替代品。目前最有希望成功替代铅的无毒元素是锡和铋，因为它们具有与铅离子相似的电子结构以及其制备的无铅钙钛矿或钙钛矿衍生物具有好的光电性能。
目前FASnI3太阳能电池器件的效率已经超过14％。但由于Sn2+离子容易氧化为Sn4 +，导致锡基钙钛矿自掺杂，器件性能和稳定性较低。此外，铋基卤化物钙钛矿通常具有较宽的能带隙(约2.0eV)，如Cs2AgBiBr6能带隙为2.1eV，(NH4)3Bi2I9能带隙为2.04eV。较宽的带隙意味着材料受到光照时，电子跃迁更为困难。此外宽带隙会损失吸收长波长的光，导致器件的光电转换效率低。因此，开发无毒稳定、窄带隙的新型有机无机杂化的半导体材料已迫在眉睫。
发明内容
针对现有技术的不足，本发明的第一目的是提供一种无铅有机无机杂化半导体材料，本发明的第二目的是提供该半导体材料的制备方法，本发明的第三目的是提供具有该半导体材料的光电探测器，本发明的第四目的是提供该光电探测器的制备方法。本发明的半导体材料无毒，具有优异的光电特性，本发明的光电探测器光暗电流稳定，响应时间灵敏，本发明的半导体材料和光电探测器的制备方法简单可行。
为了达到上述目的，本发明采用以下方案：
一种无铅有机－无机杂化半导体材料，有机－无机杂化半导体材料分子式为[Ga(C3H7NO)6](I3)3，有机－无机杂化半导体材料由有机物N,N－二甲基甲酰胺(C3H7NO)、金属元素Ga和卤素元素I组成，其中N,N－二甲基甲酰胺中的O元素与Ga金属离子产生配位键，Ga金属阳离子与I卤素阴离子形成离子键。
进一步的，[Ga(C3H7NO)6](I3)3具有单斜空间群P21/c的晶体结构，晶体的晶格参数为：
α＝γ＝90°，β＝97.41°，
进一步的，[Ga(C3H7NO)6](I3)3中每个Ga3+原子与6个O原子配位，O-Ga-O键角平均为89.61°，Ga-O键长为
形成[GaO6]3+八面体。
进一步的，[Ga(C3H7NO)6](I3)3的框架由在一个晶胞内交错对角线堆叠的孤立的[GaO6]3+八面体以及填充在八面体形成空腔结构中的I3－组成。
一种无铅有机－无机杂化半导体材料的制备方法，包括以下步骤：
S10制备前驱体溶液，将碘化镓固体粉末和碘化甲胺固体粉末加入N,N－二甲基甲酰胺(C3H7NO)溶液中搅拌溶解得到前驱体溶液；
S20将前驱体溶液通过室温液体扩散分离法得到无铅有机－无机杂化半导体材料。
进一步的，S10步骤还包括将碘化镓固体粉末和碘化甲胺固体粉末加入N,N－二甲基甲酰胺(C3H7NO)溶液中后在室温下搅拌6-12小时，再将其过滤。
进一步的，S20步骤还包括在前驱体溶液的液面加入硅油，然后将前驱体溶液放置在室温空气中2-4周。
一种光电探测器，包括光吸收材料和金电极，光吸收材料为权利要求1-4任一权利要求的一种无铅有机－无机杂化半导体材料。
一种光电探测器的制备方法，包括以下步骤：
在权利要求1-4任一权利要求的一种无铅有机－无机杂化半导体材料的上方贴铜网作为掩模版；
通过热蒸发在半导体材料上蒸镀金电极。
进一步的，金电极厚度为85nm。
与现有的技术相比，本发明具有如下优点：本发明提供了一种无铅有机－无机杂化半导体材料与器件的新材料、新器件和新方法。由N,N－二甲基甲酰胺，碘化甲胺和碘化镓用室温液体扩散分离方法合成新型无毒稳定的窄带隙有机－无机杂化半导体材料[Ga(C3H7NO)6](I3)3，制备方法简单可行。该半导体材料具有无毒和优异的光电特性等特点，采用该杂化半导体材料的光电探测器光暗电流稳定，响应时间灵敏，具有运行稳定、良好的响应时间和宽波段响应。
附图说明
下面结合附图和具体实施方式对本申请作进一步详细的说明。
图1是本发明的有机－无机杂化半导体材料[Ga(C3H7NO)6](I3)3分子结构图。
图2是本发明的有机－无机杂化半导体材料[Ga(C3H7NO)6](I3)3晶体的吸收和光致发光图谱。
图3是本发明的一种光电探测器的结构示意图。
图4是本发明的一种光电探测器对不同波长激光的光电响应I-T曲线。
图5是本发明的一种光电探测器光电响应时间I-T曲线。
图6是本发明的一种光电探测器在940nm光照下多次循环光电响应I-T曲线。
具体实施方式
下面结合附图和实施例，对本发明的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本发明，但不用来限制本发明的范围。
如图1所示，一种无铅有机－无机杂化半导体材料，有机－无机杂化半导体材料分子式为[Ga(C3H7NO)6](I3)3，有机－无机杂化半导体材料由有机物N,N－二甲基甲酰胺(C3H7NO)、金属元素Ga和卤素元素I组成，其中N,N－二甲基甲酰胺中的O元素与Ga金属离子产生配位键，Ga金属阳离子与I卤素阴离子形成离子键。
优选的，[Ga(C3H7NO)6](I3)3具有单斜空间群P21/c的晶体结构，晶体的晶格参数为：
α＝γ＝90°，β＝97.41°，
优选的，[Ga(C3H7NO)6](I3)3中每个Ga3+原子与6个O原子配位，O-Ga-O键角平均为89.61°，Ga-O键长为
形成[GaO6]3+八面体。
优选的，[Ga(C3H7NO)6](I3)3的框架由在一个晶胞内交错对角线堆叠的孤立的[GaO6]3+八面体以及填充在八面体形成空腔结构中的I3 －组成。
一种无铅有机－无机杂化半导体材料的制备方法，包括以下步骤：
S10制备前驱体溶液，将碘化镓固体粉末和碘化甲胺固体粉末加入N,N－二甲基甲酰胺(C3H7NO)溶液中搅拌溶解得到前驱体溶液；
S20将前驱体溶液通过室温液体扩散分离法得到无铅有机－无机杂化半导体材料。
优选的，S10步骤还包括将碘化镓固体粉末和碘化甲胺固体粉末加入N,N－二甲基甲酰胺(C3H7NO)溶液中后在室温下搅拌6-12小时，再将其过滤。
优选的，S20步骤还包括在前驱体溶液的液面加入硅油，然后将前驱体溶液放置在室温空气中2-4周。
将碘化镓固体粉末和碘化甲胺固体粉末溶于500ul N,N－二甲基甲酰胺中，制备0.5M前驱体溶液备用溶液。为了确保完全溶解，在室温下搅拌过夜。第二天将完全溶解的前驱体过滤，并在前驱体液面加入少量硅油。然后将前驱体放置在室温空气中三周。大约两周后，一个小晶粒会在瓶子底部的中心出现。随着时间的增加，小晶粒逐渐变大，最终长成大而优质的单晶。
本发明利用室温液体扩散方法成功制备新型无铅有机无机杂化半导体材料[Ga(C3H7NO)6](I3)3。采用室温液体扩散分离诱导结晶法，利用各层溶液密度的差异，硅油将溶剂与前驱体分离，生长出高质量的[Ga(C3H7NO)6](I3)3单晶。采用单晶衍射仪和SHELXT方法对单晶进行了[Ga(C3H7NO)6](I3)3结构解析，得到分子结构如图1所示。[Ga(C3H7NO)6](I3)3具有单斜空间群P21/c的晶体结构，晶格参数
α＝γ＝90°，β＝97.41°，
每个Ga3+原子与6个O原子配位，O-Ga-O键角平均为89.61°,Ga-O键长为
形成[GaO6]3+八面体。[Ga(C3H7NO)6](I3)3的框架由在一个晶胞内交错对角线堆叠的孤立的[GaO6]3+八面体，和填充在由交错八面体形成的空腔结构中的I3 －组成。
该材料的吸收图如图2所示，通过吸收谱得到Tauc plot谱图，可知在间接带隙的情况下，计算得到该材料带隙在1.24eV。
如图3所示，一种光电探测器，包括光吸收材料和金电极，光吸收材料为权利要求1-4任一权利要求的一种无铅有机－无机杂化半导体材料1。
一种光电探测器的制备方法，包括以下步骤：
在权利要求1-4任一权利要求的一种无铅有机－无机杂化半导体材料1的上方贴铜网作为掩模版；
通过热蒸发在半导体材料上蒸镀金电极2。
优选的，金电极2厚度为85nm。
如图3所示，光电探测器制备是在无铅有机－无机杂化半导体材料1上面贴上50目铜网(在本实施例中，沟道宽80微米，长420微米)作为掩模版，然后在贴有铜网的材料上通过热蒸发蒸镀85nm厚的金电极2，完成光电探测器的制备。
与现有的技术相比，本发明具有如下优点：本发明提供了一种无铅有机－无机杂化半导体材料与器件的新材料、新器件和新方法。由N,N－二甲基甲酰胺，碘化甲胺和碘化镓利用室温液体扩散分离方法合成新型无毒稳定的窄带隙有机－无机杂化半导体材料[Ga(C3H7NO)6](I3)3，制备方法简单可行。该半导体材料具有无毒和优异的光电特性等特点，采用该杂化半导体材料的光电探测器光暗电流稳定，响应时间灵敏，具有运行稳定、良好的响应时间和宽波段响应。
将本实施例所得到光电器件进行光电相应测试：
光电探测器对不同波长激光的光电响应测试。
工作条件为：473nm激光(480μW)，515nm激光(103μW)，633nm激光(330μW)，830nm激光(623μW)，940nm激光(635μW)，1064nm激光(228μW)，激光光斑直径为40微米，室温，器件施加电压为1V。结果如图4所示。
从图4可知，该光电探测器对473nm，515nm，633nm,830nm,940nm,1064nm的光均有响应，说明该探测器具有宽的响应波长范围。目前已报道的文献中，在无铅有机无机杂化钙钛矿中仅有锡基钙钛矿可以探测到近红外。锡基钙钛矿极易氧化，导致器件稳定性极差。本发明的光电探测器相比锡基钙钛矿探测器具有相同的探测范围和更好的稳定性，是一个很有前景的应用方向。但是光电探测器的开关比不高，这可能因为激光光斑面积远小于沟道面积，导致有效面积的减少和光电流的减少。
光电探测器对473nm激光的光电响应时间测试。
工作条件为：473nm激光(480μW)，室温，器件施加电压为1V。结果如图5所示。
由图5可知，该光电探测器对473nm激光的响应时间为5.7ms，衰减时间是10ms。相比现已报道的锡基钙钛矿探测器，该响应时间很快。
光电探测器光在940nm激光下运行稳定性测试。
工作条件为：940nm激光(635μW)，室温，器件施加电压为1V。结果如图6所示。由图6可知，在多次循环运行时(35次开关激光)，器件保持良好的运行稳定性。
以上所述仅是本申请的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请技术原理的前提下，还可以做出若干改进和替换，这些改进和替换也应视为本申请的保护范围。
Claims (10)
1.一种无铅有机－无机杂化半导体材料，其特征在于，所述有机－无机杂化半导体材料分子式为[Ga(C3H7NO)6](I3)3，所述有机－无机杂化半导体材料由有机物N,N－二甲基甲酰胺(C3H7NO)、金属元素Ga和卤素元素I组成，其中N,N－二甲基甲酰胺中的O元素与Ga金属离子产生配位键，Ga金属阳离子与I卤素阴离子形成离子键。
2.根据权利要求1所述的一种无铅有机－无机杂化半导体材料，其特征在于，所述[Ga(C3H7NO)6](I3)3具有单斜空间群P21/c的晶体结构，所述晶体的晶格参数为：
α＝γ＝90°，β＝97.41°，
3.根据权利要求1所述的一种无铅有机－无机杂化半导体材料，其特征在于，所述[Ga(C3H7NO)6](I3)3中每个Ga3+原子与6个O原子配位，O-Ga-O键角平均为89.61°，Ga-O键长为
形成[GaO6]3+八面体。
4.根据权利要求1所述的一种无铅有机－无机杂化半导体材料，其特征在于，所述[Ga(C3H7NO)6](I3)3的框架由在一个晶胞内交错对角线堆叠的孤立的[GaO6]3+八面体以及填充在所述八面体形成空腔结构中的I3 －组成。
5.根据权利要求1-4任一权利要求所述的一种无铅有机－无机杂化半导体材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
S10制备前驱体溶液，将碘化镓固体粉末和碘化甲胺固体粉末加入N,N－二甲基甲酰胺(C3H7NO)溶液中搅拌溶解得到前驱体溶液；
S20将所述前驱体溶液通过室温液体扩散分离法得到无铅有机－无机杂化半导体材料。
6.根据权利要求5所述的一种无铅有机－无机杂化半导体材料的制备方法，其特征在于，所述S10步骤还包括将碘化镓固体粉末和碘化甲胺固体粉末加入N,N－二甲基甲酰胺(C3H7NO)溶液中后在室温下搅拌6-12小时，再将其过滤。
7.根据权利要求5所述的一种无铅有机－无机杂化半导体材料的制备方法，其特征在于，所述S20步骤还包括在所述前驱体溶液的液面加入硅油，然后将所述前驱体溶液放置在室温空气中2-4周。
8.一种光电探测器，其特征在于，包括光吸收材料和金电极，所述光吸收材料为权利要求1-4任一权利要求所述的一种无铅有机－无机杂化半导体材料。
9.一种光电探测器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
在权利要求1-4任一权利要求所述的一种无铅有机－无机杂化半导体材料的上方贴铜网作为掩模版；
通过热蒸发在所述半导体材料上蒸镀金电极。
10.根据权利要求9所述的一种光电探测器的制备方法，其特征在于，所述金电极厚度为85nm。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202111523089.6A CN114262338A (zh) | 2021-12-14 | 2021-12-14 | 一种无铅杂化半导体材料、制备方法及光电探测器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202111523089.6A CN114262338A (zh) | 2021-12-14 | 2021-12-14 | 一种无铅杂化半导体材料、制备方法及光电探测器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN114262338A true CN114262338A (zh) | 2022-04-01 |
Family
ID=80826956
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202111523089.6A Pending CN114262338A (zh) | 2021-12-14 | 2021-12-14 | 一种无铅杂化半导体材料、制备方法及光电探测器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN114262338A (zh) |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| BR102013021264A2 (pt) * | 2013-08-21 | 2015-07-14 | Univ Fed De Santa Maria Ufsm | Processo de preparo de nanopartículas derivadas de calcogenolatos metálicos |
| CN106008327A (zh) * | 2016-05-05 | 2016-10-12 | 中国计量大学 | 一种有机无机杂化铋碘阴离子簇基半导体材料 |
| CN106601917A (zh) * | 2016-12-02 | 2017-04-26 | 广州光鼎科技有限公司 | 一种无铅有机无机阳离子共同杂化钙钛矿材料及其薄膜的制备方法 |
| KR101798549B1 (ko) * | 2016-09-23 | 2017-11-17 | 재단법인대구경북과학기술원 | 유무기 하이브리드 페로브스카이트 광활성층의 제조방법, 이에 의해 제조되는 광활성층 및 이를 포함하는 태양전지 |
| US20170369772A1 (en) * | 2014-11-06 | 2017-12-28 | Postech Academy-Industry Foundation | Method for manufacturing perovskite nanocrystal particle light emitting body where organic ligand is substituted, nanocrystal particle light emitting body manufactured thereby, and light emitting device using same |
| CN110248923A (zh) * | 2017-01-27 | 2019-09-17 | 国立大学法人京都大学 | 络合物及其制造方法 |
| CN110590646A (zh) * | 2019-10-08 | 2019-12-20 | 济南大学 | 一种锑基杂化半导体材料及其合成与应用 |
| CN110590816A (zh) * | 2019-10-10 | 2019-12-20 | 济南大学 | 一种一维铜碘基杂化半导体材料及其光电应用 |
-
2021
- 2021-12-14 CN CN202111523089.6A patent/CN114262338A/zh active Pending
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| BR102013021264A2 (pt) * | 2013-08-21 | 2015-07-14 | Univ Fed De Santa Maria Ufsm | Processo de preparo de nanopartículas derivadas de calcogenolatos metálicos |
| US20170369772A1 (en) * | 2014-11-06 | 2017-12-28 | Postech Academy-Industry Foundation | Method for manufacturing perovskite nanocrystal particle light emitting body where organic ligand is substituted, nanocrystal particle light emitting body manufactured thereby, and light emitting device using same |
| CN106008327A (zh) * | 2016-05-05 | 2016-10-12 | 中国计量大学 | 一种有机无机杂化铋碘阴离子簇基半导体材料 |
| KR101798549B1 (ko) * | 2016-09-23 | 2017-11-17 | 재단법인대구경북과학기술원 | 유무기 하이브리드 페로브스카이트 광활성층의 제조방법, 이에 의해 제조되는 광활성층 및 이를 포함하는 태양전지 |
| CN106601917A (zh) * | 2016-12-02 | 2017-04-26 | 广州光鼎科技有限公司 | 一种无铅有机无机阳离子共同杂化钙钛矿材料及其薄膜的制备方法 |
| CN110248923A (zh) * | 2017-01-27 | 2019-09-17 | 国立大学法人京都大学 | 络合物及其制造方法 |
| CN110590646A (zh) * | 2019-10-08 | 2019-12-20 | 济南大学 | 一种锑基杂化半导体材料及其合成与应用 |
| CN110590816A (zh) * | 2019-10-10 | 2019-12-20 | 济南大学 | 一种一维铜碘基杂化半导体材料及其光电应用 |
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| SCHNEIDER, W.: "Dimethylformamide solvates of metal perchlorates", 《HELVETICA CHIMICA ACTA》, vol. 46, pages 1842 - 1848 * |
| 杨燕生等译校: "《稀土络合物译文集》", 31 December 1981, 中山大学化学系, pages: 69 - 92 * |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Arya et al. | A comprehensive review on synthesis and applications of single crystal perovskite halides | |
| Im et al. | 6.5% efficient perovskite quantum-dot-sensitized solar cell | |
| Yang et al. | Bi-functional additive engineering for high-performance perovskite solar cells with reduced trap density | |
| Tailor et al. | Advances in lead-free perovskite single crystals: Fundamentals and applications | |
| US11001939B2 (en) | Methods of preparation of organometallic halide structures | |
| Duong et al. | Structural engineering using rubidium iodide as a dopant under excess lead iodide conditions for high efficiency and stable perovskites | |
| Zhang et al. | Formamidinium lead bromide (FAPbBr 3) perovskite microcrystals for sensitive and fast photodetectors | |
| Koh et al. | Nanostructuring mixed‐dimensional perovskites: a route toward tunable, efficient photovoltaics | |
| Prochowicz et al. | Mechanosynthesis of the hybrid perovskite CH 3 NH 3 PbI 3: characterization and the corresponding solar cell efficiency | |
| Liao et al. | Hot-casting large-grain perovskite film for efficient solar cells: film formation and device performance | |
| US20170194101A1 (en) | HALIDE DOUBLE PEROVSKITE Cs2AgBiBr6 SOLAR-CELL ABSORBER HAVING LONG CARRIER LIFETIMES | |
| WO2014180789A1 (en) | High performance perovskite-sensitized mesoscopic solar cells | |
| Li et al. | Tunneling-assisted highly sensitive and stable lead-free Cs 3 Bi 2 I 9 perovskite photodetectors for diffuse reflection imaging | |
| Liang et al. | Recent progress on all-inorganic metal halide perovskite solar cells | |
| Zhang et al. | Formamidine-assisted fast crystallization to fabricate formamidinium-based perovskite films for high-efficiency and stable solar cells | |
| US20230272553A1 (en) | Perovskite materials, perovskite hybrids, devices, and methods of manufacturing and using same | |
| Khorasani et al. | Application of combinative TiO2nanorods and nanoparticles layer as the electron transport film in highly efficient mixed halides perovskite solar cells | |
| CN114262338A (zh) | 一种无铅杂化半导体材料、制备方法及光电探测器 | |
| Parra et al. | Optical study and ruthenizer (II) N3 dye-sensitized solar cell application of ZnO nanorod-arrays synthesized by combine two-step process | |
| Handayani et al. | Controlled synthesis of lead-free perovskite Cs2SnI6 as hole transport layer in dye sensitized solar cells | |
| Catano et al. | Electrodeposition of ZnO nanorod arrays for application in perovskite based solar cells | |
| Xu et al. | Highly Stable and Sensitive (PEA) 2PbBr4/CsPbBr3 Single‐Crystal Heterojunction X‐Ray Detector with Ultra‐Low Detection Limit | |
| Li et al. | Synergistic enhancement of Cs and Br doping in formamidinium lead halide perovskites for high performance optoelectronics | |
| Wieghold et al. | Interplay of Grain Size, Crystal Orientation, and Performance in Mixedion Lead Halide Perovskite Films | |
| Kaur | Perovskite solar cells-A futuristic approach |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| TA01 | Transfer of patent application right | ||
| TA01 | Transfer of patent application right |
Effective date of registration: 20230406 Address after: 1405 Card, 14th Floor, South Ji, Shumao Building, No. 6 Xiangxing Road, Torch Development Zone, Zhongshan City, Guangdong Province, 528437 (Residence Declaration) Applicant after: Zhongshan Fuyuan New Material Technology Co.,Ltd. Address before: 528437 card 1405, Nanji, Shumao building, No. 6, Xiangxing Road, Torch Development Zone, Zhongshan City, Guangdong Province Applicant before: Zhongshan Fuyuan New Material Technology Co.,Ltd. Applicant before: Zhongshan Fudan joint innovation center |
|
| TA01 | Transfer of patent application right | ||
| TA01 | Transfer of patent application right |
Effective date of registration: 20230919 Address after: 1405 Card, 14th Floor, South Ji, Shumao Building, No. 6 Xiangxing Road, Torch Development Zone, Zhongshan City, Guangdong Province, 528437 (Residence Declaration) Applicant after: Zhongshan Fuyuan New Material Technology Co.,Ltd. Applicant after: Zhongshan Fudan joint innovation center Address before: 1405 Card, 14th Floor, South Ji, Shumao Building, No. 6 Xiangxing Road, Torch Development Zone, Zhongshan City, Guangdong Province, 528437 (Residence Declaration) Applicant before: Zhongshan Fuyuan New Material Technology Co.,Ltd. |