JP7063664B2 - プラズマ処理装置 - Google Patents
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- 真空チャンバ内に配置されて基板が設置されるステージと、真空チャンバ内にプラズマを発生させるプラズマ発生手段とを備えるプラズマ処理装置であって、
ステージの基板設置面に設けられて基板の外周縁部がその全長に亘って当接する環状のシール体と、このシール体で支持された姿勢で基板を設置したときにこのシール体で囲繞される基板とステージとの間の空間に伝熱ガスを供給するガス供給手段と、基板の外周縁部に対しシール体に向けて押圧力を付与するクランプとを更に備えるものにおいて、
シール体が導電性ゴムから構成され、
前記シール体は、基板設置面に取付られる基端部と、この基端部から基板側に向けてのびる基端部より薄肉の突条部とを有し、空間に供給された伝熱ガスのガス圧で基端部を起点に突条部が変形して基板の外周縁部に密着するようにしたことを特徴とするプラズマ処理装置。 - 前記突条部は、シール体の内方に向けて傾斜する姿勢で基端部に突設されることを特徴とする請求項1記載のプラズマ処理装置。
- 前記シール体は、中空であることを特徴とする請求項1または請求項2記載のプラズマ処理装置。
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JP2018051768A JP7063664B2 (ja) | 2018-03-19 | 2018-03-19 | プラズマ処理装置 |
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JP2728381B2 (ja) * | 1995-11-10 | 1998-03-18 | 株式会社日立製作所 | 基板処理方法および基板処理装置 |
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Patent Citations (2)
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US20030168439A1 (en) | 2002-03-05 | 2003-09-11 | Seiichiro Kanno | Wafer stage for wafer processing apparatus and wafer processing method |
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