JPH01193463A - 真空加工装置の真空シール部構造 - Google Patents
真空加工装置の真空シール部構造Info
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- JPH01193463A JPH01193463A JP1988088A JP1988088A JPH01193463A JP H01193463 A JPH01193463 A JP H01193463A JP 1988088 A JP1988088 A JP 1988088A JP 1988088 A JP1988088 A JP 1988088A JP H01193463 A JPH01193463 A JP H01193463A
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- Pending
Links
- 238000007789 sealing Methods 0.000 abstract description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 11
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 2
- 229910001369 Brass Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000906 Bronze Inorganic materials 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 239000010951 brass Substances 0.000 description 1
- 239000010974 bronze Substances 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N copper tin Chemical compound [Cu].[Sn] KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000013013 elastic material Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
スパッタリング、プラズマCVD、プラズマアツシャ、
イオンブレーティング、イオンガンなどの高周波プラズ
マ放電や高周波溶解炉などの、真空減圧雰囲気中に高周
波印加部を有する真空加工装置に関するもので、特にそ
の真空シール部に係るものであろう 従来の技術 従来、高周波を用いる真空加工装置において、その真空
シールには、第2図または箇3因に示すように、ウレタ
ンやフッ素樹脂などからなる弾力性を有するOリンへか
用いられている。しかし、工装心の他の機器、たとえば
真空計などにノイズとして悪影響を及ぼすことが多い。
イオンブレーティング、イオンガンなどの高周波プラズ
マ放電や高周波溶解炉などの、真空減圧雰囲気中に高周
波印加部を有する真空加工装置に関するもので、特にそ
の真空シール部に係るものであろう 従来の技術 従来、高周波を用いる真空加工装置において、その真空
シールには、第2図または箇3因に示すように、ウレタ
ンやフッ素樹脂などからなる弾力性を有するOリンへか
用いられている。しかし、工装心の他の機器、たとえば
真空計などにノイズとして悪影響を及ぼすことが多い。
特に高周波パワーが太き(なると、回路的に防ぎようが
無くなり、正しい真空度が計測できないばかりか、制御
系にもノイズが乗り誤動作することがあった。そのため
、これらの装置で1Am2図に示すように、高周波電波
シールド用の金属メツシュリング12を別途取付けるが
、第4図に示すようにくし型の金属片の下部を折曲して
形成した接触片13を第3図に示すように真空加工装置
に取付ける方法、もしくは真空シール後にシール箇所前
後の2つの部位をSUSボルトや)の字型治具で締付け
て固定す゛る方法を用いていた。
無くなり、正しい真空度が計測できないばかりか、制御
系にもノイズが乗り誤動作することがあった。そのため
、これらの装置で1Am2図に示すように、高周波電波
シールド用の金属メツシュリング12を別途取付けるが
、第4図に示すようにくし型の金属片の下部を折曲して
形成した接触片13を第3図に示すように真空加工装置
に取付ける方法、もしくは真空シール後にシール箇所前
後の2つの部位をSUSボルトや)の字型治具で締付け
て固定す゛る方法を用いていた。
発明が解決しようとする課題
ところで、この糧の真空加工装置の真空シール部におい
ては、たとえば真空槽の蓋部のように、基材の出入れ、
材料の交換、メンテナンスなどでしば−しば開閉する部
所では、開閉が容易な金属メツシュリング12や(し型
接触片13を用いる必要がある。しかしながら、特にこ
nら金属メツシュリング12やくし型接触片13を用い
る方法では、真空シール用Oリング以外にこれら部品を
取付けなければならず、金属メツシュリング12を用い
る場合では、リング溝加工が必要となるとともに、金属
メツシュリング12が蓋の開閉時に浮き上がることがあ
り、自動装置などでは、毎回式の確認が必要となるなど
問題があった。また、くし型接触片13を用いる場合は
、燐青銅や真鍮を用いるが、繰り返し変形によりその弾
力性を失い、永久変形してしまい、シールド効果が不安
定となって取換えが必要となるとともに、<シ型接触片
13・が折れ込んで真空シール不良やリークの原因とな
ることもあった。さらに、これら金属メツシュリング1
2またはくし型接触片13のいずれを用いる場合でも、
その取付は部は0リング11の外側に必要であり、その
面積分だけ真空加工装置が大きくなり、また、これらの
場合にはリング溝の加工分や、金属メツシュリング12
あるいは(シ盟接触片13の取付部品分だけ真空加工装
置が高価となる。
ては、たとえば真空槽の蓋部のように、基材の出入れ、
材料の交換、メンテナンスなどでしば−しば開閉する部
所では、開閉が容易な金属メツシュリング12や(し型
接触片13を用いる必要がある。しかしながら、特にこ
nら金属メツシュリング12やくし型接触片13を用い
る方法では、真空シール用Oリング以外にこれら部品を
取付けなければならず、金属メツシュリング12を用い
る場合では、リング溝加工が必要となるとともに、金属
メツシュリング12が蓋の開閉時に浮き上がることがあ
り、自動装置などでは、毎回式の確認が必要となるなど
問題があった。また、くし型接触片13を用いる場合は
、燐青銅や真鍮を用いるが、繰り返し変形によりその弾
力性を失い、永久変形してしまい、シールド効果が不安
定となって取換えが必要となるとともに、<シ型接触片
13・が折れ込んで真空シール不良やリークの原因とな
ることもあった。さらに、これら金属メツシュリング1
2またはくし型接触片13のいずれを用いる場合でも、
その取付は部は0リング11の外側に必要であり、その
面積分だけ真空加工装置が大きくなり、また、これらの
場合にはリング溝の加工分や、金属メツシュリング12
あるいは(シ盟接触片13の取付部品分だけ真空加工装
置が高価となる。
本発明は上記問題を解決するもので、真空槽内に高周波
印加部を有する真空加工装置において、特別の加工分や
余分の取付部品分を必要とせずに、高周波電波漏れを防
止することが可能であり、構造簡単かつ安価にできる真
空シール部構造を提供することを目的とするものである
。
印加部を有する真空加工装置において、特別の加工分や
余分の取付部品分を必要とせずに、高周波電波漏れを防
止することが可能であり、構造簡単かつ安価にできる真
空シール部構造を提供することを目的とするものである
。
課題を解決するための手段
上記問題を解決するために本発明は、真空シール用のO
リングとして、導電性のあるかつ弾性体である材料を用
い、この0リングを真空シール部の全周にわたって設け
たものである。
リングとして、導電性のあるかつ弾性体である材料を用
い、この0リングを真空シール部の全周にわたって設け
たものである。
さらには、0リングとしては体積抵抗値が590以下の
ものを用いるものである。
ものを用いるものである。
作用
と旧構成により、弾性体であるOリングにより真空が保
たれると同時に、このOリングは導電性であるので、真
空シール部力士全周にわたってシールドされ、真空槽内
からの高周波電波の漏れは簡単にかつ確実に防止される
。この場合に、Oリングは、その体積抵抗値が591よ
り大きいものを用いると自己発電してシールド性が失な
われる場合があるため、体積抵抗値が591以下のQI
Jンリン用いて高周波の漏れを完全に防止する。
たれると同時に、このOリングは導電性であるので、真
空シール部力士全周にわたってシールドされ、真空槽内
からの高周波電波の漏れは簡単にかつ確実に防止される
。この場合に、Oリングは、その体積抵抗値が591よ
り大きいものを用いると自己発電してシールド性が失な
われる場合があるため、体積抵抗値が591以下のQI
Jンリン用いて高周波の漏れを完全に防止する。
実施列
以下1本発明の一実施例を図面に基づき説明する。
第1図は本発明の一実施例を示す真空加工装置の真空シ
ール部の断面図である。第1図において、1は真空槽2
の下チャンバ、3は真空!!2の蓋で、下チャン/(1
ニはその外周側に延びるフランジ部1aに溝1bが全周
にわたって形成され、この溝1bの中にはOリング4が
嵌装されている。このOリング4はフッ素樹脂製ゴムに
カーボンを配合したり、金属粉を混ぜ合わせたりしたも
ので、ゴムとしての弾性を失うことなり、シかも導電性
とされている。この0リング4の体積抵抗値は591以
下とされている。ここで、この真空加工装置の真空槽2
の中には高周波電波を発生する高周波印加部(図示せず
)が備えられている。
ール部の断面図である。第1図において、1は真空槽2
の下チャンバ、3は真空!!2の蓋で、下チャン/(1
ニはその外周側に延びるフランジ部1aに溝1bが全周
にわたって形成され、この溝1bの中にはOリング4が
嵌装されている。このOリング4はフッ素樹脂製ゴムに
カーボンを配合したり、金属粉を混ぜ合わせたりしたも
ので、ゴムとしての弾性を失うことなり、シかも導電性
とされている。この0リング4の体積抵抗値は591以
下とされている。ここで、この真空加工装置の真空槽2
の中には高周波電波を発生する高周波印加部(図示せず
)が備えられている。
上記構成において真空加工装置を稼動させるときは、蓋
3を下チャンバ1のフランジ部1aの上面にかぶせるこ
とにより、下チャンバ1のフランジ部1aの溝1bに嵌
装されたQIJンリンが蓋3の下面に密着する。これに
より真空槽2は外部から完全にシールされ、真空状態も
維持される。また、真空槽2の中の高周波印加部から高
周波電波が発生するが、真空加工装置のシール部には導
電性のQ IJリングが全周にわたって配設されている
ので、高周波電波がシール部から漏れることはない。こ
の場合に、0リング4はその体積抵抗値が591を越え
ると、0リング4が自己発電してシールド性が失なわれ
る場合があったが、体積抵抗値が5g1以下のものであ
れば、シールド性は保たれ、高周波電波の漏れの防止を
確認できた。
3を下チャンバ1のフランジ部1aの上面にかぶせるこ
とにより、下チャンバ1のフランジ部1aの溝1bに嵌
装されたQIJンリンが蓋3の下面に密着する。これに
より真空槽2は外部から完全にシールされ、真空状態も
維持される。また、真空槽2の中の高周波印加部から高
周波電波が発生するが、真空加工装置のシール部には導
電性のQ IJリングが全周にわたって配設されている
ので、高周波電波がシール部から漏れることはない。こ
の場合に、0リング4はその体積抵抗値が591を越え
ると、0リング4が自己発電してシールド性が失なわれ
る場合があったが、体積抵抗値が5g1以下のものであ
れば、シールド性は保たれ、高周波電波の漏れの防止を
確認できた。
なお、0リング4にあまり弾性を有しない金属パイプリ
ングを用いると、その価格が高いだけでなく、繰り返し
寿命が極端に短かく、さらに金属パイプリングの大きさ
に合わせてシール部を形成しなければならないなどの問
題があり、Oリング4の材料としては不適当である。
ングを用いると、その価格が高いだけでなく、繰り返し
寿命が極端に短かく、さらに金属パイプリングの大きさ
に合わせてシール部を形成しなければならないなどの問
題があり、Oリング4の材料としては不適当である。
発明の効果
以上、本発明によれば、Oリングを真空シール用として
だけでなく高周波電波の漏れ防止用としても使用するよ
うにしたので、従来のように金属メツシュリング用の溝
を別途設ける必要がなくなって構造が簡単かつ安価とな
り、しかも、金属メツシュリングやくし型接触片などを
設けるスペースが不要であるために真空加工装置を小型
化できるとともに、これらに起因する部品劣化や変形に
伴う故障要因が少な(なって信頼性が向上された真空加
工装置を得ることができる。また、0リングとして体積
抵抗値が591以下のものを用いることにより、自己発
電によるシールド性の喪失などのおそれなく高周波電波
の漏れを確実に防止できる。
だけでなく高周波電波の漏れ防止用としても使用するよ
うにしたので、従来のように金属メツシュリング用の溝
を別途設ける必要がなくなって構造が簡単かつ安価とな
り、しかも、金属メツシュリングやくし型接触片などを
設けるスペースが不要であるために真空加工装置を小型
化できるとともに、これらに起因する部品劣化や変形に
伴う故障要因が少な(なって信頼性が向上された真空加
工装置を得ることができる。また、0リングとして体積
抵抗値が591以下のものを用いることにより、自己発
電によるシールド性の喪失などのおそれなく高周波電波
の漏れを確実に防止できる。
第1図は本発明の一実施例を示す真空加工装置の真空シ
ール部の断面図、第2図および第3図は従来の真空加工
装置の真空シール部の断面図、第4図は従来の真空加工
装置のくし型接触片の折曲げ工程図である。
ール部の断面図、第2図および第3図は従来の真空加工
装置の真空シール部の断面図、第4図は従来の真空加工
装置のくし型接触片の折曲げ工程図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、真空槽内に高周波印加部を持つ真空加工装置の真空
シール部構造であつて、導電性を有しかつ弾性体である
Oリングを真空シール部の全周にわたつて設けた真空加
工装置の真空シール部構造。 2、Oリングの体積抵抗値が5Ωcm以下である請求項
1記載の真空加工装置の真空シール部構造。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1988088A JPH01193463A (ja) | 1988-01-29 | 1988-01-29 | 真空加工装置の真空シール部構造 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1988088A JPH01193463A (ja) | 1988-01-29 | 1988-01-29 | 真空加工装置の真空シール部構造 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01193463A true JPH01193463A (ja) | 1989-08-03 |
Family
ID=12011523
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1988088A Pending JPH01193463A (ja) | 1988-01-29 | 1988-01-29 | 真空加工装置の真空シール部構造 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01193463A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04354876A (ja) * | 1991-05-31 | 1992-12-09 | Hitachi Ltd | マイクロ波プラズマ処理装置 |
US6033483A (en) * | 1994-06-30 | 2000-03-07 | Applied Materials, Inc. | Electrically insulating sealing structure and its method of use in a high vacuum physical vapor deposition apparatus |
JP2009144735A (ja) * | 2007-12-11 | 2009-07-02 | Nok Corp | 密封構造 |
US7811429B2 (en) * | 2002-07-10 | 2010-10-12 | Interpane Entwicklungs - und Beratungsgesellschaft mbH & Co., KG | Target support assembly |
JP2011195873A (ja) * | 2010-03-18 | 2011-10-06 | Fujifilm Corp | 成膜装置 |
JP2019164923A (ja) * | 2018-03-19 | 2019-09-26 | 株式会社アルバック | プラズマ処理装置 |
-
1988
- 1988-01-29 JP JP1988088A patent/JPH01193463A/ja active Pending
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04354876A (ja) * | 1991-05-31 | 1992-12-09 | Hitachi Ltd | マイクロ波プラズマ処理装置 |
US6033483A (en) * | 1994-06-30 | 2000-03-07 | Applied Materials, Inc. | Electrically insulating sealing structure and its method of use in a high vacuum physical vapor deposition apparatus |
US6436509B1 (en) | 1994-06-30 | 2002-08-20 | Applied Materials, Inc. | Electrically insulating sealing structure and its method of use in a semiconductor manufacturing apparatus |
US6821562B2 (en) | 1994-06-30 | 2004-11-23 | Applied Materials, Inc. | Method of forming an electrically insulating sealing structure for use in a semiconductor manufacturing apparatus |
US7811429B2 (en) * | 2002-07-10 | 2010-10-12 | Interpane Entwicklungs - und Beratungsgesellschaft mbH & Co., KG | Target support assembly |
JP2009144735A (ja) * | 2007-12-11 | 2009-07-02 | Nok Corp | 密封構造 |
JP2011195873A (ja) * | 2010-03-18 | 2011-10-06 | Fujifilm Corp | 成膜装置 |
JP2019164923A (ja) * | 2018-03-19 | 2019-09-26 | 株式会社アルバック | プラズマ処理装置 |
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