JP7061799B2 - 10nm未満のパターニングのためのブロックコポリマー - Google Patents
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Description
本出願は、2016年2月23日に出願された米国仮特許出願第62/298,628号の利益を主張し、この出願は本明細書において参照として援用される。
本発明は、10nm未満のラメラナノ構造体を形成することができるブロックコポリマーに関する。かかる組成物はナノインプリントリソグラフィーのための鋳型の生産を含む半導体産業における多数の応用を含む多くの用途を有する。
半導体およびハードディスクドライブ製造業者は10nmの方式およびそれ未満の構造体をパターニングするための効率的な方法を是が非でも必要としている。ナノ製造を含む様々な分野でかかる構造体が必要とされ続けている。必要とされているのは、先進のデバイスを製造するのに有用な、幅が10nmおよびそれ未満のパターンを生産するのに使用することができる十分に形成されたラメラ構造体を生成する組成物および方法である。
本発明は、10nm未満のラメラナノ構造体を形成することができるブロックコポリマーに関する。かかる組成物は、ナノインプリントリソグラフィーのための鋳型の生産を含む半導体産業における多数の応用を含む多くの用途を有する。
本発明の理解を容易にするために、いくつかの用語を以下に定義する。本明細書中で定義されている用語は本発明に関連する分野の当業者により一般的に理解されている意味を有する。「a」、「an」および「the」のような用語は単数形の実体のみを意味するのではなく、その具体例を例示のために使用し得る一般的な種類のものを含むことを意図している。本明細書中の術語は本発明の特定の実施形態を記載するために使用されているが、その使用は特許請求の範囲において概要が示されている以外本発明の範囲を定めるものではない。
一実施形態では、本発明は、5-ビニルベンゾ[d][1,3]ジオキソールおよびペンタメチルジシリルスチレンを含有するコポリマーならびに関連する構造体に関する。ポリ(5-ビニルベンゾ[d][1,3]ジオキソール)-b-ポリ(ペンタメチルジシリルスチレン)はこのタイプのジブロックコポリマーの一例である。このブロックコポリマーは10nm未満のラメラナノ構造体を形成することができ、この構造体は様々な応用に有用であり得る。例えば、この材料は5nmの線幅/線間隔を形成することができ、これは先進のマイクロ電子デバイスをパターニングするために使用することができる。
ブロックコポリマー(BCP)は2種またはそれよりも多くのポリマーブロックから合成された1群のポリマーである。ジブロックコポリマーA-b-Bの構造は、例えば、AAAAAAA-BBBBBBBBに対応し得る。BCPの相互作用パラメーターχはブロックコポリマーのブロックを混合するエネルギーに関連しており、温度に反比例する。図1のグラフは、ジブロック(A-b-B)コポリマーのブロック(A)の体積分率fの関数としてχNの一例を示す(ここで、Nは重合度である)。図1は、特定の温度およびAの体積分率で、ジブロックコポリマーが異なる形態学的特徴のドメインにミクロ相分離することを示している。図1の例で、いずれかのブロックの体積分率が0.1付近のとき、ブロックコポリマーは球状のドメインにミクロ相分離し(S)、ここではコポリマーの一方のブロックが他方のブロックの球を包囲している。いずれかのブロックの体積分率が0.2~0.3付近に近付くと、ブロックが分離して六角形配列の円柱を形成し(C)、ここではコポリマーの一方のブロックが他方のブロックの円柱を包囲している。そして、ブロックの体積分率がほぼ等しいとき、ラメラ状のドメイン(L)またはブロックの交互の縞が形成される。分子レベルの円柱状およびラメラ状のドメインの画像も示されている。2種より多くのブロックを含有するブロックコポリマー(例えば、A-b-B-b-C)の相挙動も異なるドメインへのミクロ相分離を起こす。大量のブロックコポリマー材料の自己集合および秩序化ブロックコポリマードメインの薄膜への変換は機能性のナノ構造体および各種応用向けの鋳型を作る強力なアプローチとして出現し、そのいくつかの例が参照により本明細書に組み入れられる米国特許出願第13/560,016号[6]および米国特許出願第14/048,766号[7]に記載されている。
材料。いくつかの試薬はSigma-Aldrich Chemical Co.から購入し、他に断らない限りさらに精製することなく使用した。THFはJT Bakerから購入した。100mmのケイ素ウエハーはSilicon Quest Internationalから購入した。
モノマーおよびブロックコポリマーを作製するには多くの方法がある。以下はモノマーおよびブロックコポリマーを合成することができる方法の非限定例であり、いずれも当業者には周知である。本発明を特定のブロックポリマーに限定することは意図されていない。しかし、本発明を例示するために、様々なコポリマーの例を提供する。一実施形態では、本発明はブロックコポリマーのポリ(5-ビニル-ベンゾ[d][1,3]ジオキソール-ブロック-4-ペンタメチルジシリルスチレン)の合成に関する。
5-ビニルベンゾ[d][1,3]ジオキソールの合成
ポリ(5-ビニルベンゾ[d][1,3]ジオキソール-ブロック-4-ペンタメチルジシリルスチレン)
1. Gronheid, R. and Nealey, P., (Eds.) (2015) Directed Self-Assembly of Block Co-Polymers for Nano-Manufacturing, Woodhead Publishing.
本発明の好ましい実施形態によれば、例えば、以下が提供される。
(項1)
5-ビニルベンゾ[d][1,3]ジオキソールを含むブロックコポリマー。
(項2)
前記ブロックコポリマーが層状構造体の一部である、上記項1に記載のブロックコポリ
マー。
(項3)
前記ブロックコポリマーがケイ素を含有するブロックをさらに含む、上記項1に記載の
ブロックコポリマー。
(項4)
前記ブロックコポリマーがペンタメチルジシリルスチレンをさらに含む、上記項3に記
載のブロックコポリマー。
(項5)
前記ブロックコポリマーがポリ(5-ビニルベンゾ[d][1,3]ジオキソール)-b-ポリ(ペンタメチルジシリルスチレン)である、上記項4に記載のブロックコポリマー。
(項6)
10nm未満のナノ構造体を獲得する方法であって、a)ブロックコポリマー膜を基材
上にコーティングするステップであって、前記ブロックコポリマーが5-ビニルベンゾ[
d][1,3]ジオキソールを含む、ステップ;b)前記ブロックコポリマーの上にトッ
プコートを塗布するステップ、およびc)10nm未満のナノ構造体が形成される条件下
でアニーリングするステップを含む、方法。
(項7)
ステップa)の前記コーティングの前に前記基材の表面が中性または中性付近になるよ
うに処理される、上記項6に記載の方法。
(項8)
前記ナノ構造体がラメラナノ構造体である、上記項6に記載の方法。
(項9)
前記ナノ構造体が円柱状のナノ構造体である、上記項6に記載の方法。
(項10)
d)前記層状構造体をエッチングして前記トップコートおよび前記ブロックコポリマー
の一部を除去して前記ナノ構造体を露出させるステップをさらに含む、上記項6に記載の
方法。
(項11)
層状構造体を作る方法であって、a)表面、表面処理層、5-ビニルベンゾ[d][1
,3]ジオキソールを含むブロックコポリマー、およびトップコート組成物を準備するス
テップ;b)前記表面を前記表面処理層で処理して前記表面上に第1の層を作るステップ
;c)前記第1の層をブロックコポリマーでコーティングしてブロックコポリマー膜を含
む第2の層を前記表面上に作るステップ;ならびにd)前記第2の層を前記トップコート
組成物でコーティングして前記表面上に第3の層を作るステップを含み、前記第3の層は
前記ブロックコポリマー膜表面上のトップコートを含み、前記第1、第2および第3の層
が層状構造体を構成する、方法。
(項12)
5-ビニルベンゾ[d][1,3]ジオキソールを含むブロックコポリマーを含む10
nm未満のナノ構造体。
Claims (12)
- 5-ビニルベンゾ[d][1,3]ジオキソールを含むブロックコポリマーを含む、10nm未満のナノ構造体を形成するための組成物であって、ここで、前記ブロックコポリマーが、ケイ素を含有するブロックをさらに含む、組成物。
- 前記ブロックコポリマーが層状構造体の一部である、請求項1に記載の組成物。
- 前記ブロックコポリマーがペンタメチルジシリルスチレンをさらに含む、請求項1または2に記載の組成物。
- 前記ブロックコポリマーがポリ(5-ビニルベンゾ[d][1,3]ジオキソール)-b-ポリ(ペンタメチルジシリルスチレン)である、請求項3に記載の組成物。
- 5-ビニルベンゾ[d][1,3]ジオキソールを含むブロックコポリマーであって、ここで、前記ブロックコポリマーが、ペンタメチルジシリルスチレンをさらに含む、ブロックコポリマー。
- 10nm未満のナノ構造体を獲得する方法であって、a)ブロックコポリマー膜を基材上にコーティングするステップであって、前記ブロックコポリマーが5-ビニルベンゾ[d][1,3]ジオキソールを含む、ステップ;b)前記ブロックコポリマーの上にトップコートを塗布するステップ、およびc)10nm未満のナノ構造体が形成される条件下でアニーリングするステップを含む、方法。
- ステップa)の前記コーティングの前に前記基材の表面が中性または中性付近になるように処理される、請求項6に記載の方法。
- 前記ナノ構造体がラメラナノ構造体である、請求項6に記載の方法。
- 前記ナノ構造体が円柱状のナノ構造体である、請求項6に記載の方法。
- d)エッチングにより前記トップコートおよび前記ブロックコポリマーの一部を除去して前記ナノ構造体を露出させるステップをさらに含む、請求項6に記載の方法。
- 層状構造体を作る方法であって、a)表面、表面処理層、5-ビニルベンゾ[d][1,3]ジオキソールを含むブロックコポリマー、およびトップコート組成物を準備するステップ;b)前記表面を前記表面処理層で処理して前記表面上に第1の層を作るステップ;c)前記第1の層をブロックコポリマーでコーティングしてブロックコポリマー膜を含む第2の層を前記表面上に作るステップ;ならびにd)前記第2の層を前記トップコート組成物でコーティングして前記表面上に第3の層を作るステップを含み、前記第3の層は前記ブロックコポリマー膜表面上のトップコートを含み、前記第1、第2および第3の層が層状構造体を構成する、方法。
- 5-ビニルベンゾ[d][1,3]ジオキソールを含むブロックコポリマーを含む10nm未満のナノ構造体。
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Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002241532A (ja) | 2001-02-16 | 2002-08-28 | Toshiba Corp | パターン形成方法 |
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