JP7047377B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7047377B2 JP7047377B2 JP2017251340A JP2017251340A JP7047377B2 JP 7047377 B2 JP7047377 B2 JP 7047377B2 JP 2017251340 A JP2017251340 A JP 2017251340A JP 2017251340 A JP2017251340 A JP 2017251340A JP 7047377 B2 JP7047377 B2 JP 7047377B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor substrate
- oxide film
- dry etching
- trench
- opening
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
a < t・sinθmin
ここで、変数aは、フォトレジスト膜16の開口16aに形成されたうねりの凹凸のうねり周期(ナノメートル)を示し、変数tは、酸化膜14の厚み(ナノメートル)を示し、変数θminは、傾斜角度の最低値を示す。一例として、フォトレジスト膜16のうねり周期を50ナノメートル、酸化膜14の厚みを1500ナノメートルとすると、傾斜角度の最低値θminは、2°となる。
12:半導体基板
12t:トレンチ
14:酸化膜
14a:酸化膜の開口
14s:筋状の凹凸
16:フォトレジスト膜
16a:フォトレジスト膜の開口
20:ソース電極
22:ドレイン電極
24:ゲート電極
26:ゲート絶縁膜
28:層間絶縁膜
30:ドレイン層
32:ドリフト層
34:ボディ層
36:ソース領域
40、140:ドライエッチング装置
42、44:電極
46:ステージ
48:電源
50:反応ガス源
52:チャンバー
Claims (1)
- 半導体基板の表面にトレンチを有する半導体装置の製造方法であって、
前記半導体基板の前記表面上に酸化膜を形成する工程と、
前記酸化膜上に、前記トレンチを形成する位置に合わせて開口を有するレジスト膜を形成する工程と、
前記開口が形成されたレジスト膜をマスクとし、前記酸化膜に対してドライエッチングを実施することによって、前記酸化膜に開口を形成する工程と、
前記開口が形成された前記酸化膜をマスクとし、前記半導体基板に対してドライエッチングを実施することによって、前記半導体基板上に前記トレンチを形成する工程と、
を備え、
前記酸化膜に対する前記ドライエッチングと、前記半導体基板に対する前記ドライエッチングとの少なくとも一方では、エッチャントの入射方向に対し、前記トレンチの短手方向を軸として前記半導体基板を傾斜させることにより、前記酸化膜に対する前記ドライエッチングと、前記半導体基板に対する前記ドライエッチングとの間で、前記エッチャントの入射方向に対する前記半導体基板の角度を相違させる、
製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017251340A JP7047377B2 (ja) | 2017-12-27 | 2017-12-27 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017251340A JP7047377B2 (ja) | 2017-12-27 | 2017-12-27 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019117870A JP2019117870A (ja) | 2019-07-18 |
JP7047377B2 true JP7047377B2 (ja) | 2022-04-05 |
Family
ID=67304653
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017251340A Active JP7047377B2 (ja) | 2017-12-27 | 2017-12-27 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7047377B2 (ja) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012104859A (ja) | 2006-10-30 | 2012-05-31 | Japan Aviation Electronics Industry Ltd | ガスクラスターイオンビームによる固体表面の平坦化方法 |
US20150311292A1 (en) | 2014-04-28 | 2015-10-29 | Applied Materials, Inc. | Utilization of angled trench for effective aspect ratio trapping of defects in strain-relaxed heteroepitaxy of semiconductor films |
-
2017
- 2017-12-27 JP JP2017251340A patent/JP7047377B2/ja active Active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012104859A (ja) | 2006-10-30 | 2012-05-31 | Japan Aviation Electronics Industry Ltd | ガスクラスターイオンビームによる固体表面の平坦化方法 |
US20150311292A1 (en) | 2014-04-28 | 2015-10-29 | Applied Materials, Inc. | Utilization of angled trench for effective aspect ratio trapping of defects in strain-relaxed heteroepitaxy of semiconductor films |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2019117870A (ja) | 2019-07-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5017823B2 (ja) | 半導体素子の製造方法 | |
US7510977B2 (en) | Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device | |
TWI612660B (zh) | 在三族氮化物裝置中凹陷的歐姆接點 | |
JP2018060924A (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
JP2010519754A (ja) | 半導体素子およびその製造方法 | |
KR20150111668A (ko) | 불화암모늄을 이용한 n-도핑된 그래핀 및 전기소자의 제조방법,그에 의한 그래핀 및 전기소자 | |
TWI661486B (zh) | 製造半導體裝置的方法 | |
TWI819802B (zh) | 底部隔離之形成 | |
JP2005229105A (ja) | 半導体素子およびその製造方法 | |
US9178055B2 (en) | Semiconductor device | |
WO2014148255A1 (ja) | 窒化物半導体装置および窒化物半導体装置の製造方法 | |
JP5920275B2 (ja) | 炭化珪素半導体装置およびその製造方法 | |
JP5880311B2 (ja) | 炭化珪素半導体装置 | |
JP5522907B2 (ja) | SiC膜の加工方法、半導体装置およびその製造方法 | |
JP2009032921A (ja) | 酸化膜電界効果トランジスタおよびその製造方法 | |
JP7047377B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2009194164A (ja) | 絶縁ゲート型電界効果トランジスタおよびその製造方法 | |
JP2021082689A (ja) | 炭化珪素半導体装置および炭化珪素半導体装置の製造方法 | |
WO2016076055A1 (ja) | 炭化珪素半導体スイッチング素子およびその製造方法 | |
JP6511034B2 (ja) | 炭化珪素半導体装置の製造方法 | |
KR100911883B1 (ko) | 탄화규소 수직접합형 전계효과 트랜지스터 장치 | |
JP6029330B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP2013153079A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP2000164862A (ja) | Mos半導体装置およびその製造方法 | |
WO2012169218A1 (ja) | 炭化珪素半導体装置の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20200401 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20201209 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20211124 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220119 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20220222 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20220307 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 7047377 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |