JP2012104859A - ガスクラスターイオンビームによる固体表面の平坦化方法 - Google Patents
ガスクラスターイオンビームによる固体表面の平坦化方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012104859A JP2012104859A JP2012020900A JP2012020900A JP2012104859A JP 2012104859 A JP2012104859 A JP 2012104859A JP 2012020900 A JP2012020900 A JP 2012020900A JP 2012020900 A JP2012020900 A JP 2012020900A JP 2012104859 A JP2012104859 A JP 2012104859A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- irradiation
- angle
- ion beam
- solid surface
- gcib
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000007787 solid Substances 0.000 title claims abstract description 70
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 43
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 title claims abstract description 40
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 18
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 5
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 abstract description 41
- 230000003993 interaction Effects 0.000 abstract description 34
- 230000005855 radiation Effects 0.000 abstract 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 47
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 45
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 45
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 45
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 21
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 19
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 19
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 16
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 15
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 12
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 12
- 239000010408 film Substances 0.000 description 11
- 229910018503 SF6 Inorganic materials 0.000 description 9
- 238000013461 design Methods 0.000 description 8
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 8
- 238000000089 atomic force micrograph Methods 0.000 description 7
- SFZCNBIFKDRMGX-UHFFFAOYSA-N sulfur hexafluoride Chemical compound FS(F)(F)(F)(F)F SFZCNBIFKDRMGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229960000909 sulfur hexafluoride Drugs 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 6
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 5
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 5
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 4
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 4
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 238000009966 trimming Methods 0.000 description 3
- 238000012795 verification Methods 0.000 description 3
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 description 2
- 230000005593 dissociations Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- WRQGPGZATPOHHX-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-oxohexanoate Chemical compound CCCCC(=O)C(=O)OCC WRQGPGZATPOHHX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 2
- 210000003205 muscle Anatomy 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 239000011882 ultra-fine particle Substances 0.000 description 2
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 230000010365 information processing Effects 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- MYWUZJCMWCOHBA-VIFPVBQESA-N methamphetamine Chemical compound CN[C@@H](C)CC1=CC=CC=C1 MYWUZJCMWCOHBA-VIFPVBQESA-N 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 239000000615 nonconductor Substances 0.000 description 1
- 239000004038 photonic crystal Substances 0.000 description 1
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000011343 solid material Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/06—Sources
- H01J2237/08—Ion sources
- H01J2237/0812—Ionized cluster beam [ICB] sources
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/20—Positioning, supporting, modifying or maintaining the physical state of objects being observed or treated
- H01J2237/202—Movement
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/31—Processing objects on a macro-scale
- H01J2237/3151—Etching
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Abstract
【解決手段】固体表面の法線とガスクラスターイオンビームとがなす角度を照射角度とし、固体とこの固体に衝突したクラスターとが相互作用する距離が飛躍的な増大に転じる照射角度を臨界角として、予め固体表面の形状データを取得する過程と、臨界角以上の照射角度で固体表面に対して、形状データに含まれる800nm以上1.1μm以下の範囲の周期をもつ表面の凹凸のうねりの方向と照射方向とを一致させてガスクラスターイオンビームを照射する照射過程とを有する固体表面の平坦化方法とする。この臨界角は70°である。
【選択図】図2
Description
(参考文献1)N. Toyoda et al., Nucl. Instr. And Meth. In Phys. Res. B161-163(2000)980.
ところで、従来市販されているガスクラスターイオンビーム装置では、ビームの大きさ(ビーム幅)は数ミリオーダーである。一方、ラテラルスパッタリング効果によって1個のクラスターが及ぼす平坦化作用の範囲は、1個のクラスターが表面に衝突した場合に形成されるクレーターの大きさと同じオーダーであると考えられ、約10nm(ナノメートル)の大きさであることが知られている。
この具体的角度は、実験結果で得た知見に基づく。
本発明者らは、実験結果に基づき、ガスクラスターイオンビーム(以下、「GCIB」ともいう。)を平坦化の対象となる固体表面、即ち平坦化対象面に対して斜方照射すると、固体とクラスターとの相互作用距離が数10nm〜数μmにも及ぶとの新たな知見を得た。上記斜方照射における照射角度の詳細は後述する。この知見に基づき、微細構造の数10nm〜100μm程度の周期の表面粗さを低減する。この数10nm〜100μm程度の周期を、10nmオーダーの短周期に比較して「長周期」とも云うことにする。
ラインアンドスペースパターン構造のライン(ラインアンドスペースパターン構造の突起部分〔凸部に相当〕)の延伸方向をx軸とし、ラインの深さ方向をz軸とし、このx軸およびz軸に直交する方向をy軸とする。そしてライン側面(つまり、ラインの深さ方向の壁面である。)に於いて、照射角度θは、y軸(ライン側面の法線)とGCIBとがなす角度とする。なお、この照射角度θは、GCIBのライン側面に垂直投影した投影照射方向とGCIBとがなす角度に対して余角である。また、照射方角φは、GCIBのライン側面に垂直投影した投影照射方向とx軸とがなす角とする。
下記各実施例では、ガスクラスターの種類としてArガスクラスターとSF6ガスクラスターを用いた。Arガスクラスターの場合は、Arガスを原料とし、Ar原子が約2000個凝集したクラスターを粒度分布のピークとするArガスクラスタービームを生成し、30kVの加速電圧でターゲット19に照射した。SF6ガスクラスターの場合は、SF6ガスおよびHeガスを原料とし、SF6分子が約500個凝集したクラスターを粒度分布のピークとするSF6ガスクラスターイオンビームを生成し、30kVの加速電圧で加速して、ターゲット19に照射した。
ステップS1
まず、GCIB照射前に予めターゲット19のパターン構造(微細構造)を原子間力顕微鏡などで測定し、その形状データを取得した。
ステップS2
次に、その形状データと所望のパターン幅などの値との差から、微細構造が所望の設計サイズになるようにエッチング量を計算した。
ステップS3
次に、ターゲット19を表面平坦化装置100のターゲット支持体18に設置し、この状態のターゲット支持体18の角度を照射角度θ・照射方角φとして定めた。
ステップS4
次いで、所望のエッチング量、ターゲット19の材質とそのエッチング率、GCIBのガス種、加速エネルギー、照射角度θ、照射方角φなどの諸条件を設定し、この諸条件を基にデータベース30を参照してドーズ量を決定した。
ステップS5
続いて、ガスクラスーイオンビーム照射処理を行った。
この結果、ターゲット19表面上のパターン構造がトリミングされるとともに、平坦化対象面は平坦化された。
パターン構造として、ライン幅=スペース幅=1.0μm、深さ1.0μmの設計でラインアンドスペースパターン構造をシリコン基板表面上に作製した。
ステップS1a
まず、GCIB照射前に予めシリコンウエハー表面上の各領域(例えば、チップ単位の領域である。)におけるパターン構造(微細構造)を原子間力顕微鏡などで測定し、その形状データを取得した。そして、この形状データをシリコンウエハー表面上の各領域でマッピングしてデータマップを作成した。
ステップS2a
次に、データマップと所望のパターン幅などの値との差から微細構造が所望の設計サイズとなるように、各領域ごとに照射角度・照射方角とエッチング量を計算した。そして、スキャニング制御によってシリコンウエハー全面で一括して表面平坦化処理を実行するため、各領域ごとに前記計算で得た所定の照射角度・照射方角とエッチング量となるように変調制御するスキャニングプログラムを設定した。
ステップS3a
次に、シリコンウエハーを表面平坦化装置100のターゲット支持体18に設置して、これを基準面とした。
ステップS4a
次いで、ステップS2aで設定したスキャニングプログラムに従ってガスクラスーイオンビーム照射処理を行った。
シリコンウエハー表面上に、1次元回折格子(ラインアンドスペースパターン構造)のチップを多数配列させて形成した(図17A)。ライン幅=スペース幅=0.29μm、溝深さ=700nmで設計した。1チップのサイズは25μm角とした。シリコンウエハー表面上でのライン幅の分布を調べたところ、シリコンウエハーの中心では0.32μmであり、シリコンウエハーの周辺部では0.35μmであった(図17B)。そして、ライン幅の分布は、シリコンウエハーの中心部から外周に向かって単調に大きくなっていた。
実施例1を参照すると、GCIBの照射角度θが平坦化対象面の法線から70°以上であると、平坦化対象面の平均表面粗さが急激に減少することがわかる。
Claims (2)
- ガスクラスターイオンビームによる固体表面の平坦化方法であって、
上記固体表面の法線と上記ガスクラスターイオンビームとがなす角度を照射角度とし、
固体と当該固体に衝突したクラスターとが相互作用する距離が飛躍的な増大に転じる照射角度を臨界角として、
予め上記固体表面の形状データを取得する過程と、
上記臨界角以上の上記照射角度で上記固体表面に対して、上記形状データに含まれる800nm以上1.1μm以下の範囲の周期をもつ表面の凹凸のうねりの方向と照射方向とを一致させて上記ガスクラスターイオンビームを照射する照射過程と
を有する
ガスクラスターイオンビームによる固体表面の平坦化方法。 - 請求項1に記載のガスクラスターイオンビームによる固体表面の平坦化方法において、
上記臨界角は70度である
ことを特徴とするガスクラスターイオンビームによる固体表面の平坦化方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012020900A JP5499063B2 (ja) | 2006-10-30 | 2012-02-02 | ガスクラスターイオンビームによる固体表面の平坦化方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006293685 | 2006-10-30 | ||
JP2006293685 | 2006-10-30 | ||
JP2012020900A JP5499063B2 (ja) | 2006-10-30 | 2012-02-02 | ガスクラスターイオンビームによる固体表面の平坦化方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008542207A Division JP5231238B2 (ja) | 2006-10-30 | 2007-10-30 | ガスクラスターイオンビームによる固体表面の平坦化方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012104859A true JP2012104859A (ja) | 2012-05-31 |
JP5499063B2 JP5499063B2 (ja) | 2014-05-21 |
Family
ID=39344349
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008542207A Active JP5231238B2 (ja) | 2006-10-30 | 2007-10-30 | ガスクラスターイオンビームによる固体表面の平坦化方法 |
JP2012020900A Active JP5499063B2 (ja) | 2006-10-30 | 2012-02-02 | ガスクラスターイオンビームによる固体表面の平坦化方法 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008542207A Active JP5231238B2 (ja) | 2006-10-30 | 2007-10-30 | ガスクラスターイオンビームによる固体表面の平坦化方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8481981B2 (ja) |
EP (1) | EP2079104A4 (ja) |
JP (2) | JP5231238B2 (ja) |
KR (1) | KR20090057113A (ja) |
CN (1) | CN101548366B (ja) |
WO (1) | WO2008054014A1 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2014002336A1 (ja) * | 2012-06-29 | 2014-01-03 | キヤノンアネルバ株式会社 | イオンビーム処理方法およびイオンビーム処理装置 |
JP2014012310A (ja) * | 2012-07-04 | 2014-01-23 | Japan Aviation Electronics Industry Ltd | 切れ刃エッジの加工方法及びその加工方法で加工された切れ刃エッジを有する器具 |
JP2019117870A (ja) * | 2017-12-27 | 2019-07-18 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2005031838A1 (ja) * | 2003-09-30 | 2005-04-07 | Japan Aviation Electronics Industry Limited | 固体表面の平坦化方法及びその装置 |
US7626183B2 (en) * | 2007-09-05 | 2009-12-01 | Tel Epion Inc. | Methods for modifying features of a workpiece using a gas cluster ion beam |
US7637269B1 (en) * | 2009-07-29 | 2009-12-29 | Tokyo Electron Limited | Low damage method for ashing a substrate using CO2/CO-based process |
JP5433356B2 (ja) * | 2009-09-16 | 2014-03-05 | 日本航空電子工業株式会社 | 金型及び金型表面の加工方法 |
JP5801034B2 (ja) * | 2010-02-01 | 2015-10-28 | 日本航空電子工業株式会社 | 摺動部品、摺動部品表面の加工方法および生産方法 |
KR20110109563A (ko) | 2010-03-31 | 2011-10-06 | 삼성전자주식회사 | 포토 마스크의 광학 파라미터 보정 방법 |
US8847148B2 (en) * | 2010-08-23 | 2014-09-30 | Exogenesis Corporation | Method and apparatus for neutral beam processing based on gas cluster ion beam technology |
US9349407B2 (en) | 2011-12-12 | 2016-05-24 | HGST Netherlands B.V. | Data storage medium surface smoothing method and associated apparatus |
KR102347960B1 (ko) | 2015-02-03 | 2022-01-05 | 삼성전자주식회사 | 도전체 및 그 제조 방법 |
CN108232010B (zh) * | 2016-12-21 | 2021-03-30 | 上海磁宇信息科技有限公司 | 一种气体团簇离子束平坦化磁性隧道结底电极的方法 |
CN108232007A (zh) * | 2016-12-21 | 2018-06-29 | 上海磁宇信息科技有限公司 | 一种气体团簇离子束修剪被刻蚀后的磁性隧道结的方法 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4849641A (en) * | 1987-06-22 | 1989-07-18 | Berkowitz Edward H | Real time non-destructive dose monitor |
JP3015193B2 (ja) * | 1992-02-28 | 2000-03-06 | 日本電信電話株式会社 | 光学素子 |
JP3451140B2 (ja) | 1994-10-26 | 2003-09-29 | 科学技術振興事業団 | ガスクラスターイオンビームによる超精密研磨加工方法 |
JP2005031838A (ja) * | 2003-07-09 | 2005-02-03 | Ricoh Co Ltd | 株価チャート提供システム、該システムの機能を実現するプログラム及び記録媒体 |
WO2005031838A1 (ja) | 2003-09-30 | 2005-04-07 | Japan Aviation Electronics Industry Limited | 固体表面の平坦化方法及びその装置 |
JP2006155724A (ja) * | 2004-11-29 | 2006-06-15 | Hitachi Ltd | 磁気ディスク装置の製造方法 |
JP4636862B2 (ja) * | 2004-11-29 | 2011-02-23 | 株式会社日立製作所 | ガスクラスターイオンビーム照射装置 |
-
2007
- 2007-10-30 KR KR1020097007449A patent/KR20090057113A/ko not_active Application Discontinuation
- 2007-10-30 US US12/312,203 patent/US8481981B2/en active Active
- 2007-10-30 JP JP2008542207A patent/JP5231238B2/ja active Active
- 2007-10-30 EP EP07831193A patent/EP2079104A4/en not_active Withdrawn
- 2007-10-30 CN CN2007800408945A patent/CN101548366B/zh active Active
- 2007-10-30 WO PCT/JP2007/071460 patent/WO2008054014A1/ja active Application Filing
-
2012
- 2012-02-02 JP JP2012020900A patent/JP5499063B2/ja active Active
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2014002336A1 (ja) * | 2012-06-29 | 2014-01-03 | キヤノンアネルバ株式会社 | イオンビーム処理方法およびイオンビーム処理装置 |
KR20150022975A (ko) * | 2012-06-29 | 2015-03-04 | 캐논 아네르바 가부시키가이샤 | 이온빔 처리 방법 및 이온빔 처리 장치 |
GB2518085A (en) * | 2012-06-29 | 2015-03-11 | Canon Anelva Corp | Ion beam processing method and ion beam processing device |
JPWO2014002336A1 (ja) * | 2012-06-29 | 2016-05-30 | キヤノンアネルバ株式会社 | イオンビーム処理方法およびイオンビーム処理装置 |
KR101654661B1 (ko) * | 2012-06-29 | 2016-09-07 | 캐논 아네르바 가부시키가이샤 | 이온빔 처리 방법 및 이온빔 처리 장치 |
GB2518085B (en) * | 2012-06-29 | 2017-03-01 | Canon Anelva Corp | Ion beam processing method and ion beam processing apparatus |
US9984854B2 (en) | 2012-06-29 | 2018-05-29 | Canon Anelva Corporation | Ion beam processing method and ion beam processing apparatus |
US10546720B2 (en) | 2012-06-29 | 2020-01-28 | Canon Anelva Corporation | Ion beam processing device |
JP2014012310A (ja) * | 2012-07-04 | 2014-01-23 | Japan Aviation Electronics Industry Ltd | 切れ刃エッジの加工方法及びその加工方法で加工された切れ刃エッジを有する器具 |
JP2019117870A (ja) * | 2017-12-27 | 2019-07-18 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP7047377B2 (ja) | 2017-12-27 | 2022-04-05 | 株式会社デンソー | 半導体装置の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2008054014A1 (fr) | 2008-05-08 |
JP5231238B2 (ja) | 2013-07-10 |
US8481981B2 (en) | 2013-07-09 |
CN101548366B (zh) | 2012-03-14 |
EP2079104A4 (en) | 2010-06-23 |
KR20090057113A (ko) | 2009-06-03 |
EP2079104A1 (en) | 2009-07-15 |
JPWO2008054014A1 (ja) | 2010-02-25 |
US20100230616A1 (en) | 2010-09-16 |
CN101548366A (zh) | 2009-09-30 |
JP5499063B2 (ja) | 2014-05-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5499063B2 (ja) | ガスクラスターイオンビームによる固体表面の平坦化方法 | |
JP5160437B2 (ja) | ガスクラスターイオンビームによる固体表面の加工方法 | |
US8764952B2 (en) | Method for smoothing a solid surface | |
TWI493167B (zh) | 利用聚焦離子束裝置及掃描式電子顯微鏡以產生半導體結構之三維影像的方法 | |
JP6366216B2 (ja) | Tem画像化用の薄い試料を作製する方法 | |
US8293126B2 (en) | Method and system for multi-pass correction of substrate defects | |
KR101911330B1 (ko) | 레지스트 특징부들의 임계 치수 및 러프니스를 제어하기 위한 방법 및 시스템 | |
US20100096263A1 (en) | Solid surface smoothing apparatus | |
JP2016008971A (ja) | 対称なfib堆積物を作り出す方法およびシステム | |
EP2079102A1 (en) | Method for flattening solid surface with gas cluster ion beam, and solid surface flattening device | |
TWI401722B (zh) | 多數基板之特定位置處理時增大處理量的方法、系統及電腦可讀媒體 | |
JP5647220B2 (ja) | マイクロ及びナノスケールの3次元構造の製造方法並びに製造装置 | |
US8298432B2 (en) | Method and system for adjusting beam dimension for high-gradient location specific processing | |
Rumyantsev et al. | Study of silicon dioxide focused ion beam sputtering using electron microscopy imaging and level set simulation | |
TWI585808B (zh) | 位置特定處理中用以實現預測的系統性誤差更正之設備及方法 | |
JP2010276617A (ja) | プローブの作製方法およびプローブ、ならびに走査プローブ顕微鏡 | |
KR20150098262A (ko) | 표면 플라즈몬 식각 공정을 이용한 패턴 형성방법 | |
JP6886016B2 (ja) | 粒子線を用いて表面を処理する方法 | |
JP2016537785A (ja) | Gcibシステムのための基板エッジプロファイル補正のためのマルチステップ場所特異的プロセス |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130426 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130604 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130730 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140304 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140310 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5499063 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |