JP7028786B2 - 画素限定層、有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法、表示装置 - Google Patents
画素限定層、有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法、表示装置 Download PDFInfo
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Description
S101、複数の画素限定領域の開口を有する基板限定層を形成する工程;
S102、基板限定層の少なくとも1つの開口の側面に第1の限定層を形成する工程、基板限定層と第1の限定層の材料の親水性が異なる。
(1)本発明の少なくとも一つの実施例で提供される画素限定層では、画素限定層の基板限定層の少なくとも一つの開口の側面に第1の限定層を配置し、且つ該基板限定層と第1の限定層の材料が異なることにより、異なる材料で形成された正孔注入層に適応でき、正孔注入層の成膜をより均一にする。
(2)本発明の少なくとも一つの実施例で提供される画素限定層では、有機エレクトロルミネッセンス素子の発光効率を向上させ、素子の寿命が長くなる。
(1)本願に開示された実施例の図面は、本願に開示された実施例に言及された構造のみに関し、他の構造は一般的な設計を参照することができる。
(2)明確にするために、本開示の実施例を説明するための図面では、層または領域の厚さが拡大または縮小されることがあり、すなわち図面は実際の縮尺で描かれたものではない。例えば、層、膜、領域または基板のような素子が別の素子の「上にある」または「下にある」と述べられた場合、該素子は「直接的に」他の素子の「上にある」または「下にある」でもよい、または中間素子が存在してもよい。
(3)互いに矛盾しない場合、本開示の実施例および実施例の特徴を互いに組み合わせて、新しい実施例を得ることができる。
20 有機エレクトロルミネッセンス素子
30 表示装置
101 開口
102 基板限定層
103 第1の限定層
104 第2の限定層
105 第3の限定層
201 下地基板
202 駆動トランジスタ
203 第1の電極
204 第2の電極
205 有機機能層
207 パッシベーション層
208 カプセル化層
1021 基板限定層の下部構造
2021 ゲート電極
2022 ソース電極
2023 ドレイン電極
2024 活性層
2051 正孔注入層
2052 正孔輸送層
2053 有機発光層
2054 電子輸送層
2055 電子注入層
Claims (17)
- 複数の画素限定領域の開口を有する基板限定層を含み、
前記開口は、少なくとも一つの第1の開口および少なくとも一つの第2の開口を含み、前記少なくとも一つの第1の開口は、前記少なくとも一つの第2の開口とは異なり、第1の限定層が前記少なくとも一つの第1の開口の側面に配置され、第2の限定層が前記少なくとも一つの第2の開口の側面に配置され、
前記基板限定層、前記第1の限定層、前記第2の限定層の材料の親水性がそれぞれ異なる、画素限定層。 - 前記基板限定層の材料は、親水性材料または第1の疎水性材料を含み、
前記第1の限定層の材料は、第2の疎水性材料を含み、
前記第2の限定層の材料は、第3の疎水性材料を含む、請求項1に記載の画素限定層。 - 前記第1の疎水性材料は、フッ素化ポリイミド、フッ素化ポリメチルメタクリレート、フッ素化シリコーンのうちの少なくとも1つを含み、
前記第2の疎水性材料は、フッ素化ポリイミド、フッ素化ポリメチルメタクリレート、フッ素化シリコーンのうちの少なくとも1つを含み、
前記第3の疎水性材料は、フッ素化ポリイミド、フッ素化ポリメチルメタクリレート、フッ素化シリコーンのうちの少なくとも1つを含む、請求項2に記載の画素限定層。 - 前記第1の疎水性材料と前記第2の疎水性材料または前記第3の疎水性材料との基材が同じであるがフッ素化度が異なる場合、前記第1の疎水性材料中のフッ素化された基とフッ素化されていない基の比は、前記第2の疎水性材料および前記第3の疎水性材料中のフッ素化された基とフッ素化されていない基の比よりも小さい、請求項3に記載の画素限定層。
- 前記親水性材料は、無機親水性材料または有機親水性材料を含み、
前記無機親水性材料は、SiO2、SiNX、SiONXのうちの少なくとも1つを含み、
前記有機親水性材料は、ポリイミド、ポリメチルメタクリレート、シリコーン樹脂のうちの少なくとも1つを含む、請求項2に記載の画素限定層。 - 脱イオン水の前記基板限定層上における第1の接触角は、脱イオン水の前記第1の限定層および第2の限定層上における第2の接触角よりも小さく、且つ
前記第1の接触角と前記第2の接触角の差は30°~90°である、請求項1~5のいずれか一項に記載の画素限定層。 - 前記基板限定層の厚さは3μm~50μmであり、
前記第1の限定層と前記第2の限定層の厚さは1μm~3μmである、請求項6に記載の画素限定層。 - 前記開口は、少なくとも一つの第3の開口をさらに含み、
前記少なくとも一つの第3の開口は、前記少なくとも一つの第1の開口および前記少なくとも一つの第2の開口とは異なり、
第3の限定層が前記少なくとも一つの第3の開口の側面に配置され、
前記第1の開口、前記第2の開口および前記第3の開口は、順次に配置されるか、または互いに隔てられて配置される、請求項6に記載の画素限定層。 - 下地基板、
前記下地基板上に配置された請求項1~8のいずれか一項に記載の画素限定層、
前記基板限定層の開口中に配置された有機機能層を含む、有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 前記有機機能層は、積層配置される正孔注入層と有機発光層とを含む、請求項9に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 前記正孔注入層の材料は、アルコール系、エーテル系、エステル系のうちの少なくとも1つと、ポリアニリン系導電性ポリマーまたはポリチオフェン系導電性ポリマーとを含む、請求項10に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 前記正孔注入層の材料の前記基板限定層上における第3の接触角が0°~50°であり、
前記正孔注入層の材料の前記第1の限定層上における第4の接触角が30°~90°であり、
前記正孔注入層の材料の前記第2の限定層上における第5の接触角が30°~90°であり、
前記第4の接触角と前記第5の接触角の差は0°~10°である、請求項11に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 請求項9~12のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を含む、表示装置。
- 複数の画素限定領域の開口を有する基板限定層を形成することを含み、
前記開口は、少なくとも一つの第1の開口および少なくとも一つの第2の開口を含み、前記少なくとも一つの第1の開口は、前記少なくとも一つの第2の開口とは異なり、第1の限定層が前記少なくとも一つの第1の開口の側面に形成され、第2の限定層が前記少なくとも一つの第2の開口の側面に形成され、
前記基板限定層、前記第1の限定層、前記第2の限定層の材料の親水性がそれぞれ異なる、画素限定層の製造方法。 - 下地基板を提供すること、
前記下地基板上に請求項1~8のいずれか一項に記載の画素限定層を形成すること、及び
前記基板限定層の開口中に有機機能層を形成することを含む、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。 - 前記有機機能層は、積層配置されている正孔注入層と有機発光層とを含む、請求項15に記載の製造方法。
- 前記正孔注入層の材料の前記基板限定層上における第3の接触角が0°~50°であり、
前記正孔注入層の材料の前記第1の限定層上における第4の接触角が30°~90°であり、
前記正孔注入層の材料の前記第2の限定層上における第5の接触角が30°~90°であり、
前記第4の接触角と前記第5の接触角の差は0°~10°である、請求項16に記載の製造方法。
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