CN111564573B - 功能膜层的制备方法、光电器件的制备方法及光电装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种功能膜层的制备方法、光电器件的制备方法及光电装置，通过在目标区域的侧表面设置疏水层，从而实现在设置具有本申请特征的第二溶液时，第二溶液不粘附于侧表面，从而仅在底表面形成功能膜层，同时提高了功能膜层的均匀性。通过第一溶液的配方设计，使第一溶液在目标区域内形成咖啡印，利用咖啡印的特点，从而第一溶液干燥后溶质聚集在目标区域的侧表面上形成疏水层。通过第二溶液的配方设计，使得第二溶液难以亲润疏水层，使得第二溶液在底表面形成功能膜层。本发明制备得到的量子点电致发光器件发光均匀性较好，外量子效率高。

Description

功能膜层的制备方法、光电器件的制备方法及光电装置

技术领域

本发明涉及光学技术领域，具体而言，涉及功能膜层的制备方法、光电器件的制备方法及光电装置。

背景技术

近些年，溶液法逐渐替代传统的蒸镀法成为制作电致发光器件的研究热点，制作电致发光器件的过程主要包括将相应功能墨水设置到对应的像素中，一般像素包括像素界定层和发光区域，发光区域是像素界定层和基板围成的凹坑，该凹坑用于盛放墨水，墨水干燥后形成各个膜层(各个功能层和发光层)，各膜层与上下电极构成发光器件。

现有技术中有通过调节墨水的配方以期改善膜层不均匀的方案，但改善效果并不理想，用于调节配方的调节剂本身可能对发光器件的发光和导电等性能带来不良影响，此外，由于引入了调节工艺还会增加墨水配置工艺的复杂程度。

发明内容

本发明的目的在于提供一种功能膜层的制备方法、光电器件的制备方法及光电装置，以解决现有技术中功能膜层墨水在子像素坑内扩散从而导致分布不均的技术问题。

为了实现上述目的，根据本发明的一个方面，提供了一种功能膜层的制备方法，包括以下步骤：S1，提供一像素基板，上述像素基板具有像素界定层，上述像素界定层围成多个目标区域，各个上述目标区域包括底表面和侧表面；S2，提供第一溶液，上述第一溶液包括第一溶剂和溶质，将上述第一溶液设置于上述目标区域内，除去上述第一溶剂，于上述侧表面上形成疏水层，上述疏水层的表面能小于30mN/m，上述疏水层覆盖80％以上的上述侧表面；S3，提供第二溶液，上述第二溶液包括第二溶剂，将上述第二溶液设置于上述目标区域内，除去上述第二溶剂，于上述底表面上形成上述功能膜层；其中，上述第一溶液的表面张力为20～50mN/m，上述第二溶液在30℃的粘度为1～20cps，且表面张力为20～50mN/m。

进一步地，上述目标区域的容积和设置于上述目标区域内的上述第一溶液的体积比为1：(1～2)；优选上述第一溶液的浓度为0.1wt％～20wt％。

进一步地，步骤S2和步骤S3作为一个循环，至少重复一次上述循环，从而于上述目标区域的侧表面上形成多层上述疏水层，且于上述底表面上形成多层上述功能膜层。

进一步地，各次上述循环中，各次所使用的上述第一溶液的材料相同或不相同，各次所使用的上述第二溶液的材料相同或不相同。

进一步地，上述疏水层的厚度为1～100nm。

进一步地，上述溶质的化学结构中包含烃基、氟代烃基、聚硅氧烷基中的一种或多种；优选地，上述溶质的重均分子量Mw大于等于500，小于等于50000。

进一步地，上述第一溶剂的沸点大于等于150℃，小于等于400℃；优选地，上述第一溶剂选自烷烃、芳香烃、醇类、醇醚类中的一种或多种。

进一步地，上述步骤S2之前还包括步骤S2’：对上述像素基板进行表面处理，优选地，上述表面处理方式为等离子体处理、紫外-臭氧处理中的一种或两种方式联合处理。

进一步地，上述第一溶液或上述第二溶液设置于上述目标区域内的方式为喷墨打印。

根据本发明的另一个方面，提供一种光电器件的制备方法，包括形成多个功能膜层，至少一个上述功能膜层采用上述的任一上述制备方法制得。

根据本发明的又一个方面，提供一种光电装置，上述光电装置包括光电器件，上述光电器件按照上述的制备方法制备，且上述光电器件为量子点电致发光器件。

应用本发明的技术方案，通过在目标区域的侧表面设置疏水层，从而实现在设置具有上述特征的第二溶液时，第二溶液不粘附于侧表面，从而仅在底表面形成功能膜层，同时提高了功能膜层的均匀性。通过第一溶液的配方设计，使第一溶液在目标区域内形成咖啡印(coffee ring)，利用咖啡印的特点，从而第一溶液干燥后溶质聚集在目标区域的侧表面上形成疏水层。通过第二溶液的配方设计，使得第二溶液难以亲润疏水层，使得第二溶液在底表面形成功能膜层。本发明制备得到的量子点电致发光器件发光均匀性较好，外量子效率高。

附图说明

图1示出了实施例1制备完成空穴注入层后的功能膜层的显微镜图片；

图2示出了实施例1制备完成空穴注入层后的膜厚分布的台阶仪像素扫描图片；

图3示出了实施例2制备完成空穴传输层后的功能膜层的显微镜图片；

图4示出了实施例2制备完成空穴传输层后的膜厚分布的台阶仪像素扫描图片；

图5和图6示出了实施例3的量子点溶液在子像素坑内干燥前后的显微镜图片；

图7示出了实施例3制备的QLED器件的膜厚分布的台阶仪像素扫描图片；

图8示出了实施例3制备的QLED器件点亮状态的显微镜图片；

图9示出了对比例1制备的QLED器件点亮状态的显微镜图片；

图10和图11示出了对比例1的量子点溶液在子像素坑内干燥前后的显微镜图片；

图12示出了对比例1制备的QLED器件的膜厚分布的台阶仪像素扫描图片；

图13示出了典型的功能膜层制备后的剖面结构示意图。

附图标记：1、疏水层；2、功能膜层；3、目标区域；4、像素界定层；5、像素基板。

具体实施方式

应该指出，以下详细说明都是例示性的，旨在对本申请提供进一步的说明。除非另有指明，本文使用的所有技术和科学术语具有与本申请所属技术领域的普通技术人员通常理解的相同含义。

下面，结合具体实施方式，对本申请做进一步描述，需要说明的是，在不相冲突的前提下，以下描述的各实施例之间或各技术特征之间可以任意组合形成新的实施例。

需要说明的是，本申请的说明书和权利要求书中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本申请的实施例。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、产品或器件不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或器件固有的其它步骤或单元。

根据本申请的第一个方面，提供了一种功能膜层的制备方法，包括以下步骤：S1，提供一像素基板，像素基板具有像素界定层，像素界定层围成多个目标区域，各个目标区域包括底表面和侧表面；S2，提供第一溶液，第一溶液包括第一溶剂和溶质，将第一溶液设置于目标区域内，除去第一溶剂，于侧表面上形成疏水层，疏水层的表面能小于30mN/m，疏水层覆盖80％以上的侧表面；S3，提供第二溶液，第二溶液包括第二溶剂，将第二溶液设置于目标区域内，除去第二溶剂，于底表面上形成功能膜层；其中，第一溶液的表面张力为20～50mN/m，第二溶液在30℃的粘度为1～20cps，且表面张力为20～50mN/m。

图13示出了一种典型实施例中，完成上述步骤S1～S3步骤后的像素基板上的剖面结构示意图。该结构包括疏水层1、功能膜层2、目标区域3、像素界定层4、像素基板5。

通过在目标区域的侧表面设置疏水层，从而实现在设置具有上述特征的第二溶液时，第二溶液不粘附于侧表面，从而仅在底表面形成功能膜层，同时提高了功能膜层的均匀性。形成上述侧表面的材料不受限制，对于不同的侧表面材料可以通过调节第一溶液的组成从而使侧表面覆盖疏水层变得疏水。通过第一溶液的配方设计，使第一溶液在目标区域内形成咖啡印，利用咖啡印的特点，从而第一溶液干燥后溶质聚集在目标区域的侧表面上形成疏水层。通过第二溶液的配方设计，使得第二溶液难以亲润疏水层，使得第二溶液在底表面形成功能膜层。除去第一溶剂和第二溶剂的方式包括真空干燥、加热干燥、或前面两种干燥方式的结合，但不限于此。

在一些实施例中，疏水层覆盖90％以上的侧表面；在一些实施例中，疏水层覆盖100％的侧表面。疏水层的覆盖情况可以根据第一溶液的体积进行调整。疏水层在侧表面上的覆盖率越高，则可以更好地使得第二溶液不粘附于侧表面，还便于在确定第二溶液的设置体积时，无须考虑疏水层不足带来的第二溶液体积调整问题。

需要说明的是，第一溶液设置于目标区域内的含义可以包括第一溶液超出目标区域的最大容积，由于表面能的原因，第一溶液处于溢出但不在像素界定层上扩散的状态。

在一些实施例中，第一溶液的表面张力为25～40mN/m，第二溶液在30℃的粘度为3～15cps，且表面张力为25～40mN/m。

在一些实施例中，目标区域的容积和设置在目标区域内的第一溶液的体积比为1：(1～2)，优选为1：(1～1.3)。在上述比例范围内，当第一溶液被干燥后，第一溶液的溶质能够覆盖大部分侧表面；当第一溶液的用量增加，形成的疏水层在侧表面上的覆盖率越接近100％。为了使疏水层的疏水效果更好，优选第一溶液的浓度为0.1wt％～20wt％，从而获得较致密的疏水层。需要说明的是，上述目标区域的容积指的是在目标区域盛装液体恰好不溢出时的液体体积。

在一些实施例中，步骤S2和步骤S3作为一个循环，至少重复一次循环，从而于目标区域的侧表面上形成多层疏水层，且于底表面上形成多层功能膜层。通过循环，使得疏水层保持有效性，从而在多层功能膜层的制备中，各个功能膜层均能较好地铺展在目标区域的底表面。在每次施加功能膜层墨水之前预先设置一疏水层，提高了每一功能膜层在子像素坑内的膜层均匀性，与现有技术中通过等离子体技术使像素界定结构表面改性或直接使用含氟的像素界定结构材料的制备方法相比，避免了在制作第二层功能膜层时由于像素界定结构的侧表面上已经附着了第一层功能膜层的材料而导致侧表面起不到疏水的作用，解决了现有技术中功能膜层墨水在子像素坑内扩散从而导致分布不均的问题，实现了提升器件发光均匀性的效果。

在一些实施例中，各次循环中，各次所使用的第一溶液的材料可以相同或不相同，各次所使用的第二溶液的材料可以相同或不相同。

在一些实施例中，疏水层的厚度为1～100nm。

在一些实施例中，疏水层的厚度为5～50nm。在一些实施例中，第一溶液的溶质的化学结构中包含烃基、氟代烃基、聚硅氧烷基中的一种或多种。溶质的化学结构还可以包含其他基团，使得溶质整体呈现疏水性。

在一些实施例中，第一溶液的溶质的重均分子量M_w大于等于500，小于等于50000。从而制得具有上述表面张力范围的第一溶液，具有上述重均分子量的溶质的第一溶液便于喷墨打印和成膜，当分子量小于500时可能成膜性不好，当分子量大于50000时喷墨打印可能困难。

在一些实施例中，通过调整第一溶液中的溶质和第一溶剂的比例，可以调整疏水层的疏水物质的分布及疏水层的厚度，从而调整疏水层的表面张力。

在一些实施例中，第一溶剂的沸点大于等于150℃，小于等于400℃。在该沸点范围内，溶剂饱和蒸气压低，不容易挥发，从而打印第一溶液不易堵喷嘴。在一些实施例中，第一溶剂选自烷烃、芳香烃、醇类、醇醚类中的一种或多种。

在一些实施例中，步骤S2之前还包括步骤S2’：对像素基板进行表面处理，优选地，表面处理方式为等离子体处理、紫外-臭氧处理中的一种或两种方式联合处理。表面处理一方面提高第一溶液在目标区域内的铺展均匀度，另一方面，增加第一溶液的溶质与侧表面的附着力，使溶质不容易脱落。

在一些实施例中，将第一溶液或第二溶液设置于目标区域内的方式为喷墨打印。

在一些实施例中，功能膜层是指具有光电效应的膜层，如电子传输层，电子注入层，空穴传输层，空穴注入层，有机发光层或者无机发光层。

在一些实施例中，目标区域为子像素坑。子像素坑横截面的形状可以是矩形、跑道形或者圆形。

在一些实施例中，像素界定层的高度范围为1～5μm，子像素坑的容积范围为5～50pL。

根据本申请的另一个方面，提供了一种光电器件的制备方法，包括形成多个功能膜层，至少一个功能膜层采用上述任一制备方法制得。

通过在目标区域的侧表面设置疏水层，从而实现在设置该功能膜层墨水时，其不粘附于目标区域的侧表面，从而仅在目标区域的底表面形成功能膜层，同时提高了功能膜层的均匀性。另一方面，在每次施加功能膜层墨水之前预先设置一疏水层，提高了每一功能膜层在子像素坑内的膜层均匀性，与现有技术中通过等离子体技术使像素界定结构表面改性或直接使用含氟的像素界定结构材料的制备方法相比，避免了在制作第二层功能膜层时由于像素界定结构的侧表面上已经附着了第一层功能膜层的材料而导致侧表面起不到疏水的作用，解决了现有技术中功能膜层墨水在子像素坑内扩散从而导致分布不均的问题，实现了提升器件发光均匀性的效果。

根据本申请的另一个方面，提供了一种光电装置，光电装置包括光电器件，光电器件按照上述光电器件的制备方法制备，且光电器件为量子点电致发光器件。该光电装置中的光电具有较好的发光均匀性。

为了使得本领域技术人员能够更好地了解本申请的技术方案，以下将结合具体的实施例与对比例对本申请的技术方案进行说明。

实施例1

准备一具有像素界定层(像素隔离结构)的基板，上述像素界定层的材料为聚酰亚胺，像素界定层形成的子像素坑的底表面尺寸112微米*112微米，像素界定层高度为2.49微米，子像素坑的容积31.2pL，前述基板在打印前按照丙酮、去离子水、乙醇的顺序清洗，并采用O₂等离子体清洗10min；将第一溶液(配方见表1)装入10pL的打印喷头，每个喷嘴打印3滴(即30pL)在上述基板的同一子像素坑内，然后真空干燥并200℃退火10分钟，在子像素坑的侧表面上形成第一疏水层，第一疏水层的厚度约为13nm；接着打印PEDOT:PSS溶液(配方见表2)，按需打印在已形成第一疏水层的子像素坑内，200℃退火30分钟，形成厚度为45nm的PEDOT:PSS空穴注入层；接着向子像素坑内打印TFB溶液(配方见表3)，真空干燥10分钟，手套箱150℃退火30min，形成厚度为30nm的TFB空穴传输层；其次，将绿光量子点溶液(配方见表4)打印在TFB空穴传输层上，真空干燥10min，手套箱100℃退火30min，形成厚度为35nm的量子点发光层；最后制备氧化锌电子传输层，蒸镀银电极，封装成QLED器件。

实施例2

本实施例与实施例1的区别在于：在形成PEDOT:PSS空穴注入层后，将第一溶液(配方见表1)打印在空穴传输层上，真空干燥并200℃退火10分钟，在子像素坑的侧表面上形成第二疏水层，第二疏水层的厚度约为26nm；接着向已形成第二疏水层的子像素坑内打印TFB溶液(配方见表3)，真空干燥10分钟，手套箱150℃退火30min，形成厚度为25nm的TFB空穴传输层。

实施例3

本实施例与实施例2的区别在于：在形成TFB空穴传输层后，将第一溶液(配方见表1)打印在空穴传输层上，真空干燥并200℃退火10分钟，在子像素坑的侧表面上形成第三疏水层，第三疏水层的厚度约为15nm；接着向已形成第三疏水层的子像素坑内打印绿光量子点溶液(配方见表4)，真空干燥10min，手套箱100℃退火30min，形成厚度为42nm的量子点发光层。

实施例4

本实施例与实施例1的区别在于：第一溶液的配方不同，在子像素坑的侧表面上形成第四疏水层，第四疏水层的厚度约为19nm，第一溶液的配方如表5所示。

实施例5

本实施例与实施例1的不同在于：将第一溶液(配方见表1)装入10pL的打印喷头，每个喷嘴打印4滴(即40pL)在上述基板的同一子像素坑内，然后真空干燥并200℃退火10分钟，在子像素坑的侧表面上形成第五疏水层，第五疏水层的厚度约为24nm。

实施例6

本实施例与实施例3的区别在于：在形成量子点发光层后，将第一溶液(配方见表1)打印在量子点发光层上，真空干燥并100℃退火30分钟，在子像素坑的侧表面上形成第六疏水层，第六疏水层的厚度约为15nm，然后向已形成第六疏水层的子像素坑内打印氧化锌纳米晶溶液，真空干燥后放入蒸镀腔体，蒸镀银电极，封装制成QLED器件。

对比例1

本对比例与实施例1的区别仅在于：没有设置第一疏水层。

对比例2

准备一具有像素界定层(像素隔离结构)的基板，上述像素界定层的材料为含氟的聚酰亚胺，像素界定层形成的子像素坑的底表面尺寸112微米*112微米，像素界定层高度为2.49微米，子像素坑的容积31.2pL，前述基板在打印前按照丙酮、去离子水、乙醇的顺序清洗，并采用O₂等离子体清洗10min；在子像素坑内打印PEDOT:PSS溶液(配方见表2)，200℃退火30分钟，形成厚度为45nm的PEDOT:PSS空穴注入层；接着向子像素坑内打印TFB溶液(配方见表3)，真空干燥10分钟，手套箱150℃退火30min，形成厚度为30nm的TFB空穴传输层；其次，将绿光量子点溶液(配方见表4)打印在TFB空穴传输层上，真空干燥10min，手套箱100℃退火30min，形成厚度为35nm的量子点发光层；最后制备氧化锌电子传输层，蒸镀银电极，封装成QLED器件。

对比例3

准备一具有像素界定层(像素隔离结构)的基板，上述像素界定层的材料为聚酰亚胺，像素界定层形成的子像素坑的底表面尺寸112微米*112微米，像素界定层高度为2.49微米，子像素坑的容积31.2pL，前述基板在打印前按照丙酮、去离子水、乙醇的顺序清洗，并采用CF₄作为等离子体处理的导入气体进行等离子体表面处理，使得像素界定层的表面变得疏水；在子像素坑内打印PEDOT:PSS溶液(配方见表2)，200℃退火30分钟，形成厚度为45nm的PEDOT:PSS空穴注入层；接着向子像素坑内打印TFB溶液(配方见表3)，真空干燥10分钟，手套箱150℃退火30min，形成厚度为30nm的TFB空穴传输层；其次，将绿光量子点溶液(配方见表4)打印在TFB空穴传输层上，真空干燥10min，手套箱100℃退火30min，形成厚度为35nm的量子点发光层；最后制备氧化锌电子传输层，蒸镀银电极，封装成QLED器件。

表1

表2

表3

表4

表5

实施例中溶液表面张力的测试方法如下：

1.打开仪器，预热30分钟；

2.铂金板清洗：a)镊子夹取铂金板，用流水冲洗，b)用酒精灯烧铂金板20～30s。

3.在洁净样品皿中加入测量液体，将被测样品放于样品台上；

4.观察液晶屏上显示值是否是零，如果不是，按去皮清零；

5.用手旋转升降旋钮，使其缓慢上升。当铂金板接触到被测液面时，液面发生波纹；即刻停止升降台上升。此时在液体表面张力的作用下，显示屏上的数字会逐渐变大，数字稳定后即可读数。

6.完成取值后，用手旋转升降台，使之下降。铂金板脱离液面，就完成一次测试过程。

实施例中溶液的粘度测试使用的粘度计的型号是BROOKFIFLED DV-2T，测试方法如下：

1.自动调零：保证水平，卸下转子，按下“下一步”进行仪器自动校准；

2.标样校准：用所配备的标样(已知粘度4.9cps@25℃)，进行校准；

3.样品测试：用乙醇清洗转子及样品杯2-3次，拭干后，用扳手扣住螺母将转子旋紧，在样品杯中用移液枪加入0.5ml样品溶液，接上样品杯并扣紧。选择测试温度及转速(选择的转速和预估的粘度相对应)，开始测量，记录扭矩和粘度读数。

外量子效率EQE测试方法：

采用Keithley2400测定量子点发光器件的电流密度-电压曲线，采用积分球(FOIS-1)结合海洋光学的光谱仪(QE-pro)测定量子点发光器件的亮度。根据测定得到的电流密度与亮度计算量子点发光器件的外量子效率。外量子效率表征在观测方向上发光器件发出的光子数与注入器件的电子数之间的比值，是表征器发光器件发光效率的重要参数，外量子效率越高，说明器件的发光效率越高。

外量子效率测试主要分为两部分：第一部分主要由Keithley2400数字源表和探针座组成，主要用于测量器件的电压(V)和电流(I)信号，进一步得出器件工作时的电压(V)—电流密度(J)曲线图和单位时间内通过器件的电子数；第二部分主要由积分球、光纤和光谱仪(QE65000或QEPro)组成，主要用于测量器件正面发光的光谱数据，包括发光峰位、半峰宽和发光光子数。综合上述两部分的数据便可以根据公式计算出器件的外量子效率(EQE)。

表6

图1～图4分别示出了实施例1、2制备的功能膜层(空穴注入层或空穴传输层)的显微镜图片和台阶仪扫描图片，从显微镜图片可以看出通过预先制备疏水层，空穴注入层PEDOT：PSS和空穴传输层TFB在子像素坑内铺展均匀，也可以从台阶仪扫描的结果看出，子像素坑四周几乎无第二溶液堆积，膜层较为平整。

图5和图6是实施例3的量子点溶液干燥前后的显微镜图片。图5示出了液滴慢慢干燥过程中的状态，由于预先制备疏水层，量子点发光层并未在子像素四周堆积，最终在子像素坑内均匀形成膜层，如图6。图7是实施例3制备的QLED器件的台阶仪扫描图片，可以看出子像素中间区域与四周边缘厚度较为接近，膜层均匀度较好。

图8是实施例3制备的QLED器件点亮状态的显微镜图片，图9是对比例1制备的QLED器件点亮状态的显微镜图片，可以看出实施例3的设置了疏水层的QLED器件点亮的发光均匀性明显优于对比例1的未设置疏水层的QLED器件。

图10和图11是对比例1的量子点墨水干燥前后的显微镜图片，图12是对比例1制备的QLED器件的台阶仪扫描图片。从图11和图12可以看出不设置疏水层，功能膜层墨水在子像素四周堆积较为严重。

另外，从表6的数据可以看到，在制备功能膜层之前预先设置疏水层的QLED器件发光均匀性较好，从而实施例1和6的外量子效率(EQE)也好于对比例1的未预先设置疏水层的QLED器件。对比例2中，像素界定结构的材料为含氟的聚酰亚胺，像素界定结构的上表面和侧表面均疏水，在喷墨打印时较难控制第二溶液只留在像素界定结构的上表面和侧表面，从而导致子像素坑内形成的功能膜层的厚度不均，具体表现为四周厚度较厚、中间较薄，并且在制作第二层功能膜层时由于像素界定结构的侧表面上已经附着了第一层功能膜层的材料而导致像素界定结构的侧表面起不到疏水的作用。对比例3中，采用CF₄作为等离子体处理的导入气体进行等离子体表面处理，等离子体表面处理无选择性，不可避免地导致子像素坑的底表面也变得疏水，不利于第二溶液的铺展，并且在制作第二层功能膜层时由于像素界定结构的侧表面上已经附着了第一层功能膜层的材料而导致像素界定结构的侧表面起不到疏水的作用。值得注意的是，实施例6制备的QLED器件在设置每一功能膜层之前均预先设置疏水层，提高了每一功能膜层在子像素坑内的膜层均匀性，避免了在制作第二层功能膜层时由于侧表面上已经附着了第一层功能膜层的材料而导致像素界定结构侧表面起不到疏水的作用，进一步实现了器件发光均匀性效果的显著提升。

以上描述了本申请的基本原理、主要特征和本申请的优点。本领域的技术人员应该了解，本申请不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是本申请的原理，在不脱离本申请精神和范围的前提下本申请还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本申请的范围内。本申请要求的保护范围由所附的权利要求书及其等同物界定。

Claims (15)

1.一种功能膜层的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1，提供一像素基板，所述像素基板具有像素界定层，所述像素界定层围成多个目标区域，各个所述目标区域包括底表面和侧表面；

S2，提供第一溶液，所述第一溶液包括第一溶剂和溶质，将所述第一溶液设置于所述目标区域内，使第一溶液在目标区域内形成咖啡印，除去所述第一溶剂，所述第一溶液干燥后溶质聚集于所述目标区域的所述侧表面上形成疏水层，所述疏水层的表面能小于30mN/m，所述疏水层覆盖80％以上的所述侧表面；

S3，提供第二溶液，所述第二溶液包括第二溶剂，将所述第二溶液设置于所述目标区域内，除去所述第二溶剂，于所述底表面上形成所述功能膜层；

其中，所述第一溶液的表面张力为20～50mN/m，所述第二溶液在30℃的粘度为1～20cps，且表面张力为20～50mN/m。

2.根据权利要求1所述的功能膜层的 制备方法，其特征在于，所述目标区域的容积和设置于所述目标区域内的所述第一溶液的体积比为1：(1～2)。

3.根据权利要求1所述的功能膜层的 制备方法，其特征在于，所述第一溶液的浓度为0.1wt％～20wt％。

4.根据权利要求1或2所述的功能膜层的 制备方法，其特征在于，步骤S2和步骤S3作为一个循环，至少重复一次所述循环，从而于所述目标区域的侧表面上形成多层所述疏水层，且于所述底表面上形成多层所述功能膜层。

5.根据权利要求4所述的功能膜层的 制备方法，其特征在于，各次所述循环中，各次所使用的所述第一溶液的材料相同或不相同，各次所使用的所述第二溶液的材料相同或不相同。

6.根据权利要求1所述的功能膜层的 制备方法，其特征在于，所述疏水层的厚度为1～100nm。

7.根据权利要求1所述的功能膜层的 制备方法，其特征在于，所述溶质的化学结构中包含烃基、氟代烃基、聚硅氧烷基中的一种或多种。

8.根据权利要求7所述的功能膜层的 制备方法，其特征在于，所述溶质的重均分子量M_w大于等于500，小于等于50000。

9.根据权利要求7所述的功能膜层的 制备方法，其特征在于，所述第一溶剂的沸点大于等于150℃，小于等于400℃。

10.根据权利要求9所述的功能膜层的 制备方法，其特征在于，所述第一溶剂选自烷烃、芳香烃、醇类、醇醚类中的一种或多种。

11.根据权利要求1所述的功能膜层的 制备方法，其特征在于，所述步骤S2之前还包括步骤S2’：对所述像素基板进行表面处理。

12.根据权利要求11所述的功能膜层的 制备方法，其特征在于，所述表面处理方式为等离子体处理、紫外-臭氧处理中的一种或两种方式联合处理。

13.根据权利要求1所述的功能膜层的 制备方法，其特征在于，所述第一溶液或所述第二溶液设置于所述目标区域内的方式为喷墨打印。

14.一种光电器件的制备方法，其特征在于，包括形成多个功能膜层，至少一个所述功能膜层采用如权利要求1至13所述的任一所述制备方法制得。

15.一种光电装置，其特征在于，所述光电装置包括光电器件，所述光电器件按照权利要求14所述的制备方法制备，且所述光电器件为量子点电致发光器件。

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