CN103941512B - 像素分隔墙的制作方法、阵列基板、以及amecd - Google Patents
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Abstract
本发明涉及显示技术领域,特别涉及一种像素分隔墙的制作方法、阵列基板、以及AMECD,用以解决目前像素分隔墙会与像素电极部分交叠,使得像素开口率变小的问题。本发明实施例的像素分隔墙制作方法包括:在衬底基板上依次沉积导电膜层和固体介质层;采用同一掩膜版,先对固体介质层进行刻蚀处理以形成固体部件,再对导电膜层进行刻蚀处理以形成与固体部件完全重合的像素电极;在形成有固体部件的基板表面上旋涂混合液;在像素电极上施加第一直流电压信号,在混合液中施加第二直流电压信号,且第一直流电压信号的电压值大于第二直流电压信号的电压值;加热蒸发掉混合液中的电润湿溶剂,并对剩余的聚合物单体进行固化处理,形成像素分隔墙。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种像素分隔墙的制作方法、阵列基板、以及AMECD。
背景技术
电致变色显示是一种新型的显示技术,与液晶显示相比,其具有清晰度高、视角大、工作电压低、以及不需要背光和偏光片等优点,因此,得到了快速的发展。
目前主流的ECD(Electrochomeric Display,电致变色显示器)为AMECD(Active Matrix ECD,有源矩阵式电致变色显示器),其包括两种进行彩色显示的结构:第一种是RGB(红绿蓝)彩膜+一种EC电解液的结构,第二种是RGB三种EC电解液的结构。
对于任一种进行彩色显示的AMECD结构,为了避免相邻像素显示色彩的串扰,目前的AMECD中一般会设置有用于分隔相邻像素的像素分隔墙。其中,目前制作像素分隔墙的步骤包括:在表层包含像素电极的第一基板上涂布一层光刻胶;采用掩膜版对所述光刻胶进行曝光,其中,所述像素电极对应所述掩膜版的不透光区域,具体如图1A所示;清洗掉所述掩膜版的不透光区域对应的光刻胶,形成与所述像素电极间隔设置的像素分隔墙,具体如图1B所示。
由于光线存在衍射和散射现象,因此制作出的像素分隔墙的实际宽度要比掩膜板的透光区域宽度大得多,使得像素分隔墙与像素电极部分交叠,具体如图1B所示;而且,由于目前很难实现像素电极与掩膜版的不透光区域位置的精准对应,因此,也可能导致制作出的像素分隔墙与像素电极部分交叠,使得像素的开口率变小,降低AMECD的显示效果。
综上所述,采用目前方法制作出的像素分隔墙很可能会与像素电极部分交叠,使得像素的开口率变小,降低AMECD的显示效果。
发明内容
本发明实施例提供一种像素分隔墙的制作方法、阵列基板、以及AMECD,用以解决现有技术中存在的制作出的像素分隔墙很可能会与像素电极部分交叠,使得像素的开口率变小,降低AMECD的显示效果的问题。
第一方面,本发明实施例提供了一种像素分隔墙的制作方法,包括:
在衬底基板上依次沉积导电膜层和固体介质层;其中,所述衬底基板包括薄膜晶体管TFT和全面覆盖所述TFT的平坦化层,所述平坦化层包含露出所述TFT的漏极的过孔;
采用同一掩膜版,先对所述固体介质层进行刻蚀处理以形成固体部件,再对所述导电膜层进行刻蚀处理以形成与所述固体部件完全重合、且通过所述过孔与所述漏极电连接的像素电极;
在形成有所述固体部件的基板表面上旋涂一层混合液,其中,所述混合液包括电润湿溶剂和聚合物单体;
在设定时长内,通过分别与所述TFT的栅极和源极电连接的栅线和数据线,在与所述TFT的漏极电连接的所述像素电极上施加第一直流电压信号,并在所述混合液中施加第二直流电压信号,且所述第一直流电压信号的电压值大于第二直流电压信号的电压值;
加热蒸发掉所述混合液中的电润湿溶剂,并对剩余的所述聚合物单体进行固化处理,形成所述像素分隔墙;
其中,所述固体介质层满足如下特性:在初始状态下,其上表面具有亲水性;而在所述像素电极上施加所述第一直流电压信号,并在所述混合液中施加所述第二直流电压信号时,其上表面由具有亲水性转变为具有疏水性。
较佳地,所述在混合液中施加第二直流电压信号,具体包括:
将一端接地的电极引线通入所述混合液中。
较佳地,该方法还包括:在设定时长到达后,拆除所述电极引线。
较佳地,所述聚合物单体包括丙烯酸酯或者环氧树脂;
当所述聚合物单体为丙烯酸酯时,对所述聚合物单体进行固化处理,具体包括:
在温度为150℃~230℃的条件下,对所述聚合物单体进行不小于1小时的热固化;
当所述聚合物单体为环氧树脂时,对所述聚合物单体进行固化处理,具体包括:
在功率不小于1焦耳每秒的条件下,对所述聚合物单体进行1秒~10秒的紫外固化。
较佳地,所述设定时长大于0且不大于1分钟。
较佳地,所述第一直流电压信号的电压值大于0伏特且不大于50伏特。
较佳地,所述电润湿溶剂包括极性溶剂和非极性溶剂;
所述极性溶剂包括水、氯化钠水溶液和氯化钾中的一种;
所述非极性溶剂包括硅油、癸烷、十二烷和十四烷中的一种。
较佳地,所述固体介质层的材料包括氮化硅、二氧化硅和氧化铝中的一种。
第二方面,本发明实施例提供了一种阵列基板,包括:像素电极,位于所述像素电极上方、且与所述像素电极完全重合的固体部件,以及位于所述固体部件和像素电极周围区域的像素分隔墙,其中:
所述像素分隔墙采用本发明实施例中所述的方法制作。
第三方面,本发明实施例提供了一种有源矩阵式电致变色显示器,其中:包括本发明实施例中所述的阵列基板。
本发明实施例的有益效果包括:
形成的像素电极、以及位于所述像素电极上方的固体部件完全重合;
在初始状态下,固体部件上表面具有亲水性,因此,位于固体部件上的混合液能够在固体部件上铺展开;
在所述像素电极上施加第一直流电压信号,并在所述混合液中施加第二直流电压信号后,固体部件上表面由具有亲水性转变为具有疏水性,因此,位于固体部件上的混合液会收缩到所述固体部件的周围区域,即,所述混合液会收缩到与固体部件完全重合的像素电极的周围区域,使得由所述混合液得到的像素分隔墙不会与像素电极交叠,从而提高像素的开口率,以及提高包含本发明实施例的像素分隔墙和像素电极的AMECD的显示效果。
附图说明
图1A和图1B为现有技术中制作像素分隔墙的过程示意图;
图2为本发明实施例中制作像素分隔墙的方法流程示意图;
图3A~图3D为本发明实施例中制作像素分隔墙的过程示意图;
图4A为本发明实施例中包含RGB三种EC电解液的AMECD结构示意图;
图4B为本发明实施例中包含RGB彩膜和一种EC电解液的AMECD结构示意图。
具体实施方式
与现有技术相比,在本发明实施例中,在衬底基板上依次沉积导电膜层和固体介质层;采用同一掩膜版,先对所述固体介质层进行刻蚀处理以形成固体部件,再对所述导电膜层进行刻蚀处理以形成与所述固体部件完全重合的像素电极;在形成有所述固体部件的基板表面上旋涂一层混合液;在设定时长内,在所述像素电极上施加第一直流电压信号,并在所述混合液中施加第二直流电压信号,且所述第一直流电压信号的电压值大于第二直流电压信号的电压值;加热蒸发掉所述混合液中的电润湿溶剂,并对剩余的所述聚合物单体进行固化处理,形成所述像素分隔墙;
因此,形成的像素电极、以及位于所述像素电极上方的固体部件完全重合;在初始状态下,固体部件上表面具有亲水性,使得位于固体部件上的混合液能够在固体部件上铺展开;在所述像素电极上施加第一直流电压信号,并在所述混合液中施加第二直流电压信号后,固体部件上表面由具有亲水性转变为具有疏水性,使得位于固体部件上的混合液会收缩到所述固体部件的周围区域,即,所述混合液会收缩到与固体部件完全重合的像素电极的周围区域,从而使得由所述混合液得到的像素分隔墙不会与像素电极交叠,进而提高了像素的开口率,以及提高了包含本发明实施例的像素分隔墙和像素电极的AMECD的显示效果。
下面结合附图对本发明实施例的具体实施方式进行详细地说明。
较佳地,如图2所示,本发明实施例提供了一种像素分隔墙的制作方法,包括:
步骤201、在衬底基板上依次沉积导电膜层和固体介质层;其中,所述衬底基板包括TFT和全面覆盖所述TFT的平坦化层,所述平坦化层包含露出所述TFT的漏极的过孔;
步骤202、采用同一掩膜版,先对所述固体介质层进行刻蚀处理以形成固体部件,再对所述导电膜层进行刻蚀处理以形成与所述固体部件完全重合、且通过所述过孔与所述漏极电连接的像素电极;
步骤203、在形成有所述固体部件的基板表面上旋涂一层混合液,其中,所述混合液包括电润湿溶剂和聚合物单体;
步骤204、在设定时长内,通过分别与所述TFT的栅极和源极电连接的栅线和数据线,在与所述TFT的漏极电连接的所述像素电极上施加第一直流电压信号,并在所述混合液中施加第二直流电压信号,且所述第一直流电压信号的电压值大于第二直流电压信号的电压值;
步骤205、加热蒸发掉所述混合液中的电润湿溶剂,并对剩余的所述聚合物单体进行固化处理,形成所述像素分隔墙;
其中,所述固体介质层满足如下特性:在初始状态下,其上表面具有亲水性;而在所述像素电极上施加所述第一直流电压信号,并在所述混合液中施加所述第二直流电压信号时,其上表面由具有亲水性转变为具有疏水性。
实施中,形成的像素电极、以及位于所述像素电极上方的固体部件完全重合;在初始状态下,固体部件上表面具有亲水性,因此,位于固体部件上的混合液能够在固体部件上铺展开;在所述像素电极上施加第一直流电压信号,并在所述混合液中施加第二直流电压信号后,固体部件上表面由具有亲水性转变为具有疏水性,因此,位于固体部件上的混合液会收缩到所述固体部件的周围区域,即,所述混合液会收缩到与固体部件完全重合的像素电极的周围区域,使得由所述混合液得到的像素分隔墙不会与像素电极交叠,从而提高了像素的开口率,以及提高了包含本发明实施例的像素分隔墙和像素电极的AMECD的显示效果;相应地,本发明实施例的像素分隔墙的制作方法适用于高分辨率的AMECD。
实施中,在制作像素分隔墙时,不需要采用掩膜版,因此制作像素分隔墙的成本比较低,尤其对于大尺寸的AMECD,与现有技术中的像素分隔墙制作方法相比,本发明实施例中的像素分隔墙制作方法在降低成本上具有非常大的优势。
实施中,本发明实施例中制作像素分隔墙的各步骤工艺简单,且易于实现。
需要说明的是,本发明实施例中的衬底基板除了可以包括TFT和全面覆盖所述TFT的平坦化层,还可以包含其他膜层,而且该其他膜层的数量和结构可以有多种实施方式;具体地,本发明实施例中的衬底基板的实施方式与现有技术中AMECD包含的阵列基板的实施方式类似。
较佳地,在步骤201中,导电膜层的材料为现有技术中任一种用于制作像素电极的材料。
较佳地,在步骤201中,固体介质层的材料为包含如下特性的任一种材料:在初始状态下,其上表面具有亲水性;而在所述像素电极上施加所述第一直流电压信号,并在所述混合液中施加所述第二直流电压信号时,其上表面由具有亲水性转变为具有疏水性。
较佳地,在步骤201中,固体介质层的材料包括氮化硅、二氧化硅和氧化铝中的一种。
实施中,在步骤201中,在衬底基板上沉积导电膜层时,导电膜层会落入并填满所述过孔,且实现与TFT的漏极接触。
实施中,在步骤202中,由于采用同一掩膜版对固体介质层和导电膜层进行刻蚀处理,因此,由固体介质层刻蚀而成的固体部件与由导电膜层刻蚀而成的像素电极完全重合;
具体如图3A所示,其中:固体部件40与像素电极10完全重合;
图3A的截面图如图4A和图4B所示,像素电极10通过过孔20与TFT30的漏极31电连接,固体部件40与像素电极10完全重合。
较佳地,在步骤203中,混合液中的电润湿溶剂可以为现有技术中的任一种电润湿溶剂。
较佳地,所述电润湿溶剂包括极性溶剂和非极性溶剂;
所述极性溶剂包括水、氯化钠水溶液和氯化钾中的一种;
所述非极性溶剂包括硅油、癸烷、十二烷和十四烷中的一种。
较佳地,在步骤203中,混合液中的聚合物单体为现有技术中任一种聚合物单体。
较佳地,所述聚合物单体满足特性:固化时间小于设定时间阈值。
较佳地,设定时间阈值可以根据经验或需要设定,比如,根据经验设定为1天。
实施中,在较短的时间内可以实现对聚合物单体的固化处理,可以节省制作像素分隔墙的时间,提高制作像素分隔墙的效率。
较佳地,所述聚合物单体包括丙烯酸酯、环氧树脂或者苯乙烯。
较佳地,在步骤203中,混合液中电润湿溶剂和聚合物单体的质量、以及二者的比例可以根据需要或者经验设定。
较佳地,混合液中聚合物单体的质量满足:制作出的像素分隔墙的高度大于设定高度阈值。
较佳地,设定高度阈值可以根据需要或者经验设定,只要满足能够分隔相邻像素即可。
较佳地,混合液中电润湿溶剂的质量分数不小于设定质量分数阈值。
较佳地,设定质量分数阈值可以根据需要或者经验设定,比如,根据经验设定为百分之五十。
实施中,混合液中电润湿溶剂的质量分数不小于设定质量分数阈值,可以保证混合液具有较好的流动性。
实施中,在步骤203中,在初始状态下,固体介质层上表面具有亲水性,因此,旋涂的混合液会均匀地分布在形成有固体部件的基板表面上,具体如图3B所示,旋涂的混合液100均匀地分布在形成有固体部件的基板表面上。
较佳地,在步骤204中,设定时长只要满足如下条件即可:在设定时长到达后,固体部件上表面具有疏水性。
较佳地,所述设定时长大于0且不大于1分钟。
较佳地,在步骤204中,通过分别与所述TFT的栅极和源极电连接的栅线和数据线,在与所述TFT的漏极电连接的所述像素电极上施加第一直流电压信号的实施方式与现有技术中通过在栅线和数据线上施加电信号,以实现在像素电极上施加第一直流电压信号的实施方式类似,在此不再赘述。
具体实施中,在步骤204中,现有技术中任一种在混合液中施加第二直流电压信号的实施方式均适用于本发明实施例。
较佳地,在步骤204中,在混合液中施加第二直流电压信号,具体包括:
将一端接地的电极引线通入所述混合液中。
实施中,可以保证用电的安全性。
较佳地,在步骤204中,所述第一直流电压信号的电压值大于0伏特且不大于50伏特。
较佳地,该方法还包括:在设定时长到达后,停止在与所述TFT的漏极电连接的所述像素电极上施加第一直流电压信号,以及停止在所述混合液中施加第二直流电压信号。
具体实施中,停止在与所述TFT的漏极电连接的所述像素电极上施加第一直流电压信号的实施方式与现有技术中停止在与所述TFT的漏极电连接的所述像素电极上施加第一直流电压信号在像素电极上施加第一直流电压信号的实施方式类似,在此不再赘述。
具体实施中,停止在所述混合液中施加第二直流电压信号的实施方式与现有技术中停止在所述混合液中施加第二直流电压信号的实施方式类似,在此不再赘述。
较佳地,在将一端接地的电极引线通入所述混合液中时,该方法还包括:在设定时长到达后,拆除所述电极引线。
实施中,在步骤204中,在像素电极上施加第一直流电压信号,并在混合液中施加第二直流电压信号后,固体部件上表面由具有亲水性转变为具有疏水性,因此,位于固体部件上的混合液会收缩到固体部件和像素电极的周围区域;
具体如图3C所示,混合液100收缩到了固体部件40和像素电极10的周围区域。
下面将对在像素电极上施加第一直流电压信号,并在混合液中施加第二直流电压信号后,固体部件上表面由具有亲水性转变为具有疏水性的原理进行简单介绍:
在像素电极上施加第一直流电压信号,并在混合液中施加第二直流电压信号后,由于固体部件两侧形成电压差,且下侧的电压值大于上侧的电压值,因此,固体部件的上表面的电荷分布改变了,使得混合液在固体部件上的表面张力减小了,从而使得固体部件上表面由具有亲水性转变为具有疏水性。
较佳地,在步骤205中,在温度不小于100℃的条件下,加热蒸发掉所述混合液中的电润湿溶剂。
具体实施中,在步骤205中,在聚合物单体的材料不同时,对聚合物单体进行固化处理的方法也不同。
较佳地,当所述聚合物单体为丙烯酸酯时,在步骤205中,对所述聚合物单体进行固化处理,具体包括:
在温度为150℃~230℃的条件下,对所述聚合物单体进行不小于1小时的热固化。
较佳地,当所述聚合物单体为环氧树脂时,在步骤205中,对所述聚合物单体进行固化处理,具体包括:
在功率不小于1焦耳每秒的条件下,对所述聚合物单体进行1秒~10秒的紫外固化。
较佳地,在步骤205中,由所述聚合物单体固化处理后得到的聚合物的压缩比例满足:能够支撑用于对盒以形成AMECD的上基板和下基板。
较佳地,由所述聚合物单体固化处理后得到的聚合物的压缩比例的取值范围为:(0,10%]。
实施中,将固化处理后的聚合物单体作为像素分隔墙,而像素分隔墙位于用于对盒以形成AMECD的上基板和下基板之间,因此,固化处理后的聚合物单体的实施方式与液晶显示装置中的PS(隔垫物)的实施方式类似,其压缩比例需要满足:能够支撑用于对盒以形成AMECD的上基板和下基板。
实施中,在步骤205中,在对位于固体部件和像素电极周围区域的混合液进行加热蒸发和固化处理后,即得到位于固体部件和像素电极周围区域的像素分隔墙;
具体如图3D所示,像素分隔墙50位于固体部件40和像素电极10的周围区域。
基于同一发明构思,本发明实施例提供了一种阵列基板,包括:像素电极,位于所述像素电极上方、且与所述像素电极完全重合的固体部件,以及位于所述固体部件和像素电极周围区域的像素分隔墙,其中:
所述像素分隔墙采用本发明实施例中所述的方法制作。
基于同一发明构思,本发明实施例提供了一种AMECD,其中:包括本发明实施例中所述的阵列基板。
实施例一
包含RGB三种EC电解液的AMECD的结构如图4A所示,在本发明实施例中,将对制作包含RGB三种EC电解液的AMECD的过程进行介绍。
较佳地,本发明实施例制作包含RGB三种EC电解液的AMECD的方法,包括:
步骤A1、形成包括TFT和全面覆盖所述TFT的平坦化层的衬底基板,所述平坦化层包含露出所述TFT的漏极的过孔;
如图4A所示,衬底基板包括TFT30和全面覆盖TFT30的平坦化层60,平坦化层60包含过孔20,过孔20露出TFT30的漏极31。
步骤A2、在衬底基板上依次沉积导电膜层和固体介质层;
步骤A3、采用同一掩膜版,先对所述固体介质层进行刻蚀处理以形成固体部件,再对所述导电膜层进行刻蚀处理以形成与所述固体部件完全重合、且通过所述过孔与所述漏极电连接的像素电极;
如图4A所示,像素电极10通过过孔20与TFT30的漏极31电连接,固体部件40与像素电极10完全重合。
步骤A4、在形成有所述固体部件的基板表面上旋涂一层混合液,其中,所述混合液包括电润湿溶剂和聚合物单体;
步骤A5、在设定时长内,通过分别与所述TFT的栅极和源极电连接的栅线和数据线,在与所述TFT的漏极电连接的所述像素电极上施加第一直流电压信号,并在所述混合液中施加第二直流电压信号,且所述第一直流电压信号的电压值大于第二直流电压信号的电压值;
步骤A6、加热蒸发掉所述混合液中的电润湿溶剂,并对剩余的所述聚合物单体进行固化处理,形成所述像素分隔墙;
如图4A所示,像素分隔墙50位于固体部件40和像素电极10的周围区域。
步骤A7、在相邻像素分隔墙之间的所述固体部件上形成电致变色层;
如图4A所示,电致变色层70分为RGB三种,其中每种电致变色层70的电解液不同。
步骤A8、将包括公共电极层的上基板与所述衬底基板对盒,以形成包含RGB三种EC电解液的AMECD。
如图4A所示,上基板1包括公共电极层80。
实施例二
包含RGB彩膜和一种EC电解液的AMECD的结构如图4B所示,在本发明实施例中,将对制作包含RGB彩膜和一种EC电解液的AMECD的过程进行介绍。
较佳地,本发明实施例制作包含RGB彩膜和一种EC电解液的AMECD的方法,包括:
步骤B1、形成包括TFT和全面覆盖所述TFT的平坦化层的衬底基板,所述平坦化层包含露出所述TFT的漏极的过孔;
如图4B所示,衬底基板包括TFT30和全面覆盖TFT30的平坦化层60,平坦化层60包含过孔20,过孔20露出TFT30的漏极31。
步骤B2、在衬底基板上依次沉积导电膜层和固体介质层;
步骤B3、采用同一掩膜版,先对所述固体介质层进行刻蚀处理以形成固体部件,再对所述导电膜层进行刻蚀处理以形成与所述固体部件完全重合、且通过所述过孔与所述漏极电连接的像素电极;
如图4B所示,像素电极10通过过孔20与TFT30的漏极31电连接,固体部件40与像素电极10完全重合。
步骤B4、在形成有所述固体部件的基板表面上旋涂一层混合液,其中,所述混合液包括电润湿溶剂和聚合物单体;
步骤B5、在设定时长内,通过分别与所述TFT的栅极和源极电连接的栅线和数据线,在与所述TFT的漏极电连接的所述像素电极上施加第一直流电压信号,并在所述混合液中施加第二直流电压信号,且所述第一直流电压信号的电压值大于第二直流电压信号的电压值;
步骤B6、加热蒸发掉所述混合液中的电润湿溶剂,并对剩余的所述聚合物单体进行固化处理,形成所述像素分隔墙;
如图4B所示,像素分隔墙50位于固体部件40和像素电极10的周围区域。
步骤B7、在相邻像素分隔墙之间的所述固体部件上形成电致变色层;
如图4B所示,电致变色层70的电解液均相同。
步骤B8、将包括公共电极层和RGB彩膜层的上基板与所述衬底基板对盒,以形成包含RGB彩膜和一种EC电解液的AMECD。
如图4B所示,上基板1包括公共电极层80和位于公共电极层80面向衬底基板一侧的RGB彩膜层90。
尽管已描述了本发明的优选实施例,但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念,则可对这些实施例作出另外的变更和修改。所以,所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本发明范围的所有变更和修改。
显然,本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样,倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内,则本发明也意图包含这些改动和变型在内。
Claims (10)
1.一种像素分隔墙的制作方法,其特征在于,包括:
在衬底基板上依次沉积导电膜层和固体介质层;其中,所述衬底基板包括薄膜晶体管TFT和全面覆盖所述TFT的平坦化层,所述平坦化层包含露出所述TFT的漏极的过孔;
采用同一掩膜版,先对所述固体介质层进行刻蚀处理以形成固体部件,再对所述导电膜层进行刻蚀处理以形成与所述固体部件完全重合、且通过所述过孔与所述漏极电连接的像素电极;
在形成有所述固体部件的基板表面上旋涂一层混合液,其中,所述混合液包括电润湿溶剂和聚合物单体;
在设定时长内,通过分别与所述TFT的栅极和源极电连接的栅线和数据线,在与所述TFT的漏极电连接的所述像素电极上施加第一直流电压信号,并在所述混合液中施加第二直流电压信号,且所述第一直流电压信号的电压值大于第二直流电压信号的电压值;
加热蒸发掉所述混合液中的电润湿溶剂,并对剩余的所述聚合物单体进行固化处理,形成所述像素分隔墙;
其中,所述固体介质层满足如下特性:在初始状态下,其上表面具有亲水性;而在所述像素电极上施加所述第一直流电压信号,并在所述混合液中施加所述第二直流电压信号时,其上表面由具有亲水性转变为具有疏水性。
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,在所述混合液中施加第二直流电压信号,具体包括:
将一端接地的电极引线通入所述混合液中。
3.如权利要求2所述的方法,其特征在于,还包括:在设定时长到达后,拆除所述电极引线。
4.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述聚合物单体包括丙烯酸酯或者环氧树脂;
当所述聚合物单体为丙烯酸酯时,对所述聚合物单体进行固化处理,具体包括:
在温度为150℃~230℃的条件下,对所述聚合物单体进行不小于1小时的热固化;
当所述聚合物单体为环氧树脂时,对所述聚合物单体进行固化处理,具体包括:
在功率不小于1焦耳每秒的条件下,对所述聚合物单体进行1秒~10秒的紫外固化。
5.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述设定时长大于0且不大于1分钟。
6.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述第一直流电压信号的电压值大于0伏特且不大于50伏特。
7.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述电润湿溶剂包括极性溶剂和非极性溶剂;
所述极性溶剂包括水、氯化钠水溶液和氯化钾中的一种;
所述非极性溶剂包括硅油、癸烷、十二烷和十四烷中的一种。
8.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述固体介质层的材料包括氮化硅、二氧化硅和氧化铝中的一种。
9.一种阵列基板,其特征在于,包括:像素电极,位于所述像素电极上方、且与所述像素电极完全重合的固体部件,以及位于所述固体部件和像素电极周围区域的像素分隔墙,其中:
所述像素分隔墙采用如权利要求1~8任一所述的方法制作。
10.一种有源矩阵式电致变色显示器,其特征在于,包括如权利要求9所述的阵列基板。
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