CN109541860A - 一种显示面板及其制备方法和显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了本发明提供了一种显示面板及其制备方法和显示装置，其中该显示面板包括：包括相对设置的第一基板和第二基板，第一基板和第二基板之间形成有液晶层，第一基板包括：第一衬底基板和位于第一衬底基板朝向第二基板一侧的若干个像素电极，像素电极呈柱状；第二基板包括：第二衬底基板和位于第二衬底基板朝向第一基板一侧的若干个公共电极，公共电极呈柱状，像素电极在第一衬底基板上的正投影与公共电极在第一衬底基板上的正投影交替设置。本发明的技术方案通过将公共电极和像素电极分别置于两侧基板上，且均为柱状，从而能形成纵深较深的偏转电场，以对液晶层进行更全面的覆盖，从而能降低显示面板所需的驱动电压。

Description

一种显示面板及其制备方法和显示装置
技术领域
本发明涉及显示领域，特别涉及一种显示面板及其制备方法和显示装置。
背景技术
平面内切换(In-Plane Switching，简称IPS)型液晶显示装置凭借其响应速度快、可视角度大、色彩真实、触摸无水纹等优点，成为显示技术领域的主流。
图1为现有技术中一种IPS型显示面板的截面示意图，如图1所示，像素电极和公共电极同层设置于阵列基板上且两者交错排布，像素电极和公共电极均为条状或面板，其厚度较薄。在未形成电场时，液晶层中的液晶分子在取向层的作用下呈水平状态；在向公共电极和像素电极输入电压并形成压差时，可在液晶层内形成水平偏转电场，驱动液晶分子在水平面内进行转动。
在实际应用中发现，在向电极施加电压时，形成的电场仅分布于超近阵列基板的位置，而在彩膜基板附近的位置其电场强度较弱甚至无电场。因此，位于彩膜基板附近的液晶分子主要靠中间层的液晶分子的转动带动其转动。为此，现有技术中仅能通过施加较大驱动电压，以使得偏转电场能尽量分布至彩膜基板附近从而驱动位于彩膜基板附近的液晶分子进行偏转。然而，高驱动电压会对驱动芯片的要求更高，同时也会加重驱动芯片的负担，容易产生不良。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种显示面板，包括：相对设置的第一基板和第二基板，所述第一基板和所述第二基板之间形成有液晶层；
所述第一基板包括：第一衬底基板和位于所述第一衬底基板朝向所述第二基板一侧的若干个像素电极，所述像素电极呈柱状；
所述第二基板包括：第二衬底基板和位于所述第二衬底基板朝向所述第一基板一侧的若干个公共电极，所述公共电极呈柱状；
所述像素电极在所述第一衬底基板上的正投影与所述公共电极在所述第一衬底基板上的正投影交替设置。
可选地，对于任意在第一方向上相邻的公共电极和像素电极之间的距离相等。
可选地，在第一方向上相邻的公共电极和像素电极之间的距离的范围包括：4um～16um。
可选地，所述像素电极的高度范围包括：0.56um～1.6um；
所述公共电极的高度范围包括：0.56um～1.6um。
可选地，所述像素电极的高度与所述液晶层的厚度的比值范围包括：20％～50％；
所述公共电极的高度与所述液晶层的厚度的比值范围包括：20％～50％。
可选地，所述像素电极在第一方向上的宽度范围包括：0.5um～2.5um；
所述公共电极在第一方向上的宽度范围包括：0.5um～2.5um。
可选地，所述像素电极材料为金属材料；
和/或，所述公共电极的材料为金属材料。
可选地，所述像素电极包括：第一基座和第一导电外套，所述第一基座位于所述第一衬底基板朝向所述第二基板一侧，所述第一导电外套覆盖所述第一基座的侧面以及所述第一基座背向所述第一衬底基板一侧的表面；
和/或，所述公共电极包括：第二基座和第二导电外套，所述第二基座位于所述第二衬底基板朝向所述第一基板一侧，所述第二导电外套覆盖所述第二基座的侧面以及所述第二基座背向所述第二衬底基板一侧的表面；
可选地，所述第一基板还包括：若干个薄膜晶体管、钝化层和第一取向层；
所述薄膜晶体管位于第一衬底基板朝向所述第二基板一侧，所述钝化层位于所述薄膜晶体管背向所述第一衬底基板一侧，所述第一取向层位于所述钝化层背向所述第一衬底基板一侧；
所述像素电极位于所述钝化层和第一取向层之间，所述像素电极与对应的薄膜晶体管的漏极电连接。
可选地，所述第二基板还包括：彩膜层和第二取向层；
所述彩膜层位于第二衬底基板朝向所述第一基板一侧，所述第二取向层位于所述彩膜层背向所述第二衬底基板一侧；
所述公共电极位于所述彩膜层和所述第二取向层之间。
位于第二衬底基板朝向所述第一基板一侧彩膜层和位于所述彩膜层背向所述第二衬底基板一侧的第二取向层；
所述公共电极位于所述彩膜层和所述第二取向层之间。
为实现上述目的，本发明还提供了一种显示装置，包括：如上述的显示面板。
为实现上述目的，本发明还提供了一种显示面板的制备方法，包括：
形成第一基板，所述第一基板包括：第一衬底基板和位于所述第一衬底基板一侧的若干个像素电极，所述像素电极呈柱状；
形成第二基板，所述第二基板包括：第二衬底基板和位于所述第二衬底基板一侧的若干个公共电极，所述公共电极呈柱状；
将所述第一基板和所述第二基板进行对盒处理，所述第一基板和所述第二基板之间形成有液晶层，所述像素电极在所述第一衬底基板上的正投影与所述公共电极在所述第一衬底基板上的正投影交替设置。
可选地，所述形成第一基板的步骤包括：
在第一衬底基板的一侧形成第一导电材料薄膜；
对所述第一导电材料薄膜进行构图工艺，以得到像素电极的图形；
形成第二基板的步骤包括：
在第二衬底基板的一侧形成第二导电材料薄膜；
对所述第二导电材料薄膜进行构图工艺，以得到公共电极的图形。
可选地，所述第一导电材料薄膜的材料为金属材料；
和/或所述第二导电材料薄膜的材料为金属材料。
可选地，所述形成第一基板的步骤包括：
在第一衬底基板的一侧形成第一绝缘材料薄膜；
对所述第一绝缘材料薄膜进行构图工艺，以得到若干个第一基座的图形，所述第一基座呈柱状；
在所述第一衬底基板朝向所述第一基座的一侧形成第三导电材料薄膜，
对所述第三导电材料薄膜进行构图工艺，以得到若干个第一导电外套的图形，所述第一导电外套与所述第一基座一一对应，所述第一导电外套覆盖对应的所述第一基座的侧面以及背向所述第一衬底基板一侧的表面；
和/或，所述形成第二基板的步骤包括：
在第二衬底基板的一侧形成第二绝缘材料薄膜；
对所述第二绝缘材料薄膜进行构图工艺，以得到若干个第二基座的图形，所述第二基座呈柱状；
在所述第二衬底基板朝向所述第二基座的一侧形成第四导电材料薄膜；
对所述第四导电材料薄膜进行构图工艺，以得到若干个第二导电外套的图形，所述第二导电外套与所述第二基座一一对应，所述第二导电外套覆盖对应的所述第二基座的侧面以及背向所述第二衬底基板一侧的表面。
本发明具有以下有益效果：
本发明提供了一种显示面板及其制备方法和显示装置，其中该显示面板包括：包括相对设置的第一基板和第二基板，第一基板和第二基板之间形成有液晶层，第一基板包括：第一衬底基板和位于第一衬底基板朝向第二基板一侧的若干个像素电极，像素电极呈柱状；第二基板包括：第二衬底基板和位于第二衬底基板朝向第一基板一侧的若干个公共电极，公共电极呈柱状，像素电极在第一衬底基板上的正投影与公共电极在第一衬底基板上的正投影交替设置。本发明提供的显示面板中的公共电极和像素电极分别位于显示面板中的两侧基板上，且公共电极和像素电极的形状均为柱状，在向像素电极施加像素电压后，在公共电极和像素之间可形成偏转电场。与现有的IPS型液晶显示面板相比，本发明中公共电极和像素电极之间形成的偏转电场的纵深(液晶层被偏转电场所覆盖的区域在纵向方向上的长度)更深，该偏转电场更容易对第一基板附近、第二基板附近、以及液晶层中间位置的液晶分子均进行覆盖，因而所需的驱动电压更小。
附图说明
图1为现有技术中一种IPS型显示面板的截面示意图；
图2为本发明实施例一提供的一种显示面板的结构示意图；
图3为现有技术中的显示面板的像素电极施加7.2V电压时的示意图；
图4为本发明中的显示面板的像素电极施加6.2V电压时的示意图；
图5为图3和图4中线A上不同位置的液晶分子的方位角的示意图；
图6为图3和图4所示显示面板中的像素电压-透过率曲线示意图；
图7为本发明实施例二提供的一种显示面板的截面示意图；
图8为本发明实施例三提供的一种显示面板的制备方法的流程图。
具体实施方式
为使本领域的技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图对本发明提供的一种显示面板及其制备方法和显示装置进行详细描述。
本发明中以公共电极上施加的电压为接地电压(大小接近于0V)为例进行示意性说明。
本发明中的“驱动电压”是指显示面板的透过率达到最大值时施加至像素电极上的像素电压，在实际应用中驱动芯片向源极驱动提供该驱动电压，源极驱动基于该驱动电压转化为对应256种不同灰阶的像素电压，其中像素电压的最大值等于驱动电压值。
本发明中显示面板的“透过率”是指显示面板出光面的光强与显示面板入光面的光强的比值。
图2为本发明实施例一提供的一种显示面板的结构示意图，如图2所示，该显示面板为IPS型液晶显示面板，包括相对设置的第一基板1和第二基板2，第一基板1和第二基板2之间形成有液晶层3，第一基板1包括：第一衬底基板4和位于第一衬底基板4朝向第二基板2一侧的若干个像素电极6，像素电极6呈柱状；第二基板2包括：第二衬底基板5和位于第二衬底基板5朝向第一基板1一侧的若干个公共电极7，公共电极7呈柱状，像素电极6在第一衬底基板4上的正投影与公共电极7在第一衬底基板4上的正投影交替设置。
其中，第一基板1为阵列基板，第二基板2为对盒基板。可选地，各像素电极6和各公共电极7均为整体结构，且像素电极6和公共电极7的材料均为金属材料。
本发明提供的显示面板中的公共电极7和像素电极6分别位于显示面板中的两侧基板上，且公共电极7和像素电极6的形状均为柱状，在向像素电极6施加像素电压后，在公共电极7和像素之间可形成偏转电场。与现有的IPS型液晶显示面板相比，本发明中公共电极7和像素电极6之间形成的偏转电场的纵深(液晶层3被偏转电场所覆盖的区域在纵向方向Z上的长度)更深，该偏转电场更容易对第一基板1附近、第二基板2附近、以及液晶层3中间位置的液晶分子均进行覆盖，因而所需的驱动电压更小。
图3为现有技术中的显示面板的像素电极施加7.2V电压时的示意图，图4为本发明中的显示面板的像素电极施加6.2V电压时的示意图，图5为图3和图4中线A上不同位置的液晶分子的方位角的示意图，如图3至图5所示，图3中液晶盒厚为2.8um，像素电极6和公共电极7的宽度均为2.1um，在第一水平方向上相邻的像素电极6与公共电极7之间的距离为12um；图4中液晶盒厚为2.8um，像素电极6和公共电极7的宽度均为1um，像素电极6和公共电极7的高度均为0.8um，在第一水平方向上相邻的像素电极6与公共电极7之间的距离为12um。
需要说明的是，本发明中的在第一水平方向上相邻的像素电极6与公共电极7之间的“距离”具体是指，在第一水平方向上相邻的像素电极6与公共电极7的自个中心点在第一方向X上的距离。
线A垂直于第一方向X，其位于相邻的像素电极6和公共电极7之间，且距离左、右两侧最近的像素电极6或公共电极7的距离相等。线A为显示面板中对应像素单元的主要出光区域，线A上液晶分子的偏转状态可在较大程度上反应出对应像素单元的电场强度分布。图5中的“距离”表示位于线A上的液晶分子与第一基板1之间的距离。
在图3中，公共电极7上的电压为0V，像素电极6上施加的像素电压为7.2V；在图4中，公共电极7上的电压为0V，像素电极6上施加的像素电压为6.2V。通过图5可见，图4中线A处液晶分子的偏转状态与图3中线A处的液晶分子偏转状态基本相同。
图6为图3和图4所示显示面板中的像素电压-透过率曲线示意图，如图6所示，以图3所示现有技术中的显示面板的最大透过率作为参考值，对应最大透过率的像素电压为7.2V，即图3所示显示面板对应的驱动电压为7.2V；相较于图3所示的显示面板，图4所示本发明中的显示面板的最大透过率可大约提升7.5％，且对应最大透过率的像素电压为6.2V，即图4所示显示面板对应的驱动电压为6.2V。
由此可见，相较于图3所示的现有技术中的显示面板，图4所示的本发明中的显示面板的驱动电压可下降1V，最大透过率提升7.5％。
本发明提供的显示面板可提升显示面板的透过率的原因在于，显示面板上对应像素电极6和公共电极7的区域不透光，在本发明中像素电极6和公共电极7的宽度小于现有技术中像素电极6和公共电极7的宽度，且像素电极6和公共电极7的数量(该数量由相邻像素电极6和公共电极7之间的距离决定，两者间距离越大，则显示面板中设置的像素电极6和公共电极7的数量越少)均相等的情况下，则使得本发明提供的显示面板上的透光区域的面积要大于现有技术中显示面板上透光区域的面积，因此本发明提供的显示面板的最大透过率大于现有技术中显示面板的最大透过率。
继续参见图2所示，在相邻像素电极6和公共电极7之间的距离S一定的情况下，像素电极6的宽度W1和公共电极7的宽度W2越小，则显示面板的最大透过率越大。然而，由于本发明中的像素电极6和公共电极7均为柱状，若宽度W1、W2过小，则使得像素电极6和公共电极7容易出现倾斜或形变。考虑到显示面板的透过率以及像素电极6和公共电极7的稳定性，优选将像素电极6在第一方向X上的宽度W1设置在0.5um～2.5um，公共电极7在第一方向X上的宽度W2设置在0.5um～2.5um。
需要说明的是，本发明中像素电极6和公共电极7在第二方向Y上的长度与显示面板上一个像素单元的长度近似相等。
本实施例中，优选地，对于任意在第一方向X上相邻的公共电极7和像素电极6之间的距离S均相等，此时显示面板上各像素单元的尺寸均相等且像素单元均匀分布。此外，对于各像素单元而言，对于相同的像素电压，其所对应的显示灰阶均相等，便于驱动。
进一步优选地，在第一方向X上相邻的公共电极7和像素电极6之间的距离S的范围包括：4um～16um。在本发明中，为在像素电极6和公共电极7之间形成一定场强的电场，若在第一方向X上相邻的公共电极7和像素电极6之间的距离S越小，则需要施加至像素电极6上的像素电压越小。即，在第一方向X上相邻的公共电极7和像素电极6之间的距离越小，该显示面板对应的驱动电压越小。然而，随着公共电极7和像素电极6之间的距离S的减小，显示面板上需要设置的公共电极7和像素电极6的数量越多，在公共电极7和像素电极6的宽度W1、W2一定的情况下，显示面板上的透光区域的面积减小，显示面板的最大透过率下降。在本发明中，考虑到驱动电压和透光率的需求，优选将公共电极7和像素电极6之间的距离S的设置在4um～16um。
在本发明中，可通过调节相邻的公共电极7和像素电极6之间的距离S，以及公共电极7和像素电极6的宽度W1、W2，来实现降低显示面板的驱动电压的同时保证显示面板的最大透过率不低于现有水平。
优选地，像素电极6的高度H1与液晶层3的厚度d的比值范围包括：20％～50％，公共电极7的高度H2与液晶层3的厚度d的比值范围包括：20％～50％。在本发明中，像素电极6与公共电极7的高度H1、H2越高，两者之间形成的电场的纵深越深，显示面板所需的驱动电压越小；然而，随着像素电极6和公共电极7的高度H1、H2增大，像素电极6与公共电极7在第一方向X上出现重叠部分，此时像素电极6与公共电极7之间容易产生寄生电容，该寄生电容会对像素电极6上加载的像素电压造成影响。为此，本发明中优选将像素电极6的高度H1与液晶层3的厚度d的比值设置在20％～50％，将公共电极7的高度H2与液晶层3的厚度d的比值设置在20％～50％。
在实际应用中，液晶层3的厚度d(液晶盒盒厚)一般在2.8um～3.2um，本发明中优选将像素电极6的高度H1设置在0.56um～1.6um，将公共电极7电极的高度H2设置在0.56um～1.6um。
在本实施例中，第一基板1还包括：位于第一衬底基板4朝向第二基板2一侧的若干个薄膜晶体管(未示出)、位于薄膜晶体管背向第一衬底基板4一侧的钝化层9和位于钝化层9背向第一衬底基板4一侧的第一取向层10，像素电极6位于钝化层9和第一取向层10之间，薄膜晶体管包括：栅极、栅绝缘层8、源极、漏极(栅极、源极、漏极均未示出)，像素电极6与对应的薄膜晶体管的漏极电连接。第二基板2还包括：位于第二衬底基板5朝向第一基板1一侧彩膜层11和位于彩膜层11背向第二衬底基板5一侧的第二取向层12，公共电极7位于彩膜层11和第二取向层12之间。其中，第一取向层10和第二取向层12均为水平取向。
图7为本发明实施例二提供的一种显示面板的截面示意图，如图7所示，与上述实施例一中不同的是，本实施例中的各像素电极6和各公共电极7均不是整体结构，具体地，本实施例中的像素电极6包括：位于第一衬底基板4朝向第二基板2一侧的第一基座61和覆盖第一基座的侧面以及背向第一衬底基板4一侧的表面的第一导电外套62，第一基座61呈柱状；公共电极7包括：位于第二衬底基板5朝向第一基板1一侧的第二基座71和覆盖第二基座的侧面以及背向第二基板2一侧的表面的第二导电外套72，第二基座71呈柱状。
可选地，第一基座61和第二基座71均为树脂材料构成，第一导电外套62和第二导电外套72均为金属材料构成。
需要说明的是，在本发明中也可以是公共电极7和像素电极6中的一者为又金属材料构成的整体结构，另一者为由基座和导电外套构成的非整体结构，此种情况未给出相应附图。
图8为本发明实施例三提供的一种显示面板的制备方法的流程图，如图8所示，该制备方法用于制备上述实施例一和实施例二中的显示面板，包括：
步骤S1、形成第一基板。
其中，第一基板包括：第一衬底基板和位于第一衬底基板一侧的若干个像素电极，像素电极呈柱状。
本实施例中的第一基板为阵列基板，其还可包括：薄膜晶体管、钝化层和第一取向层，像素电极位于钝化层和第一取向层之间。
步骤S1具体包括：
步骤S101、形成薄膜晶体管。
在步骤S101中，可采用现有的薄膜晶体管制备工艺在第一衬底基板上形成薄膜晶体管，薄膜晶体管包括栅极、栅绝缘层、源极、漏极，具体工艺过程，此处不再详细描述。需要说明的是，本发明中的薄膜晶体管既可以为底栅型薄膜晶体管，也可以为顶栅型薄膜晶体管。
步骤S102、形成钝化层。
在步骤S102中，在薄膜晶体管背向第一衬底基板的一侧形成钝化材料薄膜，并对钝化材料薄膜进行一次构图，以得到钝化层的图形。钝化层上对应薄膜晶体管的漏极的区域形成有过孔。
需要说明的是，本发明中的构图工艺包括光刻胶涂布、曝光、显影、刻蚀、光刻剥离等工艺。
步骤S103、形成像素电极。
当像素电极为实施例一中的像素电极时，形成像素电极的步骤包括：首先，在钝化层背向第一衬底基板的一侧形成第一导电材料薄膜；然后，对第一导电材料薄膜进行构图工艺，以得到像素电极的图形。可选地，第一导电材料薄膜的材料为金属材料。
当像素电极为实施例二中的像素电极时，形成像素电极的步骤包括：首先，在钝化层背向第一衬底基板的一侧形成第一绝缘材料薄膜；然后，对第一绝缘材料薄膜进行构图工艺，以得到若干个第一基座的图形，第一基座呈柱状；接着，在钝化层背向第一衬底基板的一侧形成第三导电材料薄膜；最后，然后，对第一导电材料薄膜进行构图工艺，以得到像素电极的图形。可选地，第一绝缘材料薄膜的材料为有机树脂材料，第三导电材料薄膜的材料为金属材料。
像素电极通过钝化层上的过孔与对应的薄膜晶体管的漏极连接。
可选地，像素电极的宽度范围包括：0.5um～2.5um。
可选地，在第一方向上相邻的像素电极之间的距离包括：8um～32um。
可选地，像素电极在纵向方向上的高度范围包括：0.56um～1.6um。
步骤S104、形成第一取向层。
在步骤S104中，首先在钝化层背向第一衬底基板的一侧形成取向材料薄膜，可选地，取向材料薄膜的材料为聚酰亚胺；然后，通过摩擦取向或光取向工艺对取向材料薄膜进行水平取向处理，以得到第一取向层。
步骤S2、形成第二基板。
第二基板包括：第二衬底基板和位于第二衬底基板一侧的若干个公共电极，公共电极呈柱状。
本实施例中的第一基板为彩膜基板(对盒基板)，其还可包括：彩膜层和第二取向层，公共电极位于彩膜层和第二取向层之间。
步骤S2具体包括：
步骤S201、形成彩膜层。
在步骤S201中，通过现有的彩膜层制备工艺以在第二衬底基板的一侧形成黑矩阵和彩色矩阵图形，具体工艺过程，此处不再详细描述。
步骤S202、形成公共电极。
当公共电极为实施例一中的公共电极时，形成公共电极的步骤包括：首先，在彩膜层背向第二衬底基板的一侧形成第二导电材料薄膜；然后，对第二导电材料薄膜进行构图工艺，以得到公共电极的图形。可选地，第二导电材料薄膜的材料为金属材料。
当公共电极为实施例二中的公共电极时，形成公共电极的步骤包括：首先，在彩膜层背向第二衬底基板的一侧形成第二绝缘材料薄膜；然后，对第二绝缘材料薄膜进行构图工艺，以得到若干个第二基座的图形，第二基座呈柱状；接着，在钝化层背向第二衬底基板的一侧形成第四导电材料薄膜；最后，然后，对第四导电材料薄膜进行构图工艺，以得到公共电极的图形。可选地，第二绝缘材料薄膜的材料为有机树脂材料，第四导电材料薄膜的材料为金属材料。
可选地，公共电极的宽度范围包括：0.5um～2.5um。
可选地，在第一方向上相邻的公共电极之间的距离包括：8um～32um。
可选地，公共电极在纵向方向上的高度范围包括：0.56um～1.6um。
步骤S203、形成第二取向层。
在步骤S204中，首先在彩膜层背向第二衬底基板的一侧形成取向材料薄膜，可选地，取向材料薄膜的材料为聚酰亚胺；然后，通过摩擦取向或光取向工艺对取向材料薄膜进行水平取向处理，以得到第二取向层。
步骤S3、将第一基板和第二基板进行对盒处理。
将通过步骤S1制得的第一基板与通过步骤S2制得的第二基板进行对盒处理，第一基板和第二基板之间填充有液晶层，像素电极在第一衬底基板上的正投影与公共电极在第一衬底基板上的正投影交替设置。
其中，在第一方向上相邻的公共电极和像素电极之间的距离相等。优选地，第一方向上相邻的公共电极和像素电极之间的距离的范围包括：4um～16um。
本发明实施例四提供了一种显示装置，该显示装置包括：显示面板，该显示面板采用上述实施例一或实施例二中的显示面板，对应该显示面板的具体描述，可参见上述实施例一和实施例二中的内容，此处不再赘述。
本发明中的显示装置具体可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

Claims (15)

1.一种显示面板，其特征在于，包括：相对设置的第一基板和第二基板，所述第一基板和所述第二基板之间形成有液晶层；
所述第一基板包括：第一衬底基板和位于所述第一衬底基板朝向所述第二基板一侧的若干个像素电极，所述像素电极呈柱状；
所述第二基板包括：第二衬底基板和位于所述第二衬底基板朝向所述第一基板一侧的若干个公共电极，所述公共电极呈柱状；
所述像素电极在所述第一衬底基板上的正投影与所述公共电极在所述第一衬底基板上的正投影交替设置。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，对于任意在第一方向上相邻的公共电极和像素电极之间的距离相等。
3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，在第一方向上相邻的公共电极和像素电极之间的距离的范围包括：4um～16um。
4.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述像素电极的高度范围包括：0.56um～1.6um；
所述公共电极的高度范围包括：0.56um～1.6um。
5.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述像素电极的高度与所述液晶层的厚度的比值范围包括：20％～50％；
所述公共电极的高度与所述液晶层的厚度的比值范围包括：20％～50％。
6.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述像素电极在第一方向上的宽度范围包括：0.5um～2.5um；
所述公共电极在第一方向上的宽度范围包括：0.5um～2.5um。
7.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述像素电极材料为金属材料；
和/或，所述公共电极的材料为金属材料。
8.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述像素电极包括：第一基座和第一导电外套，所述第一基座位于所述第一衬底基板朝向所述第二基板一侧，所述第一导电外套覆盖所述第一基座的侧面以及所述第一基座背向所述第一衬底基板一侧的表面；
和/或，所述公共电极包括：第二基座和第二导电外套，所述第二基座位于所述第二衬底基板朝向所述第一基板一侧，所述第二导电外套覆盖所述第二基座的侧面以及所述第二基座背向所述第二衬底基板一侧的表面。
9.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一基板还包括：若干个薄膜晶体管、钝化层和第一取向层；
所述薄膜晶体管位于第一衬底基板朝向所述第二基板一侧，所述钝化层位于所述薄膜晶体管背向所述第一衬底基板一侧，所述第一取向层位于所述钝化层背向所述第一衬底基板一侧；
所述像素电极位于所述钝化层和第一取向层之间，所述像素电极与对应的薄膜晶体管的漏极电连接。
10.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第二基板还包括：彩膜层和第二取向层；
所述彩膜层位于第二衬底基板朝向所述第一基板一侧，所述第二取向层位于所述彩膜层背向所述第二衬底基板一侧；
所述公共电极位于所述彩膜层和所述第二取向层之间。
11.一种显示装置，其特征在于，包括：如上述权利要求1-10中任一所述的显示面板。
12.一种显示面板的制备方法，其特征在于，包括：
形成第一基板，所述第一基板包括：第一衬底基板和位于所述第一衬底基板一侧的若干个像素电极，所述像素电极呈柱状；
形成第二基板，所述第二基板包括：第二衬底基板和位于所述第二衬底基板一侧的若干个公共电极，所述公共电极呈柱状；
将所述第一基板和所述第二基板进行对盒处理，所述第一基板和所述第二基板之间形成有液晶层，所述像素电极在所述第一衬底基板上的正投影与所述公共电极在所述第一衬底基板上的正投影交替设置。
13.根据权利要求12所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述形成第一基板的步骤包括：
在第一衬底基板的一侧形成第一导电材料薄膜；
对所述第一导电材料薄膜进行构图工艺，以得到像素电极的图形；
形成第二基板的步骤包括：
在第二衬底基板的一侧形成第二导电材料薄膜；
对所述第二导电材料薄膜进行构图工艺，以得到公共电极的图形。
14.根据权利要求13所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述第一导电材料薄膜的材料为金属材料；
和/或所述第二导电材料薄膜的材料为金属材料。
15.根据权利要求12所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述形成第一基板的步骤包括：
在第一衬底基板的一侧形成第一绝缘材料薄膜；
对所述第一绝缘材料薄膜进行构图工艺，以得到若干个第一基座的图形，所述第一基座呈柱状；
在所述第一衬底基板朝向所述第一基座的一侧形成第三导电材料薄膜；
对所述第三导电材料薄膜进行构图工艺，以得到若干个第一导电外套的图形，所述第一导电外套与所述第一基座一一对应，所述第一导电外套覆盖对应的所述第一基座的侧面以及背向所述第一衬底基板一侧的表面；
和/或，所述形成第二基板的步骤包括：
在第二衬底基板的一侧形成第二绝缘材料薄膜；
对所述第二绝缘材料薄膜进行构图工艺，以得到若干个第二基座的图形，所述第二基座呈柱状；
在所述第二衬底基板朝向所述第二基座的一侧形成第四导电材料薄膜；
对所述第四导电材料薄膜进行构图工艺，以得到若干个第二导电外套的图形，所述第二导电外套与所述第二基座一一对应，所述第二导电外套覆盖对应的所述第二基座的侧面以及背向所述第二衬底基板一侧的表面。
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