JP7028093B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
また、ゲートランナー142には、すべてのMOSゲート120のゲート電極117が電気的に接続されている。以下、エッジ終端領域102の、ゲートランナー142が配置された部分をゲートランナー部104とする。
およびp+型コンタクト領域113とエミッタ電極122とのコンタクト127のコンタクト抵抗Rb’よりも低くなる。このため、IGBTのターンオフ時にエッジ終端領域102で発生し活性領域101側へ向かって流れるアバランシェ時に発生した正孔電流(白抜き矢印:アバランシェ電流)160はp型ウェル領域151からエミッタ電極122へ引き抜かれやすく、ゲートランナー142と、電流引き抜き部となるコンタクトホール(以下、電流引き抜き部とする)154と、の境界付近で電流集中しやすくなる。
実施の形態1にかかる半導体装置の構造について、トレンチゲート型IGBTを例に説明する。図1は、実施の形態1にかかる半導体装置を半導体基板(半導体チップ)のおもて面側から見たレイアウトを示す平面図である。図2は、図1の一部を拡大して示す平面図である。図3は、実施の形態1にかかる半導体装置の構造を示す断面図である。図4A,4B,5,6は、図3のキャリア引き抜き領域を拡大して示す断面図である。図7は、実施の形態1にかかる半導体装置のターンオフ時の正孔電流(アバランシェ電流)の流れを示す説明図である。
以下、エッジ終端領域2の、ゲートランナー42が配置された部分をゲートランナー部4とする。ゲートランナー部4は、ゲートランナー42の内側(活性領域1側)の端部からp型ウェル領域51の外側の端部までの領域である。
例えばMOSゲート20のゲート絶縁膜16の形成時に、ゲートランナー部4にゲート絶縁膜16を部分的に残して絶縁層41としてもよい。ゲートランナー42は、活性領域1の外周に沿った略矩形状に活性領域1の周囲を囲む。ゲートランナー42は、層間絶縁膜21により活性領域1のバリアメタル23、コンタクトプラグ24およびエミッタ電極25と電気的に絶縁されている。
を介して、ゲート電位のゲート金属配線44が電気的に接続されている。ゲート金属配線44は、エミッタ電極25と離して配置されている。図3には、ゲートランナー部4にゲートランナー42が電気的に接続するようにゲート金属配線44を配置した場合を示すが、ゲート金属配線44の配置は種々変更可能である。例えば、図1には図示省略するが、ゲート金属配線44は、活性領域1の周囲を囲むように配置されてもよい。
は、従来構造(図10,11参照)のキャリア引き抜き領域105のコンタクト150のコンタクト抵抗Ra’よりも高くなっている(Ra>Ra’)。その理由は、次の通りである。従来構造では、シリコン(p型ウェル領域151)とのコンタクト150を形成するエミッタ電極122の主成分はアルミニウムである。本発明においては、アルミニウムと比べて、シリコン(p型ウェル領域51)とのコンタクト抵抗が高くなりやすいチタンを主成分とする金属膜(バリアメタル23)でキャリア引き抜き領域5のコンタクト50が形成されているからである。
このため、活性領域1に流れ込んだ正孔電流72は、p型ウェル領域51の下からn-型ドリフト領域11の内部を流れるように、複数のコンタクト27へと分散されてエミッタ電極25へと引き抜かれる。これによって、正孔電流72がp型ウェル領域51に集中しないようにすることができ、且つ、活性領域1のコンタクト27に大部分の正孔電流を引き抜くことができるため、自己クランプ破壊が起きにくくなり、アバランシェ耐量を向上させることができる。
次に、実施の形態2にかかる半導体装置の構造について説明する。図8は、実施の形態2にかかる半導体装置の構造を示す断面図である。活性領域1、耐圧構造部3、ゲートランナー部4およびキャリア引き抜き領域5を半導体基板10のおもて面側から見たレイアウトは実施の形態1(図1,2)と同様である。エッジ終端領域2の構成は、図3のエッジ終端領域2と同様である。図8は、図2の切断線B-B’における断面構造の一部であり、図3のキャリア引き抜き領域5を拡大して示している。図2の切断線C-C’における断面構造は、図4Bと同様である。
次に、上述した実施の形態にかかる半導体装置のアバランシェ耐量について検証した。
図9は、温度とアバランシェ耐量との関係を示す特性図である。図9の横軸は実施例(IGBT)の接合温度Tjであり、図9の縦軸は実施例に生じたアバランシェエネルギーである。
次に、実施の形態3にかかる半導体装置の構造について説明する。図13は、実施の形態3にかかる半導体装置の構造を示す断面図である。活性領域1、耐圧構造部3、ゲートランナー部4およびキャリア引き抜き領域5を半導体基板10のおもて面側から見たレイアウトは実施の形態1(図1,2)と同様である。エッジ終端領域2の構成は、図3のエッジ終端領域2と同様である。図13は、図2の切断線B-B’における断面構造の一部であり、活性領域1とキャリア引き抜き領域5との境界付近の構造を示している。図2の切断線C-C’における断面構造は、図4Bに後述するn型キャリア蓄積領域81を追加したものである。
次に、実施の形態4にかかる半導体装置の構造について、第1方向Xに延びるストライプ状にトレンチ15を配置した場合を例に説明する。図14,15は、実施の形態4にかかる半導体装置の構造を示す断面図である。図16は、実施の形態4にかかる半導体装置を半導体基板のおもて面側から見たレイアウトを示す平面図である。
次に、実施の形態5にかかる半導体装置の構造について説明する。図17は、実施の形態5にかかる半導体装置の構造を示す断面図である。活性領域1、耐圧構造部3、ゲートランナー部4およびキャリア引き抜き領域5を半導体基板10のおもて面側から見たレイアウトは実施の形態1(図1,2)と同様である。図17は、図2の切断線C-C’における断面構造の一部であり、活性領域1とキャリア引き抜き領域5との境界付近の構造を示している。図2の切断線B-B’における断面構造は図14と同様である。
次に、実施の形態6にかかる半導体装置の構造について説明する。図18は、実施の形態6にかかる半導体装置の構造を示す断面図である。活性領域1、耐圧構造部3、ゲートランナー部4およびキャリア引き抜き領域5を半導体基板10のおもて面側から見たレイアウトは実施の形態1(図1,2)と同様である。実施の形態4と同様に、図1の矩形枠Aの拡大図は図2であり、図1の矩形枠A’の拡大図は図16である。
2 エッジ終端領域
3 耐圧構造部
4 ゲートランナー部
5 キャリア引き抜き領域
10 半導体基板
11 n-型ドリフト領域
12 MOSゲートのp型ベース領域
13,13’,61 MOSゲートのp+型コンタクト領域
14,62 MOSゲートのp++型表面インプラ領域
15 MOSゲートのトレンチ
15’ MOSゲートのトレンチの連結部
16 MOSゲートのゲート絶縁膜
17 MOSゲートのゲート電極
18 n型フィールドストップ領域
19 p+型コレクタ領域
20 MOSゲート
21 層間絶縁膜
22 活性領域のコンタクトホール
23 バリアメタル
24 コンタクトプラグ
25 エミッタ電極
26 ポリイミド保護膜
27 MOSゲートのコンタクト
28 コレクタ電極
29,29’ n+型エミッタ領域
30 耐圧構造
31 フィールドリミッティングリング
32 フィールドプレート
33 ポリシリコン電極
34,36,43 バリアメタルおよびコンタクトプラグ
35 n+型ストッパー領域
37 ストッパー電極
41 絶縁層
42 ゲートランナー
44 ゲート金属配線
45 コンタクトホール
46 ゲートパッド
50,50’ キャリア引き抜き領域のコンタクト
51 キャリア引き抜き領域のp型ウェル領域
52 主接合部
53,53’,63 キャリア引き抜き領域のp+型コンタクト領域
54 キャリア引き抜き領域のコンタクトホール
70~72 正孔電流
81 活性領域のn型キャリア蓄積領域(第1n型キャリア蓄積領域)
82,82’ キャリア引き抜き領域のn型キャリア蓄積領域(第2n型キャリア蓄積領域)
d1 MOSゲートのp型ベース領域の深さ
d2 MOSゲートのトレンチの深さ
d3 キャリア引き抜き領域のp型ウェル領域の深さ
d11 キャリア引き抜き領域のコンタクトホールの深さ
d21,d21’ 活性領域のp+型コンタクト領域の深さ
d22,d22’ キャリア引き抜き領域のp+型コンタクト領域の深さ
Ra キャリア引き抜き領域のコンタクトのコンタクト抵抗
Rb 活性領域のMOSゲートのコンタクト抵抗
t1 半導体基板の厚さ
t11 活性領域のn型キャリア蓄積領域の厚さ
t12 キャリア引き抜き領域のn型キャリア蓄積領域の厚さ
w1 エッジ終端領域の幅
w2 キャリア引き抜き領域の幅
w11 キャリア引き抜き領域のコンタクトホールの幅
w12 キャリア引き抜き領域の隣り合うコンタクトホール間の幅
Claims (17)
- 第1導電型の半導体基板に設けられた、主電流が流れる活性領域と、
前記活性領域の周囲を囲む終端領域と、
前記活性領域において、前記半導体基板の第1主面側の表面層に設けられた第2導電型の第1半導体領域と、
前記第1半導体領域の内部に選択的に設けられた第1導電型の第2半導体領域と、
前記第1半導体領域の内部に選択的に設けられた、前記第1半導体領域よりも不純物濃度の高い第2導電型の第3半導体領域と、
前記終端領域において、前記半導体基板の第1主面側の表面層に選択的に設けられた第2導電型の第4半導体領域と、
前記半導体基板の、前記第1半導体領域および前記第4半導体領域以外の領域である第1導電型の第5半導体領域と、
前記第1半導体領域の、前記第5半導体領域と前記第2半導体領域の間の領域に接して設けられたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜を挟んで前記第1半導体領域の反対側に設けられたゲート電極と、
前記半導体基板の第1主面上に設けられ、前記第2半導体領域、前記第3半導体領域、
前記第4半導体領域および前記ゲート電極を覆う層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜に開口され、前記第2半導体領域および前記第3半導体領域を露出する第1コンタクトホールと、
前記層間絶縁膜に開口され、それぞれ前記第4半導体領域を選択的に露出する複数の第2コンタクトホールと、
前記第2コンタクトホールの内壁に沿って設けられ、前記半導体基板とオーミック接触する第1金属膜と、
前記第2コンタクトホールの内部において前記第1金属膜の上に埋め込まれた第2金属膜と、
前記層間絶縁膜の上に設けられ、前記第1コンタクトホールにおいて前記第2半導体領域および前記第3半導体領域を介して前記第1半導体領域に電気的に接続され、かつ前記第2コンタクトホールにおいて前記第2金属膜および前記第1金属膜を介して前記第4半導体領域に電気的に接続された第1電極と、
前記半導体基板の第2主面に設けられた第2電極と、
前記終端領域において、前記半導体基板の第1主面上に絶縁層を介して設けられ、深さ方向に前記絶縁層を挟んで前記第4半導体領域と対向する、前記ゲート電極が電気的に接続されたゲートランナーと、
を備え、
複数の前記第2コンタクトホールは、前記活性領域と前記終端領域との境界から前記ゲートランナーまでの間に設けられており、
前記活性領域と前記終端領域との境界から前記ゲートランナーまでの間の距離は、5μm以上であることを特徴とする半導体装置。 - 前記第4半導体領域の内部に選択的に設けられた、前記第4半導体領域よりも不純物濃度の高い第2導電型の第6半導体領域をさらに備え、
前記第1電極は、前記第2コンタクトホールにおいて前記第2金属膜、前記第1金属膜および前記第6半導体領域を介して前記第4半導体領域に電気的に接続されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。 - 前記第3半導体領域の内部に選択的に設けられた、前記第3半導体領域よりも不純物濃度の高い第2導電型の第7半導体領域をさらに備え、
前記第1電極は、前記第1コンタクトホールにおいて前記第7半導体領域および前記第3半導体領域を介して前記第1半導体領域に電気的に接続されていることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置。 - 前記第1半導体領域は、前記半導体基板の第1主面と前記第5半導体領域との間に設けられ、
前記第3半導体領域は、前記半導体基板の第1主面と前記第1半導体領域との間に設けられ、
前記第7半導体領域は、前記半導体基板の第1主面と前記第3半導体領域との間に設けられ、
前記第3半導体領域および前記第7半導体領域は、前記第5半導体領域に接していないことを特徴とする請求項3に記載の半導体装置。 - 前記第4半導体領域は、前記活性領域の外周に沿って前記活性領域の周囲を囲み、
複数の前記第2コンタクトホールは、前記活性領域の外周に沿って延びるストライプ状のレイアウトに配置され、前記活性領域の周囲を囲むことを特徴とする請求項1~4のいずれか一つに記載の半導体装置。 - 前記第2コンタクトホールの幅は、0.3μm以上1.0μm以下であることを特徴とする請求項1~5のいずれか一つに記載の半導体装置。
- 隣り合う前記第2コンタクトホールの間の幅は、前記第2コンタクトホールの幅と同じであることを特徴とする請求項1~6のいずれか一つに記載の半導体装置。
- 前記第1電極は、前記第2半導体領域および前記第3半導体領域にオーミック接触していることを特徴とする請求項1~7のいずれか一つに記載の半導体装置。
- 前記第1金属膜は、前記第1コンタクトホールの内壁に沿って設けられ、
前記第2金属膜は、前記第1コンタクトホールの内部において前記第1金属膜の上に埋め込まれていることを特徴とする請求項1~8のいずれか一つに記載の半導体装置。 - 前記第1金属膜は、チタンを主成分とすることを特徴とする請求項1~9のいずれか一つに記載の半導体装置。
- 前記第2金属膜は、タングステンを主成分とすることを特徴とする請求項1~10のいずれか一つに記載の半導体装置。
- 前記第1半導体領域の上面から前記第5半導体領域に達するトレンチをさらに備え、
前記ゲート絶縁膜は、前記トレンチの内壁に沿って設けられ、
前記ゲート電極は、前記トレンチの内部において前記ゲート絶縁膜の内側に埋め込まれていることを特徴とする請求項1~11のいずれか一つに記載の半導体装置。 - 第1導電型の半導体基板に設けられた、主電流が流れる活性領域と、
前記活性領域の周囲を囲む終端領域と、
前記活性領域において、前記半導体基板の第1主面側の表面層に設けられた第2導電型の第1半導体領域と、
前記第1半導体領域の内部に選択的に設けられた第1導電型の第2半導体領域と、
前記第1半導体領域の内部に選択的に設けられた、前記第1半導体領域よりも不純物濃度の高い第2導電型の第3半導体領域と、
前記終端領域において、前記半導体基板の第1主面側の表面層に選択的に設けられた第2導電型の第4半導体領域と、
前記半導体基板の、前記第1半導体領域および前記第4半導体領域以外の領域である第1導電型の第5半導体領域と、
前記第1半導体領域の、前記第5半導体領域と前記第2半導体領域の間の領域に接して設けられたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜を挟んで前記第1半導体領域の反対側に設けられたゲート電極と、
前記半導体基板の第1主面上に設けられ、前記第2半導体領域、前記第3半導体領域、
前記第4半導体領域および前記ゲート電極を覆う層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜に開口され、前記第2半導体領域および前記第3半導体領域を露出する第1コンタクトホールと、
前記層間絶縁膜に開口され、それぞれ前記第4半導体領域を選択的に露出する複数の第2コンタクトホールと、
前記第2コンタクトホールの内壁に沿って設けられ、前記半導体基板とオーミック接触する第1金属膜と、
前記第2コンタクトホールの内部において前記第1金属膜の上に埋め込まれた第2金属膜と、
前記層間絶縁膜の上に設けられ、前記第1コンタクトホールにおいて前記第2半導体領域および前記第3半導体領域を介して前記第1半導体領域に電気的に接続され、かつ前記第2コンタクトホールにおいて前記第2金属膜および前記第1金属膜を介して前記第4半導体領域に電気的に接続された第1電極と、
前記半導体基板の第2主面に設けられた第2電極と、
前記第1半導体領域と前記第5半導体領域との間に設けられた、前記第5半導体領域よりも不純物濃度の高い第1導電型の第8半導体領域と、
前記第4半導体領域の内部に、前記半導体基板の第1主面から離れて設けられ、深さ方向に前記第2コンタクトホールに対向する、前記第5半導体領域よりも不純物濃度の高い第1導電型の第9半導体領域と、
前記終端領域において、前記半導体基板の第1主面上に絶縁層を介して設けられ、深さ方向に前記絶縁層を挟んで前記第4半導体領域と対向する、前記ゲート電極が電気的に接続されたゲートランナーと、
を備え、
前記第9半導体領域は、前記活性領域側から前記ゲートランナー側へ延在し、前記ゲートランナーよりも前記活性領域側で終端していることを特徴とする半導体装置。 - 前記第9半導体領域は、前記半導体基板の第1主面から前記第8半導体領域と同じ深さに位置することを特徴とする請求項13に記載の半導体装置。
- 前記第9半導体領域は、前記半導体基板の第1主面から前記第8半導体領域よりも浅い深さに位置することを特徴とする請求項13に記載の半導体装置。
- 第1導電型の半導体基板に設けられた、主電流が流れる活性領域と、
前記活性領域の周囲を囲む終端領域と、
前記活性領域において、前記半導体基板の第1主面側の表面層に設けられた第2導電型の第1半導体領域と、
前記第1半導体領域の内部に選択的に設けられた第1導電型の第2半導体領域と、
前記第1半導体領域の内部に選択的に設けられた、前記第1半導体領域よりも不純物濃度の高い第2導電型の第3半導体領域と、
前記終端領域において、前記半導体基板の第1主面側の表面層に選択的に設けられた第2導電型の第4半導体領域と、
前記半導体基板の、前記第1半導体領域および前記第4半導体領域以外の領域である第1導電型の第5半導体領域と、
前記第1半導体領域の、前記第5半導体領域と前記第2半導体領域の間の領域に接して設けられたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜を挟んで前記第1半導体領域の反対側に設けられたゲート電極と、
前記半導体基板の第1主面上に設けられ、前記第2半導体領域、前記第3半導体領域、
前記第4半導体領域および前記ゲート電極を覆う層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜に開口され、前記第2半導体領域および前記第3半導体領域を露出する第1コンタクトホールと、
前記層間絶縁膜に開口され、それぞれ前記第4半導体領域を選択的に露出する複数の第2コンタクトホールと、
前記第2コンタクトホールの内壁に沿って設けられ、前記半導体基板とオーミック接触する第1金属膜と、
前記第2コンタクトホールの内部において前記第1金属膜の上に埋め込まれた第2金属膜と、
前記層間絶縁膜の上に設けられ、前記第1コンタクトホールにおいて前記第2半導体領域および前記第3半導体領域を介して前記第1半導体領域に電気的に接続され、かつ前記第2コンタクトホールにおいて前記第2金属膜および前記第1金属膜を介して前記第4半導体領域に電気的に接続された第1電極と、
前記半導体基板の第2主面に設けられた第2電極と、
前記第1半導体領域と前記第5半導体領域との間に設けられた、前記第5半導体領域よりも不純物濃度の高い第1導電型の第8半導体領域と、
前記第4半導体領域の内部に、前記半導体基板の第1主面から離れて設けられ、深さ方向に前記第2コンタクトホールに対向する、前記第5半導体領域よりも不純物濃度の高い第1導電型の第9半導体領域と、
を備え、
前記第9半導体領域は、前記半導体基板の第1主面から前記第8半導体領域よりも浅い深さに位置することを特徴とする半導体装置。 - 前記第1半導体領域の上面から前記第5半導体領域に達するトレンチをさらに備え、
前記ゲート絶縁膜は、前記トレンチの内壁に沿って設けられ、
前記ゲート電極は、前記トレンチの内部において前記ゲート絶縁膜の内側に埋め込まれ、
前記トレンチは、前記半導体基板の第1主面に平行な方向に延びるストライプ状に配置され、
すべての隣り合う前記トレンチ間に前記第2半導体領域が設けられていることを特徴とする請求項13~16のいずれか一つに記載の半導体装置。
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Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2022196237A1 (ja) * | 2021-03-17 | 2022-09-22 | ローム株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
DE112022000969T5 (de) * | 2021-10-14 | 2023-11-23 | Fuji Electric Co., Ltd. | Siliziumkarbid-halbleitervorrichtung |
JP2024066860A (ja) * | 2022-11-02 | 2024-05-16 | 株式会社デンソー | 縦型半導体装置 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2010143288A1 (ja) | 2009-06-11 | 2010-12-16 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体装置 |
WO2013035818A1 (ja) | 2011-09-08 | 2013-03-14 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
WO2016080269A1 (ja) | 2014-11-17 | 2016-05-26 | 富士電機株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
JP2016100464A (ja) | 2014-11-21 | 2016-05-30 | 三菱電機株式会社 | 逆導通型半導体装置 |
JP2017130478A (ja) | 2016-01-18 | 2017-07-27 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
WO2017141998A1 (ja) | 2016-02-15 | 2017-08-24 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
JP2017168659A (ja) | 2016-03-16 | 2017-09-21 | 富士電機株式会社 | 半導体装置および製造方法 |
-
2018
- 2018-07-19 JP JP2018135626A patent/JP7028093B2/ja active Active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2010143288A1 (ja) | 2009-06-11 | 2010-12-16 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体装置 |
WO2013035818A1 (ja) | 2011-09-08 | 2013-03-14 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
WO2016080269A1 (ja) | 2014-11-17 | 2016-05-26 | 富士電機株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
JP2016100464A (ja) | 2014-11-21 | 2016-05-30 | 三菱電機株式会社 | 逆導通型半導体装置 |
JP2017130478A (ja) | 2016-01-18 | 2017-07-27 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
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