JP7026016B2 - 半導体装置および電子制御装置 - Google Patents
半導体装置および電子制御装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7026016B2 JP7026016B2 JP2018136573A JP2018136573A JP7026016B2 JP 7026016 B2 JP7026016 B2 JP 7026016B2 JP 2018136573 A JP2018136573 A JP 2018136573A JP 2018136573 A JP2018136573 A JP 2018136573A JP 7026016 B2 JP7026016 B2 JP 7026016B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- power supply
- transistor
- gate
- potential
- circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K19/00—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
- H03K19/003—Modifications for increasing the reliability for protection
- H03K19/00369—Modifications for compensating variations of temperature, supply voltage or other physical parameters
- H03K19/00384—Modifications for compensating variations of temperature, supply voltage or other physical parameters in field effect transistor circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/16—Modifications for eliminating interference voltages or currents
- H03K17/161—Modifications for eliminating interference voltages or currents in field-effect transistor switches
- H03K17/162—Modifications for eliminating interference voltages or currents in field-effect transistor switches without feedback from the output circuit to the control circuit
- H03K17/163—Soft switching
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/04—Modifications for accelerating switching
- H03K17/041—Modifications for accelerating switching without feedback from the output circuit to the control circuit
- H03K17/0412—Modifications for accelerating switching without feedback from the output circuit to the control circuit by measures taken in the control circuit
- H03K17/04123—Modifications for accelerating switching without feedback from the output circuit to the control circuit by measures taken in the control circuit in field-effect transistor switches
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02J—CIRCUIT ARRANGEMENTS OR SYSTEMS FOR SUPPLYING OR DISTRIBUTING ELECTRIC POWER; SYSTEMS FOR STORING ELECTRIC ENERGY
- H02J7/00—Circuit arrangements for charging or depolarising batteries or for supplying loads from batteries
- H02J7/0029—Circuit arrangements for charging or depolarising batteries or for supplying loads from batteries with safety or protection devices or circuits
- H02J7/0031—Circuit arrangements for charging or depolarising batteries or for supplying loads from batteries with safety or protection devices or circuits using battery or load disconnect circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/06—Modifications for ensuring a fully conducting state
- H03K17/063—Modifications for ensuring a fully conducting state in field-effect transistor switches
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K19/00—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
- H03K19/003—Modifications for increasing the reliability for protection
- H03K19/00323—Delay compensation
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K19/00—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
- H03K19/02—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components
- H03K19/08—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using semiconductor devices
- H03K19/094—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using semiconductor devices using field-effect transistors
- H03K19/09421—Diode field-effect transistor logic
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K19/00—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
- H03K19/02—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components
- H03K19/08—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using semiconductor devices
- H03K19/094—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using semiconductor devices using field-effect transistors
- H03K19/0944—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using semiconductor devices using field-effect transistors using MOSFET or insulated gate field-effect transistors, i.e. IGFET
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/06—Modifications for ensuring a fully conducting state
- H03K2017/066—Maximizing the OFF-resistance instead of minimizing the ON-resistance
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Computing Systems (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
Description
《車両の概略》
図1は、本発明の実施の形態1による電子制御装置を適用した車両の構成例を示す概略図である。図1に示す車両(例えば自動車)VCLは、バッテリBATと、フューズボックスFSUと、電子制御装置(具体的にはリレーボックス)ECUと、ボディコントロールモジュールBCMと、複数の負荷LD[1],…,LD[k],…,LD[n]とを備える。フューズボックスFSUは、バッテリBATの電力を電子制御装置ECUへ伝送すると共に大電流から保護する機能を担う。
図2は、図1における電子制御装置の主要部の構成例を示す概略図である。図2に示す電子制御装置(リレーボックス)ECUは、マイクロコントローラMCUと、リレー装置RLYと、電源レギュレータVREGと、外部抵抗Reとを含み、これらが配線基板上に実装された構成となっている。電子制御装置ECUには、正極側のバッテリ端子Pi1(+)を介して、バッテリBATからの高電位側のバッテリ電源(バッテリ電源電位とも呼ぶ)VBが供給される。また、電子制御装置ECUには、負極側のバッテリ端子Pi1(-)を介してバッテリBATからの低電位側のバッテリ電源(接地電源電位とも呼ぶ)GNDが供給される。接地電源電位GNDを0Vとした場合、バッテリ電源電位VBは、代表的には、12V等である。
図17(a)、図17(b)および図17(c)は、本発明の第1の比較例となるリレー装置のそれぞれ異なる構成例を示す概略図である。図2において、例えば、負荷LDがDCモータ等の場合、バッテリBATが誤って逆接続されると、逆方向の通電によって逆回転(すなわち誤動作)が生じる。このため、リレー装置RLYには、このような逆方向の通電を遮断することが求められる。
図3は、本発明の実施の形態1による半導体装置(リレー装置)の概略構成例を示すブロック図である。図3に示す半導体装置(リレー装置)RLYaは、例えば、1個の半導体パッケージで構成されるインテリジェントパワーデバイス(IPD)であり、図2のリレー装置RLYに適用される。リレー装置RLYaは、電源に結合される正極電源端子Pi2(+)および負極電源端子Pi2(-)と、負荷LDに結合される正極側の負荷駆動端子Po2(+)と、制御入力信号INが入力される制御入力端子Pi3とを備える。負荷LDの他端は、負極側の負荷駆動端子Po2(-)に結合される。
図4は、図3の半導体装置(リレー装置)における主要部の詳細な構成例を示す回路図である。図5は、図4における昇圧回路内の各トランジスタの構造例を示す断面図である。図4には、図3における逆流防止回路RCF、昇圧回路CP1aおよびゲート放電回路DCG1a周りの詳細な構成例が示される。逆流防止回路RCFは、電源[1a]VD1aと電源[1b]VD1bとの間に並列に結合される逆流防止用ダイオードDcおよびpMOSトランジスタMP1を備える。
以上、実施の形態1の方式では、バッテリBATの順接続時で、制御入力信号INがアサートの場合には、昇圧回路CP1aは、チャージ動作およびポンプ動作共に活性状態であり、電力用トランジスタQN1は、“昇圧回路CP1aのゲート充電電流”>“ゲート放電回路DCG1aのゲート放電電流”によってオンとなる。また、バッテリBATが順接続で、制御入力信号INがネゲートの場合には、昇圧回路CP1aは非活性状態であり、電力用トランジスタQN1は、ゲート放電回路DCG1aのゲート放電電流によって所定の期間経過後にオフとなる。一方、バッテリBATが逆接続された場合には、昇圧回路CP1aは、チャージ動作が弱い活性状態であり、電力用トランジスタQN1は、“昇圧回路CP1aのゲート充電電流”<“ゲート放電回路DCG1aのゲート放電電流”によってオフとなる。
《実施の形態2の前提となる問題点》
図1および図2に示したような自動車向けのリレー装置RLYの場合、例えば、図3に示した電源[1a]VD1aは、通常、バッテリ電源VBに結合される。この場合、電源[1a]VD1aには、様々な外来サージ(またはノイズ)が印加され得る。ここで、オルタネータ起因のダンプサージを代表とする正極性サージが生じた場合には、図3の電力用トランジスタQN1に過大な電力が印加される状況は生じ難い。これは、電力用トランジスタQN1がオフ状態でも寄生ダイオードDn1が通電するためである。一方、フィールドコイルや誘導性負荷起因の負極性サージが生じた場合、電力用トランジスタQN1は、オフ状態になっていると、ブレークダウンによって過大な電力が消費され、破壊に至る恐れがある。
図7は、本発明の実施の形態2による半導体装置(リレー装置)の概略構成例を示すブロック図である。図7に示す半導体装置(リレー装置)RLYbは、図3に示した構成例と比較して、次の5点が異なっている。1つ目の相違点として、図3に示した電力用トランジスタQN1の代わりに電力用トランジスタQN1(L)が設けられる。電力用トランジスタQN1(L)は、電力用トランジスタQN1および電力用トランジスタQN2よりも低耐圧な構造を備える。具体例として、電力用トランジスタQN2(および電力用トランジスタQN1)の耐圧は40V等であるのに対して、電力用トランジスタQN1(L)の耐圧は20V等である。
図8は、図7の半導体装置(リレー装置)における負電位検出回路の概略的な構成例を示す回路図である。図9は、図7の半導体装置(リレー装置)における主要部の詳細な構成例を示す回路図である。例えば、図7において、バッテリBATの逆接続時も電源[1a]VD1aへの負サージ印加時も、共に、電源[3]VD3を基準に電源[1a]VD1aに負の電位が印加される。ただし、電力用トランジスタQN1(L)は、バッテリBATの逆接続時にはオフであり、負サージ印加時にはオンであることが望まれる。そこで、バッテリBATの逆接続時と負サージ印加時とを区別し、その結果に応じて電力用トランジスタQN1(L)のオン・オフを切り替えるため、負電位検出回路VNDETが設けられる。
PL1=BV1×(|Vsr|-BV1)/RL …(1)
PL2=Ron×(|Vsr|/RL)2 …(2)
以上、実施の形態2の方式では、バッテリBATの順接続時で、制御入力信号INのアサート時、昇圧回路CP1bは、チャージ動作およびポンプ動作共に活性状態となる。また、ゲート放電回路DCG1b内のnMOSトランジスタMN16は、ソースが電源[1a]VD1aに結合され、ゲートがpMOSトランジスタMP1および抵抗R12を介して電源[1a]VD1aに結合され、ドレインに昇圧電位が印加された状態であるためオフとなる。これにより、電力用トランジスタQN1(L)はオンとなる。一方、制御入力信号INのネゲート時、nMOSトランジスタMN16は、ドレインに昇圧電位が残存している期間でオフとなり、電力用トランジスタQN1(L)は、当該期間でオンとなる。ただし、電力用トランジスタQN2はオフである。
《実施の形態3の前提となる問題点》
前述したように、図9に示したゲート放電回路DCG1b内のnMOSトランジスタMN16のゲート電位は、負電位検出信号[1]S_DET1で制御される。バッテリBATが順接続の場合、負電位検出信号[1]S_DET1は、電源[1a]VD1aとほぼ同電位になる。このため、nMOSトランジスタMN16は、オフとなり、電力用トランジスタQN1(L)のゲート電荷を放電できる状態にはなっていない。すなわち、電力用トランジスタQN1(L)をオフに制御できない状態となっている。
図13は、本発明の実施の形態3による半導体装置(リレー装置)の概略構成例を示すブロック図である。図13に示す半導体装置(リレー装置)RLYcは、図7に示した構成例と比較して、次の4点が異なっている。1つ目の相違点として、負荷LD2がコンデンサ負荷となっている。2つ目の相違点として、遅延回路DLYが追加され、3つ目の相違点として、ゲート放電回路DCG3が追加される。4つ目の相違点として、詳細は図14に示すが、負電位検出回路VNDETに電力用トランジスタQN1(L)のゲート電位が入力される。
図14は、図13の半導体装置(リレー装置)における主要部の詳細な構成例を示す回路図である。図15は、図13における遅延回路の詳細な構成例を示す回路図である。図14には、図13に示した負電位検出回路VNDET周りと、昇圧回路(チャージポンプ回路)CP1b周りと、ゲート放電回路DCG1b周りと、ゲート放電回路DCG3周りの構成例が示される。
以上、実施の形態3の方式では、実施の形態2と同様の動作を行うことに加えて、バッテリBATの順接続時で、制御入力信号INのネゲート時で、クランキング発生時に、コンデンサC21が、nMOSトランジスタMN21がオフの状態でクランキング発生前のnMOSトランジスタMN16のゲート電位を維持する。その結果、nMOSトランジスタMN16は、クランキングによってソース電位が低下するため自動的にオンとなり、これに伴い、電力用トランジスタQN1(L)はオフとなる。なお、バッテリBATの逆接続時、nMOSトランジスタMN21は、オフになり得るが、電源[1b]VD1b側をアノードとする寄生ダイオードDn21が導通するため、実施の形態2の場合と同様の動作となる。
BT 寄生バイポーラトランジスタ
C コンデンサ
CP 昇圧回路
D ダイオード
DCG ゲート放電回路
Dn 寄生ダイオード
ECU 電子制御装置
GND バッテリ電源(接地電源電位)
IN 制御入力信号
LD 負荷
MCU マイクロコントローラ
MN nMOSトランジスタ
MP pMOSトランジスタ
QN 電力用トランジスタ
R 抵抗
RLY リレー装置
VB バッテリ電源(バッテリ電源電位)
VCL 車両
VD 電源(電源電位)
VNDET 負電位検出回路
VO 出力電位
Claims (15)
- 電源に結合される正極電源端子および負極電源端子と、負荷に結合される負荷駆動端子とを備え、制御入力信号に応じて前記電源と前記負荷との間の通電を制御する半導体装置であって、
前記正極電源端子と前記負荷駆動端子との間に設けられ、ソースおよびバックゲートが前記正極電源端子側に、ドレインが前記負荷駆動端子側に結合されるnチャネル型の第1の電力用トランジスタと、
前記正極電源端子と前記負荷駆動端子との間で前記第1の電力用トランジスタと直列に設けられ、ソースおよびバックゲートが前記負荷駆動端子側に、ドレインが前記正極電源端子側に結合されるnチャネル型の第2の電力用トランジスタと、
前記第1の電力用トランジスタのゲートを充電する第1の昇圧回路と、
オンに制御された際に、前記第1の電力用トランジスタのゲートをソースへ短絡するnチャネル型の短絡用トランジスタを含んだ第1のゲート放電回路と、
前記負極電源端子を基準として前記正極電源端子に印加された負電位が予め定めた負のしきい値電位よりも正側か負側かを判別し、正側となる第1の場合には前記短絡用トランジスタをオンに制御し、負側となる第2の場合には前記短絡用トランジスタをオフに制御する負電位検出回路と、
を有する、
半導体装置。 - 請求項1記載の半導体装置において、
前記半導体装置は、1個の半導体パッケージで構成される、
半導体装置。 - 請求項1記載の半導体装置において、
前記負電位検出回路は、前記正極電源端子と前記負極電源端子との間に直列に設けられる第1の抵抗および第1のツェナーダイオードを有し、前記第1のツェナーダイオードのブレークダウンの有無を検出することで前記負のしきい値電位よりも正側か負側かを判別する、
半導体装置。 - 請求項1記載の半導体装置において、
前記負電位検出回路は、一端が前記正極電源端子に結合される第2のツェナーダイオードを有し、前記第2の場合には、前記正極電源端子の電位を基準に前記第2のツェナーダイオードのブレークダウン電圧だけ正側となる電位を前記第1の昇圧回路を介して前記第1の電力用トランジスタのゲートに印加する、
半導体装置。 - 請求項1記載の半導体装置において、
前記第1の電力用トランジスタは、前記第2の電力用トランジスタよりも低耐圧な構造を備える、
半導体装置。 - 請求項1記載の半導体装置において、
前記短絡用トランジスタは、前記制御入力信号のアサート期間では、ゲートに前記正極電源端子の電位が印加されることでオフとなり、
前記半導体装置は、さらに、前記短絡用トランジスタのゲートと前記負極電源端子との間に設けられ、前記制御入力信号のアサート期間での前記短絡用トランジスタのゲート電位を前記制御入力信号のネゲート期間で維持するコンデンサを有する、
半導体装置。 - 請求項6記載の半導体装置において、
さらに、前記正極電源端子と前記短絡用トランジスタのゲートとの間に設けられ、前記制御入力信号のネゲート期間でオフに制御されることで前記短絡用トランジスタのゲートをハイインピーダンス状態に制御する制御用トランジスタを有する、
半導体装置。 - 請求項1記載の半導体装置において、さらに、
前記制御入力信号がアサートされた場合に、前記第2の電力用トランジスタのゲートを充電する第2の昇圧回路と、
前記制御入力信号がネゲートされた場合に、前記第2の電力用トランジスタのゲート電荷をソースへ放電する第2のゲート放電回路と、
を有する、
半導体装置。 - マイクロコントローラと、
前記マイクロコントローラからの制御入力信号に応じてバッテリと負荷との間の通電を制御するリレー装置と、
を有する電子制御装置であって、
前記リレー装置は、
前記バッテリに結合される正極電源端子および負極電源端子と、
前記負荷に結合される負荷駆動端子と、
前記正極電源端子と前記負荷駆動端子との間に設けられ、ソースおよびバックゲートが前記正極電源端子側に、ドレインが前記負荷駆動端子側に結合されるnチャネル型の第1の電力用トランジスタと、
前記正極電源端子と前記負荷駆動端子との間で前記第1の電力用トランジスタと直列に設けられ、ソースおよびバックゲートが前記負荷駆動端子側に、ドレインが前記正極電源端子側に結合されるnチャネル型の第2の電力用トランジスタと、
前記第1の電力用トランジスタのゲートを充電する第1の昇圧回路と、
オンに制御された際に、前記第1の電力用トランジスタのゲートをソースへ短絡するnチャネル型の短絡用トランジスタを含んだ第1のゲート放電回路と、
前記負極電源端子を基準として前記正極電源端子に印加された負電位が予め定めた負のしきい値電位よりも正側か負側かを判別し、正側となる第1の場合には前記短絡用トランジスタをオンに制御し、負側となる第2の場合には前記短絡用トランジスタをオフに制御する負電位検出回路と、
を有する、
電子制御装置。 - 請求項9記載の電子制御装置において、
前記負電位検出回路は、前記正極電源端子と前記負極電源端子との間に直列に設けられる第1の抵抗および第1のツェナーダイオードを有し、前記第1のツェナーダイオードのブレークダウンの有無を検出することで前記負のしきい値電位よりも正側か負側かを判別する、
電子制御装置。 - 請求項9記載の電子制御装置において、
前記負電位検出回路は、一端が前記正極電源端子に結合される第2のツェナーダイオードを有し、前記第2の場合には、前記正極電源端子の電位を基準に前記第2のツェナーダイオードのブレークダウン電圧だけ正側となる電位を前記第1の昇圧回路を介して前記第1の電力用トランジスタのゲートに印加する、
電子制御装置。 - 請求項9記載の電子制御装置において、
前記第1の電力用トランジスタは、前記第2の電力用トランジスタよりも低耐圧な構造を備える、
電子制御装置。 - 請求項9記載の電子制御装置において、
前記短絡用トランジスタは、前記制御入力信号のアサート期間では、ゲートに前記正極電源端子の電位が印加されることでオフとなり、
前記リレー装置は、さらに、前記短絡用トランジスタのゲートと前記負極電源端子との間に設けられ、前記制御入力信号のアサート期間での前記短絡用トランジスタのゲート電位を前記制御入力信号のネゲート期間で維持するコンデンサを有する、
電子制御装置。 - 請求項13記載の電子制御装置において、
前記リレー装置は、さらに、前記正極電源端子と前記短絡用トランジスタのゲートとの間に設けられ、前記制御入力信号のネゲート期間でオフに制御されることで前記短絡用トランジスタのゲートをハイインピーダンス状態に制御する制御用トランジスタを有する、
電子制御装置。 - 請求項9記載の電子制御装置において、
前記電子制御装置は、自動車に搭載される、
電子制御装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018136573A JP7026016B2 (ja) | 2018-07-20 | 2018-07-20 | 半導体装置および電子制御装置 |
US16/452,205 US10840898B2 (en) | 2018-07-20 | 2019-06-25 | Semiconductor device and electronic control device |
CN201910623313.5A CN110739955A (zh) | 2018-07-20 | 2019-07-11 | 半导体器件和电子控制装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018136573A JP7026016B2 (ja) | 2018-07-20 | 2018-07-20 | 半導体装置および電子制御装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020014356A JP2020014356A (ja) | 2020-01-23 |
JP7026016B2 true JP7026016B2 (ja) | 2022-02-25 |
Family
ID=69163200
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018136573A Active JP7026016B2 (ja) | 2018-07-20 | 2018-07-20 | 半導体装置および電子制御装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10840898B2 (ja) |
JP (1) | JP7026016B2 (ja) |
CN (1) | CN110739955A (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102434048B1 (ko) * | 2018-07-26 | 2022-08-19 | 현대모비스 주식회사 | 전자식 릴레이 장치 |
JP7265468B2 (ja) * | 2019-12-17 | 2023-04-26 | 株式会社東芝 | 半導体集積回路、及び半導体集積回路の制御方法 |
CN112510652B (zh) * | 2020-07-31 | 2023-02-03 | 佛山市顺德区冠宇达电源有限公司 | 电池充电电路、充电设备和电子设备 |
JP2022047248A (ja) * | 2020-09-11 | 2022-03-24 | 富士電機株式会社 | 集積回路、半導体装置 |
KR20220073008A (ko) * | 2020-11-26 | 2022-06-03 | 삼성전자주식회사 | 정전기 방전 특성의 대칭적 모델링을 위한 전계 효과 트랜지스터의 모델링 회로 및 이를 이용한 집적 회로의 설계 방법 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001224135A (ja) | 2000-02-08 | 2001-08-17 | Nissan Motor Co Ltd | 負荷駆動装置 |
JP2002512498A (ja) | 1998-04-21 | 2002-04-23 | インフィネオン テクノロジース アクチエンゲゼルシャフト | 極性誤り保護回路 |
JP2007082374A (ja) | 2005-09-16 | 2007-03-29 | Denso Corp | 電源逆接続保護回路 |
JP2008283743A (ja) | 2007-05-08 | 2008-11-20 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 二次電池保護装置及び半導体集積回路装置 |
JP2012060763A (ja) | 2010-09-08 | 2012-03-22 | Seiko Instruments Inc | 充放電制御回路及びバッテリ装置 |
JP2017188773A (ja) | 2016-04-05 | 2017-10-12 | 株式会社オートネットワーク技術研究所 | 給電制御装置 |
US20180337550A1 (en) | 2017-05-18 | 2018-11-22 | Ioxus, Inc. | Systems, apparatus, and methods for safe energy storage |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04140068A (ja) * | 1990-09-30 | 1992-05-14 | Toshiba Lighting & Technol Corp | 電源回路 |
DE4215199A1 (de) * | 1991-05-10 | 1992-12-03 | Fuji Electric Co Ltd | Halbleitervorrichtung mit eingebauter treiberstromquelle |
JP3485655B2 (ja) * | 1994-12-14 | 2004-01-13 | 株式会社ルネサステクノロジ | 複合型mosfet |
JPH11251890A (ja) * | 1998-03-03 | 1999-09-17 | Sharp Corp | アナログスイッチ及びそれを用いた情報入力装置 |
JP2003037933A (ja) | 2001-07-24 | 2003-02-07 | Koito Mfg Co Ltd | 電子機器の保護装置 |
JP5217849B2 (ja) * | 2008-09-29 | 2013-06-19 | サンケン電気株式会社 | 電気回路のスイッチング装置 |
JP2014161147A (ja) * | 2013-02-19 | 2014-09-04 | Honda Motor Co Ltd | 電源装置 |
JP5744144B2 (ja) * | 2013-09-26 | 2015-07-01 | 三菱電機株式会社 | 誘導性負荷の給電制御装置 |
-
2018
- 2018-07-20 JP JP2018136573A patent/JP7026016B2/ja active Active
-
2019
- 2019-06-25 US US16/452,205 patent/US10840898B2/en active Active
- 2019-07-11 CN CN201910623313.5A patent/CN110739955A/zh active Pending
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002512498A (ja) | 1998-04-21 | 2002-04-23 | インフィネオン テクノロジース アクチエンゲゼルシャフト | 極性誤り保護回路 |
JP2001224135A (ja) | 2000-02-08 | 2001-08-17 | Nissan Motor Co Ltd | 負荷駆動装置 |
JP2007082374A (ja) | 2005-09-16 | 2007-03-29 | Denso Corp | 電源逆接続保護回路 |
JP2008283743A (ja) | 2007-05-08 | 2008-11-20 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 二次電池保護装置及び半導体集積回路装置 |
JP2012060763A (ja) | 2010-09-08 | 2012-03-22 | Seiko Instruments Inc | 充放電制御回路及びバッテリ装置 |
JP2017188773A (ja) | 2016-04-05 | 2017-10-12 | 株式会社オートネットワーク技術研究所 | 給電制御装置 |
US20180337550A1 (en) | 2017-05-18 | 2018-11-22 | Ioxus, Inc. | Systems, apparatus, and methods for safe energy storage |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2020014356A (ja) | 2020-01-23 |
US20200028503A1 (en) | 2020-01-23 |
CN110739955A (zh) | 2020-01-31 |
US10840898B2 (en) | 2020-11-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP7026016B2 (ja) | 半導体装置および電子制御装置 | |
JP5067786B2 (ja) | 電力用半導体装置 | |
US20060126237A1 (en) | Booster power management integrated circuit chip with ESD protection between output pads thereof | |
US8299841B2 (en) | Semiconductor device | |
EP2071724B1 (en) | Power supply control circuit | |
EP2071726B1 (en) | Load driving device | |
US8547142B2 (en) | Power semiconductor device and operation method thereof | |
JP6603287B2 (ja) | 構成可能なクランプ回路 | |
US20050168264A1 (en) | Integrated circuit | |
US6995599B2 (en) | Cross-conduction blocked power selection comparison/control circuitry with NTC (negative temperature coefficient) trip voltage | |
JP2006229454A (ja) | ゲート駆動回路 | |
JP2010130822A (ja) | 半導体装置 | |
US9503073B2 (en) | Power semiconductor device | |
US20130188287A1 (en) | Protection circuit, charge control circuit, and reverse current prevention method employing charge control circuit | |
US10103539B2 (en) | Semiconductor device and current limiting method | |
EP2073385B1 (en) | Semiconductor output circuit for controlling power supply to a load | |
JP3964833B2 (ja) | インテリジェントパワーデバイス及びその負荷短絡保護方法 | |
WO2011155006A1 (ja) | 電源逆接続保護回路 | |
JP3642113B2 (ja) | nチャネルMOSFETの駆動回路及び電流方向切換回路 | |
JP2004040470A (ja) | 電気負荷駆動装置及び電気負荷駆動回路 | |
JP2007259067A (ja) | 半導体素子駆動回路 | |
JP5226474B2 (ja) | 半導体出力回路 | |
JP2020136288A (ja) | 半導体装置 | |
US12027978B2 (en) | Switching regulator with configurable snubber | |
US8154270B2 (en) | Power-up control for very low-power systems |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20210115 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20211019 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20211020 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20211202 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20220125 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20220214 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7026016 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |