JP7017745B2 - 回路基板、アンテナ素子、及び基板内蔵用ミリ波吸収体 - Google Patents
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Description
図1Aは、本発明のアンテナ素子1の側断面構成を示した概略図である。アンテナ素子1は、回路基板2と無線周波数集積回路(RFIC:Radio Frequency Integrated Circuit)3と受信アンテナ4と送信アンテナ5を有している。本実施形態の場合、回路基板2には、例えば、プリント配線基板などの積層基板2bが基材2a上に設けられており、この積層基板2b上にRF(Radio Frequency)基板2cが設けられている。積層基板2bは、複数の誘電体層2eが積層された構成を有する。
次に、上述したシールドビアVa,Vb,Vcについて説明する。この場合、シールドビアVa,Vb,Vcを構成する電磁波吸収材料としては、30~300GHz帯域内に電磁波吸収量の最大ピークを有する材料であれば、特に限定されないが、特にイプシロン型酸化鉄を用いることが望ましい。シールドビアVa,Vb,Vcは材料の組成に応じて、例えば、30~300GHz帯域内に電磁波吸収量の最大ピークを有することができる。
次に、シールドビアVa,Vb,Vcを構成する電磁波吸収材料として用いられるイプシロン型酸化鉄について以下説明する。なお、ミリ波吸収体及び基板内蔵用ミリ波吸収体としてのシールドビアVa,Vb,Vcは同一構成でなるため、以下、シールドビアVaに着目して説明する。
イプシロン型酸化鉄を含むシールドビアVaは、その比誘電率が、1~150であり、1~100であるのが好ましく、1~90であるのがより好ましい。シールドビアVaの比誘電率を調整する方法は特に限定されない。シールドビアVaの比誘電率の調整方法としては、シールドビアVaを構成する材料に誘電性材料(比誘電率を調整する磁性材料)を含有させ、かつ、誘電性材料の含有量を調整する方法が挙げられる。
シールドビアVaの比透磁率は特に限定されないが、1.0~2.0であるのが好ましい。シールドビアVaの比透磁率を調整する方法は特に限定されない。シールドビアVaの比透磁率の調整方法としては、上述したように、透磁性材料(比透磁率を調整する磁性材料)としてイプシロン型酸化鉄における置換元素A、B、C、D、E及びFの選択やその置換量を調整する方法や、シールドビアVaにおけるイプシロン型酸化鉄の含有量を調整する方法が挙げられる。
イプシロン型酸化鉄などをシールドビアVa中に均一に分散させることを容易にするために、シールドビアVaはポリマーを含んでいてもよい。シールドビアVaがポリマーを含む場合、ポリマーからなるマトリックス中に、イプシロン型酸化鉄などの成分を容易に分散させることができる。
イプシロン型酸化鉄や、比誘電率及び比透磁率を調整するために添加される物質をシールドビアVa中で良好に分散させる目的で、シールドビアVaは分散剤を含んでいてもよい。シールドビアVaを構成する材料に分散剤を配合する方法は特に限定されない。分散剤は、イプシロン型酸化鉄やポリマーとともに均一に混合されてもよい。シールドビアVaを構成する材料がポリマーを含む場合、分散剤はポリマー中に配合されてもよい。また、分散剤により予め処理された、イプシロン型酸化鉄や、比誘電率及び比透磁率を調整するために添加される物質を、シールドビアVaを構成する材料に配合してもよい。
イプシロン型酸化鉄を含むシールドビアVaを構成する材料は、本発明の目的を阻害しない範囲で、上記の成分以外の種々の添加剤を含んでいてもよい。シールドビアVaを構成する材料が含み得る添加剤としては、着色剤、酸化防止剤、紫外線吸収剤、難燃剤、難燃助剤、可塑剤、及び界面活性剤などが挙げられる。これらの添加剤は、本発明の目的を阻害しない範囲で、それらが従来使用される量を勘案して使用される。
シールドビアVaは、切削器具やレーザなどにより回路基板2に形成された貫通孔に、例えば、イプシロン型酸化鉄を含むペーストを流し込み、硬化させることで形成することが好ましい。
図2及び図3は、上述した、図1の実施形態とは異なる他の実施形態を示しており、以下、図2及び図3を用いてシールドビアの配置位置について説明する。なお、図2及び図3では、図1で示した送信用給電線7bに変えて、積層基板2b内に引き回された送信用給電線11と信号ビア13を設けた例を示している。
(4-1)<金属壁付シールドビアの構成>
ここで、上述した実施形態においては、ミリ波吸収体として、図4Aに示すように、30~300GHz帯域内に電磁波吸収量の最大ピークを有する電磁波吸収材料を柱状に形成し、電磁波吸収材料のみで全体を形成したシールドビアV1を適用した場合について説明したが、本発明はこれに限らない。
次に、図3に示した積層基板2bにおいて、上述した金属壁付シールドビアV21を設置する場合、金属壁18bをどのような位置に配置させるかについて、図4Dを用いて以下説明する。ここで、図4Dは、図3に示した積層基板2bに対して、12個の金属壁付シールドビアV21~V32を最適な状態で設けたときの構成を示した概略図である。
次に、図4Bに示すような金属壁付シールドビアV21の製造方法について以下説明する。この場合、図5Aに示すように、図示しない切削器具やレーザなどにより、積層基板2bの厚み方向に貫通孔21を形成した後、図5Bに示すように、当該積層基板2bの表面に金属メッキ処理を行う。これにより、図6Aに示すように、貫通孔21内の内周壁に金属メッキ層22aを形成する。なお、この際、図6Aに示すように、積層基板2bに形成した貫通孔21の内周壁に金属メッキ層22aを膜状に形成して貫通孔23を形成してもよく、また、積層基板2bに形成した貫通孔21を金属メッキ層22aで閉塞させてもよい。
次に、図4Aに示すような水平断面形状を有する本発明のシールドビアV1と、図4Bに示すような水平断面形状を有する本発明の金属壁付シールドビアV21と、図4Cに示すような水平断面形状を有する従来の金属製シールドビア100とについて、それぞれ時間領域差分法(以下、FDTD法:Finite-difference time-domain methodと称する)によるシミュレーション試験を行い、電磁界解析を行った。
以上の構成において、本発明による回路基板2では、複数の誘電体層2eが積層された積層基板2bの内部に、30~300GHz帯域内に電磁波吸収量の最大ピークを有するシールドビアV1~V12を設けるようにした。これにより、回路基板2では、回路基板2の内部に発生した不要電磁波を、単にシールドビアV1~V12で反射させて低減させるだけでなく、シールドビアV1~V12により吸収することができるので、その分、従来よりも回路基板2内のノイズを低減することができる。
なお、本発明は、本実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨の範囲内で種々の変形実施が可能である。例えば、上述した実施形態では、ミリ波吸収体及び基板内蔵用ミリ波吸収体として、円柱状のシールドビア及び金属壁付シールドビアについて説明したが、本発明はこれに限らず、楕円形支柱や四角形柱状、多角形柱状など、種々の支柱状に形成されたシールドビア及び金属壁付シールドビアであってもよい。
(8-1)<金属壁付壁部の構成>
なお、上述した実施形態においては、ミリ波吸収体及び基板内蔵用ミリ波吸収体として、柱状のシールドビアV1~V12や金属壁付シールドビアV21、積層基板2bの面方向に沿って設けた層状のシールド層2b6等を、積層基板2b内に設けた場合について説明したが、本発明はこれに限らず、例えば、図2と同一部分について同一符号を付した図17と、図3と同一部分について同一符号を付した図18Aのように、壁状に形成された金属壁付壁部32を、ミリ波吸収体及び基板内蔵用ミリ波吸収体として積層基板2b内に設けるようにしても良い。
ここで、図19は、構成が異なる比較例1、比較例2及び実施例3について、FDTD法によるシミュレーション試験を行い、電磁界解析を行った解析結果を示す画像である。
(9-1)<対向配置させた金属壁付壁部の構成>
上述した実施形態においては、ミリ波吸収体及び基板内蔵用ミリ波吸収体として、積層基板2b内に1つの金属壁付壁部32を設けた場合について述べたが、本発明はこれに限らず、ミリ波吸収体及び基板内蔵用ミリ波吸収体として、積層基板2b内に2つ以上の金属壁付壁部を設けるようにしてもよい。例えば、図22に示すように、送信ポート43a及び受信ポート43bを設けた積層基板2b内に、対向する2つの金属壁付壁部32a,32bを設けた構成としてもよい。
次に、図22に示したように、対向配置した金属壁付壁部32a,32bや送信ポート43a、受信ポート43b等を定義した擬似構成体を実施例4とし、この実施例4について、FDTD法によるシミュレーション試験を行い、電磁界解析を行った。また、図22に示した実施例4の構成のうち、対向配置した金属壁付壁部32a,32bを除いて、金属製のビアVで囲んだ送信ポート43aと受信ポート43bを定義した擬似構成体を、比較例3として、比較例3についても、FDTD法によるシミュレーション試験を行い、電磁界解析を行った。
上述した実施形態においては、ミリ波吸収体及び基板内蔵用ミリ波吸収体として、直線的に伸びた金属壁付壁部32,32a,32bを積層基板2b内に設けた場合について述べたが、本発明はこれに限らず、図22と同一箇所に同一符号を付した図24Aのように、V字状に屈曲した金属壁付壁部52や、円弧状に曲がった金属壁付壁部55を、ミリ波吸収体及び基板内蔵用ミリ波吸収体として、積層基板2b内に設けるようにしてもよい。また、その他の実施形態としは、円環状や、四辺状、三角形状、波線状、W次状等に形成した金属壁付壁部を適用してもよく、これら異なる形状の金属壁付壁部を組み合わせて積層基板2b内に設けるようにしてもよい。
2 回路基板
2a 基材
2b 積層基板
2e 誘電体層
4 受信アンテナ(アンテナ)
5 送信アンテナ(アンテナ)
7a 受信用給電線(給電線)
7b 送信用給電線(給電線)
Va,Vb,Vc,V1~V12,V35~V41 シールドビア(ミリ波吸収体、基板内蔵用ミリ波吸収体)
V21~V32 金属壁付シールドビア(ミリ波吸収体、基板内蔵用ミリ波吸収体)
2b6 シールド層(ミリ波吸収体、基板内蔵用ミリ波吸収体)
32,32a,32b,52,55,62a,62b 金属壁付壁部(ミリ波吸収体、基板内蔵用ミリ波吸収体)
Claims (12)
- 複数の誘電体層が積層された積層基板と、
前記積層基板の内部に設けられ、30~300GHz帯域内に電磁波吸収量の最大ピークを有するミリ波吸収体と、
を備え、
前記ミリ波吸収体は、前記積層基板の厚み方向に設けられた柱状のシールドビアであり、
前記シールドビアは、30~300GHz帯域内に電磁波吸収量の最大ピークを有する柱状の第1支柱部と、金属材料からなる第2支柱部と、を備え、前記第1支柱部と前記第2支柱部とが交互に積層されて柱状に形成されている、
回路基板。 - 複数の誘電体層が積層された積層基板と、
前記積層基板の内部に設けられ、30~300GHz帯域内に電磁波吸収量の最大ピークを有するミリ波吸収体と、
を備え、
前記ミリ波吸収体は、前記積層基板の厚み方向に設けられた柱状のシールドビアであり、
前記シールドビアは、30~300GHz帯域内に電磁波吸収量の最大ピークを有する半柱状の第1半体部と、金属材料からなる半柱状の第2半体部と、を備え、前記第1半体部と前記第2半体部とが接合されて柱状に形成されている、
回路基板。 - 複数の誘電体層が積層された積層基板と、
前記積層基板の内部に設けられ、30~300GHz帯域内に電磁波吸収量の最大ピークを有するミリ波吸収体と、
を備え、
前記ミリ波吸収体は、前記積層基板の厚み方向に設けられ、30~300GHz帯域内に電磁波吸収量の最大ピークを有する柱状の支柱部と、前記支柱部の1/3周以上2/3周以下の外周壁に形成された金属壁と、を備える、金属壁付シールドビアである、
回路基板。 - 前記金属壁付シールドビアは、電磁波が前記支柱部で反射した反射波と、前記電磁波が前記金属壁で反射して戻ってくる反射波とを干渉させ、インピーダンス整合により相殺させる、
請求項3に記載の回路基板。 - 前記金属壁付シールドビアは、前記支柱部を介在させて前記金属壁の内周壁を給電線に対向させている、
請求項3又は4に記載の回路基板。 - 複数の誘電体層が積層された積層基板と、
前記積層基板の内部に設けられ、30~300GHz帯域内に電磁波吸収量の最大ピークを有するミリ波吸収体と、
を備え、
前記ミリ波吸収体は、前記積層基板の内部において壁状に形成された壁部であり、
前記ミリ波吸収体は、金属壁が前記壁部に設けられた金属壁付壁部であり、電磁波が前記壁部で反射した反射波と、前記電磁波が前記金属壁で反射して戻ってくる反射波とを干渉させ、インピーダンス整合により相殺させる、
回路基板。 - 複数の誘電体層が積層された積層基板と、
前記積層基板の内部に設けられ、30~300GHz帯域内に電磁波吸収量の最大ピークを有するミリ波吸収体と、
を備え、
前記ミリ波吸収体は、前記積層基板の面方向に沿って設けられた層状のシールド層であり、
前記シールド層は、前記複数の誘電体層の互いに隣接する誘電体層の間に設けられている、
回路基板。 - 前記ミリ波吸収体は、比誘電率を調整する磁性材料と、比透磁率を調整する磁性材料とを混合させた混合材料より形成されている、
請求項1~7のいずれか1項に記載の回路基板。 - 前記ミリ波吸収体は、透磁性材料としてイプシロン型酸化鉄を含む、
請求項1~8のいずれか1項に記載の回路基板。 - 請求項1~9のいずれか1項に記載の回路基板と、
前記回路基板の積層基板内に設けられた給電線と、
前記回路基板の表面に設けられ、前記給電線に接続されたアンテナと、
を備える、アンテナ素子。 - 前記回路基板の内部には、前記給電線に沿って複数のミリ波吸収体が設けられている、
請求項10に記載のアンテナ素子。 - 複数の誘電体層が積層された積層基板の内部に設けられ、30~300GHz帯域内に電磁波吸収量の最大ピークを有する基板内蔵用ミリ波吸収体であって、
前記積層基板の厚み方向に設けられ、30~300GHz帯域内に電磁波吸収量の最大ピークを有する柱状の支柱部と、前記支柱部の1/3周以上2/3周以下の外周壁に形成された金属壁と、を備える、金属壁付シールドビアである、
基板内蔵用ミリ波吸収体。
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