TWI605748B - 具有金屬圖案之電磁波吸收材料結構 - Google Patents
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Description
本發明是關於一種具有金屬圖案之電磁波吸收材料結構。
近場通訊(Near Field Communication,NFC),又稱近距離無線通訊,是一種短距離之高頻無線通訊技術,其允許電子設備之間進行非接觸式點對點資料傳輸,在十公分(3.9英吋)內交換資料。近場通訊技術因所需之頻率較低,故其所對應之天線元件通常具有較長之共振路徑。
在行動裝置中,吸收電磁波材料用於近場無線通訊之天線結構實為不可或缺之元件。為了避免NFC天線與行動裝置內之其他電子及金屬元件互相干擾,通常會在天線結構上再貼附一層吸收電磁波材料。鑒於通訊設計微型化之趨勢,必須考量進一步縮小整體天線結構厚度之設計,且需與整體製造流程相容。
本發明提供一種具金屬圖案之電磁波吸收材料結構。其透過雷射處理電磁波吸收材料結構後,再透過化學鍍製程在電磁波吸收材料結構之局部形成金屬圖案。
本發明提供一種具有金屬圖案之電磁波吸收材料結構。所述電磁波吸收材料結構具有電磁波吸收材料層與至少一絕緣包覆層位於所述電磁波吸收材料層的表面上,且所述電磁波吸收材料結構具有至少一預定區域。所述預定區域內的所述絕緣包覆層沒有覆蓋住所述電磁波吸收材料層的表面。所述金屬圖案乃位於所述電磁波吸收材料結構之所述預定區域內,且直接位於所述預定區域內的所述電磁波吸收材料層表面上。
本發明提供一種具有金屬圖案之電磁波吸收材料結構。所述電磁波吸收材料結構具有電磁波吸收材料層與至少一絕緣包覆層位於所述電磁波吸收材料層的表面上,且所述電磁波吸收材料結構具有至少一預定區域。所述預定區域內的所述電磁波吸收材料層表面具有活化層。而金屬圖案乃直接位於所述預定區域內的所述電磁波吸收材料層表面的所述活化層上。
依照本發明實施例,所述電磁波吸收材料層的材料可為錳-鋅鐵氧磁體材料或鎳-鋅鐵氧磁體材料。
依照本發明實施例,所述預定區域內的所述電磁波吸收材料層表面經過雷射處理,而活化所述電磁波吸收材料層表面形成所述活化層。而所述金屬圖案是以所述活化層為種層透過化學
鍍製程所形成。
依照本發明實施例,先利用雷射處理將所述電磁波吸收材料層欲形成圖案區域活化,確保化學鍍製程中金屬圖案形成在預定位置,避免因非預期金屬層之形成造成功能或外觀上的不良影響,故製得金屬圖案圖案精確度良好。而電磁波吸收層表面之雷射未處理區域不會上鍍,避免浪費化學鍍液而進一步節省生產成本。本案無須利用習知印刷方式來形成金屬圖案,圖案精確度高且生產成本較低。
為讓本發明能更明顯易懂,下文特舉實施例,並配合所附圖式作詳細說明如下。
20‧‧‧雷射處理
100、200‧‧‧電磁波吸收材料結構
102‧‧‧電磁波吸收材料層
102a‧‧‧表面
104‧‧‧絕緣包覆層
104a‧‧‧表面
106‧‧‧孔洞
108‧‧‧活化層
120、121A、121B‧‧‧金屬圖案
122‧‧‧有機保護層
123、124‧‧‧金屬層
210‧‧‧金屬圖案
220‧‧‧金屬天線結構
A、B‧‧‧預定區域
圖1A-1E為依照本發明一實施例於電磁波吸收材料結構上形成金屬圖案的製作步驟剖面示意圖。
圖2是依照本發明實施例形成於電磁波吸收材料結構的金屬圖案的俯視示意圖。
本發明提供直接形成於電磁波吸收材料上的金屬圖案與其製造方法。透過雷射處理,將電磁波吸收材料之預定區域的表面活化,並可同時移除電磁波吸收材料上的包覆層,而後經化學
鍍製程於電磁波吸收材料的表面上形成一金屬圖案。雷射處理可以直接在電磁波吸收材料的表面上活化預定區域(預定圖案),並同時可穿透電磁波吸收材料之特定區域形成貫孔;而未經雷射處理之區域在後續化學鍍製程中不會形成金屬層。因此,透過此製造方式,在電磁波吸收材料表面上之預定區域以化學鍍形成出具有精準圖案(邊界分明)的局部金屬圖案。
此處電磁波吸收材料可以是高磁導率(permeability)材料,一般而言,於特定的頻率範圍可有效吸收電磁輻射及避免磁場干擾,能夠解決電子裝置產生的電磁干擾或射頻干擾。電磁波吸收材料例如為鐵氧磁體材料,鐵氧磁體材料之主要成分為氧化鐵,包括錳-鋅(Mn-Zn)鐵氧磁體(Manganese-zinc ferrite)材料或鎳-鋅(Ni-Zn)鐵氧磁體(Nickel-zinc ferrite)材料或其他鐵氧磁體材料製成。鎳-鋅鐵氧磁體材料較適合作為大於1MHz頻率之電磁波吸收材料。
圖1A-1E為依照本發明一實施例於電磁波吸收材料結構上形成金屬圖案的製作步驟剖面示意圖。
首先,請參照圖1A,提供一電磁波吸收材料結構100,其具有一電磁波吸收材料層102與至少一絕緣包覆層104包覆住電磁波吸收材料層102的表面102a。絕緣包覆層104可為例如熱塑性材料層與黏膠層所組成的疊層,熱塑性材料層的材料例如是聚對苯二甲酸乙二酯(Polyethylene Terephthalate,PET)而透過黏膠層黏附至電磁波吸收材料層,而PET/黏膠層疊層的厚度約為
5~10微米。電磁波吸收材料層102的材料例如為錳-鋅鐵氧磁體材料或鎳-鋅鐵氧磁體材料。電磁波吸收材料層102的厚度例如為0.045~0.3毫米之間。
接著參照圖1B,進行雷射處理20,對於絕緣包覆層104的表面104a之預定區域A與B進行處理,將預定區域A內的絕緣包覆層104去除而露出其下電磁波吸收材料層102的表面102a,並且將預定區域B內的絕緣包覆層104去除且貫穿電磁波吸收材料層102而形成孔洞106。
參見圖1B,前述雷射處理過程中,此實施例中以鎳-鋅鐵氧磁體材料(Nickel-zinc ferrite)作為電磁波吸收材料的例子,因雷射處理過程中,雷射會將處理區域(亦即預定區域A & B)內露出的電磁波吸收材料層102的表面102a活化,而形成活化層108於預定區域A & B內的電磁波吸收材料層102的表面102a上。其活化機制是因為雷射會引發還原反應,而將鎳-鋅鐵氧磁體材料中所含氧化鐵還原成鐵,該些還原的鐵構成活化層,而作為後續化學鍍製程的種層。此活化層相當薄,而處理區域(亦即預定區域A & B)之位置乃對應於後續所欲形成導電圖案之位置。因雷射處理之精確度相當高,所以可精確地控制後續圖案的位置及形狀。
因此,雷射處理過程可確保預定區域內電磁波吸收材料表面102a形成活化層108,可作為後續化學鍍製程的種層。活化層108之位置乃對應於後續所欲形成導電圖案之位置,在後續化學鍍製程中可以於預定位置形成精確的金屬圖案。所謂預定區域A
可以是電磁波吸收材料結構100之天線設置區域,而預定區域B可以是電磁波吸收材料結構100之接點設置區域。雷射處理中所使用的雷射例如為功率8~10W、頻率40~75kHz且波長1064奈米的紅外線(IR)雷射。
至此,活化層108已經形成於預定區域A & B內的電磁波吸收材料層102的表面102a上,而沒有被雷射處理的區域的部份仍被絕緣包覆層104所覆蓋而隔離表面102a與外在環境,因此,在後續要進行化學鍍處理的程序中,電磁波吸收材料結構100表面的其它位置(亦即非預定區域),由於受到絕緣包覆層104的隔離,故不會與化學鍍液產生反應。
在雷射處理20後,將電磁波吸收材料結構100浸於化學鍍液中以進行一系列化學鍍製程。
參見圖1C,對於電磁波吸收材料結構100進行第一化學鍍製程,因電磁波吸收材料結構100之預定區域A & B已進行雷射處理處形成有活化層108,化學鍍製程中會透過活化層108,在電磁波吸收材料結構100之預定區域A & B內的活化層108上分別形成金屬圖案120與金屬圖案121A與121B。以此實施例而言,此第一化學鍍製程是以活化層108充當化學鍍的晶種圖案,所以金屬圖案120準確地形成於預定區域A之活化層108的分佈區域上。同樣地,金屬圖案121A與121B準確地形成於預定區域B之活化層108的分佈區域(包括部份電磁波吸收材料層102的表面102a以及孔洞106的表面)。事實上,金屬圖案121A應為完全覆
蓋孔洞106內側壁的貫孔導電結構(through-hole conductive structure),而金屬圖案121B為接觸墊。以此第一化學鍍製程為化學鍍銅製程為例,所形成的金屬圖案120例如為具有不超過40微米的厚度銅圖案但其表面略高於絕緣包覆層表面104a,而金屬圖案121A為完全覆蓋孔壁的銅質貫孔導電結構,金屬圖案121B為銅接觸墊。本實施例的金屬圖案120可由連續圖案或不連續圖案構成,金屬圖案120例如是金屬天線結構。被絕緣包覆層104覆蓋起來的部份(預定區域A與B以外的區域),未發生化學鍍反應。因為活化層108很薄,可輕易在化學鍍製程期間併入至金屬圖案120或121A/121B中。
事實上,因金屬圖案120表面略高於絕緣包覆層表面104a,也可視為金屬圖案120部份鑲嵌於電磁波吸收材料結構100中。因此,本發明將金屬圖案直接嵌固於電磁波吸收材料結構100上,能夠進一步減少包含電磁波吸收材料及金屬圖案或金屬天線之整體結構總厚度,而利於後續應用至行動通訊電子裝置如手機、平板電腦或無線高頻通訊器材等。
藉由使用雷射,所獲得的金屬圖案可具有極精確的圖案輪廓。且由於雷射掃瞄可因應於電磁波吸收材料的外型或結構,所以金屬圖案可準確地形成於平坦表面上或非平坦物件上方。
繼續參見圖1D-1E,在電磁波吸收材料結構100上形成有機保護層122,有機保護層122覆蓋預定區域A內所形成的金屬圖案120,但露出預定區域B內所形成金屬圖案121A與121B。
之後,分別進行第二化學鍍製程與第三化學鍍製程,在電磁波吸收材料結構100之預定區域B內所形成的金屬圖案121A與121B上依序形成金屬層123與金屬層124。以此第一化學鍍製程為化學鍍銅製程為例,第二化學製程與第三化學鍍製程分別為化學鍍鎳製程與化學鍍金製程,而所形成的金屬層123例如為鎳金屬層;所形成的金屬層124例如為金金屬層。其中第二及第三化學鍍製程亦可以電鍍製程取代。
本實施例的金屬圖案例如是包括單層導電層的天線圖案與具多層導電層的接觸墊。先於電磁波吸收材料上形成具有良好導電性的銅(層)圖案,接著,於銅層圖案上分別形成有機保護層或鎳層及金層以減少銅層的氧化。金屬圖案可作為天線、接點或其他金屬構件,而其材料包括銅、鎳、金、銀或上述之任意組合。
此實施例中,電磁波吸收材料層102之預定區域A內所形成的金屬圖案120/有機保護層122構成的疊層結構至少包括一金屬天線結構(亦即金屬圖案120),而其下的電磁波吸收材料結構100能夠有效吸收電磁輻射及磁場干擾,能夠解決其它電子裝置對於天線結構所產生的電磁干擾或射頻干擾。
圖2是依照本發明實施例形成於電磁波吸收材料結構的金屬圖案的俯視示意圖。圖2僅顯示形成於電磁波吸收材料結構200的金屬圖案210之一部分,主要是顯示金屬圖案210所包含之金屬天線結構220。圖2所示金屬天線結構220(圖案)是環形天
線的設計,此環形天線例如可採用約4公分乘5公分的長方環型設計,或其他適當的尺寸,當然亦可設計為圓環形或其它幾何形狀與其組合。此實施例中金屬天線結構220可以是磁感應天線,或是近場通訊(Near-Field Communications,NFC)天線。磁感應天線大小及形狀的設計需考量磁通量的大小,可視其設計而調整形狀與大小。當然為了避免金屬天線結構效能受到干擾,此實施例中,電磁波吸收材料結構200的尺寸設計為大於金屬天線結構220的尺寸。金屬天線結構220的總厚度可小於約500微米;較薄的金屬天線結構適用於可撓基板,能被添加至行動裝置周邊設備。此實施例中,金屬天線結構的厚度可為100~500微米。
電磁波吸收材料結構200類似於前述實施例所述電磁波吸收材料結構100(參見圖1A),其至少具有一電磁波吸收材料層與至少一絕緣包覆層包覆住電磁波吸收材料層的表面。此處,參見前述實施例可以理解,金屬圖案210(亦包括與金屬天線結構220)乃是直接形成於電磁波吸收材料結構200上,事實上,金屬圖案210與金屬天線結構220甚至部份鑲嵌於電磁波吸收材料結構200中。相較於傳統製程中將可撓性印刷電路的一部分做為天線而印刷於基板上之設計,本發明將金屬天線圖案直接嵌固於電磁波吸收材料結構200上,更進一步減少了包含電磁波吸收材料及金屬圖案或金屬天線之整體結構總厚度。
在前述實施例中,可透過化學鍍(electroless plating)於電磁波吸收材料上形成金屬圖案,而金屬圖案例如是包括單層銅
圖案的天線。但金屬圖案也可以是包括多層導電層圖案。金屬圖案可作為天線、接點或其他金屬構件,而其材料包括銅、鎳、金、銀或上述之任意組合。
詳言之,由於金屬天線結構220的材質為金屬,藉由在金屬天線結構220之下配置能有效吸收電磁輻射的電磁波吸收材料,能夠降低其它金屬元件或其它電子裝置對於金屬天線結構220所產生之電磁干擾或射頻干擾,以免影響天線效能。
本發明所提供的形成於電磁波吸收材料結構的金屬圖案適用於通訊產業常見薄型天線的設計。
前述實施例中形成於電磁波吸收材料上的金屬圖案結構,可再透過其它固著手段進一步附著至可攜帶裝置例如手機之機殼或電路板等。
具體而言,將電磁波吸收材料浸至化學鍍液中進行化學鍍以形成金屬圖案,由於先利用雷射處理將欲形成圖案區域活化,確保化學鍍製程中金屬圖案形成在預定位置,確保金屬圖案圖案精確度良好。而電磁波吸收材料之雷射未處理區域不會上鍍。因此,不會浪費化學鍍液的用量,可以進一步節省成本,並避免因非預期金屬層之形成造成功能或外觀上的不良影響。此外,本案無須利用如網版印刷或移印、轉印等方式來形成金屬圖案,沒有光罩、顯影劑、油墨等花費而相對降低生產成本。
雖然本發明已以實施例揭露如上,然其並非用以限定本發明,任何所屬技術領域中具有通常知識者,在不脫離本發明的
精神和範圍內,當可作些許的更動與潤飾,故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。
200‧‧‧電磁波吸收材料結構
210‧‧‧金屬圖案
220‧‧‧金屬天線結構
Claims (13)
- 一種具有金屬圖案之電磁波吸收材料結構,所述電磁波吸收材料結構包括:電磁波吸收材料層,設置於所述電磁波吸收材料結構內;至少一絕緣包覆層,覆蓋所述電磁波吸收材料層的表面上,所述電磁波吸收材料結構具有至少一預定區域,所述預定區域內的所述絕緣包覆層沒有覆蓋住所述電磁波吸收材料層的表面;以及金屬圖案,位於所述電磁波吸收材料結構之所述預定區域內且直接位於所述預定區域內的所述電磁波吸收材料層的所述表面上,其中所述金屬圖案包括接觸墊或金屬貫孔。
- 如申請專利範圍第1項所述的具有金屬圖案之電磁波吸收材料結構,其中所述絕緣包覆層為聚對苯二甲酸乙二酯層與黏膠層所組成的疊層。
- 如申請專利範圍第1項所述的具有金屬圖案之電磁波吸收材料結構,其中所述電磁波吸收材料層的材料為錳-鋅鐵氧磁體材料或鎳-鋅鐵氧磁體材料。
- 如申請專利範圍第3項所述的具有金屬圖案之電磁波吸收材料結構,其中所述金屬圖案包括天線結構。
- 如申請專利範圍第4項所述的具有金屬圖案之電磁波吸收材料結構,其中所述天線結構的材料包括銅、鎳、金、銀或上述 之任意組合。
- 如申請專利範圍第1項所述的具有金屬圖案之電磁波吸收材料結構,其中所述接觸墊為具有鎳與金層覆蓋的銅墊。
- 一種具有金屬圖案之電磁波吸收材料結構,所述電磁波吸收材料結構包括:電磁波吸收材料層,設置於所述電磁波吸收材料結構內;至少一絕緣包覆層,覆蓋所述電磁波吸收材料層的表面上,所述電磁波吸收材料結構具有至少一預定區域,所述預定區域內的所述電磁波吸收材料層的表面具有活化層;金屬圖案,直接位於所述預定區域內的所述電磁波吸收材料層的所述表面的所述活化層上;以及有機保護層,覆蓋所述至少一絕緣包覆層與所述金屬圖案。
- 如申請專利範圍第7項所述的具有金屬圖案之電磁波吸收材料結構,其中所述電磁波吸收材料層的材料為錳-鋅鐵氧磁體材料或鎳-鋅鐵氧磁體材料。
- 如申請專利範圍第8項所述的具有金屬圖案之電磁波吸收材料結構,其中所述預定區域內的所述電磁波吸收材料層表面經過雷射處理,而活化所述電磁波吸收材料層表面形成所述活化層。
- 如申請專利範圍第9項所述的具有金屬圖案之電磁波吸收材料結構,其中所述金屬圖案是以所述活化層為種層透過化學鍍製程所形成。
- 如申請專利範圍第10項所述的具有金屬圖案之電磁波吸 收材料結構,其中所述金屬圖案包括天線結構,所述天線結構的材料包括銅、鎳、金、銀或上述之任意組合。
- 如申請專利範圍第10項所述的具有金屬圖案之電磁波吸收材料結構,其中所述金屬圖案包括接觸墊或金屬貫孔。
- 如申請專利範圍第12項所述的具有金屬圖案之電磁波吸收材料結構,其中所述接觸墊為具有鎳與金層覆蓋的銅墊。
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