JP7016998B1

JP7016998B1 - めっき装置

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Publication number: JP7016998B1
Application number: JP2021575491A
Authority: JP
Inventors: 正輝富田
Original assignee: Ebara Corp
Current assignee: Ebara Corp
Priority date: 2021-11-09
Filing date: 2021-11-09
Publication date: 2022-02-07
Anticipated expiration: 2041-11-09
Also published as: WO2023084584A1; CN116419990A; KR102466975B1; US20240183056A1; JPWO2023084584A1

Abstract

基板がバックプレートアッシーに張り付くのを抑制する。めっき装置は、めっき液を収容するように構成されためっき槽と、被めっき面Ｗｆ－ａを下方に向けた基板Ｗｆを保持するように構成された基板ホルダと、基板ホルダを昇降させるように構成された昇降機構と、を含む。基板ホルダは、基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆ－ａの外周部を支持するように構成された支持機構４６０と、基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆ－ａの裏面側に配置され、支持機構４６０とともに基板Ｗｆを挟持するように構成されたバックプレートアッシー４７０と、基板Ｗｆをバックプレートアッシー４７０から剥離させる力を基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆ－ａの裏面に付与するように構成された剥離機構４７１と、を含む。

Description

本願は、めっき装置に関する。

めっき装置の一例としてカップ式の電解めっき装置が知られている。カップ式の電解めっき装置は、被めっき面を下方に向けて基板ホルダに保持された基板（例えば半導体ウェハ）をめっき液に浸漬させ、基板とアノードとの間に電圧を印加することによって、基板の表面に導電膜を析出させる。

例えば特許文献１には、基板の被めっき面の外周部を支持するリング状の支持部材と、基板の被めっき面の裏面側に配置されたバックプレートアッシーと、を備えた基板ホルダが開示されている。この基板ホルダは、支持部材に支持された基板の被めっき面の裏面に対してバックプレートアッシーを押圧することによって、支持部材とバックプレートアッシーで基板を挟持するように構成されている。

特許６８９９０４０号公報

従来技術の基板ホルダは、基板がバックプレートアッシーに張り付くのを抑制するという点で改善の余地がある。

すなわち、従来技術では、めっき前処理などにより基板の表裏面がウェット状態のまま基板ホルダに基板を設置すると、基板とバックプレートアッシーとの間で表面張力によるスティッキング（張り付き）が発生する場合がある。この場合、めっき処理が終了した後、バックプレートアッシーを上昇させたときに基板がバックプレートアッシーに張り付いたまま上昇し、その結果基板の搬送不良が発生するおそれがある。

そこで、本願は、基板がバックプレートアッシーに張り付くのを抑制することを１つの目的としている。

一実施形態によれば、めっき液を収容するように構成されためっき槽と、被めっき面を下方に向けた基板を保持するように構成された基板ホルダと、前記基板ホルダを昇降させるように構成された昇降機構と、を含み、前記基板ホルダは、前記基板の被めっき面の外周部を支持するように構成された支持機構と、前記基板の被めっき面の裏面側に配置され、前記支持機構とともに前記基板を挟持するように構成されたバックプレートアッシーと、前記基板を前記バックプレートアッシーから剥離させる力を前記基板の被めっき面の裏面に付与するように構成された剥離機構と、を含む、めっき装置が開示される。

図１は、本実施形態のめっき装置の全体構成を示す斜視図である。図２は、本実施形態のめっき装置の全体構成を示す平面図である。図３は、本実施形態のめっきモジュールの構成を概略的に示す縦断面図である。図４は、本実施形態の基板ホルダの構成を概略的に示す斜視図である。図５は、本実施形態の基板ホルダの一部を拡大して概略的に示す斜視図である。図６は、本実施形態の基板ホルダの一部を拡大して概略的に示す斜視図である。図７は、本実施形態の基板ホルダを概略的に示す平面図である。図８は、変形例の基板ホルダの一部を拡大して概略的に示す斜視図である。図９は、変形例の基板ホルダの一部を拡大して概略的に示す斜視図である。

以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。以下で説明する図面において、同一または相当する構成要素には、同一の符号を付して重複した説明を省略する。

＜めっき装置の全体構成＞
図１は、本実施形態のめっき装置の全体構成を示す斜視図である。図２は、本実施形態のめっき装置の全体構成を示す平面図である。図１、２に示すように、めっき装置１０００は、ロードポート１００、搬送ロボット１１０、アライナ１２０、プリウェットモジュール２００、プリソークモジュール３００、めっきモジュール４００、洗浄モジュール５００、スピンリンスドライヤ６００、搬送装置７００、および、制御モジュール８００を備える。

ロードポート１００は、めっき装置１０００に図示していないFOUPなどのカセットに収納された基板を搬入したり、めっき装置１０００からカセットに基板を搬出するためのモジュールである。本実施形態では４台のロードポート１００が水平方向に並べて配置されているが、ロードポート１００の数および配置は任意である。搬送ロボット１１０は、基板を搬送するためのロボットであり、ロードポート１００、アライナ１２０、プリウェットモジュール２００およびスピンリンスドライヤ６０の間で基板を受け渡すように構成される。搬送ロボット１１０および搬送装置７００は、搬送ロボット１１０と搬送装置７００との間で基板を受け渡す際には、図示していない仮置き台を介して基板の受け渡しを行うことができる。

アライナ１２０は、基板のオリエンテーションフラットやノッチなどの位置を所定の方向に合わせるためのモジュールである。本実施形態では２台のアライナ１２０が水平方向に並べて配置されているが、アライナ１２０の数および配置は任意である。プリウェットモジュール２００は、めっき処理前の基板の被めっき面を純水または脱気水などの処理液で濡らすことで、基板表面に形成されたパターン内部の空気を処理液に置換する。プリウェットモジュール２００は、めっき時にパターン内部の処理液をめっき液に置換することでパターン内部にめっき液を供給しやすくするプリウェット処理を施すように構成される。本実施形態では２台のプリウェットモジュール２００が上下方向に並べて配置されているが、プリウェットモジュール２００の数および配置は任意である。

プリソークモジュール３００は、例えばめっき処理前の基板の被めっき面に形成したシード層表面等に存在する電気抵抗の大きい酸化膜を硫酸や塩酸などの処理液でエッチング除去してめっき下地表面を洗浄または活性化するプリソーク処理を施すように構成される。本実施形態では２台のプリソークモジュール３００が上下方向に並べて配置されているが、プリソークモジュール３００の数および配置は任意である。めっきモジュール４００は、基板にめっき処理を施す。本実施形態では、上下方向に３台かつ水平方向に４台並べて配置された１２台のめっきモジュール４００のセットが２つあり、合計２４台のめっきモジュール４００が設けられているが、めっきモジュール４００の数および配置は任意である。

洗浄モジュール５００は、めっき処理後の基板に残るめっき液等を除去するために基板に洗浄処理を施すように構成される。本実施形態では２台の洗浄モジュール５００が上下方向に並べて配置されているが、洗浄モジュール５００の数および配置は任意である。スピンリンスドライヤ６００は、洗浄処理後の基板を高速回転させて乾燥させるためのモジュールである。本実施形態では２台のスピンリンスドライヤが上下方向に並べて配置されているが、スピンリンスドライヤの数および配置は任意である。搬送装置７００は、めっき装置１０００内の複数のモジュール間で基板を搬送するための装置である。制御モジュール８００は、めっき装置１０００の複数のモジュールを制御するように構成され、例えばオペレータとの間の入出力インターフェースを備える一般的なコンピュータまたは専用コンピュータから構成することができる。

めっき装置１０００による一連のめっき処理の一例を説明する。まず、ロードポート１００にカセットに収納された基板が搬入される。続いて、搬送ロボット１１０は、ロードポート１００のカセットから基板を取り出し、アライナ１２０に基板を搬送する。アライナ１２０は、基板のオリエンテーションフラットやノッチなどの位置を所定の方向に合わせる。搬送ロボット１１０は、アライナ１２０で方向を合わせた基板をプリウェットモジュール２００へ受け渡す。

プリウェットモジュール２００は、基板にプリウェット処理を施す。搬送装置７００は、プリウェット処理が施された基板をプリソークモジュール３００へ搬送する。プリソークモジュール３００は、基板にプリソーク処理を施す。搬送装置７００は、プリソーク処理が施された基板をめっきモジュール４００へ搬送する。めっきモジュール４００は、基板にめっき処理を施す。

搬送装置７００は、めっき処理が施された基板を洗浄モジュール５００へ搬送する。洗浄モジュール５００は、基板に洗浄処理を施す。搬送装置７００は、洗浄処理が施された基板をスピンリンスドライヤ６００へ搬送する。スピンリンスドライヤ６００は、基板に乾燥処理を施す。搬送ロボット１１０は、スピンリンスドライヤ６００から基板を受け取り、乾燥処理を施した基板をロードポート１００のカセットへ搬送する。最後に、ロードポート１００から基板を収納したカセットが搬出される。

＜めっきモジュールの構成＞
次に、めっきモジュール４００の構成を説明する。本実施形態における２４台のめっきモジュール４００は同一の構成であるので、１台のめっきモジュール４００のみを説明する。図３は、第１実施形態のめっきモジュール４００の構成を概略的に示す縦断面図である。図３に示すように、めっきモジュール４００は、めっき液を収容するためのめっき槽４１０を備える。めっきモジュール４００は、めっき槽４１０の内部を上下方向に隔てるメンブレン４２０を備える。めっき槽４１０の内部はメンブレン４２０によってカソード領域４２２とアノード領域４２４に仕切られる。カソード領域４２２とアノード領域４２４にはそれぞれめっき液が充填される。アノード領域４２４のめっき槽４１０の底面にはアノード４３０が設けられる。カソード領域４２２にはメンブレン４２０に対向して抵抗体４５０が配置される。抵抗体４５０は、基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆ－ａにおけるめっき処理の均一化を図るための部材であり、多数の孔が形成された板状部材によって構成される。

また、めっきモジュール４００は、被めっき面Ｗｆ－ａを下方に向けた状態で基板Ｗｆを保持するための基板ホルダ４４０を備える。基板ホルダ４４０は、図示していない電源から基板Ｗｆに給電するための給電接点を備える。めっきモジュール４００は、基板ホルダ４４０を昇降させるための昇降機構４４２を備える。昇降機構４４２は、例えばモータなどの公知の機構によって実現することができる。めっきモジュール４００は、昇降機構４４２を用いて基板Ｗｆをカソード領域４２２のめっき液に浸漬し、アノード４３０と基板Ｗｆとの間に電圧を印加することによって、基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆ－ａにめっき処理を施すように構成される。

また、めっきモジュール４００は、被めっき面Ｗｆ－ａの中央を垂直に伸びる仮想的な回転軸周りに基板Ｗｆが回転するように基板ホルダ４４０を回転させるための回転機構４４６を備える。回転機構４４６は、例えばモータなどの公知の機構によって実現することができる。

＜基板ホルダの構成＞
次に、本実施形態の基板ホルダ４４０の詳細を説明する。図４は、本実施形態の基板ホルダの構成を概略的に示す斜視図である。図５は、本実施形態の基板ホルダの一部を拡大して概略的に示す斜視図である。

図４および図５に示すように、基板ホルダ４４０は、基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆ－ａの外周部を支持するための支持機構４６０と、基板Ｗｆを保持するためのバックプレートアッシー４７０と、バックプレートアッシー４７０から鉛直に上に伸びる回転シャフト４４８と、を備える。

バックプレートアッシー４７０は、支持機構４６０とともに基板Ｗｆを挟持するための円板状のフローティングプレート４７２を備える。フローティングプレート４７２は、基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆ－ａの裏面側に配置される。また、バックプレートアッシー４７０は、フローティングプレート４７２を基板Ｗｆの裏面から離れる方向に付勢するためのフローティング機構４９０と、フローティング機構４９０による付勢力に抗してフローティングプレート４７２を基板Ｗｆの裏面に押圧するための押圧機構４８０と、を備える。

押圧機構４８０は、フローティングプレート４７２の上方に配置された円板状のバックプレート４７４と、バックプレート４７４の内部に形成された流路４７６と、を含む。流路４７６は、バックプレート４７４の中央部から外周部へ向けて放射状に伸びる第１の流路４７６－１と、第１の流路４７６－１からバックプレート４７４の下面に開口するように上下方向に伸びる第２の流路４７６－２と、を含む。押圧機構４８０は、第２の流路４７６－２に配置されたダイヤフラム４８４を備える。ダイヤフラム４８４は薄膜状の部材である。ダイヤフラム４８４の外周部は固定部材４８３によってバックプレート４７４の下面に固定されている。押圧機構４８０は、ダイヤフラム４８４とフローティングプレート４７２との間に配置された、押圧部材の一態様としてのロッド４８２を備える。ロッド４８２の下面はボルト４８１によってフローティングプレート４７２に固定されており、ロッド４８２の上面はダイヤフラム４８４の下面と接している。ロッド４８２の上部にはダイヤフラム４８４を挟んでキャップ４８５が被せられている。ダイヤフラム４８４の中央部はキャップ４８５とロッド４８２によって挟まれている。ダイヤフラム４８４、ロッド４８２、およびキャップ４８５は、バックプレートアッシー４７０の周方向に沿って複数設けられている。なお、本実施形態ではフローティングプレート４７２とは別部材のロッド４８２がフローティングプレート４７２の上面に固定される例を示したが、これに限らず、例えばフローティングプレート４７２の上面に周方向に沿って突起が形成されていてもよい。この場合、突起がロッド４８２と同様の押圧部材としての機能を有することになる。

押圧機構４８０は、ダイヤフラム４８４に流体を供給するための流体源４８８を備える。流体は、空気などの気体であってもよし、水などの液体であてもよい。回転シャフト４４８には、鉛直方向に沿って伸びる流路４４９が形成されており、流体源４８８は流路４４９の上端に接続されている。流路４４９の下端は、バックプレート４７４に形成された第１の流路４７６－１に接続されている。第１の流路４７６－１は、バックプレート４７４の中央から放射状に伸びており、第２の流路４７６－２を介してキャップ４８５の上面に連通している。流体源４８８は、流路４４９および流路４７６を介してダイヤフラム４８４に流体を供給する。すると、キャップ４８５およびロッド４８２が下方へ押圧され、これによりフローティングプレート４７２が下方へ押圧される。

支持機構４６０は、基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆ－ａの外周部を支持するための環状の支持部材４６２を含む。支持部材４６２は、バックプレートアッシー４７０の下面の外周部に付き出すフランジ４６２ａを有する。フランジ４６２ａの上には環状のシール部材４６４が配置される。シール部材４６４は弾性を有する部材である。支持部材４６２は、シール部材４６４を介して基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆ－ａの外周部を支持する。シール部材４６４とフローティングプレート４７２とで基板Ｗｆを挟持することにより、支持部材４６２と基板Ｗｆとの間がシールされる。シール部材４６４は弾性を有するので、押圧機構４８０による基板Ｗｆの押圧力に応じて潰れて厚みαが変化する。

支持機構４６０は、支持部材４６２に保持された環状のクランパ４６６を備える。クランパ４６６は、基板ホルダ４４０に基板Ｗｆを設置／取り出しするときにバックプレートアッシー４７０を支持機構４６０に対して昇降させることができる。また、クランパ４６６は、流体源４８８からダイヤフラム４８４に流体が供給されたときにバックプレート４７４が上方向（基板Ｗｆの裏面から離れる方向）へ移動するのを規制することができる。以下この点について説明する。

バックプレートアッシー４７０は、バックプレート４７４の上面の外周部に環状に設けられたスライドリング４７８を備える。スライドリング４７８は、バックプレート４７４とは独立して周方向に移動可能になっている。バックプレートアッシー４７０は、スライドリング４７８からクランパ４６６の方に突出するスライドプレート４７９を備える。

一方、クランパ４６６は、スライドリング４７８と対向する面にかぎ状の切り欠き４６６ｄが形成されている。かぎ状の切り欠き４６６ｄは、スライドプレート４７９が昇降することができるように上下方向に伸びる第１の溝４６６ａと、第１の溝４６６ａと連通してクランパ４６６の周方向に沿って伸びる第２の溝４６６ｂと、を有する。第２の溝４６６ｂの上面には、流体源４８８からダイヤフラム４８４に流体が供給されたときにバックプレート４７４の上方向の移動に伴って移動するスライドプレート４７９の上面と当接する当接面４６６ｃが形成される。スライドプレート４７９および切り欠き４６６ｄは、基板ホルダ４４０の周方向に沿って複数設けられている。

基板ホルダ４４０に対して基板Ｗｆを設置するときには、バックプレートアッシー４７０は支持機構４６０より上方に位置している。この状態で支持機構４６０に対して基板Ｗｆが置かれたら、スライドプレート４７９の周方向の位置を第１の溝４６６ａと合わせることにより、バックプレートアッシー４７０を支持機構４６０に対して降下させることができる。バックプレートアッシー４７０を降下させた後、スライドリング４７８を周方向に回転させることによってスライドプレート４７９を第２の溝４６６ｂに嵌める。これにより、スライドプレート４７９と当接面４６６ｃが対向するようになるので、バックプレートアッシー４７０の上方向への移動が規制される。

フローティング機構４９０は、フローティングプレート４７２からバックプレート４７４の貫通穴４７４ａを介して上方に伸びるシャフト４９２を備える。シャフト４９２の下端はフローティングプレート４７２に固定されている。フローティング機構４９０は、シャフト４９２のバックプレート４７４より上部に取りつけられたフランジ４９５を備える。フランジ４９５は、ボルト４９３によってシャフト４９２の上端に取り付けられている。フローティング機構４９０は、貫通穴４７４ａに設けられたガイド４９４を備える。ガイド４９４は、シャフト４９２の外径よりも僅かに大きな穴を有し、貫通穴４７４ａの上端に取り付けられている。ガイド４９４は、シャフト４９２の昇降方向の移動を案内するように構成される。ガイド４９４を設けることによって、フローティングプレート４７２とバックプレート４７４の径方向の位置ずれが発生するのを抑制することができる。

フローティング機構４９０は、ガイド４９４の上面およびフランジ４９５の下面に取り付けられた圧縮ばね４９６を備える。圧縮ばね４９６は、バックプレート４７４の上面とフランジ４９５の下面との間に設けられてもよい。圧縮ばね４９６はフランジ４９５を上方へ持ち上げる付勢力を有するので、シャフト４９２を介してフローティングプレート４７２は基板Ｗｆの裏面から離れる方向へ付勢させる。

押圧機構４８０は、流体源４８８から流体が供給されているときには、フローティング機構４９０による付勢力よりも強い力で基板Ｗｆをシール部材４６４へ押圧する。押圧機構４８０は、流体源４８８から供給される流体の圧力に応じて基板Ｗｆの保持位置を変化させることができる。

流体源４８８から供給される流体の圧力が増加するとシール部材４６４の潰し量が増加するので、流体源４８８から供給される流体の圧力の増加と比例してシール部材４６４の厚みは薄くなる。シール部材４６４の厚みが薄くなるということは、基板Ｗｆの保持位置が下方に移動するということであるので、アノード４３０と基板Ｗｆとの間の距離が短くなるということである。すなわち、流体源４８８から供給する流体の流量を調整することによって、アノード４３０と基板Ｗｆとの間の距離を調整することができる。したがって、本実施形態によれば、基板Ｗｆの種類に応じてアノード４３０と基板Ｗｆとの間の距離を調整することにより、被めっき面Ｗｆ－ａにおけるめっき膜厚の均一性を向上させることができる。また、図５に示すように、基板ホルダ４４０は、基板Ｗｆをバックプレートアッシー４７０から剥離させる力を基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆ－ａの裏面に付与するように構成された剥離機構４７１を備える。以下、剥離機構４７１について詳細を説明する。

＜剥離機構の構成＞
図６は、本実施形態の基板ホルダの一部を拡大して概略的に示す斜視図である。図６に示すように、基板ホルダ４４０は、支持機構４６０に支持された台座４６７と、台座４６７に取り付けられたコンタクト４９６と、を備える。台座４６７は、例えばステンレスなどの導電性を有する環状の部材である。コンタクト４９６は、台座４６７の内周面にネジ等によって取り付けられた導電性を有する部材であり、図示していない電源と電気的に接続されている。図６には図示されていないが、複数のコンタクト４９６が台座４６７の内周面に沿って配置されている。コンタクト４６９には複数の給電接点４６９－ａが形成されている。複数の給電接点４６９－ａが基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆ－ａの外周部に接触することによって、基板Ｗｆに給電される。

図６に示すように、剥離機構４７１は、バックプレートアッシー４７０の基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆ－ａの裏面に接触する面（具体的にはフローティングプレート４７２の下面）に開口する孔４７３に配置された剥離用部材４７５を含む。具体的には、本実施形態では孔４７３はフローティングプレート４７２の下面と上面を貫通する貫通孔である。孔４７３の上側の開口は板状の台座４８６によって塞がれている。台座４８６はボルト４８７によってフローティングプレート４７２に固定されている。

また、孔４７３は、フローティングプレート４７２の下面に開口し第１の径を有する第１の孔４７３－ａと、第１の径より大きい第２の径を有しており第１の孔４７３－ａと連通する第２の孔４７３－ｂと、を含んで形成されている。剥離用部材４７５は、第１の径に対応するサイズの剥離用ピン４７５－ａを含んでおり、剥離用ピン４７５－ａには第２の径に対応するサイズのフランジ部４７５－ｂが形成されている。剥離用ピン４７５－ａの基板Ｗｆと接触する先端部分は半球状に形成されている。剥離用部材４７５は、例えばＰＶＣ、ＰＰ、ＰＰＳ、ＰＥＥＫ、またはＰＴＦＥなどの樹脂、あるいは帯電防止グレードの樹脂などで構成することができる。

剥離機構４７１は、剥離用部材４７５をフローティングプレート４７２の下面から突出させる力を付与する弾性部材４７７を備える。弾性部材４７７は、例えば圧縮ばねによって構成することができる。弾性部材４７７は、剥離用ピン４７５－ａの基端の中央部分に形成された孔に挿入されており、孔の底面および台座４８６に取り付けられている。

本実施形態によれば、基板Ｗｆがバックプレートアッシー４７０（フローティングプレート４７２）に張り付くのを抑制することができる。すなわち、めっき前処理などにより基板Ｗｆの表裏面がウェット状態のまま基板ホルダ４４０に基板を設置すると、基板Ｗｆとバックプレートアッシー４７０との間で表面張力によるスティッキング（張り付き）が発生する場合がある。この場合、めっき処理が終了した後、バックプレートアッシー４７０を上昇させたときに基板Ｗｆがバックプレートアッシー４７０に張り付いたまま上昇し、その結果基板の搬送不良が発生するおそれがある。

これに対して本実施形態によれば、図６に示すようにバックプレートアッシー４７０（フローティングプレート４７２）が基板Ｗｆを押圧した状態では、弾性部材４７７が縮んで剥離用部材４７５が孔４７３内に引っ込んでいる。この状態でめっき処理が終了した後、バックプレートアッシー４７０を上昇させると、弾性部材４７７が伸びて剥離用部材４７５を押圧する。すると、剥離用ピン４７５－ａのフランジ部４７５－ｂが第１の孔４７３－ａと第２の孔４７３－ｂとの間の段差に接触するまで剥離用部材４７５が下方に移動する。これにより、剥離用部材４７５が孔４７３（フローティングプレート４７２の下面の開口）から突出する。その結果、剥離用部材４７５が基板Ｗｆを押圧してバックプレートアッシー４７０から剥離させるので、基板Ｗｆがバックプレートアッシー４７０に張り付くのを抑制することができる。

図７は、本実施形態の基板ホルダを概略的に示す平面図である。図７に示すように、剥離機構４７１は、フローティングプレート４７２の外周部に周方向に沿って複数（本実施形態では６個）設けられている。剥離機構４７１がフローティングプレート４７２の外周部に配置されることによって、基板Ｗｆとフローティングプレート４７２との間に空気を侵入させ易くなるので、表面張力による基板Ｗｆの張り付きを効率良く抑制することができる。また、剥離機構４７１が複数設けられることによって、基板Ｗｆがバックプレートアッシー４７０に張り付くのをより確実に抑制することができる。

なお、上記の実施形態では、弾性部材４７７を用いて剥離用部材４７５をフローティングプレート４７２の下面から突出させる例を示したが、これに限定されない。以下、剥離機構４７１の変形例を説明する。上記の実施形態と同様の構成については説明を省略する。

図８は、変形例の基板ホルダの一部を拡大して概略的に示す斜視図である。剥離機構４７１は、上記実施形態と同様の孔４７３に配置された剥離用部材４７５と、剥離用部材４７５をバックプレートアッシー４７０の下面（フローティングプレート４７２の下面）から突出させる力を付与する流体を供給するための流体源４８８と、を含む。

剥離用部材４７５は、第１の孔４７３－ａの第１の径に対応するサイズの剥離用ピン４７５－ａを含んでおり、剥離用ピン４７５－ａには第２の径に対応するサイズのフランジ部４７５－ｂが形成されているが、上記実施形態とは異なり、剥離用ピン４７５－ａの基端の中央部分に孔が形成されていない。剥離用部材４７５と台座４８６との間の空間４９１は、キャップ４８５、ロッド４８２、およびフローティングプレート４７２に形成された流路４９７を介して流路４７６と連通している。これにより、流体源４８８から供給された流体が空間４９１に導かれるようになっている。ロッド４８２およびフローティングプレート４７２に流路４９７が形成されていることに伴い、ロッド４８２の下面とフローティングプレート４７２の上面との間にはＯリング４６１が介在しており、流体が漏れないようになっている。また、剥離用部材４７５のフランジ部４７５－ｂの側面と第２の孔４７３－ｂの側面との間にはＯリング４８９が介在しており、流体が漏れないようになっている。

本変形例によれば、流体源４８８から流体が供給されてバックプレートアッシー４７０（フローティングプレート４７２）が基板Ｗｆを押圧した状態では、剥離用部材４７５が孔４７３内に引っ込んでいる。この状態でめっき処理が終了した後、流体源４８８から供給される流体量を徐々に減らすと、押圧機構４８０による押圧力よりもフローティング機構４９０による付勢力が大きくなり、バックプレートアッシー４７０が上昇する。このとき、空間４９１にはまだ流体源４８８から流体が供給されているので、剥離用部材４７５が押圧される。すると、剥離用ピン４７５－ａのフランジ部４７５－ｂが第１の孔４７３－ａと第２の孔４７３－ｂとの間の段差に接触するまで剥離用部材４７５が下方に移動する。これにより、剥離用部材４７５が孔４７３（フローティングプレート４７２の下面の開口）から突出する。その結果、剥離用部材４７５が基板Ｗｆを押圧してバックプレートアッシー４７０から剥離させるので、基板Ｗｆがバックプレートアッシー４７０に張り付くのを抑制することができる。

図９は、変形例の基板ホルダの一部を拡大して概略的に示す斜視図である。剥離機構４７１は、バックプレートアッシー４７０の基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆ－ａの裏面に接触する面に開口する孔４６５と、孔４６５を介して基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆ－ａの裏面に気体を供給するように構成された流体源４８８と、を含む。

孔４６５は、フローティングプレート４７２の下面に開口し第１の径を有する第１の孔４６５－ａと、第１の径より大きい第２の径を有しており第１の孔４６５－ａと連通する第２の孔４６５－ｂと、を含んで形成されている。孔４６５（第２の孔４６５－ｂ）は、キャップ４８５、ロッド４８２、およびフローティングプレート４７２に形成された流路４９７を介して流路４７６と連通している。これにより、流体源４８８から供給された流体が孔４６５（第２の孔４６５－ｂ）に導かれるようになっている。ロッド４８２およびフローティングプレート４７２に流路４９７が形成されたことに伴い、ロッド４８２の下面とフローティングプレート４７２の上面との間にはＯリング４６１が介在しており、流体が漏れないようになっている。また、フローティングプレート４７２の下面と基板Ｗｆの上面との間にはＯリング４６３が介在しており、流体が漏れないようになっている。

本変形例によれば、めっき処理が終了した後、流体源４８８から供給される流体量を徐々に減らすと、押圧機構４８０による押圧力よりもフローティング機構４９０による付勢力が大きくなり、バックプレートアッシー４７０が上昇する。このとき、孔４６５にはまだ流体源４８８から気体が供給されているので、第１の孔４６５－ａから基板Ｗｆの上面に気体が供給される。これにより、気体が基板Ｗｆを押圧してバックプレートアッシー４７０から剥離させるので、基板Ｗｆがバックプレートアッシー４７０に張り付くのを抑制することができる。

以上、いくつかの本発明の実施形態について説明してきたが、上記した発明の実施形態は、本発明の理解を容易にするためのものであり、本発明を限定するものではない。本発明は、その趣旨を逸脱することなく、変更、改良され得るとともに、本発明にはその等価物が含まれることは勿論である。また、上述した課題の少なくとも一部を解決できる範囲、または、効果の少なくとも一部を奏する範囲において、特許請求の範囲および明細書に記載された各構成要素の任意の組み合わせ、または、省略が可能である。

本願は、一実施形態として、めっき液を収容するように構成されためっき槽と、被めっき面を下方に向けた基板を保持するように構成された基板ホルダと、前記基板ホルダを昇降させるように構成された昇降機構と、を含み、前記基板ホルダは、前記基板の被めっき面の外周部を支持するように構成された支持機構と、前記基板の被めっき面の裏面側に配置され、前記支持機構とともに前記基板を挟持するように構成されたバックプレートアッシーと、前記基板を前記バックプレートアッシーから剥離させる力を前記基板の被めっき面の裏面に付与するように構成された剥離機構と、を含む、めっき装置を開示する。

さらに、本願は、一実施形態として、前記剥離機構は、前記バックプレートアッシーの前記基板の被めっき面の裏面に接触する面に開口する孔に配置された剥離用部材と、前記剥離用部材を前記バックプレートアッシーの下面から突出させる力を付与する弾性部材と、を含む、めっき装置を開示する。

さらに、本願は、一実施形態として、前記剥離機構は、前記バックプレートアッシーの前記基板の被めっき面の裏面に接触する面に開口する孔に配置された剥離用部材と、前記剥離用部材を前記バックプレートアッシーの下面から突出させる力を付与する流体を供給するための流体源と、を含む、めっき装置を開示する。

さらに、本願は、一実施形態として、前記剥離機構は、前記バックプレートアッシーの前記基板の被めっき面の裏面に接触する面に開口する孔を介して前記基板の被めっき面の裏面に気体を供給するように構成された流体源、を含む、めっき装置を開示する。

さらに、本願は、一実施形態として、前記剥離機構は、前記バックプレートアッシーの外周部に周方向に沿って複数設けられる、めっき装置を開示する。

さらに、本願は、一実施形態として、前記バックプレートアッシーは、前記基板の被めっき面の裏面側に配置されたフローティングプレートと、前記フローティングプレートを前記基板の裏面から離れる方向に付勢するためのフローティング機構と、前記フローティング機構による付勢力に抗して前記フローティングプレートを前記基板の裏面に押圧するための押圧機構と、を含み、前記剥離機構は、前記基板を前記フローティングプレートから剥離させる力を前記基板の被めっき面の裏面に付与するように構成される、めっき装置を開示する。

さらに、本願は、一実施形態として、前記押圧機構は、前記フローティングプレートの上方に配置されたバックプレートと、前記バックプレートの下面に開口するように前記バックプレートの内部に形成された流路と、前記流路に配置されたダイヤフラムと、前記ダイヤフラムと前記フローティングプレートとの間に配置された押圧部材と、前記流路を介して前記ダイヤフラムに流体を供給するための流体源と、を含む、めっき装置を開示する。

さらに、本願は、一実施形態として、前記フローティング機構は、前記フローティングプレートから前記バックプレートの貫通穴を介して上方に伸びるシャフトと、前記シャフトの前記バックプレートより上部に取りつけられたフランジと、前記バックプレートの上面および前記フランジに取り付けられたばね部材と、を含む、めっき装置を開示する。

４００めっきモジュール
４１０めっき槽
４４０基板ホルダ
４４２昇降機構
４６０支持機構
４６２支持部材
４７０バックプレートアッシー
４７１剥離機構
４７２フローティングプレート
４７３孔
４７３－ａ第１の孔
４７３－ｂ第２の孔
４７４バックプレート
４７５剥離用部材
４７５－ａ剥離用ピン
４７５－ｂフランジ部
４７６流路
４７７弾性部材
４８０押圧機構
４８２ロッド
４８４ダイヤフラム
４８８流体源
４９０フローティング機構
４９２シャフト
４９５フランジ
１０００めっき装置
Ｗｆ基板
Ｗｆ－ａ被めっき面

Claims

めっき液を収容するように構成されためっき槽と、
被めっき面を下方に向けた基板を保持するように構成された基板ホルダと、
前記基板ホルダを昇降させるように構成された昇降機構と、
を含み、
前記基板ホルダは、
前記基板の被めっき面の外周部を支持するように構成された支持機構と、
前記基板の被めっき面の裏面側に配置され、前記支持機構とともに前記基板を挟持するように構成されたバックプレートアッシーと、
前記基板を前記バックプレートアッシーから剥離させる力を前記基板の被めっき面の裏面に付与するように構成された剥離機構と、
を含む、めっき装置。
前記剥離機構は、前記バックプレートアッシーの前記基板の被めっき面の裏面に接触する面に開口する孔に配置された剥離用部材と、前記剥離用部材を前記バックプレートアッシーの下面から突出させる力を付与する弾性部材と、を含む、
請求項１に記載のめっき装置。
前記剥離機構は、前記バックプレートアッシーの前記基板の被めっき面の裏面に接触する面に開口する孔に配置された剥離用部材と、前記剥離用部材を前記バックプレートアッシーの下面から突出させる力を付与する流体を供給するための流体源と、
を含む、
請求項１に記載のめっき装置。
前記剥離機構は、前記バックプレートアッシーの前記基板の被めっき面の裏面に接触する面に開口する孔を介して前記基板の被めっき面の裏面に気体を供給するように構成された流体源、
を含む、
請求項１に記載のめっき装置。
前記剥離機構は、前記バックプレートアッシーの外周部に周方向に沿って複数設けられる、
請求項１から４のいずれか一項に記載のめっき装置。
前記バックプレートアッシーは、
前記基板の被めっき面の裏面側に配置されたフローティングプレートと、
前記フローティングプレートを前記基板の裏面から離れる方向に付勢するためのフローティング機構と、
前記フローティング機構による付勢力に抗して前記フローティングプレートを前記基板の裏面に押圧するための押圧機構と、を含み、
前記剥離機構は、前記基板を前記フローティングプレートから剥離させる力を前記基板の被めっき面の裏面に付与するように構成される、
請求項１から５のいずれか一項に記載のめっき装置。
前記押圧機構は、
前記フローティングプレートの上方に配置されたバックプレートと、
前記バックプレートの下面に開口するように前記バックプレートの内部に形成された流路と、
前記流路に配置されたダイヤフラムと、
前記ダイヤフラムと前記フローティングプレートとの間に配置された押圧部材と、
前記流路を介して前記ダイヤフラムに流体を供給するための流体源と、
を含む、
請求項６に記載のめっき装置。
前記フローティング機構は、
前記フローティングプレートから前記バックプレートの貫通穴を介して上方に伸びるシャフトと、
前記シャフトの前記バックプレートより上部に取りつけられたフランジと、前記バックプレートの上面および前記フランジに取り付けられたばね部材と、を含む、
請求項７に記載のめっき装置。