JP7007309B2 - プレノプティックセンサ - Google Patents
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- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 154
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 130
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 111
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 104
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 88
- 238000000034 method Methods 0.000 description 87
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 82
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 50
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 44
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 40
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 32
- 238000013461 design Methods 0.000 description 31
- 230000008569 process Effects 0.000 description 31
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 25
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 21
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 20
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 19
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 12
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 12
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 11
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 11
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 10
- 230000006870 function Effects 0.000 description 10
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 10
- 239000000047 product Substances 0.000 description 10
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 9
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 8
- 239000010408 film Substances 0.000 description 8
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 8
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 8
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 8
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 7
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 7
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 7
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 7
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 7
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 7
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 6
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 6
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 5
- 230000008859 change Effects 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 5
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 5
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 5
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 5
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 5
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 4
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 4
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 4
- 238000003848 UV Light-Curing Methods 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 3
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 3
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 3
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 3
- 239000012776 electronic material Substances 0.000 description 3
- 235000021384 green leafy vegetables Nutrition 0.000 description 3
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 3
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 3
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 3
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 description 3
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 2
- 239000002775 capsule Substances 0.000 description 2
- PZTQVMXMKVTIRC-UHFFFAOYSA-L chembl2028348 Chemical compound [Ca+2].[O-]S(=O)(=O)C1=CC(C)=CC=C1N=NC1=C(O)C(C([O-])=O)=CC2=CC=CC=C12 PZTQVMXMKVTIRC-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 2
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 2
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 2
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 2
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 238000002329 infrared spectrum Methods 0.000 description 2
- 229920000592 inorganic polymer Polymers 0.000 description 2
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 2
- 230000005499 meniscus Effects 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 150000004760 silicates Chemical class 0.000 description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 238000005549 size reduction Methods 0.000 description 2
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 2
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 2
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 description 2
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000004416 thermosoftening plastic Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010011878 Deafness Diseases 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 239000004840 adhesive resin Substances 0.000 description 1
- 229920006223 adhesive resin Polymers 0.000 description 1
- 239000006117 anti-reflective coating Substances 0.000 description 1
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 238000005119 centrifugation Methods 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 235000013351 cheese Nutrition 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000005345 coagulation Methods 0.000 description 1
- 230000015271 coagulation Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000000280 densification Methods 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000012938 design process Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 230000003467 diminishing effect Effects 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 230000005520 electrodynamics Effects 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- 210000000887 face Anatomy 0.000 description 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 239000000499 gel Substances 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 230000036039 immunity Effects 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000003698 laser cutting Methods 0.000 description 1
- 230000001795 light effect Effects 0.000 description 1
- ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L magnesium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Mg+2] ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001635 magnesium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000012768 molten material Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 230000009972 noncorrosive effect Effects 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 239000005360 phosphosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 239000011295 pitch Substances 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 230000008092 positive effect Effects 0.000 description 1
- 238000012805 post-processing Methods 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 1
- 239000011819 refractory material Substances 0.000 description 1
- 238000009877 rendering Methods 0.000 description 1
- 230000010076 replication Effects 0.000 description 1
- 230000003362 replicative effect Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000012552 review Methods 0.000 description 1
- 238000005204 segregation Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 239000005368 silicate glass Substances 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 238000001029 thermal curing Methods 0.000 description 1
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- FAQYAMRNWDIXMY-UHFFFAOYSA-N trichloroborane Chemical compound ClB(Cl)Cl FAQYAMRNWDIXMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009281 ultraviolet germicidal irradiation Methods 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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Description
本発明はイメージキャプチャに関連しており、より具体的には、キャプチャされたイメージだけではなく、光線の到達の方向もキャプチャする固体のセンサを用いたプレノプティックイメージ(plenoptic images)のキャプチャに関する。この分野は、光学上の素子、光電子センサ(光の強さを電流に変換するもの)、キャプチャされたイメージの加工素子も備えている。イメージセンサの製品の質を上げ、その大きさを縮小し、豊富な製造能力を提供すると共に、そのコストを削減することが目的とされている。本発明は、ウェハレベルの光学設計と、多様な光電子部品および光学ウェハの「サンドイッチ」の作製を提供する。結果として、カメラを組み入れた、デジタルカメラ、携帯電話、タブレット端末、ラップトップ型コンピュータ、総合消費者商品に用いられ得るセンサとなり、特に、CMOSイメージセンサと組み合わせられる(ただしこれに限定されるわけではない)。イメージセンサの多様な構造および作製方法がここに記載されている。
「モノリシック集積回路」は、一般的なチップ設計技術を使用して得られたものであり、ベース材料(基板)が、能動素子(トランジスタ、センサなど)だけではなく、相互接続の素子も含んでいる。この用語は、通常異なる技術および機能の集積化に用いられる。通常異なる技術および機能の例として、同じチップに入ったアナログおよびデジタル回路を使用すること、または、アナログ、デジタル回路、信号処理、センサ、および保護回路と共にパワー半導体を集積化することが挙げられる。光電子工学では、「モノリシック集積化」は、通常、「電子材料」、レーザー光、検出器、およびそれらを有する電子バイアス回路、制御、および管理システムによって作られた、それ自体がチップに入っている光学ファイバー入力/出力光学導波管といった構成を1つの「電子光学集積回路」に集積化するための傾向のことを指す。
下記の記載は、発明を実行する特定の方法を反映する。しかし、主たる目的は、発明の原理を説明することであり、意図を限定してはならない。発明の範囲は、この書面の特許請求の範囲を参照することにより定められるのが最良である。
マイクロ電子工学により提供される製造方法と同様の光学の製造方法により提供される柔軟性は、無限である。例えば、図17は、画素マイクロレンズと、その上にプレノプティックマイクロレンズとのみがある構造を示し、この図では、第1、及び第2のマイクロレンズとも球面であり、図18では非球面の構造を有する。図内の「プレノプティック半球」の直径と「画素半球」の直径との間の距離は、ゼロに等しい(どちらの半球も基板上にある)。しかし、プレノプティック半球は、基板からのもっと離して設置して、図8.Cのものと同様の構造を作製してもよい。
図41に示す幾何形状の画素を用いるフォトセンサは、非常に小さい空間に非常に高い画素密度の画像を捕捉するのに用いることができ、その結果、従来技術を劇的に改善した画素間のコントラストが得られ、隣接画素間の信号/ノイズ比が増加し、非常に高いメガピクセル総数でさらに増大し、かつ非常に小さいサイズ(センサは1cm×1cmより小さい面積を占める)の、携帯電話、タブレット、ラップトップまたは他の携帯機器のカメラなどの応用を含む。本発明は、(プレノプティックマイクロレンズの無い)従来のセンサには、(プレノプティックマイクロレンズの有る)ライトフィールドセンサにも適用可能であるが、後者に特に有利であり、なぜなら、(到達方向を識別する)マイクロレンズあたりの画素数と、使用可能なメガピクセルの数を増やすための増加するマイクロレンズの数との間のバランスが、現在の技術を超える総画素数のセンサを押すからであり、Mooreの法則の限界を超えるが、非常に小さい画素寸法について望まない屈折を導く光波現象をできるだけ緩和する。
1.V. G. Veselago (1968 (Russian text 1967)). . Soy. Phys. Usp. 10 (4): 509-14. Bibcode: 1968SvPhU.10.509V. doi: 10.1070/PU 1968v010n04ABEH003699、
2.Negative Refraction at Visible Frequencies, Henry J. Lezec et al., Science 316, 430 (2007); D01: 10.1126/science.1139266。
フォトセンサを有する基板と、上記フォトセンサの基板の上に配置された低屈折率の材料の層と、をモノリシックに集積するプレノプティックセンサであって、
上記低屈折率の材料の層の厚みが、用いられるプレノプティックアルゴリズムに依存し、かつ、プレノプティックレンズの焦点距離に近い値(わずかにそれより大きくても小さくてもよい)からゼロ近くまで取り得、
上記プレノプティックレンズは、高屈折率の材料から成り、
上記プレノプティックレンズは、上記低屈折率の材料の層の上に配置され、
上記プレノプティックレンズと上記フォトセンサの基板の画素との間の配置、および、光学素子の他の寸法が、(技術水準を超えて)10分の1ミクロンより小さい許容誤差であることを特徴とするセンサ。
上記低屈折率の材料の層が現れず、上記層の長さがゼロで、センサが、ただ随意的に、画素としてのマイクロレンズのように見え、また、高屈折率の材料ではプレノプティックマイクロレンズのように見えることを特徴とする態様1に記載のセンサ。
種々の屈折率の光学材料が、CMOS、CCDまたは過去、現在または未来のフォトセンサの任意の技術の基板フォトセンサの上に形成されていることを特徴とする態様1または2に記載のセンサ。
光学層が、半導体プロセスに通常用いられる以下の技術:
・ウェハ処理、
・公知の技術(CVD、LPCVD、PECVDまたは他の方法のHIPCVD堆積材料など)を用いての材料の層の堆積、
・ウェハの光学的および/または電子的サンドイッチ積層、
・分離材の使用、
・フォトリソグラフィ、
・陽性または陰性の(消耗性または非消耗性の)フォトレジスト材料の使用、
・種々の溶媒での化学攻撃、
・プラズマ攻撃または公知の任意の攻撃、
・特定の特性を有する成分を有する光学的または電子的材料のドーピング、
・熱処理、
・紫外線硬化または熱硬化、
・種々のカプセルを用いた回路/センサの包装、
・例えば、BGA(ボールグリッドアレイ)または任意の処理または方法、
・現在または未来のマイクロ電子工学製造の使用、および/または、紫外線への曝露や熱処理などの下で液体ポリマーの複製または凝固のような小型光学部品の製造に適用可能なマイクロ電子工学製造の使用、
などを用いて基板フォトセンサの上に形成され、
電子工学と光学との間の配置、または種々の光学層間の配置、または、光学層の厚みの配置、を、関係する範囲における波長部分に到達する許容誤差で、すなわち、(技術水準を超えて)ナノメートルまたはそれより小さい許容誤差で得ることを特徴とする態様1ないし3のいずれか1項に記載のセンサ。
態様1における各フォトセンサと各低屈折率層との間に、上記低屈折率の層より高い屈折率を有する、画素としてのマイクロレンズが設けられていることを特徴とする態様1ないし4のいずれか1項に記載のセンサ。
各フォトセンサの上に、または、各プレノプティックマイクロレンズの上に、(および随意的に、さらに、マイクロレンズの下に配置されたフォトセンサの上に、)カラーフィルタが設けられている、
または、
プレノプティックマイクロレンズを構成する色の材料で(および随意的に、さらに、マイクロレンズの下のフォトセンサに)構成されている、
または、
画素としてのマイクロレンズを構成する色の材料で構成されている、
または、
これらの組み合わせである、
ことを特徴とする態様1ないし5のいずれか1項に記載のセンサ。
近赤外線または赤外線のフィルタが設けられている、
または、
カラーフィルタの一部として構成されている、
ことを特徴とする態様1ないし6のいずれか1項に記載のセンサ。
フィルタが、可視光の通過を防ぎ、赤外スペクトルまたは実行に関連する任意のスペクトルの透過だけを許可することを特徴とする態様1ないし6のいずれか1項に記載のセンサ。
光学センサによって設定されるパワー分布のメインローブの面積と実質的に同一の面積をフォトセンサが有する(エアリーディスクまたはもし正方形ベースの画素としてのマイクロレンズが用いられるならばエアリーの「四角円」(quadri-circle))ように、および、
第2ローブ(第1エアリーリング、または、正方形ベースの画素としてのレンズのためのエアリーの「四重リング」(quadruple ring))が隣接フォトセンサ間の不透明な領域を照明するように、
フォトセンサと、フォトセンサ間の距離とが設計されており、
このことは、マイクロレンズの幾何形状(例えば六角形または任意の多角形形状であってよい)または画素の幾何形状(例えば三角形(または任意の多角形形状)であってよく、そこから、エアリーの三角円(trian circle)(またはエアリーの多角円)を導く)に無関係である、
ことを特徴とする態様1ないし8のいずれか1項に記載のセンサ。
画素に割り当てられたランプのメインローブのパワーのピークが隣接画素のパワーのゼロと一致するように、隣接フォトセンサ間の距離が設計され、フォトセンサのアクティブ領域が、隣接画素間で許容できるノイズの量と、センサの適用で許容できる信号/ノイズ比とに依存して設計されることを特徴とする態様1ないし8のいずれか1項に記載のセンサ。
フォトセンサの面積および単位面積あたりのフォトセンサの密度(フォトセンサ間の距離にて測定された)が、態様9に記載のものの上と、態様10に記載のもののわずかに下との間であることを特徴とする態様1ないし8のいずれか1項に記載のセンサ。
斜めに隣接する同じ色の画素に配置されたフォトセンサのアクティブ領域の幾何形状(ベイヤーパターンの緑、または、四つ葉パターンのそれらのうちの任意のもの)は、正方形に設計されるのではなく、(正方形の代わりに)フォトセンサのアクティブ領域の最終的な形状がどうであっても、隣接するフォトセンサのマイクロレンズから生じた同じ色の光のフォトセンサのアクティブ領域を移動させる目的で、斜めに隣接して配置された同じ色のセンサに最も近い領域に修正されることを特徴とする態様9ないし11のいずれか1項に記載のセンサ。
フォトセンサの正方形形状は、斜めに配置された同じ色のアナログフォトセンサのアクティブ領域を遠ざける垂直線の導入によって同じ色のセンサに最も近い正方形の頂点を平坦化することによって修正され、アクティブ領域を六角形(反対側の頂点のうちの2つにおいて追加の2つの辺で修正された正方形)にし、この原則は、他の任意の幾何形状の多角形(例えば三角形)のフォトセンサにも適用されうることを特徴とする態様12に記載のセンサ。
感光セルのアクティブ領域は、正方形の元の頂点から正方形の中央領域まで貫く(非感光領域または非アクティブ領域の)三角形の導入によって、その頂点にて正方形の寸法が減少し、この原則は、他の任意の幾何形状の多角形(例えば三角形)のフォトセンサにも適用されうることを特徴とする態様12に記載のセンサ。
感光セルのない領域(非アクティブ領域)は、正方形の元の頂点から正方形の中央領域まで貫く(非感光性領域または非アクティブ領域の)「階段状三角形」の導入によって、その頂点にて正方形の寸法が減少し、この三角形は、45度またはフォトセンサの技術の設計のルールで許可された任意の幾何形状で、垂直線および水平線によって構成され、この原則は、他の任意の幾何形状の多角形(例えば三角形)のフォトセンサにも適用されうることを特徴とする態様12に記載のセンサ。
態様1に記載の低屈折率の材料(フォトセンサの基板の上に配置されたもの)または態様5に記載の低屈折率の材料(画素としてのマイクロレンズの上に配置されたもの、およびフォトセンサの基板の上のこれら)は、プレノプティックマイクロレンズと基板との間の距離またはプレノプティックマイクロレンズと画素マイクロレンズとの間の距離を減少させる目的を持ったものよりも低い屈折率を有するメタ材料または材料であることを特徴とする態様1、3ないし15のいずれか1項に記載のセンサ。
上記センサの上に、(異なるレンズ間に低屈折率の空間を形成する)低屈折率の層および(レンズを形成する)高屈折率の層が連続的に追加され、レンズおよび/またはマイクロレンズの層の順序に無関係に、任意の形状(両凸、両凹、凸-凹、凹-凸、平坦-凹、平坦-凸、凹-平坦、凸-平坦、マイクロレンズアレイ、および、凹メニスカス、凸メニスカス構造などの大きなレンズの設計において一般に使用できる任意の構造、または、マイクロエレクトロニクスで典型的に用いられて態様4で簡単に記載した光学的製造プロセスで用いられる小さい寸法に導かれる他の任意の構造)の種々のレンズから構成されるマイクロレンズを形成するまで処理を数回繰り返すことを特徴とする態様1ないし16のいずれか1項に記載のセンサ。
低屈折率の材料は、1より小さい屈折率を持つメタ材料または材料であることを特徴とする態様17に記載のセンサ。
プレノプティックマイクロレンズは、フォトセンサの中央から最も離れた領域にて効率を改善するために、「プレノプティックアレイ」の中央から離れた位置ほど、徐々に、より非対称なプロファイルで設計されていることを特徴とする態様1ないし18のいずれか1項に記載のセンサ。
プレノプティックマイクロレンズは、フォトセンサの中央から最も離れた領域にて効率を改善するために、「プレノプティックアレイ」の中央から離れた位置ほど、基板までの(または画素としてのマイクロレンズまでの)距離が徐々に小さくなる設計になっており、プレノプティックアレイの中央から離れるにつれて全てのマイクロレンズがわずかに急峻に構成され、アレイの中央のマイクロレンズだけが光軸に垂直または準垂直であることを特徴とする態様1ないし18のいずれか1項に記載のセンサ。
フォトセンサの中央から最も離れた領域にて効率を改善するために、フォトセンサおよび/またはフォトセンサのアクティブ領域および/またはフォトセンサのアクティブ領域の間の幾何形状が、フォトセンサの中央と周辺とで異なり、中央から周辺へと徐々に変化することを特徴とする態様1ないし18のいずれか1項に記載のセンサ。
フォトセンサの中央から最も離れた領域にて効率を改善するために、態様19、20および21に記載の測定のうちの2つ以上およびそれらの間の任意の組み合わせおよび/または交換が同時に行われることを特徴とする態様1ないし18のいずれか1項に記載のセンサ。
光学層の1つ以上および/またはレンズの1つ以上の上に、反射防止コーティングの層が堆積されていることを特徴とする態様1ないし22のいずれか1項に記載のセンサ。
態様1ないし23のいずれか1項に記載のセンサを製造する方法であって、
光学層が、半導体プロセスに通常用いられる以下の技術:
・ウェハ処理、
・公知の技術(CVD、LPCVD、PECVDまたは他の方法のHIPCVD堆積材料など)を用いての材料の層の堆積、
・ウェハの光学的および/または電子的サンドイッチ積層、
・分離材の使用、
・フォトリソグラフィ、
・陽性または陰性の(消耗性または非消耗性の)フォトレジスト材料の使用、
・種々の溶媒での化学攻撃、
・プラズマ攻撃、
・特定の特性を有する成分を有する光学的または電子的材料のドーピング、
・熱処理、
・紫外線硬化または熱硬化、
・種々のカプセルを用いた回路/センサの包装、
・例えば、BGA(ボールグリッドアレイ)または任意の処理または方法、
・現在または未来のマイクロ電子工学製造の使用、および/または、紫外線への曝露や熱処理などの下で液体ポリマーの凝固のような小型光学部品の製造に適用可能なマイクロ電子工学製造の使用、
などを用いて基板フォトセンサの上に形成され、
電子工学と光学との間の配置、または種々の光学層間の配置、または、光学層の厚みの配置、を、関係する範囲における波長部分に到達する許容誤差で、すなわち、(技術水準を超えて)ナノメートルまたはそれより小さい許容誤差で得ることを特徴とする、センサの製造方法。
光学的サンドイッチのレンズのいくつかでのマイクロメカニズムズーム、または、
外部パラメータ(電圧、電流または他のパラメータ)の制御下で焦点距離を変化させる、光学的サンドイッチのレンズのいくつかでの固定ズーム、または、
外部パラメータにて制御可能なマイクロメカニズムズームおよび固定ズームの組み合わせ、
を有することを特徴とする態様1ないし24のいずれか1項に記載のセンサ。
プレノプティックレンズが存在せず、本発明の残りのものが従来のセンサに適用されたことを特徴とする態様9ないし18のいずれか1項に記載のセンサ。
Claims (12)
- フォトセンサを有する基板と、
高屈折率の材料の層から成り、上記基板の上に配置された、プレノプティックマイクロレンズと、
上記プレノプティックマイクロレンズの上に配置されたマイクロ対物レンズと
をモノリシックに集積することを特徴とするプレノプティックセンサ。 - 上記プレノプティックマイクロレンズが球面であることを特徴とする請求項1に記載のプレノプティックセンサ。
- 上記プレノプティックマイクロレンズが非球面構造を有することを特徴とする請求項1に記載のプレノプティックセンサ。
- 上記プレノプティックマイクロレンズは、上記フォトセンサの基板から一定の距離のところに配置されていることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1項に記載のプレノプティックセンサ。
- 上記プレノプティックマイクロレンズと上記フォトセンサの基板との間の距離はセパレータによって維持されていることを特徴とする請求項4に記載のプレノプティックセンサ。
- 上記セパレータは高屈折率の材料である1つ以上の層を有することを特徴とする請求項5に記載のプレノプティックセンサ。
- 上記セパレータは、光を吸収して反射を避ける材料で出来ていることを特徴とする請求項5または6に記載のプレノプティックセンサ。
- 高屈折率の材料の層から成り、上記フォトセンサの基板の上に配置された、画素マイクロレンズをさらに備え、
上記プレノプティックマイクロレンズは、上記画素マイクロレンズの上に配置されることを特徴とする請求項1ないし7のいずれか1項に記載のプレノプティックセンサ。 - フォトセンサを有する基板と、
上記基板の上に配置された、1つ以上の低屈折率の材料の層と、
上記低屈折率の材料の層の上に配置されたマイクロ対物レンズと、
をモノリシックに集積し、
上記マイクロ対物レンズは、高屈折率の材料の層と低屈折率の材料の層とが、連続的に積層されて構成されることを特徴とするセンサ。 - 高屈折率の材料の層から成り、上記フォトセンサの基板の上に配置された、画素マイクロレンズをさらに備え、
上記1つ以上の低屈折率の材料の層は、上記画素マイクロレンズの上に配置されることを特徴とする請求項9に記載のセンサ。 - フォトセンサを有する基板と、
上記基板の上に連続的に積層されたセパレータであって高屈折率の材料である1つ以上の層と、
上記セパレータの上に配置され、上記セパレータによって上記フォトセンサの基板との間の距離が維持されたマイクロ対物レンズと
をモノリシックに集積することを特徴とするセンサ。 - 高屈折率の材料の層から成り、上記フォトセンサの基板の上に配置された、画素マイクロレンズをさらに備え、
上記マイクロ対物レンズは、上記画素マイクロレンズの上に配置されることを特徴とする請求項11に記載のセンサ。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
ESP201330727 | 2013-05-21 | ||
ES201330727 | 2013-05-21 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016514448A Division JP6480919B2 (ja) | 2013-05-21 | 2013-12-07 | プレノプティックセンサとその製造方法およびプレノプティックセンサを有する配置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019110313A JP2019110313A (ja) | 2019-07-04 |
JP7007309B2 true JP7007309B2 (ja) | 2022-01-24 |
Family
ID=51932987
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016514448A Active JP6480919B2 (ja) | 2013-05-21 | 2013-12-07 | プレノプティックセンサとその製造方法およびプレノプティックセンサを有する配置 |
JP2019021677A Active JP7007309B2 (ja) | 2013-05-21 | 2019-02-08 | プレノプティックセンサ |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016514448A Active JP6480919B2 (ja) | 2013-05-21 | 2013-12-07 | プレノプティックセンサとその製造方法およびプレノプティックセンサを有する配置 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9647150B2 (ja) |
EP (2) | EP3007228B1 (ja) |
JP (2) | JP6480919B2 (ja) |
CN (2) | CN105900238B (ja) |
ES (1) | ES2872927T3 (ja) |
WO (1) | WO2014188018A1 (ja) |
Families Citing this family (87)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10298834B2 (en) | 2006-12-01 | 2019-05-21 | Google Llc | Video refocusing |
US9858649B2 (en) | 2015-09-30 | 2018-01-02 | Lytro, Inc. | Depth-based image blurring |
US10334151B2 (en) | 2013-04-22 | 2019-06-25 | Google Llc | Phase detection autofocus using subaperture images |
WO2014188018A1 (es) * | 2013-05-21 | 2014-11-27 | BLASCO WHYTE, Isabel Lena | Integración monolítica de lentes plenópticas sobre sustratos fotosensores |
KR102103983B1 (ko) * | 2013-07-31 | 2020-04-23 | 삼성전자주식회사 | 시프트된 마이크로 렌즈 어레이를 구비하는 라이트 필드 영상 획득 장치 |
US10371954B2 (en) * | 2014-06-10 | 2019-08-06 | Ams Sensors Singapore Pte. Ltd. | Optoelectronic modules including hybrid arrangements of beam shaping elements, and imaging devices incorporating the same |
KR101785879B1 (ko) * | 2014-07-23 | 2017-10-16 | 헵타곤 마이크로 옵틱스 피티이. 리미티드 | 수직 정렬 피처들을 포함하는 광 방출기 및 광 검출기 모듈들 |
CN105428376A (zh) * | 2014-09-12 | 2016-03-23 | 芯视达系统公司 | 具有可见光及紫外光探测功能的单芯片影像传感器及其探测方法 |
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- 2013-12-07 WO PCT/ES2013/070855 patent/WO2014188018A1/es active Application Filing
- 2013-12-07 JP JP2016514448A patent/JP6480919B2/ja active Active
- 2013-12-07 EP EP13885219.9A patent/EP3007228B1/en active Active
- 2013-12-07 ES ES13885219T patent/ES2872927T3/es active Active
- 2013-12-07 EP EP21155638.6A patent/EP3916786A3/en active Pending
- 2013-12-07 CN CN201380078180.9A patent/CN105900238B/zh active Active
- 2013-12-07 US US14/892,854 patent/US9647150B2/en active Active
- 2013-12-07 CN CN201910229720.8A patent/CN110061018B/zh active Active
-
2019
- 2019-02-08 JP JP2019021677A patent/JP7007309B2/ja active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004336228A (ja) | 2003-05-02 | 2004-11-25 | Alps Electric Co Ltd | レンズアレイ装置 |
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP3007228A1 (en) | 2016-04-13 |
ES2872927T3 (es) | 2021-11-03 |
CN105900238A (zh) | 2016-08-24 |
CN110061018A (zh) | 2019-07-26 |
WO2014188018A1 (es) | 2014-11-27 |
US9647150B2 (en) | 2017-05-09 |
JP2019110313A (ja) | 2019-07-04 |
CN105900238B (zh) | 2019-06-11 |
EP3916786A2 (en) | 2021-12-01 |
EP3007228A4 (en) | 2016-07-27 |
EP3007228B1 (en) | 2021-03-17 |
US20160133762A1 (en) | 2016-05-12 |
JP6480919B2 (ja) | 2019-03-13 |
JP2016526294A (ja) | 2016-09-01 |
CN110061018B (zh) | 2023-11-28 |
EP3916786A3 (en) | 2022-03-09 |
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Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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|
A977 | Report on retrieval |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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C60 | Trial request (containing other claim documents, opposition documents) |
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C22 | Notice of designation (change) of administrative judge |
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C302 | Record of communication |
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C13 | Notice of reasons for refusal |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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C23 | Notice of termination of proceedings |
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C03 | Trial/appeal decision taken |
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C30A | Notification sent |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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