JP6998233B2 - ピクセル、ピクセル駆動回路、及びこれを含むビジョンセンサー - Google Patents

ピクセル、ピクセル駆動回路、及びこれを含むビジョンセンサー Download PDF

Info

Publication number
JP6998233B2
JP6998233B2 JP2018028858A JP2018028858A JP6998233B2 JP 6998233 B2 JP6998233 B2 JP 6998233B2 JP 2018028858 A JP2018028858 A JP 2018028858A JP 2018028858 A JP2018028858 A JP 2018028858A JP 6998233 B2 JP6998233 B2 JP 6998233B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
event
pixel
switch
node
detection signal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2018028858A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2018148553A (ja
Inventor
俊 ▲そく▼ 金
賢 錫 柳
奉 祺 孫
潤 宰 徐
憙 宰 丁
根 柱 朴
宮 設 南
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Electronics Co Ltd
Original Assignee
Samsung Electronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from KR1020170080596A external-priority patent/KR102282140B1/ko
Application filed by Samsung Electronics Co Ltd filed Critical Samsung Electronics Co Ltd
Publication of JP2018148553A publication Critical patent/JP2018148553A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6998233B2 publication Critical patent/JP6998233B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14601Structural or functional details thereof
    • H01L27/14609Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/76Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
    • H04N25/766Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors comprising control or output lines used for a plurality of functions, e.g. for pixel output, driving, reset or power
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14601Structural or functional details thereof
    • H01L27/14603Special geometry or disposition of pixel-elements, address-lines or gate-electrodes
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N23/00Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
    • H04N23/60Control of cameras or camera modules
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/40Extracting pixel data from image sensors by controlling scanning circuits, e.g. by modifying the number of pixels sampled or to be sampled
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/40Extracting pixel data from image sensors by controlling scanning circuits, e.g. by modifying the number of pixels sampled or to be sampled
    • H04N25/41Extracting pixel data from a plurality of image sensors simultaneously picking up an image, e.g. for increasing the field of view by combining the outputs of a plurality of sensors
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/71Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
    • H04N25/75Circuitry for providing, modifying or processing image signals from the pixel array
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/76Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
    • H04N25/767Horizontal readout lines, multiplexers or registers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
  • Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)

Description

本発明は、ピクセル、ピクセル駆動回路、及びこれを含むビジョンセンサーに関するものである。
ビジョンセンサー(Vision Sensor)は、フレームなしで視覚的な変化を感知する方式で動作するセンサーであって、自律走行車両や、人工知能などの様々な分野に適用されることができる。
ビジョンセンサーは、光を感知して、意味ある変化が感知される際に、これを電気信号に変換して出力することができる。ビジョンセンサーが出力する信号には、変化を感知した時間及び変化が感知されたピクセルの座標などの情報が含まれることができる。
ビジョンセンサーが適用され得る分野が増えるにつれて、ビジョンセンサーの性能を改善するための様々な研究が行われている。
本発明の技術的思想が解決しようとする課題のうちの一つは、性能を改善させたピクセル、ピクセル駆動回路、及びこれを含むビジョンセンサーを提供することである。
本発明の一実施形態によるピクセルは、光電素子と、上記光電素子に流れる電流を検出して入力電圧を生成する電流リードアウト部と、上記入力電圧を用いて、イベント発生の有無及びイベントの種類を判断し、イベント感知信号を出力するイベント決定部と、イベント保存区間の間は上記イベント感知信号を保存し、上記イベント保存区間が満了すると、保存された上記イベント感知信号を出力するイベント出力部と、を含むことができる。
本発明の一実施形態によるピクセル駆動回路は、ピクセルアレイを構成する複数のカラムラインのうちいずれか一つを選択するための信号を生成するカラムドライバと、上記カラムドライバによって選択されたカラムラインに連結されたピクセルのそれぞれからイベント発生の有無を検出するロードライバと、上記カラムドライバ及び上記ロードライバの動作タイミングを制御するコントローラと、上記ロードライバにより検出したイベント発生の有無に基づいて、イベントが発生したピクセルのアドレスを生成して出力するアドレス生成器と、を含み、デジタルブロックとして実現されることができる。
本発明の一実施形態によるビジョンセンサーは、マトリックス状に配置される複数のピクセルを含むピクセルアレイと、上記ピクセルアレイを構成するそれぞれのピクセルのイベント発生の有無を検出するピクセル駆動回路と、を含み、上記複数のピクセルのそれぞれは、光電素子と、上記光電素子に流れる電流を検出して入力電圧を生成する電流リードアウト部と、上記入力電圧を用いて、イベント発生の有無及びイベントの種類を判断し、イベント感知信号を出力するイベント決定部と、イベント保存区間の間は上記イベント感知信号を保存し、上記イベント保存区間が満了すると、保存された上記イベント感知信号を出力するイベント出力部と、を含むことができる。
本発明の一実施形態によると、ビジョンセンサーの性能を改善させ、ビジョンセンサーで発生する可能性があるエラーを除去することができる方案を提供する。
本発明の多様且つ有益な長所及び効果は、上述した内容に限定されず、本発明の具体的な実施形態を説明する過程でより容易に理解されることができる。
本発明の一実施形態によるビジョンセンサーを示すブロック図である。 図1に示されたピクセルアレイを構成するピクセルを示す図である。 オンイベントが発生した場合、図2に示されたピクセルにおけるスイッチのターンオフ時の情報保持性能を示す図である。 オンイベントが発生していない場合、図2に示されたピクセルにおけるスイッチのターンオフ時の情報保持性能を示す図である。 図2に示されたイベント出力部の他の実施例を示す図である。 図2に示されたイベント出力部のさらに他の実施例を示す図である。 本発明の一実施形態によるビジョンセンサーの動作タイミングダイアグラムである。 本発明の一実施形態によるビジョンセンサーの動作タイミングダイアグラムである。 本発明の一実施形態によるビジョンセンサーの動作タイミングダイアグラムである。
以下、添付の図面を参照して、本発明の好ましい実施形態を以下のように説明する。
図1は本発明の一実施形態によるビジョンセンサーを示すブロック図である。
図1を参照すると、本発明の一実施形態によるビジョンセンサー1は、ピクセル駆動回路10及びピクセルアレイ20を含むことができる。ここで、ビジョンセンサー1は、ダイナミックビジョンセンサー(Dynamic vision sensor;DVS)であり、DVSは、光の変化を感知して、これをもとに出力を生成する。DVSのピクセルサイズは、RGB画像を生成するイメージセンサーのピクセルサイズよりも少なくとも3倍以上大きくてもよく、DVSの解像度はイメージセンサーの解像度よりも低い。
ここで、ピクセルアレイ20は、マトリックス状に配置される複数のピクセルを含むことができる。それぞれのピクセルは、光電素子及びピクセル回路を含むことができ、ピクセルについては図2を参照して具体的に説明する。
ピクセル駆動回路10は、ピクセルアレイ20を構成するそれぞれのピクセルのイベント発生の有無を検出するためのものであって、カラムドライバ11、ロードライバ12、コントローラ13、及びアドレス生成器14を含んで構成されることができる。
カラムドライバ11は、ピクセルアレイ20を構成する複数のカラムラインのうちいずれか一つを選択するための信号を生成して、ピクセルアレイ20に入力することができる。
ロードライバ12は、カラムドライバ11によって選択されたカラムラインに連結されたピクセルのそれぞれからイベント発生の有無を検出することができる。また、ロードライバ12は、カラムドライバ11が次に選択するカラムラインに連結されたピクセルからイベント発生の有無を検出するために、カラムドライバ11が現在選択したカラムラインに連結されたピクセルの情報をリセットする信号を生成して、ピクセルアレイ20に入力することができる。
コントローラ13は、カラムドライバ11及びロードライバ12の動作タイミングを制御することができる。また、コントローラ13は、カラムライン及びローラインと関係のない他の制御信号を生成することができる。
アドレス生成器14は、ピクセルアレイ20を構成するピクセルから検出したイベント発生の有無に基づいて、イベントが発生したピクセルのアドレスを生成して出力することができる。
本発明の一実施形態によると、上述したピクセル駆動回路10はデジタルブロックとして実現されることができる。すなわち、ピクセルアレイ20で発生するイベントを検出する回路、及びイベントの検出動作を制御する回路をともにデジタルブロックとして実現することができる。
このように、ピクセル駆動回路10をデジタルブロックとして実現する場合、アナログ回路とは異なり、レジスタの調整などにより、リードアウト時間やフレームレートなどの制限なく、ピクセル駆動回路10の動作を調整することができる。すなわち、カラムドライバ11及びロードライバ12がピクセルアレイ20から信号を検出する時間や、ピクセルアレイ20に信号を入力する時間などを独立的に調整することができる。これにより、ビジョンセンサー1の機能を多様に変形して実現することができる。
本発明の一実施形態によると、ロードライバ12は、シフトレジスタ(shift register)として実現されて、各ラインを選択するように実現されることもできる。
図2は図1に示されたピクセルアレイを構成するピクセルを示す図である。
図2を参照すると、本発明の一実施形態によるピクセル200は、電流リードアウト部210、イベント決定部220、イベントリセット部230、及びイベント出力部240を含んで構成されることができる。また、図2に示された各構成要素の回路図は、一例示に過ぎず、一般の技術水準において多様に変更されて実現されることもできる。
電流リードアウト部210は、光電素子PDに流れる電流IPDを検出して入力電圧VINを生成することができる。入力電圧VINは、イベント決定部220に印加されて、イベント発生の有無及び発生したイベントの種類を判断するのに用いられることができる。
ここで、イベントは、例えば、入射される光の明暗の変化などの動的入力を含むことができる。また、動的入力は、対象(Object)の動き、対象に投射される光の変化、又は対象によって発光される光の変化などによって発生することができる。
イベント決定部220は、入力電圧VINを用いて、イベント発生の有無及びイベントの種類を判断し、判断結果に応じてイベント感知信号を出力することができる。
一実施形態において、光電素子PDに流れる電流IPDが特定値以上に増加する場合、イベント決定部220は、オンイベント(On-Event)が発生したと判断することができる。オンイベントが発生した場合には、イベント決定部220のオンイベント感知信号ON_Pが活性化されることができる。
一実施形態において、光電素子PDに流れる電流IPDが特定値以下に減少する場合、イベント決定部220は、オフイベント(Off-Event)が発生したと判断することができる。オフイベントが発生した場合には、イベント決定部220のオフイベント感知信号OFF_Pが活性化されることができる。
オンイベント感知信号ON_P及びオフイベント感知信号OFF_Pのそれぞれは、イベント出力部240のオンイベント出力端ON及びオフイベント出力端OFFを介して出力されることができる。
イベントリセット部230は、リセット信号RSTに応じてピクセルを初期状態にリセットすることができる。
イベント出力部240は、イベント保存区間の間はイベント決定部220から出力されるイベント感知信号を保存し、イベント保存区間が満了してイベントホールド区間が到来すると、保存されたイベント感知信号を出力することができる。
一実施形態において、イベント出力部240は、オフイベント出力端OFFに連結されているノードN2と接地の間に連結されるオフ-キャパシタCOFFと、オンイベント出力端ONに連結されているノードN1と接地の間に連結されるオン-キャパシタCONと、を含むことができる。
また、オフ-キャパシタCOFF及びオン-キャパシタCONには、それぞれオフ-スイッチSWOFF及びオン-スイッチSWONを介してオフイベント感知信号OFF_P及びオンイベント感知信号ON_Pが入力されることができる。オフ-キャパシタCOFF及びオン-キャパシタCONは、イベント感知信号を保存する、一種のサンプリング回路として動作することができる。
一実施形態において、オフ-スイッチSWOFF及びオン-スイッチSWONがターンオンされる間には、すなわち、閉鎖状態では、イベント決定部220によって決定されたイベント発生情報がオフ-キャパシタCOFF及びオン-キャパシタCONに保存されることができる。スイッチ制御信号CTRに応じてオフ-スイッチSWOFF及びオン-スイッチSWONがターンオフされると、すなわち、開放状態では、ターンオフされる瞬間のイベント発生情報がオフ-キャパシタCOFF及びオン-キャパシタCONに保存される。これにより、ピクセルアレイ20を構成する複数のピクセルに含まれているオフ-スイッチSWOFF及びオン-スイッチSWONをともにターンオフすることにより、同一時点のイベント発生情報をキャパシタに保存することができる。
イベント出力部240のオンイベント出力端ON及びオフイベント出力端OFFの電圧によって各ピクセルのイベント発生の有無及びイベントの種類が決定されることができる。上述した実施形態では、オフイベント出力端OFF及びオンイベント出力端ONにそれぞれオフ-キャパシタCOFF及びオン-キャパシタCONが連結されており、それぞれのキャパシタCON、COFFに保存された情報は、スイッチSWOFF、SWONがターンオフされても一定の時間維持されることができるため、該当時間の間にすべてのピクセルをスキャンするグローバルシャッター動作を実現することができる。これにより、同一時点のイベント発生情報を処理することができ、画像の歪みを最小限に抑えることができる。
一方、上述した実施形態では、イベント感知信号を保存する手段として、オフ-キャパシタCOFF及びオン-キャパシタCONを例に挙げたが、キャパシタの他に、SRAMなどの記憶素子で代替されて実現されることもできる。
図3及び図4は図2に示されたピクセルにおけるスイッチのターンオフ時の情報保持性能を示す図であって、図3はオンイベントが発生した場合を示し、図4はオンイベントが発生していない場合を示す。
まず、図3を参照すると、時点t1以前に、図3(a)に示すように、オンイベントが発生することにより、イベント決定部220が出力するオンイベント感知信号ON_Pがロー(low)論理値からハイ(high)論理値に変化できることが分かる。
また、図3(c)に示されたハイ論理値を有するスイッチ制御信号CTRによってオフ-スイッチSWOFF及びオン-スイッチSWONがターンオンされることにより、図3(b)に示すように、オンイベント感知信号ON_Pによってオン-キャパシタCONが充電されることができる。
一方、オフイベント及びオンイベントがともに発生することはできないため、オフ-スイッチSWOFFのターンオン状態はオフ-キャパシタCOFFには影響を与えない。
図3(c)に示すように、時点t1以後に、スイッチ制御信号CTRがロー論理値に変更されることにより、オフ-スイッチSWOFF及びオン-スイッチSWONがターンオフされることができる。
図3(b)に示すように、オン-スイッチSWONがターンオフされた後も、オン-キャパシタCONは、時点t1以前に充電された電圧を維持することができるため、オン-キャパシタCONと連結されたオンイベント出力端ONも高い電圧値を維持することができる。時点t1を基準にオンイベント感知信号ON_Pが入力されないため、オン-キャパシタCONの電圧は、第1電位△V1の分だけ減少する可能性がある。しかし、第1電位△V1は、数十mVに過ぎない非常に小さい値であるため、オンイベント出力端ONを介してイベント出力部240が出力する電圧により、時点t1以後にもオンイベント発生状態を感知することができる。
次に、図4を参照すると、時点t2以前に、図4(a)に示すように、オンイベントが発生していない場合には、オンイベント感知信号ON_Pがハイ論理値からロー論理値に変化できることが分かる。
また、図4(c)に示されたハイ論理値を有するスイッチ制御信号CTRによってオフ-スイッチSWOFF及びオン-スイッチSWONがターンオンされることにより、図4(b)に示すように、オンイベント感知信号ON_PによってオンキャパシタCONが放電されることができる。
図4(c)に示すように、時点t2以後に、スイッチ制御信号CTRがロー論理値に変更されることにより、オフ-スイッチSWOFF及びオン-スイッチSWONがターンオフされることができる。
図4(b)に示すように、オン-スイッチSWONがターンオフされた後も、オン-キャパシタCONは、時点t2以前に放電された電圧を維持することができるため、オン-キャパシタCONと連結されたオンイベント出力端ONも低い電圧値を維持することができる。時点t2を基準にオンイベント感知信号ON_Pが入力されないため、オン-キャパシタCONの電圧は、第2電位△V2の分だけ減少する可能性がある。これにより、オンイベント出力端ONを介してイベント出力部240が出力する電圧により、時点t2以後にもオンイベントが発生していない状態を感知することができる。
図5は図2に示されたイベント出力部の他の実施例を示す図である。
図5に示すように、イベント出力部240’は、イベント感知信号を保存する回路を、第1及び第2キャパシタCOFF1、COFF2、CON1、CON2と、入力電圧VDDが印加されるスイッチング素子とで実現することができる。
具体的には、オフイベント出力端OFFに連結されているノードN2と接地の間に連結される第1オフ-キャパシタCOFF1と、オフ-スイッチSWOFFに連結されているノードN2’と接地の間に連結される第2オフ-キャパシタCOFF2と、ノードN2、N2’の間に連結されるスイッチング素子と、を含むことができ、スイッチング素子には入力電圧VDDが印加されることができる。
同様に、オンイベント出力端ONに連結されているノードN1と接地の間に連結される第1オン-キャパシタCON1と、オン-スイッチSWONに連結されているノードN1’と接地の間に連結される第2オン-キャパシタCON2と、ノードN1、N1’の間に連結されるスイッチング素子と、を含むことができ、スイッチング素子には入力電圧VDDが印加されることができる。
図5に示すように、イベント出力部240’を実現する場合、オフ-スイッチSWOFF及びオン-スイッチSWONがターンオフされても、スイッチング素子により、第1オフ-キャパシタCOFF1又は第1オン-キャパシタCON1における電圧損失を最小限に抑えることができる。
図6は図2に示されたイベント出力部のさらに他の実施例を示す図である。
図6に示すように、イベント出力部240’’は、イベント感知信号を保存する回路を、第1及び第2キャパシタCOFF1、COFF2、CON1、CON2と、第1及び第2スイッチSWOFF1、SWOFF2、SWON1、SWON2とで実現することができる。
具体的には、オフイベント出力端OFFに連結されているノードN2と接地の間に連結される第1オフ-キャパシタCOFF1と、第2オフ-スイッチSWOFF2に連結されているノードN2’と接地の間に連結される第2オフ-キャパシタCOFF2と、ノードN2、N2’の間に連結される第1オフ-スイッチSWOFF1と、を含むことができ、第1及び第2オフ-スイッチSWOFF1、SWOFF2は、制御信号CTRに応じてともにターンオフされることができる。
同様に、オンイベント出力端ONに連結されているノードN1と接地の間に連結される第1オン-キャパシタCON1と、第2オン-スイッチSWON2に連結されているノードN1’と接地の間に連結される第2オン-キャパシタCON2と、ノードN1、N1’の間に連結される第1オン-スイッチSWON1と、を含むことができ、第1及び第2オン-スイッチSWON1、SWON2は、制御信号CTRに応じてともにターンオフされることができる。
図6に示すように、イベント出力部240’’においてキャパシタとスイッチを2段で実現することにより、第1オフ-キャパシタCOFF1又は第1オン-キャパシタCON1における電圧損失を最小限に抑えることができる。
図7~図9は本発明の一実施形態によるビジョンセンサーの動作タイミングダイアグラムである。図7~図9に示された動作タイミングダイアグラムは、図1に示されたピクセル駆動回路10の動作を説明するための一例示であるだけであり、ピクセル駆動回路10は図7~図9に示された動作タイミングと異なるタイミングで動作することもできる。
図7を参照すると、図7(a)に示すように、オフ-スイッチSWOFF及びオン-スイッチSWONを制御するスイッチ制御信号CTRは、イベント保存区間の間はハイ論理値、イベントホールド区間の間はロー論理値を有することができることが分かる。
これにより、イベント状態を保存するイベント保存区間の間は、オフ-スイッチSWOFF及びオン-スイッチSWONがターンオンされて、オフ-キャパシタCOFF及びオン-キャパシタCONにイベント発生状態に関する情報を保存することができる。
イベント保存区間が経過し、イベントホールド区間が到来すると、スイッチ制御信号CTRによってオフ-スイッチSWOFF及びオン-スイッチSWONがターンオフされることができる。イベントホールド区間の間は、イベント出力部240のオンイベント出力端ON及びオフイベント出力端OFFの電圧は、オフ-キャパシタCOFF及びオン-キャパシタCONのそれぞれの電圧によって決定されることができる。
一方、図7(b)に示すように、リセット信号RSTは、リセット区間においてハイ論理値を有することができる。リセット信号RSTがハイ論理値を有するリセット区間の間はピクセルがすべて初期状態にリセットされることができる。
図7に示すように、イベントホールド区間が到来して、オフ-キャパシタCOFF及びオン-キャパシタCONによってイベント出力部240のオンイベント出力端ON及びオフイベント出力端OFFが継続的にイベント状態を示す電圧を出力する間に、リセット区間が開始され、ピクセルのリセットが行われることができる。
上述した実施形態によると、すべてのピクセルを同時にスキャンするグローバルシャッター機能を実現するとともに、リードアウト時間を十分に確保することができるため、速い動きを有する対象(Object)のイベント情報を正確に生成することができるようになる。
図8を参照すると、まず、コントローラ13は、グローバルホールドのための信号(global hold)、及びグローバルリセットのための信号(global reset)のうち少なくとも一つを生成することができる。例えば、ピクセルから信号をリードアウトする区間(Pixel Read Time)が到来する前の区間T3の間にグローバルリセット動作が行われることができ、特に区間T3に属する区間T2の間にグローバルリセット動作が行われることができる。
ここで、グローバルホールドとは、図2に示されたピクセルのように、イベント出力部が、イベント感知信号を保存するためのキャパシタと、上記キャパシタにそれぞれ連結されたスイッチとを含む場合に、スイッチをターンオフしてターンオフ時点のイベント感知信号をキャパシタに保存することを意味し、グローバルリセットとは、ピクセルアレイを構成するすべてのピクセルの情報をリセットすることを意味する。
一方、図8に示された動作タイミングとは異なり、図9に示すように、ピクセルから信号をリードアウトする区間(Pixel Read Time)が到来した後、区間T2の間にグローバルリセット動作が行われることもできる。
場合によっては、グローバルホールド及びグローバルリセットの動作を行わなくてもよい。この場合、コントローラ13は、グローバルホールドのための信号(global hold)及びグローバルリセットのための信号(global reset)を非活性化することができる。
ピクセルリードアウト動作が開始されると、カラムドライバ11は、SELX信号に応じてピクセルアレイ20から任意のカラムラインを選択することができ、ロードライバ12は、カラムドライバ11が選択したカラムラインに連結されたピクセルのそれぞれからイベント発生の有無を感知することができる。
一実施形態において、ピクセルアレイ20は、640×480の解像度を有することができる。この場合、カラムドライバ11は、0番のカラムライン~639番のカラムラインを一つずつ選択することができ、ロードライバ12は、選択されたカラムラインに連結された480個のピクセルからイベント発生の有無をそれぞれ検出することができる。ピクセルアレイ20の解像度は、実施形態によって多様に変形されることができる。
カラムドライバ11は、図8に示すように、0番目のカラムラインから順にカラムラインを一つずつ選択することができる。しかし、カラムドライバ11のスキャン順序が必ずしもこれに制限されるものではなく、例えば、カラムラインをランダムに一つずつ選択するか、又は既に決定されたルールに基づいてカラムラインを一つずつ選択することもできる。
図8に示された実施形態において、カラムドライバ11は、区間TSEL2AYの間に0番目のカラムラインを選択し、ロードライバ12は、0番目のカラムラインに連結されたピクセルからイベント発生の有無を示すイベント感知信号を受信することができる。
ロードライバ12は、イベント感知信号をアドレス生成器14に伝送し、アドレス生成器14は、イベント感知信号を用いて、イベントが発生したピクセルのアドレスやイベントの種類などを所定のフォーマットのデータに変換して後段のデジタル回路に出力することができる。
一方、ロードライバ12は、区間TAYの間に、0番目のカラムラインに連結されたピクセルの情報をリセットするためのAY信号を出力することができる。一実施形態において、ロードライバ12は、イベントが発生したピクセルに対してのみにAY信号を出力することもできる。これは、イベントが発生していないピクセルの場合はリセットする必要がないためである。或いは、次のフレーム周期が到来して0番目のカラムラインが再びスキャンされたとき、イベントが検出される必要があるピクセルがAY信号によって前もってリセットされることを防止するためである。
また、ロードライバ12は、カラムドライバ11が次のカラムライン、すなわち、1番目のカラムラインを選択する前に、区間Tの間にR信号を出力して、ピクセルを初期状態(initial state)とすることができる。一実施形態において、ロードライバ12は、イベントが発生していないと判定されたピクセルのみにR信号を出力することができる。これにより、イベントが発生していないピクセルが、プルアップ(pull-up)又はプルダウン(pull-down)などの初期状態となることができる。
以上、本発明の実施形態について詳細に説明したが、本発明の技術的範囲はこれに限定されず、特許請求の範囲に記載された本発明の技術的思想から外れない範囲内で多様な修正及び変形が可能であるということは、当技術分野の通常の知識を有する者には明らかである。
1 ビジョンセンサー
10 ピクセル駆動回路
11 カラムドライバ
12 ロードライバ
13 コントローラ
14 アドレス生成器
20 ピクセルアレイ
200 ピクセル
210 電流リードアウト部
220 イベント決定部
230 イベントリセット部
240 イベント出力部

Claims (21)

  1. 光電素子と、
    前記光電素子に流れる電流を検出して入力電圧を生成する電流リードアウト部と、
    前記入力電圧を用いて、イベント発生の有無及びイベントの種類を判断し、イベント感知信号を出力するイベント決定部と、
    イベント保存区間の間は前記イベント感知信号を保存し、前記イベント保存区間が満了すると、保存された前記イベント感知信号を出力するイベント出力部と、を含む、ピクセル。
  2. 前記イベント出力部は、
    イベント出力端に連結され、前記イベント感知信号を保存する保存部と、
    前記保存部と前記イベント感知信号の入力端の間に連結されるスイッチ部と、を含む、請求項1に記載のピクセル。
  3. 前記イベント出力部は、
    前記スイッチ部が閉鎖状態であるときに、前記イベント感知信号を前記保存部に保存し、
    前記スイッチ部が開放状態であるときに、前記保存部に保存された前記イベント感知信号を前記イベント出力端を介して出力する、請求項2に記載のピクセル。
  4. 前記保存部は、
    オンイベント出力端に連結されている第1ノードと接地の間に連結されるオンキャパシタと、
    オフイベント出力端に連結されている第2ノードと接地の間に連結されるオフキャパシタと、を含む、請求項2又は3に記載のピクセル。
  5. 前記スイッチ部は、
    前記オンキャパシタとオンイベント感知信号の入力端の間に連結されるオンスイッチと、
    前記オフキャパシタとオフイベント感知信号の入力端の間に連結されるオフスイッチと、を含む、請求項4に記載のピクセル。
  6. 前記保存部は、
    オンイベント出力端に連結されている第1ノードと接地の間に連結される第1オン-キャパシタと、
    オン-スイッチに連結されている第3ノードと接地の間に連結される第2オン-キャパシタと、
    前記第1ノードと前記第3ノードの間に連結される第1スイッチング素子と、
    オフイベント出力端に連結されている第2ノードと接地の間に連結される第1オフ-キャパシタと、
    オフ-スイッチに連結されている第4ノードと接地の間に連結される第2オフ-キャパシタと、
    前記第2ノードと前記第4ノードの間に連結される第2スイッチング素子と、を含む、請求項2又は3に記載のピクセル。
  7. 前記保存部は、
    オンイベント出力端に連結されている第1ノードと接地の間に連結される第1オン-キャパシタと、
    第2オン-スイッチに連結されている第3ノードと接地の間に連結される第2オン-キャパシタと、
    前記第1ノードと前記第3ノードの間に連結されている第1オン-スイッチと、
    オフイベント出力端に連結されている第2ノードと接地の間に連結される第1オフ-キャパシタと、
    第2オフ-スイッチに連結されている第4ノードと接地の間に連結される第2オフ-キャパシタと、
    前記第2ノードと前記第4ノードの間に連結される第1オフ-スイッチと、を含む、請求項2又は3に記載のピクセル。
  8. 前記イベント決定部は、前記光電素子に流れる電流が既に設定された値以上に増加すると、オンイベント感知信号を活性化する、請求項1乃至7のいずれか一項に記載のピクセル。
  9. 前記イベント決定部は、前記光電素子に流れる電流が既に設定された値以下に減少すると、オフイベント感知信号を活性化する、請求項1乃至8のいずれか一項に記載のピクセル。
  10. 入力されたリセット信号に応じて前記ピクセルを初期状態にリセットするイベントリセット部をさらに含む、請求項1乃至9のいずれか一項に記載のピクセル。
  11. ピクセルアレイを構成する複数のカラムラインのうちいずれか一つを選択するための信号を生成するカラムドライバと、
    前記カラムドライバによって選択されたカラムラインに連結されたピクセルのそれぞれからイベント発生の有無を検出するロードライバと、
    前記カラムドライバ及び前記ロードライバの動作タイミングを制御するコントローラと、
    前記ロードライバにより検出したイベント発生の有無を基礎にイベントが発生したピクセルのアドレスを生成して出力するアドレス生成器と、を含み、
    デジタルブロックとして実現される、ピクセル駆動回路。
  12. 前記ロードライバは、前記カラムドライバが現在選択したカラムラインに連結されたピクセルの情報をリセットするリセット信号を生成して、前記ピクセルアレイに入力する、請求項11に記載のピクセル駆動回路。
  13. 前記ロードライバは、前記カラムドライバが現在選択したカラムラインに連結されたピクセルのうち、イベントが発生したピクセルに対してのみに前記リセット信号を入力する、請求項12に記載のピクセル駆動回路。
  14. 前記ロードライバは、前記カラムドライバが次のカラムラインを選択する前に、現在選択したカラムラインに連結されたピクセルをプルアップ又はプルダウンする信号を生成する、請求項11に記載のピクセル駆動回路。
  15. 前記ロードライバは、前記カラムドライバが現在選択したカラムラインに連結されたピクセルのうち、イベントが発生していないピクセルに対してのみに前記信号を入力する、請求項14に記載のピクセル駆動回路。
  16. 前記ロードライバは、シフトレジスタ(shift register)を含み、複数のカラムラインのうちそれぞれを選択するように構成される、請求項11に記載のピクセル駆動回路。
  17. 前記コントローラは、
    前記ピクセルアレイを構成する複数のピクセルにそれぞれ含まれる複数のスイッチを同時に開放して、複数のピクセルのそれぞれによるイベント感知信号を保存するようにするグローバルホールド信号、及び前記ピクセルアレイを構成する複数のピクセルの情報をリセットするようにするグローバルリセット信号のうち少なくとも一つを生成する、請求項11乃至16のいずれか一項に記載のピクセル駆動回路。
  18. 前記コントローラは、前記グローバルホールド信号及び前記グローバルリセット信号を非活性化状態にする、請求項17に記載のピクセル駆動回路。
  19. マトリックス状に配置される複数のピクセルを含むピクセルアレイと、
    前記ピクセルアレイを構成するそれぞれのピクセルのイベント発生の有無を検出するピクセル駆動回路と、を含み、
    前記複数のピクセルのそれぞれは、
    光電素子と、
    前記光電素子に流れる電流を検出して入力電圧を生成する電流リードアウト部と、
    前記入力電圧を用いて、イベント発生の有無及びイベントの種類を判断して、イベント感知信号を出力するイベント決定部と、
    イベント保存区間の間は前記イベント感知信号を保存し、前記イベント保存区間が満了すると、保存された前記イベント感知信号を出力するイベント出力部と、を含む、ビジョンセンサー。
  20. 前記イベント出力部は、
    イベント出力端に連結され、前記イベント感知信号を保存する保存部と、
    前記保存部と前記イベント感知信号の入力端の間に連結されるスイッチ部と、を含む、請求項19に記載のビジョンセンサー。
  21. 前記イベント出力部は、
    前記スイッチ部が閉鎖状態であるときに、前記イベント感知信号を前記保存部に保存し、
    前記スイッチ部が開放状態であるときに、前記保存部に保存された前記イベント感知信号を前記イベント出力端を介して出力する、請求項20に記載のビジョンセンサー。
JP2018028858A 2017-03-08 2018-02-21 ピクセル、ピクセル駆動回路、及びこれを含むビジョンセンサー Active JP6998233B2 (ja)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20170029687 2017-03-08
KR10-2017-0029687 2017-03-08
KR10-2017-0080596 2017-06-26
KR1020170080596A KR102282140B1 (ko) 2017-03-08 2017-06-26 픽셀, 픽셀 구동 회로 및 이를 포함하는 비전 센서

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2018148553A JP2018148553A (ja) 2018-09-20
JP6998233B2 true JP6998233B2 (ja) 2022-01-18

Family

ID=63445511

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2018028858A Active JP6998233B2 (ja) 2017-03-08 2018-02-21 ピクセル、ピクセル駆動回路、及びこれを含むビジョンセンサー

Country Status (3)

Country Link
US (1) US10516841B2 (ja)
JP (1) JP6998233B2 (ja)
CN (1) CN108574809B (ja)

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020066432A1 (ja) * 2018-09-28 2020-04-02 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 固体撮像素子、固体撮像素子の制御方法および電子機器
JP2020088676A (ja) * 2018-11-28 2020-06-04 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 センサ及び制御方法
JP7175730B2 (ja) * 2018-12-05 2022-11-21 株式会社ソニー・インタラクティブエンタテインメント 信号処理装置、電子機器、センサ装置、信号処理方法およびプログラム
KR102656177B1 (ko) * 2019-02-11 2024-04-12 삼성전자주식회사 신호를 축적하기 위한 센서
JP2020136958A (ja) * 2019-02-21 2020-08-31 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 イベント信号検出センサ及び制御方法
CN113632453A (zh) * 2019-03-27 2021-11-09 苹果公司 具有多个功率状态的传感器架构的硬件实现方式
JP7298277B2 (ja) * 2019-04-25 2023-06-27 トヨタ自動車株式会社 イベントカメラ
WO2020218236A1 (ja) * 2019-04-26 2020-10-29 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 イベント検出装置、イベント検出装置を備えるシステムおよびイベント検出方法
US20220108551A1 (en) * 2019-06-25 2022-04-07 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Global motion suppression in an event-driven camera
CN114073070A (zh) * 2019-06-25 2022-02-18 索尼互动娱乐股份有限公司 系统、信息处理设备、信息处理方法和程序
EP3993398A4 (en) 2019-06-26 2023-01-25 Sony Interactive Entertainment Inc. INFORMATION PROCESSING SYSTEM, DEVICE AND METHOD, AND PROGRAM
EP3993403A4 (en) 2019-06-27 2023-04-26 Sony Interactive Entertainment Inc. SENSOR CONTROL UNIT, SENSOR CONTROL METHOD AND PROGRAM
JP2023037041A (ja) * 2020-02-18 2023-03-15 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 撮像回路および撮像装置
CN111770245B (zh) * 2020-07-29 2021-05-25 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 一种类视网膜图像传感器的像素结构
KR20220108608A (ko) 2021-01-27 2022-08-03 삼성전자주식회사 비전 센서 및 이를 포함하는 이미지 처리 장치
CN113365004B (zh) * 2021-06-07 2022-03-29 豪威芯仑传感器(上海)有限公司 一种像素采集电路及图像传感器
JP2023003308A (ja) 2021-06-23 2023-01-11 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 撮像装置、電子機器、および光検出方法
CN113747090B (zh) * 2021-09-01 2022-09-30 豪威芯仑传感器(上海)有限公司 一种像素采集电路及图像传感器

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007527510A (ja) 2003-07-12 2007-09-27 ラジエーション・ウォッチ・リミテッド 電離放射線検出装置
JP2009508085A (ja) 2005-06-03 2009-02-26 ウニヴェルズィテート チューリッヒ 時間依存性の画像データを検出するフォトアレイ
JP2015501936A (ja) 2011-12-19 2015-01-19 ウニヴェルズィテート チューリッヒ サンプル抽出された輝度の検知と時間依存性の画像データの非同期検出との同時実施などのためのフォトアレイ
JP2015198361A (ja) 2014-04-01 2015-11-09 キヤノン株式会社 撮像装置及びその制御方法、プログラム、記憶媒体

Family Cites Families (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6253161B1 (en) 1997-07-10 2001-06-26 Universite Laval Integrated motion vision sensor
JP4288346B2 (ja) 2003-08-19 2009-07-01 国立大学法人静岡大学 撮像装置及び画素回路
US8032416B2 (en) 2003-12-01 2011-10-04 Incard Sa Method for the decomposition in modules of smart-card event-driven applications
JP4243688B2 (ja) 2004-04-02 2009-03-25 国立大学法人静岡大学 増幅型固体撮像装置
JP4770168B2 (ja) 2004-12-17 2011-09-14 株式会社ニコン 走査変換装置、および電子カメラ
US20070107038A1 (en) 2005-11-10 2007-05-10 Martin Aronsson Methods and devices for presenting data
US7804426B2 (en) 2006-05-08 2010-09-28 Drivecam, Inc. System and method for selective review of event data
JP4914182B2 (ja) 2006-11-15 2012-04-11 キヤノン株式会社 データ処理装置、当該データ処理装置の制御方法、並びに当該制御方法をコンピュータに実行させるためのコンピュータプログラム
JP2010171666A (ja) 2009-01-21 2010-08-05 Panasonic Corp 固体撮像素子の駆動方法および固体撮像素子
KR101544914B1 (ko) 2009-02-12 2015-08-17 삼성전자주식회사 보간 픽셀을 생성하는 방법
SG10201602262WA (en) * 2010-12-23 2016-05-30 Geneius Biotechnology Investments Llc Clinical outcome-dependent medical intervention cost reimbursement system
EP2579575A1 (en) * 2011-10-06 2013-04-10 FEI Company Method for acquiring data with an image sensor
JP2013225734A (ja) 2012-04-20 2013-10-31 Sony Corp 固体撮像装置および電子機器
EP2672386A3 (en) 2012-06-08 2016-07-20 Samsung Electronics Co., Ltd Apparatus and method for processing asynchronous event information
KR101887988B1 (ko) 2012-07-03 2018-08-14 삼성전자 주식회사 이미지 센서 칩, 이의 동작 방법, 및 이를 포함하는 시스템
DE102013110695A1 (de) 2012-10-02 2014-04-03 Samsung Electronics Co., Ltd. Bildsensor, Verfahren zum Betreiben desselben und Bildverarbeitungssystem mit demselben
JP6374869B2 (ja) * 2012-10-05 2018-08-15 ラムバス・インコーポレーテッド 条件付きリセットのマルチビット読み出しイメージセンサ
JP5604700B2 (ja) 2012-10-29 2014-10-15 弘一 関根 動き検出用撮像装置、動き検出カメラおよび動き検出システム
KR20140056986A (ko) * 2012-11-02 2014-05-12 삼성전자주식회사 모션 센서 어레이 장치, 상기 모선 센서 어레이를 이용한 거리 센싱 시스템, 및 거리 센싱 방법
US9628738B2 (en) * 2013-01-31 2017-04-18 Nanyang Technological University Motion detection image sensors and methods for controlling a motion detection image sensor
KR102081087B1 (ko) 2013-06-17 2020-02-25 삼성전자주식회사 동기적 영상과 비동기적 영상을 위한 영상 정합 장치 및 이미지 센서
KR102054774B1 (ko) 2013-09-10 2019-12-11 삼성전자주식회사 동적 비전 센서, 조도 센서, 및 근접 센서 기능을 구비한 이미지 장치
EP3047647B1 (en) 2013-09-16 2020-05-27 Prophesee Dynamic, single photodiode pixel circuit and operating method thereof
JP6483725B2 (ja) * 2014-04-07 2019-03-13 サムスン エレクトロニクス カンパニー リミテッド 光学的イベントを感知する方法とそのための光学的イベントセンサ、及び距離測定モバイル装置
FR3020699A1 (fr) 2014-04-30 2015-11-06 Centre Nat Rech Scient Procede de suivi de forme dans une scene observee par un capteur asynchrone de lumiere
WO2015192062A1 (en) * 2014-06-12 2015-12-17 The University Of North Carolina At Chapel Hill Camera sensor with event token based image capture and reconstruction
US20160011654A1 (en) * 2014-07-14 2016-01-14 Samsung Electronics Co., Ltd. Interfacing apparatus and user input processing method
US9846677B2 (en) 2014-09-16 2017-12-19 Qualcomm Incorporated Event-based spatial transformation
US10147024B2 (en) 2014-09-16 2018-12-04 Qualcomm Incorporated Interfacing an event based system with a frame based processing system
US9967500B2 (en) 2014-09-29 2018-05-08 Samsung Electronics Co., Ltd. Systems and methods of selective output for reducing power
US9554100B2 (en) 2014-09-30 2017-01-24 Qualcomm Incorporated Low-power always-on face detection, tracking, recognition and/or analysis using events-based vision sensor
US10728450B2 (en) 2014-09-30 2020-07-28 Qualcomm Incorporated Event based computer vision computation
US20160093273A1 (en) 2014-09-30 2016-03-31 Samsung Electronics Co., Ltd. Dynamic vision sensor with shared pixels and time division multiplexing for higher spatial resolution and better linear separable data
US10043064B2 (en) 2015-01-14 2018-08-07 Samsung Electronics Co., Ltd. Method and apparatus of detecting object using event-based sensor
KR102402678B1 (ko) 2015-03-18 2022-05-26 삼성전자주식회사 이벤트 기반 센서 및 프로세서의 동작 방법
JPWO2017013806A1 (ja) * 2015-07-23 2018-05-10 オリンパス株式会社 固体撮像装置
JP6558998B2 (ja) 2015-07-28 2019-08-14 キヤノン株式会社 撮像装置
KR102523136B1 (ko) 2015-09-01 2023-04-19 삼성전자주식회사 이벤트 기반 센서 및 이벤트 기반 센서의 픽셀
WO2017149433A1 (en) * 2016-03-03 2017-09-08 Insightness Ag An event-based vision sensor
US10129495B2 (en) * 2016-03-25 2018-11-13 Qualcomm Incorporated Apparatus and method for generating local binary patterns (LBPS)

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007527510A (ja) 2003-07-12 2007-09-27 ラジエーション・ウォッチ・リミテッド 電離放射線検出装置
JP2009508085A (ja) 2005-06-03 2009-02-26 ウニヴェルズィテート チューリッヒ 時間依存性の画像データを検出するフォトアレイ
JP2015501936A (ja) 2011-12-19 2015-01-19 ウニヴェルズィテート チューリッヒ サンプル抽出された輝度の検知と時間依存性の画像データの非同期検出との同時実施などのためのフォトアレイ
JP2015198361A (ja) 2014-04-01 2015-11-09 キヤノン株式会社 撮像装置及びその制御方法、プログラム、記憶媒体

Also Published As

Publication number Publication date
US20180262703A1 (en) 2018-09-13
JP2018148553A (ja) 2018-09-20
US10516841B2 (en) 2019-12-24
CN108574809B (zh) 2022-04-05
CN108574809A (zh) 2018-09-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6998233B2 (ja) ピクセル、ピクセル駆動回路、及びこれを含むビジョンセンサー
CN104869330B (zh) 光电转换装置和图像捕获系统
KR100975872B1 (ko) 광 감지 장치, 회로 및 광 감지 회로 구동 방법
US8872938B2 (en) Sense amplifier including negative capacitance circuit and apparatuses including same
JP2000217037A (ja) 画素内局所露光制御機能を有するcmosアクティブピクセルセンサ
CN110650303B (zh) 图像传感器、像素阵列和图像传感器的操作方法
KR102282140B1 (ko) 픽셀, 픽셀 구동 회로 및 이를 포함하는 비전 센서
US9848154B2 (en) Comparator with correlated double sampling scheme and operating method thereof
US11102439B2 (en) Image sensor employing avalanche diode and pixel circuit and operating method thereof
US8159583B2 (en) Correlated double sampling unit in image sensor with attenuation of parasitic voltage loss
JP2004312472A (ja) 固体撮像装置及び撮像方法
US7598481B2 (en) CMOS image sensor and method of driving the same
US8493350B2 (en) Touch panel using a light sensing method, method for detecting a touch location, and recording medium storing program to execute the method
CN114449187A (zh) 图像传感器以及图像感测方法
US9774808B2 (en) Driving method for photoelectric conversion apparatus, photoelectric conversion apparatus, and imaging system
US11627267B2 (en) Image sensor
US20230013026A1 (en) Image sensor with controlled spad avalanche
KR20140010718A (ko) Cmos 이미지 센서를 위한 램프 신호 생성기
CN106716517B (zh) 用于运行双向显示器的方法
KR102563775B1 (ko) 그룹 선택 회로와 그를 이용한 컬럼 리드아웃 장치 및 그 방법
US7250592B2 (en) Image sensor with improved sensitivity and method for driving the same
US20190281244A1 (en) Single-slope comparison device with high resolution and low noise and cmos image sensor including the same
US8456556B2 (en) Sensing pixel arrays and sensing devices using the same
US6563103B1 (en) Image sensor and method of operating an image sensor
US11223779B2 (en) Image sensing device and operating method thereof

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20210104

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20211025

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20211130

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20211220

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6998233

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150