JP6989587B2 - 基板キャリア - Google Patents

基板キャリア Download PDF

Info

Publication number
JP6989587B2
JP6989587B2 JP2019500665A JP2019500665A JP6989587B2 JP 6989587 B2 JP6989587 B2 JP 6989587B2 JP 2019500665 A JP2019500665 A JP 2019500665A JP 2019500665 A JP2019500665 A JP 2019500665A JP 6989587 B2 JP6989587 B2 JP 6989587B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate carrier
substrate
carrier according
substantially flat
holding elements
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2019500665A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2019522370A (ja
Inventor
ヴィジャイ ディー パルケ
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Applied Materials Inc
Original Assignee
Applied Materials Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Applied Materials Inc filed Critical Applied Materials Inc
Publication of JP2019522370A publication Critical patent/JP2019522370A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6989587B2 publication Critical patent/JP6989587B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68728Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a plurality of separate clamping members, e.g. clamping fingers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/673Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
    • H01L21/67346Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders characterized by being specially adapted for supporting a single substrate or by comprising a stack of such individual supports
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H01L21/6773Conveying cassettes, containers or carriers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68721Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge clamping, e.g. clamping ring
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68735Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge profile or support profile
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68757Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a coating or a hardness or a material
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68764Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a movable susceptor, stage or support, others than those only rotating on their own vertical axis, e.g. susceptors on a rotating caroussel
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68771Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by supporting more than one semiconductor substrate
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68785Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support

Description

本開示の実施形態は、一般に、基板処理機器に関する。
処理される基板は、一度に複数の基板の搬送を可能にするキャリアを使用して、異なるチャンバおよび領域に搬送される。2〜6インチの基板が使用される、発光ダイオード(LED)用途のためのアルミニウム窒化物堆積において使用されるそのような1つのキャリアは、300mmのシリコンウエハキャリアである。シリコンウエハキャリアは、基板を運ぶためにポケットが機械加工された単結晶シリコンから形成されている。しかしながら、シリコンウエハキャリアは、処理、洗浄、および/または改修中に破損する傾向がある。代替として、炭化ケイ素(SiC)ウエハがシリコンウエハよりも約40%高密度であるため、SiCウエハキャリアが使用されることがある。しかしながら、密度が増加するため、SiCウエハは、より重くなり、したがって、SiCウエハが配置される基板支持体を損傷する可能性がある。SiCウエハキャリアは、ポケット形成に起因するキャリア内の応力のために破損する可能性もある。
したがって、本発明者らは、本明細書に開示されるような改善された基板キャリアの実施形態を提供した。
基板キャリアおよびその製造方法の実施形態が本明細書に提供される。一部の実施形態では、基板キャリアは、実質的に平面の本体と、本体の表面上に配置された複数の保持要素と、を備え、複数の保持要素が本体の表面上に複数の基板を保持するように構成され、複数の保持要素が複数の基板のそれぞれの対応する位置の周りに配置された少なくとも3つの保持要素を含む。
一部の実施形態では、基板キャリアは、下部層上に積み重ねられた上部層から形成された実質的に平面の本体と、それぞれが基板を支持するためのポケットを取り囲む支持面を含む、実質的に平面の本体に形成された複数のポケットと、を含む。
一部の実施形態では、基板キャリアは、炭化ケイ素層上に積み重ねられたモリブデン層から形成された実質的に平面の本体と、それぞれが基板を支持するためのポケットを取り囲む支持面を含む、実質的に平面の本体に形成された複数のポケットと、を含み、炭化ケイ素層が炭化ケイ素層を貫いて形成された2つ以上の孔を含み、モリブデン層がモリブデン層の下面から2つ以上の孔内へ延出する2つ以上の対応する突起部を含む。
本開示の他のおよびさらなる実施形態が以下に記載される。
上で簡単に要約され、以下でより詳細に論じられる本開示の実施形態は、添付図面に表された本開示の例示的な実施形態を参照することによって理解され得る。しかしながら、添付図面は、本開示の典型的な実施形態のみを示し、したがって、範囲を限定していると考えられるべきではなく、その理由は本開示が他の等しく効果的な実施形態を受け入れることができるためである。
本開示の一部の実施形態による基板キャリアの概略等角図である。 本開示の一部の実施形態による線2−2’に沿ってとられた図1の基板キャリアの断面図である。 本開示の一部の実施形態による線2−2’に沿ってとられた図1の基板キャリアの断面図である。 本開示の一部の実施形態による基板キャリアの概略上面図である。 線B−B’に沿ってとられた図4Aの基板キャリアの断面図である。 本開示の一部の実施形態による基板キャリアの概略上面図である。 線B−B’に沿ってとられた図5Aの基板キャリアの断面図である。 本開示の一部の実施形態による基板キャリアの概略上面図である。 線B−B’に沿ってとられた図6Aの基板キャリアの断面図である。
理解を容易にするために、各図に共通の同一の要素を指定するために、可能な場合は、同一の参照数字が使用された。図は、縮尺通りには描かれておらず、明瞭にするために簡略化されることがある。一実施形態の要素および特徴は、さらに詳説することなく他の実施形態に有益に組み込まれてもよい。
基板キャリアの実施形態が本明細書に提供される。本発明の基板キャリアは、ポケットを有しない基板キャリアの表面上に保持要素を配置または形成することによって、基板キャリアにポケットを形成することに関連付けられた応力を有利に低減または排除する。
図1は、本開示の一部の実施形態による基板キャリア100を示す。一部の実施形態では、基板キャリア100は、実質的に平面の本体102と、本体102の表面上に配置されて表面上に1つまたは複数の基板106、107(ファントムで示す)を保持する複数の保持要素104と、を含む。一部の実施形態では、本体102は、シリコン、炭化ケイ素、またはモリブデンから形成されてもよい。本体102は、約750μm〜約1,000μmの厚さを有することができる。一部の実施形態では、本体102は、約300mmの直径を有することができるが、他の直径が使用されてもよい。複数の保持要素104は、本体102の表面と実質的に平行な方向への基板106、107の動きを防止する。基板106、107が確実に適所にちゃんと保持されるように、少なくとも3つの保持要素104が各基板位置の周りに配置されている。
保持要素104の位置は、基板キャリア100上で運ばれる基板106、107のサイズに依存する。例えば、保持要素104は、直径300mmの本体102を有する基板キャリアに対して、約2インチ〜約6インチの直径を有する基板を収容するように配置することができる。図1に表された例では、基板キャリア100は、約4インチ〜6インチの直径を有する5つの第1の基板106を円形配列で、および約2インチ〜4インチの直径を有する第2の基板107を本体102の中心で保持するように構成することができる。保持要素は、基板キャリア100の本体102に形成されるか、または本体102に結合されてもよい。
図2は、本開示の一部の実施形態による図1の線2−2’に沿ってとられた断面図を示す。一部の実施形態では、保持要素104は、本体102に結合されている。一部の実施形態では、ウエハが複数の個片に切断され、個片のそれぞれが保持要素104として使用される。一部の実施形態では、保持要素は、本体102と同じ材料から形成される。一部の実施形態では、保持要素は、本体102と異なる材料から形成される。一部の実施形態では、切断された各個片の本体102への結合を促進するために、保持要素104は、必要に応じて本体102の表面上に配置され(すなわち、本明細書に記載されるように複数の基板を支持するために)、次いで、約500℃〜約1000℃の所定の温度で約10分〜約240分の期間加熱されて、保持要素104を本体102に拡散接合する。一部の実施形態では、この期間は、約120分である。
一部の実施形態では、各保持要素104は、約300μm〜約500μmの厚さを有する。一部の実施形態では、各保持要素104は、約2mm〜約15mmの第1の辺および約2mm〜約15mmの第2の辺を有する正方形または長方形のいずれかである。一部の実施形態では、各保持要素104は、約5mm〜約10mmの第1の辺および約5mm〜約10mmの第2の辺を有する正方形または長方形のいずれかである。一部の実施形態では、各保持要素は、約2mm〜約15mmの直径を有する円形であってもよい。一部の実施形態では、各保持要素は、約5mm〜約10mmの直径を有する円形であってもよい。
代替として、または組合せにおいて、保持要素104の少なくとも一部は、本体102の表面上に形成されてもよい。例えば、保持要素104は、所望の位置に複数の保持要素104を形成するために、マスクを使用して本体102の表面上にプラズマ溶射されてもよい。複数の保持要素104を形成するために本体102上に溶射される材料は、比較的容易に溶射され得て、本体102の表面に十分に接着し、処理中に基板キャリア100上に配置される基板上に堆積させる材料と同様の熱膨張率を有し、洗浄/改修に対して耐性のある材料である。一部の実施形態では、溶射材料は、シリコン、モリブデン、アルミニウム、酸化物などであってもよい。例えば、本体102がシリコンから形成されている実施形態では、溶射材料は、モリブデンがシリコン溶射材料よりもシリコンによりよく接着するためモリブデンであってもよい。一部の実施形態では、溶射コーティングの厚さは、約250μm〜約500μmであってもよい。
一部の実施形態では、保持要素104は、本体102の表面上に3次元的に(3D)印刷されてもよい。そのような実施形態では、保持要素104の所望の位置に対応する本体102の表面は、3D印刷される材料の本体102への接着を向上させるために3D印刷の前に粗面化される。一部の実施形態では、例えば、所望の位置は、水酸化カリウム(KOH)の苛性溶液を使用して粗面化されてもよい。
図3は、本開示の一部の実施形態による図1の線2−2’に沿ってとられた断面図を示す。図3に示す実施形態では、各保持要素104は、本体102の表面に形成されている。例えば、電子ビームまたはレーザーを用いて、本体102の表面にバンプ304を生成して各保持要素104を形成することができる。そうするために、バンプの位置を取り囲む領域305から材料が除去(例えば、溶融)されて、バンプ304を生成する。その結果、領域305は、材料が除去された凹部を含む。一部の実施形態では、各バンプは、約1mm〜約10mm、または約2mmの厚さを有する。一部の実施形態では、各バンプは、本体102の表面の上方に約200μm〜約500μmの高さを有する。
以下の記載は、図4A〜図4Bを参照して行われる。図4Aは、本開示の一部の実施形態による基板キャリアの概略上面図を表す。図4Bは、線B−B’に沿ってとられた図4Aの基板キャリアの断面図を表す。一部の実施形態では、複数の保持要素404を有する基板キャリア400は、基板キャリア400の剛性を向上させるために2つの積み重ねられた層402a、bから形成されてもよい。例えば、一部の実施形態では、モリブデンから形成された第1の厚さt1を有する上部層402aが、炭化ケイ素から形成された第2の厚さt2を有する下部層402b上に積み重ねられてもよい。一部の実施形態では、第1の厚さt1は、約0.2mm〜約0.5mmであってもよく、第2の厚さt2は、約1.5mm以下であってもよい。一部の実施形態では、基板キャリア400の全質量は、約250グラム未満であってもよい。
一部の実施形態では、2つの層は、積層中に2つの層の相対的移動を防止し、2つの層の適切な相対的配向を確実にするように構成することができる。例えば、一部の実施形態では、下部層402bは、互いに対して所定の角度αで基板キャリア400の中心410から第1の距離408に配置された2つ以上の孔406(2つが示されている)を含むことができる。基板キャリアが約300mmの直径を有する実施形態では、第1の距離408は、約75mmであってもよい。一部の実施形態では、所定の角度αは、互いに対して約90度〜約180度であってもよい。一部の実施形態では、所定の角度αは、約175度であってもよい。上部層402aは、2つ以上の孔406に対応する位置に上部層402aの下面から延出する2つ以上の対応する突起部407を含むことができ、それにより、上部層402aが下部層402b上に積み重ねられたときに、突起部407が孔406内に延出して、2つの層402a、bを互いに対して正確に位置決めし、2つの層402a、bの相対的移動を防止する。
以下の記載は、図5A〜図5Bを参照して行われる。図5Aは、本開示の一部の実施形態による基板キャリアの概略上面図を表す。図5Bは、線B−B’に沿ってとられた図5Aの基板キャリアの断面図を表す。一部の実施形態では、基板キャリア500は、基板キャリア400に関して上述したように、下部層502b上に積み重ねられた上部層502aから形成されている。そのため、層および2つの層の結合に関する説明は、ここでは記載されず、明瞭にするために図5A、Bには示されていない。しかしながら、基板キャリア500の層は、基板キャリア400の層と同様に構成することができる。
一部の実施形態では、基板キャリア500は、複数のポケット506(5つが示されている)を含み、ポケットのそれぞれが上方に延出するリム504によって画定されて、基板を支持するための支持面を画定する。リム504は、上部層502aに孔を形成して、孔に直接隣接する上部層502aの部分を上方に曲げることによって形成される。結果として得られるリム504の外径は、リム504の上に配置される基板S(図5Aにファントムで示す)の直径とほぼ同じである。一部の実施形態では、上部層502aに最初に形成される孔は、結果として得られるリムの外径が約4インチとなるようにサイズを調整することができる。上部層502aの上面の上方のリム504の高さh1は、約0.5mm〜約1mmである。一部の実施形態では、基板キャリア500は、リム504の上方に配置された基板の半径方向の移動を防止するために、図1〜図4Bに関して上述したものと同様のホルダ要素をさらに含むことができる。
以下の記載は、図6A〜図6Bを参照して行われる。図6Aは、本開示の一部の実施形態による基板キャリアの概略上面図を表す。図6Bは、線B−B’に沿ってとられた図6Aの基板キャリアの断面図を表す。一部の実施形態では、基板キャリア600は、基板キャリア400に関して上述したように、下部層602b上に積み重ねられた上部層602aから形成されている。そのため、層および2つの層の結合に関する説明は、ここでは記載されず、明瞭にするために図6A、Bには示されていない。しかしながら、基板キャリア600の層は、基板キャリア400の層と同様に構成することができる。基板キャリア600は、ポケット606の構成を除いて基板キャリア500と同様である。
基板キャリア500のポケット506とは対照的に、ポケット606は、リムを含まない。代わりに、孔が上部層602aを貫いて形成されており、直接隣接する上部層602aの部分のみが上方に曲げられて、基板S(図6Aにファントムで示す)を支持するための支持面を形成する複数のタブ604(3つが示されている)を形成する。複数のタブ604は、各ポケット606の周りに軸対称に配置されてもよい。複数のタブ604を囲む円の外径は、複数のタブ604の上に配置される基板Sの直径とほぼ同じである。一部の実施形態では、基板キャリア600は、複数のタブ604の上方に配置された基板の半径方向の移動を防止するために、図1〜図4Bに関して上述したものと同様のホルダ要素をさらに含むことができる。
基板キャリアの実施形態の特定の例が記載されたが、開示された実施形態の様々な組合せまたは順列を利用することができる。例えば、保持要素104は、代替として、ビードブラストされても、または本体102から機械加工されてもよく、あるいは図4A〜図6Bに関して上述したような2層のキャリアであってもよい。さらに、開示された実施形態は、特定の数の保持要素またはポケットを示しているが、本発明の基板キャリアは、必要なだけ多くの基板を収容するように構成されてもよい。
前述の事項は、本開示の実施形態を対象としているが、本開示の他のおよびさらなる実施形態が本開示の基本的な範囲から逸脱せずに考案されてもよい。

Claims (12)

  1. 実質的に平面の本体と、
    前記実質的に平面の本体の周辺領域および中央領域の表面上に配置された複数の保持要素と、を備え、
    前記複数の保持要素は、前記中央領域に第1のサイズを有する1つの第1の基板と、前記周辺領域に前記第1のサイズよりも大きい第2のサイズを有し、前記実質的に平面の本体の前記表面上に前記中央領域における前記1つの第1の基板を取り囲む複数の第2の基板とを保持するように構成され、
    前記複数の保持要素が前記複数の第2の基板のそれぞれの対応する位置の周りに配置された少なくとも3つの保持要素を含み、
    前記中央領域に配置された前記複数の保持要素のそれぞれの保持要素は、前記中央領域に配置された前記1つの第1の基板および前記周辺領域に配置された前記第2の基板を部分的に保持するように構成される、
    基板キャリア。
  2. 前記実質的に平面の本体がシリコン、炭化ケイ素、またはモリブデンから形成されている、請求項1に記載の基板キャリア。
  3. 前記複数の保持要素のそれぞれがシリコンから形成され、前記実質的に平面の本体に拡散接合されている、請求項2に記載の基板キャリア。
  4. 前記複数の保持要素のそれぞれが前記実質的に平面の本体上に溶射コーティングされたシリコン、モリブデン、アルミニウム、または酸化物から形成されている、請求項2に記載の基板キャリア。
  5. 前記複数の保持要素のそれぞれが前記実質的に平面の本体の前記表面に形成されたバンプである、請求項1から4までのいずれか1項に記載の基板キャリア。
  6. 前記複数の保持要素が前記実質的に平面の本体上に3次元的に印刷されている、請求項1から4までのいずれか1項に記載の基板キャリア。
  7. 前記実質的に平面の本体が下部層の上方に積み重ねられた上部層を含む、請求項1から4までのいずれか1項に記載の基板キャリア。
  8. 前記上部層が0.2mm〜0.5mmの第1の厚さを有し、前記下部層が1.5mm以下の第2の厚さを有する、請求項7に記載の基板キャリア。
  9. 前記上部層がモリブデンから形成され、前記下部層が炭化ケイ素から形成されている、請求項7に記載の基板キャリア。
  10. 前記下部層が前記下部層を貫いて形成された2つ以上の孔を含み、前記上部層が前記上部層の下面から前記2つ以上の孔内に延出する2つ以上の対応する突起部を含む、請求項7に記載の基板キャリア。
  11. 前記2つ以上の孔が互いに対して所定の角度で配置されている、請求項10に記載の基板キャリア。
  12. 前記所定の角度が90度〜180度である、請求項11に記載の基板キャリア。
JP2019500665A 2016-07-09 2017-07-07 基板キャリア Active JP6989587B2 (ja)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201662360331P 2016-07-09 2016-07-09
US62/360,331 2016-07-09
US15/643,855 2017-07-07
US15/643,855 US10497605B2 (en) 2016-07-09 2017-07-07 Substrate carrier
PCT/US2017/041093 WO2018013421A1 (en) 2016-07-09 2017-07-07 Substrate carrier

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2019522370A JP2019522370A (ja) 2019-08-08
JP6989587B2 true JP6989587B2 (ja) 2022-01-05

Family

ID=60910540

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2019500665A Active JP6989587B2 (ja) 2016-07-09 2017-07-07 基板キャリア

Country Status (7)

Country Link
US (2) US10497605B2 (ja)
EP (1) EP3482415A4 (ja)
JP (1) JP6989587B2 (ja)
KR (2) KR102277918B1 (ja)
CN (1) CN109478525B (ja)
TW (1) TWI744351B (ja)
WO (1) WO2018013421A1 (ja)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20200234991A1 (en) * 2019-01-21 2020-07-23 Applied Materials, Inc. Substrate carrier
USD904640S1 (en) 2019-01-21 2020-12-08 Applied Materials, Inc. Substrate carrier
CN214300348U (zh) * 2021-01-26 2021-09-28 苏州晶湛半导体有限公司 石墨盘

Family Cites Families (52)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3539759A (en) * 1968-11-08 1970-11-10 Ibm Susceptor structure in silicon epitaxy
DE3028536C2 (de) * 1980-07-28 1983-01-05 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Vorrichtung zur Halterung von kreisförmigen Substratscheiben und ihre Verwendung
US5195729A (en) * 1991-05-17 1993-03-23 National Semiconductor Corporation Wafer carrier
US5700297A (en) * 1992-08-28 1997-12-23 Ipec Precision, Inc. Apparatus for providing consistent, non-jamming registration of notched semiconductor wafers
FR2783970B1 (fr) * 1998-09-25 2000-11-03 Commissariat Energie Atomique Dispositif autorisant le traitement d'un substrat dans une machine prevue pour traiter de plus grands substrats et systeme de montage d'un substrat dans ce dispositif
US6764272B1 (en) * 1999-05-27 2004-07-20 Micron Technology, Inc. Adjustable coarse alignment tooling for packaged semiconductor devices
US6379235B1 (en) * 1999-10-27 2002-04-30 Strausbaugh Wafer support for chemical mechanical planarization
JP4253160B2 (ja) * 2002-04-12 2009-04-08 株式会社ディスコ 半導体ウエーハの搬送装置
KR100944379B1 (ko) * 2003-06-02 2010-02-26 주성엔지니어링(주) 기판의 로딩 장치 및 이를 이용한 기판의 로딩 방법
US20050092255A1 (en) * 2003-11-04 2005-05-05 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd. Edge-contact wafer holder for CMP load/unload station
JP4391217B2 (ja) * 2003-12-16 2009-12-24 株式会社トプコン 表面検査装置
JP4540407B2 (ja) * 2004-06-28 2010-09-08 京セラ株式会社 静電チャック
JP2006049359A (ja) 2004-07-30 2006-02-16 Denso Corp ウェハボート
JP2006080445A (ja) * 2004-09-13 2006-03-23 Bridgestone Corp ウェハボート用ウェハホルダ
WO2007036996A1 (ja) * 2005-09-28 2007-04-05 Shin-Etsu Engineering Co., Ltd. 基板保持構造
US20070217119A1 (en) * 2006-03-17 2007-09-20 David Johnson Apparatus and Method for Carrying Substrates
DE102006042026B4 (de) * 2006-09-07 2016-08-04 Infineon Technologies Ag Vorrichtung zum Halten eines Substrats und Verfahren zur Behandlung eines Substrats
US7633070B2 (en) * 2006-12-18 2009-12-15 Kla-Tencor Technologies Corporation Substrate processing apparatus and method
JP2008159097A (ja) * 2006-12-20 2008-07-10 Hitachi Ltd 基板ホルダ及び基板のエッチング方法及び磁気記録媒体の製造方法
DE102007010224B4 (de) * 2007-02-28 2010-08-05 Vistec Semiconductor Systems Jena Gmbh Vorrichtung zum Haltern von scheibenförmigen Objekten
JP4976949B2 (ja) * 2007-07-26 2012-07-18 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
KR100856019B1 (ko) * 2008-02-22 2008-09-02 (주)타이닉스 플라즈마 처리장치의 기판 홀더
US8317450B2 (en) * 2008-10-30 2012-11-27 Lam Research Corporation Tactile wafer lifter and methods for operating the same
JP2010126797A (ja) 2008-11-28 2010-06-10 Tokyo Electron Ltd 成膜装置、半導体製造装置、これらに用いられるサセプタ、プログラム、およびコンピュータ可読記憶媒体
US8820728B2 (en) * 2009-02-02 2014-09-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Semiconductor wafer carrier
US20120006489A1 (en) * 2009-03-26 2012-01-12 Shogo Okita Plasma processing apparatus and plasma processing method
JP2010272550A (ja) * 2009-05-19 2010-12-02 Sumitomo Electric Ind Ltd サセプタ
JP5375643B2 (ja) * 2009-07-07 2013-12-25 日新イオン機器株式会社 ウエハ保持機構、ウエハホルダ及び静電チャック
JP2011114178A (ja) * 2009-11-27 2011-06-09 Samco Inc プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
US8360409B2 (en) * 2009-12-11 2013-01-29 Gtat Corporation Apparatus and method for simultaneous treatment of multiple workpieces
US8455374B2 (en) * 2010-05-06 2013-06-04 Applied Materials, Inc. Radiation heating efficiency by increasing optical absorption of a silicon containing material
CN102242353A (zh) * 2010-05-14 2011-11-16 佛山市奇明光电有限公司 有机金属化学气相沉积机台
CN101880436B (zh) * 2010-07-05 2012-05-30 清华大学 树脂组合物及其模塑品
US8221601B2 (en) 2010-09-23 2012-07-17 Sunpower Corporation Maintainable substrate carrier for electroplating
US8562746B2 (en) * 2010-12-15 2013-10-22 Veeco Instruments Inc. Sectional wafer carrier
US20120227667A1 (en) * 2011-03-10 2012-09-13 Applied Materials, Inc. Substrate carrier with multiple emissivity coefficients for thin film processing
WO2012123620A1 (en) * 2011-03-16 2012-09-20 Aalto University Foundation Thin film photovoltaic cell structure, nanoantenna, and method for manufacturing
US20120234229A1 (en) * 2011-03-16 2012-09-20 Applied Materials, Inc. Substrate support assembly for thin film deposition systems
WO2013012210A2 (ko) * 2011-07-15 2013-01-24 주식회사 코미코 기판 적재용 트레이
CN102897435A (zh) * 2011-07-29 2013-01-30 宸鸿科技(厦门)有限公司 承载装置及其制造与复制方法
JP2013143518A (ja) * 2012-01-12 2013-07-22 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 基板の載置構造及びプラズマ処理装置
GB201301124D0 (en) * 2013-01-22 2013-03-06 Oxford Instr Nanotechnology Tools Ltd Substrate carrier
US9239192B2 (en) * 2013-02-20 2016-01-19 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Substrate rapid thermal heating system and methods
JP2014172148A (ja) * 2013-03-12 2014-09-22 Sii Crystal Technology Inc キャリア
US10167571B2 (en) * 2013-03-15 2019-01-01 Veeco Instruments Inc. Wafer carrier having provisions for improving heating uniformity in chemical vapor deposition systems
US9159861B2 (en) * 2013-10-21 2015-10-13 Oracle International Corporation Method for singulating hybrid integrated photonic chips
JP6344971B2 (ja) * 2014-05-16 2018-06-20 株式会社ディスコ サポートプレート、サポートプレートの形成方法及びウェーハの加工方法
KR101692251B1 (ko) * 2014-08-06 2017-01-03 (주)얼라이드 테크 파인더즈 플라즈마 장치
US20160042923A1 (en) 2014-08-06 2016-02-11 Allied Techfinders Co., Ltd. Plasma device
DE102015118215A1 (de) * 2014-11-28 2016-06-02 Aixtron Se Substrathaltevorrichtung mit vereinzelten Tragvorsprüngen zur Auflage des Substrates
EP3863043A4 (en) * 2018-10-04 2021-11-03 Toyo Tanso Co., Ltd. SUSCEPTOR
TW202129832A (zh) * 2020-01-21 2021-08-01 荷蘭商Asm Ip 控股公司 用於均勻沉積之具有側壁隆起的基座及處理結晶基材之方法

Also Published As

Publication number Publication date
TW201812959A (zh) 2018-04-01
CN109478525A (zh) 2019-03-15
EP3482415A1 (en) 2019-05-15
KR20190016620A (ko) 2019-02-18
JP2019522370A (ja) 2019-08-08
KR102277918B1 (ko) 2021-07-14
US20180012790A1 (en) 2018-01-11
US10497605B2 (en) 2019-12-03
KR20210088766A (ko) 2021-07-14
US20200066571A1 (en) 2020-02-27
CN109478525B (zh) 2023-12-08
KR102386746B1 (ko) 2022-04-14
TWI744351B (zh) 2021-11-01
WO2018013421A1 (en) 2018-01-18
US11676849B2 (en) 2023-06-13
EP3482415A4 (en) 2020-02-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6989587B2 (ja) 基板キャリア
JP6725890B2 (ja) 蒸着マスクの製造方法、パターンの製造方法、及び有機半導体素子の製造方法
JP6304412B2 (ja) 金属フレーム付き蒸着マスクの製造方法、有機半導体素子の製造方法、パターンの形成方法
JP6769396B2 (ja) 蒸着マスクの製造方法、蒸着マスク準備体、有機半導体素子の製造方法、及び蒸着マスク
JP6867149B2 (ja) 基板保持部材
US20140065916A1 (en) Flexible display device manufacturing method and carrier substrate for the method
JP6141879B2 (ja) 吸着部材およびそれを用いた吸着装置
JP2017501572A (ja) より小さいウエハおよびウエハ片向けのウエハキャリア
TW201735418A (zh) 蒸鍍遮罩、蒸鍍遮罩之製造方法及有機半導體元件之製造方法
JP6196123B2 (ja) チャッククリーナ及びクリーニング方法
JP6090009B2 (ja) 金属フレーム付き蒸着マスクの製造方法、有機半導体素子の製造方法
JP2007294748A (ja) ウェーハ搬送方法
JP2015148002A (ja) 蒸着マスク、蒸着マスク準備体、及び有機半導体素子の製造方法
JP7096031B2 (ja) 基板保持部材
US9457450B2 (en) Pad conditioning tool
JP6212412B2 (ja) 真空吸着部材
KR20150098432A (ko) 웨이퍼 캐리어
TWI837302B (zh) 半導體晶片之支持基板、轉印裝置及轉印方法
KR101661641B1 (ko) 대면적 정전척
JP2018181875A (ja) 発光ダイオードチップの製造方法及び発光ダイオードチップ
JP2018148094A (ja) 発光ダイオードチップの製造方法及び発光ダイオードチップ
CN117467931A (zh) 蒸镀掩模板及其制作方法
JP2018181876A (ja) 発光ダイオードチップの製造方法及び発光ダイオードチップ
JP2018182000A (ja) 発光ダイオードチップの製造方法及び発光ダイオードチップ

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20190301

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20200323

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20200619

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20201203

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20210224

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20210802

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20211021

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20211102

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20211202

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6989587

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150