JP6985708B2 - Mn系強磁性薄膜およびその製造方法、ならびにMn系強磁性薄膜を有する磁気トンネル接合素子 - Google Patents
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Description
本発明の実施の形態のMn系強磁性薄膜は、Mnと、Alと、Co,FeおよびCrのうちのいずれか1つまたは2つ以上とを有している。
下地層であるCrRu層(層厚40 nm)を、スパッタリングにより、(1)室温で成膜した後、650℃で30分間の熱処理(アニール)を行う方法、(2)250℃で成膜し、熱処理は行わない方法の2つの方法で、MgO基板上に作製した。それぞれの方法で作製したCrRu層のX線回折結果を図2に、原子間力顕微鏡(AFM)による測定画像を図3に示す。
下地層であるCrRu層の層厚を、0 nm〜40 nmまで変化させて、図1に示す膜構造を作製した。CrRu層は、室温で成膜した後、650℃で30分間の熱処理(アニール)を行って作製した。また、Mn1−xCoxAl合金層(層厚50 nm)は、成膜時の基板温度を300℃、成膜後の熱処理温度を350℃、x=0.05として作製した。CrRu層の各層厚で作製したMn系強磁性薄膜(MnCoAl)のX線回折結果を図4に、磁化曲線を図5に示す。なお、磁化曲線は、振動試料型磁力計(VSM)により測定している(以下同じ)。
Mn1−xCoxAl合金層をスパッタリングする際の、不活性ガスであるアルゴンの圧力を、0.2 Pa〜0.5 Paまで変化させて、図1に示す膜構造を作製した。CrRu層(層厚40 nm)は、250℃で成膜して作製した。また、Mn1−xCoxAl合金層(層厚50 nm)は、成膜時の基板温度を300℃、x=0.05として作製した。各ガス圧で作製したMn系強磁性薄膜(MnCoAl)の磁化曲線を、図6に示す。
Mn1−xCoxAl合金層成膜時の基板温度を、175℃〜400℃まで変化させて、図1に示す膜構造を作製した。CrRu層(層厚40 nm)は、室温で成膜した後、650℃で30分間の熱処理(アニール)を行って作製した。また、Mn1−xCoxAl合金層をスパッタリングする際の、不活性ガスであるアルゴンの圧力を0.5 Paとした。また、Mn1−xCoxAl合金層(層厚50 nm)は、成膜後には熱処理を行わず、x=0.05として作製した。各基板温度で作製したMn系強磁性薄膜(MnCoAl)のX線回折結果を図7に、磁化曲線を図8に示す。また、図8の結果から求めた磁気異方性定数Ku、および、原子間力顕微鏡(AFM)の測定画像から得られた表面粗さRaと、基板温度との関係を求め、図9に示す。
Mn1−xCoxAl合金層の層厚を、2 nm〜50 nmまで変化させて、図1に示す膜構造を作製した。CrRu層(層厚40 nm)は、250℃で成膜して作製した。また、Mn1−xCoxAl合金層をスパッタリングする際の、不活性ガスであるアルゴンの圧力を0.5 Paとした。また、Mn1−xCoxAl合金層は、成膜時の基板温度を300℃、x=0.05として作製した。Mn1−xCoxAl合金層の各層厚で作製したMn系強磁性薄膜(MnCoAl)の磁化曲線を、図10に示す。
Mn1−xCoxAl合金層成膜後の熱処理温度を、300℃〜500℃まで変化させて、図1に示す膜構造を作製した。CrRu層(層厚40 nm)は、室温で成膜した後、650℃で30分間の熱処理(アニール)を行って作製した。また、Mn1−xCoxAl合金層をスパッタリングする際の、不活性ガスであるアルゴンの圧力を0.5 Paとした。また、Mn1−xCoxAl合金層(層厚50 nm)は、成膜時の基板温度を300℃、x=0.05として作製した。Mn1−xCoxAl合金層の各層厚で作製したMn系強磁性薄膜(MnCoAl)のX線回折結果を図11に、磁化曲線を図12に示す。なお、比較のため、Mn1−xCoxAl合金層成膜後に熱処理を行わないとき(w/o)の結果も、図11および図12に示す。
Mn1−xCoxAl合金層の組成を、x=0,0.05,0.08と変化させて、図1に示す膜構造を作製した。CrRu層(層厚40 nm)は、室温で成膜した後、650℃で30分間の熱処理(アニール)を行って作製した。また、Mn1−xCoxAl合金層をスパッタリングする際の、不活性ガスであるアルゴンの圧力を0.5 Paとした。また、Mn1−xCoxAl合金層(層厚50 nm)は、成膜時の基板温度を300℃、成膜後の熱処理温度を350℃として作製した。Mn1−xCoxAl合金層の各組成で作製したMn系強磁性薄膜(MnCoAl)のX線回折結果を図13に、磁化曲線を図14に示す。また、図14の結果から求めた飽和磁化MSおよび磁気異方性定数Kuと、xの値との関係を求め、図15に示す。
Claims (17)
- Mnと、Alと、Co,FeおよびCrのうちのいずれか1つまたは2つ以上とを有し、Mnと、Co,FeおよびCrのうちのいずれか1つまたは2つ以上とのat%比が、1−x:x(0<x≦0.06)であることを特徴とするMn系強磁性薄膜。
- MnAl合金に、Co,FeおよびCrのうちのいずれか1つまたは2つ以上が固溶されていることを特徴とする請求項1記載のMn系強磁性薄膜。
- Mnを50〜60at%含み、Alを40〜50at%含むことを特徴とする請求項1または2記載のMn系強磁性薄膜。
- L10型構造を有していることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載のMn系強磁性薄膜。
- 磁化容易軸が膜の表面に対して垂直に配向していることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載のMn系強磁性薄膜。
- 膜厚が3 nm〜50 nmであることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載のMn系強磁性薄膜。
- スパッタリングにより、Mnと、Alと、Co,FeおよびCrのうちのいずれか1つまたは2つ以上とを有し、Mnと、Co,FeおよびCrのうちのいずれか1つまたは2つ以上とのat%比が、1−x:x(0<x≦0.06)である合金を、基板上に成膜することを特徴とするMn系強磁性薄膜の製造方法。
- 前記合金を、層厚3 nm〜50 nmで成膜することを特徴とする請求項7記載のMn系強磁性薄膜の製造方法。
- 前記基板の温度を200℃〜350℃として前記合金を成膜することを特徴とする請求項7または8記載のMn系強磁性薄膜の製造方法。
- 前記合金を成膜後、200℃以上350℃以下で熱処理を行うことを特徴とする請求項7乃至9のいずれか1項に記載のMn系強磁性薄膜の製造方法。
- 前記合金は、Mnを50〜60at%含み、Alを40〜50at%含むことを特徴とする請求項7乃至10のいずれか1項に記載のMn系強磁性薄膜の製造方法。
- スパッタリングにより、前記基板上にCrとRuとを含む下地層を作製し、その下地層の上に前記合金を成膜することを特徴とする請求項7乃至11のいずれか1項に記載のMn系強磁性薄膜の製造方法。
- 前記下地層は、層厚20 nm〜40 nmで作製することを特徴とする請求項12記載のMn系強磁性薄膜の製造方法。
- 前記下地層は、室温で前記基板上に成膜した後、熱処理を行って作製することを特徴とする請求項12または13記載のMn系強磁性薄膜の製造方法。
- スパッタリングにより、層厚が1.2乃至50nmで、Mnを50〜60at%含み、Alを40〜50at%含むMnAl合金層の表面に、Co,FeおよびCrのうちのいずれか1つまたは2つ以上を有する金属を、0.8乃至1.7nmの厚さで成膜することを特徴とするMn系強磁性薄膜の製造方法。
- 前記MnAl合金層は基板上に設けられ、前記基板を200℃〜350℃に加熱した状態でスパッタリングを行うことを特徴とする請求項15記載のMn系強磁性薄膜の製造方法。
- 請求項1乃至6のいずれか1項に記載のMn系強磁性薄膜を有することを特徴とする磁気トンネル接合素子。
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