JP6647590B2 - 垂直磁化膜と垂直磁化膜構造並びに磁気抵抗素子および垂直磁気記録媒体 - Google Patents
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Description
(Mn1−xMx)4N1−y
(Mは、Ga、Ge、Zn、Sb、Ni、Ag、Sn、Pt、Rhの金属元素のうちの1種または2種以上を示し、0<x≦0.5、0<y<1である。)
で表わされる、ペロブスカイト型結晶構造を有するものであることを特徴とする。この垂直磁化膜は、Mn3GaNペロブスカイト型(E21型)をプロトタイプとする結晶構造を有するMn−Ga−N化合物膜であり、Nの元素比が窒素不足組成を有し、室温での強磁性と垂直磁化を示す。
(Mn1−xMx)4N1−y
(0<x≦0.5、0<y<1)
の組成を有するものであるが、金属元素Mとしては、代表的には、また好ましいものはGa(ガリウム)である。Gaに代わるものとしては、Ge、Zn、Sb、Ni、Ag、Sn、Pt、Rhである。これらの金属元素は、ペロブスカイト型を有するMn3MNが形成することがよく知られているという理由から選択されたものである(非特許文献3)。
図1、図2、図3は、各々本発明の実施形態に係る垂直磁化膜構造1および4、垂直磁化MTJ素子9について示した概要図である。
次に、前記の垂直磁化膜構造1、4および垂直MTJ素子構造9の製造方法について説明する。
前記(B)製造方法に基づいてMgO基板上に作製したMn−Ga−N膜についての磁気特性について説明する。図5(a)(b)(c)には、図1の構造において、基板をMgO(001)とし、50nmの設計厚さ、基板温度Ts=580℃の基板温度、Mn70Ga30ターゲットを用いてスパッタ法で作製したMnGa(N)膜の磁化曲線を示す。ここでIn-plane、Perpendicularとは外部磁場μ0Hをそれぞれ膜面内、膜垂直方向へ印加して測定したことを示す。図5(a)、(b)は、それぞれ窒素ガス比0%(窒素導入なし)および窒素ガス比1%の条件でMnGaターゲットからスパッタを行ってMn−Ga(−N)薄膜を作製した例を示している。これらは基板からのバックグランド信号を取り除いてあり、Mn−Ga(−N)膜のみの磁化曲線に相当する。両方の膜は明確に膜垂直磁場印加時に角形の良い磁気ヒステリシスを示す。一方で、面内磁場印加時には磁化が飽和しにくいことがわかる。したがって、これらは膜垂直方向が容易磁化方向となった垂直磁化膜となっていることを示している。図5(c)には窒素ガス比3%の条件でMn−Gaターゲットからスパッタを行ってMn−Ga−N薄膜を作製した例を示す。この図では基板からのバックグラウンド信号は差し引いていない。磁化曲線は面内方向と面垂直方向で明確な違いが認められず、窒素ガス比が低い時とは異なり磁気ヒステリシスがみられない。したがって、Mn−Ga−N中の窒素量の増加によって強磁性から反強磁性へと変化したことを示している。
次に、図8、図9、図10を参照して、前記図1の構造のMn−Ga−N膜の結晶構造を記述する。図8にTs=580℃とし、窒素ガス比を0から7%まで変化させて作製したMn−Ga(−N)膜(50nm厚さ)のX線回折プロファイル(out-of-planeスキャン)の結果を示す。ここで指数(001)、(002)、(004)はペロブスカイトE21構造に起因するピークを示し、(002)’、(004)’、(008)’はDO22構造に起因するピークを示す。窒素ガス比が0.7%以下の時、Mn−Ga(−N)膜の構造はほぼDO22であるが、1%以上ではE21型へと急激に変化する。また、いずれのMn−Ga(−N)膜も(001)方位を向いて成長していることがわかる。
次に図11を参照してMn−Ga−N膜の表面構造について記述する。図11(a)および(b)にはそれぞれMn−Ga膜(窒素ガス比0%)およびMn−Ga−N膜(窒素ガス比1%)の原子間力顕微鏡(AFM)像を示す。いずれも膜厚は50nm、Ts=580℃の条件で作製を行った。Mn−Ga膜は極めて平坦性が悪く、結晶粒成長が顕著であるため連続膜状として得られず、1μm平方領域における最大起伏が100nm以上あるためMTJ素子用の垂直磁化膜として不適である。一方、Mn−Ga−N膜(窒素ガス比1%)は極めて平坦であり、最大起伏はたった4nm程度である。図11(c)にはTs=580℃として作製したMn−Ga(−N)膜の平均ラフネスRaの窒素ガス比依存性を示す。窒素ガス比1%付近でDO22構造からE21構造への変態と同時にRaが極めて小さくなることがわかる。さらなる窒素ガス比増加によりRaはゆるやかに上昇するが、窒素ガス比0.7%以下と比較すると十分に小さい。したがって窒素導入によって大幅な平坦化が図られることから、窒素ガス比調整したMn−Ga−N薄膜はMTJ素子用垂直磁化膜として至適である。
次に図12を参照してMn−Ga−N膜のスピン偏極率について記述する。MTJ素子は2つの強磁性体の磁化相対方向によってトンネル抵抗が変化し、その抵抗変化率はトンネル磁気抵抗(TMR)比と呼ばれる。TMR比はMTJ素子の出力指数であるため高い値を得ることが重要である。TMR比は強磁性体のフェルミ準位における上向きスピンバンドと下向きスピンの状態密度の比であるスピン分極率が高いほど向上する。強磁性体の液体ヘリウム温度におけるスピン分極率は、点接触アンドレーエフ反射分光法(point contact Andreev reflection spectroscopy (PCAR法))により評価することが可能である。この手法は常伝導体と超伝導体の点接触で起こるアンドレーエフ反射という現象を利用しており、超伝導状態にしたニオブ(Nb)針を強磁性体表面に押しつけてコンダクタンスの印加電圧依存性を測定することでスピン分極率が見積もられる。図12にTs=480℃、窒素ガス比1%として作製した50nm厚さのMn−Ga−N膜のコンダクタンスのバイアス電圧依存性を示す。ゼロバイアス電圧近傍をアンドレーエフ反射の解析式によりフィッティングを行うことで散乱因子(scattering factor)Z、超伝導ギャップΔおよびスピン分極率Pが求められる。測定を複数回行い、PをZ=0に外挿することで本質的な試料のスピン分極率とする。このような解析によってMn−Ga−N薄膜においてスピン分極率57%を得た。この値は窒素を含まないDO22−Mn−Ga薄膜において求められた値58%とほぼ同等であり、相対的に高いスピン分極率を保持している。したがって垂直MTJ用強磁性電極としてMn−Ga−Nは適用可能であることが明らかである。
2、5、10 基板
3、7垂直磁化膜
6、11 下地層
8、14 非磁性層
9 垂直MTJ素子構造
12 第一の垂直磁化膜層
14 第二の垂直磁化膜層
15 上部電極
Claims (12)
- 組成が、
(Mn1−xMx)4N1−y
(Mは、Ga、Ge、Zn、Sb、Ni、Ag、Sn、PtおよびRhの金属元素のうちの1種または2種以上を示し、0<x≦0.5、0<y<1を示す。)
で表わされ、ペロブスカイト型結晶構造を有するものであることを特徴とする垂直磁化膜。 - 金属元素MがGaまたはGeであることを特徴とする請求項1に記載の垂直磁化膜。
- 基板上に、または基板上に下地層を介して気相成膜されたものであることを特徴とする請求項1または2に記載の垂直磁化膜。
- 請求項1に記載の垂直磁化膜が基板上に、または基板上に下地層を介して積層された構造を有することを特徴とする垂直磁化膜構造。
- 基板は、(001)面方位の立方晶系単結晶の基板、または(001)面方位をもって成長した立方晶系配向膜であることを特徴とする請求項4に記載の垂直磁化膜構造。
- 下地層は、非磁性層または電気伝導層であって単結晶成長されたものであることを特徴とする請求項4または5に記載の垂直磁化膜構造。
- 請求項4から6のいずれかに記載の垂直磁化膜構造において、垂直磁化膜の上には非磁性層が積層されていることを特徴とする垂直磁化膜構造。
- 請求項4から6のいずれかに記載の垂直磁化膜構造における前記垂直磁化膜を第一の垂直磁化層とし、その上に、トンネルバリア層、前記垂直磁化膜と同一または同種、もしくは他の垂直磁化膜が第二の垂直磁化膜層として積層されていることを特徴とする垂直トンネル磁気抵抗(MTJ)素子構造。
- 請求項8に記載の素子構造において、第二の垂直磁化膜層の上に上部電極を有していることを特徴とする垂直トンネル磁気抵抗(MTJ)素子構造。
- 請求項4から7のいずれかに記載の垂直磁化膜構造が、少なくともその構成の一部とされていることを特徴とする垂直磁気記録媒体。
- 基板上に気相成膜法により組成が、(Mn1−xMx)4N1−y(Mは、Ga、Ge、Zn、Sb、Ni、Ag、Sn、PtおよびRhの金属元素のうちの1種または2種以上を示し、0<x≦0.5、0<y<1を示す。)で表わされ、ペロブスカイト型結晶構造を有する垂直磁化膜を形成することを特徴とする垂直磁化膜の製造方法。
- 気相成膜法として、高周波(RF)反応性スパッタ、直流(DC)反応性スパッタ、電子線蒸着、MnとM金属の同時スパッタ、MnとM金属の同時蒸着、窒素ラジカル源を用いた反応性蒸着もしくは反応性スパッタ、窒素不足組成の焼結ターゲットからの直接スパッタを用いることを特徴とする請求項11に記載の垂直磁化膜の製造方法。
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