JP6982059B2 - 処理装置をモニタするための方法及びシステム - Google Patents

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関連出願の相互参照
[0001] この出願は、２０１６年９月２日に出願された欧州特許第１６１８７０４０．７号の優先権を主張し、同特許は、その全体が参照により本明細書に組み込まれる。
[0002] 本説明は、基板の処理に関連する１つ又は複数の基板製造変数をモニタ及び／又は調整するための方法及びシステムに関する。
[0003] リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板（通常、基板のターゲット部分）に焼き付ける機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）又は機能を果たすように設計された他のデバイスの製造において使用することができる。その例では、パターニングデバイス（代替として、マスク又はレチクルと呼ばれる）は、機能を果たすように設計されたデバイスの個々の層上に形成予定の回路パターンを生成するために使用することができる。このパターンは、基板（例えば、シリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば、一部の、１つ又はいくつかのダイ）上に転写することができる。パターンの転写は、典型的には、イメージングを介して、基板上に提供される放射感応性材料（レジスト）の層上に行われる。一般に、単一の基板は、連続してパターン形成された隣接するターゲット部分のネットワークを含む。公知のリソグラフィ装置は、いわゆる、ターゲット部分上に一度にパターン全体を露光することによって各ターゲット部分が照射を受けるステッパと、いわゆる、所定の方向（「スキャン」方向）における放射ビームを通じてパターンをスキャンし、同時に、この方向に平行又は逆平行に基板をスキャンすることによって各ターゲット部分が照射を受けるスキャナとを含む。また、基板にパターンをインプリントすることによってパターニングデバイスから基板にパターンを転写することも可能である。
[0004] デバイス（半導体デバイスなど）を製造することは、典型的には、様々なフィーチャ（デバイスの複数の層である場合が多い）を形成するために多くの製作プロセスを使用して基板（例えば、半導体ウェーハ）を処理することを伴う。そのような層及びフィーチャは、典型的には、例えば、堆積、リソグラフィ、エッチング、化学機械研磨及びイオン注入を使用して製造及び処理される。複数のデバイスは、基板上の多数のダイ上に製作し、次いで、個々のデバイスに分離することができる。このデバイス製造プロセスは、パターニングプロセスと見なすことができる。パターニングプロセスは、基板にパターンを提供するためのリソグラフィ装置を使用した光及び／又はナノインプリントリソグラフィなどのパターニングステップを伴い、典型的には、任意選択ではあるが、現像装置によるレジスト現像、ベーキングツールを使用した基板のベーキング、エッチング装置によるパターンを使用したエッチングなどの１つ又は複数の関連パターン処理ステップを伴う。さらに、パターニングプロセスには、１つ又は複数の計測プロセスも伴う。
[0005] 計測プロセスは、プロセスをモニタ及び／又は制御するために、パターニングプロセスの間の様々なステップにおいて使用される。例えば、計測プロセスは、パターニングプロセスの間に基板上に形成されたフィーチャの相対的な場所（例えば、登録、オーバーレイ、アライメントなど）又は寸法（例えば、ライン幅、クリティカルディメンション（ＣＤ）、厚さなど）など、基板の１つ又は複数の特性を測定するために使用され、その結果、例えば、１つ又は複数の特性からパターニングプロセスの性能を決定することができる。１つ又は複数の特性が許容できない（例えば、特性の既定の範囲外の）ものである場合は、例えば、１つ又は複数の特性の測定値に基づいて、パターニングプロセスの１つ又は複数の変数を変更することができ、その結果、パターニングプロセスによって製造されるさらなる基板は許容可能な特性を有する。
[0006] リソグラフィ及び他のパターニングプロセス技術の進歩と共に、機能要素の寸法が低減し続けている一方で、１つのデバイス当たりの機能要素（トランジスタなど）の量は、数十年間にわたって着実に増加してきている。その間にも、オーバーレイ、クリティカルディメンション（ＣＤ）などの精度の要件はますます厳しくなってきている。オーバーレイエラー、ＣＤエラーなどのエラーは、パターニングプロセスにおいていや応なく生じる。例えば、イメージングエラーは、光学収差、パターニングデバイス加熱、パターニングデバイスエラー及び／又は基板加熱から生じ得、例えば、オーバーレイエラー、ＣＤエラーなどの観点から特徴付けることができる。それに加えて又はその代替として、エラーは、パターニングプロセスの他の部分（エッチング、現像、ベーキングなど）において導入され得、この場合も同様に、例えば、オーバーレイエラー、ＣＤエラーなどの観点から特徴付けることができる。エラーは、デバイスの機能故障又は機能デバイスの１つ若しくは複数の電気問題を含むデバイスの機能の観点から直接問題を引き起こし得る。
[0007] リソグラフィベースライナシステムは、リソグラフィ装置の性能を経時的にモニタするために使用することができる。リソグラフィ装置の性能が許容可能な規格を逸脱する際は、再較正、修理、シャットダウンなどの行動を取ることができる。さらに、リソグラフィベースライナシステムは、例えば、リソグラフィ装置の１つ又は複数の設定（変数）を修正することによって、リソグラフィ装置の時宜を得た制御を可能にすることができる。従って、リソグラフィベースライナシステムは、例えば、大量生産（ＨＶＭ）における安定した性能を可能にすることができる。
[0008] リソグラフィベースライナシステムは、一定のベースラインにリソグラフィ装置を維持することを効果的に目標とし得る。これを行うため、実施形態では、リソグラフィベースライナシステムは、計測装置（回折に基づく光学式の測定ツールなど）を使用してモニタウェーハ上で取られた測定値を得る。実施形態では、モニタウェーハは、計測装置に適したマークを含む一定のパターニングデバイスパターンを使用して露光することができる。測定値から、リソグラフィベースライナシステムは、リソグラフィ装置がそのベースラインからどれほど逸れたかを判断する。次いで、実施形態では、リソグラフィベースライナシステムは、例えば、基板レベルオーバーレイ及び／又はフォーカス補正セットを計算する。次いで、リソグラフィ装置は、これらの補正セットを使用して、後続の生産ウェーハの露光のための具体的な補正を行う。
[0009] 非リソグラフィ処理装置（例えば、エッチングツール、堆積ツールなど）にも同様のベースライナが望ましい。従って、１つ又は複数の非リソグラフィ処理装置の性能をよりうまくモニタ及び／又は制御することができる方法及び／又は装置を提供することが望ましい。
[0010] 実施形態では、１つ又は複数の処理装置によってパターニングプロセスに従って基板が処理された後に、ハードウェアコンピュータシステムによって、リソグラフィ装置による特性への寄与及び１つ又は複数のリソグラフィ前処理装置による特性への寄与を基板の特性の値から除去することによって、１つ又は複数の処理装置が基板の特性に与える寄与を決定することを含む方法が提供される。
[0011] 実施形態では、ハードウェアコンピュータシステムによって、パターニングプロセスで使用される１つ又は複数の処理装置に関連する１つ又は複数のプロセス変数のうちの第１の群の基板に特有の寄与と、１つ又は複数の処理装置に関連する１つ又は複数のプロセス変数のうちの第２の群の基板に特有ではない寄与とを組み合わせることによって、パターニングプロセスによって処理される基板に与えられる特性を推定することであって、第１の群及び／又は第２の群からの少なくとも１つのプロセス変数が、リソグラフィ装置の上流にある処理装置に関連する、推定することを含む方法が提供される。
[0012] 実施形態では、ハードウェアコンピュータシステムによって、１つ又は複数の処理装置による特性への１つ又は複数の寄与を特性の１つ又は複数の値と組み合わせることによって、１つ又は複数の処理装置によって処理される基板に与えられる特性を推定することであって、１つ又は複数の処理装置の少なくとも１つが、リソグラフィ装置の上流にある、推定することを含む方法が提供される。
[0013] 実施形態では、１つ又は複数の第１の処理装置による基板の特性への１つ又は複数の寄与を決定することと、ハードウェアコンピュータシステムによって、１つ又は複数の寄与に少なくとも部分的に基づいて、１つ又は複数の第１の処理装置の下流にある１つ又は複数の第２の処理装置を調整するために修正情報を作成することとを含む方法が提供される。
[0014] 実施形態では、本明細書で説明される方法をプロセッサシステムに実行させるための機械可読命令を含む非一時的なコンピュータプログラム製品が提供される。
[0015] 実施形態では、ハードウェアプロセッサシステムと、機械可読命令を格納するように構成された非一時的なコンピュータ可読記憶媒体とを含むシステムであって、機械可読命令が、実行されると、本明細書で説明される方法をハードウェアプロセッサシステムに実行させる、システムが提供される。
[0016] ここでは、添付の図面を参照して、単なる例示として、実施形態について説明する。
[0017] リソグラフィ装置の実施形態を概略的に描写する。 [0018] リソグラフィセル又はクラスタの実施形態を概略的に描写する。 [0019] 例示的な検査装置を概略的に描写する。 [0020] 検査装置の照明スポットと計測ターゲットとの間の関係を示す。 [0021] 測定データに基づいて対象の１つ又は複数の変数を導出するプロセスを概略的に描写する。 [0022] 処理装置ベースライナシステムの実施形態を概略的に描写する。 [0023] 基板上にパターンを形成し、エッチング可能な層にパターンをエッチングするプロセスを概略的に描写する。 [0023] 基板上にパターンを形成し、エッチング可能な層にパターンをエッチングするプロセスを概略的に描写する。 [0023] 基板上にパターンを形成し、エッチング可能な層にパターンをエッチングするプロセスを概略的に描写する。 [0023] 基板上にパターンを形成し、エッチング可能な層にパターンをエッチングするプロセスを概略的に描写する。 [0023] 基板上にパターンを形成し、エッチング可能な層にパターンをエッチングするプロセスを概略的に描写する。 [0023] 基板上にパターンを形成し、エッチング可能な層にパターンをエッチングするプロセスを概略的に描写する。 [0023] 基板上にパターンを形成し、エッチング可能な層にパターンをエッチングするプロセスを概略的に描写する。 [0024] 計測装置を使用してエッチング済みの基板を測定する図を概略的に描写する。 [0025] 最終的なエッチング済みの基板のフィンガープリントを概略的に描写する。 [0026] 堆積ツールによる最終的なエッチング済みの基板のフィンガープリントへの寄与を概略的に描写する。 [0027] リソグラフィ装置による最終的なエッチング済みの基板のフィンガープリントへの寄与を概略的に描写する。 [0028] エッチングツールによる最終的なエッチング済みの基板のフィンガープリントへの寄与を概略的に描写する。 [0029] 本開示の実施形態による、１つ又は複数の基板製造変数を調整するための方法の例示的なフローを描写する。 [0030] 本開示の実施形態による、非リソグラフィ処理装置による基板の特性への寄与を得るための方法の例示的なフローを描写する。 [0031] 本開示の実施形態による、基板上の欠陥又は他のエラーを予測するための方法の例示的なフローを描写する。 [0032] 本開示の実施形態による、基板上の欠陥又は他のエラーを予測するための方法の例示的なフローを描写する。 [0033] 本開示の実施形態による、エッチングツールによるエッチング済みの基板のクリティカルディメンション均一性への寄与を得る例を概略的に描写する。 [0034] 本開示の実施形態による、基板上の欠陥又は他のエラーを予測する例を概略的に描写する。 [0035] リソグラフィ装置による基板の特性への組み合わされた寄与をモデル化する例を概略的に描写する。 [0036] この開示の実施形態を実装することができるコンピュータシステムを概略的に描写する。
[0037] 実施形態を詳細に説明する前に、実施形態を実装することができる環境の例を提示することが有益である。
[0038] 図１は、リソグラフィ装置ＬＡを概略的に描写する。装置は、
− 放射ビームＢ（例えば、ＵＶ放射又はＤＵＶ放射）を調節するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、
− パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡを支持するように構築され、ある特定のパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第１のポジショナＰＭに接続されたサポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴと、
− 基板（例えば、レジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構築され、ある特定のパラメータに従って基板を正確に位置決めするように構成された第２のポジショナＰＷに接続された基板テーブル（例えば、ウェーハテーブル）ＷＴと、
− パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに与えられたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば、１つ又は複数のダイを含む）上に投影するように構成された投影システム（例えば、屈折投影レンズシステム）ＰＳであって、基準フレーム（ＲＦ）上で支持される投影システムと
を含む。
[0039] 照明システムは、放射の誘導、整形又は制御を行うための、屈折、反射、磁気、電磁、静電若しくは他のタイプの光学コンポーネント又はそれらの任意の組合せなどの様々なタイプの光学コンポーネントを含み得る。
[0040] サポート構造は、パターニングデバイスの配向、リソグラフィ装置の設計及び他の条件（例えば、パターニングデバイスが真空環境で保持されているか否かなど）に応じるように、パターニングデバイスを支持する。サポート構造は、機械、真空、静電又は他のクランプ技術を使用して、パターニングデバイスを保持することができる。サポート構造は、フレームでもテーブルでもよく、例えば、必要に応じて固定することも移動することもできる。サポート構造は、例えば投影システムに対して、パターニングデバイスが所望の位置にあることを保証することができる。本明細書での「レチクル」又は「マスク」という用語の使用は何れも、「パターニングデバイス」というより一般的な用語と同義であると見なすことができる。
[0041] 本明細書で使用される「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分にパターンを与えるために使用することができるいかなるデバイスも指すものとして広義に解釈すべきである。実施形態では、パターニングデバイスは、基板のターゲット部分にパターンを作成するために、放射ビームにその断面におけるパターンを与えるために使用することができるいかなるデバイスでもある。放射ビームに与えられるパターンは、例えば、パターンが位相シフトフィーチャ又はいわゆるアシストフィーチャを含む場合など、基板のターゲット部分の所望のパターンと正確に一致するとは限らないことに留意すべきである。一般に、放射ビームに与えられるパターンは、集積回路など、ターゲット部分に作成されているデバイスの特定の機能層に対応する。
[0042] パターニングデバイスは、透過性又は反射性であり得る。パターニングデバイスの例は、マスク、プログラマブルミラーアレイ及びプログラマブルＬＣＤパネルを含む。マスクは、リソグラフィではよく知られており、バイナリ、レベンソン型（alternating）位相シフト及びハーフトーン型（attenuated）位相シフトなどのマスクタイプ並びに様々なハイブリッドマスクタイプを含む。プログラマブルミラーアレイの例は、小型ミラーのマトリックス配列を採用し、小型ミラーの各々は、入射放射ビームを異なる方向に反射させるために、個別に傾けることができる。傾斜ミラーは、放射ビームにパターンを与え、放射ビームは、ミラーマトリックスによって反射される。
[0043] 本明細書で使用される「投影システム」という用語は、使用されている露光放射又は他の因子（液浸液の使用若しくは真空の使用など）に適切な、屈折、反射、反射屈折、磁気、電磁及び静電光学系又はそれらの任意の組合せを含む、いかなるタイプの投影システムも包含するものとして広義に解釈すべきである。本明細書での「投影レンズ」という用語の使用は何れも、「投影システム」というより一般的な用語と同義であると見なすことができる。
[0044] 投影システムＰＳは、不均一であり得る光学伝達関数を有し、基板Ｗに与えられるパターンに影響を及ぼし得る。非偏光放射の場合、そのような影響は、２つのスカラマップによってかなりうまく説明することができ、２つのスカラマップは、その瞳面における位置の関数として、投影システムＰＳを出る放射の透過（アポダイゼーション）及び相対位相（収差）を説明する。透過マップ及び相対位相マップと呼ぶことができるこれらのスカラマップは、基底関数の完全集合の線形結合として表現することができる。特に便利な集合は、単位円上で定義される直交多項式の集合を形成するゼルニケ多項式である。各スカラマップの決定は、そのような展開における係数を決定することを伴い得る。ゼルニケ多項式は単位円上で直交するため、測定されたスカラマップと各ゼルニケ多項式との内積を順に計算し、この内積をそのゼルニケ多項式のノルムの二乗で除することによって、ゼルニケ係数を決定することができる。
[0045] 透過マップ及び相対位相マップは、フィールド及びシステムに依存する。すなわち、一般に、各投影システムＰＳは、各フィールドポイントに対して（すなわち、その像面における各空間場所に対して）異なるゼルニケ展開を有することになる。その瞳面における投影システムＰＳの相対位相は、例えば、投影システムＰＳの対物面（すなわち、パターニングデバイスＭＡの平面）における点状放射源から投影システムＰＳを通じて放射を投影し、シヤリング干渉計を使用して波面（すなわち、同じ位相を有するポイントの軌跡）を測定することによって決定することができる。シヤリング干渉計は、共通路干渉計であり、従って、有利には、波面を測定するために、二次参照ビームは不要である。シヤリング干渉計は、投影システムの像面（すなわち、基板テーブルＷＴ）における回折格子（例えば、二次元格子）と、投影システムＰＳの瞳面と共役な平面における干渉パターンを検出するように構成された検出器とを含み得る。干渉パターンは、シヤリング方向の瞳面における座標についての放射の位相の導関数に関連する。検出器は、例えば、電荷結合素子（ＣＣＤ）など、センシング要素のアレイを含み得る。
[0046] リソグラフィ装置の投影システムＰＳは、目に見える干渉縞を生み出すことはないため、波面の決定の精度は、例えば、回折格子を移動するなど、位相ステッピング技法を使用して向上させることができる。ステッピングは、回折格子の平面において、測定のスキャン方向に垂直な方向に実行することができる。ステッピング範囲は、一格子周期であり得、少なくとも３つの（均等に分布した）位相ステップを使用することができる。従って、例えば、３回のスキャン測定をｙ方向において実行することができ、各スキャン測定は、ｘ方向の異なる位置に対して実行される。この回折格子のステッピングは、位相変化を強度変化に効果的に変換し、位相情報の決定を可能にする。格子のステッピングは、検出器を較正するために、回折格子に垂直な方向（ｚ方向）において行うことができる。
[0047] 投影システムＰＳのその瞳面における透過（アポダイゼーション）は、例えば、投影システムＰＳの対物面（すなわち、パターニングデバイスＭＡの平面）における点状放射源から投影システムＰＳを通じて放射を投影し、検出器を使用して、投影システムＰＳの瞳面と共役な平面における放射の強度を測定することによって決定することができる。収差を決定するために波面の測定に使用したものと同じ検出器を使用することができる。
[0048] 投影システムＰＳは、多数の光学（例えば、レンズ）素子を含み得、収差（フィールド全体を通じる瞳面にわたる位相変化）の補正のために光学素子のうちの１つ又は複数を調整するように構成された調整機構ＡＭをさらに含み得る。この補正のための調整を達成するため、調整機構は、１つ又は複数の異なる方法で投影システムＰＳ内の１つ又は複数の光学（例えば、レンズ）素子を操作するように動作することができる。投影システムは、座標系を有し得、その光軸は、ｚ方向に伸びている。調整機構は、１つ若しくは複数の光学素子の移動、１つ若しくは複数の光学素子の傾斜及び／又は１つ若しくは複数の光学素子の変形のいかなる組合せも行うように動作することができる。光学素子の移動は、いかなる方向（ｘ、ｙ、ｚ又はそれらの組合せ）でもよい。光学素子の傾斜は、典型的には、光軸に垂直に面外に向けて働くものであり、軸の周りでｘ及び／又はｙ方向に回転させることによるものであるが、非回転対称非球面光学素子に対しては、ｚ軸の周りの回転を使用することができる。光学素子の変形は、低周波数形状（例えば、非点収差）及び／又は高周波数形状（例えば、自由非球面）を含み得る。光学素子の変形は、例えば、１つ若しくは複数のアクチュエータを使用して光学素子の１つ若しくは複数の側面に力をかけることによって及び／又は１つ若しくは複数の加熱要素を使用して光学素子の１つ若しくは複数の選択領域を加熱することによって、実行することができる。一般に、アポダイゼーション（瞳面にわたる透過変化）の補正のために投影システムＰＳを調整することは可能ではない場合がある。投影システムＰＳの透過マップは、リソグラフィ装置ＬＡ用のパターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡを設計する際に使用することができる。計算機リソグラフィ技法を使用することにより、パターニングデバイスＭＡは、アポダイゼーションを少なくとも部分的に補正するように設計することができる。
[0049] 本明細書で描写されるように、装置は、透過型の（例えば、透過性マスクを採用する）ものであり得る。或いは、装置は、反射型の（例えば、上記で言及されるタイプのプログラマブルミラーアレイを採用するか又は反射性マスクを採用する）ものであり得る。
[0050] リソグラフィ装置は、２つ（デュアルステージ）又はそれ以上のテーブル（例えば、２つ以上の基板テーブルＷＴａ、ＷＴｂ、２つ以上のパターニングデバイステーブル、例えば、測定及び／又は洗浄を容易にすることを専門とする基板がない状態の投影システムの下側にある基板テーブルＷＴａ及びテーブルＷＴｂなど）を有するタイプのものであり得る。そのような「マルチステージ」機械では、追加のテーブルを並列に使用することも、１つ又は複数のテーブルにおいて予備ステップを実行しながら、１つ又は複数の他のテーブルを露光に使用することもできる。例えば、アライメントセンサＡＳを使用するアライメント測定及び／又はレベルセンサＬＳを使用するレベル（高さ、傾きなど）測定を行うことができる。
[0051] また、リソグラフィ装置は、投影システムと基板との間の空間を充填するために、比較的高い屈折率を有する液体（例えば、水）によって基板の少なくとも一部分をカバーできるタイプのものでもあり得る。また、液浸液は、リソグラフィ装置の他の空間（例えば、パターニングデバイスと投影システムとの間）に塗布することもできる。液浸技法は、投影システムの開口数を増加するため、当技術分野ではよく知られている。「液浸」という用語は、本明細書で使用される場合は、基板などの構造を液体に浸さなければならないことを意味するわけではなく、むしろ、露光の間に液体が投影システムと基板との間に位置することのみを意味する。
[0052] 図１を参照すると、イルミネータＩＬは、放射源ＳＯから放射ビームを受信する。放射源及びリソグラフィ装置は、例えば、放射源がエキシマレーザである際は、別個のエンティティであり得る。そのような事例では、放射源は、リソグラフィ装置の一部を形成するとは考えられず、放射ビームは、例えば、適切な誘導ミラー及び／又はビームエキスパンダを含むビームデリバリシステムＢＤを用いて、放射源ＳＯからイルミネータＩＬに送られる。他の事例では、放射源は、例えば、放射源が水銀ランプである際は、リソグラフィ装置の不可欠な一部であり得る。放射源ＳＯ及びイルミネータＩＬは、必要に応じてビームデリバリシステムＢＤと共に、放射システムと呼ぶことができる。
[0053] イルミネータＩＬは、放射ビームの角度強度分布を調整するように構成されたアジャスタＡＤを含み得る。一般に、イルミネータの瞳面における強度分布の少なくとも外側及び／又は内側半径範囲（一般的にσ-outer及びσ-innerとそれぞれ呼ばれる）を調整することができる。それに加えて、イルミネータＩＬは、インテグレータＩＮ及びコンデンサＣＯなどの様々な他のコンポーネントを含み得る。イルミネータは、その断面において所望の均一性及び強度分布を有するように放射ビームを調節するために使用することができる。
[0054] 放射ビームＢは、サポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴ上で保持されるパターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡに入射し、パターニングデバイスによってパターン形成される。パターニングデバイスＭＡを通り抜けると、放射ビームＢは、投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳは、基板Ｗのターゲット部分Ｃにビームを集束する。第２のポジショナＰＷ及び位置センサＩＦ（例えば、干渉デバイス、リニアエンコーダ、２Ｄエンコーダ又は静電容量センサ）を用いると、基板テーブルＷＴは、例えば、異なるターゲット部分Ｃを放射ビームＢの経路に位置決めするために、正確に移動することができる。同様に、第１のポジショナＰＭ及び別の位置センサ（図１では明示的に描写されていない）は、例えば、マスクライブラリの機械検索後又はスキャンの間に、放射ビームＢの経路に対してパターニングデバイスＭＡを正確に位置決めするために使用することができる。一般に、サポート構造ＭＴの移動は、第１のポジショナＰＭの一部を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）及びショートストロークモジュール（微動位置決め）を用いて実現することができる。同様に、基板テーブルＷＴの移動は、第２のポジショナＰＷの一部を形成するロングストロークモジュール及びショートストロークモジュールを使用して実現することができる。ステッパの事例では（スキャナとは対照的に）、サポート構造ＭＴは、ショートストロークアクチュエータのみに接続することも、固定することもできる。パターニングデバイスＭＡ及び基板Ｗは、パターニングデバイスアライメントマークＭ１、Ｍ２及び基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を使用して位置合わせすることができる。基板アライメントマークは、示されるように、専用ターゲット部分を占めるが、ターゲット部分間の空間に位置することができる（これらは、スクライブラインアライメントマークとして知られている）。同様に、２つ以上のダイがパターニングデバイスＭＡ上に提供される状況では、パターニングデバイスアライメントマークは、ダイ間に位置し得る。
[0055] 描写される装置は、以下のモードの少なくとも１つで使用することができる。
１．ステップモードでは、サポート構造ＭＴ及び基板テーブルＷＴが本質的には静止状態で維持される間に、放射ビームに与えられたパターン全体が一度にターゲット部分Ｃ上に投影される（すなわち、単一静的露光）。次いで、基板テーブルＷＴは、異なるターゲット部分Ｃに露光できるように、Ｘ及び／又はＹ方向にシフトされる。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズは、単一静的露光でイメージングされるターゲット部分Ｃのサイズを制限する。
２．スキャンモードでは、サポート構造ＭＴ及び基板テーブルＷＴが同時にスキャンされる間に、放射ビームに与えられたパターンがターゲット部分Ｃ上に投影される（すなわち、単一動的露光）。サポート構造ＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度及び方向は、投影システムＰＳの拡大（縮小）及び像反転特性によって決定することができる。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズは、単一動的露光でのターゲット部分の幅（非スキャン方向における）を制限し、スキャン動作の長さは、ターゲット部分の高さ（スキャン方向における）を決定する。
３．別のモードでは、サポート構造ＭＴがプログラマブルパターニングデバイスを保持して本質的には静止状態で維持され、基板テーブルＷＴが移動されるか又はスキャンされる間に、放射ビームに与えられたパターンがターゲット部分Ｃ上に投影される。このモードでは、一般に、パルス放射源が採用され、基板テーブルＷＴの各移動後又はスキャンの間の連続放射パルス間に、プログラマブルパターニングデバイスが必要に応じて更新される。この動作モードは、上記で言及されるタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。
[0056] また、上記で説明される使用モード又は完全に異なる使用モードの組合せ及び／又は変形形態も採用することができる。
[0057] 図２に示されるように、リソグラフィ装置ＬＡは、リソグラフィセルＬＣ（リソセル又はクラスタと呼ばれる場合もある）の一部を形成することができ、基板の露光前及び露光後プロセスを実行するための装置も含む。従来の方式では、これらのリソグラフィセルＬＣは、１つ若しくは複数のレジスト層を堆積させるための１つ若しくは複数のスピンコータＳＣ、露光済みのレジストを現像するための１つ若しくは複数のデベロッパＤＥ、１つ若しくは複数の冷却プレートＣＨ及び／又は１つ若しくは複数のベークプレートＢＫを含む。基板ハンドラ又はロボットＲＯは、入力／出力ポートＩ／Ｏ１から１つ又は複数の基板を捕らえ、それらの基板を異なる処理装置間に移動させ、それらの基板をリソグラフィ装置のローディングベイＬＢに搬送する。これらの装置（集合的にトラックと呼ばれる場合が多い）は、トラック制御ユニットＴＣＵの制御下にあり、トラック制御ユニットＴＣＵは、それ自体が、監視制御システムＳＣＳによって制御され、監視制御システムＳＣＳは、リソグラフィ制御ユニットＬＡＣＵを介してリソグラフィ装置の制御も行う。従って、異なる装置は、スループット及び処理効率を最大化するように動作することができる。
[0058] リソグラフィ装置によって露光される基板に正しく且つ着実に露光するため、後続の層間のオーバーレイエラー、ラインの厚さ、クリティカルディメンション（ＣＤ）、フォーカスオフセット、材料プロパティなどの１つ又は複数のプロパティを測定するために露光済みの基板を検査することが望ましい。それに従って、リソセルＬＣが位置する製造施設は、典型的には、リソセルで処理されている基板Ｗのいくつか又はすべてを受け取る計測システムＭＥＴも含む。計測システムＭＥＴは、リソセルＬＣの一部であり得、例えば、リソグラフィ装置ＬＡの一部であり得る。
[0059] 計測結果は、監視制御システムＳＣＳに直接又は間接的に提供することができる。エラーが検出された場合は、後続の基板の露光に対して（特に、バッチの１つ又は複数の他の基板が未だ露光されていないほど十分に早く及び素早く検査を行うことができる場合）及び／又は露光済みの基板の後続の露光に対して調整を行うことができる。また、既に露光済みの基板は、歩留まりを改善するために剥がして再加工するか又は処分することができ、それにより、不良状態であると分かっている基板のさらなる処理の実行を回避することができる。基板のいくつかのターゲット部分のみが不良状態である事例では、それらの良い状態のターゲット部分にのみ、さらなる露光を実行することができる。
[0060] 計測システムＭＥＴ内では、検査装置は、基板の１つ又は複数のプロパティを決定するため、特に、異なる基板の１つ又は複数のプロパティがどのように変化するか或いは同じ基板の異なる層が層ごとにどのように変化するかを決定するために使用される。検査装置は、リソグラフィ装置ＬＡ又はリソセルＬＣに組み込んでも、スタンドアロンデバイスでもよい。迅速な測定を可能にするため、検査装置が露光の直後に露光済みのレジスト層の１つ又は複数のプロパティを測定することが望ましい。しかし、レジストの潜像は、低いコントラストを有し（放射露光が行われたレジストの部分と放射露光が行われていないレジストの部分との間の屈折率における違いはごくわずかである）、すべての検査装置が潜像の有益な測定を行うための十分な感度を有するわけではない。従って、測定値は、露光後ベークステップ（ＰＥＢ）の後に取ることができ、露光後ベークステップ（ＰＥＢ）は、通例では露光済みの基板に対して実行される第１のステップであり、レジストの露光部分とレジストの非露光部分との間のコントラストを増大する。この段階では、レジストの像は、半潜像的なものと呼ぶことができる。また、現像済みのレジスト像の測定を行うことも（この時点では、レジストの露光部分又は非露光部分が除去されている）、エッチングなどのパターン転写ステップの後に測定を行うことも可能である。後者は、不良状態である基板の再加工の可能性を制限する可能性が高いが、依然として、有益な情報を提供することができる。
[0061] 計測を可能にするため、１つ又は複数のターゲットを基板に提供することができる。実施形態では、ターゲットは、特別に設計され、周期構造を含み得る。実施形態では、ターゲットは、デバイスパターンの一部（例えば、デバイスパターンの周期構造）である。使用されるターゲットは、比較的大きな（例えば、４０μｍ×４０μｍ）周期構造レイアウト（例えば、１つ又は複数の格子を含む）を含み得る。その事例では、測定ビームは、周期構造レイアウトより小さなスポットサイズを有する場合が多い（すなわち、レイアウトは、十分に満たされてはおらず、その結果、周期構造のうちの１つ又は複数は、スポットによって完全にはカバーされていない）。これにより、無限と見なすことができるため、ターゲットの数学的再構成が簡略化される。しかし、例えば、スクライブラインにというよりむしろ、製品フィーチャ間にターゲットを位置決めすることができるため、ターゲットのサイズは低減されている（例えば、２０μｍ×２０μｍ若しくはそれ以下に又は１０μｍ×１０μｍ若しくはそれ以下に）。この状況では、周期構造レイアウトは、測定スポットより小さくすることができる（すなわち、周期構造レイアウトは、過剰に満たされている）。典型的には、そのようなターゲットは、暗視野スキャトロメトリを使用して測定され、暗視野スキャトロメトリでは、０次回折（鏡面反射に相当する）は阻止され、高次のみが処理される。暗視野計測の例は、それらの全体が参照により本明細書に組み込まれる国際公開第２００９／０７８７０８号及び国際公開第２００９／１０６２７９号で見つけることができる。技法のさらなる開発については、それらの全体が参照により本明細書に組み込まれる米国特許出願公開第２０１１−００２７７０４号、米国特許出願公開第２０１１−００４３７９１号及び米国特許出願公開第２０１２−０２４２９７０号で説明されている。回折次数の暗視野検出を使用した回折に基づくオーバーレイは、より小さなターゲットのオーバーレイ測定を可能にする。これらのターゲットは、照明スポットより小さいものであり得、基板上の製品構造によって取り囲むことができる。実施形態では、１つの像において複数のターゲットを測定することができる。
[0062] 実施形態では、基板上のターゲットは、１つ又は複数の１Ｄ周期格子を含み得、１つ又は複数の１Ｄ周期格子は、現像後にバーがソリッドレジストラインで形成されるように、プリントされる。実施形態では、ターゲットは、１つ又は複数の２Ｄ周期格子を含み得、１つ又は複数の２Ｄ周期格子は、現像後に１つ又は複数の格子がレジストのソリッドレジストピラー又はビアで形成されるように、プリントされる。バー、ピラー又はビアは、基板内に又は基板上に（例えば、基板上の１つ又は複数の層内に）選択的にエッチングすることができる。
[0063] 実施形態では、ターゲットのパターン（例えば、バー、ピラー又はビア）は、パターニングプロセスの１つ又は複数の処理特性（例えば、リソグラフィ投影装置（特に、投影システムＰＳ）における光学収差、フォーカス変更、ドーズ変更など）に対する感度が高いものであり、そのような特性の存在は、プリントパターンの変化において現れる。それに従って、プリントターゲットの測定データは、パターンや１つ又は複数の特性を再構成するために使用することができる。１Ｄ格子の１つ又は複数のパラメータ（ライン幅及び／又は形状など）或いは２Ｄ格子の１つ又は複数のパラメータ（ピラー又はビア幅、長さ又は形状）は、プリントステップ及び／又は他の検査プロセスの知識から、プロセッサＰＵによって実行される再構成プロセスに入力することができる。
[0064] 図３は、例示的な検査装置（例えば、スキャトロメータ）を描写する。検査装置は、スタンドアロンデバイスでも、リソグラフィ装置ＬＡ（例えば、測定ステーションにおいて）又はリソグラフィセルＬＣに組み込んでもよい。
[0065] 検査装置は、放射を基板Ｗに投影する放射プロジェクタ（例えば、広帯域白色光プロジェクタ或いは可視光線及び／又は近赤外線の様々な波長のプロジェクタ）を含む。このデバイスでは、放射源２によって放出された放射は、レンズシステム１２を使用してコリメートされ、干渉フィルタ１３及び偏光子１７を通じて透過し、部分反射面１６に反射し、高い開口数（ＮＡ）（望ましくは、少なくとも０．９又は少なくとも０．９５）を有する対物レンズ１５を介して基板Ｗ上のスポットＳに集束する。液浸検査装置（水などの比較的高い屈折率の流体を使用する）は、１を超える開口数でさえも有し得る。
[0066] 基板Ｗによって方向転換された放射は、次いで、方向転換された放射を検出させるために、部分反射面１６を通過して検出器１８（例えば、分光計検出器）に入る。検出器１８が後方投影焦点面１１に（すなわち、レンズシステム１５の焦点距離に）位置することも、補助光学系（図示せず）を用いて面１１を検出器１８にリイメージングすることもできる。検出器は、基板ターゲット３０の二次元角散乱スペクトルを測定することができるように、二次元検出器でもよい。検出器１８は、例えば、ＣＣＤ又はＣＭＯＳセンサのアレイでもよく、例えば、１フレーム当たり４０ミリ秒の積分時間を使用することができる。
[0067] 例えば、入射放射の強度を測定するために、参照ビームを使用することができる。これを行うため、放射ビームが部分反射面１６に入射する際、放射ビームの一部は、参照ビームとして、部分反射面１６を通じて参照ミラー１４に向けて透過する。次いで、参照ビームは、同じ検出器１８の異なる部分に投影されるか又はその代替として異なる検出器（図示せず）に投影される。
[0068] １つ又は複数の干渉フィルタ１３は、大体４０５〜７９０ｎｍ又はそれよりも低い２００〜３００ｎｍなどの範囲の対象の波長を選択するために利用可能である。干渉フィルタは、１組の異なるフィルタを含むというよりむしろ、調節可能なものであり得る。干渉フィルタの代わりに格子を使用することができる。ターゲットへの放射の入射角の範囲を制御するため、照明経路に開口絞り又は空間光変調器（図示せず）を提供することができる。
[0069] 検出器１８は、単一の波長（若しくは狭い波長範囲）で、複数の波長で別々に又は波長範囲上で積分して、方向転換された放射の強度を測定することができる。その上、検出器は、ＴＭ及びＴＥ偏光放射の強度並びに／或いはＴＭ偏光放射とＴＥ偏光放射との間の位相差を別々に測定することができる。実施形態では、鏡面反射放射のスペクトル（波長の関数としての強度）が測定される。
[0070] このデータから、検出された強度、スペクトルなどを生じさせる構造又はプロファイルは、例えば、厳密結合波分析及び非線形回帰によって、又は、シミュレーションされたスペクトル及び強度分布などのライブラリとの比較によって、プロセッサＰＵによって再構成することができる。一般に、再構成に対し、構造の一般形態が知られており、且つ、構造が作成されるプロセスの知識からいくつかの変数が想定されており、測定データから構造のわずかな変数を決定することを残すのみである。そのような検査装置は、法線入射検査装置又は斜入射検査装置として構成することができる。
[0071] リソグラフィ装置ＬＡのように、１つ又は複数の基板テーブルは、測定動作の間に基板Ｗを保持するために提供することができる。基板テーブルの形態は、図１の基板テーブルＷＴと同様又は同一のものであり得る。検査装置がリソグラフィ装置と統合される例では、基板テーブルは、同じ基板テーブルでさえあり得る。粗動及び微動ポジショナは、測定光学系に対して基板を正確に位置決めするように構成された第２のポジショナＰＷに提供することができる。様々なセンサ及びアクチュエータは、例えば、対象のターゲットの位置を取得し、その位置を対物レンズ１５の下方の位置に移動するために提供される。典型的には、ターゲットに対して、基板Ｗにわたって異なる場所で多くの測定が行われる。基板サポートは、異なるターゲットを取得するためにＸ及びＹ方向に移動させることができ、光学系の焦点に対するターゲットの所望の場所を得るためにＺ方向に移動させることができる。例えば、実際には、光学系が実質的に静止状態であり（典型的には、Ｘ及びＹ方向に、ただし、Ｚ方向もあり得る）、基板のみが移動する際に、対物レンズが基板に対して異なる場所に移動されているかのように動作を考慮及び説明することが好都合である。基板と光学系の相対位置が正しければ、原理上、現実世界において基板と光学系のどちらが移動しているか、両方が移動しているのか、或いは、それらを組み合わせて、光学系の一部が移動し（例えば、Ｚ及び／又は傾斜方向）、残りの光学系が静止状態であり、基板が移動している（例えば、Ｘ及びＹ方向に、ただし、任意選択により、Ｚ及び／又は傾斜方向にも）のかは問題ではない。
[0072] 再構成によるパラメータの測定に加えて、この回折に基づく計測又は検査の特定の応用は、周期ターゲット内のフィーチャ非対称性の測定にある。例えば、角度分解スキャトロメトリは、製品及び／又はレジストパターンにおけるフィーチャの非対称性の測定において有益である。非対称性測定の特定の応用は、オーバーレイエラーの測定のためのものであり、ターゲット３０は、互いに重なり合う１組の周期フィーチャを含む。図３の機器を使用した非対称性測定の概念は、例えば、その全体が本明細書に組み込まれる米国特許出願公開第２００６−０６６８５５号で説明されている。簡単に言えば、ターゲットの回折スペクトルにおける回折次数の位置はターゲットの周期性によってのみ決定されるが、回折スペクトルにおける非対称性は、ターゲットを形成する個々のフィーチャにおける非対称性を示す。検出器１８がイメージセンサであり得る図３の機器では、そのような回折次数における非対称性は、検出器１８によって記録された瞳像の非対称性として直接現れる。この非対称性は、ユニットＰＵで処理しているデジタル画像によって測定し、オーバーレイの既知の値に対して較正することができる。例えば、非対称性は、回折スペクトルの正反対の部分を比較する（例えば、周期格子の回折スペクトルにおける−１と＋１次を比較する）ことによって測定することができる。
[0073] 図４は、図３の装置における典型的なターゲット３０及び照明スポットＳの範囲の平面図を示す。周囲の構造の干渉のない回折スペクトルを得るため、ターゲット３０は、実施形態では、照明スポットＳの幅（例えば、直径）より大きい周期構造（例えば、格子）である。スポットＳの幅は、ターゲットの幅及び長さより小さくともよい。ターゲットは、言い換えれば、照明で「十分に満たされていない」ものであり、回折信号は、本質的には、ターゲット自体の外側の製品フィーチャ及び同様のものからのいかなる信号の干渉も受けない。照明配置２、１２、１３、１７は、対物１５の後方焦点面にわたって均一な強度の照明を提供するように構成することができる。或いは、例えば、照明経路にアパーチャを含めることによって、軸内又は軸外方向に照明を制限することができる。
[0074] 実施形態では、ターゲットは、基板上に形成された複合計測ターゲットであり得る。実施形態では、複合ターゲットは、互いに近くに位置決めされた４つの周期構造（この事例では、格子）を含む。実施形態では、周期構造は、そのすべてが計測装置の照明ビームによって形成された測定スポット内に位置するほど十分に、互いに近くに位置決めされる。従って、その事例では、４つの周期構造はすべて、同時に照明を受け、同時に測定される。実施形態では、４つの周期構造のうちの２つは、第１の方向（例えば、Ｘ方向）に伸びるそれらの細長いフィーチャ（例えば、ライン）を有し、４つの周期構造のうちの別の２つは、第１の方向（例えば、Ｙ方向）に伸びるそれらの細長いフィーチャ（例えば、ライン）を有する。オーバーレイ測定専用の例では、周期構造は、それ自体が、周期構造をオーバーレイすることによって形成された複合周期構造（例えば、複合格子）である。すなわち、周期構造は、基板上に形成されたデバイスの異なる層にパターン形成され、ある層の少なくとも１つの周期構造は、異なる層の少なくとも１つの周期構造にオーバーレイされる。そのようなターゲットは、２０μｍ×２０μｍ以内又は１６μｍ×１６μｍ以内の外寸を有し得る。さらに、すべての周期構造は、特定の対の層間のオーバーレイを測定するために使用される。
[0075] ターゲットの複数対の層の測定を容易に可能にするため、周期構造は、複合周期構造の異なる部分が形成される異なる層間のオーバーレイの測定を容易にするために異なる形でバイアスがかけられたオーバーレイオフセットを有し得る。従って、例えば、基板上のターゲットのすべての周期構造は、ある対の層を測定するために使用されることになり、基板上の別の同じターゲットのすべての周期構造は、別の対の層を測定するために使用されることになり、異なるバイアスは、複数対の層間の区別を容易にする。一例では、２つの周期構造は、＋ｄ、−ｄのそれぞれのバイアスを有するＸ方向の周期構造である。別の２つの周期構造は、＋ｄ、−ｄのそれぞれのオフセットを有するＹ方向の周期構造であり得る。４つの周期構造が示されているが、別の実施形態は、所望の精度を得るために、より大きなマトリックスを含み得る。例えば、３×３アレイの９つの複合周期構造は、−４ｄ、−３ｄ、−２ｄ、−ｄ、０、＋ｄ、＋２ｄ、＋３ｄ、＋４ｄのバイアスを有し得る。これらの周期構造の別個の像は、センサによって捕捉された像において識別することができる。
[0076] 図５は、計測を使用して得られた測定データに基づいてターゲットパターン３０’の対象の１つ又は複数の変数の値を決定する例示的なプロセスを概略的に描写する。検出器１８によって検出された放射は、ターゲット３０’の測定放射分布１０８を提供する。
[0077] 所定のターゲット３０’の場合、放射分布２０８は、例えば、マクスウェル方程式の数値解法２１０を使用して、パラメータ化モデル２０６から演算及び／又はシミュレーションすることができる。パラメータ化モデル２０６は、ターゲットを構成し、ターゲットと関連付けられる様々な材料で作られている層の例を示す。パラメータ化モデル２０６は、考慮中のターゲットの部分のフィーチャ及び層に対する１つ又は複数の変数を含み得、変数は、変化させること及び導出することができる。図５に示されるように、１つ又は複数の変数は、１つ又は複数の層の厚さｔ、１つ又は複数のフィーチャの幅ｗ（例えば、ＣＤ）、１つ又は複数のフィーチャの高さｈ並びに／或いは１つ又は複数のフィーチャの側壁角αを含み得る。示されてはいないが、１つ又は複数の変数は、これらに限定されないが、１つ又は複数の層の屈折率（例えば、実屈折率又は複素屈折率、屈折率テンソルなど）、１つ又は複数の層の消光係数、１つ又は複数の層の吸光、現像中のレジストロス、１つ又は複数のフィーチャのフーチング並びに／或いは１つ又は複数のフィーチャのラインエッジラフネスをさらに含み得る。変数の初期の値は、測定されているターゲットに対して予期されるものであり得る。次いで、２１２において、測定放射分布１０８と演算放射分布２０８との違いを決定するために、測定放射分布１０８が演算放射分布２０８と比較される。違いがある場合は、測定放射分布１０８と演算放射分布２０８との間で十分な整合性を有するようになるまで、パラメータ化モデル２０６の１つ又は複数の変数の値を変化させ、新しい演算放射分布２０８を計算し、測定放射分布１０８と比較することができる。その時点で、パラメータ化モデル２０６の変数の値は、実際のターゲット３０’のジオメトリの良好な又は最良の整合性を提供する。実施形態では、測定放射分布１０８と演算放射分布２０８との違いが許容閾値内になると、十分な整合性を有する。
[0078] ターゲットの測定精度及び／又は感度は、例えば、放射ビームの波長、放射ビームの偏光及び／又は放射ビームの強度分布（すなわち、角度又は空間強度分布）など、ターゲットに提供される放射ビームの１つ又は複数の特性に関して変化させることができる。実施形態では、放射ビームの波長範囲は、範囲から選択された（例えば、約４００ｎｍ〜９００ｎｍの範囲から選択された）１つ又は複数の波長に限定される。さらに、放射ビームの異なる偏光の選択を提供することができ、例えば、多数の異なるアパーチャを使用して様々な照明形状を提供することができる。
[0079] 少なくとも１つのパターニングステップ（例えば、光リソグラフィステップ）を含むパターニングプロセス（例えば、デバイス製造プロセス）をモニタするため、パターニング済みの基板が検査され、パターニング済みの基板の１つ又は複数のパラメータが測定される。１つ又は複数のパラメータは、例えば、パターニング済みの基板内又はパターニング済みの基板上に形成された連続層間のオーバーレイエラー、例えば、パターニング済みの基板内又はパターニング済みの基板上に形成されたフィーチャのクリティカルディメンション（ＣＤ）（例えば、クリティカルライン幅）、光リソグラフィステップのフォーカス又はフォーカスエラー、光リソグラフィステップのドーズ又はドーズエラー、光リソグラフィステップの光学収差などを含み得る。この測定は、製品基板自体のターゲットに対して及び／又は基板上に提供される専用計測ターゲットに対して実行することができる。
[0080] パターニングプロセスにおいて形成された構造の測定を行うための様々な技法が存在し、電子ビーム検査（例えば、走査電子顕微鏡）、画像ベースの測定若しくは検査ツール及び／又は様々な専門的なツールの使用を含む。上記で論じられるように、専門的な計測及び／又は検査ツールの高速の非侵襲形態は、放射ビームが基板の表面上のターゲットに誘導され、散乱（回折／反射）ビームのプロパティが測定される形態である。基板によってビームが散乱した後にビームのそれらのプロパティを評価することにより、基板の１つ又は複数のプロパティを決定することができる。これは、回折に基づく計測又は検査と呼ぶことができる。
[0081] パターニングプロセスを可能にするための重要な態様は、プロセス自体を発展させること、モニタリング及び制御に対してプロセス自体を設定すること、次いで、プロセス自体を実際にモニタ及び制御することを含む。パターニングデバイスパターン、レジストタイプ、リソグラフィ後プロセスステップなど（現像、エッチングなど）のパターニングプロセスの基本の構成を想定すると、パターニングプロセスにおいて基板にパターンを転写するように装置を設定すること、プロセスをモニタするために１つ又は複数の計測ターゲットを現像すること、計測ターゲットを測定するために計測プロセスを設定すること、次いで、測定値に基づいてプロセスのモニタリング及び／又は制御プロセスを実装することが望ましい。
[0082] 設計レイアウトの１つ又は複数の部分を識別することができ、その部分は、クリティカルフィーチャ又はホットスポットと呼ばれる。実施形態では、１組のクリティカルフィーチャ又はホットスポットが抽出され、クリティカルフィーチャ又はホットスポットは、設計レイアウトにおける複雑なパターンを表す（例えば、約５０〜１０００のクリティカルフィーチャ又はホットスポットであるが、いかなる数のクリティカルフィーチャ又はホットスポットも使用することができる）。当業者によって理解されるように、これらのクリティカルフィーチャ又はホットスポットは、設計の小さな部分（すなわち、回路、セル、パターン又は設計クリップ）を表し、特に、クリティカルフィーチャ又はホットスポットは、特定の注意及び／又は検証が必要である小さな部分を表す。クリティカルフィーチャ又はホットスポットは、経験によって（ユーザによって提供されるクリティカルフィーチャ又はホットスポットを含む）、試行錯誤によって、又は、フルチップシミュレーションを実行することによって、識別することができる。実施形態では、ホットスポットは、パターニングプロセスに対するプロセスウィンドウ（例えば、露光済みのフィーチャが許容範囲内（例えば、±５％、±１０）のクリティカルディメンション値を有するドーズ及びフォーカスプロセスウィンドウ）の境界を定義する。
[0083] 実施形態では、１つ又は複数のパターニング済みの基板（例えば、生産基板、モニタ基板など）から決定された特性に基づいて、リソグラフィ装置の上流又は下流にある処理装置（例えば、エッチングツール、堆積ツール又は化学機械平坦化ツールなど）の性能をモニタ及び／又は制御するモニタリング及び／又は制御システムが提供される。
[0084] より具体的には、例えば、実施形態では、エッチングツールの性能は、最終的なエッチング済みの基板を分析すること、ターゲット基板からその全体的な変動性を決定すること、及び、エッチングツールによるその全体的な変動性への寄与を決定することによって決定することができる。このことは、例えば、全体的な変動性にも寄与を与える１つ又は複数の他の処理装置に起因する変動性を取り除くことによって行うことができる。例えば、リソグラフィ装置及び堆積ツールによる全体的な変動性への寄与（例えば、ターゲット若しくは設計基板及び／又はパターン構成からの偏差）或いは最終的なエッチング済みの基板のパターン及び／又は最終的なエッチング済みの基板の特性は、エッチングツールによる全体的な変動性への寄与を決定するために、全体的な変動性から差し引くことができる。ここでの全体的な変動性は、例えば、パターン及び／又は最終的なエッチング済みの基板のフィンガープリント（例えば、特性の相違の空間分布）であると考えることができる。このことについては、以下でさらに詳細に説明する。
[0085] さらに、この例はエッチングツールの性能を指すが、１つ又は複数の他の非リソグラフィ装置も同様に評価することができる。最終的なエッチング済みの基板の測定からの結果は、考慮中の非リソグラフィ処理装置に起因する変動性への寄与を得るために、全体的な変動性にも寄与を与える１つ又は複数の他の処理装置に起因する変動性を取り除くために分析することができる。
[0086] 図６を参照すると、例示的な製造環境における例示的な処理装置ベースライナシステム６００が概略的に示されている。製造環境は、堆積ツール６１０と、トラックの第１のコンポーネント６２０（トラックのレジストコーティングコンポーネントなど）と、リソグラフィ装置６３０（パターニングデバイス６３５を使用する）と、トラックの第２のコンポーネント６２５（トラックの現像コンポーネント及び／又はトラックのベークプレートコンポーネントなど）と、エッチングツール６４０と、１つ又は複数の計測装置６５０（以下で論じられるように、スタンドアロンでも、他の装置のうちの１つ又は複数に組み込んでもよい）とを含む。実施形態では、堆積ツール６１０及び第１のトラックコンポーネント６２０は、リソグラフィ前処理装置と呼ばれる。実施形態では、第２のトラックコンポーネント６２５及びエッチングツール６４０は、リソグラフィ後処理装置と呼ばれる。実施形態では、製造環境は、１つ又は複数の追加のリソグラフィ前処理装置並びに／或いは１つ又は複数の追加のリソグラフィ後処理装置（例えば、化学機械平坦化ツール、別の堆積ツールなど）を含み得る。堆積ツール６１０は、原子層堆積（ＡＬＤ）、化学蒸着（ＣＶＤ）及び／又は物理蒸着（ＰＶＤ）ツールであり得る。第１のトラックコンポーネント６２０及び第２のトラックコンポーネント６２５は、同じトラックの一部である場合が多いが、異なるデバイス又はトラックに分離することができる。
[0087] 理解されるように、製造環境は、描写されるすべての装置を必要とするわけではない。さらに、装置のうちの１つ又は複数は、１つに組み合わせることができる。例えば、計測装置６５０は、リソグラフィ前処理装置（例えば、堆積ツール６１０及び／又は第１のトラックコンポーネント６２０など）のうちの１つ又は複数の一部、ソグラフィ装置６３０、並びに／或いは、リソグラフィ後処理装置（例えば、第２のトラックコンポーネント６２５、エッチングツール６４０など）のうちの１つ又は複数の一部でもよい。
[0088] 処理装置ベースライナシステム６００は、ソフトウェアアプリケーション６６０を含む。実施形態では、ソフトウェアアプリケーション６６０は、計測装置６５０と共に提供しても、計測装置６５０に組み込んでもよい（例えば、計測装置６５０と関連付けられた図１５のコンピュータシステム１５００などのコンピュータにおいて）。それに加えて又はその代替として、ソフトウェアアプリケーション６６０は、処理装置ベースライナシステム６００の別の部分に組み込んでも、スタンドアロンコンピュータシステム（例えば、図１５のコンピュータシステム１５００）、サーバ、プロセッサなどにおいてなど、スタンドアロンシステムにおいて提供してもよい。実施形態では、堆積ツール６１０、第１のトラックコンポーネント６２０、リソグラフィ装置６３０、第２のトラックコンポーネント６２５、エッチングツール６４０及び／又は計測装置６５０は、ソフトウェアアプリケーション６６０と連通し、その結果、堆積ツール６１０、第１のトラックコンポーネント６２０、リソグラフィ装置６３０、第２のトラックコンポーネント６２５、エッチングツール６４０及び／又は計測装置６５０の結果、設計、データなどを格納し、ソフトウェアアプリケーション６６０によって同じ時刻に又は異なる時刻に分析することができる。
[0089] 図７Ａ〜７Ｇを参照すると、処理装置ベースライナシステム６００と関係して基板７１０、７２０、７３０、７４０、７５０、７６０、７７０、７８０を形成するためのプロセスステップが描写されている。基板は、従来の基板（例えば、円板形状）と同じ形状を有し得、従来の基板と同等の横方向寸法（例えば、約２００ｍｍ、約３００ｍｍ又は約４５０ｍｍ）を有し得る。図７Ａに概略的に示されるように、ステップ７１０では、基板は、基板層７１５を含み、その断面が概略的に示されている。実施形態では、ステップ７１０における基板は、生産基板である。それに従って、基板層７１５は、１つ又は複数の生産層を含み得、生産層の各々は、ベアシリコンに加えて、機能フィーチャを備えて生産される。実施形態では、ステップ７１０における基板は、モニタ基板である。それに従って、基板層７１５は、ベアシリコンの層であり得る。図６に概略的に示されるように、基板層７１５を有する１つ又は複数の基板は、ステップ７１０で処理される。
[0090] 図７Ｂでは、断面が概略的に示されており、ステップ７２０における基板は、基板層７１５と、基板層７１５上に形成されたエッチング可能層７２５（例えば、堆積層）とを含む。エッチング可能層７２５は、１つ又は複数の適切な材料（例えば、酸化ケイ素、窒化ケイ素など）の層であり得る。実施形態では、堆積ツール６１０は、エッチング可能層７２５を基板層７１５に付着させるように構成することができる。実施形態では、堆積ツール６１０は、例えば、ＡＬＤ、ＣＶＤ又はＰＶＤによって、エッチング可能層７２５として堆積層を付着させる。図６に概略的に示されるように、各々が基板層７１５及びエッチング可能層７２５を有する１つ又は複数の基板は、ステップ７２０で形成される。
[0091] 実施形態では、エッチング可能層７２５の厚さは、エッチング可能層７２５を基板層７１５に付着させた後に測定される。実施形態では、エッチング可能層７２５の厚さは、ステップ７２０が完了した後且つステップ７３０を開始する前に測定することができる。実施形態では、エッチング可能層７２５の厚さは、計測装置６５０又は異なる計測装置によって測定される。実施形態では、計測装置６５０は、エッチング可能層７２５の上面にある第１の位置及びエッチング可能層７２５の下面にある第２の位置を測定するように構成されたセンサを含む。従って、エッチング可能層７２５の厚さは、第１の位置と第２の位置との差として決定することができる。実施形態では、エッチング可能層７２５の厚さは、堆積ツール６１０に埋め込まれたセンサによって測定することができる。実施形態では、厚さは、基板にわたる厚さの空間分布を導出するために、基板にわたって測定される。
[0092] 実施形態では、エッチング可能層７２５の厚さは、堆積ツール６１０の１つ又は複数のプロセス変数に基づいて推定され、プロセス変数は、基板層７１５上に堆積させたエッチング可能層の材料の量を決定するために使用することができる。例えば、堆積ツール６１０によって付着させた単位時間当たりの堆積材料のボリューム（すなわち、堆積ツール６１０の堆積レート）は、堆積ツールによって付着させたエッチング可能層７２５の厚さを推定するために使用することができる。例えば、堆積ツール６１０の様々なプロセス変数（堆積レート、堆積時間など）は、エッチング可能層７２５の厚さを決定又は推定するために、データベース６７０に格納することも、ソフトウェアアプリケーション６６０によるアクセスが可能になるようにすることもできる。例えば、データベース６７０は、堆積ツール６１０の様々なプロセス変数がエッチング可能層７２５の厚さにどのように影響を及ぼすかを決定するために、実験的に発展させることができる。このように、実施形態では、エッチング可能層７２５の厚さは、例えば、計測装置６５０によって、その厚さを直接測定することなく、決定することができる。実施形態では、ステップ７２０の後の大多数の基板７８５のエッチング可能層７２５の厚さは、以前の測定及び／又は実験に基づいて知られており、ソフトウェアアプリケーション６６０では固定値として設定されている。
[0093] エッチング可能層の厚さの測定及び分析について説明されているが、エッチング可能層７２５の１つ又は複数の異なる又は追加のパラメータも同様に測定／分析することができる。
[0094] 実施形態では、ソフトウェアアプリケーション６６０は、エッチング可能層７２５のパラメータ（例えば、厚さ）に基づいて、堆積ツール６１０による最終的なエッチング済みの基板の特性（ステップ７７０において基板がエッチングツール６４０によって処理された後）への寄与を決定することができる。実施形態では、寄与は、エッチング可能層のパラメータの関数として数学的にモデル化することができる。例えば、層厚及びエッチング後のＣＤ偏差に関連する数学モデル。層厚及びエッチング後のＣＤの例の文脈では、数学モデルは、異なる平均／ターゲットの堆積厚さに対するエッチング後のＣＤ変化の変動性を評価することによって導出することができる。モデルは、例えば、層厚とエッチング後のＣＤとの間の関係を確立する較正プロセスを通じて前もって得ることができる。モデルは、大多数の生産基板を評価することによって導出することができ、その場合、層厚及びエッチング後のＣＤは測定されており、データに対する１つ又は複数の機械学習アルゴリズムを使用して関係が決定される。最終的なエッチング済みの基板（例えば、図７Ｈの基板７８５を参照）の特性は、最終的なエッチング済みの基板７８５上のパターンのクリティカルディメンション（クリティカルディメンションの変化、平均クリティカルディメンションなどを含む）、クリティカルディメンション均一性、オーバーレイ、側壁角、フィーチャ高さ、底面傾斜、パターンシフト及び／又は幾何学的非対称性から選択される１つ又は複数の特性（或いはその１つ又は複数の空間分布）を含み得る。実施形態では、最終的なエッチング済みの基板７８５の特性は、最終的なエッチング済みの基板７８５上のパターンの１つ又は複数のフィンガープリント或いは最終的なエッチング済みの基板７８５にわたって多数の同じパターンを含む最終的なエッチング済みの基板７８５の１つ又は複数のフィンガープリントを含む。
[0095] 最終的なエッチング済みの基板７８５上のパターンのフィンガープリント或いは最終的なエッチング済みの基板７８５にわたって多数の同じパターンを含む最終的なエッチング済みの基板７８５のフィンガープリントは、パターン（又は複数のパターン）にわたる変化或いは最終的なエッチング済みの基板７８５にわたるパターンごとの変化を考慮することによって決定することができる。これらの変化は、最終的なエッチング済みの基板７８５上のパターンのクリティカルディメンション、クリティカルディメンション均一性、オーバーレイ、側壁角、フィーチャ高さ、底面傾斜、パターンシフト及び／又は幾何学的非対称性に関して、或いは、最終的なエッチング済みの基板７８５にわたる多数の同じパターンのうちの１つ又は複数に関して存在し得る。パターンのフィンガープリント又は最終的なエッチング済みの基板７８５のフィンガープリントは、計測装置６５０によって測定することができる。
[0096] 実施形態では、数学モデルは、エッチング可能層７２５の測定パラメータ（例えば、厚さ）を堆積ツール６１０による特性への寄与に変換するために使用される。実施形態では、エッチング可能層７２５のパラメータは、堆積を実行するために使用される堆積ツール６１０の堆積チャンバ６１１、６１２に特有のものであり得、特定の基板に特有ではないものであり得る（従って、基板にわたって使用することができる）。従って、堆積ツール６１０による特性への寄与は、決定して、さらなる使用のために堆積ツール６１０の適用可能な堆積チャンバ６１１、６１２に関するデータベース６７０に格納することができる。実施形態では、堆積ツール６１０による特性への寄与は、事前に特徴付けられ、特定のパターニングプロセスの堆積プロセスにおいて使用される堆積ツール６１０の適用可能な堆積チャンバ６１１、６１２に関するデータベース６７０から得られる。
[0097] 図７Ｃに概略的に示されるように、ステップ７３０では、エッチング可能層７２５上にレジスト層７３５（例えば、フォトレジスト）を提供することができる。実施形態では、第１のトラックコンポーネント６２０は、図６に概略的に示されるように、エッチング可能層７２５上（例えば、ステップ７３０において一群の基板を形成するために、多数のエッチング可能の各々の上）にレジスト層７３５を塗布するように構成することができる。実施形態では、レジスト層７３５を提供する第１のトラックコンポーネント６２０は、トラックのレジストコーティングコンポーネントを含む。図６に概略的に示されるように、各々が基板層７１５、エッチング可能層７２５及びレジスト層７３５を有する１つ又は複数の基板は、ステップ７３０で形成される。堆積のために上記で説明されるものと同様の測定及び分析プロセスは、この段階で、レジスト層に対して使用することができる（例えば、レジスト厚さの空間分布、レジスト屈折率などを決定する）。
[0098] 図７Ｄを参照すると、基板は、ステップ７４０で示されるように、基板層７１５と、エッチング可能層７２５と、パターニングプロセスにおいて露光されているレジスト層７３５とを含む。実施形態では、ステップ７４０におけるリソグラフィ装置６３０は、図６に概略的に示されるように、１つ又は複数の基板７３０に塗布されたレジスト層７２５に１つ又は複数のパターンを生成するように構成される。図７Ｄでは、レジストは未だ現像されていないため、パターンは、基板のレジスト層７３５に埋め込まれるように示されている。リソグラフィ装置６３０は、図１を参照して説明されるような光リソグラフィ装置、又は、例えば、ナノインプリントリソグラフィツールを含み得る。例えば、光リソグラフィ装置６３０は、ステップ７４０で示されるように、パターニングデバイス６３５（図６を参照）から１つ又は複数の基板上のレジスト層７３５にパターンを転写するために、１つ又は複数の基板のレジスト層７３５に露光することができる。パターニングデバイス６３５は、基板が生産基板である際は、ステップ７４０において基板上の機能デバイスのパターンを生成するために使用することができる。或いは、パターニングデバイス６３５は、基板がモニタ基板である際は、計測目的でパターン設計を生成するために使用することができる。例えば、パターニングデバイス６３５は、ライン及び空間格子などの周期構造を生成するために使用することができる。
[0099] 実施形態では、ソフトウェアアプリケーション６６０は、リソグラフィ装置６３０による最終的なエッチング済みの基板７８５の特性への寄与を決定するように構成することができる。リソグラフィ装置６３０による最終的なエッチング済みの基板７８５の特性への寄与は、リソグラフィ装置６３０に関連する１つ又は複数の変数から導出される。実施形態では、リソグラフィ装置６３０に関連する１つ又は複数の変数の一群は、基板に特有ではない１つ又は複数の第１の変数を含み得る。それに従って、リソグラフィ装置６３０による寄与は、特定の基板に特有ではない（従って、パターニングプロセスの基板にわたって使用することができる）１つ又は複数の第１の変数から導出されるリソグラフィ装置６３０による第１の寄与を含む。さらに、リソグラフィ装置６３０による第１の寄与は、今後の使用のためにデータベース６７０に格納することができる。実施形態では、リソグラフィ装置６３０による第１の寄与は、事前に特徴付け、データベース６７０から得ることができる。実施形態では、１つ又は複数の第１の変数は、これらに限定されないが、リソグラフィ装置６３０による照明の１つ又は複数の変数、リソグラフィ装置６３０の投影システムの１つ又は複数の変数、フォーカス、ドーズ、オーバーレイ、レーザ帯域幅、露光時間、光学収差、高周波レーザ帯域幅変化、高周波レーザ波長変化、ジョーンズ瞳（Jones pupil）などを含み得る。それに加えて又はその代替として、リソグラフィ装置６３０に関連する１つ又は複数の変数の一群は、特定の基板に特有の１つ又は複数の第２の変数を含み得る。それに従って、リソグラフィ装置６３０による寄与は、特定の基板に特有の１つ又は複数の第２の変数から導出されるリソグラフィ装置６３０による第２の寄与を含み得る。実施形態では、１つ又は複数の第２の変数は、これらに限定されないが、リソグラフィ装置６３０の基板ステージの動きの移動標準偏差（ＭＳＤ）及び／又はリソグラフィ装置６３０の基板ステージの動きの移動平均（ＭＡ）を含み得る。
[0100] 堆積のために上記で説明されるものと同様の測定及び分析プロセスは、この段階で、パターニング済みのレジストに対して使用することができる。例えば、１つ又は複数の第１及び／又は第２の変数の値は、リソグラフィ装置内のセンサ（例えば、干渉計、露光センサなど）から、機械のデバイス（例えば、アクチュエータ信号、レーザ信号など）からなど、導出することができる。
[0101] 実施形態では、図６を参照すると、リソグラフィ装置６３０によるパターニングの後、第２のトラックコンポーネント６２５は、ステップ７５０において１つ又は複数のパターニング済みの基板を形成するために、リソグラフィ装置６３０のパターン転写の後に、露光済みのレジストを現像するために使用される。図７Ｅに示されるように、現像後、パターニングデバイス６３５からレジスト層７３５に転写されたパターンは、ステップ７５０に示されるように、パターニング済みの基板においてはっきりと見ることができる。具体的には、図７Ｅでは、レジスト層７３５において４つのパターンラインが示されている。しかし、ステップ７５０のパターニング済みの基板のレジスト層７３５において、適切ないかなる数のパターンライン（又は別のタイプのパターン）も生成することができる。実施形態では、第２のトラックコンポーネント６２５は、トラックの現像コンポーネント及び／又はトラックのベークプレートコンポーネントである。実施形態では、第１のトラックコンポーネント６２０及び第２のトラックコンポーネント６２５は、異なるトラックである。実施形態では、第１のトラックコンポーネント６２０及び第２のトラックコンポーネント６２５は、同じトラックの異なるコンポーネントである。
[0102] 堆積のために上記で説明されるものと同様の測定及び分析プロセスは、この段階で、現像済みの／ベーキング済みのレジストに対して使用することができる。例えば、レジストの屈折率、レジストの厚さなどの値は、測定装置を使用して決定することができる。
[0103] 図７Ｆは、ステップ７６０におけるエッチングの後のエッチング済みの基板の垂直断面図を概略的に示す。示されるように、レジスト層７３５のレジストは少なくとも部分的に耐エッチング性を有するため、レジスト層７３５（具体的には、レジスト層７３５のパターン）によってカバーされていないエッチング可能層７２５の部分がエッチングされる。実施形態では、エッチングツール６４０は、ステップ７６０のエッチング済みの基板を形成するために、エッチング可能層７２５をエッチングするように或いはレジスト層７３５の１つ又は複数のパターンをエッチング可能層７２５に転写するように構成される。図７Ｇに示されるように、ステップ７７０では、エッチングが完了した後、必要に応じて、エッチング済みの基板からレジスト層７３５が除去される。具体的には、図７Ｇに示されるように、エッチング可能層７２５において４つのパターンラインが生成される。しかし、最終的なエッチング済みの基板７８５のエッチング可能層７２５において、適切ないかなる数のパターンライン（又は別のタイプのパターン）も生成することができる。エッチング可能層７２５の１つ又は複数のパターン（例えば、パターンライン）は、計測装置６４０によって測定が行われるように構成することができる。
[0104] 図７Ｈに概略的に示されるように、ステップ７８０では、計測装置６５０は、最終的なエッチング済みの基板７８５の特性を評価するように構成することができる。例えば、計測装置６５０は、最終的なエッチング済みの基板７８５上の計測ターゲットのパターンの特性を測定するように構成することができる。実施形態では、計測装置６５０は、最終的なエッチング済みの基板７８５の特性（具体的には、最終的なエッチング済みの基板７８５上の計測ターゲットのパターン）を測定することができる光（例えば、回折に基づく）計測ツールであり得る。実施形態では、特性は、最終的なエッチング済みの基板７８５上のパターン又は最終的なエッチング済みの基板７８５にわたる多数の同じパターンの各々のクリティカルディメンション（例えば、パターンライン７６２の幅及び／又は隣接するパターンライン間の間隔７６４）、クリティカルディメンション均一性、オーバーレイ、側壁角、フィーチャ高さ、底面傾斜、パターンシフト及び／又は幾何学的非対称性から選択される１つ又は複数の特性を含み得る。実施形態では、特性は、最終的なエッチング済みの基板７８５上のパターンの１つ又は複数のフィンガープリント或いは多数の同じパターンを含む最終的なエッチング済みの基板の１つ又は複数のフィンガープリントを含み得、１つ又は複数のフィンガープリントは、クリティカルディメンション、オーバーレイ、側壁角、フィーチャ高さ、底面傾斜、パターンシフト及び／又は幾何学的非対称性から選択される１つ又は複数の特性と関連付けられる。実施形態では、計測装置６５０は、最終的なエッチング済みの基板７８５の表面の位置（例えば、表面の高さ及び／又は回転位置）を測定するためのレベルセンサも含み得る。
[0105] 実施形態では、ソフトウェアアプリケーション６６０は、エッチングツール６４０による最終的なエッチング済みの基板７８５の特性への寄与を決定するように構成することができる。具体的には、エッチングツール６４０による特性への寄与は、最終的なエッチング済みの基板７８５の特性から、エッチングツール６４０の上流にある１つ又は複数の処理装置による１つ又は複数の寄与を除去することによって得ることができる。図６に示されるように、エッチングツール６４０の上流にある１つ又は複数の処理装置は、堆積ツール６１０、第１のトラックコンポーネント６２０、リソグラフィ装置６３０及び第２のトラックコンポーネント６２５を含む。実施形態では、第１のトラックコンポーネント６２０及び第２のトラックコンポーネント６２５は、典型的には、最終的なエッチング済みの基板７８５の特性に対して、堆積ツール６１０及びリソグラフィ装置６３０と比べてごくわずかな及び無視できるほどの寄与を与えることができる。従って、エッチングツール６４０の上流にある１つ又は複数の処理装置による１つ又は複数の寄与は、堆積ツール６１０による寄与及びリソグラフィ装置６３０による寄与を含み得る。それに従って、エッチングツール６４０による最終的なエッチング済みの基板７８５の特性への寄与は、最終的なエッチング済みの基板７８５の特性から、堆積ツール６１０（リソグラフィ前処理装置）による寄与及びリソグラフィ装置６３０による寄与を除去することによって決定することができる。実施形態では、リソグラフィ装置６３０による最終的なエッチング済みの基板７８５の特性への寄与は、特定の基板に特有ではないリソグラフィ装置６３０による第１の寄与及び／又は特定の基板に特有のリソグラフィ装置６３０による第２の寄与を含み得る。実施形態では、エッチングツール６４０による最終的なエッチング済みの基板７８５の特性への寄与は、特定のパターニング済みの基板に特有ではない。実施形態では、エッチングツール６４０による最終的なエッチング済みの基板７８５の特性への寄与は、エッチングに使用されるエッチングツール６４０のエッチングチャンバ６４１、６４２に特有である。従って、決定後、エッチングツール６４０による寄与は、エッチングに使用されるエッチングツール６４０のエッチングチャンバ６４１、６４２に関するデータベース６７０に格納することができる。
[0106] 事例では、堆積ツール６１０、リソグラフィ装置及びエッチングツール６４０の既存の変数は、堆積ツール６１０が、最終的なエッチング済みの基板７８５上のパターンのフィンガープリント（例えば、ＣＤフィンガープリント）に、例えば、０．２ｎｍの寄与を与えることができるようなもの、リソグラフィ装置６３０が、最終的なエッチング済みの基板７８５上のパターンのフィンガープリントに、例えば、０．４ｎｍの寄与を与えることができるようなもの、及び、エッチングツール６４０が、最終的なエッチング済みの基板７８５上のパターンのフィンガープリントに、例えば、０．２ｎｍの寄与を与えることができるようなものであり得る。従って、堆積ツール６１０、リソグラフィ装置６３０及びエッチングツール６４０による最終的なエッチング済みの基板７８５上のパターンのフィンガープリントへの累積寄与は、０．９ｎｍであり、それは、仮定の閾値（例えば、１ｎｍ）を下回る。
[0107] 例では、ステップ７２０の後、堆積ツール６１０による最終的なエッチング済みの基板７８５上のパターンのフィンガープリントへの寄与が０．５ｎｍであると決定された場合は、これは、リソグラフィ装置６３０及び／又はエッチングツール６４０を調整しない状態で、堆積ツール６１０、リソグラフィ装置６３０及びエッチングツール６４０による累積寄与は、１．１ｎｍであり、それは、仮定の閾値を０．１ｎｍ上回ることを示す。或いは、例では、ステップ７６０の後、エッチングツール６４０による最終的なエッチング済みの基板７８５上のパターンのフィンガープリントへの寄与が０．５ｎｍであると決定された場合は、これは、堆積ツール６１０及び／又はリソグラフィ装置６３０を調整しない状態で、堆積ツール６１０、リソグラフィ装置６３０及びエッチングツール６４０による累積寄与は、１．１ｎｍであり、それは、仮定の閾値を０．１ｎｍ上回ることを示す。いくつかの例では、これらの状況は、欠陥を生み出すこと及び／又は歩留まり損失をもたらすことがあり得る。
[0108] これを改善するため、閾値を下回る（例えば、１ｎｍを下回る）値まで累積寄与を低減するために適用できる場合は、堆積ツール６１０、リソグラフィ装置６３０及び／又はエッチングツール６４０を動作する前に、堆積ツール６１０の１つ又は複数の変数（例えば、厚さ、厚さ均一性又は他の任意の適切な変数）、リソグラフィ装置６３０の１つ又は複数の変数（例えば、ドーズ、フォーカス及び／又は他の任意の適切な変数）並びに／或いはエッチングツール６４０の１つ又は複数の変数（例えば、エッチングレート、エッチングタイプ、動作温度及び／又は他の任意の適切な変数）を調整することができる。
[0109] 別の例では、現像後のレジスト層７３５上のパターンのクリティカルディメンション（CD_litho）は、例えば、３０ｎｍである。エッチング後の最終的なエッチング済みの基板７８５のエッチング可能層７２５上のパターンのクリティカルディメンション（CD_etch）は、例えば、２５ｎｍである。CD_etchとCD_lithoとの差（すなわち、５ｎｍ）は、リソグラフィ・エッチング（litho-etch）バイアスと呼ばれ、堆積ツール６１０による寄与に基づき得、例えば、エッチング可能層７１５の厚さに基づき得る（例えば、エッチング可能層７１５の厚さが例えば１００ｎｍの際、リソグラフィ・エッチングバイアスは、５ｎｍである）。リソグラフィ・エッチングバイアスは、エッチングツール６４０の１つ又は複数の変数設定（例えば、エッチングツール６４０のエッチングチャンバ６４１、６４２のエッチングレート、エッチングタイプ、動作温度及び／又は他の変数）に基づいてさらに決定することができる。従って、堆積ツール６１０、リソグラフィ装置６３０及びエッチングツール６４０はすべて、CD_etchに寄与を与えることができる。上記で説明されるように、CD_etchは、CD_lithoとリソグラフィ・エッチングバイアスを加えることによって決定することができる。具体的には、CD_lithoは、リソグラフィ装置６３０の１つ又は複数の変数（ドーズ及び／又はリソグラフィ装置に関連する他の任意の適切な変数）を調整することによって変更することができる。リソグラフィ・エッチングバイアスは、堆積ツール６１０の１つ又は複数の変数（例えば、堆積レート、堆積時間など）を調整することによって変更することができ、それにより、エッチング可能層７１５の異なる厚さが生じ得る（例えば、最初は１００ｎｍをターゲットとする）。それに加えて又はその代替として、リソグラフィ・エッチングバイアスは、エッチングツール６４０の１つ又は複数の変数（例えば、エッチングレート、エッチングタイプ、動作温度）を調整することによって変更することもできる。ステップ７２０の後、エッチング可能層７１５の厚さが１１０ｎｍと測定された場合（例えば、１００ｎｍのターゲットより大きい）は、これは、リソグラフィ・エッチングバイアスが増加し得る（例えば、５ｎｍから８ｎｍに）ことを示す。従って、リソグラフィ装置６３０及び／又はエッチングツール６４０を調整しない状態では、リソグラフィ・エッチングバイアスの増加により、CD_etchは、ターゲット値から逸脱し得る。これを改善するため、例えば、リソグラフィ装置６３０を動作する前に、例えば２５ｎｍから例えば２３ｎｍのより小さな値にCD_lithoをリターゲットすることができ、その結果、結果として得られるCD_etchは、ターゲット値であり得るか又はターゲット値に近くなり得る。このことは、例えば、ドーズラチチュード（ドーズラチチュードは、ドーズ値の変化に対するクリティカルディメンション（具体的には、CD_litho）の感度を示す）に応じて、例えば、リソグラフィ装置６３０のドーズを変更することによって行うことができる。このことは、リソグラフィ装置６３０のドーズの代替として又はリソグラフィ装置６３０のドーズに加えて、リソグラフィ装置６３０の１つ又は複数の他の適切な変数を調整することによって行うことができることに留意すべきである。リソグラフィ装置６３０の動作前にリソグラフィ装置６３０に関連する１つ又は複数の変数を調整することに加えて又はその代替として、エッチングツール６１０の動作前に堆積ツール６１０に関連する１つ又は複数の変数を調整すること並びに／或いはエッチングツール６４０の動作前にエッチングツール６４０に関連する１つ又は複数の変数を調整することができる。このフィードフォワード方法についてのさらなる詳細は、図８で説明する。
[0110] 従って、実施形態では、フィードフォワードタイプの補正（図８を参照してさらに詳細に説明する）を行うことができる。例えば、実施形態では、リソグラフィ装置６３０に関連する１つ又は複数の変数（例えば、ドーズ、フォーカスなど）は、リソグラフィ装置６３０の動作前に、堆積ツール６１０による寄与に基づいて調整することができる。例えば、実施形態では、エッチングツール６４０に関連する１つ又は複数の変数は、エッチングツール６４０の動作前に、堆積ツール６１０及び／又はリソグラフィ装置６３０による最終的なエッチング済みの基板７８５の特性への総寄与に基づいて調整することができる。エッチングツール６４０に関連する１つ又は複数の変数は、これらに限定されないが、エッチングレート、エッチングタイプ、動作温度及び／又はエッチングツール６４０の他の任意の適切な変数を含み得る。このことは、エッチングツール６４０に関連する１つ又は複数の変数の調整が堆積ツール６１０及びリソグラフィ装置６３０による最終的なエッチング済みの基板の特性への総寄与の少なくとも一部分を補償できるように行われ、それにより、最終的なエッチング済みの基板７８５の特性のターゲット値からの最終的なエッチング済みの基板７８５の特性の偏差が低減される。いくつかの例では、堆積ツール６１０及び／又はリソグラフィ装置６３０による特性への累積寄与がターゲットから逸脱し過ぎる際は、ステップ７２０のパターニング済みの基板は、エッチングツール６４０によって処理するというよりむしろ、再加工する（例えば、レジスト層７３５を剥ぎ取る）ことができる。
[0111] 図７Ｉ〜７Ｌは、上記で説明される実施形態による、エッチングツール６４０による最終的なエッチング済みの基板７８５のフィンガープリントへの寄与を決定する方法の例を示す。図７Ｉは、最終的なエッチング済みの基板７８５を示す概略図である。最終的なエッチング済みの基板７８５は、その基板に形成された多数のダイ７９２、７９４、７９６などを含む。ダイ７９２、７９４、７９６などの各々は、計測装置６５０によって測定される同じパターン又はパターニング済みの構成を含むが、パターンごとに（又は基板ごとに）様々な特性におけるわずかな相違が存在し得る。実施形態では、特定の特性（例えば、クリティカルディメンションなど）の相違は、設計又はターゲットパターンからの偏差と見なすことができる。実施形態では、特定の特性のそれらの相違は、最終的なエッチング済みの基板７８５上のパターンの一群の平均パターンからの偏差と見なすことができる。相違は、定量化するか又は異なる方法で特徴付けることができる。それらの相違は、一例では、基板にわたって全体的に、最終的なエッチング済みの基板７８５のフィンガープリントと見なすことができる。相違又は最終的なエッチング済みの基板７８５のフィンガープリントは、図７Ｉでは、この簡単な例の場合、最終的なエッチング済みの基板７８５のターゲット（若しくは設計）パターン構成又は平均パターンからの関連パターンの偏差の定量化に応じて、ダイに示されるような数値（例えば、ｎｍの単位又は任意の尺度単位）で表現される各ダイにおける相違を示す。例えば、実施形態では、ダイ７９２、７９４、７９６などのパターンのフィンガープリントに対する値はそれぞれ、２ｎｍ、１ｎｍ、−２ｎｍなどである。これらの相違は、計測装置６５０によって行われる測定を使用して決定される（例えば、計測装置６５０によって行われた測定からある特定の値（最終的なエッチング済みの基板７８５上のターゲット又は設計パターン構成に対するターゲット又は設計値或いはパターンの一群（ダイ７９２、７９４、７９６などの）の測定値の平均など）を減ずる）。
[0112] 図７Ｊは、堆積ツール６１０による最終的なエッチング済みの基板７８５のフィンガープリントへの寄与を概略的に描写する。堆積ツール６１０による寄与は、エッチング可能層７２５の厚さに基づく数学モデルに従って推定することができる。例えば、図７Ｊに示されるように、数学モデルは、数学モデルに基づいて各ダイ７９２、７９４、７９６などのパターンに０．５ｎｍの寄与があると仮定で考えることができる。
[0113] 図７Ｋは、リソグラフィ装置６３０による最終的なエッチング済みの基板７８５のフィンガープリントへの寄与を概略的に描写する。リソグラフィ装置による寄与は、上記で説明されるようなリソグラフィ装置６３０に関連する１つ又は複数の変数に基づいて推定することができる。例えば、図７Ｋに示されるように、リソグラフィ装置６３０は、各ダイ７９２、７９４、７９６などのパターンにそれぞれ１ｎｍ、０．５ｎｍ、−３ｎｍなどの寄与があると考えることができる。
[0114] 図７Ｌは、エッチングツール６４０による最終的なエッチング済みの基板７８５のフィンガープリントへの寄与を概略的に描写する。エッチングツール６４０による寄与は、図７Ｌに示されるように、図７Ｉに示されるような最終的なエッチング済みの基板７８５のフィンガープリントから図７Ｊに示されるような堆積ツール６１０による寄与及び図７Ｋに示されるようなリソグラフィ装置６３０による寄与を減ずることによって導出することができる。具体的には、例えば、エッチングツール６４０は、各ダイ７９２、７９４、７９６などのパターンにそれぞれ０．５ｎｍ、０ｎｍ、０．５ｎｍなどの寄与があると考えることができる。
[0115] 実施形態では、ソフトウェアアプリケーション６６０は、エッチングツール６４０による特性への決定された寄与（任意選択により、許容範囲内）を使用して、修正情報を作成するように構成することができる。例えば、ソフトウェアアプリケーション６６０は、エッチングツール６４０（又は別の処理装置）による寄与に対して、エッチングツール６４０による決定された寄与が閾値（許容範囲を含み得る）を満たすか又は交差するかどうか（例えば、許容範囲内）を判断するように構成することができる。実施形態では、ソフトウェアアプリケーション６６０は、閾値からのエッチングツール６４０（又は別の処理装置）による決定された寄与の偏差（例えば、差）を決定する。例えば、エッチングツール６４０による最終的なエッチング済みの基板７８５上のパターンの特性（例えば、クリティカルディメンションフィンガープリントなど）への寄与に対する閾値は、仮定の例では、０．２ｎｍに設定することができる。エッチングツール６４０による最終的なエッチング済みの基板７８５上のパターンの特性への決定された寄与が０．５ｎｍである場合は、偏差は、ソフトウェアアプリケーション６６０によって０．３ｎｍであると決定される。実施形態では、ソフトウェアアプリケーション６６０は、エッチングツール６４０による特性への決定された寄与が基板にわたって閾値を満たすかどうかに関する空間分布を決定する。
[0116] それに加えて又はその代替として、ソフトウェアアプリケーション６６０は、計測装置６５０からの測定データ（例えば、最終的なエッチング済みの基板７８５にわたる特性又は空間分布、例えば、クリティカルディメンション、クリティカルディメンション均一性、側壁角、フィーチャ高さ、底面傾斜、パターンシフト、幾何学的非対称性など）を直接使用して、修正情報を作成するように構成することができる。例えば、ソフトウェアアプリケーション６６０は、計測装置６５０によって測定された特性の測定値が特性のターゲット値（許容範囲を含み得る）を満たすかどうかを判断するように構成することができる。実施形態では、ソフトウェアアプリケーション６６０は、計測装置６５０によって測定された特性の測定値と少なくとも１つの特性のターゲット値との間の偏差（例えば、差）を決定する。実施形態では、偏差は、クリティカルディメンションエラー、側壁角エラー、フィーチャ高さエラー、底面傾斜エラー、パターンシフトエラーなどであり得る。実施形態では、ソフトウェアアプリケーション６６０は、計測装置６５０によって測定された特性の測定値が最終的なエッチング済みの基板７８５にわたって特性のターゲット値を満たすかどうかに関する空間分布を決定する。
[0117] エッチングツール６４０（又は別の処理装置）による決定された寄与が閾値を満たさないか若しくは交差しないという決定及び／又は計測装置６５０によって測定された特性の測定値が特性のターゲット値（許容範囲を含み得る）を満たさないか若しくは交差しないという決定に応答して、行動を取ることができる。実施形態では、ソフトウェアアプリケーション６６０は、グラフィカルユーザインタフェース（ＧＵＩ）上に通知と共に情報を表示することによって、そのような決定をユーザに通知することができる。
[0118] 実施形態では、ソフトウェアアプリケーション６６０は、例えば、エッチングツール６４０（又は別の処理装置）による決定された寄与と閾値との間の偏差及び／又は計測装置６５０によって測定された特性の測定値と特性のターゲット値との間の偏差を補正する（例えば、許容範囲内まで除去するか又は低減する）ために、エッチングツール６４０の１つ又は複数の変数（例えば、１つ又は複数のエッチングチャンバ６１１、６１２のエッチングレート、エッチングタイプ及び／又は動作温度）を修正するための修正情報を作成するように構成される。実施形態では、修正は、空間に特有のものであることも（例えば、空間的に異なる修正を適用する）、パターン／基板にわたって均一のオフセットを適用することも可能である。実施形態では、修正情報は、偏差（例えば、差）に少なくとも部分的に基づいてエッチングツール６４０を調整するために使用することができる。具体的には、修正情報は、エッチングツール６４０の１つ又は複数の変数を調整するために作成することができる。例えば、修正情報は、偏差又は特性の測定値の空間分布に空間的に基づいて１つ又は複数のエッチング変数（例えば、エッチングレート、エッチングタイプ、動作温度など）を修正するために使用することができる。
[0119] 実施形態では、修正情報は、２つ以上のエッチングツール６４０の性能を整合させるように、同じエッチングツール６４０の異なるエッチングチャンバを整合させるように及び／又は異なるエッチングツール６４０の異なるエッチングチャンバを整合させるように、１つ又は複数の変数（例えば、エッチングレート、エッチングタイプ、動作温度など）を調整するために使用することができる。従って、偏差が評価されるターゲット値は、別のエッチングツール６４０及び／又はエッチングチャンバ６４１、６４２による特性への寄与である。例えば、エッチング済みの基板７８５は、エッチングツール６４０の第１のエッチングチャンバ６４１を使用して、エッチングツール６４０の第２のエッチングチャンバ６４２を使用して又はその両方を使用して、エッチング可能層７２５をエッチングすることによって形成することができる。第１のエッチングチャンバ６４１と第２のエッチングチャンバ６４２との間の性能を整合させるため、ソフトウェアアプリケーション６６０は、第１のエッチングチャンバ６４１によるエッチングツール６４０の第１のエッチングチャンバ６４１によって処理された第１のパターンの特性への第１の寄与と、第２のエッチングチャンバ６４２によるエッチングツール６４０の第２のエッチングチャンバ６４２によって処理された第２のパターンの同じ特性への第２の寄与との間の偏差を決定するように構成することができる。ソフトウェアアプリケーション６６０は、第１の寄与と第２の寄与との間の偏差を補正するために、第１のエッチングチャンバ６４１及び／又は第２のエッチングチャンバ６４２の１つ又は複数のエッチング変数（例えば、エッチングレート、エッチングタイプ、動作温度など）を調整するために修正情報を作成するようにさらに構成することができる。従って、実施形態では、修正情報は、第１の寄与（エッチングツール６４０の第１のエッチングチャンバ６４１の）と第２の寄与（エッチングツール６４０の第２のエッチングチャンバ６４２の）を許容範囲内で整合させることができる。従って、修正後、エッチングツール６４０の第１のエッチングチャンバ６４１、６４２の性能は、エッチングツール６４０の第２のエッチングチャンバ６４２の性能と許容範囲内で整合させることができる。
[0120] 論考はエッチングツールのモニタリング又は評価に焦点が置かれているが、実施形態では、処理装置ベースライナシステム６００を使用して、第２のトラック（又は現像ツール若しくはベーキングツールなどのそのコンポーネント）、堆積ツール、化学機械研摩／平坦化（ＣＭＰ）ツール或いは基板の物理的特性を変更する他の非リソグラフィ処理ツールなどの別の非リソグラフィ処理装置をモニタすることができる。１つ又は複数のそのようなツールの事例では、層７２５はエッチング可能である必要はなく、当然ながら、基板の処理は、エッチング（例えば、トラックの現像コンポーネント又はベーキングコンポーネント）を伴う必要はない。
[0121] 従って、評価ツールがトラックである際は、修正情報は、ベーキングツールのベーキング温度（例えば、グローバルな変化若しくは空間分布変化）などの１つ又は複数のトラック変数を調整するために使用することができる。評価ツールが堆積ツールである際は、修正情報は、１つ又は複数の堆積変数（例えば、堆積レートのグローバルな若しくは空間的な変化、堆積の空間的な相違など）を調整するために使用することができる。評価ツールがＣＭＰツールである際は、修正情報は、１つ又は複数の平坦化変数（例えば、平坦化レートのグローバルな若しくは空間的な変化、平坦化の空間的な相違など）を調整するために使用することができる。
[0122] 実施形態では、測定値及び／又は修正情報は、例えば、エッチングツールのエッチングツールチャンバに特有のもの、多数のエッチングツールの中の１つのエッチングツールに特有のものなど、特定の装置に特有のものであり得る。従って、モニタリング及び／又は制御は、ツール及び／又はその部分に特有のものであり得る。従って、例えば、機能デバイスの特定のパターニングプロセスにおいてどのツール及び／又はその部分が使用されているかに基づいて、パターニングプロセスにおいて１つ又は複数の基板を処理するために使用されているツール及び／又はその部分に適切な修正情報を適用することができる。
[0123] さらに、エッチングツール６４０（又は上記で説明されるような非リソグラフィ処理ツール（例えば、第２のトラックコンポーネント６２５、堆積ツール、ＣＭＰツールなど）における偏差は、例えば、非リソグラフィ処理ツール（例えば、堆積ツール６１０、第１のトラックコンポーネント６２０）又はリソグラフィ装置６３０などの別のツールにおいて補正することも、その逆も可能である。従って、修正情報は、評価されているツールに対するものである必要はない。例えば、リソグラフィ装置６３０の１つ又は複数のリソグラフィ変数を調整することができる。実施形態では、１つ又は複数のリソグラフィ変数は、ドーズ及び／又はフォーカスを含む。例として、修正情報は、例えば、光学収差を補正又は適用するために調整機構ＡＭを採用することによって、照明強度分布を補正又は修正するためにアジャスタＡＤを採用することによって、パターニングデバイスサポート構造ＭＴの位置を補正又は修正するためにパターニングデバイスサポート構造ＭＴのポジショナＰＭを採用することによって、基板テーブルＷＴの位置を補正又は修正するために基板テーブルＷＴのポジショナＰＭを採用することによってなど、リソグラフィ装置の１つ又は複数の修正装置を調整するために作成することができる。
[0124] 従って、非リソグラフィ処理ツールの評価の例では、修正情報は、非リソグラフィ処理ツール並びに／或いは非リソグラフィ処理ツールの上流又は下流にある１つ又は複数の処理装置の１つ又は複数の変数を修正するために作成することができる。１つ又は複数の処理ツールは、例えば、堆積ツール６１０、第１のトラックコンポーネント６２０、リソグラフィ装置６３０、第２のトラックコンポーネント６２５、エッチングツール６４０などを含み得る。
[0125] 実施形態では、ソフトウェアアプリケーション６６０は、１つ又は複数の数学モデルを使用して、堆積ツール６１０、第１のトラックコンポーネント６２０、リソグラフィ装置６３０、第２のトラックコンポーネント６２５、エッチングツール６４０及び／又は１つ若しくは複数の他の処理装置（例えば、化学機械平坦化ツール（図示せず））から選択される１つ又は複数によって補正可能な特性における偏差を決定する。ソフトウェアアプリケーション６６０は、堆積ツール６１０、第１のトラックコンポーネント６２０、リソグラフィ装置６３０、第２のトラックコンポーネント６２５、エッチングツール６４０及び／又は偏差を補正する（例えば、許容範囲内まで除去するか又は低減する）ための１つ若しくは複数の他の処理装置から選択される１つ又は複数のツールの構成を可能にする修正情報を提供するようにさらに構成することができる。実施形態では、数学モデルのうちの１つ又は複数は、パラメータ化された時点でデータに適合する基底関数の集合を定義する。実施形態では、モデルは、堆積ツール６１０、第１のトラックコンポーネント６２０、リソグラフィ装置６３０、第２のトラックコンポーネント６２５、エッチングツール６４０及び／又は１つ若しくは複数の他の処理装置（例えば、化学機械平坦化ツール）から選択される１つ又は複数の装置に行うことができる修正を含む。ソフトウェアアプリケーション６６０は、補正可能な偏差が特定の範囲内にあるかどうかを判断することができる。すなわち、指定された１つ又は複数の処理装置に行うことができる修正の範囲は、適用可能な処理ツールのうちの１つ又は複数の変数に行うことができる修正の量と関係して、上限、下限及び／又はその両方を有し得る。
[0126] 例えば、実施形態では、ｘ方向におけるリソグラフィ装置６３０の補正可能な偏差（すなわち、座標（ｘ，ｙ）におけるΔｘ）は、
Δｘ＝ｋ１＋ｋ３ｘ＋ｋ５ｙ＋ｋ７ｘ２＋ｋ９ｘｙ＋ｋ１１ｙ２＋ｋ１３ｘ３＋ｋ１５ｘ２ｙ＋ｋ１７ｘｙ２＋ｋ１９ｙ３ （１）
によってモデル化することができ、式中、ｋ１は、パラメータ（一定であり得る）であり、ｋ３、ｋ５、ｋ７、ｋ９、ｋ１１、ｋ１３、ｋ１５、ｋ１７、ｋ１９は、ｘ、ｙ、ｘ２、ｘｙ、ｙ２、ｘ３、ｘ２ｙ、ｘｙ２、ｙ３のそれぞれの項に対するパラメータ（一定であり得る）である。ｋ１、ｋ３、ｋ５、ｋ７、ｋ９、ｋ１１、ｋ１３、ｋ１５、ｋ１７、ｋ１９のうちの１つ又は複数は、ゼロであり得る。
[0127] 関連して、実施形態では、ｙ方向におけるリソグラフィ装置６３０の補正可能な偏差（すなわち、座標（ｘ，ｙ）におけるΔｙ）は、
Δｙ＝ｋ２＋ｋ４ｙ＋ｋ６ｘ＋ｋ８ｙ２＋ｋ１０ｙｘ＋ｋ１２ｘ２＋ｋ１４ｙ３＋ｋ１６ｙ２ｘ＋ｋ１８ｙｘ２＋ｋ２０ｘ３ （２）
によってモデル化することができ、式中、ｋ２は、パラメータ（一定であり得る）であり、ｋ４、ｋ６、ｋ８、ｋ１０、ｋ１２、ｋ１４、ｋ１６、ｋ１８、ｋ２０は、ｙ、ｘ、ｙ２、ｙｘ、ｘ２、ｙ３、ｙ２ｘ、ｙｘ２、ｘ３のそれぞれの項に対するパラメータ（一定であり得る）である。ｋ２、ｋ４、ｋ６、ｋ８、ｋ１０、ｋ１２、ｋ１４、ｋ１６、ｋ１８、ｋ２０のうちの１つ又は複数は、ゼロであり得る。
[0128] 実施形態では、２つ以上の処理装置（例えば、堆積ツール６１０、第１のトラックコンポーネント６２０、リソグラフィ装置６３０、第２のトラックコンポーネント６２５及び／又はエッチングツール６４０から選択される２つ以上のもの）による偏差補正の共最適化が提供される。
[0129] 実施形態では、共最適化は、クリティカルディメンションエラー、パターンシフトエラーなどに対して別々に又は組み合わせて実行されるなど、異なるタイプの偏差に対して別々に又は組み合わせて実行される。実施形態では、堆積ツール６１０、第１のトラックコンポーネント６２０、リソグラフィ装置６３０、第２のトラックコンポーネント６２５及び／又はエッチングツール６４０は、ある特定のタイプのエラーをよりうまく補正することができ、従って、偏差補正は、２つ以上の選択された処理ツールの適切な異なる変数の中で適切に重み付けられるか又は割り振られる。
[0130] 実施形態では、ソフトウェアアプリケーション６５０は、基板７５０、７６０に付着させるため及び処理装置ベースライナで測定するための１つ又は複数のパターンターゲットを識別し、１つ又は複数のターゲットに対する計測レシピを発展させるように構成される。この文脈における計測レシピは、１つ若しくは複数の計測ターゲットを測定するために使用される計測装置６４０自体と関連付けられた及び／又は測定プロセスと関連付けられた１つ又は複数の変数（及び１つ又は複数の関連値）であり、測定ビームの１つ又は複数の波長、測定ビームの１つ又は複数のタイプの偏光、測定ビームの１つ又は複数のドーズ値、測定ビームの１つ又は複数のレーザ帯域幅、測定ビームで使用される検査装置の１つ又は複数のアパーチャ設定、ターゲット上に測定ビームを位置付けるために使用されるアライメントマーク、使用されるアライメントスキーム、多数のターゲットのサンプリングスキーム、ターゲットのレイアウト、ターゲット及び／又はターゲットの対象のポイントを測定するための動きスキームなどが挙げられる。
[0131] 実施形態では、１つ又は複数のターゲットは、パターニングプロセス用に設計すること及びパターニングプロセスに適するようにすることができる。例えば、残留変化（組織的な及び／又はランダムの）を最小化する１つ又は複数のターゲットを識別するために、多数のターゲット設計を評価することができる。実施形態では、その性能が機能デバイスと整合する１つ又は複数のターゲットを識別する（例えば、そのクリティカルディメンション、パターンシフトなどの尺度がデバイスのクリティカルディメンション、パターンシフトなどと整合するターゲットを識別する）ために、多数のターゲット設計を評価することができる。ターゲットは、ターゲットにおけるクリティカルディメンション（ＣＤ）、パターンシフト、側壁角、フィーチャ高さ、底面傾斜、幾何学的非対称性など又はそれらから選択される任意の組合せの測定用に設計することができる。
[0132] 図８を参照すると、フィードフォワード方法の例示的なフローが描写されている。フィードフォワード方法は、１つ又は複数の第２の処理装置の上流又は下流にある１つ又は複数の第１の処理装置による基板の特性への１つ又は複数の寄与に基づいて、１つ又は複数の第２の処理装置の１つ又は複数の変数を調整するために使用することができる。ステップ８１０では、以前に論じられるように、ソフトウェアアプリケーション６６０によって、１つ又は複数の第１の処理装置による最終的なエッチング済みの基板（例えば、最終的なエッチング済みの基板７８５）の特性への１つ又は複数の寄与が推定され、１つ又は複数の第２の処理装置は、適用可能な１つ又は複数の第１の処理装置の上流又は下流にある。実施形態では、１つ又は複数の第１の処理装置の少なくとも１つは、エッチングツール６４０など、リソグラフィ装置（例えば、リソグラフィ装置６３０）の下流にある。実施形態では、１つ又は複数の第２の処理装置の少なくとも１つは、リソグラフィ装置６３０である。実施形態では、１つ又は複数の第１の処理装置による最終的なエッチング済みの基板（例えば、最終的なエッチング済みの基板７８５）の特性への１つ又は複数の寄与は、以前に論じられるように、ソフトウェアアプリケーション６６０によって、１つ又は複数の第１の処理装置によって処理された後に測定値を使用して決定され、１つ又は複数の第２の処理装置は、適用可能な１つ又は複数の第１の処理装置の下流にある。実施形態では、１つ又は複数の第１の処理装置の少なくとも１つは、リソグラフィ装置（例えば、リソグラフィ装置６３０）の上流にある。例えば、１つ又は複数の第１の処理装置は、堆積ツール（例えば、堆積ツール６１０）及び／又はトラックのレジストコーティングコンポーネント（例えば、第１のトラックコンポーネント６２０）を含み得る。実施形態では、１つ又は複数の第２の処理装置の少なくとも１つは、リソグラフィ装置６３０及び／又はエッチングツール６４０である。
[0133] ステップ８２０では、ハードウェアコンピュータシステム（例えば、ソフトウェアアプリケーション６６０）によって、推定されるか又は別の方法で決定された１つ又は複数の寄与に少なくとも部分的に基づいて、１つ又は複数の第２の処理装置に関する情報が作成され、出力される。実施形態では、１つ又は複数の第２の処理装置は、必要に応じて、堆積ツール（例えば、堆積ツール６１０）、トラックのレジストコーティングコンポーネント（例えば、第１のトラックコンポーネント６２０）、リソグラフィ装置（例えば、リソグラフィ装置６３０）、トラックの現像コンポーネント（例えば、第２のトラックコンポーネント６２５）、トラックのベークプレートコンポーネント（例えば、第２のトラックコンポーネント６２５）及び／又はエッチングツール（例えば、エッチングツール６４０）からの１つ又は複数であり得る。実施形態では、１つ又は複数の第２の処理装置に関する情報は、第２の処理装置の少なくとも１つを調整するために用使用することができる修正情報である。実施形態では、修正情報は、１つ又は複数の第２の処理装置の１つ又は複数の変数を調整するために作成することができる。例えば、１つ又は複数の第２の処理装置の１つ又は複数の変数は、これらに限定されないが、リソグラフィ装置（例えば、リソグラフィ装置６３０）のドーズ及び／又はフォーカス並びに／或いはエッチングツール（例えば、エッチングツール６４０）のエッチングレート、エッチングタイプ及び／又は動作温度を含み得る。
[0134] 例えば、１つ又は複数の第１の処理装置は、堆積ツール（例えば、堆積ツール６１０）を含み得る。従って、堆積ツール６１０によるエッチング済みの基板（例えば、最終的なエッチング済みの基板７８５）の特性への寄与は、ステップ８１０において、例えば、堆積ツール６１０によって付着させたエッチング可能層（例えば、エッチング可能層７２５）の厚さに基づいて推定される。実施形態では、第２の処理装置は、リソグラフィ装置（例えば、リソグラフィ装置６３０）及び／又はエッチングツール（例えば、エッチングツール６４０）を含み得る。従って、修正情報は、ステップ８２０において、堆積ツールによる決定された寄与に基づいて、エッチングツールの１つ又は複数の変数を調整するため並びに／或いはリソグラフィ装置の１つ又は複数の変数を調整するために作成することができる。具体的には、エッチングツールの１つ又は複数の変数は、エッチングツールのエッチングレート、エッチングツールのエッチングタイプ及び／又はエッチングツールの動作温度を含み得る。リソグラフィ装置の１つ又は複数の変数は、リソグラフィ装置のドーズ及び／又はフォーカスを含み得る。
[0135] 別の例では、１つ又は複数の第１の処理装置は、堆積ツール（例えば、堆積ツール６１０）及びリソグラフィ装置（例えば、リソグラフィ装置６３０）を含み得る。例えば、エッチング済みの基板（例えば、最終的なエッチング済みの基板７８５）の特性への堆積ツールによる寄与及びリソグラフィ装置による寄与はそれぞれ、ステップ８１０において推定される。第２の処理装置は、エッチングツールであり得る。従って、リソグラフィ装置及び堆積ツールによる総寄与が閾値を満たすか又は交差する（例えば、閾値範囲内に収まる）際は、修正情報は、ステップ８２０において、堆積ツール及びリソグラフィ装置による決定された寄与に基づいて、エッチングツールの１つ又は複数の変数を調整するために作成することができる。具体的には、エッチングツールの１つ又は複数の変数は、エッチングツールのエッチングレート、エッチングツールのエッチングタイプ又はエッチングツールの動作温度を含み得る。実施形態では、堆積ツール及びリソグラフィ装置によるフィンガープリントへの総寄与が大き過ぎる（例えば、閾値範囲外である）際は、エッチングツールによる寄与を踏まえて考慮すると、堆積ツール及びリソグラフィ装置によって処理された基板（例えば、パターニング済みの基板７５０）は、エッチングツールによって処理するというよりむしろ、再加工することができる。
[0136] 別の例では、１つ又は複数の第１の処理装置は、エッチングツール（例えば、エッチングツール６４０）を含み得る。例えば、エッチングツールによるエッチング済みの基板（例えば、最終的なエッチング済みの基板７８５）の特性への寄与は、ステップ８１０において推定される（例えば、以前に処理された基板を使用して決定されたモデルから）。第２の処理装置は、リソグラフィツールであり得る。従って、エッチングツールによる寄与が閾値を交差するか又は満たす（例えば、閾値範囲内に収まる）際は、修正情報は、ステップ８２０において、エッチングツールによる推定された寄与に基づいて、リソグラフィツールの１つ又は複数の変数を調整するために作成することができる。具体的には、リソグラフィ装置の１つ又は複数の変数は、ドーズ及び／又はフォーカスを含み得る。実施形態では、エッチングツールによるフィンガープリントへの寄与が大き過ぎる（例えば、閾値範囲外である）際は、堆積ツール及び／又はリソグラフィツールによる寄与を踏まえて考慮すると、堆積ツールによって処理された基板（例えば、パターニング済みの基板７５０）は、リソグラフィツールによって処理するというよりむしろ、再加工することができる。
[0137] 図９を参照すると、リソグラフィ後処理装置（例えば、エッチングツール）による基板の特性への寄与を決定するための方法の例示的なフローが描写されている。示されるように、基板の特性へのリソグラフィ前処理装置による寄与９１５及びリソグラフィ装置（例えば、リソグラフィ装置６３０）による寄与９２５が得られ、９３０において組み合わされる。要素９３０（及び図の他の同様の要素）は正号を示しているが、動作は、加算である必要はなく、例えば、乗算、畳み込みなどでもよい。さらに、リソグラフィ後処理装置による寄与９５０は、最終的なエッチング済みの基板７８５の特性９４０からリソグラフィ前処理装置９１５及びリソグラフィ装置９２５による組み合わされた寄与９３０を除去することによって決定することができる。特性９４０（及び図の他の同様の要素）の除去は負号を示しているが、動作は、加算である必要はなく、例えば、除算、逆畳み込みなどでもよい。最終的なエッチング済みの基板７８５の特性９４０の値は、計測装置（例えば、計測装置６５０）によって測定される。従って、言い換えれば、リソグラフィ後処理装置による最終的なエッチング済みの基板７８５の特性への寄与９５０は、リソグラフィ前処理装置及びリソグラフィ処理装置のそれぞれによる寄与９１５、９２５を除去する（例えば、減算、逆畳み込みなどを通じて）ことによって導出することができる。
[0138] 上記で説明されるように、堆積ツールによる寄与９１５は、堆積ツール（例えば、堆積ツール６１０）によって形成されたエッチング可能層の厚さ９１０から導出することができる。リソグラフィ装置による寄与９２５は、リソグラフィ装置に関連する１つ又は複数の変数の一群９２０から導出することができる。
[0139] 実施形態では、リソグラフィ後処理装置は、トラックの現像コンポーネント（例えば、第２のトラックコンポーネント６２５）、トラックのベークプレートコンポーネント（例えば、第２のトラックコンポーネント６２５）及び／又はエッチングツール（例えば、エッチングツール６４０）を含み得る。リソグラフィ前処理装置９１５は、堆積ツール（例えば、堆積ツール６１０）及び／又はトラックのレジストコーティングコンポーネント（例えば、第１のトラックコンポーネント６２０）を含み得る。上記で説明されるように、トラック（例えば、第１のトラックコンポーネント６２０及び／又は第２のトラックコンポーネント６２５）による寄与は、堆積ツール６１０による寄与及びリソグラフィ装置６３０による寄与と比べて、わずかな又は無視できるほどであり得る。従って、実施形態では、リソグラフィ前処理装置による寄与９１５は、堆積ツール（例えば、堆積ツール６１０）による寄与のみを指し得、リソグラフィ後処理装置による寄与９５０は、エッチングツール（例えば、エッチングツール６４０）による寄与のみを指し得る。
[0140] 図１０を参照すると、基板上の欠陥又は他のエラーを予測し、１つ又は複数の処理装置の１つ又は複数の変数を調整するための方法の例示的なフローが描写されている。示されるように、１つ又は複数の処理装置によって処理される基板に与えられる１つ又は複数の特性１０３０は、１つ又は複数の処理装置に特有の１つ又は複数の寄与（例えば、第１の寄与１０１５、第２の寄与１０２５及び第３の寄与９５０）を、１つ又は複数の特性１０３０を得るために処理されている基板に特有の第４の寄与１０３５と組み合わせることによって推定され、欠陥又は他のエラーを予測するために使用される。実施形態では、１つ又は複数の処理装置の少なくとも１つは、リソグラフィ装置の上流にある（すなわち、リソグラフィ前処理装置）。
[0141] 実施形態では、１つ又は複数の処理装置は、堆積ツール（例えば、堆積ツール６１０）、リソグラフィ装置（例えば、リソグラフィ装置６３０）及びエッチングツール（例えば、エッチングツール６４０）を含み得る。それに従って、第１の寄与１０１５は、堆積ツール（例えば、堆積ツール６１０）による寄与であり得、第２の寄与１０２５は、リソグラフィ装置（例えば、リソグラフィ装置６３０）による寄与であり得、第３の寄与９５０は、エッチングツール（例えば、エッチングツール６４０）による寄与であり得る。実施形態では、１つ又は複数の処理装置は、１つ又は複数のトラック（例えば、第１のトラックコンポーネント６２０及び／又は第２のトラックコンポーネント６２５）をさらに含み得る。それに従って、１つ又は複数の寄与は、第１のトラックコンポーネント６２０による寄与及び／又は第２のトラックコンポーネント６２５による寄与を含み得る。しかし、上記で説明されるように、第１のトラックコンポーネント６２０による寄与及び／又は第２のトラックコンポーネント６２５による寄与は、堆積ツールによる第１の寄与１０１５、リソグラフィ装置による第２の寄与１０２５及びエッチングツールによる第３の寄与９５０と比べて、わずかな又は無視できるほどであり得る。従って、実施形態では、第１のトラックコンポーネント６２０による寄与及び／又は第２のトラックコンポーネント６２５による寄与は、無視することができる。
[0142] 以前に述べられるように、堆積ツール（例えば、堆積ツール６１０）による第１の寄与１０１５は、堆積ツール（例えば、堆積ツール６１０）によって基板に形成されたエッチング可能層の変数（例えば、厚さ）１０１０から導出することができる。実施形態では、第１の寄与１０１５は、特定の基板に特有ではない（従って、パターニングプロセスの基板にわたって使用することができる）。実施形態では、第１の寄与１０１５は、堆積を実行するために使用される堆積ツール（例えば、堆積チャンバ６１０）の堆積チャンバ（例えば、堆積チャンバ６１１又は堆積チャンバ６１２）に特有である。従って、実施形態では、堆積ツールによるフィンガープリント１０３０への第１の寄与１０１５は、事前に特徴付け、データベース（例えば、データベース６７０）から得ることができ、その上、堆積プロセスにおいて使用される堆積ツール（例えば、堆積ツール６１０）の堆積チャンバ（例えば、堆積チャンバ６１１又は堆積チャンバ６１２）に関連して得ることができる。
[0143] リソグラフィ装置（例えば、リソグラフィ装置６３０）による第２の寄与１０２５は、リソグラフィ装置に関連する１つ又は複数の変数の一群１０２０から導出することができる。実施形態では、リソグラフィ装置（例えば、リソグラフィ装置６３０）に関連する１つ又は複数の変数の一群１０２０は、基板に特有ではない１つ又は複数の第１の変数を含み得る。それに従って、リソグラフィ装置（例えば、リソグラフィ装置６３０）による第２の寄与１０２５の少なくとも一部分は、特定の基板に特有ではない（従って、パターニングプロセスの基板にわたって使用することができる）１つ又は複数の第１の変数から導出することができる。従って、第２の寄与１０２５の少なくとも一部分は、事前に特徴付け、データベース（例えば、データベース６７０）から得ることができる。実施形態では、１つ又は複数の第１の変数は、これらに限定されないが、リソグラフィ装置による照明の１つ又は複数の変数、リソグラフィ装置の投影システムの１つ又は複数の変数、フォーカス、ドーズ、オーバーレイ、レーザ帯域幅、露光時間、光学収差、高周波レーザ帯域幅変化並びに／或いは高周波レーザ波長変化のうちの１つ又は複数を含み得る。
[0144] 実施形態では、エッチングツール（例えば、エッチングツール６４０）による第３の寄与９５０は、図９で説明されるようなプロセスによって得ることができる。エッチングツールによる第３の寄与９５０は、以前に説明されるようなプロセスによって事前に特徴付け、データベース（例えば、データベース６７０）から得ることができ、その上、エッチングツールによる第３の寄与９５０はエッチングツールのエッチングチャンバに特有のものであり得るため、エッチングで使用されるエッチングツール（例えば、エッチングツール６４０）のエッチングチャンバ（例えば、エッチングチャンバ６４１又はエッチングチャンバ６４２）に関連する特有のものであり得、特定の基板に特有ではないものであり得る（従って、パターニングプロセスの基板にわたって使用することができる）。
[0145] 実施形態では、１つ又は複数の処理装置による第４の寄与１０３５は、欠陥又は他のエラー予測が実行される１つ又は複数の基板に特有である。実施形態では、第４の寄与１０３５は、リソグラフィ装置に関連する１つ又は複数の変数であり、予測が実行される１つ又は複数の特定の基板に特有である。例えば、基板に特有のリソグラフィ装置の１つ又は複数の変数は、これらに限定されないが、リソグラフィ装置の基板ステージの動きのＭＳＤ、リソグラフィ装置の基板ステージの動きのＭＡ及び／又はフォーカスのうちの１つ又は複数を含み得る。実施形態では、第４の寄与１０３５は、堆積ツールに関連する１つ又は複数の変数であり、予測が実行される１つ又は複数の特定の基板に特有である。例えば、堆積ツールの１つ又は複数の変数は、厚さであり得る。
[0146] 手順１０４０では、考慮中の特定の１つ又は複数の基板に対する特性（又は複数の特性）１０３０の１つ又は複数の値が閾値を交差するか又は満たすかどうかが判断される。閾値を交差しないか又は満たさない場合は、手順１０５０において、欠陥又は他のエラーが１つ又は複数の基板上に生成されるとは予測されない。次いで、方法は、手順１０７０で終了する。そうでない場合は、手順１０６０において、欠陥又は他のエラーが１つ又は複数の基板上に生成されると予測される。１０６５では、いくつかのオプションが可能である。例えば、１つ又は複数の基板が未だ処理されている場合は、欠陥又は他のエラーが予測される１つ又は複数の基板を処分するという信号、１つ又は複数の基板を再加工するという信号などを提供することができる。それに加えて又はその代替として、修正情報１０６５は、推定された特性に基づいて１つ又は複数の処理装置のうちの１つ又は複数を調整するために作成することができる。例えば、１つ又は複数の基板が未だ処理されている場合は、リソグラフィ後装置に対する修正情報を作成することができ、第４の寄与１０３５は、例えば、リソグラフィ装置に関連する。さらなる例として、修正情報は、潜在的な欠陥又は他のエラーを改善するように後続の基板を処理するために作成することができる。実施形態では、修正情報１０６５は、１つ又は複数の処理装置の１つ又は複数の変数を調整するために作成することができる。例えば、１つ又は複数の変数は、堆積ツールの堆積レート及び／又は堆積ツールの動作時間など、堆積ツール（例えば、堆積ツール６１０）の１つ又は複数の堆積変数を含み得る。例えば、１つ又は複数の変数は、リソグラフィ装置（例えば、リソグラフィ装置６３０）のドーズ及び／又はフォーカスなど、リソグラフィ装置（例えば、リソグラフィ装置６３０）の１つ又は複数のリソグラフィ変数を含み得る。別の例では、１つ又は複数の変数は、エッチングツールのエッチングレート、エッチングツールのエッチングタイプ及び／又はエッチングツールの動作温度など、エッチングツール（例えば、エッチングツール６４０）の１つ又は複数のエッチング変数を含み得る。次いで、方法は、手順１０７０で終了する。
[0147] 図１１を参照すると、基板上の欠陥又は他のエラーを予測するための方法の例示的なフローが描写されている。示されるように、１つ又は複数の処理装置によって処理される１つ又は複数の基板に与えられる特性は、１つ又は複数の処理装置の１つ又は複数のプロセス変数の第１の群１１０５による特性１１３０への第１の寄与１１１０と、１つ又は複数の処理装置の１つ又は複数のプロセス変数の第２の群１１２０による特性１１３０への第２の寄与１１２５とを組み合わせることによって推定される。具体的には、１つ又は複数のプロセス変数の第１の群１１０５による第１の寄与１１１０は、欠陥又は他のエラーが予測されている１つ又は複数の基板に特有ではないものであり得る。従って、第１の寄与１１１０は、１つ又は複数のプロセス変数の第１の群に基づいて事前に特徴付け、データベース（例えば、データベース６７０）から得ることができる。上記で論じられるものと同様に、寄与１１１０は、ある特定の１つ又は複数の処理装置及び／又はそのコンポーネント（例えば、エッチングチャンバ）に特有のものであり得る。
[0148] １つ又は複数のプロセス変数の第１の群１１０５は、堆積ツールの堆積レート及び／又は堆積ツールの動作時間など、堆積ツールの１つ又は複数の堆積変数を含み得る。それに加えて、１つ又は複数のプロセス変数の第１の群１１０５は、基板に特有ではないリソグラフィ装置に関連する１つ又は複数の変数を含み得る。例えば、１つ又は複数の変数は、これらに限定されないが、リソグラフィ装置による照明の１つ又は複数の変数、リソグラフィ装置の投影システムの１つ又は複数の変数、フォーカス、ドーズ、オーバーレイ、レーザ帯域幅、露光時間、光学収差、高周波レーザ帯域幅変化及び／又は高周波レーザ波長変化のうちの１つ又は複数を含み得る。さらに、１つ又は複数のプロセス変数の第１の群１１０５は、エッチングツール（具体的には、エッチングツールのエッチングチャンバ）のエッチングレート、エッチングツール（具体的には、エッチングツールのエッチングチャンバ）のエッチングタイプ及び／又はエッチングツール（具体的には、エッチングツールのエッチングチャンバ）の動作温度など、エッチングツール（例えば、エッチングツール６４０）の１つ又は複数のエッチング変数を含み得る。
[0149] 実施形態では、１つ又は複数の処理装置の１つ又は複数のプロセス変数の第２の群１１２０は、考慮中の特定の１つ又は複数の基板に特有のリソグラフィ装置に関連する１つ又は複数の変数を含み得る。例えば、１つ又は複数の変数は、これらに限定されないが、リソグラフィ装置の基板ステージの動きのＭＳＤ、リソグラフィ装置の基板ステージの動きのＭＡ及び／又はフォーカスのうちの１つ又は複数を含み得る。実施形態では、１つ又は複数の処理装置の１つ又は複数のプロセス変数の第２の群１１２０は、考慮中の特定の１つ又は複数の基板に特有の堆積ツールに関連する１つ又は複数の変数を含み得る。例えば、１つ又は複数の変数は、厚さを含み得る。
[0150] １１４０では、推定された特性（又は複数の特性）１１３０が閾値を交差するか又は満たすかどうかが判断される。閾値を交差するか又は満たす場合は、１１５０において、欠陥又は他のエラーが基板上に生成されるとは予測されない。次いで、方法は、１１７０で終了する。そうでない場合は、１１６０において、欠陥又は他のエラーが１基板上に生成されると予測される。図１０に対して上記で説明されるものと同様のステップを提供することができる。例えば、修正情報１１６５は、推定された特性１１３０に基づいて第１の群及び／又は第２の群からの１つ又は複数のプロセス変数を調整するために作成することができる。次いで、方法は、１１７０で終了する。
[0151] 図１２は、本開示の実施形態による、エッチング済みの基板のクリティカルディメンション均一性の観点から第１の寄与１１１０を決定するための方法の例示的な図を描写している。示されるように、エッチング済みの基板（例えば、最終的なエッチング済みの基板７８５）のクリティカルディメンション均一性への寄与１１１０は、エッチング済みの基板の測定されたクリティカルディメンション均一性１２２０から、リソグラフィ装置（例えば、リソグラフィ装置６３０）によるエッチング済みの基板のクリティカルディメンション均一性への寄与１２６０及び堆積ツール（例えば、堆積ツール６１０）によるエッチング済みの基板のクリティカルディメンション均一性への寄与１２５０を除去することによって得ることができる。理解されるように、寄与１１１０は、多数の基板を評価することによって決定することができる。
[0152] 上記で述べられるように、実施形態では、堆積ツールによる寄与１２５０は、堆積ツールによって基板に付着させた堆積層の厚さに基づき得る。実施形態では、堆積ツールによる寄与１２５０は、事前に特徴付け、データベース（例えば、データベース６７０）から得ることができ、その上、堆積のために使用される堆積ツール（例えば、堆積ツール６１０）の堆積チャンバ（例えば、堆積チャンバ６１１又は堆積チャンバ６１２）に特有のものであり得る。上記で説明されるように、実施形態では、寄与１２５０は、エッチング済みの基板の測定されたクリティカルディメンション均一性１２２０と関連付けられた堆積に対する特定の条件（例えば、堆積ツールの設定パラメータ及び／又は堆積ツールによって測定若しくは別の方法で提供されたデータ）を使用して数学モデリングによって決定することができる。
[0153] 実施形態では、リソグラフィ装置による寄与１２６０は、リソグラフィ装置に関連する変数の一群から導出することができる。例えば、リソグラフィ装置に関連する変数の一群は、フォーカス及び基板の法線方向の基板の動きの移動標準偏差を含み得る。それに従って、リソグラフィ装置による寄与１２６０は、リソグラフィ装置のフォーカスから導出されるエッチング済みの基板のクリティカルディメンション均一性への第１の寄与１２３０と、基板の法線方向の基板の動きの移動標準偏差から導出されるエッチング済みの基板のクリティカルディメンション均一性への第２の寄与１２４０とを含み得る。実施形態では、リソグラフィ装置に関連する変数の一群は、１つ又は複数の他の又は追加の変数を含み得る。上記で説明されるように、実施形態では、寄与１２６０は、エッチング済みの基板の測定されたクリティカルディメンション均一性１２２０と関連付けられたリソグラフィ装置によってパターン転写するための特定の条件（例えば、リソグラフィ装置の設定パラメータ及び／又はリソグラフィ装置によって測定若しくは別の方法で提供されたデータ）を使用して数学モデリングによって決定することができる。
[0154] 従って、寄与１１１０は、１つ又は複数の処理装置の寄与１２１０の関数Ｆによって得ることができる。実施形態では、寄与１１１０は、１つ又は複数の処理装置（例えば、堆積ツール、リソグラフィ装置及び／又はエッチングツール）のフィンガープリントであり得るか又はフィンガープリントに関連し得る。実施形態では、関数Ｆは、多数の基板に対するデータを使用する寄与１２１０のグローバルフィット関数であり得る（例えば、上記で述べられる方程式（１）又は（２）と同様の、例えば、数学モデルを使用してフィットさせる）。実施形態では、寄与１１１０は、エッチング済みの基板のクリティカルディメンション均一性１２２０に関する１つ又は複数の処理装置の補正不可能な偏差又はエラーを示し得る。実施形態では、寄与１１１０は、データベース（例えば、データベース６７０）に格納することができる。いくつかの例では、寄与１１１０（又は他の寄与）は、エッチング済みの基板（例えば、最終的なエッチング済みの基板７８５）にわたる１つ又は複数のパターンのクリティカルディメンションの平均値のパーセンテージに変換し、次いで、データベース（例えば、データベース６７０）に格納することができる。
[0155] 図１３は、本開示の実施形態による、１つ又は複数の基板上の欠陥又は他のエラーを予測するための方法の例示的な図を描写している。示されるように、エッチング済みの基板（例えば、最終的なエッチング済みの基板７８５）上のホットスポットの予測されたクリティカルディメンション均一性１３１０は、１つ又は複数の処理装置によるクリティカルディメンション均一性への寄与１３２０（寄与１１１０など、例えば、フィンガープリントの形態）と、１つ又は複数の基板に適用可能な測定及び／又はツールデータに基づくリソグラフィ装置によるクリティカルディメンション均一性への寄与１３６０と、１つ又は複数の基板に適用可能な測定及び／又はツールデータに基づく堆積ツールによるクリティカルディメンション均一性への寄与１３５０を組み合わせることによって推定される。
[0156] 実施形態では、堆積ツール（例えば、堆積ツール６１０）によるクリティカルディメンション均一性への寄与１３５０は、考慮中の１つ又は複数の基板上に堆積ツールによって付着させたエッチング可能層（例えば、堆積層）の厚さに基づいて特徴付けることができる。実施形態では、堆積ツールによる寄与１３５０は、堆積ツール及び／又はチャンバに対する数学モデルを使用して決定することができる。実施形態では、堆積ツールによる寄与１３５０は、１つ又は複数の基板に適用可能な測定データ（例えば、測定された厚さ）及び／又はツールデータ（例えば、設定パラメータ、ツール動作信号など）に基づいて決定することができる。
[0157] 実施形態では、リソグラフィ装置による寄与１３６０は、リソグラフィ装置に関連する変数の一群から導出することができる。例えば、リソグラフィ装置に関連する変数の一群は、フォーカス及び基板の法線方向の基板の動きの移動標準偏差を含み得る（ただし、さらなる又は異なる変数でもあり得る）。それに従って、リソグラフィ装置による寄与１３６０は、リソグラフィ装置のフォーカス１３７０から導出されるエッチング済みの基板のクリティカルディメンション均一性への第１の寄与１３３０と、基板の法線方向の基板の動きの移動標準偏差から導出されるエッチング済みの基板のクリティカルディメンション均一性への第２の寄与１３４０とを含み得る。具体的には、リソグラフィ装置のフォーカス１３７０は、考慮中の１つ又は複数の基板に特有ではない１つ又は複数の第１のフォーカス成分１３８０と、考慮中の１つ又は複数の基板に特有の１つ又は複数の第２のフォーカス成分１３９０とを組み合わせることによってモデル化することができる。実施形態では、１つ又は複数の第１のフォーカス成分１３８０は、これに限定されないが、リソグラフィ装置のフォーカスフィンガープリントを含み得る。実施形態では、１つ又は複数の第２のフォーカス成分１３９０は、これらに限定されないが、フォーカスに影響を及ぼすリソグラフィ装置のレベリング及び／又はサーボパラメータを含み得る。実施形態では、リソグラフィ装置の組み合わされた寄与１３６０は、例えば、図１４に示されるような方法を使用して決定することができる。実施形態では、寄与１３６０は、リソグラフィ装置に対する数学モデルを使用して決定することができる。実施形態では、リソグラフィ装置による寄与１３６０は、１つ又は複数の基板に適用可能な測定データ（例えば、フォーカスに対する測定された高さ情報）及び／又はツールデータ（例えば、設定パラメータ、ツール動作信号など）に基づいて決定することができる。
[0158] 実施形態では、寄与１３２０（例えば、寄与１１１０の形態）は、図１２で説明されるように決定することができる。寄与１３２０は、データベース（例えばデータベース６７０）から得ることができ、考慮中の１つ又は複数の基板を得る際に使用される１つ又は複数の処理装置に特有のもの（例えば、考慮中の１つ又は複数の基板をエッチングする際に使用されるエッチングツールのエッチングチャンバに特有のもの）であり得る。
[0159] エッチング済みの基板上のホットスポットのクリティカルディメンション均一性１３１０が推定された後、推定されたクリティカルディメンション均一性１３１０に基づいて、ホットスポットにおいて欠陥又は他のエラーが生成されるかどうかを判断することができる。例えば、推定されたクリティカルディメンション均一性１３１０が閾値を満たすか又は交差する場合は、ホットスポットにおいて欠陥又は他のエラーが生成されることはないと判断することができる。そうでない場合は、ホットスポットにおいて欠陥又は他のエラーが生成されると判断することができる。次いで、ユーザ信号、基板の再加工／処分、修正情報の作成などの適切な行動を取ることができる。
[0160] 図１４は、基板上のＣＤへの組み合わされた寄与をモデル化する例を概略的に描写し、寄与は、フォーカス（Ｆ）１４１０、基板の法線方向の基板の動きの移動標準偏差（ＭＳＤｚ）１４２０及び基板に平行な方向の基板の動きの移動標準偏差（ＭＳＤｘ）１４３０など、複数のモデル化可能なプロセス変数の変化（例えば、エラー）である。従って、この例では、フォーカス（Ｆ）１４１０によるＣＤへの寄与の例は、寄与１４１５として示されており、移動標準偏差（ＭＳＤｚ）１４２０によるＣＤへの寄与の例は、寄与１４２５として示されており、移動標準偏差（ＭＳＤｘ）１４３０によるＣＤへの寄与の例は、寄与１４３５として示されている。次いで、これらの寄与の各々は、共に組み合わされる（１４４５）。例では、組み合わされた寄与は、ＣＤ（ｘ，ｙ）＝ａ１ ＊ＣＤ（Ｆ）２（ｘ，ｙ）＋ｂ１ ＊ＣＤ（ＭＳＤｘ）（ｘ，ｙ）＋ｃ１ ＊ＣＤ（ＭＳＤｚ）（ｘ，ｙ）＋．．．として表現されている。実施形態では、寄与１４１５、１４２５、１４３５はそれぞれ、フォーカス（Ｆ）１４１０、移動標準偏差（ＭＳＤｚ）１４２０及び移動標準偏差（ＭＳＤｘ）１４３０分布であり得、その事例では、ＣＤモデルは、それらをＣＤ分布に組み合わせるために使用されることになる。その上、ここでは示されていないクロス項（Ｆ×ＭＳＤの関数としてのＣＤなど）が存在し得る。ＣＤの絶対値を得るため、ＣＤの公称値又はシミュレーションされた値は、寄与と組み合わせることができる。ａ１、ｂ１、ｃ１などの係数は、モデル化可能なプロセス変数又はそれらの関数に対する計測データＣＤの感度である。ＭＳＤは、リソグラフィ装置におけるパターン転写の間の基板の位置決めエラーの移動標準偏差（ＭＳＤ）であり、従って、位置決めエラーの高周波部分を表す。この例では、寄与は、基板にわたるものであるが、実施形態では、寄与のうちの１つ又は複数は、１つのダイ／フィールド当たりのものであり得る（次いで、その寄与は、例えば、その例の各々における適用可能な条件に応じて、基板にわたって繰り返すことができる）。寄与（又はその絶対値への変換）は、基板／ダイ／フィールドにわたって空間的に定義することができるため、フィンガープリントとして特徴付けることができる。図１４の方法は、リソグラフィ装置による基板の特性への寄与のモデル化に限定されないことに留意すべきである。図１４の方法は、製造プロセスにおける１つ又は複数の処理装置に関連する任意の１つ又は複数の変数による処理済みの基板の特性への組み合わされた寄与をモデル化するために使用することができる。１つ又は複数の変数は、１つ又は複数のリソグラフィ変数、１つ又は複数の堆積変数、１つ又は複数のトラック変数、１つ又は複数のエッチング変数、１つ又は複数の平坦化変数などを含み得る。
[0161] 実施形態では、本明細書で説明される寄与は、同じ処理装置内でさえも、パターニングプロセスの異なる特定の部分に特有のものであり得る。従って、処理装置又はコンポーネントに特有のものは、そのような特異性も包含する。
[0162] 実施形態では、本明細書で説明される寄与は、望ましくは、パターニングプロセス設定ごとに決定される。従って、実施形態では、寄与は、デバイスパターン、デバイス層などの特定の組合せに対して決定される。実施形態では、本明細書のデータは、パターニングプロセスのデバイスパターンと関連付けられた計測ターゲットを使用して測定されたデータに基づいて発展される。実施形態では、本明細書のデータは、デバイスパターン自体のものである。
[0163] 実施形態では、本明細書で説明される寄与は、１つ又は複数の処理装置の性能をモニタする際に使用される。すなわち、現在の測定データと組み合わされた寄与は、１つ又は複数の処理装置の現在の性能を決定する（例えば、ドリフトが存在するかどうかを識別する）ために使用することができる。組合せからのデータの分析に応答して、較正／再較正、修正情報の作成（例えば、フィードフォワード又はフィードバックアプリケーションのための）などの１つ又は複数の行動を取ることができる。
[0164] 実施形態では、寄与を決定するため、１つ又は複数のデバイスパターンでパターン形成された１つ又は複数の基板が使用される。実施形態では、寄与を決定するため、１つ又は複数のパターニング済みのモニタ基板が使用される（例えば、パターンは、デバイスパターン又はデバイスパターンと相関性がある別のパターンであり得る）。
[0165] 実施形態では、リソグラフィ装置は、１つ又は複数のモニタ基板を使用して、リソグラフィベースライナによる露光後に、モニタ及び／又は制御される。例えば、モニタ基板の１つ又は複数の特性（例えば、クリティカルディメンション）は、リソグラフィ基板の１つ又は複数の変数（例えば、フォーカス、ドーズなど）の尺度を導出するために測定することができる。１つ又は複数の特性の測定値及び／又は導出変数がそのターゲット値とは異なる場合（例えば、ベースライン設定からなど、閾値の範囲外）は、リソグラフィベースライナは、リソグラフィ装置の１つ又は複数の変数（例えば、ドーズ、フォーカスなど）を調整することができる。このように、リソグラフィ装置は、例えば、動作のベースラインからのドリフトに対して、モニタ及び／又は制御することができる。
[0166] 従って、実施形態では、整合（例えば、異なるエッチャ、異なる堆積チャンバなどの間の整合）、安定性制御（例えば、ドリフトのモニタなど）及び／又はオフセット／フィンガープリントのモニタリングを可能にするために、１つ又は複数の非リソグラフィ処理装置（例えば、エッチャ、堆積チャンバ、平坦化ツールなど）に対するベースライナを提供することができる。従って、実施形態では、エッチング後のＣＤ（例えば、光学検査装置を使用して計測ターゲットにおいて、例えば、電子ビーム検査を使用してクリティカルデバイス／ホットスポットなどの測定デバイスパターンにおいて）が測定され、次いで、１つ又は複数の処理装置に対する１つ又は複数のフィンガープリントが導出される（例えば、装置タイプごとに）。例えば、リソグラフィ装置フォーカス及びＭＳＤフィンガープリント並びに膜厚フィンガープリント測定値は、例えば、エッチングツールのエッチングフィンガープリントを分離するために使用される。次いで、１つ又は複数のフィンガープリントは、予測及び制御を可能にするために（例えば、リソグラフィ装置ドーズ補正（例えば、モニタフィーチャ又はホットスポットの既知のドーズ感度に基づく）、エッチング補正（エッチングレート、温度変化（例えば、１つ若しくは複数のゾーンの温度の変化など）及び／又は膜厚変化を使用して、基板別の測定データと組み合わせることができる。
[0167] 実施形態では、１つ又は複数の処理装置によってパターニングプロセスに従って基板が処理された後に、ハードウェアコンピュータシステムによって、リソグラフィ装置による特性への寄与及び１つ又は複数のリソグラフィ前処理装置による特性への寄与を基板の特性の値から除去することによって、１つ又は複数の処理装置が基板の特性に与える寄与を決定することを含む方法が提供される。
[0168] 実施形態では、１つ又は複数の処理装置は、エッチングツールを含む。実施形態では、１つ又は複数のリソグラフィ前処理装置による特性への寄与は、堆積ツールによる特性への寄与を含む。実施形態では、堆積ツールによる寄与は、堆積ツールによって形成された基板のエッチング可能層の特性から導出される。実施形態では、エッチング可能層の特性は、エッチング可能層の厚さである。実施形態では、リソグラフィ装置による特性への寄与は、リソグラフィ装置に関連する１つ又は複数の変数の一群から導出される。実施形態では、１つ又は複数の第１の変数は、リソグラフィ装置による照明の１つ又は複数の変数、リソグラフィ装置の投影システムの１つ又は複数の変数、フォーカス、ドーズ、オーバーレイ、リソグラフィ装置の基板ステージの動きの移動標準偏差、リソグラフィ装置の基板ステージの動きの移動平均、レーザ帯域幅、露光時間、光学収差、高周波レーザ帯域幅変化並びに／或いは高周波レーザ波長変化から選択される１つ又は複数を含む。実施形態では、方法は、１つ又は複数の処理装置による寄与を使用して、考慮中の１つ又は複数の基板の特性が閾値を満たすか又は交差するかどうかを判断することと、閾値に関連する判断に応答して、１つ又は複数のリソグラフィ前処理装置、リソグラフィ装置並びに／或いは１つ又は複数のリソグラフィ後処理装置を調整するために修正情報を作成して出力することとをさらに含む。実施形態では、修正情報は、１つ又は複数のリソグラフィ前処理装置、リソグラフィ装置並びに／或いは１つ又は複数のリソグラフィ後処理装置の変数を修正するために使用され、変数は、堆積ツールの堆積変数、リソグラフィ装置のリソグラフィ変数及び／又はエッチングツールのエッチング変数を含む。実施形態では、変数は、堆積ツールの堆積変数を含み、堆積変数は、堆積ツールの堆積レート又は堆積ツールの動作時間を含む。実施形態では、変数は、リソグラフィ装置のリソグラフィ変数を含み、リソグラフィ変数は、リソグラフィ装置による照明の１つ又は複数の変数、リソグラフィ装置の投影システムの１つ又は複数の変数、フォーカス、ドーズ、オーバーレイ、リソグラフィ装置の基板ステージの動きの移動標準偏差、リソグラフィ装置の基板ステージの動きの移動平均、レーザ帯域幅、露光時間、光学収差、高周波レーザ帯域幅変化並びに／或いは高周波レーザ波長変化を含む。実施形態では、変数は、エッチングツールのエッチング変数を含み、エッチング変数は、エッチングツールのエッチングタイプ及び／又はエッチングツールのエッチングレートを含む。実施形態では、修正情報を作成することは、リソグラフィ後処理装置の第１のコンポーネント及び／又は第２のコンポーネントの変数を調整するために修正情報を作成することを含む。実施形態では、リソグラフィ後処理装置は、エッチングツールであり、第１のコンポーネントは、エッチングツールの第１のエッチングチャンバであり、第２のコンポーネントは、エッチングツールの第２のエッチングチャンバであり、第１のコンポーネント及び／又は第２のコンポーネントの変数は、エッチングツールの第１のエッチングチャンバ及び／又はエッチングツールの第２のエッチングチャンバのエッチングレート、エッチングツールの第１のエッチングチャンバ及び／又はエッチングツールの第２のエッチングチャンバのエッチングタイプ、或いは、エッチングツールの第１のエッチングチャンバ及び／又はエッチングツールの第２のエッチングチャンバの動作温度を含む。実施形態では、１つ又は複数の基板は、１つ又は複数の処理装置の第１のチャンバによって処理されており、修正情報は、１つ又は複数の処理装置の第１のチャンバによって処理された１つ又は複数の基板に対する特性の１つ又は複数の値、及び、第２のチャンバによって処理された１つ又は複数の基板に対する特性の１つ又は複数の値をより厳密に整合させる。実施形態では、基板の特性の値は、計測装置で基板上の１つ又は複数の計測ターゲットを測定することによって得られる。実施形態では、基板の特性は、パターンのクリティカルディメンション、クリティカルディメンション均一性、オーバーレイ、側壁角、底面傾斜、フィーチャ高さ、パターンシフト及び／又は幾何学的非対称性から選択される１つ又は複数の特性を含む。実施形態では、基板の特性は、基板上のパターンにわたる特性の１つ又は複数のフィンガープリント、或いは、基板にわたる多数のパターンを含む基板にわたる特性の１つ又は複数のフィンガープリントを含む。
[0169] 実施形態では、ハードウェアコンピュータシステムによって、パターニングプロセスで使用される１つ又は複数の処理装置に関連する１つ又は複数のプロセス変数のうちの第１の群の基板に特有の寄与と、１つ又は複数の処理装置に関連する１つ又は複数のプロセス変数のうちの第２の群の基板に特有ではない寄与とを組み合わせることによって、パターニングプロセスによって処理される基板に与えられる特性を推定することであって、第１の群及び／又は第２の群からの少なくとも１つのプロセス変数が、リソグラフィ装置の上流にある処理装置に関連する、推定することを含む方法が提供される。
[0170] 実施形態では、方法は、推定された特性に基づいて、欠陥又は他のエラーが基板上に生成されるかどうかを判断することをさらに含む。実施形態では、方法は、推定された特性に基づいて、第１の群及び／又は第２の群からの１つ又は複数のプロセス変数を調整するために修正情報を作成することをさらに含む。実施形態では、１つ又は複数のプロセス変数の第２の群は、堆積ツール、リソグラフィ装置及び／又はエッチングツールに関連する１つ又は複数の変数を含む。実施形態では、１つ又は複数のプロセス変数の第２の群は、堆積ツールの堆積レート又は堆積ツールの動作時間を含む。実施形態では、１つ又は複数のプロセス変数の第２の群は、リソグラフィ装置による照明に関連する１つ又は複数の変数、リソグラフィ装置の投影システムの１つ又は複数の変数、フォーカス、ドーズ、オーバーレイ、レーザ帯域幅、露光時間、光学収差、高周波レーザ帯域幅変化並びに／或いは高周波レーザ波長変化から選択される１つ又は複数の変数を含む。実施形態では、１つ又は複数のプロセス変数の第２の群は、エッチングツールのエッチングレート、エッチングツールのエッチングタイプ又はエッチングツールの動作温度を含む。実施形態では、１つ又は複数のプロセス変数の第１の群は、リソグラフィ装置に関連する１つ又は複数の変数を含む。実施形態では、リソグラフィ装置に関連する１つ又は複数の変数は、リソグラフィ装置の基板ステージの動きの移動標準偏差又はリソグラフィ装置の基板ステージの動きの移動平均を含む。実施形態では、基板の特性は、パターンのクリティカルディメンション、クリティカルディメンション均一性、オーバーレイ、側壁角、フィーチャ高さ、底面傾斜、パターンシフト及び／又は幾何学的非対称性から選択される１つ又は複数の特性を含む。実施形態では、基板の特性は、基板上のパターンにわたる特性の１つ又は複数のフィンガープリント、或いは、基板にわたる多数のパターンを含む基板にわたる特性の１つ又は複数のフィンガープリントを含む。
[0171] 実施形態では、ハードウェアコンピュータシステムによって、１つ又は複数の処理装置による特性への１つ又は複数の寄与を特性の１つ又は複数の値と組み合わせることによって、１つ又は複数の処理装置によって処理される基板に与えられる特性を推定することであって、１つ又は複数の処理装置の少なくとも１つが、リソグラフィ装置の上流にある、推定することを含む方法が提供される。
[0172] 実施形態では、方法は、推定された特性に基づいて、欠陥が基板上に生成されるかどうかを判断することをさらに含む。実施形態では、１つ又は複数の処理装置は、堆積ツール、リソグラフィ装置及び／又はエッチングツールから選択される１つ又は複数を含む。実施形態では、１つ又は複数の処理装置による特性への１つ又は複数の寄与は、堆積ツールによる特性への寄与を含む。実施形態では、堆積ツールによる特性への寄与は、堆積ツールによって基板に形成されたエッチング可能層の特性から導出される。実施形態では、エッチング可能層の特性は、エッチング可能層の厚さである。実施形態では、１つ又は複数の処理装置による特性への１つ又は複数の寄与は、リソグラフィ装置による特性への寄与を含む。実施形態では、リソグラフィ装置による特性への寄与は、リソグラフィ装置に関連する１つ又は複数の変数の一群から導出される。実施形態では、リソグラフィ装置に関連する１つ又は複数の変数は、リソグラフィ装置による照明の１つ又は複数の変数、リソグラフィ装置の投影システムの１つ又は複数の変数、フォーカス、ドーズ、オーバーレイ、リソグラフィ装置の基板ステージの動きの移動標準偏差、リソグラフィ装置の基板ステージの動きの移動平均、レーザ帯域幅、露光時間、光学収差、高周波レーザ帯域幅変化並びに／或いは高周波レーザ波長変化から選択される１つ又は複数の変数を含む。実施形態では、１つ又は複数の処理装置による特性への１つ又は複数の寄与は、エッチングツールによる特性への寄与を含む。実施形態では、方法は、推定された特性に基づいて、１つ又は複数の処理装置のうちの１つ又は複数を調整するために修正情報を作成して出力することをさらに含む。実施形態では、修正情報は、１つ又は複数の処理装置のうちの１つ又は複数の１つ又は複数の変数を修正するために使用される。実施形態では、１つ又は複数の変数は、堆積ツールの堆積変数、リソグラフィ装置のリソグラフィ変数及び／又はエッチングツールのエッチング変数を含む。実施形態では、１つ又は複数の変数は、堆積ツールの堆積変数を含み、堆積変数は、堆積ツールの堆積レート又は堆積ツールの動作時間を含む。実施形態では、１つ又は複数の変数は、リソグラフィ装置のリソグラフィ変数を含み、リソグラフィ変数は、リソグラフィ装置による照明の１つ又は複数の変数、リソグラフィ装置の投影システムの１つ又は複数の変数、フォーカス、ドーズ、オーバーレイ、リソグラフィ装置の基板ステージの動きの移動標準偏差、リソグラフィ装置の基板ステージの動きの移動平均、レーザ帯域幅、露光時間、光学収差、高周波レーザ帯域幅変化並びに／或いは高周波レーザ波長変化を含む。実施形態では、１つ又は複数の変数は、エッチングツールのエッチング変数を含み、エッチング変数は、エッチングツールのエッチングレート、エッチングツールのエッチングタイプ又はエッチングツールの動作温度を含む。実施形態では、基板の特性の１つ又は複数の値は、１つ又は複数の処理装置のうちの１つ又は複数からの測定値又は信号から決定される。実施形態では、基板の特性は、パターンのクリティカルディメンション、クリティカルディメンション均一性、オーバーレイ、側壁角、フィーチャ高さ、底面傾斜、パターンシフト及び／又は幾何学的非対称性から選択される１つ又は複数の特性を含む。実施形態では、基板の特性は、基板上のパターンにわたる特性の１つ又は複数のフィンガープリント、或いは、基板にわたる多数のパターンを含む基板にわたる特性の１つ又は複数のフィンガープリントを含む。
[0173] 実施形態では、１つ又は複数の第１の処理装置による基板の特性への１つ又は複数の寄与を決定することと、ハードウェアコンピュータシステムによって、１つ又は複数の寄与に少なくとも部分的に基づいて、１つ又は複数の第１の処理装置の下流にある１つ又は複数の第２の処理装置を調整するために修正情報を作成することとを含む方法が提供される。
[0174] 実施形態では、１つ又は複数の第１の処理装置の少なくとも１つは、リソグラフィ装置の上流にある。実施形態では、１つ又は複数の第１の処理装置は、堆積ツールを含む。実施形態では、１つ又は複数の第２の処理装置は、リソグラフィ装置及び／又はエッチングツールを含む。実施形態では、１つ又は複数の第１の処理装置による特性への１つ又は複数の寄与は、堆積ツールによる特性への寄与を含む。実施形態では、堆積ツールによる特性への寄与は、堆積ツールによって基板に形成されたエッチング可能層の特性から導出される。実施形態では、エッチング可能層の特性は、エッチング可能層の厚さである。実施形態では、修正情報は、１つ又は複数の第２の処理装置の変数を修正するために使用される。実施形態では、変数は、リソグラフィ装置のリソグラフィ変数を含む。実施形態では、変数は、エッチングツールのエッチング変数を含む。実施形態では、基板の特性は、パターンのクリティカルディメンション、クリティカルディメンション均一性、オーバーレイ、側壁角、フィーチャ高さ、底面傾斜、パターンシフト及び／又は幾何学的非対称性から選択される１つ又は複数の特性を含む。実施形態では、基板の特性は、基板上のパターンにわたる特性の１つ又は複数のフィンガープリント、或いは、基板にわたる多数のパターンを含む基板にわたる特性の１つ又は複数のフィンガープリントを含む。
[0175] この出願における論考は、基板上に形成されているデバイスの１つ又は複数の層間のオーバーレイを測定するように設計された計測プロセス及び計測ターゲットに関連する実施形態を考慮するが、本明細書の実施形態は、アライメント（例えば、パターニングデバイスと基板との間）を測定するためのプロセス及びターゲット、クリティカルディメンションを測定するためのプロセス及びターゲットなどの他の計測プロセス及びターゲットに等しく適用可能である。それに従って、本明細書におけるオーバーレイ計測ターゲット、オーバーレイデータなどへの言及は、他の種類の計測プロセス及びターゲットを可能にするために適切に修正されるものとして考慮すべきである。
[0176] 図１５を参照すると、コンピュータシステム１５００が示されている。コンピュータシステム１５００は、情報を伝達するためのバス１５０２又は他の通信機構と、情報を処理するためにバス１５０２と結合されたプロセッサ１５０４（又は複数のプロセッサ１５０４、１５０５）とを含む。また、コンピュータシステム１５００は、情報やプロセッサ１５０４によって実行される予定の命令を格納するためにバス１５０２と結合されたメインメモリ１５０６（ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）又は他の動的記憶装置など）も含む。また、メインメモリ１５０６は、プロセッサ１５０４によって実行される予定の命令を実行する間に一時的な変数又は他の中間情報を格納するためにも使用することができる。コンピュータシステム１５００は、静的情報やプロセッサ１５０４用の命令を格納するためにバス１５０２と結合された読み取り専用メモリ（ＲＯＭ）１５０８又は他の静的記憶装置をさらに含む。磁気ディスク又は光ディスクなどの記憶装置１５１０が提供され、情報及び命令を格納するためにバス１５０２と結合される。
[0177] コンピュータシステム１５００は、バス１５０２を介して、コンピュータユーザに情報を表示するためのブラウン管（ＣＲＴ）、フラットパネル又はタッチパネルディスプレイなどのディスプレイ１５１２に結合することができる。入力デバイス１５１４（英数字及び他のキーを含む）は、情報及びコマンド選択をプロセッサ１５０４に伝達するためにバス１５０２に結合される。別のタイプのユーザ入力デバイスは、方向情報及びコマンド選択をプロセッサ１５０４に伝達するため及びディスプレイ１５１２上でカーソルの動きを制御するためのカーソル制御１５１６（マウス、トラックボール又はカーソル方向キーなど）である。この入力デバイスは、典型的には、デバイスが平面における位置を指定できるようにする２軸（第１の軸（例えば、ｘ）及び第２の軸（例えば、ｙ））の２自由度を有する。また、入力デバイスとして、タッチパネル（スクリーン）ディスプレイを使用することもできる。
[0178] コンピュータシステム１５００は、メインメモリ１５０６に含まれる１つ又は複数の命令の１つ又は複数のシーケンスをプロセッサ１５０４が実行することに応答して、図６のソフトウェアアプリケーション６６０として機能するのに適したものであり得る。そのような命令は、記憶装置１５１０などの別のコンピュータ可読媒体からメインメモリ１５０６に読み込むことができる。メインメモリ１５０６に含まれる命令のシーケンスの実行により、プロセッサ１５０４は、本明細書で説明されるように、ソフトウェアアプリケーション６６０によって実装されるプロセスを実行する。また、メインメモリ１５０６に含まれる命令のシーケンスを実行するために、マルチプロセッシング構成における１つ又は複数のプロセッサを採用することもできる。代替の実施形態では、ソフトウェア命令の代わりに又はソフトウェア命令と組み合わせて、配線回路を使用することができる。従って、実施形態は、ハードウェア回路とソフトウェアのいかなる特定の組合せにも限定されない。
[0179] 本明細書で使用される「コンピュータ可読媒体」という用語は、実行のためのプロセッサ１５０４への命令の提供に関与するいかなる媒体も指す。そのような媒体は、多くの形態を取ることができ、これらに限定されないが、不揮発性媒体、揮発性媒体及び伝送媒体を含む。不揮発性媒体は、例えば、記憶装置１５１０などの光又は磁気ディスクを含む。揮発性媒体は、メインメモリ１５０６などのダイナミックメモリを含む。伝送媒体は、バス１５０２を含むワイヤを含む同軸ケーブル、銅線及び光ファイバを含む。また、伝送媒体は、高周波（ＲＦ）及び赤外線（ＩＲ）データ通信の間に生成されるものなどの音響又は光波の形態も取ることができる。コンピュータ可読媒体の共通の形態は、例えば、フロッピーディスク、フレキシブルディスク、ハードディスク、磁気テープ、他の任意の磁気媒体、ＣＤ−ＲＯＭ、ＤＶＤ、他の任意の光媒体、パンチカード、紙テープ、孔パターンを有する他の任意の物理媒体、ＲＡＭ、ＰＲＯＭ、ＥＰＲＯＭ、ＦＬＡＳＨ−ＥＰＲＯＭ、他の任意のメモリチップ若しくはカートリッジ、以下で説明されるような搬送波、又は、コンピュータが読み取ることができる他の任意の媒体を含む。
[0180] コンピュータ可読媒体の様々な形態は、実行のためのプロセッサ１５０４への１つ又は複数の命令の１つ又は複数のシーケンスの保持に関与し得る。例えば、命令は、最初は、リモートコンピュータの磁気ディスク上に位置し得る。リモートコンピュータは、そのダイナミックメモリに命令をロードし、モデムを使用して電話回線上で命令を送信することができる。コンピュータシステム１５００にローカル接続されたモデムは、電話回線上でデータを受信し、赤外線送信機を使用してデータを赤外線信号に変換することができる。バス１５０２に結合された赤外線検出器は、赤外線信号で運ばれるデータを受信し、バス１５０２にデータを置くことができる。バス１５０２は、メインメモリ１５０６にデータを運び、メインメモリ１５０６から、プロセッサ１５０４は、命令を回収して実行する。メインメモリ１５０６によって受信された命令は、任意選択により、プロセッサ１５０４による実行の前又は実行の後に、記憶装置１５１０に格納することができる。
[0181] また、コンピュータシステム１５００は、バス１５０２に結合された通信インタフェース１５１８も含み得る。通信インタフェース１５１８は、ネットワークリンク１５２０への双方向データ通信結合を提供し、ネットワークリンク１５２０は、ローカルネットワーク１５２２に接続される。例えば、通信インタフェース１５１８は、対応するタイプの電話回線へのデータ通信接続を提供するためのサービス総合デジタル網（ＩＳＤＮ）カード又はモデムであり得る。別の例として、通信インタフェース１５１８は、互換性を有するＬＡＮへのデータ通信接続を提供するためのローカルエリアネットワーク（ＬＡＮ）カードであり得る。また、ワイヤレスリンクも実装することができる。そのようないかなる実装形態においても、通信インタフェース１５１８は、様々なタイプの情報を表すデジタルデータストリームを運ぶ電気、電磁又は光信号を送信及び受信する。
[0182] ネットワークリンク１５２０は、典型的には、１つ又は複数のネットワークを通じて、他のデータデバイスへのデータ通信を提供する。例えば、ネットワークリンク１５２０は、ローカルネットワーク１５２２を通じて、ホストコンピュータ１５２４又はインターネットサービスプロバイダ（ＩＳＰ）１５２６によって操作されたデータ機器への接続を提供することができる。これを受けて、ＩＳＰ １５２６は、現在では一般的に「インターネット」１５２８と呼ばれるワールドワイドパケットデータ通信を通じてデータ通信サービスを提供する。ローカルネットワーク１５２２及びインターネット１５２８は両方とも、デジタルデータストリームを運ぶ電気、電磁又は光信号を使用する。様々なネットワークを通じる信号及び通信インタフェース１５１８を通じるネットワークリンク１５２０上の信号（コンピュータシステム１５００に及びコンピュータシステム１５００からデジタルデータを運ぶ）は、情報を輸送する搬送波の例示的な形態である。
[0183] コンピュータシステム１５００は、ネットワーク、ネットワークリンク１５２０及び通信インタフェース１５１８を通じて、メッセージの送信及びデータの受信（プログラムコードを含む）を行うことができる。インターネットの例では、サーバ１５３０は、インターネット１５２８、ＩＳＰ １５２６、ローカルネットワーク１５２２及び通信インタフェース１５１８を通じて、アプリケーションプログラム用の要求コードを送信することができる。１つ又は複数の実施形態によれば、そのようなダウンロードされたアプリケーションの１つは、例えば、本明細書で開示されるような方法に備える。受信コードは、受信された際にプロセッサ１５０４によって実行すること及び／又は後に実行するために記憶装置１５１０若しくは他の不揮発性記憶装置に格納することができる。このように、コンピュータシステム１５００は、搬送波の形態のアプリケーションコードを得ることができる。
[0184] 本開示の実施形態は、本明細書で開示されるような方法について説明する機械可読命令の１つ若しくは複数のシーケンスを含むコンピュータプログラム、又は、そのようなコンピュータプログラムが格納されるデータ記憶媒体（例えば、半導体メモリ、磁気若しくは光ディスク）の形態を取ることができる。さらに、機械可読命令は、２つ以上のコンピュータプログラムにおいて具体化することができる。２つ以上のコンピュータプログラムは、１つ又は複数の異なるメモリ及び／又はデータ記憶媒体上に格納することができる。
[0185] 本明細書で説明されるコントローラの各々又は組合せは何れも、リソグラフィ装置の少なくとも１つのコンポーネント内に位置する１つ又は複数のコンピュータプロセッサによって１つ又は複数のコンピュータプログラムが読み取られた際に動作可能である。コントローラの各々又は組合せは、信号の受信、処理及び送信を行うための任意の適切な構成を有し得る。１つ又は複数のプロセッサは、コントローラの少なくとも１つと通信するように構成される。例えば、各コントローラは、上記で説明される方法のための機械可読命令を含むコンピュータプログラムを実行するための１つ又は複数のプロセッサを含み得る。コントローラは、そのようなコンピュータプログラムを格納するためのデータ記憶媒体及び／又はそのような媒体を受け入れるためのハードウェアを含み得る。従って、コントローラは、１つ又は複数のコンピュータプログラムの機械可読命令に従って動作することができる。このテキストでは、ＩＣの製造における検査装置の使用への具体的な言及が行われているが、本明細書で説明される検査装置は、集積光学系、磁区メモリの誘導及び検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどの製造などの他の応用を有し得ることを理解すべきである。当業者であれば、そのような代替の応用の文脈では、本明細書における「ウェーハ」又は「ダイ」という用語の使用は、「基板」又は「ターゲット部分」というより一般的な用語のそれぞれと同義であると見なすことができることが理解されよう。本明細書で言及される基板は、例えば、トラック（典型的には、レジストの層を基板に塗布し、露光済みのレジストを現像するツール）、計測ツール及び／又は検査ツールにおいて、露光前又は露光後に処理することができる。適用可能な場合は、本明細書の本開示は、そのような及び他の基板処理ツールに適用することができる。さらに、基板は、例えば、多層ＩＣを作成するために何回も処理することができ、その結果、本明細書で使用される基板という用語は、複数の処理済みの層を既に含んでいる基板も指し得る。
[0186] 本発明のさらなる実施形態を以下の番号付き条項のリストで開示する。
１．１つ又は複数の処理装置によってパターニングプロセスに従って基板が処理された後に、ハードウェアコンピュータシステムによって、リソグラフィ装置による特性への寄与及び１つ又は複数のリソグラフィ前処理装置による特性への寄与を基板の特性の値から除去することによって、１つ又は複数の処理装置が基板の特性に与える寄与を決定することを含む方法。
２．１つ又は複数の処理装置が、エッチングツールを含む、条項１に記載の方法。
３．１つ又は複数のリソグラフィ前処理装置による特性への寄与が、堆積ツールによる特性への寄与を含む、条項１又は２に記載の方法。
４．堆積ツールによる寄与が、堆積ツールによって形成された基板のエッチング可能層の特性から導出される、条項３に記載の方法。
５．エッチング可能層の特性が、エッチング可能層の厚さである、条項４に記載の方法。
６．リソグラフィ装置による特性への寄与が、リソグラフィ装置に関連する１つ又は複数の変数の一群から導出される、条項１〜５の何れか一項に記載の方法。
７．１つ又は複数の第１の変数が、リソグラフィ装置による照明の１つ又は複数の変数、リソグラフィ装置の投影システムの１つ又は複数の変数、フォーカス、ドーズ、オーバーレイ、リソグラフィ装置の基板ステージの動きの移動標準偏差、リソグラフィ装置の基板ステージの動きの移動平均、レーザ帯域幅、露光時間、光学収差、高周波レーザ帯域幅変化並びに／或いは高周波レーザ波長変化から選択される１つ又は複数を含む、条項６に記載の方法。
８．１つ又は複数の処理装置による寄与を使用して、考慮中の１つ又は複数の基板の特性が閾値を満たすか又は交差するかどうかを判断することと、
閾値に関連する判断に応答して、１つ又は複数のリソグラフィ前処理装置、リソグラフィ装置並びに／或いは１つ又は複数のリソグラフィ後処理装置を調整するために修正情報を作成して出力することと
をさらに含む、条項１〜７の何れか一項に記載の方法。
９．修正情報が、１つ又は複数のリソグラフィ前処理装置、リソグラフィ装置並びに／或いは１つ又は複数のリソグラフィ後処理装置の変数を修正するために使用され、変数が、堆積ツールの堆積変数、リソグラフィ装置のリソグラフィ変数及び／又はエッチングツールのエッチング変数を含む、条項８に記載の方法。
１０．変数が、堆積ツールの堆積変数を含み、堆積変数が、堆積ツールの堆積レート又は堆積ツールの動作時間を含む、条項９に記載の方法。
１１．変数が、リソグラフィ装置のリソグラフィ変数を含み、リソグラフィ変数が、リソグラフィ装置による照明の１つ又は複数の変数、リソグラフィ装置の投影システムの１つ又は複数の変数、フォーカス、ドーズ、オーバーレイ、リソグラフィ装置の基板ステージの動きの移動標準偏差、リソグラフィ装置の基板ステージの動きの移動平均、レーザ帯域幅、露光時間、光学収差、高周波レーザ帯域幅変化並びに／或いは高周波レーザ波長変化を含む、条項９又は１０に記載の方法。
１２．変数が、エッチングツールのエッチング変数を含み、エッチング変数が、エッチングツールのエッチングタイプ及び／又はエッチングツールのエッチングレートを含む、条項９〜１１の何れか一項に記載の方法。
１３．修正情報を作成することが、リソグラフィ後処理装置の第１のコンポーネント及び／又は第２のコンポーネントの変数を調整するために修正情報を作成することを含む、条項８〜１２の何れか一項に記載の方法。
１４．リソグラフィ後処理装置が、エッチングツールであり、第１のコンポーネントが、エッチングツールの第１のエッチングチャンバであり、第２のコンポーネントが、エッチングツールの第２のエッチングチャンバであり、第１のコンポーネント及び／又は第２のコンポーネントの変数が、エッチングツールの第１のエッチングチャンバ及び／又はエッチングツールの第２のエッチングチャンバのエッチングレート、エッチングツールの第１のエッチングチャンバ及び／又はエッチングツールの第２のエッチングチャンバのエッチングタイプ、或いは、エッチングツールの第１のエッチングチャンバ及び／又はエッチングツールの第２のエッチングチャンバの動作温度を含む、条項１３に記載の方法。
１５．１つ又は複数の基板が、１つ又は複数の処理装置の第１のチャンバによって処理されており、修正情報が、１つ又は複数の処理装置の第１のチャンバによって処理された１つ又は複数の基板に対する特性の１つ又は複数の値、及び、第２のチャンバによって処理された１つ又は複数の基板に対する特性の１つ又は複数の値をより厳密に整合させる、条項８〜１４の何れか一項に記載の方法。
１６．基板の特性の値が、計測装置で基板上の１つ又は複数の計測ターゲットを測定することによって得られる、条項１〜１５の何れか一項に記載の方法。
１７．基板の特性が、パターンのクリティカルディメンション、クリティカルディメンション均一性、オーバーレイ、側壁角、底面傾斜、フィーチャ高さ、パターンシフト及び／又は幾何学的非対称性から選択される１つ又は複数の特性を含む、条項１〜１６の何れか一項に記載の方法。
１８．基板の特性が、基板上のパターンにわたる特性の１つ又は複数のフィンガープリント、或いは、基板にわたる多数のパターンを含む基板にわたる特性の１つ又は複数のフィンガープリントを含む、条項１７に記載の方法。
１９．ハードウェアコンピュータシステムによって、パターニングプロセスで使用される１つ又は複数の処理装置に関連する１つ又は複数のプロセス変数のうちの第１の群の基板に特有の寄与と、１つ又は複数の処理装置に関連する１つ又は複数のプロセス変数のうちの第２の群の基板に特有ではない寄与とを組み合わせることによって、パターニングプロセスによって処理される基板に与えられる特性を推定することであって、第１の群及び／又は第２の群からの少なくとも１つのプロセス変数が、リソグラフィ装置の上流にある処理装置に関連する、推定することを含む方法。
２０．推定された特性に基づいて、欠陥又は他のエラーが基板上に生成されるかどうかを判断することをさらに含む、条項１９に記載の方法。
２１．推定された特性に基づいて、第１の群及び／又は第２の群からの１つ又は複数のプロセス変数を調整するために修正情報を作成することをさらに含む、条項１９又は２０に記載の方法。
２２．１つ又は複数のプロセス変数の第２の群が、堆積ツール、リソグラフィ装置及び／又はエッチングツールに関連する１つ又は複数の変数を含む、条項１９〜２１の何れか一項に記載の方法。
２３．１つ又は複数のプロセス変数の第２の群が、堆積ツールの堆積レート又は堆積ツールの動作時間を含む、条項２２に記載の方法。
２４．１つ又は複数のプロセス変数の第２の群が、リソグラフィ装置による照明の１つ又は複数の変数、リソグラフィ装置の投影システムの１つ又は複数の変数、フォーカス、ドーズ、オーバーレイ、レーザ帯域幅、露光時間、光学収差、高周波レーザ帯域幅変化並びに／或いは高周波レーザ波長変化から選択される１つ又は複数の変数を含む、条項２２又は２３に記載の方法。
２５．１つ又は複数のプロセス変数の第２の群が、エッチングツールのエッチングレート、エッチングツールのエッチングタイプ又はエッチングツールの動作温度を含む、条項２２〜２４の何れか一項に記載の方法。
２６．１つ又は複数のプロセス変数の第１の群が、リソグラフィ装置に関連する１つ又は複数の変数を含む、条項１９〜２５の何れか一項に記載の方法。
２７．リソグラフィ装置に関連する１つ又は複数の変数が、リソグラフィ装置の基板ステージの動きの移動標準偏差又はリソグラフィ装置の基板ステージの動きの移動平均を含む、条項２６に記載の方法。
２８．基板の特性が、パターンのクリティカルディメンション、クリティカルディメンション均一性、オーバーレイ、側壁角、フィーチャ高さ、底面傾斜、パターンシフト及び／又は幾何学的非対称性から選択される１つ又は複数の特性を含む、条項１９〜２７の何れか一項に記載の方法。
２９．基板の特性が、基板上のパターンにわたる特性の１つ又は複数のフィンガープリント、或いは、基板にわたる多数のパターンを含む基板にわたる特性の１つ又は複数のフィンガープリントを含む、条項２８に記載の方法。
３０．ハードウェアコンピュータシステムによって、１つ又は複数の処理装置による特性への１つ又は複数の寄与を特性の１つ又は複数の値と組み合わせることによって、１つ又は複数の処理装置によって処理される基板に与えられる特性を推定することであって、１つ又は複数の処理装置の少なくとも１つが、リソグラフィ装置の上流にある、推定することを含む方法。
３１．推定された特性に基づいて、欠陥が基板上に生成されるかどうかを判断することをさらに含む、条項３０に記載の方法。
３２．１つ又は複数の処理装置が、堆積ツール、リソグラフィ装置及び／又はエッチングツールから選択される１つ又は複数を含む、条項３０又は３１に記載の方法。
３３．１つ又は複数の処理装置による特性への１つ又は複数の寄与が、堆積ツールによる特性への寄与を含む、条項３０〜３２の何れか一項に記載の方法。
３４．堆積ツールによる特性への寄与が、堆積ツールによって基板に形成されたエッチング可能層の特性から導出される、条項３３に記載の方法。
３５．エッチング可能層の特性が、エッチング可能層の厚さである、条項３４に記載の方法。
３６．１つ又は複数の処理装置による特性への１つ又は複数の寄与が、リソグラフィ装置による特性への寄与を含む、条項３０〜３５の何れか一項に記載の方法。
３７．リソグラフィ装置による特性への寄与が、リソグラフィ装置に関連する１つ又は複数の変数の一群から導出される、条項３６に記載の方法。
３８．リソグラフィ装置に関連する１つ又は複数の変数が、リソグラフィ装置による照明の１つ又は複数の変数、リソグラフィ装置の投影システムの１つ又は複数の変数、フォーカス、ドーズ、オーバーレイ、リソグラフィ装置の基板ステージの動きの移動標準偏差、リソグラフィ装置の基板ステージの動きの移動平均、レーザ帯域幅、露光時間、光学収差、高周波レーザ帯域幅変化並びに／或いは高周波レーザ波長変化から選択される１つ又は複数の変数を含む、条項３７に記載の方法。
３９．１つ又は複数の処理装置による特性への１つ又は複数の寄与が、エッチングツールによる特性への寄与を含む、条項３０〜３８の何れか一項に記載の方法。
４０．推定された特性に基づいて、１つ又は複数の処理装置のうちの１つ又は複数を調整するために修正情報を作成して出力することをさらに含む、条項３０〜３９の何れか一項に記載の方法。
４１．修正情報が、１つ又は複数の処理装置のうちの１つ又は複数の１つ又は複数の変数を修正するために使用される、条項４０に記載の方法。
４２．１つ又は複数の変数が、堆積ツールの堆積変数、リソグラフィ装置のリソグラフィ変数及び／又はエッチングツールのエッチング変数を含む、条項４１に記載の方法。
４３．１つ又は複数の変数が、堆積ツールの堆積変数を含み、堆積変数が、堆積ツールの堆積レート又は堆積ツールの動作時間を含む、条項４２に記載の方法。
４４．１つ又は複数の変数が、リソグラフィ装置のリソグラフィ変数を含み、リソグラフィ変数が、リソグラフィ装置による照明の１つ又は複数の変数、リソグラフィ装置の投影システムの１つ又は複数の変数、フォーカス、ドーズ、オーバーレイ、リソグラフィ装置の基板ステージの動きの移動標準偏差、リソグラフィ装置の基板ステージの動きの移動平均、レーザ帯域幅、露光時間、光学収差、高周波レーザ帯域幅変化並びに／或いは高周波レーザ波長変化を含む、条項４２又は４３に記載の方法。
４５．１つ又は複数の変数が、エッチングツールのエッチング変数を含み、エッチング変数が、エッチングツールのエッチングレート、エッチングツールのエッチングタイプ又はエッチングツールの動作温度を含む、条項４２〜４４の何れか一項に記載の方法。
４６．基板の特性の１つ又は複数の値が、１つ又は複数の処理装置のうちの１つ又は複数からの測定値又は信号から決定される、条項３０〜４５の何れか一項に記載の方法。
４７．基板の特性が、パターンのクリティカルディメンション、クリティカルディメンション均一性、オーバーレイ、側壁角、フィーチャ高さ、底面傾斜、パターンシフト及び／又は幾何学的非対称性から選択される１つ又は複数の特性を含む、条項３０〜４６の何れか一項に記載の方法。
４８．基板の特性が、基板上のパターンにわたる特性の１つ又は複数のフィンガープリント、或いは、基板にわたる多数のパターンを含む基板にわたる特性の１つ又は複数のフィンガープリントを含む、条項４７に記載の方法。
４９．１つ又は複数の第１の処理装置による基板の特性への１つ又は複数の寄与を決定することと、
ハードウェアコンピュータシステムによって、１つ又は複数の寄与に少なくとも部分的に基づいて、１つ又は複数の第１の処理装置の下流にある１つ又は複数の第２の処理装置を調整するために修正情報を作成することと
を含む方法。
５０．１つ又は複数の第１の処理装置の少なくとも１つが、リソグラフィ装置の上流にある、条項４９に記載の方法。
５１．１つ又は複数の第１の処理装置が、堆積ツールを含む、条項５０に記載の方法。
５２．１つ又は複数の第２の処理装置が、リソグラフィ装置及び／又はエッチングツールを含む、条項４９〜５１の何れか一項に記載の方法。
５３．１つ又は複数の第１の処理装置による特性への１つ又は複数の寄与が、堆積ツールによる特性への寄与を含む、条項４９〜５２の何れか一項に記載の方法。
５４．堆積ツールによる特性への寄与が、堆積ツールによって基板に形成されたエッチング可能層の特性から導出される、条項５３に記載の方法。
５５．エッチング可能層の特性が、エッチング可能層の厚さである、条項５４に記載の方法。
５６．修正情報が、１つ又は複数の第２の処理装置の変数を修正するために使用される、条項４９〜５５の何れか一項に記載の方法。
５７．変数が、リソグラフィ装置のリソグラフィ変数を含む、条項５６に記載の方法。
５８．変数が、エッチングツールのエッチング変数を含む、条項５６又は５７に記載の方法。
５９．基板の特性が、パターンのクリティカルディメンション、クリティカルディメンション均一性、オーバーレイ、側壁角、フィーチャ高さ、底面傾斜、パターンシフト及び／又は幾何学的非対称性から選択される１つ又は複数の特性を含む、条項４９〜５８の何れか一項に記載の方法。
６０．基板の特性が、基板上のパターンにわたる特性の１つ又は複数のフィンガープリント、或いは、基板にわたる多数のパターンを含む基板にわたる特性の１つ又は複数のフィンガープリントを含む、条項５９に記載の方法。
６１．条項１〜６０の何れか一項に記載の方法をプロセッサシステムに実行させるための機械可読命令を含む非一時的なコンピュータプログラム製品。
６２．ハードウェアプロセッサシステムと、
機械可読命令を格納するように構成された非一時的なコンピュータ可読記憶媒体と
を含むシステムであって、機械可読命令が、実行されると、条項１〜６０の何れか一項に記載の方法をハードウェアプロセッサシステムに実行させる、システム。
[0187] 上記では、光リソグラフィの文脈において本開示の実施形態の使用への具体的な言及を行ってきたが、本開示は、例えば、ナノインプリントリソグラフィなどの他の応用において使用することができ、文脈において認められる限り、光リソグラフィに限定されないことが理解されよう。ナノインプリントリソグラフィの事例では、パターニングデバイスは、インプリントテンプレート又はモールドである。本明細書で使用される「放射」及び「ビーム」という用語は、紫外線（ＵＶ）放射（例えば、３６５、３５５、２４８、１９３、１５７、１２６ｎｍの又はそれに近い波長を有する）及び極紫外線（ＥＵＶ）放射（例えば、５〜２０ｎｍの範囲の波長を有する）を含むすべてのタイプの電磁放射、並びに、イオンビーム又は電子ビームなどの粒子ビームを包含する。
[0188] 「レンズ」という用語は、文脈において認められる限り、屈折、反射、磁気、電磁及び静電光学コンポーネントを含む、様々なタイプの光学コンポーネントの何れか１つ又は組合せを指し得る。
[0189] 本明細書における閾値を交差するか又は通過するという用語への言及は、例えば、パラメータなどに基づいて、特定の値未満の値又は特定の値以下の値を有する何か、特定の値を超える値又は特定の値以上の値を有する何か、他のものより高く又は低くランク付けされている何か（例えば、ソーティングを通じて）を含み得る。
[0190] 本明細書におけるエラーを補正すること又はエラーの補正という用語への言及は、許容範囲内までエラーを除去すること又はエラーを低減することを含む。
[0191] 「最適化すること」及び「最適化」という用語は、本明細書で使用される場合は、リソグラフィ又はパターニング処理の結果及び／又はプロセスがより望ましい特性（基板への設計レイアウトの投影のより高い精度、より大きなプロセスウィンドウなど）を有するように、リソグラフィ装置、パターニングプロセスなどを調整することを指すか又は意味する。従って、「最適化すること」及び「最適化」という用語は、本明細書で使用される場合は、それらの１つ又は複数の変数に対する１つ又は複数の値の初期の集合と比べて、少なくとも１つの関連計量において、改善（例えば、局所最適）を提供する１つ又は複数の変数に対する１つ又は複数の値を特定するプロセスを指すか又は意味する。「最適」及び他の関連用語は、それに従って解釈すべきである。実施形態では、最適化ステップは、１つ又は複数の計量におけるさらなる改善を提供するために、反復して適用することができる。
[0192] システムの最適化プロセスでは、システム又はプロセスの性能指数は、費用関数として表すことができる。最適化プロセスは、要するに、費用関数を最適化する（例えば、最小化又は最大化する）システム又はプロセスの変数（設計変数）の集合を見出すプロセスである。費用関数は、最適化の目標に応じて、適切ないかなる形態も有し得る。例えば、費用関数は、これらの特性の意図する値（例えば、理想的な値）に対するシステム又はプロセスのある特定の特性（評価ポイント）の偏差の加重二乗平均平方根（ＲＭＳ）であり得る。また、費用関数は、これらの偏差の最大（すなわち、最低偏差）でもあり得る。本明細書における「評価ポイント」という用語は、システム又はプロセスのいかなる特性も含むように広義に解釈すべきである。システムの設計変数は、システム又はプロセスの実装形態の実用性が原因で、有限範囲及び／又は相互依存関係にあるものに限定され得る。リソグラフィ装置又はパターニングプロセスの事例では、制約は、調節可能な範囲などのハードウェアの物理的プロパティ及び特性、並びに／或いは、パターニングデバイス製造可能性設計規則と関連付けられる場合が多く、評価ポイントは、基板上のレジスト像上の物理的なポイント並びに非物理的な特性（ドーズ及びフォーカスなど）を含み得る。
[0193] 上記では本開示の具体的な実施形態について説明してきたが、本開示は、説明されるもの以外でも実践できることが理解されよう。例えば、本開示は、上記で開示されるような方法を説明する機械可読命令の１つ又は複数のシーケンスを含むコンピュータプログラムの形態、或いは、そのようなコンピュータプログラムが格納されるデータ記憶媒体（例えば、半導体メモリ、磁気又は光ディスク）の形態を取ることができる。
[0194] 上記の説明は、例示であることを意図し、制限することは意図しない。従って、当業者であれば、以下に記載される請求項の範囲から逸脱することなく、説明されるような本開示の変更を行えることが明らかであろう。

Claims (16)

  1. １つ又は複数の処理装置によってパターニングプロセスに従って基板が処理された後に、ハードウェアコンピュータシステムによって、リソグラフィ装置による、第１の測定又は第１の信号から得られる特性への寄与を示す寄与値及び前記リソグラフィ装置の上流にある１つ又は複数のリソグラフィ前処理装置による、第２の測定又は第２の信号から得られる前記特性への寄与を示す寄与値を、測定から得られた前記基板の前記特性の値から除去することによって、前記１つ又は複数の処理装置が前記基板の前記特性に与える寄与を示す寄与値を導出すること
    を含む方法。
  2. 前記１つ又は複数の処理装置が、エッチングツールを含む、請求項１に記載の方法。
  3. 前記１つ又は複数のリソグラフィ前処理装置による前記特性への前記寄与値が、堆積ツールによる前記特性への寄与を示す寄与値を含む、請求項１又は２に記載の方法。
  4. 前記堆積ツールによる前記寄与値が、前記堆積ツールによって形成された前記基板のエッチング可能層の特性から導出される、請求項３に記載の方法。
  5. 前記エッチング可能層の前記特性が、前記エッチング可能層の厚さである、請求項４に記載の方法。
  6. 前記リソグラフィ装置による前記特性への前記寄与値が、前記リソグラフィ装置に関連する１つ又は複数の変数の一群から導出され、前記変数が、前記リソグラフィ装置による照明の１つ又は複数の変数、前記リソグラフィ装置の投影システムの１つ又は複数の変数、フォーカス、ドーズ、オーバーレイ、前記リソグラフィ装置の基板ステージの動きの移動標準偏差、前記リソグラフィ装置の基板ステージの動きの移動平均、レーザ帯域幅、露光時間、光学収差、高周波レーザ帯域幅変化並びに／或いは高周波レーザ波長変化から選択される、請求項１に記載の方法。
  7. 前記１つ又は複数の処理装置による前記寄与値を使用して、考慮中の１つ又は複数の基板の前記特性が閾値を満たすか又は交差するかどうかを判定することと、
    前記閾値に関連する判定に応答して、前記１つ又は複数のリソグラフィ前処理装置、前
    記リソグラフィ装置並びに／或いは前記リソグラフィ装置の下流にある１つ又は複数のリソグラフィ後処理装置を調整するために修正情報を作成して出力することと
    をさらに含む、請求項１に記載の方法。
  8. 前記修正情報が、前記１つ又は複数のリソグラフィ前処理装置、前記リソグラフィ装置並びに／或いは前記１つ又は複数のリソグラフィ後処理装置の変数を修正するために使用され、前記変数が、堆積ツールの堆積変数、リソグラフィ装置のリソグラフィ変数及び／又はエッチングツールのエッチング変数を含む、請求項７に記載の方法。
  9. 前記変数が、前記堆積ツールの前記堆積変数を含み、前記堆積変数が、前記堆積ツールの堆積レート又は前記堆積ツールの動作時間を含む、請求項８に記載の方法。
  10. 前記変数が、前記エッチングツールの前記エッチング変数を含み、前記エッチング変数が、前記エッチングツールのエッチングタイプ及び／又は前記エッチングツールのエッチングレートを含む、請求項８に記載の方法。
  11. 前記修正情報を作成することが、リソグラフィ後処理装置の第１のコンポーネント及び／又は第２のコンポーネントの変数を調整するために修正情報を作成することを含む、請求項７に記載の方法。
  12. 前記リソグラフィ後処理装置が、エッチングツールであり、前記第１のコンポーネントが、前記エッチングツールの第１のエッチングチャンバであり、前記第２のコンポーネントが、前記エッチングツールの第２のエッチングチャンバであり、前記第１のコンポーネント及び／又は前記第２のコンポーネントの前記変数が、前記エッチングツールの前記第１のエッチングチャンバ及び／又は前記エッチングツールの前記第２のエッチングチャンバのエッチングレート、前記エッチングツールの前記第１のエッチングチャンバ及び／又は前記エッチングツールの前記第２のエッチングチャンバのエッチングタイプ、或いは、前記エッチングツールの前記第１のエッチングチャンバ及び／又は前記エッチングツールの前記第２のエッチングチャンバの動作温度を含む、請求項１１に記載の方法。
  13. 前記基板の前記特性が、パターンのクリティカルディメンション、クリティカルディメンション均一性、オーバーレイ、側壁角、底面傾斜、フィーチャ高さ、パターンシフト及び／又は幾何学的非対称性から選択される１つ又は複数のパラメータの１つ又は複数のフィンガープリントを含む、請求項１に記載の方法。
  14. ハードウェアコンピュータシステムによって、基板に特有ではない１つ又は複数のプロセス変数を含む第１の群であって、パターニングプロセスで使用される１つ又は複数の処理装置に関連する１つ又は複数のプロセス変数のうちの第１の群に基づく第１の寄与を示す第１の寄与値と、前記基板に特有の１つ又は複数のプロセス変数を含む第２の群であって、前記１つ又は複数の処理装置に関連する１つ又は複数のプロセス変数のうちの第２の群に基づく第２の寄与を示す第２の寄与値とを組み合わせることによって、前記パターニングプロセスによって処理される前記基板に与えられる推定の特性を導出することであって、前記第１の群及び／又は前記第２の群からの少なくとも１つのプロセス変数が、リソグラフィ装置の上流にある処理装置に関連する、導出すること
    を含む方法。
  15. 請求項１に記載の方法をプロセッサシステムに実行させるための機械可読命令を含む非一時的なコンピュータプログラム製品。
  16. ハードウェアプロセッサシステムと、
    機械可読命令を格納するように構成された非一時的なコンピュータ可読記憶媒体と
    を含むシステムであって、前記機械可読命令が、実行されると、請求項１に記載の方法をハードウェアプロセッサシステムに実行させる、システム。
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Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3321740A1 (en) * 2016-11-11 2018-05-16 ASML Netherlands B.V. Determining an optimal operational parameter setting of a metrology system
EP3396458A1 (en) * 2017-04-28 2018-10-31 ASML Netherlands B.V. Method and apparatus for optimization of lithographic process
CN113376976A (zh) 2017-06-22 2021-09-10 Asml荷兰有限公司 用于确定对指纹的贡献的方法
US10580673B2 (en) * 2018-01-05 2020-03-03 Kla Corporation Semiconductor metrology and defect classification using electron microscopy
EP3588191A1 (en) * 2018-06-29 2020-01-01 ASML Netherlands B.V. Tuning patterning apparatus based on optical characteristic
EP3647873A1 (en) * 2018-11-02 2020-05-06 ASML Netherlands B.V. Method to characterize post-processing data in terms of individual contributions from processing stations
US20220327364A1 (en) * 2019-08-30 2022-10-13 Asml Netherlands B.V. Semiconductor device geometry method and system
WO2021160351A1 (en) * 2020-02-12 2021-08-19 Asml Netherlands B.V. Methods of tuning a model for a lithographic process and associated apparatuses
EP3872567A1 (en) * 2020-02-25 2021-09-01 ASML Netherlands B.V. Systems and methods for process metric aware process control
US11481922B2 (en) * 2020-04-07 2022-10-25 Kla Corporation Online navigational drift correction for metrology measurements
CN111430261B (zh) * 2020-05-21 2023-01-24 中国科学院微电子研究所 一种光刻机工艺稳定性检测方法及装置
TWI761975B (zh) * 2020-09-29 2022-04-21 新加坡商鴻運科股份有限公司 機台製程參數的異常監測裝置、方法及可讀存儲介質
CN114428444B (zh) * 2020-10-29 2024-01-26 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 套刻量测系统矫正方法
WO2022104699A1 (en) * 2020-11-20 2022-05-27 Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. Feed-forward run-to-run wafer production control system based on real-time virtual metrology
CN113283162B (zh) * 2021-04-30 2022-10-28 晋城鸿智纳米光机电研究院有限公司 塑料光学镜片面形误差预测方法、电子装置及存储介质
TW202310131A (zh) * 2021-08-24 2023-03-01 日商東京威力科創股份有限公司 基板處理裝置、模型資料產生裝置、基板處理方法、及模型資料產生方法

Family Cites Families (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100337600B1 (ko) 2000-04-06 2002-05-22 윤종용 노광 시간 조절 시스템
US6625512B1 (en) 2000-07-25 2003-09-23 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for performing final critical dimension control
US6891627B1 (en) * 2000-09-20 2005-05-10 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for determining a critical dimension and overlay of a specimen
JP2002270482A (ja) 2001-03-06 2002-09-20 Toshiba Corp 露光工程の制御方法、露光工程の制御装置および製造装置
US7265382B2 (en) * 2002-11-12 2007-09-04 Applied Materials, Inc. Method and apparatus employing integrated metrology for improved dielectric etch efficiency
JP2005197362A (ja) 2004-01-05 2005-07-21 Toshiba Corp 露光処理システムおよび露光処理方法
US20050185174A1 (en) * 2004-02-23 2005-08-25 Asml Netherlands B.V. Method to determine the value of process parameters based on scatterometry data
US7791727B2 (en) 2004-08-16 2010-09-07 Asml Netherlands B.V. Method and apparatus for angular-resolved spectroscopic lithography characterization
US7478019B2 (en) * 2005-01-26 2009-01-13 Kla-Tencor Corporation Multiple tool and structure analysis
US7530048B2 (en) * 2005-04-09 2009-05-05 Cadence Design Systems, Inc. Defect filtering optical lithography verification process
US7916284B2 (en) * 2006-07-18 2011-03-29 Asml Netherlands B.V. Inspection method and apparatus, lithographic apparatus, lithographic processing cell and device manufacturing method
NL1036245A1 (nl) 2007-12-17 2009-06-18 Asml Netherlands Bv Diffraction based overlay metrology tool and method of diffraction based overlay metrology.
NL1036597A1 (nl) 2008-02-29 2009-09-01 Asml Netherlands Bv Metrology method and apparatus, lithographic apparatus, and device manufacturing method.
NL1036516A1 (nl) * 2008-03-05 2009-09-08 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and method.
US7974723B2 (en) 2008-03-06 2011-07-05 Applied Materials, Inc. Yield prediction feedback for controlling an equipment engineering system
WO2010037472A2 (en) * 2008-09-30 2010-04-08 Asml Netherlands B.V. Method and system for determining a lithographic process parameter
NL2003806A (en) * 2008-12-15 2010-06-16 Asml Netherlands Bv Method for a lithographic apparatus.
US8612045B2 (en) * 2008-12-24 2013-12-17 Asml Holding N.V. Optimization method and a lithographic cell
KR101429629B1 (ko) 2009-07-31 2014-08-12 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 계측 방법 및 장치, 리소그래피 시스템, 및 리소그래피 처리 셀
WO2011023517A1 (en) 2009-08-24 2011-03-03 Asml Netherlands B.V. Metrology method and apparatus, lithographic apparatus, lithographic processing cell and substrate comprising metrology targets
WO2012062501A1 (en) 2010-11-12 2012-05-18 Asml Netherlands B.V. Metrology method and apparatus, and device manufacturing method
US8468471B2 (en) * 2011-09-23 2013-06-18 Kla-Tencor Corp. Process aware metrology
WO2014065269A1 (ja) 2012-10-24 2014-05-01 東京エレクトロン株式会社 補正値算出装置、補正値算出方法及びコンピュータプログラム
JP2014192162A (ja) 2013-03-26 2014-10-06 Renesas Electronics Corp 半導体集積回路装置の製造方法
CN105308508B (zh) * 2013-06-12 2018-08-10 Asml荷兰有限公司 确定与临界尺寸相关的性质的方法、检查装置和器件制造方法
US10401279B2 (en) * 2013-10-29 2019-09-03 Kla-Tencor Corporation Process-induced distortion prediction and feedforward and feedback correction of overlay errors
US10466596B2 (en) * 2014-02-21 2019-11-05 Kla-Tencor Corporation System and method for field-by-field overlay process control using measured and estimated field parameters
US9383657B2 (en) 2014-03-03 2016-07-05 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method and structure for lithography processes with focus monitoring and control
JP6393397B2 (ja) * 2014-06-30 2018-09-19 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． リソグラフィ装置の照射線量決定方法、検査装置およびデバイス製造方法
US10151986B2 (en) * 2014-07-07 2018-12-11 Kla-Tencor Corporation Signal response metrology based on measurements of proxy structures
US10430719B2 (en) * 2014-11-25 2019-10-01 Stream Mosaic, Inc. Process control techniques for semiconductor manufacturing processes
US10372043B2 (en) * 2014-12-17 2019-08-06 Asml Netherlands B.V. Hotspot aware dose correction
KR102162234B1 (ko) * 2015-06-17 2020-10-07 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 레시피간 일치도에 기초한 레시피 선택
WO2017063827A1 (en) * 2015-10-12 2017-04-20 Asml Netherlands B.V. Indirect determination of a processing parameter
WO2017114662A1 (en) * 2015-12-31 2017-07-06 Asml Netherlands B.V. Selection of measurement locations for patterning processes
US10504759B2 (en) * 2016-04-04 2019-12-10 Kla-Tencor Corporation Semiconductor metrology with information from multiple processing steps
US10475712B2 (en) * 2016-09-30 2019-11-12 Kla-Tencor Corporation System and method for process-induced distortion prediction during wafer deposition
US10768533B2 (en) * 2016-10-20 2020-09-08 Kla-Tencor Corporation Method and system for generating programmed defects for use in metrology measurements
US10281827B2 (en) * 2016-12-15 2019-05-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd Noise reduction for overlay control
US10262831B2 (en) * 2016-12-21 2019-04-16 Kla-Tencor Corporation Method and system for weak pattern quantification

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