KR20210028272A - 공정 장치를 모니터링하기 위한 방법 및 시스템 - Google Patents

공정 장치를 모니터링하기 위한 방법 및 시스템 Download PDF

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마크 존 매슬로우
프랭크 스탈스
폴 크리스티안 힌넨
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에이에스엠엘 네델란즈 비.브이.
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Abstract

본 방법은 기판의 특성의 값으로부터 특성에 대한 리소그래피 장치의 기여도와 특성에 대한 하나 이상의 리소그래피 전 공정 장치의 기여도를 제거함으로써, 하나 이상의 공정 장치에 의하여 패터닝 공정에 따라 기판이 처리된 후에 하나 이상의 공정 장치가 기판의 특성에 대해 이루는 기여도를 결정하는 단계를 포함하고 있다.

Description

공정 장치를 모니터링하기 위한 방법 및 시스템{METHOD AND SYSTEM TO MONITOR A PROCESS APPARATUS}
본 출원은 전체적으로 본 명세서에서 참고로 원용된, 2016년 9월 2일자로 출원된 EP 출원 16187040.7호의 우선권을 주장한다.
본 발명은 기판의 처리에 관련된 하나 이상의 기판 제조 변수를 모니터링 및/또는 조정하는 방법 및 시스템에 관한 것이다.
리소그래피 장치는 기판 상으로, 통상적으로 기판의 타겟 부분 상으로 원하는 패턴을 적용시키는 기계이다. 리소그래피 장치는, 예를 들어 집적 회로(IC) 또는 기능적으로 설계된 다른 장치의 제조에 사용될 수 있다. 그 경우, 대안적으로 마스크 또는 레티클로서 지칭되는 패터닝 장치가 사용되어 기능적으로 설계된 장치의 개별 층 상에 형성될 회로 패턴을 생성할 수 있다. 이 패턴은 기판 (예를 들어, 실리콘 웨이퍼) 상의 (예를 들어, 하나 또는 여러 개의 다이의 일부를 포함하는) 타겟 부분 상으로 전사될 수 있다. 패턴의 전사는 전형적으로 기판 상에 제공된 감방사선성 물질(레지스트)의 층 상으로의 이미화를 통해 이루어진다. 일반적으로, 단일 기판은 연속적으로 패턴닝된 인접 타겟 부분들의 네트워크를 포함할 것이다. 공지된 리소그래피 장치는 한번에 타겟 부분 상으로 전체 패턴을 노광함으로써 각각의 타겟 부분이 조사되는 소위 스테퍼, 및 빔을 통해 주어진 방향("스캐닝"-방향)으로 패턴을 스캐닝하면서, 이 방향에 평행한 또는 역-평행한 기판을 동기적으로 스캐닝함으로써 각각의 타겟 부분이 조사되는 소위 스캐너를 포함하고 있다. 패턴을 기판 상으로 임프린팅함으로써 패턴을 패터닝 장치에서 기판으로 전사시키는 것이 또한 가능하다.
반도체 장치와 같은 제조 장치는 전형적으로 다수의 제조 공정을 사용하여 기판 (예를 들어, 반도체 웨이퍼)을 처리하는 것을 포함하여 장치의 다양한 특징부(features) 및 흔히 다중 층을 형성한다. 이러한 층 및 특징부는 전형적으로, 예를 들어 증착, 리소그래피, 에칭, 화학적-기계적 연마 및 이온 주입을 사용하여 제조되고 처리된다. 다수의 장치는 기판 상의 다수의 다이 상에 제조되고 이후 개별 장치들로 분리될 수 있다. 이 장치 제조 공정은 패터닝 공정으로 간주될 수 있다. 패터닝 공정은 기판 상에 패턴을 제공하기 위해 리소그래피 장치를 사용하는 광학 및/또는 나노임프린트 리소그래피와 같은 패터닝 단계를 포함하며, 전형적으로 그러나 선택적으로 현상 장치에 의한 레지스트 현상, 베이크 툴을 이용한 기판의 베이킹, 에칭 장치에 의한 패턴을 이용하는 에칭 등과 같은 하나 이상의 관련된 패턴 처리 단계를 포함한다. 또한, 하나 이상의 계측 공정이 패터닝 공정에 포함된다.
계측 공정은 패터닝 공정 중에 다양한 단계에서 사용되어 공정을 모니터링 및/또는 제어한다. 예를 들어, 계측 공정은, 패터닝 공정 중에 기판 상에 형성된 특징부의 상대 위치 (예를 들어, 레지스트레이션(registration), 오버레이(overlay), 정렬(alignment) 등) 또는 치수 (예를 들어, 라인 폭, 임계 치수(CD), 두께 등)와 같은, 기판의 하나 이상의 특성을 측정하기 위해 사용되며, 따라서 예를 들어 패터닝 공정의 수행은 하나 이상의 특성으로부터 결정될 수 있다. 하나 이상의 특성이 받아들일 수 없다면 (예를 들어, 특성(들)에 대한 소정 범위 밖에 있다면), 패터닝 공정의 하나 이상의 변수가, 예를 들어 하나 이상의 특성의 측정값에 기초하여 변경될 수 있으며, 따라서 패터닝 공정에 의해 제조된 다른 기판은 허용 가능한 특성(들)을 갖는다.
리소그래피 및 다른 패터닝 공정 기술의 발전에 따라, 기능적 요소의 치수는 계속 감소되어 왔지만, 장치 당, 트랜지스터와 같은 기능적 요소의 양은 수십 년 동안 꾸준하게 증가되고 있다. 한편, 오버레이, 임계 치수(CD) 등에 관하여 정확도의 요구 조건은 더욱더 엄격해지고 있다. 오버레이 오류, CD 오류 등과 같은 오류는 패터닝 공정에서 필연적으로 생성될 것이다. 예를 들어, 이미징(imaging) 오류는 광학 수차, 패터닝 장치 가열, 패터닝 장치 오류 및/또는 기판 가열에 의해 생성될 수 있으며, 예를 들어, 오버레이 오류, CD 오류 등에 관하여 특징지어질 수 있다. 부가적으로 또는 대안적으로, 오류는 에칭, 현상, 베이크 등과 같은 패터닝 공정의 다른 부분에 도입될 수 있으며, 유사하게는 오버레이 오류, CD 오류 등에 관하여 특징지어질 수 있다. 이 오류는 장치의 기능 면에서, 기능에 대한 장치의 고장 또는 기능 장치의 하나 이상의 전기적 문제를 포함하는 문제를 직접적으로 일으킬 수 있다.
리소그래피 베이스라이너(lithography baseliner) 시스템이 사용되어 시간에 따른 리소그래피 장치의 수행을 모니터링할 수 있다. 리소그래피 장치의 수행이 수용 가능한 표준으로부터 벗어나는 경우, 재교정, 수리, 정지와 같은 조치가 취해질 수 있다. 또한, 리소그래피 베이스라이너 시스템은 예를 들어, 리소그래피 장치의 하나 이상의 설정(변수)을 변경함으로써 리소그래피 장치의 시기 적절한 제어를 가능하게 할 수 있다. 따라서, 리소그래피 베이스라이너 시스템은, 예를 들어 대량 생산(HVM) 면에서 안정적인 성능을 가능하게 할 수 있다.
리소그래피 베이스라이너 시스템은 리소그래피 장치를 특정 베이스라인으로 유지하는 것을 효과적으로 목표로 할 수 있다. 이렇게 하기 위하여, 실시예에서, 리소그래피 베이스라이너 시스템은 계측 장치(예를 들어, 회절 기반 광학 측정 툴)를 사용하여 모니터 웨이퍼 상에서 취해진 측정값을 얻는다. 실시예에서, 모니터 웨이퍼는 계측 장치에 적합한 마크를 포함하는 소정의 패터닝 장치 패턴을 사용하여 노광될 수 있다. 측정값으로부터, 리소그래피 베이스라이너 시스템은 리소그래피 장치가 베이스라인으로부터 얼마나 멀어졌는지를 결정한다. 실시예에서, 리소그래피 베이스라이너 시스템은 그후, 예를 들어, 기판-레벨 오버레이 및/또는 초점 보정 세트를 계산한다. 이후, 리소그래피 장치는 이 보정 세트를 사용하여 후속 생산 웨이퍼의 노광에 대한 특정 보정을 만든다.
유사한 베이스라이너가 비-리소그래피 공정 장치, 예를 들어 에칭 툴, 증착 툴 등을 위해 바람직하다. 따라서, 하나 이상의 비-리소그래피 공정 장치의 수행을 더 잘 모니터링 및/또는 제어할 수 있는 방법 및/또는 장치를 제공하는 것이 바람직하다.
실시예에서, 기판의 특성의 값으로부터 특성에 대한 리소그래피 장치의 기여도와 특성에 대한 하나 이상의 리소그래피 전 공정 장치의 기여도를 제거함으로써, 하나 이상의 공정 장치에 의하여 패터닝 공정에 따라 기판이 처리된 후에 하나 이상의 공정 장치가 기판의 특성에 대해 이루는 기여도를 하드웨어 컴퓨터 시스템에 의해 결정하는 것을 포함하는 방법이 제공된다.
실시예에서, 패터닝 공정에서 사용되는 하나 이상의 공정 장치와 관련된 하나 이상의 공정 변수의 제1 그룹의 기판에 특정적인 기여도와 하나 이상의 공정 장치와 관련된 하나 이상의 공정 변수의 제2 그룹의 기판에 비특정적인 기여도를 조합함으로써 패터닝 공정에 의하여 처리될 기판에 부여될 특성을 하드웨어 컴퓨터 시스템에 의하여 추정하는 것을 포함하는 방법이 제공되며, 제1 그룹 및/또는 제2 그룹으로부터의 적어도 하나의 공정 변수는 리소그래피 장치 상류의 공정 장치와 관련되어 있다.
실시예에서, 하나 이상의 공정 장치의 특성에 대한 하나 이상의 기여도를 특성의 하나 이상의 값과 조합함으로써 하나 이상의 공정 장치에 의해 처리될 기판에 부여될 특성을 하드웨어 컴퓨터 시스템에 의해 추정하는 것을 포함하는 방법이 제공되며, 하나 이상의 공정 장치 중 적어도 하나는 리소그래피 장치 상류에 있다.
실시예에서, 기판의 특성에 대한 하나 이상의 제1 공정 장치의 하나 이상의 기여도를 결정하는 것; 및 하나 이상의 제1 공정 장치 하류의 하나 이상의 제2 공정 장치를 조정하기 위해, 하드웨어 컴퓨터 시스템에 의하여 그리고 하나 이상의 기여도에 적어도 부분적으로 기초하여 수정 정보를 생성하는 것을 포함하는 방법이 제공된다.
실시예에서, 프로세서 시스템이 본 명세서서 설명된 방법을 수행하게 하기 위한 기계-독출 가능한 명령어를 포함하고 있는 비-일시적 컴퓨터 프로그램 제품이 제공된다.
실시예에서, 하드웨어 프로세서 시스템; 및 기계-판독 가능한 명령을 저장하도록 구성된 비-일시적 컴퓨터 판독 가능 저장 매체를 포함하는 시스템이 제공되며, 실행될 때, 기계-판독 가능한 명령은 하드웨어 프로세서 시스템이 본 명세서 내에서 설명된 방법을 수행하게 한다.
실시예가 첨부된 도면을 참조하여 단지 예로서 설명될 것이다.
도 1은 리소그래피 장치의 실시예를 개략적으로 도시하고 있다.
도 2는 리소그래피 셀 또는 클러스터의 실시예를 개략적으로 도시하고 있다.
도 3은 예시적인 검사 장치를 개략적으로 도시하고 있다.
도 4는 검사 장치의 조사 스폿과 계측 타겟 간의 관계를 도시하고 있다.
도 5는 측정 데이터에 기초하여 하나 이상의 관심 대상 변수를 유도하는 과정을 개략적으로 도시하고 있다.
도 6은 공정 장치 베이스라이너 시스템의 실시예를 개략적으로 도시하고 있다.
도 7a, 도 7b, 도 7c, 도 7d, 도 7e, 도 7 및 도 7g는 기판 상에 패턴을 형성하고 에칭 가능한 층에서 패턴을 에칭하는 공정을 개략적으로 도시하고 있다.
도 7h는 계측 장치를 사용하여 에칭된 기판을 측정하는 도면을 개략적으로 도시하고 있다.
도 7i는 최종적으로 에칭된 기판의 핑거프린트를 개략적으로 도시하고 있다.
도 7j는 최종적으로 에칭된 기판의 핑거프린트에 대한 증착 툴의 기여도를 개략적으로 도시하고 있다.
도 7k는 최종적으로 에칭된 기판의 핑거프린트에 대한 리소그래피 장치의 기여도를 개략적으로 도시하고 있다.
도 7l은 최종적으로 에칭된 기판의 핑거프린트에 대한 에칭 툴의 기여도를 개략적으로 도시하고 있다.
도 8은 본 발명의 실시예에 따른, 하나 이상의 기판 제조 변수를 조정하는 방법의 예시적인 흐름을 도시하고 있다.
도 9는 본 발명의 실시예에 따른, 기판의 특성에 대한 비-리소그래피 공정 장치의 기여도를 얻기 위한 방법의 예시적인 흐름을 도시하고 있다.
도 10은 본 발명의 실시예에 따른, 기판 상의 결함 또는 다른 오류를 예측하기 위한 방법의 예시적인 흐름을 도시하고 있다.
도 11은 본 발명의 실시예에 따른, 기판 상의 결함 또는 다른 오류를 예측하기 위한 방법의 예시적인 흐름을 도시하고 있다.
도 12는 본 발명의 실시예에 따른, 에칭된 기판의 임계 치수 균일성에 대한 에칭 툴의 기여도를 얻는 예를 개략적으로 도시하고 있다.
도 13은 본 발명의 실시예에 따른, 기판 상의 결함 또는 다른 오류를 예측하는 예를 개략적으로 도시하고 있다.
도 14는 기판의 특성에 대한 리소그래피 장치의 조합된 기여도를 모델링하는 예를 개략적으로 도시하고 있다.
도 15는 본 발명의 실시예를 구현할 수 있는 컴퓨터 시스템을 개략적으로 도시하고 있다.
실시예를 상세하게 설명하기 전에, 실시예가 구현될 수 있는 예시적인 환경을 제시하는 것이 유익하다.
도 1은 리소그래피 장치(LA)를 개략적으로 도시하고 있다. 본 장치는,
- 방사선 빔(B) (예를 들어, 자외선(UV) 방사선 또는 심자외선(DUV) 방사선)을 조정하도록 구성된 조명 시스템(IL) (일루미네이터);
- 패터닝 장치(MA) (예를 들어, 마스크)를 지지하도록 구성되며 특정 매개 변수에 따라 패터닝 장치를 정확하게 위치시키도록 구성된 제1 포지셔너(PM)에 연결되어 있는 지지 구조체(MT) (예를 들어, 마스크 테이블);
- 기판(W) (예를 들어, 레지스트-코팅된 웨이퍼)을 유지하도록 구성되며 특정 매개 변수에 따라 기판을 정확하게 위치시키도록 구성된 제2 포지셔너(PW)에 연결되어 있는 기판 테이블(WT) (예를 들어, 웨이퍼 테이블); 및
- 패터닝 장치(MA)에 의하여 방사선 빔(PB)에 부여된 패턴을 기판(W)의 (예를 들어, 하나 이상의 다이를 포함하고 있는) 타겟 부분(C) 상으로 투영하도록 구성되며 기준 프레임(RF) 상에 지지된 투영 시스템(PS) (예를 들어, 굴절 투영 렌즈 시스템)을 포함하고 있다.
조명 시스템은 방사선을 지향, 성형 또는 제어하기 위한 굴절, 반사, 자기, 전자기, 정전 또는 다른 유형의 광학 요소, 또는 그들의 임의의 조합과 같은 다양한 유형의 광학 요소를 포함할 수 있다.
지지 구조체는 패터닝 장치의 방향, 리소그래피 장치의 설계, 및 예를 들어 패터닝 장치가 진공 환경에서 유지되고 있는지 여부와 같은 다른 조건에 의존하는 방식으로 패터닝 장치를 지지하고 있다. 지지 구조체는 기계적, 진공, 정전 또는 다른 클램핑 기술을 사용하여 패터닝 장치를 유지할 수 있다. 지지 구조체는 예를 들어 필요에 따라 고정되거나 이동 가능할 수 있는 프레임 또는 테이블일 수 있다. 지지 구조체는 패터닝 장치가, 예를 들어 투영 시스템에 대하여 원하는 위치에 있는 것을 보장할 수 있다. 본 명세서 내의 용어 "레티클" 또는 "마스크"의 임의의 사용은 더 일반적인 용어 "패터닝 장치"와 동의어로 고려될 수 있다.
본 명세서에서 사용되는 용어 "패터닝 장치"는 기판의 타겟 부분에 패턴을 부여하기 위해 사용될 수 있는 임의의 장치를 지칭하는 것으로 폭넓게 해석되어야 한다. 실시예에서, 패터닝 장치는 기판의 타겟 부분에 패턴을 생성하기 위하여 방사선 빔의 횡단면에 패턴을 부여하기 위해 사용될 수 있는 임의의 장치이다. 예를 들어 패턴이 위상-시프트 특징부 또는 소위 어시스트 특징부(assist feature)인 경우, 방사선 빔에 부여된 패턴은 기판의 타겟 부분에서의 원하는 패턴과 정확하게 대응하지 않을 수 있다는 점이 주목되어야 한다. 일반적으로, 방사선 빔에 부여된 패턴은 집적 회로와 같은, 타겟 부분에 생성되는 장치 내의 특정 기능 층에 대응할 것이다.
패터닝 장치는 투과형 또는 반사형 장치일 수 있다. 패터닝 장치의 예는 마스크, 프로그램 가능한 미러 어레이, 및 프로그램 가능한 LCD 패널을 포함하고 있다. 마스크는 리소그래피 분야에서 잘 알려져 있으며, 이진(binary), 교번 위상-시프트(alternating phase-shift) 및 감쇠 위상-시프트(attenuated phase-shift)와 같은 마스크 유형은 물론 다양한 하이브리드 마스크 유형을 포함하고 있다. 프로그램 가능한 미러 어레이의 예는 소형 미러들의 매트릭스 배열을 이용하며, 소형 미러들 각각은 입사되고 있는 방사선 빔을 상이한 방향으로 반사시키기 위하여 개별적으로 기울어질 수 있다. 기울어진 미러는 미러 매트릭스에 의하여 반사된 방사선 빔에 패턴을 부여한다.
본 명세서에서 사용된 용어 "투영 시스템"은 사용되는 노광 방사선에 대해 또는 침액의 사용 또는 진공의 사용과 같은 다른 요인에 대해 적절한, 굴절, 반사, 반사 굴절, 자기, 전자기 및 정전 광학 시스템 또는 그들의 임의의 조합을 포함하는 임의의 유형의 투영 시스템을 포함하는 것으로 넓게 해석되어야 한다. 본 명세서 내의 용어 "투영 렌즈"의 임의의 사용은 더욱 일반적인 용어 "투영 시스템"과 동의어로 간주될 수 있다.
투영 시스템(PS)은 기판(W) 상에 이미지화된 패턴에 영향을 줄 수 있는, 불균일할 수 있는 광학 전달 함수(optical transfer function)를 갖고 있다. 편광되지 않은 방사선의 경우, 이러한 영향은 2개의 스칼라 맵(scalar maps)에 의해 상당히 잘 설명될 수 있으며, 이 스칼라 맵은 투영 시스템(PS)을 빠져나가는 방사선의 투과(아포디제이션(apodization)) 및 상대 위상(수차(aberration))을 그의 퓨필 평면 내의 위치의 함수로서 설명한다. 투과 맵 및 상대 위상 맵으로 지칭될 수 있는, 이 스칼라 맵은 기저 함수의 완전한 세트의 선형 조합으로서 표현될 수 있다. 특히 간편한 세트는 제르니케(Zernike) 다항식이며, 이 다항식은 단위 원 상에 한정된 한 세트의 직교 다항식을 형성한다. 각 스칼라 맵의 결정은 이러한 확장에서 계수들을 결정하는 것을 포함할 수 있다. 제르니케 다항식은 단위 원에서 직각이기 때문에, 제르니케 계수는 측정된 스칼라 맵의 내적(inner product)을 각 제르니케 다항식으로 차례로 계산하고 이를 제르니케 다항식의 평균(norm)의 제곱으로 나눔으로써 결정될 수 있다.
투과 맵과 상대 위상 맵은 필드 및 시스템 의존적이다. 즉, 일반적으로, 각 투영 시스템(PS)은 각 필드 포인트에 대해(즉, 그의 이미지 평면 내의 각 공간 위치에 대해) 상이한 제르니케 확장을 가질 것이다. 그의 퓨필 평면 내의 투영 시스템(PL)의 상대 위상은 예를 들어 투영 시스템(PS)의 대상물 평면(즉, 패터닝 장치(MA)의 평면) 내의 점형(point-like) 소스로부터, 투영 시스템(PS)을 통하여 방사선을 투영함으로써 그리고 파면(wavefront) (즉, 동일 위상을 가진 점들의 위치(locus))을 측정하기 위해 전단 간섭계(shearing interferometer)를 사용함으로써 결정될 수 있다. 전단 간섭계는 공통 경로 간섭계이며, 따라서 유리하게는 2차 기준 빔(secondary reference beam)은 파면을 측정하는데 필요하지 않다. 전단 간섭계는 투영 시스템의 이미지 평면 (즉, 기판 테이블(WT)) 내의 회절 격자, 예를 들어 2차원 그리드 및 투영 시스템(PS)의 퓨필 평면에 공액(conjugate)인 평면 내의 간섭 패턴(interference pattern)을 검출하도록 배열된 검출기를 포함할 수 있다. 간섭 패턴은 전단 방향으로의 퓨필 평면 내의 좌표에 대한 방사선의 위상의 도함수와 관련된다. 검출기는, 예를 들어 전하 결합 소자(CCD)와 같은 감지 요소의 어레이를 포함할 수 있다.
리소그래피 장치의 투영 시스템(PS)은 가시적인 프린지(fringe)를 생성하지 않을 수 있으며, 따라서 예를 들어 회절 격자를 이동시키는 것과 같은 위상 스테핑 기술을 사용하여 파면(wavefront)의 결정의 정확도가 향상될 수 있다. 스테핑은 회절 격자의 평면 내에서 그리고 측정의 스캐닝 방향에 수직인 방향으로 수행될 수 있다. 스테핑 범위는 하나의 격자 주기일 수 있으며, 적어도 3개의 (균일하게 분포된) 위상 단계가 사용될 수 있다. 따라서, 예를 들어 3개의 스캐닝 측정이 y-방향으로 수행될 수 있으며, 각각의 스캐닝 측정은 x 방향으로 상이한 위치에 대해 수행된다. 회절 격자의 이러한 스테핑은 위상 변화를 강도 변화로 효율적으로 변환시켜 위상 정보가 결정되는 것을 허용한다. 검출기를 교정하기 위해 격자는 회절 격자에 수직인 방향(z 방향)으로 단차질 수 있다.
그의 퓨필 평면 내에서의 투영 시스템(PS)의 투과(아포디제이션; apodization)는, 예를 들어 투영 시스템(PS)의 물체 평면 (즉, 패터닝 장치(MA)의 평면) 내의 포인트형 소스로부터 투영 시스템(PS)을 통해 방사선을 투영함으로써 그리고 검출기를 이용하여, 투영 시스템(PS)의 퓨필 평면에 공액인 평면 내의 방사선의 세기를 측정함으로써 결정될 수 있다. 수차를 결정하기 위해 파면을 측정하는데 사용되는 것과 동일한 검출기가 사용될 수 있다.
투영 시스템(PS)은 다수의 광학(예를 들어, 렌즈) 요소를 포함할 수 있으며 수차 (필드 전체의 퓨필 평면 전체에 걸친 위상 변화)을 보정하기 위하여 하나 이상의 광학 요소를 조정하도록 구성된 조정 메커니즘(AM)을 더 포함할 수 있다. 이를 이루기 위해, 조정 메커니즘은 하나 이상의 상이한 방식으로 투영 시스템(PS) 내의 하나 이상의 광학 (예를 들어, 렌즈) 요소를 조작하도록 작동 가능할 수 있다. 투영 시스템은 좌표계를 가질 수 있으며, 그 광학 축은 z 방향으로 연장된다. 조정 메커니즘은 다음 사항의 임의의 조합을 수행하도록 작동 가능할 수 있다: 하나 이상의 광학 요소를 변위시키는 것; 하나 이상의 광학 요소를 기울이는 것; 및/또는 하나 이상의 광학 요소를 변형시키는 것. 광학 요소의 변위는 임의의 방향 (x, y, z 또는 이들의 조합)일 수 있다. z축을 중심으로 하는 회전은 비순환적 대칭적 비구면 광학 요소를 위하여 사용될 수 있지만, 광학 요소의 기울어짐은 전형적으로 x 및/또는 y 방향으로 축을 중심으로 회전시킴으로써 광학 축에 수직인 평면으로부터 벗어난다. 광학 요소의 변형은 저주파 형상 (예를 들어, 비점수차) 및 고주파 형상 (예를 들어, 자유형 비구면)을 포함할 수 있다. 광학 요소의 변형은 예를 들어 광학 요소의 하나 이상의 측면에 힘을 가하기 위해 하나 이상의 액추에이터를 사용함으로써 및/또는 광학 요소의 하나 이상의 선택된 영역을 가열하기 위해 하나 이상의 가열 요소를 사용함으로써 수행될 수 있다. 일반적으로, 아포디제이션 (퓨필 평면 전체에 걸친 투과 변화)을 보정하기 위하여 투영 시스템(PS)을 조정하는 것은 가능하지 않을 수 있다. 투영 시스템(PS)의 투과 맵은 리소그래피 장치(LA)를 위한 패터닝 장치 (예를 들어, 마스크)(MA)를 설계할 때 사용될 수 있다. 컴퓨터를 이용한 리소그래피 기술을 사용하여, 패터닝 장치(MA)는 적어도 부분적으로는 아포디제이션을 보정하도록 설계될 수 있다.
도시된 바와 같이, 본 장치는 (예를 들어, 투과형 마스크를 사용한) 투과형 장치이다. 대안적으로, 본 장치는 (예를 들어, 위에서 언급된 바와 같은 유형의 프로그램 가능한 미러 어레이를 이용하거나 반사형 마스크를 이용한) 반사형 장치일 수 있다.
리소그래피 장치는 2개 (이중 스테이지) 또는 그 이상의 테이블 (예를 들어, 2개 이상의 기판 테이블(WTa, WTb), 2개 이상의 패터닝 장치 테이블, 기판 테이블(WTa)과, 예를 들어 측정 및/또는 세정 등을 용이하게 하기 위해서만 사용되는 기판이 없는 투영 시스템 아래의 기판 테이블(WTb), 등)을 갖는 유형일 수 있다. 이러한 "다중 스테이지" 기계에서, 부가적인 테이블들이 동시에 사용될 수 있으며, 또는 준비 단계가 하나 이상의 테이블에서 수행될 수 있는 반면에 하나 이상의 다른 테이블은 노광을 위하여 사용될 수 있다. 예를 들어, 정렬 센서(AS)를 이용한 정렬 측정 및/또는 레벨 센서(LS)를 이용한 레벨 (높이, 기울어짐 등) 측정이 이루어질 수 있다.
투영 시스템과 기판 사이의 공간을 채우기 위하여, 리소그래피 장치는 또한 기판의 적어도 일부분이 상대적으로 높은 굴절률을 갖는 액체, 예를 들어, 액체로 덮일 수 있는 유형일 수 있다. 또한, 침지 액체는 또한 리소그래피 장치의 다른 공간, 예를 들어 패터닝 장치와 투영 시스템 사이에 적용될 수 있다. 침지 기술은 투영 시스템의 개구수를 증가시키기 위한 기술 분야에서 잘 알려져 있다. 본 명세서에서 사용된 바와 같이 용어 "침지"는 기판과 같은 구조체가 액체에 잠겨야 한다는 것을 의미하는 것이 아니라, 단지 노광 동안에 투영 시스템과 기판 사이에 액체가 위치된다는 것을 의미한다.
도 1을 참고하면, 일루미네이터(IL)는 방사선 소스(SO)로부터 방사선 빔을 받아들인다. 예를 들어, 소스가 엑시머 레이저인 경우, 소스와 리소그래피 장치는 별개의 개체일 수 있다. 이러한 경우, 소스는 리소그래피 장치의 부분을 형성하는 것으로 간주되지 않으며, 방사선 빔은 예를 들어 적절한 지향 미러 및/또는 빔 익스팬더를 포함하고 있는 빔 전달 시스템(BD)의 도움으로 소스(SO)로부터 일루미네이터(IL)로 나아간다. 다른 경우에, 예를 들어 소스가 수은 램프인 경우, 소스는 리소그래피 장치의 필수적인 부분일 수 있다. 소스(SO)와 일루미네이터(IL)는 필요에 따라 빔 전달 시스템(BD)과 함께 방사선 시스템으로 지칭될 수 있다.
일루미네이터(IL)는 방사선 빔의 각도 세기 분포를 조정하도록 구성된 조정기(AD)를 포함할 수 있다. 일반적으로, 일루미네이터의 퓨필 평면 내의 세기 분포의(보통 σ-외부 및 σ-내부로 각각 지칭되는) 적어도 외부 및/또는 내부 방사상 방향 크기가 조정될 수 있다. 또한, 일루미네이터(IL)는 적분기(IN) 및 콘덴서(CO)와 같은 다양한 다른 구성 요소를 포함할 수 있다. 일루미네이터는 방사선 빔을 조정하도록 사용되어 그 횡단면에 원하는 균일성과 세기 분포를 갖게 할 수 있다.
방사선 빔(B)은 지지 구조체(MT) (예를 들어, 마스크 테이블) 상에서 유지되는 패터닝 장치(MA) (예를 들어, 마스크) 상에 입사되며, 패터닝 장치에 의하여 패터닝된다. 패터닝 장치(MA)를 가로지른 방사선 빔(B)은 투영 시스템(PS)을 통과하며, 투영 시스템은 빔을 기판(W)의 타겟 부분(C) 상으로 집속시킨다. 예를 들어 방사선 빔(B)의 경로에 상이한 타겟 부분(C)을 위치시키기 위하여, 제2 포지셔너(PW)와 위치 센서(IF) (예를 들어, 간섭 장치, 선형 엔코더, 2-D 엔코더 또는 정전 용량형 센서)의 도움으로 기판 테이블(WT)은 정확하게 이동될 수 있다. 유사하게, 제1 포지셔너(PM)와 (도 1에 명확하게 도시되지 않은) 다른 위치 센서가 사용되어, 예를 마스크 라이브러리로부터의 기계적 검색 후 또는 스캔 중에 방사선 빔(B)의 경로에 대해 패터닝 장치(MA)를 정확하게 위치시킬 수 있다. 일반적으로, 지지 구조체(MT)의 이동은 제1 포지셔너(PM)의 부분을 형성하는 긴 스트로크 모듈(개략적인 위치 설정)과 짧은 스트로크 모듈(미세 위치 설정)의 도움으로 실현될 수 있다. 유사하게, 기판 테이블(WT)의 이동은 제2 포지셔너(PW)의 부분을 형성하는 긴 스트로크 모듈과 짧은 스트로크 모듈을 사용하여 실현될 수 있다. (스캐너와는 대조적으로) 스테퍼의 경우에, 지지 구조체(MT)는 짧은 스트로크 액추에이터에만 연결될 수 있거나 고정될 수 있다. 패터닝 장치(MA)와 기판(W)은 패터닝 장치 정렬 마크(M1, M2)와 기판 정렬 마크(P1, P2)를 사용하여 정렬될 수 있다. 도시된 바와 같이 기판 정렬 마크들이 전용 타겟 부분을 차지하고 있지만, 이들은 타겟 부분들 사이의 공간 내에 위치될 수 있다(이들은 스크라이브-레인 정렬 마크로 알려져 있다). 유사하게, 하나 이상의 다이가 패터닝 장치(MA) 상에 제공된 상황에서는 패터닝 장치 정렬 마크는 다이들 사이에 위치될 수 있다.
도시된 장치는 다음 모드들 중 적어도 하나의 모드에서 사용될 수 있다:
1. 스텝 모드에서, 지지 구조체(MT)와 기판 테이블(WT)은 기본적으로 고정 상태로 유지되는 반면, 방사선 빔에 부여된 전체 패턴은 한번에 타겟 부분(C) 상으로 투영된다(즉, 단일 정적 노광). 상이한 타겟 부분(C)이 노광될 수 있도록 기판 테이블(WT)은 그후 X 및/또는 Y 방향으로 변위된다. 스텝 모드에서, 노광 필드의 최대 크기는 단일 정적 노광에서 이미지화된 타겟 부분(C)의 크기를 제한한다.
2. 스캔 모드에서, 방사선 빔에 부여된 패턴이 타겟 부분(C) 상으로 투영(즉, 단일 동적 노광)되는 동안에 지지 구조체(MT)와 기판 테이블(WT)은 동시에 스캐닝된다. 지지 구조체(MT)에 대한 기판 테이블(WT)의 속도 및 방향은 투영 시스템(PS)의(축소) 확대 및 이미지 반전 특성에 의하여 결정될 수 있다. 스캔 모드에서, 노광 필드의 최대 크기는 단일 동적 노광에서의 타겟 부분의(비--스캐닝 방향으로의) 폭을 제한하는 반면, 스캐닝 움직임의 길이는 타겟 부분의(스캐닝 방향으로의) 높이를 결정한다.
3. 다른 모드에서, 지지 구조체(MT)는 기본적으로 고정 상태로 유지되어 프로그램 가능한 패터닝 장치를 유지하며, 방사선 빔에 부여된 패턴이 타겟 부분(C) 상으로 투영되는 동안 기판 테이블(WT)은 이동되거나 스캐닝된다. 이 모드에서, 일반적으로 펄스형 방사선 소스가 이용되고, 프로그램 가능한 패터닝 장치는 기판 테이블(WT)의 각 이동 후에 또는 스캔 동안 연속적인 방사선 펄스들 사이에서 필요에 따라 업데이트된다. 이 작동 모드는 위에서 지칭된 바와 같은 유형의 프로그램 가능한 미러 어레이와 같은 프로그램 가능한 패터닝 장치를 이용하는, 마스크없는 리소그래피에 용이하게 적용될 수 있다.
위에서 설명된 사용 모드들의 조합 및/또는 변형 또는 완전히 다른 사용 모드 또한 사용될 수 있다.
도 2에 나타나 있는 바와 같이, 리소그래피 장치(LA)는, 또한 때로는 리소셀(lithocell) 또는 클러스터로 지칭되는 리소그래피 셀(LC)의 부분을 형성하며, 이는 또한 기판 상에서 노광 전 및 후 공정을 수행하기 위한 장치를 포함하고 있다. 일반적으로, 이 장치는 레지스트 층을 증착하기 위한 스핀 코터(SC), 노광된 레지스트를 현상하기 위한 하나 이상의 현상기(DE), 하나 이상의 냉각(chill) 플레이트(CH) 및 하나 이상의 베이크 플레이트(BK)를 포함하고 있다. 기판 핸들러 또는 로봇(RO)은 입력/출력 포트(I/O1, I/O2)로부터 기판을 픽업하고, 이를 상이한 공정 장치들 사이에서 이동시키며, 리소그래피 장치의 적재 베이(LB)로 전달한다. 종종 전체로서 트랙으로 지칭되는 이 장치들은 감시 제어 시스템(SCS)에 의해 자체 제어되는 트랙 제어 유닛(TCU)의 제어 하에 있으며, 감시 제어 시스템은 또한 리소그래피 제어 유닛(LACU)을 통해 리소그래피 장치를 제어한다. 따라서, 다른 장치가 처리량 및 처리 효율을 최대화하도록 작동될 수 있다.
리소그래피 장치에 의해 노광된 기판이 정확하고 일관되게 노광되도록 하기 위하여, 노광된 기판을 검사하여 후속 층들 사이의 오버레이 오류, 라인 두께, 임계 치수(CD), 초점 오프셋, 물질 특성 등과 같은 하나 이상의 특성을 측정하는 것이 바람직하다. 따라서, 리소셀(LC)이 위치되어 있는 제조 설비는 또한 전형적으로 리소셀에서 처리된 기판(W)의 일부 또는 모두를 수용하는 계측 시스템(MET)을 포함하고 있다. 계측 시스템(MET)은 리소셀(LC)의 부분일 수 있으며, 예를 들어 리소그래피 장치(LA)의 부분일 수 있다.
계측 결과는 감시 제어 시스템(SCS)에 직접 또는 간접적으로 제공될 수 있다. 오류가 검출되면 (특히, 배치(batch)의 하나 이상의 다른 기판이 계속 노광되어야 할 정도로 곧바로 그리고 빠르게 검사가 수행될 수 있다면), 후속 기판의 노광에 대한 및/또는 노광된 기판의 후속 노광에 대한 조정이 이루어질 수 있다. 또한, 이미 노광된 기판은 수율을 개선하기 위해 해체 및 재가공되거나, 폐기될 수 있으며, 그에 의하여 결함이 있는 것으로 알려진 기판에 추가 처리를 수행하는 것을 피할 수 있다. 기판의 일부 타겟 부분만이 결함이 있는 경우, 양호한 타겟 부분에만 추가 노광이 수행될 수 있다.
계측 시스템(MET) 내에서, 검사 장치가 기판의 하나 이상의 특성을 결정하는데 사용되며, 특히 상이한 기판의 하나 이상의 특성이 어떻게 변하는지 또는 동일 기판의 상이한 층들이 층마다 어떻게 변하는지를 결정한다. 검사 장치는 리소그래피 장치(LA) 또는 리소셀에 통합될 수 있거나 독립형 장치일 수 있다. 신속한 측정을 가능하게 하기 위해, 검사 장치가 노광 직후 노광된 레지스트 층의 하나 이상의 특성을 것이 바람직하다. 그러나, 레지스트 내의 잠상은 매우 낮은 콘트라스트를 갖고 있다 -방사선에 노광된 레지스트의 부분들과 그렇지 않은 부분들 사이에 매우 작은 굴절률의 차이만이 있으며- 모든 검사 장치가 잠상의 유용한 측정을 하기에 충분한 감도를 갖고 있지 않다. 따라서 측정은 통상적으로 노광된 기판에서 수행되는 첫 번째 단계인 노광 후 베이크 단계(PEB) 이후에 실시될 수 있으며 레지스트의 노광된 부분과 노광되지 않은 부분 간의 콘트라스트를 증가시킨다. 이 단계에서, 레지스트 내의 이미지는 반-잠상(semi-latent)으로 지칭될 수 있다. 레지스트의 노광된 또는 노광되지 않은 부분이 제거된 지점에서 또는 에칭과 같은 패턴 전사 단계 후에, 현상된 레지스트 이미지의 측정이 이루어질 수도 있다. 후자의 가능성은 잘못된 기판의 재작업 가능성을 제한하지만 여전히 유용한 정보를 제공할 수 있다.
계측을 가능하게 하기 위하여, 하나 이상의 타겟이 기판 상에 제공될 수 있다. 실시예에서, 타겟은 특별히 설계되고 주기적 구조체를 포함할 수 있다. 실시예에서, 타겟은 장치 패턴의 일부, 예를 들어, 장치 패턴의 주기적 구조체이다. 사용된 타겟은 40㎛Х40㎛와 같이 (예를 들어, 하나 이상의 격자를 포함하고 있는) 비교적 큰 주기적 구조체 레이아웃을 포함할 수 있다. 이 경우, 측정 빔은 종종 주기적 구조체 레이아웃보다 작은 스폿 크기를 갖는다(즉, 레이아웃은 하나 이상의 주기적 구조체가 스폿으로 완전히 덮이지 않도록 언더필(underfilled)된다). 이는 무한한 것으로 간주될 수 있으므로 타겟의 수학적 재구성을 단순화한다. 그러나, 예를 들어, 타겟이 스크라이브 레인 내보다는 제품 특징부들 사이에 위치될 수 있기 때문에, 타겟의 크기는 예를 들어 20㎛×20㎛ 이하, 또는 10㎛×10㎛로 감소한다. 이 상황에서, 주기적 구조체 레이아웃은 측정 스폿보다 작게 이루어질 수 있다 (즉, 주기적 구조체 레이아웃이 오버필(overfilled)된다). 통상적으로, 이러한 타겟은 (정반사에 대응하는) 0차 회절이 차단되고 더 높은 차수만이 처리되는 암 시야 스케터로메트리(dark field scatterometry)를 사용하여 측정된다. 암 시야 계측의 예는 PCT 특허 출원 공개번호 WO2009/078708호 및 WO 2009/106279호에서 찾을 수 있으며, 이들은 그 전체가 참조로 원용된다. 이 기술의 추가 개발안이 미국특허 출원 공개 US2011-0027704, US2011-0043791 및 US2012-0242970에서 설명되고 있으며, 이들은 전체적으로 참조로 원용된다. 회절 차수의 암 시야 검출을 사용하는 회절 기반 오버레이는 작은 타겟에 대한 오버레이 측정을 가능하게 한다. 이 타겟은 조사 스폿보다 작을 수 있으며, 기판 상의 제품 구조체로 둘러싸일 수 있다. 실시예에서, 다수의 타겟은 하나의 이미지에서 측정될 수 있다.
실시예에서, 기판 상의 타겟은 하나 이상의 1-D 주기적 격자를 포함할 수 있으며, 이 격자는 현상 후에 바(bar)가 고형 레지스트 라인으로 형성되도록 프린트된다. 실시예에서, 타겟은 하나 이상의 2-D주기적 격자를 포함할 수 있으며, 이 격자는 현상 후에 하나 이상의 격자가 레지스트 내의 고형 레지스트 필라(pillar) 또는 비아(via)로 형성되도록 프린트된다. 바, 필라 또는 비아는 대안적으로 기판 내로 또는 기판 상에서 (예를 들어, 기판 상의 하나 이상의 층 내로) 에칭될 수 있다.
실시예에서, 타겟의 (예를 들어, 바, 필러 또는 비아의) 패턴은 하나 이상의 패터닝 공정의 하나 이상의 처리 특성 (예를 들어, 리소그래피 투영 장치(특히 투영 시스템(PS))의 광학 수차, 초점 변화, 선량(dose) 변화 등)에 민감하며, 이러한 특성의 존재는 인쇄된 패턴의 변화로 나타날 것이다. 따라서, 프린트된 타겟의 측정된 데이터가 패턴 및 하나 이상의 특성을 재구성하기 위해 사용될 수 있다. 라인 폭 및/또는 형상과 같은 1-D 격자의 하나 이상의 매개 변수 또는 필라 또는 비아 폭 또는 길이 또는 형상과 같은 2-D 격자의 하나 이상의 매개 변수가 프린팅 단계 및/또는 다른 검사 공정의 지식으로부터, 프로세서(PU)에 의해 수행되는 재구성 공정으로 입력될 수 있다.
도 3은 예시적인 검사 장치 (예를 들어, 스케터로미터)를 도시하고 있다. 검사 장치는 독립형 장치일 수 있거나, 예를 들어 측정 스테이션에서 리소그래피 장치(LA)에 또는 리소그래피 셀(LC)에 통합될 수 있다.
검사 장치는 기판(W) 상으로 방사선을 투영하는 방사선 프로젝터 (예를 들어, 가시광 및/또는 근적외선의 다양한 파장의 광대역 백색광 프로젝터 또는 프로젝터)를 포함하고 있다. 이 장치에서, 방사선 소스(2)에 의해 방출된 방사선은 렌즈 시스템(12)을 사용하여 시준되고, 간섭 필터(13)와 편광기(17)를 통하여 투과되며, 부분적인 반사 표면(16)에 의해 반사되고, 그리고 높은 개구수(NA), 바람직하게는 적어도 0.9 또는 적어도 0.95의 개구수를 갖는 대물 렌즈(15)를 통해 기판(W) 상에서 스폿(S)으로 집속된다. (물과 같은 비교적 높은 굴절률 유체를 사용하는) 침지 검사 장치는 심지어 1 이상의 개구수를 가질 수 있다.
재지향된 방사선을 검출하기 위하여 기판(W)에 의해 재지향된 방사선은 그후 부분적인 반사 표면(16)을 통하여 검출기(18) (예를 들어, 분광계 검출기)로 나아간다. 검출기(18)는 후방-투영된 초점 평면(11)에(즉, 렌즈 시스템(15)의 초점 길이에) 위치될 수 있거나 또는 평면(11)은 보조 광학 장치(미도시)로 검출기(18) 상으로 재-이미징될 수 있다. 검출기는 기판 타겟(30)의 2차원 각도 산란 스펙트럼이 측정될 수 있도록 2차원 검출기일 수 있다. 검출기(18)는 예를 들어 CCD 또는 CMOS 센서들의 어레이일 수 있으며, 예를 들어 프레임 당 40 밀리초의 집적 시간을 사용할 수 있다.
기준 빔은, 예를 들어 입사 방사선의 세기를 측정하기 위해 사용될 수 있다. 이를 위해, 방사선 빔이 부분적인 반사 표면(16)에 입사되는 경우, 그의 일부는 부분 반사 표면(16)을 통해 기준 빔으로서 기준 미러(14)를 향하여 투과된다. 기준 빔은 그후 동일 검출기(18)의 상이한 부분 상으로 또는 대안적으로 상이한 검출기(미도시) 상으로 투영된다.
하나 이상의 간섭 필터(13)는 예를 들어 405 내지 790㎚의 범위 또는 200 내지 300㎚와 같은 더 낮은 범위의 관심 대상 파장을 선택하는데 이용 가능하다. 간섭 필터는 상이한 필터들의 세트를 포함하기보다는 조정 가능할 수 있다. 간섭 필터 대신에 격자가 이용될 수 있다. 구경 조리개 또는 공간 광 변조기(미도시)가 조명 경로 내에 제공되어 타겟 상의 방사선의 입사각 범위를 제어할 수 있다.
검출기(18)는 단일 파장(또는 좁은 파장 범위)에서 재지향된 방사선의 세기, 다수의 파장에서 개별적으로 또는 파장 범위에 걸쳐 적분된 세기를 측정할 수 있다. 또한, 검출기는 횡단 자기- 및 횡단 전기-편광 방사선 및/또는 횡단 자기-편광 방사선과 횡단 전기- 편광 방사선 사이의 위상차를 개별적으로 측정할 수 있다. 실시예에서, 정반사된 방사선의 스펙트럼 (파장의 함수로서의 세기)이 측정된다.
프로세서(PU)에 의하여, 예를 들어 엄격한 결합파 분석(Rigorous Coupled Wave Analysis) 및 비선형 회귀에 의하여 또는 시뮬레이션된 스펙트럼, 세기 분포 등의 라이브러리와의 비교에 의하여, 검출된 세기, 스펙트럼 등을 일으키는 구조체 또는 프로파일은 이 데이터로부터 재구성될 수 있다. 일반적으로 재구성을 위해서는 구조체의 일반적인 형태가 알려져 있으며, 일부 변수는 구조체가 만들어진 공정의 지식으로부터 추정되고, 측정된 데이터로부터 결정되는 구조체의 몇몇 변수만을 남긴다. 이러한 검사 장치는 수직 입사 검사 장치 또는 경사 입사 검사 장치로서 구성될 수 있다.
리소그래피 장치(LA)에서와 같이, 하나 이상의 기판 테이블이 제공되어 측정 동작 중에 기판(W)을 유지할 수 있다. 기판 테이블들은 도 1의 기판 테이블(WT)과 형태가 유사하거나 동일할 수 있다. 검사 장치가 리소그래피 장치와 통합된 예에서, 이 기판 테이블들은 심지어 동일한 기판 테이블일 수 있다. 측정 광학 시스템과 관련하여 기판을 정확히 위치시키도록 구성된 제2 포지셔너(PW)에 개략적 및 미세 포지셔너가 제공될 수 있다. 다양한 센서 및 액추에이터가 제공되어 예를 들어 관심 대상 타겟의 위치를 얻고 이를 대물 렌즈(15) 아래의 위치로 이동시킨다. 전형적으로 많은 측정이 기판(W) 전체에 걸친 상이한 위치들에서의 타겟들 상에서 이루어질 것이다. 기판 지지체는 상이한 타겟을 얻기 위해 X 및 Y 방향으로, 그리고 광학 시스템의 초점에 대해 타겟의 원하는 위치를 얻기 위해 Z 방향으로 이동될 수 있다. 예를 들어, 실제로 광학 시스템이 실질적으로(전형적으로 X 및 Y 방향으로, 그러나 아마도 또한 Z 방향으로) 정지 상태에 남아 있을 수 있고 기판만이 이동하는 경우, 대물 렌즈가 기판에 대해 다른 위치로 이동되는 것처럼 동작을 생각하고 설명하는 것이 편리하다. 기판과 광학 시스템의 상대적인 위치가 정확하다면, 이들 중 하나가 실제로 이동하고 있는 것, 또는 둘 모두 이동하고 있거나 또는 광학 시스템의 일부의 조합이 (예를 들어, Z 방향 및/또는 경사 방향으로) 이동하고 있고 광학 시스템의 나머지가 정지하고 있는지는 그리고 기판이 (예를 들어, X 및 Y 방향으로, 그러나 또한 선택적으로 Z 및/또는 경사 방향으로) 이동하고 있는지는 원칙적으로 중요하지 않다.
재구성에 의한 매개 변수의 측정에 더하여, 이 회절 기반 계측 또는 검사의 특정 적용은 주기적 타겟 내의 특징부(feature) 비대칭의 측정에 있다. 예를 들어 각도 분해 스케터리메트리(angle resolved scatterometry)는 제품 및/또는 레지스트 패턴 내의 특징부의 비대칭 측정에 유용하다. 비대칭 측정의 특정 적용은 오버레이 오류의 측정을 위한 것이며, 여기서 타겟(30)이 다른 세트에 겹쳐져 있는 한 세트의 주기적 특징부를 포함하고 있다. 도 3의 기구를 사용하는 비대칭 측정의 개념이, 예를 들어 전체가 본 명세서에서 원용된 미국 특허 출원공개 US2006-066855호에 설명되어 있다. 간단히 말해서, 타겟의 회절 스펙트럼에서 회절 차수의 위치는 타겟의 주기성에 의해서만 결정되지만, 회절 스펙트럼에서의 비대칭은 타겟을 구성하는 개별 특징부의 비대칭을 나타낸다. 검출기(18)가 이미지 센서일 수 있는 도 3의 기구에서, 회절 차수에서의 비대칭은 검출기(18)에 의해 기록된 퓨필 이미지에서의 비대칭으로서 직접 나타난다. 이 비대칭은 유닛(PU)에서의 디지털 이미지 처리에 의하여 측정될 수 있으며, 오버레이의 공지된 값에 대해 교정될 수 있다. 예를 들어, 비대칭은 회절 스펙트럼의 대향 부분들을 비교 (예를 들어, 주기적 격자의 회절 스펙트럼 내의 -1차와 + 1차를 비교)함으로써 측정될 수 있다.
도 4는 전형적인 타겟(30)의 평면도 및 도 3의 장치 내의 조사 스폿(S)의 크기를 도시하고 있다. 주변 구조체로부터의 간섭이 없는 회절 스펙트럼을 얻기 위하여, 실시예에서, 타겟(30)은 조사 스폿(S)의 폭 (예를 들어, 직경)보다 큰 주기적 구조체 (예를 들어, 격자)이다. 스폿(S)의 폭은 타겟의 폭 및 길이보다 작을 수 있다. 즉, 타겟은 조명에 의해 "언더필"되며, 회절 신호는 본질적으로 타겟 자체 외부의 제품 특징부 등으로부터의 어떠한 신호도 없다. 조명 장치(2, 12, 13, 17)는 대물 렌즈(15)의 후방 초점면 전체에 걸쳐 균일한 세기의 조명을 제공하도록 구성될 수 있다. 대안적으로, 예를 들어, 조명 경로에 개구를 포함시킴으로써, 조명은 축 방향 또는 비축 방향으로 제한될 수 있다.
실시예에서, 타겟은 기판 상에 형성된 복합 계측 타겟일 수 있다. 실시예에서, 복합 타겟은 함께 밀접하게 위치된 4개의 주기적 구조체(이 경우, 격자)를 포함하고 있다. 실시예에서, 주기적 구조체들은 그들 모두가 계측 장치의 조명 빔에 의해 형성된 측정 스폿 내에 있도록 충분히 함께 밀접하게 위치된다. 이 경우, 4개의 주기적 구조체가 따라서 모두 동시에 조명되고 동시에 측정된다. 실시예에서, 4개의 주기적 구조체 중 2개는 제1 방향 (예를 들어, X 방향)으로 연장된 그들의 세장형 특징부 (예를 들어, 라인)를 가지며, 4개의 주기적 구조체 중 다른 2개는 제1 방향 (예를 들어, Y 방향)으로 연장된 그들의 세장형 특징부 (예를 들어, 라인)를 갖고 있다. 오버레이 측정 전용의 예에서, 주기적 구조체들은 그 자체로, 주기적 구조체 위에 놓임으로써 형성된 복합 주기적 구조체 (예를 들어, 복합 격자)이다. 즉, 주기적 구조체들은 기판 상에 형성된 장치의 층에 패터닝되며 한 층 내의 적어도 하나의 주기적 구조체가 다른 층 내의 적어도 하나의 주기적 구조체를 오버레이(overlay)하도록 된다. 이러한 타겟은 20㎛×20㎛ 이내 또는 16㎛×16㎛ 이내의 외부 치수를 가질 수 있다. 또한, 모든 주기적 구조체는 특정 쌍의 층들 사이의 오버레이를 측정하는데 사용된다.
복합 주기적 구조체의 상이한 부분이 형성된 상이한 층들 간의 오버레이의 측정을 용이하게 하기 위하여, 주기적 구조체는 상이하게 바이어스된 오버레이 오프셋을 가져 타겟이 단일 쌍의 층 이상을 측정할 수 있는 것을 가능하게 할 수 있다. 따라서, 예를 들어, 기판 상의 타겟에 대한 모든 주기적 구조체가 한 쌍의 층을 측정하기 위해 사용될 것이고, 기판 상의 다른 동일한 타겟에 대한 모든 주기적 구조체는 다른 쌍의 층을 측정하는데 사용될 것이며, 여기서 상이한 바이어스는 층 쌍들을 구별하는 것을 용이하게 한다. 한 예에서, 2개의 주기적 구조체는 +d, -d의 바이어스를 각각 갖는 X 방향 주기적 구조체이다. 다른 2개의 주기적 구조체는 오프셋 +d 및 -d를 각각 갖는 Y-방향 주기적 구조체일 수 있다. 4개의 주기적 구조체가 도시되어 있지만, 다른 실시예는 원하는 정확도를 얻기 위해 더 큰 매트릭스를 포함할 수 있다. 예를 들어, 9개의 복합 주기 구조체의 3×3 어레이는 -4d, -3d, -2d, -d, 0, +d, +2d, +3d, +4d의 바이어스를 가질 수 있다. 이 주기적 구조체의 개별 이미지는 센서에 의해 캡쳐된 이미지에서 확인될 수 있다.
도 5는 계측법을 사용하여 얻어진 측정 데이터에 기초하여 타겟 패턴(30')의 하나 이상의 관심 대상 변수의 값을 결정하는 예시적인 공정을 개략적으로 도시하고 있다. 검출기(18)에 의해 검출된 방사선은 타겟(30')에 대해 측정된 방사선 분포(108)를 제공한다.
주어진 타겟(30')에 대해, 방사선 분포(208)는 예를 들어 수치 맥스웰 솔버(210; numerical Maxwell solver)를 사용하여 매개 변수화된 모델(206)로부터 계산/시뮬레이션될 수 있다. 매개 변수화된 모델(206)은 타겟을 구성하고 그와 관련된 다양한 물질의 예시적인 층을 보여주고 있다. 매개 변수화된 모델(206)은 고려 중인 타겟의 부분의 특징부 및 층에 대한 하나 이상의 변수를 포함할 수 있으며, 이는 변화될 수 있고 유도될 수 있다. 도 5에 나타나 있는 바와 같이, 하나 이상의 변수는 하나 이상의 층의 두께(t), 하나 이상의 특징부의 폭(w) (예를 들어, CD), 하나 이상의 특징부의 높이(h) 및/또는 하나 이상의 특징부의 측면 벽면 각도(α)를 포함할 수 있다. 나타나 있지는 않지만, 하나 이상의 변수는 하나 이상의 층의 굴절률 (예를 들어, 실제 또는 복소 굴절률, 굴절률 텐서(tensor) 등), 하나 이상의 층의 소광 계수, 하나 이상의 층의 흡수, 현상 중의 레지스트 손실, 하나 이상의 특징부의 기반(footing), 및/또는 하나 이상의 특징부의 라인 에지 거칠기를 포함할 수 있으나, 이에 제한되지는 않는다. 변수의 초기 값은 측정되고 있는 타겟에 대해 예상되는 값일 수 있다. 측정된 방사선 분포(108)는 그후 계산된 방사선 분포(208)와 212에서 비교되어 양자 간의 차이를 결정한다. 차이가 있다면, 매개 변수화된 모델(206)의 하나 이상의 변수의 값이 변화될 수 있으며, 측정된 방사선 분포(108)와 계산된 방사선 분포(208) 사이에 충분한 매치(match)가 있을 때까지 새로 계산된 방사선 분포(208)가 계산되고 측정된 방사선 분포(108)에 대하여 비교된다. 그 시점에서, 매개 변수화된 모델(206)의 변수의 값은 실제 타겟(30')의 기하학적 구조의 양호한 또는 최상의 매칭을 제공한다. 실시예에서, 측정된 방사선 분포(108)와 계산된 방사선 분포(208) 사이의 차이가 허용 오차 임계치 내에 있을 때 충분한 매치가 존재한다.
타겟의 측정 정확도 및/또는 민감도는 타겟 상에 제공된 방사선의 빔의 하나 이상의 특성, 예를 들어 방사선 빔의 파장, 방사선 빔의 편광 및/또는 방사선 빔의 세기 분포(즉, 각도 또는 공간 세기 분포)에 따라 변화할 수 있다. 실시예에서, 방사선 빔의 파장 범위는 범위에서 선택된 (예를 들어, 약 400㎚ 내지 900㎚의 범위에서 선택된) 하나 이상의 파장으로 제한된다. 또한, 방사선 빔의 상이한 편광의 선택이 제공될 수 있으며, 예를 들어, 다수의 상이한 개구(aperture)를 사용하여 다양한 조명 형상이 제공될 수 있다.
적어도 하나의 패터닝 단계 (예를 들어, 광학 리소그래피 단계)를 포함하는 패터닝 공정 (예를 들어, 장치 제조 공정)을 모니터링하기 위하여, 패터닝된 기판이 검사되고 패터닝된 기판의 하나 이상의 매개 변수가 측정된다. 하나 이상의 매개 변수는 예를 들어, 패터닝된 기판 내에 또는 상에 형성된 연속적인 층들 사이의 오버레이 오류, 예를 들어 패터닝된 기판 내에 또는 상에 형성된 특징부의 임계 치수(CD) (예를 들어, 임계 선폭), 광학 리소그래피 단계의 초점 또는 초점 오류, 광학 리소그래피 단계의 선량 또는 선량 오류, 광학 리소그래피 단계의 광학 수차 등을 포함할 수 있다. 이 측정은 제품 기판 자체의 타겟 및/또는 기판 상에 제공된 전용 계측 타겟 상에서 수행될 수 있다.
전자 빔 검사 (예를 들어, 주사 전자 현미경), 이미지 기반 측정 또는 검사 툴 및/또는 다양한 특수 툴을 사용을 포함하는, 패터닝 공정에서 형성된 구조체의 측정을 위한 다양한 기술이 있다. 위에서 논의된 바와 같이, 신속하고 비침습적인 형태의 특수 계측 및/또는 검사 툴은 방사선의 빔이 기판의 표면 상의 타겟 상으로 향하고 산란된(회절된/반사된) 빔의 특성이 측정되는 툴이다. 기판에 의해 산란된 후 빔의 특성을 평가함으로써, 기판의 하나 이상의 특성이 결정될 수 있다. 이는 회절 기반 계측 또는 검사로 지칭될 수 있다.
패터닝 공정을 활성화하는 중요한 측면은 공정 자체를 개발하고, 모니터링 및 제어를 위하여 공정을 설정하고 그후 실제로 공정 자체를 모니터링하고 제어하는 것을 포함하고 있다. 패터닝 장치 패턴(들), 레지스트 유형(들), (현상, 에칭 등과 같은) 리소그래피 후 공정 단계와 같은 패터닝 공정의 기본 구성을 가정하면, 기판 상으로 패턴을 전사하기 위하여 패터닝 공정에서의 장치를 설정하고, 공정을 모니터링하기 위해 하나 이상의 계측 타겟을 현상하고, 계측 타겟을 측정하기 위해 계측 공정을 설정하고, 그후 측정에 기초하여 공정을 모니터링 및/또는 제어하는 공정을 구현하는 것이 바람직하다.
중요한 특징부 또는 핫 스폿(hot spot)으로 지칭될 수 있는, 설계 레이아웃의 하나 이상의 부분이 확인될 수 있다. 실시예에서, 설계 레이아웃에서의 복잡한 패턴을 나타내는 한 세트의 중요한 특징부 또는 핫 스폿 (예를 들어, 임의의 수의 중요한 특징부 또는 핫 스폿이 사용될 수 있지만, 예를 들어, 약 50 내지 1,000 개의 중요한 특징부 또는 핫 스폿)이 추출된다. 당업자에 의하여 인식될 바와 같이, 이 중대한 특징부 또는 핫 스폿은 설계의 작은 부분(즉, 회로, 셀, 패턴 또는 디자인 클립)을 나타내며, 특히 중요한 특징부 또는 핫 스폿은 특별한 주의 및/또는 확인이 필요한 작은 부분을 나타낸다. (사용자에 의하여 제공된 중요한 특징부 또는 핫 스폿을 포함하는) 중요한 특징부 또는 핫 스폿은 경험에 의하여, 시행착오에 의하여 또는 풀-칩(full-chip) 시뮬레이션을 실행함으로써 확인될 수 있다. 실시예에서, 핫 스폿은 패터닝 공정을 위한 공정 윈도우 (예를 들어, 노광된 특징부가 허용 오차 범위 (예를 들어 ± 5%, ±10) 내의 임계 치수값을 갖는 선량 및 집속 공정 윈도우)의 경계를 한정한다.
실시예에서, 하나 이상의 패터닝된 기판 (예를 들어, 생산 기판, 모니터 기판 등)으로부터 결정된 특성에 기초하여 리소그래피 장치의 상류 또는 하류의 공정 장치 (예를 들어, 에칭 툴 또는 증착 툴 또는 화학적 기계적 평탄화 툴 등)의 수행을 모니터링 및/또는 제어하는 모니터링 및/또는 제어 시스템이 제공된다.
더욱 특히, 예를 들어, 실시예에서, 에칭 툴의 수행은 최종적으로 에칭된 기판을 분석하고, 타겟 기판으로부터 그의 전체적인 가변성을 결정하고, 이 전체적인 가변성에 대한 에칭 툴의 기여도를 결정함으로써 결정될 수 있다. 이는, 예를 들어 전체적인 가변성에 또한 기여하는 하나 이상의 다른 공정 장치에 기인하는 가변성을 제외시킴으로써 수행될 수 있다. 예를 들어, 전체적인 가변성, 예를 들어 타겟 또는 설계된 기판 및/또는 패턴 구성으로부터의 편차, 또는 최종적으로 에칭된 기판 상의 패턴의 및/또는 최종적으로 에칭된 기판의 특성에 대한 리소그래피 장치와 증착 툴의 기여도가 전체적인 가변성으로부터 차감되어 전체적인 가변성에 대한 에칭 툴의 기여도를 결정할 수 있다. 여기서의 전체적인 가변성은, 예를 들어 패턴 및/또는 최종적으로 에칭된 기판의 핑거프린트(fingerprint) (예를 들어, 특성의 변화량의 공간 분포)으로 간주될 수 있다. 이는 이하에서 더욱 상세하게 설명된다.
또한, 이 예는 에칭 툴의 수행을 언급하고 있지만, 하나 이상의 다른 비-리소그래피 장치가 유사하게 평가될 수 있다. 전체적인 가변성에 또한 기여하는 하나 이상의 다른 공정 장치에 기인하는 가변성을 제외시키기 위하여 최종적으로 에칭된 기판의 측정으로부터의 결과가 분석되어 고려 중인 비-리소그래픽 공정 장치에 기인하는 가변성에 대한 기여도를 산출할 수 있다.
도 6을 참고하면, 예시적인 공정 장치 베이스라이너 시스템(600)이 예시적인 제조 환경 내에서 개략적으로 나타나 있다. 제조 환경은 증착 툴(610), (트랙의 레지스트 코팅 구성 요소와 같은) 트랙의 제1 구성 요소(620), (패터닝 장치(635)를 이용하는) 리소그래피 장치(630), (트랙의 현상 구성 요소 및/또는 트랙의 베이크 플레이트 구성 요소와 같은) 트랙의 제2 구성 요소(625), 에칭 툴(640) 및 (독립형 또는 아래에서 논의된 바와 같은 하나 이상의 다른 장치에 통합될 수 있는) 하나 이상의 계측 장치(650)를 포함하고 있다. 실시예에서, 증착 툴(610) 및 제1 트랙 구성 요소(620)는 리소그래피 전 공정 장치로 지칭된다. 실시예에서, 제2 트랙 구성 요소(625) 및 에칭 툴(640)은 리소그래피 후 공정 장치로 지칭된다. 실시예에서, 제조 환경은 하나 이상의 부가적인 리소그래피 전 공정 장치 및/또는 하나 이상의 부가적인 리소그래피 후 공정 장치 (예를 들어, 화학적 기계적 평탄화 툴, 또 다른 증착 툴 등)를 포함할 수 있다. 증착 툴(610)은 원자 층 증착(ALD), 화학 기상 증착(CVD) 및/또는 물리 기상 증착(PVD) 툴일 수 있다. 제1 트랙 구성 요소(620)와 제2 트랙 구성 요소(625)는 종종 동일한 트랙의 부분이지만, 상이한 장치 또는 트랙으로 분리될 수 있다.
인식될 바와 같이, 제조 환경은 도시된 모든 장치를 가질 필요는 없다. 또한, 하나 이상의 장치가 하나로 결합될 수 있다. 예를 들어, 계측 장치(650)는 하나 이상의 리소그래피 전 공정 장치 (예를 들어, 증착 툴(610) 및/또는 제1 트랙 구성 요소(620) 등)의 부분, 리소그래피 장치(630) 및/또는 하나 이상의 리소그래피 후 공정 장치 (예를 들어, 제2 트랙 구성 요소(625) 및/또는 에칭 툴(640) 등)의 부분일 수 있다.
공정 장치 베이스 라인 시스템(600)은 소프트웨어 애플리케이션(660)을 포함하고 있다. 실시예에서, 소프트웨어 애플리케이션(660)은 (예를 들어, 계측 장치(650)와 관련된 도 15의 컴퓨터 시스템(1500)과 같은 컴퓨터 내의) 계측 장치(650)를 구비할 수 있거나 이에 통합될 수 있다. 부가적으로 또는 대안적으로, 소프트웨어 애플리케이션(660)은 공정 장치 베이스라이너 시스템(600)의 다른 부분에 통합될 수 있거나, 독립형 컴퓨터 시스템 (예를 들어, 도 15의 컴퓨터 시스템(1500)), 서버, 프로세서 등과 같은 독립형 시스템에 제공될 수 있다. 실시예에서, 증착 툴(610), 제1 트랙 구성 요소(620), 리소그래피 장치(630), 제2 트랙 구성 요소(625), 에칭 툴(640) 및/또는 계측 장치(650)는 소프트웨어 애플리케이션(660)과 통신하고 있으며 따라서 증착 툴(610), 제1 트랙 구성 요소(620), 리소그래피 장치(630), 제2 트랙 구성 요소(625), 에칭 툴(640) 및/또는 계측 장치(650)의 결과, 디자인, 데이터 등은 데이터 등은 동시에 또는 다른 시간에 소프트웨어 어플리케이션(660)에 의하여 저장 및 분석될 수 있다.
도 7a 내지 도 7g를 참고하면, 공정 장치 베이스라이너 시스템(600)과 관련하여 기판(710, 720, 730, 740, 750, 760, 770, 780)을 형성하기 위한 공정 단계가 도시되어 있다. 기판은 일반적인 기판 (예를 들어, 원형 디스크 형상)과 동일한 형상을 가질 수 있으며, 일반적인 기판과 유사한 횡방향(cross-wise) 치수 (예를 들어, 약 200㎜, 약 300㎜, 또는 약 450㎜)를 가질 수 있다. 도 7a에 개략적으로 나타나 있는 바와 같이, 단계 710에서, 기판은 횡단면으로 개략적으로 나타나 있는 기판 층(715)을 포함하고 있다. 실시예에서, 단계 710에서의 기판은 생산 기판이다. 따라서, 기판 층(715)은 베어 실리콘(bare silicon)에 더하여 기능적 특징부를 갖고 각각 제조된 하나 이상의 생산 층을 포함할 수 있다. 실시예에서, 단계 710에서의 기판은 모니터 기판이다. 따라서, 기판 층(715)은 베어 실리콘의 층일 수 있다. 도 6에 개략적으로 나타나 있는 바와 같이, 기판 층(715)을 갖는 하나 이상의 기판이 단계 710에서 처리된다.
도 7b에서, 횡단면으로 개략적으로 나타나 있는, 단계 720에서의 기판은 기판 층(715) 및 기판 층(715) 상에 형성된 에칭 가능한 층(725) (예를 들어, 증착 층)을 포함하고 있다. 에칭 가능한 층(725)은 하나 이상의 적절한 물질, 예를 들어 실리콘 산화물, 실리콘 질화물 등의 층일 수 있다. 실시예에서, 증착 툴(610)은 에칭 가능한 층(725)을 기판 층(715)에 도포하도록 구성될 수 있다. 실시예에서, 증착 툴(610)은 예를 들어 ALD, CVD 또는 PVD에 의하여 에칭 가능한 층(725)으로서 증착 층을 도포한다. 도 6에 개략적으로 나타나 있는 바와 같이, 각각 기판 층(715)과 에칭 가능한 층(725)을 갖고 있는 하나 이상의 기판이 단계 720에서 형성된다.
실시예에서, 에칭 가능한 층(725)이 기판 층(715) 상에 도포된 후에 에칭 가능한 층(725)의 두께가 측정된다. 실시예에서, 단계 720이 완료된 후 그리고 단계 730이 시작되기 전에 에칭 가능한 층(725)의 두께가 측정될 수 있다. 실시예에서, 에칭 가능한 층(725)의 두께는 계측 장치(650) 또는 다른 계측 장치에 의해 측정된다. 실시예에서, 계측 장치(650)는 에칭 가능한 층(725)의 상부 표면에서의 제1 위치 및 에칭 가능한 층(725)의 하부 표면에서의 제2 위치를 측정하도록 구성된 센서를 포함하고 있다. 따라서, 에칭 가능한 층(725)의 두께는 제1 위치와 제2 위치 사이의 차이로서 결정될 수 있다. 실시예에서, 에칭 가능한 층(725)의 두께는 증착 툴(610)에 내장된 센서에 의해 측정될 수 있다. 실시예에서, 두께는 기판 전체에 걸쳐 측정되어 기판 전체에 걸쳐 두께의 공간 분포를 유도한다.
실시예에서, 에칭 가능 층(725)의 두께는 증착 툴(610)의 하나 이상의 공정 변수에 기초하여 추정되며, 이는 기판 층(715) 상으로 증착된 에칭 가능한 층 물질의 양을 결정하는데 사용될 수 있다. 예를 들어, 증착 툴(610)에 의해 도포되는 단위 시간당 증착 물질의 양, 즉 증착 툴(610)의 증착 속도는 증착에 의해 도포된 에칭 가능한 층(725)의 두께를 추정하는데 사용될 수 있다. 예를 들어, (증착 속도, 증착 지속 시간 등과 같은) 증착 툴(610)의 다양한 공정 변수는 소프트웨어 애플리케이션(660)에 의해 데이터베이스(670)에 저장되거나 접근 가능하게 되어 에칭 가능한 층(725)의 두께를 결정 또는 추정할 수 있다. 예를 들어, 데이터베이스(670)가 실험적으로 개발되어 증착 툴(610)의 다양한 공정 변수가 에칭 가능한 층(725)의 두께에 어떻게 영향을 미치는지를 결정할 수 있다. 이렇게 하여, 실시예에서, 에칭 가능한 층(725)의 두께는 예를 들어 계측 장치(650)에 의해 직접적으로 측정하지 않고 결정될 수 있다. 실시예에서, 단계 720 이후의 다수의 기판(785)에 대한 에칭 가능한 층(725)의 두께는 소프트웨어 어플리케이션(660) 내에 고정 값으로 설정된 이전의 측정 및/또는 실험에 기초하여 알려진다.
에칭 가능한 층의 두께의 측정 및 분석이 설명되는 동안, 에칭 가능한 층(725)의 하나 이상의 상이한 또는 추가적인 매개 변수가 유사하게 측정/분석될 수 있다.
실시예에서, 소프트웨어 애플리케이션(660)은 에칭 가능한 층(725)의 매개 변수 (예를 들어, 두께)에 기초하여 (기판이 단계 770에서 에칭 툴(640)에 의해 처리된 후) 최종적으로 에칭된 기판의 특성에 대한 증착 툴(610)의 기여도를 결정할 수 있다. 실시예에서, 기여도는 에칭 가능한 층의 매개 변수의 함수로서 수학적으로 모델링된다. 예를 들어, 수학적 모델은 층 두께와 에칭 후 CD 편차와 관련된다. 층 두께 및 에칭 후 CD의 예의 맥락에서, 수학적 모델은 상이한 평균/타겟 증착 두께에 대한 에칭 후 CD 변화의 가변성을 평가함으로써 유도될 수 있다. 모델은 예를 들어 층 두께와 에칭 후 CD 사이의 관계를 수립하는 선(upfront) 교정 공정을 통하여 얻어질 수 있다. 모델은 층 두께 및 에칭 후 CD가 측정된 많은 생산 기판을 평가함으로써 유도될 수 있으며 관계를 결정하기 위해 데이터에 관한 하나 이상의 기계 학습 알고리즘을 사용할 수 있다. 최종적으로 에칭된 기판 (예를 들어, 도 7h의 기판(785) 참조)의 특성은 최종적으로 에칭된 기판(785) 상의 패턴의 (임계 치수 변화, 평균 임계 치수 등을 포함하는) 임계 치수, 임계 치수 균일성, 오버레이, 측면 벽면 각도, 특징부 높이, 최하부 표면 기울어짐, 패턴 시프트 및/또는 기하학적 비대칭성에서 선택된 하나 이상의 특성 (또는 이들의 하나 이상의 공간 분포)을 포함할 수 있다. 실시예에서, 최종 에칭된 기판(785)의 특성은 최종적으로 에칭된 기판(785) 상의 패턴의 하나 이상의 핑거프린트 또는 최종적으로 에칭된 기판 전체에 걸친 다수의 동일한 패턴을 포함하는 최종적으로 에칭된 기판(785)의 하나 이상의 핑거프린트를 포함하고 있다.
최종적으로 에칭된 기판(785) 상의 패턴의 핑거프린트 또는 최종적으로 에칭된 기판(785) 전체에 걸친 다수의 동일 패턴을 포함하는 최종적으로 에칭된 기판(785)의 핑거프린트는 패턴 (또는 패턴) 전체에 걸친 변동 또는 최종적으로 에칭된 기판(785) 전체에 걸쳐 패턴에서 패턴으로의 변동을 고려함으로써 결정될 수 있다. 이 변동은 최종적으로 에칭된 기판(785) 전체에 걸친 패턴의 임계 치수, 임계 치수 균일성, 오버레이, 측면 벽면 각도, 특징부 높이, 최하부 표면 기울어짐, 패턴 시프트 및/또는 기하학적 비대칭성에 대하여 또는 최종적으로 에칭된 기판(785) 전체에 걸친 다수의 동일 패턴 중 하나 이상의 패턴에 대하여 존재할 수 있다. 패턴(들)의 핑거프린트 또는 최종적으로 에칭된 기판(785)의 핑거프린트는 계측 장치(650)에 의해 측정될 수 있다.
실시예에서, 에칭 가능한 층(725)의 측정된 매개 변수 (예를 들어, 두께)를 특성에 대한 증착 툴(610)의 기여도로 변환시키기 위해 수학적 모델이 사용된다. 실시예에서, 에칭 가능한 층(725)의 매개 변수는 증착을 수행하기 위해 사용되는 증착 툴(610)의 증착 챔버(611, 612)에 특정적일 수 있으며, 특정 기판에 비특정적일 수 있다 (따라서 기판에 전체에 걸쳐 사용될 수 있다). 따라서, 특성에 대한 증착 툴(610)의 기여도는 결정될 수 있으며 이후의 사용을 위해 증착 툴(610)의 적용 가능한 증착 챔버(611, 612)와 관련하여 데이터베이스(670)에 저장될 수 있다. 실시예에서, 특성에 대한 증착 툴(610)의 기여도는 미리 특징지어지며 특정 패터닝 공정의 증착 공정에서 사용되는 증착 툴(610)의 증착 챔버(611, 612)와 관련하여 데이터베이스(670)에서 얻어진다.
도 7c에 개략적으로 나타나 있는 바와 같이, 단계 730에서 레지스트 층(735) (예를 들어, 포토레지스트)이 에칭 가능한 층(725) 상에 제공될 수 있다. 실시예에서, 도 6에 개략적으로 나타나 있는 바와 같이, 제1 트랙 구성 요소(620)는 에칭 가능한 층(725) 상에, 예를 들어 다수의 에칭 가능한 층(725)의 각각에 레지스트 층(735)을 도포하여 단계 730에서 한 그룹의 기판을 형성하도록 구성될 수 있다. 실시예에서, 레지스트 층(735)을 제공하는 제1 트랙 구성 요소(620)는 트랙의 레지스트 코팅 구성 요소를 포함하고 있다. 도 6에 개략적으로 나타나 있는 바와 같이, 기판 층(715), 에칭 가능한 층(725) 및 레지스트 층(735)을 각각 갖고 있는 하나 이상의 기판이 단계 730에서 형성된다. 증착을 위하여 위에서 설명된 것과 유사한 측정 및 분석 공정이 이 단계에서 레지스트 층을 위하여 사용될 수 있다 (예를 들어, 레지스트 두께, 레지스트 굴절률 등의 공간 분포를 결정).
도 7d를 참조하면, 단계 740에서 나타난 바와 같이, 기판은 기판 층(715), 에칭 가능한 층(725) 및 패터닝 공정에서 노광된 레지스트 층(735)을 포함하고 있다. 실시예에서, 단계 740에서의 리소그래피 장치(630)는 도 6에 개략적으로 나타나 있는 바와 같이 하나 이상의 기판(730) 상에 도포된 레지스트 층(725)에 하나 이상의 패턴을 생성하도록 구성되어 있다. 도 7d에서, 레지스트는 아직 현상되지 않았기 때문에, 패턴은 기판의 레지스트 층(735)에 매립된 것으로 나타나 있다. 리소그래피 장치(630)는 도 1에 관해서 설명된 것과 같은 광학 리소그래피 장치 또는 예를 들어 나노임프린트 리소그래피 툴을 포함할 수 있다. 예를 들어, 광학 리소그래피 장치(630)는 하나 이상의 기판의 레지스트 층(735)을 노광하여 단계 740에 나타나 있는 바와 같이 패터닝 장치(635) (도 6 참조)로부터 하나 이상의 기판 상의 레지스트 층(735)으로 패턴을 전사할 수 있다. 패터닝 장치(635)는 기판이 생산 기판일 때 단계 740에서 기판 상에 기능 장치의 패턴을 생성하는데 사용될 수 있다. 대안적으로, 패터닝 장치(635)는 기판이 모니터 기판일 때 계측 목적을 위한 패턴 설계를 생성하는데 사용될 수 있다. 예를 들어, 패터닝 장치(635)는 라인-및-공간 격자(line-and-space grating)와 같은 주기적 구조체를 생성하는데 사용될 수 있다.
실시예에서, 소프트웨어 애플리케이션(660)은 최종적으로 에칭된 기판(785)의 특성에 대한 리소그래피 장치(630)의 기여도를 결정하도록 구성될 수 있다. 최종적으로 에칭된 기판(785)의 특성에 대한 리소그래피 장치(630)의 기여도를 리소그래피 장치(630)와 관련된 하나 이상의 변수로부터 유도된다. 실시예에서, 리소그래피 장치(630)와 관련된 하나 이상의 변수의 그룹은 기판에 비특정적인 하나 이상의 제1 변수들을 포함할 수 있다. 따라서, 리소그래피 장치(630)의 기여도는 특정 기판에 비특정적인 (따라서 패터닝 공정의 기판 전체에 걸쳐 사용될 수 있는) 하나 이상의 제1 변수로부터 유도된 리소그래피 장치(630)의 제1 기여도를 포함하고 있다. 또한, 리소그래피 장치(630)의 제1 기여도는 앞으로의 사용을 위하여 데이터베이스(670)에 저장될 수 있다. 실시예에서, 리소그래피 장치(630)의 제1 기여도는 미리 특징지어질 수 있으며 데이터베이스(670)로부터 얻어질 수 있다. 실시예에서, 하나 이상의 제1 변수는 리소그래피 장치(630)에 의한 조명의 하나 이상의 변수, 리소그래피 장치(630)의 투영 시스템의 하나 이상의 변수, 초점, 선량, 오버레이, 레이저 대역폭, 노광 지속 시간, 광학 수차, 고주파 레이저 대역폭 변화, 고주파 레이저 파장 변화, 존스 퓨필(Jones pupil) 등을 포함할 수 있으나, 이에 제한되지는 않는다. 부가적으로 또는 대안적으로, 리소그래피 장치(630)와 관련된 하나 이상의 변수의 그룹은 특정 기판에 특정적인 하나 이상의 제2 변수를 포함할 수 있다. 따라서, 리소그래피 장치(630)의 기여도는 특정 기판에 특정적인 하나 이상의 제2 변수로부터 유도된 리소그래피 장치(630)의 제2 기여도를 포함할 수 있다. 실시예에서, 하나 이상의 제2 변수는 리소그래피 장치(630)의 기판 스테이지의 이동의 이동 표준 편차(MSD) 및/또는 리소그래피 장치(630)의 기판 스테이지의 이동의 이동 평균(MA)을 포함할 수 있지만, 이에 한정되는 것은 아니다.
증착을 위하여 위에서 설명된 것과 유사한 측정 및 분석 공정이 이 단계에서 패터닝된 레지스트를 위하여 사용될 수 있다. 예를 들어, 하나 이상의 제1 및/또는 제2 변수의 값은 리소그래피 장치 내의 센서 (예를 들어, 간섭계, 노광 센서 등)로부터, 기계 장치 (예를 들어, 액추에이터 신호, 레이저 신호 등) 등으로부터 유도될 수 있다.
실시예에서, 도 6을 참조하면, 리소그래피 장치(630)에 의한 패터닝 후에, 리소그래피 장치(630)의 패턴 전사 후에 노광된 레지스트를 현상하기 위해 제2 트랙 구성 요소(625)가 사용되어 단계 750에서 하나 이상의 패터닝된 기판을 형성한다. 도 7e에 나타나 있는 바와 같이, 현상 후에, 패터닝 장치(635)로부터 레지스트 층(735)으로 전사된 패턴이 단계 750에서 나타나 있는 바와 같이 패터닝된 기판에서 명확하게 보여질 수 있다. 구체적으로, 4개의 패턴 라인이 도 7e의 레지스트 층(725) 내에 나타나 있다. 그러나, 임의의 적절한 개수의 패턴 라인(또는 다른 유형의 패턴)이 단계 750에서 패터닝된 기판의 레지스트 층(735) 내에 생성될 수 있다. 실시예에서, 제2 트랙 구성 요소(625)는 트랙의 현상 구성 요소 및/또는 트랙의 베이크 플레이트 구성 요소이다. 실시예에서, 제1 트랙 구성 요소(620)와 제2 트랙 구성 요소(625)는 상이한 트랙이다. 실시예에서, 제1 트랙 구성 요소(620)와 제2 트랙 구성 요소(625)는 동일한 트랙의 상이한 구성 요소이다.
증착을 위하여 위에서 설명된 것과 유사한 측정 및 분석 공정이 이 단계에서 현상된/베이킹된 레지스트를 위하여 사용될 수 있다. 예를 들어, 레지스트의 굴절률, 레지스트의 두께 등의 값이 측정 장치를 사용하여 결정될 수 있다.
도 7f는 에칭 후 단계 760에서 에칭된 기판의 측횡단면도를 개략적으로 보여주고 한다. 나타난 바와 같이, 레지스트 층(735)의 레지스트가 적어도 부분적으로 에칭에 견디기 때문에, 레지스트 층(735) (특히, 레지스트 층(735) 내의 패턴)으로 덮여지지 않은 에칭 가능한 층(725)의 일부분은 에칭된다. 실시예에서, 에칭 툴(640)은 에칭 가능한 층(725)을 에칭하거나 단계(760)에서 에칭된 기판을 형성하기 위해 에칭 가능한 층(725)으로 레지스트 층(735) 내의 하나 이상의 패턴을 전사하도록 구성되어 있다. 도 7g에 나타나 있는 바와 같이, 단계 770에서, 에칭이 완료된 후, 필요에 따라, 레지스트 층(735)은 에칭된 기판으로부터 제거된다. 구체적으로, 4개의 패턴 라인이 도 7g에 나타나 있는 바와 같이 에칭 가능한 층(725) 내에서 생성된다. 그러나, 임의의 적절한 수의 패턴 라인(또는 다른 유형의 패턴)이 최종적으로 에칭된 기판(785)의 에칭 가능한 층(725) 내에서 생성될 수 있다. 에칭 가능한 층(725) 내의 하나 이상의 패턴 (예를 들어, 패턴 라인)은 계측 장치(640)에 의해 측정되도록 구성될 수 있다.
도 7h에 개략적으로 나타나 있는 바와 같이, 단계 780에서, 계측 장치(650)는 최종적으로 에칭된 기판(785)의 특성을 평가하도록 구성될 수 있다. 예를 들어, 계측 장치(650)는 최종적으로 에칭된 기판(785) 상의 계측 타겟의 패턴의 특성을 측정하도록 구성될 수 있다. 실시예에서, 계측 장치(650)는 최종적으로 에칭된 기판(785)의 특성 (구체적으로, 최종적으로 에칭된 기판(785) 상의 계측 타겟의 패턴)을 측정할 수 있는 광학 (예를 들어, 회절 기반) 계측 툴일 수 있다. 실시예에서, 특성은 최종적으로 에칭된 기판(785) 상의 패턴의 또는 최종적으로 에칭된 기판(785) 전체에 걸쳐 복수의 동일한 패턴 각각의 임계 치수 (예를 들어, 패턴 라인(762)의 폭 및/또는 인접한 패턴 라인들 사이의 간격(764)), 임계 치수 균일성, 오버레이, 측면 벽면 각도, 특징부 높이, 최하부 표면 기울어짐, 패턴 시프트, 및/또는 기하학적 비대칭성에서 선택된 하나 이상의 특성을 포함할 수 있다. 실시예에서, 특성은 최종적으로 에칭된 기판(785) 상의 패턴의 하나 이상의 핑거프린트 또는 복수의 동일한 패턴을 포함하는 최종적으로 에칭된 기판의 하나 이상의 핑거프린트를 포함할 수 있으며, 하나 이상의 핑거프린트는 임계 치수, 오버레이, 측면 벽면 각도, 특징부 높이, 최하부 표면 기울어짐, 패턴 시프트 및/또는 기하학적 비대칭성에서 선택된 하나 이상의 특징과 관련된다. 실시예에서, 계측 장치(650)는 또한 표면의 위치, 예를 들어 최종적으로 에칭된 기판(785)의 표면의 높이 및/또는 회전 위치를 측정하기 위해 레벨 센서를 포함할 수 있다.
실시예에서, 소프트웨어 애플리케이션(660)은 최종적으로 에칭된 기판(785)의 특성에 대한 에칭 툴(640)의 기여도를 결정하도록 구성될 수 있다. 구체적으로, 특성에 대한 에칭 툴(640)의 기여도는 최종적으로 에칭된 기판(785)의 특성으로부터 에칭 툴(640) 상류에 있는 하나 이상의 공정 장치의 하나 이상의 기여도를 제거함으로써 얻어질 수 있다. 도 6에 나타나 있는 바와 같이, 에칭 툴(640) 상류에 있는 하나 이상의 공정 장치는 증착 툴(610), 제1 트랙 구성 요소(620), 리소그래피 장치(630) 및 제2 트랙 구성 요소(625)를 포함하고 있다. 실시예에서, 제1 트랙 구성 요소(620)와 제2 트랙 구성 요소(625)는 전형적으로 증착 툴(610) 및 리소그래피 장치(630)와 비교하여 최종적으로 에칭된 기판(785)의 특성에 대해 매우 작고 심지어 무시할 수 있는 기여도를 만들 수 있다. 따라서, 에칭 툴(640) 상류의 하나 이상의 공정 장치의 하나 이상의 기여도는 증착 툴(610)의 기여도와 리소그래피 장치(630)의 기여도를 포함할 수 있다. 따라서, 최종적으로 에칭된 기판(785)의 특성에 대한 에칭 툴(640)의 기여도는 증착 툴(610) (리소그래피 전 공정 장치)의 기여도와 리소그래피 장치(630)의 기여도를 최종적으로 에칭된 기판(785)의 특성으로부터 제거함으로써 결정될 수 있다. 실시예에서, 최종적으로 에칭된 기판(785)의 특성에 대한 리소그래피 장치(630)의 기여도는 특정 기판에 비특정적인 리소그래피 장치(630)의 제1 기여도 및/또는 특정 기판에 특정적인 소그래피 장치(630)의 제2 기여도를 포함할 수 있다. 실시예에서, 최종적으로 에칭된 기판(785)의 특성에 대한 에칭 툴(640)의 기여도는 특정 패턴닝된 기판에 비특정적이다. 실시예에서, 최종적으로 에칭된 기판(785)의 특성에 대한 에칭 툴(640)의 기여도는 에칭을 위하여 사용되는 에칭 툴(640)의 에칭 챔버(641, 642)에 특정적이다. 따라서, 결정 후에, 에칭 툴(640)의 기여도는 에칭을 위하여 사용되는 에칭 툴(640)의 에칭 챔버(641, 642)에 관하여 데이터베이스(670)에 저장될 수 있다.
예시적인 경우에, 증착 툴(610), 리소그래피 장치(630) 및 에칭 툴(640)의 기존 변수는 증착 툴(610)이 최종적으로 에칭된 기판(785) 상의 패턴의 핑거프린트 (예를 들어, CD 핑거프린트)에 0.2㎚를 기여할 수 있도록 하고, 리소그래피 장치(630)는 최종적으로 에칭된 기판(785) 상의 패턴의 핑거프린트에 0.4㎚를 기여할 수 있도록 하며, 에칭 툴(640)이 최종적으로 에칭된 기판(785) 상의 패턴의 핑거프린트에 0.2㎚를 기여할 수 있도록 할 수 있다. 따라서, 최종적으로 에칭된 기판(785) 상의 패턴의 핑거프린트에 대한 증착 툴(610), 리소그래피 장치(630) 및 에칭 툴(640)의 누적 기여도는 0.9㎚일 것이며, 이는 예를 들어 1㎚의 가상적인 임계치 아래이다.
이 예에서, 단계 720 이후에, 최종적으로 에칭된 기판(785) 상의 패턴의 핑거프린트에 대한 증착 툴(610)의 기여도가 0.5㎚로 결정되면, 이는 리소그래피 장치(630) 및/또는 에칭 툴(640)을 조정하지 않고 증착 툴(610), 리소그래피 장치(630) 및 에칭 툴(640)의 누적 기여도가 1.1 ㎚ 일 것이라는 것을 나타내며, 이는 가상 임계치보다 0.1 ㎚ 클 것이다. 또는, 예에서, 단계 760 이후에, 최종적으로 에칭된 기판(785) 상의 패턴의 핑거프린트에 대한 에칭 툴(640)의 기여도가 0.5㎚로 결정되면, 이는 증착 툴(610) 및/또는 리소그래피 장치(630)를 조정하지 않고 증착 툴(610), 리소그래피 장치(630) 및 에칭 툴(640)의 누적 기여도가 1.1 ㎚일 것이라는 것을 나타내며, 이는 가상 임계치보다 0.1 ㎚ 클 것이다. 일부 예에서 이러한 상황은 결함을 발생시킬 수 있고 및/또는 수율 손실로 이어질 수 있다.
이를 교정하기 위해, 해당될 경우 증착 툴(610), 리소그래피 장치(630) 및/또는 에칭 툴(640)을 작동시키기 전에, 증착 툴(610)의 하나 이상의 변수 (예를 들어, 두께, 두께 균일성 또는 임의의 다른 적절한 변수), 리소그래피 장치의 하나 이상의 변수 (예를 들어, 선량, 초점 및/또는 임의의 다른 적절한 변수) 및/또는 에칭 툴(640)의 하나 이상의 변수 (예를 들어, 에칭 속도, 에칭 유형, 작동 온도 및/또는 임의의 다른 적절한 변수)가 조정되어 누적 기여도를 임계치 미만, 예를 들어 1 ㎚ 미만의 값으로 줄일 수 있다.
다른 예에서, 현상 후 레지스트 층(735) 상의 패턴의 임계 치수(CD_리소(Litho))는 예를 들어 30㎚이다. 에칭 후, 최종적으로 에칭된 기판(785)의 에칭 가능한 층(725) 상의 패턴의 임계 치수(CD_에칭(etch))는 예를 들어 25㎚이다. CD_에칭과 CD_리소 간의 차이, 즉 5㎚는, 예를 들어 에칭 가능한 층(715)의 두께에 기초하여 증착 툴(610)의 기여도에 근거를 둘 수 있는 리소-에칭 바이어스(litho-etch bias)로 지칭된다 (예를 들어, 에칭 가능한 층(715)의 두께가 예를 들어 100㎚일 때 리소-에칭 바이어스는 5㎚이다). 리소-에칭 바이어스는 에칭 툴(640)의 하나 이상의 변수 설정, 예를 들어 에칭 툴(640)의 에칭 챔버(641, 642)의 에칭 속도, 에칭 유형, 작동 온도 및/또는 다른 변수에 기초하여 더 결정될 수 있다. 따라서, 증착 툴(610), 리소그래피 장치(630) 및 에칭 툴(640)은 모두 CD_에칭에 기여할 수 있다. 위에서 설명된 바와 같이, CD_에칭은 CD_리소와 리소-에칭 바이어스를 부가함으로써 결정될 수 있다. 구체적으로, 리소그래피 장치(630)의 하나 이상의 변수, 예를 들어 선량 및/또는 리소그래피 장치와 관련된 임의의 다른 적절한 변수를 조정함으로써 CD_리소는 변경될 수 있다. 리소-에칭 바이어스는 에칭 가능한 층(715)의 상이한 두께를 야기할 수 있는 (예를 들어, 처음에는 100㎚을 목표로 할 수 있는) 증착 툴(610)의 하나 이상의 변수 (예를 들어, 증착 속도, 증착 지속 시간 등)를 조정함으로써 변경될 수 있다. 부가적으로 또는 대안적으로, 리소-에칭 바이어스는 또한 에칭 툴(640)의 하나 이상의 변수 (예를 들어, 에칭 속도, 에칭 유형, 작동 온도)를 조정함으로써 변경될 수 있다. 단계 720 이후에, 에칭 가능한 층(715)의 두께가 (예를 들어, 목표값 100㎚보다 큰) 110㎚로 측정되면, 이는 리소-에칭 바이어스가 예를 들어 5㎚에서 8㎚로 증가될 수 있다는 것을 나타낸다. 따라서, 리소그래피 장치(630) 및/또는 에칭 툴(640)을 조정하지 않고, 증가된 리소-에칭 바이어스로 인하여 CD_에칭은 목표값으로부터 벗어날 수 있다. 이를 교정하기 위해, 예를 들어, 결과적인 CD_에칭이 목표일 수 있거나 목표에 근접할 수 있도록 리소그래피 장치(630)를 작동시키기 전에, CD_리소 목표값이 예를 들어, 25㎚에서 더 작은 값, 예를 들어 23㎚로 변경될 수 있다. 이는, 예를 들어, 선량 관용도(does latitude) (여기서, 선량 관용도는 선량 값의 변화에 대한 임계 치수(구체적으로, CD_리소)의 민감도를 나타낸다)에 따라 리소그래피 장치(630)의 선량을 변경함으로써 이루어질 수 있다. 이는 리소그래피 장치(630)의 하나 이상의 다른 적절한 변수를 대안적으로 또는 리소그래피 장치(630)의 선량에 더하여 조정함으로써 이루어질 수 있다는 점이 주목되어야 한다. 리소그래피 장치(630)의 작동 전에 리소그래피 장치(630)와 관련된 하나 이상의 변수를 조정하는 것에 더하여 또는 대안적으로, 에칭 툴(610)의 작동 전에 증착 툴(610)에 관련된 하나 이상의 변수가 조정될 수 있으며 및/또는 에칭 툴(640)의 작동 전에 에칭 툴(640)과 관련된 하나 이상의 변수가 조정될 수 있다. 이 피드-포워드 방법에 대한 더 세부적인 사항이 도 8에서 설명될 것이다.
따라서, 실시예에서, 피드-포워드 유형의 보정이 이루어질 수 있다(이는 도 8과 관련하여 보다 상세하게 설명될 것이다). 예를 들어, 실시예에서, 리소그래피 장치(630)를 작동하기 전에 증착 툴(610)의 기여도에 기초하여 리소그래피 장치(630)와 관련된 하나 이상의 변수 (예를 들어, 선량, 포커스 등)이 조정될 수 있다. 예를 들어, 실시예에서, 에칭 툴(640)과 관련된 하나 이상의 변수는 최종적으로 에칭된 기판(785)의 특성에 대한 증착 툴(610) 및/또는 리소그래피 장치(630)의 전체 기여도에 기초하여 에칭 툴(640)을 작동하기 전에 조정될 수 있다. 에칭 툴(640)과 관련된 하나 이상의 변수는 에칭 툴(640)의 에칭 속도, 에칭 유형, 작동 온도 및/또는 임의의 다른 적절한 변수를 포함할 수 있지만, 이에 제한되지는 않는다. 이는 에칭 툴(640)과 관련된 하나 이상의 변수에서의 조정이 최종적으로 에칭된 기판(785)의 특성에 대한 증착 툴(610) 및 리소그래피 장치(630)의 전체 기여도의 적어도 일부를 보상할 수 있도록 행해지며, 그에 의하여 최종적으로 에칭된 기판(785)의 특성의 목표값으로부터의 최종적으로 에칭된 기판(785)의 특성의 편차를 감소시킨다. 일부 예에서, 특성에 대한 증착 툴(610) 및/또는 리소그래피 장치(630)의 누적 기여도가 목표로부터 너무 많이 벗어난다면, 단계 720에서의 패턴닝된 기판은 에칭 툴(640)에 의하여 처리되기보다는 재작업될 수 있다 (예를 들어, 레지스트 층(735)은 벗겨질 것이다).
도 7i 내지 도 7l은 위에서 설명된 바와 같은 실시예에 따른 최종적으로 에칭된 기판(785)의 핑거프린트에 대한 에칭 툴(640)의 기여도를 결정하는 방법의 예를 보여주고 있다. 도 7l은 최종적으로 에칭된 기판(785)을 보여주는 개략적인 도면이다. 최종적으로 에칭된 기판(785)은 그 안에 형성된 다수의 다이(792, 794, 796 등)를 포함하고 있다. 다양한 특성에서의 약간의 변화량이 패턴마다(또는 기판마다) 존재할 수 있지만, 다이(792, 794, 796 등) 각각은 계측 장치(650)에 의해 측정되도록 동일한 패턴 또는 패터닝된 구성을 포함하고 있다. 실시예에서, 특정 특성 (예를 들어, 임계 치수 등)의 변화량은 설계된 또는 타겟 패턴으로부터의 편차로 고려될 수 있다. 실시예에서, 특정 특성의 이 변화량은 최종적으로 에칭된 기판(785) 상의 패턴 그룹의 평균 패턴으로부터의 편차로 간주될 수 있다. 변화량은 정량화되거나 그렇지 않으면 특성화될 수 있다. 일 예에서, 이 변화량은, 한 예에서, 전체로써 기판 전체에 걸쳐 최종적으로 에칭된 기판(785)의 핑거프린트로 간주될 수 있다. 도 71에서, 목표(또는 설계된) 패턴 구성 또는 최종적으로 에칭된 기판(785)의 평균 패턴으로부터의 관련 패턴의 편차의 정량화에 따라, 변화량 또는 최종 에칭된 기판(785)의 핑거프린트는 다이 내에서 나타난 바와 같은 숫자에 의하여 (예를 들어, ㎚ 또는 임의의 측정 단위로) 표현된 각 다이에서의, 이 간단한 예에 대한, 변화량을 보여주고 있다. 예를 들어, 실시예에서, 다이(792, 794, 796 등) 내의 패턴의 핑거프린트에 대한 값은 각각 2㎚, 1㎚, -2㎚ 등이다. 이 변화량은 계측 장치(650)에 의해 이루어진 측정값을 사용하여 (예를 들어, 계측 장치(650)에 의하여 이루어진 측정값에서(목표 또는 설계 패턴 구성에 대한 목표 또는 설계값 또는 최종적으로 에칭된 기판(785) 상의 다이(792, 794, 796 등) 내의) 한 그룹의 패턴의 측정값의 평균과 같은) 특정값을 차감함으로써) 결정된다.
도 7j는 최종적으로 에칭된 기판(785)의 핑거프린트에 대한 증착 툴(610)의 기여도를 개략적으로 보여주고 있다. 증착 툴(610)의 기여도는 에칭 가능한 층(725)의 두께에 기초한 수학적 모델에 따라 추정될 수 있다. 예를 들어, 도 7j에 나타나 있는 바와 같이, 수학적 모델은 수학적 모델에 기초하여 각 다이(792, 794, 796 등)의 패턴에 0.5㎚의 기여도를 가설적으로 부여할 수 있다.
도 7k는 최종적으로 에칭된 기판(785)의 핑거프린트에 대한 리소그래피 장치(630)의 기여도를 개략적으로 보여주고 있다. 리소그래피 장치의 기여도는 위에서 설명된 바와 같이 리소그래피 장치(630)와 관련된 하나 이상의 변수에 기초하여 추정될 수 있다. 예를 들어, 도 7k에 나타나 있는 바와 같이, 리소그래피 장치(630)는 다이(792, 794, 796 등) 내의 패턴들에 각각 1㎚, 0.5㎚, -3㎚ 등을 부여할 수 있다.
도 7l은 최종적으로 에칭된 기판(785)의 핑거프린트에 대한 에칭 툴(640)의 기여도를 개략적으로 보여주고 있다. 도 7l에 나타나 있는 바와 같이, 에칭 툴(640)의 기여도는 도 71에 나타나 있는 바와 같은 최종적으로 에칭된 기판(785)의 핑거프린트에서 도 7j에 나타나 있는 것과 같은 증착 툴(610)의 기여도와 도 7k에 나타나 있는 바와 같은 리소그래피 장치(630)의 기여도를 뺌으로써 유도될 수 있다. 구체적으로, 예를 들어, 에칭 툴(640)은 다이(792, 794, 796 등) 내의 패턴들에 각각 0.5㎚, 0㎚, 0.5㎚ 등을 부여할 수 있다.
실시예에서, 소프트웨어 애플리케이션(660)은 특성에 대한 에칭 툴(640)의 (선택적으로 허용 오차 범위 내에 있는) 결정된 기여도를 이용하여 수정 정보를 생성하도록 구성될 수 있다. 예를 들어, 소프트웨어 애플리케이션(660)은 에칭 툴(640)의 결정된 기여도가 에칭 툴(640) (또는 다른 공정 장치)의 (허용 오차 범위를 포함할 수 있는) 기여도에 대한 임계치를 충족하는지 또는 초과하는지 (예를 들어, 허용 오차 범위 내인지) 여부를 결정하도록 구성될 수 있다. 실시예에서, 소프트웨어 애플리케이션(660)은 임계치로부터 에칭 툴(640) (또는 다른 공정 장치)의 결정된 기여도의 편차 (예를 들어, 차이)를 결정한다. 예를 들어, 최종적으로 에칭된 기판(785) 상의 패턴의 특성 (예를 들어, 임계 치수 핑거프린트 등)에 대한 에칭 툴(640)의 기여도에 대한 임계치는, 가상적인 예에서, 0.2 ㎚로 설정될 수 있다. 최종적으로 에칭된 기판(785) 상의 패턴의 특성에 대한 에칭 툴(640)의 결정된 기여도가 0.5㎚이면, 편차는 소프트웨어 애플리케이션(660)에 의해 0.3㎚로 결정된다. 실시예에서, 소프트웨어 애플리케이션(660)은 특성에 대한 에칭 툴(640)의 결정된 기여도가 기판 전체에 걸쳐 임계치를 충족하는지 여부에 대한 공간 분포를 결정한다.
부가적으로 또는 대안적으로, 소프트웨어 애플리케이션(660)은 계측 장치(650)로부터 측정 데이터 (예를 들어, 최종적으로 에칭된 기판(785) 전체에 걸쳐 특성 및 특성의 공간 분포, 예를 들어 임계 치수, 임계 치수 균일성, 측면 벽면 각도, 특징부 높이, 최하부 표면 기울어짐, 패턴 시프트, 기하학적 비대칭성 등)를 직접 사용하여 수정 정보를 생성하도록 구성될 수 있다. 예를 들어, 소프트웨어 애플리케이션(660)은 계측 장치(650)에 의해 측정된 특성의 측정값이(허용 오차 범위를 포함할 수 있는) 특성의 목표값을 충족하는지 여부를 결정하도록 구성될 수 있다. 실시예에서, 소프트웨어 애플리케이션(660)은 계측 장치(650)에 의해 측정된 특성의 측정값과 적어도 하나의 특성의 목표값 사이의 편차 (예를 들어, 차이)를 결정한다. 실시예에서, 편차는 임계 치수 오차, 측면 벽면 각도 오차, 특징부 높이 오차, 최하부 표면 기울어짐 오차, 패턴 시프트 오차 등일 수 있다. 실시예에서, 소프트웨어 애플리케이션(660)은 계측 장치(650)에 의해 측정된 특성의 측정값이 최종적으로 에칭된 기판(785) 전체에 걸쳐 특성의 목표값을 충족하는지 여부에 대한 공간 분포를 결정한다.
에칭 툴(640) (또는 다른 공정 장치)의 결정된 기여도가 임계치를 충족하지 않거나 초과하지 않고 및/또는 계측 장치(650)에 의해 측정된 특성의 측정값이(허용 오차 범위를 포함할 수 있는) 특성의 목표값을 충족하지 않거나 초과하지 않는다는 결정에 반응하여 조치가 취해질 수 있다. 실시예에서, 소프트웨어 애플리케이션(660)은 그래픽 사용자 인터페이스(GUI) 상에 통지와 함께 정보를 디스플레이함으로써 이러한 결정을 사용자에게 알릴 수 있다.
실시예에서, 소프트웨어 애플리케이션(660)은 수정 정보를 생성하도록 구성되어 에칭 툴(640)의 하나 이상의 변수 (예를 들어, 하나 이상의 에칭 챔버(611, 612)의 에칭 속도, 에칭 유형 및/또는 작동 온도)를 수정하고, 예를 들어, 에칭 툴(640) (또는 다른 공정 장치)의 결정된 기여도와 임계치 사이의 편차 및/또는 계측 장치(650)에 의해 측정된 특성의 측정값과 특성의 목표값의 사이의 편차를 보정한다(예를 들어, 제거하거나 허용 오차 범위 내로 감소시킨다). 실시예에서, 수정은 공간적으로 특정적이거나 (예를 들어, 공간적으로 상이한 수정들을 적용) 패턴/기판 전체에 걸쳐 균일한 오프셋을 적용할 수 있다. 실시예에서, 수정 정보는 편차 (예를 들어, 차이)에 적어도 부분적으로 기초하여 에칭 툴(640)을 조정하는데 사용될 수 있다. 구체적으로, 수정 정보는 에칭 툴(640)의 하나 이상의 변수를 조정하도록 생성될 수 있다. 예를 들어, 수정 정보는 편차 또는 특성의 측정값의 공간 분포에 기초하여 공간적으로 하나 이상의 에칭 변수 (예를 들어, 에칭 속도, 에칭 유형, 작동 온도 등)를 수정하는데 사용될 수 있다.
실시예에서, 수정 정보는 하나 이상의 변수 (예를 들어, 에칭 속도, 에칭 유형, 작동 온도 등)를 조정하기 위해 사용되어 2개 이상의 에칭 툴(640)의 수행을 매칭시키고 및/또는 동일한 에칭 툴(640)의 상이한 에칭 챔버들을 매칭시키고 및/또는 상이한 에칭 툴(640)의 상이한 에칭 챔버들을 매칭시킬 수 있다. 따라서, 편차가 평가되는 목표값은 특성에 대한 다른 에칭 툴(640) 및/또는 에칭 챔버(641, 642)의 기여도이다. 예를 들어, 에칭된 기판(785)은 에칭 툴(640)의 제1 에칭 챔버(641)를 이용하여, 에칭 툴(640)의 제2 에칭 챔버(642)를 이용하여, 또는 양 챔버 모두를 이용하여 에칭 가능한 층(725)을 에칭함으로써 형성될 수 있다. 제1 에칭 챔버(641)와 제2 에칭 챔버(642) 간의 수행을 매칭하기 위하여, 소프트웨어 어플리케이션(660)은 에칭 툴(640)의 제1 에칭 챔버(641)에 의하여 처리된 제1 패턴의 특성에 대한 제1 에칭 챔버(641)의 제1 기여도와 에칭 툴(640)의 제2 에칭 챔버(642)에 의하여 처리된 제2 패턴의 동일 특성에 대한 제2 에칭 챔버(642)의 제2 기여도 간의 편차를 결정하도록 구성될 수 있다. 제1 기여도와 제2 기여도 간의 편차를 보정하기 위하여, 소프트웨어 애플리케이션(660)은 또한 제1 에칭 챔버(641)의 및/또는 제2 에칭 챔버(642)의 하나 이상의 에칭 변수 (예를 들어, 에칭 속도, 에칭 타입, 작동 온도 등)를 조정하기 위한 수정 정보를 생성하도록 구성될 수 있다. 따라서, 실시예에서, 수정 정보는 허용 오차 범위 내에서 (에칭 툴(640)의 제1 에칭 챔버(641)의) 제1 기여도를 (에칭 툴(640)의 제2 에칭 챔버(642)의) 제2 기여도와 매치시킬 수 있다. 이와 같이, 수정 후에, 에칭 툴(640)의 제1 에칭 챔버(641, 642)의 수행은 에칭 툴(640)의 제2 에칭 챔버(642)의 수행에 허용 오차 범위 내에서 매치될 수 있다.
설명이 에칭 툴을 모니터링 또는 평가하는 것에 초점이 맞춰져 있지만, 실시예에서, 공정 장치 베이스라이너 시스템(600)은 제2 트랙 (또는 현상 툴 또는 베이크 툴과 같은 그의 구성 요소), 증착 툴, 화학적 기계적 연마/평탄화(CMP) 툴, 또는 기판의 물리적 특성을 변화시키는 다른 비-리소그래피 공정 툴과 같은 다른 비-리소그래피 공정 장치를 모니터링하기 위하여 사용될 수 있다. 하나 이상의 이러한 툴의 경우에, 층(725)은 에칭 가능할 필요는 없으며, 물론 기판의 처리는 에칭 (예를 들어, 트랙의 현상 구성 요소 또는 베이크 구성 요소)을 포함시킬 필요는 없다.
따라서, 평가된 툴이 트랙일 때, 수정 정보는 베이크 툴의 베이크 온도 (예를 들어, 전체 변화 또는 공간적으로 분포된 변화)와 같은 하나 이상의 트랙 변수를 조정하기 위해 사용될 수 있다. 평가된 툴이 증착 툴일 때, 수정 정보는 하나 이상의 증착 변수 (예를 들어, 증착 속도의 전체 또는 공간적 변화, 증착의 공간적 변화량 등)를 조정하기 위해 사용될 수 있다. 평가된 툴이 CMP 툴일 때, 수정 정보는 하나 이상의 평탄화 변수 (예를 들어, 평탄화 속도의 전체 또는 공간적 변화, 평탄화의 공간적 변화량 등)를 조정하기 위해 사용될 수 있다.
실시예에서, 측정값 및/또는 수정 정보는 특정 장치에 특정적, 예를 들어 에칭 툴의 에칭 챔버에 특정적이고 복수의 에칭 툴 중에서 에칭 툴에 특정적일 수 있다. 따라서, 모니터링 및/또는 제어는 툴 및/또는 그의 부분에 특정적일 수 있다. 따라서, 예를 들어, 기능적 장치의 특정 패터닝 공정에서 어떤 툴 및/또는 그의 어떤 부분이 사용되고 있는지에 기초하여, 적절한 수정 정보가 패터닝 공정에서 하나 이상의 기판을 처리하는데 사용되고 있는 툴(들) 및/또는 그 부분(들)에 적용될 수 있다.
또한, 에칭 툴(640) (또는 위에서 설명된 바와 같은 비-리소그래픽 공정 툴, 예를 들어, 제2 트랙 구성 요소(625), 증착 툴, CMP 툴 등)에서의 편차는 다른 툴, 예를 들어 비-리소그래피 공정 툴(예를 들어, 증착 툴(610), 제1 트랙 구성 요소(620)) 또는 리소그래피 장치(630)에서 보정될 수 있으며, 그 반대도 마찬가지이다. 따라서 수정 정보는 평가되고 있는 툴에 대한 것이 아니어도 된다. 예를 들어, 리소그래피 장치(630)의 하나 이상의 리소그래피 변수는 조정될 수 있다. 실시예에서, 하나 이상의 리소그래피 변수는 선량 및/또는 초점을 포함하고 있다. 예로서, 예를 들어 광학 수차를 보정하거나 적용하기 위해 조정 메커니즘(AM)을 사용함으로써, 조명 세기 분포를 보정 또는 수정하기 위해 조절기(AD)를 사용함으로써, 패터닝 장치 지지 구조체(MT)의 위치를 보정 또는 수정하기 위해 패터닝 장치 지지 구조체(MT)의 포지셔너(PM)를 사용함으로써, 기판 테이블(WT)의 위치를 보정 또는 수정하기 위해 기판 테이블(WT)의 포지셔너(PW)를 사용함으로써, 수정 정보는 생성되어 리소그래피 장치의 하나 이상의 수정 장치를 조정할 수 있다.
따라서, 비-리소그래피 공정 툴의 평가의 예에서, 수정 정보가 생성되어 비-리소그래피 공정 툴 및/또는 비-리소그래피 공정 툴 상류 또는 하류의 하나 이상의 공정 장치의 하나 이상의 변수를 수정할 수 있다. 하나 이상의 공정 툴은, 예를 들어 증착 툴(610), 제1 트랙 구성 요소(620), 리소그래피 장치(630), 제2 트랙 구성 요소(625), 에칭 툴(640) 등을 포함할 수 있다.
실시예에서, 소프트웨어 애플리케이션(660)은 하나 이상의 수학적 모델을 이용하여 증착 툴(610), 제1 트랙 구성 요소(620), 리소그래피 장치(630), 제2 트랙 구성 요소(625), 에칭 툴(640), 및/또는 하나 이상의 다른 공정 장치, 예를 들어 화학적 기계적 평탄화 툴(미도시)에서 선택된 하나 이상에 의하여 보정 가능한 특성의 편차를 결정한다. 소프트웨어 애플리케이션(660)은 증착 툴(610), 제1 트랙 구성 요소(620), 리소그래피 장치(630), 제2 트랙 구성 요소(625), 에칭 툴(640) 및/또는 하나 이상의 다른 공정 장치에서 선택된 하나 이상의 툴의 구성이 편차를 보정하는 (예를 들어, 제거 또는 허용 오차 범위로 감소시키는) 것을 가능하게 하는 수정 정보를 제공하도록 구성될 수 있다. 실시예에서, 하나 이상의 수학적 모델은 매개 변수화되면 데이터에 적합한 한 세트의 기저 함수를 한정한다. 실시예에서, 모델은 증착 툴(610), 제1 트랙 구성 요소(620), 리소그래피 장치(630), 제2 트랙 구성 요소(625), 에칭 툴(640) 및/또는 하나 이상의 다른 공정 장치(예를 들어, 화학적 기계적 평탄화 툴)에서 선택된, 하나 이상의 장치에 대해 이루어질 수 있는 수정을 포함하고 있다. 소프트웨어 애플리케이션(660)은 보정 가능한 편차가 특정 범위 내에 있는지 여부를 결정할 수 있다. 즉, 하나 이상의 특정 처리 장치에 대해 이루어질 수 있는 수정의 범위는 적용 가능한 공정 툴의 하나 이상의 변수에 대하여 이루어질 수 있는 수정의 양에 관하여 상한값, 하한값 및/또는 상한값과 하한값 모두를 가질 수 있다.
예를 들어, 실시예에서, x 방향으로의 리소그래피 장치(630)의 보정 가능한 편차, 즉 좌표(x, y)에서의 Δx는 하기 식에 의하여 모델링될 수 있다.
Figure pat00001
여기서 k1은 (상수일 수 있는) 매개 변수이며 k3, k5, k7, k9, k11, k13, k15, k17 및 k19는 항 x, y, x2, xy, y2, x3, x2y, xy2 및 y3 각각에 대한 (상수일 수 있는) 매개 변수이다. k1, k3, k5, k7, k9, k11, k13, k15, k17 및 k19 중 하나 이상은 0일 수 있다.
이와 관련하여, 실시예에서, y 방향으로의 리소그래피 장치(630)의 보정 가능한 편차, 즉 좌표(x, y)에서의 Δy는 하기 식에 의하여 모델링될 수 있다:
Figure pat00002
여기서, k2는(상수일 수 있는) 매개 변수이며, k4, k6, k8, k10, k12, k14, k16, k18 및 k20는 항 y, x, y2, xy, x2, y3, y2x, yx2 및 x3 각각에 대한(상수일 수 있는) 매개 변수이다. k2, k4, k6, k8, k10, k12, k14, k16, k18 및 k20 중 하나 이상은 0일 수 있다.
실시예에서, 2개 이상의 공정 장치 (예를 들어, 증착 툴(610), 제1 트랙 구성 요소(620), 리소그래피 장치(630), 제2 트랙 구성 요소(625) 및/또는 에칭 툴(640)에서 선택된 2개 이상)에 의한 편차 보정의 공동 최적화(co-optimization)가 제공된다.
실시예에서, 공동 최적화는, 임계 치수 오류, 패턴 시프트 오류 등에 대해 개별적으로 또는 조합된 기준으로 수행되는 것과 같이, 편차의 상이한 유형에 대해 개별적으로 또는 조합된 기준으로 수행된다. 실시예에서, 증착 툴(610), 제1 트랙 구성 요소(620), 리소그래피 장치(630), 제2 트랙 구성 요소(625) 및/또는 에칭 툴(640)은 특정 유형의 오류를 더 양호하게 보정할 수 있으며, 따라서 편차 보정은 2개 이상의 선택된 공정 툴의 적절한 상이한 변수 사이에서 적절하게 가중되거나 할당된다.
실시예에서, 소프트웨어 애플리케이션(650)은 기판(750, 760)에 적용하기 위한 그리고 공정 장치 베이스라이너 시스템으로 측정하기 위한 하나 이상의 패턴 타겟을 식별하도록 구성되고 하나 이상의 타겟에 대한 계측 레시피(metrology recipe)를 개발하도록 구성된다. 이 문맥에서의 계측 레시피는, 측정 빔의 하나 이상의 파장, 측정 빔의 하나 이상의 유형의 편광, 측정 빔의 하나 이상의 선량 값, 측정 빔의 하나 이상의 레이저 대역폭, 측정 빔과 함께 사용되는 검사 장치의 하나 이상의 개구 설정, 타겟 상에 측정 빔을 위치시키는데 사용되는 정렬 마크, 사용된 정렬 기법(scheme), 다수의 타겟의 샘플링 기법, 타겟의 레이아웃, 타겟을 측정하기 위한 이동 기법 및/또는 타겟의 관심 대상 지점 등과 같은, 하나 이상의 계측 타겟을 측정하는데 사용되는 계측 장치(640) 그 자체 및/또는 측정 공정과 관련된 하나 이상의 변수 (및 하나 이상의 관련된 값)이다.
실시예에서, 하나 이상의 타겟은 패터닝 공정을 위하여 설계되고 적합할 수 있다. 예를 들어, 다수의 타겟 설계는 잔류 변화 (체계적인 및/또는 무작위의)를 최소화하는 하나 이상의 타겟을 식별하도록 평가될 수 있다. 실시예에서, 다수의 타겟 설계가 평가되어 수행이 기능적 장치와 매치되는 하나 이상의 타겟을 식별, 예를 들어 임계 치수, 패턴 시프트 등의 측정이 장치의 임계 치수, 패턴 시프트 등과 매치되는 타겟을 식별할 수 있다. 타겟은, 예를 들어 타겟 내의 임계 치수(CD), 패턴 시프트, 측면 벽면 각도, 특징부 높이, 최하부 표면 기울어짐, 기하학적 비대칭성 등, 또는 이들로부터 선택된 임의의 조합의 측정을 위하여 설계될 수 있다.
도 8을 참조하면, 피드-포워드 방법의 예시적인 흐름이 도시되어 있다. 피드-포워드 방법은 기판의 특성에 대한 하나 이상의 제2 공정 장치의 상류 또는 하류에 있는 하나 이상의 제1 공정 장치의 하나 이상의 기여도에 기초하여 하나 이상의 제2 공정 장치의 하나 이상의 변수를 조정하기 위하여 사용될 수 있다. 단계 810에서, 최종적으로 에칭된 기판 (예를 들어, 최종적으로 에칭된 기판(785))의 특성에 대한 하나 이상의 제1 공정 장치의 하나 이상의 기여도는 이전에 설명된 바와 같이 소프트웨어 애플리케이션(660)에 의해 추정되며, 여기서 하나 이상의 제2 공정 장치는 적용 가능한 하나 이상의 제1 공정 장치 상류 또는 하류에 있다. 실시예에서, 에칭 툴(640)과 같은 하나 이상의 제1 공정 장치 중 적어도 하나는 리소그래피 장치 (예를 들어, 리소그래피 장치(630)) 하류에 있다. 실시예에서, 하나 이상의 제2 공정 장치 중 적어도 하나는 리소그래피 장치(630)이다. 실시예에서, 최종적으로 에칭된 기판 (예를 들어, 최종적으로 에칭된 기판(785))의 특성에 대한 하나 이상의 제1 공정 장치의 하나 이상의 기여도는 이전에 설명된 바와 같이, 하나 이상의 제1 공정 장치에 의한 처리 후의 측정을 이용하여 소프트웨어 애플리케이션(660)에 의하여 결정되며, 여기서 하나 이상의 제2 공정 장치는 적용 가능한 하나 이상의 제1 공정 장치 하류에 있다. 실시예에서, 하나 이상의 제1 공정 장치 중 적어도 하나는 리소그래피 장치 (예를 들어, 리소그래피 장치(630))의 상류에 있다. 예를 들어, 하나 이상의 제1 공정 장치는 증착 툴 (예를 들어, 증착 툴(610)) 및/또는 트랙의 레지스트 코팅 구성 요소 (예를 들어, 제1 트랙 구성 요소(620))를 포함할 수 있다. 실시예에서, 하나 이상의 제2 공정 장치 중 적어도 하나는 리소그래피 장치(630) 및/또는 에칭 툴(640)이다.
단계 820에서, 하나 이상의 제2 공정 장치에 관한 정보가 생성되며 추정된 그렇지 않으면 결정된 하나 이상의 기여도에 적어도 부분적으로 기초하여 하드웨어 컴퓨터 시스템 (예를 들어, 소프트웨어 애플리케이션(660))에 의하여 출력된다. 실시예에서, 하나 이상의 제2 공정 장치는, 적절하게, 이상의 증착 툴 (예를 들어, 증착 툴(610)), 트랙의 레지스트 코팅 구성 요소 (예를 들어, 제1 트랙 구성 요소(620)), 리소그래피 장치 (예를 들어, 리소그래피 장치(630)), 트랙의 현상 구성 요소 (예를 들어, 제2 트랙 구성 요소(6125)), 트랙의 베이크 플레이트 구성 요소 (예를 들어, 제2 트랙 구성 요소(625)) 및/또는 에칭 툴 (예를 들어, 에칭 툴(640))로부터의 하나 이상일 수 있다. 실시예에서, 하나 이상의 제2 공정 장치에 관한 정보는 제2 공정 장치 중 적어도 하나를 조정하는데 사용될 수 있는 수정 정보이다. 실시예에서, 수정 정보는 하나 이상의 제2 공정 장치의 하나 이상의 변수를 조정하도록 생성될 수 있다. 예를 들어, 하나 이상의 제2 공정 장치의 하나 이상의 변수는 리소그래피 장치 (예를 들어, 리소그래피 장치(630))의 선량 및/또는 초점, 및/또는 에칭 툴 (예를 들어, 에칭 툴(640))의 에칭 속도, 에칭 유형 및/또는 작동 온도를 포함할 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.
예를 들어, 하나 이상의 제1 공정 장치는 증착 툴 (예를 들어, 증착 툴(610))을 포함할 수 있다. 따라서, 예를 들어 에칭된 기판 (예를 들어, 최종적으로 에칭된 기판(785))의 특성에 대한 증착 툴(610)의 기여도는, 예를 들어 증착 툴(610)에 의하여 도포된 에칭 가능한 층 (예를 들어, 에칭 가능한 층(725))의 두께에 기초하여 단계 810에서 추정된다. 실시예에서, 제2 공정 장치는 리소그래피 장치 (예를 들어, 리소그래피 장치(630)) 및/또는 에칭 툴 (예를 들어, 에칭 툴(640))을 포함할 수 있다. 따라서, 수정 정보는 증착 툴의 결정된 기여도에 기초하여 에칭 툴의 하나 이상의 변수를 조정하고 및/또는 리소그래피 장치의 하나 이상의 변수를 조정하기 위하여 단계 820에서 생성될 수 있다. 구체적으로, 에칭 툴의 하나 이상의 변수는 에칭 툴의 에칭 속도, 에칭 툴의 에칭 유형 및/또는 에칭 툴의 작동 온도를 포함할 수 있다. 리소그래피 장치의 하나 이상의 변수는 리소그래피 장치의 선량 및/또는 초점을 포함할 수 있다.
다른 예에서, 하나 이상의 제1 공정 장치는 증착 툴 (예를 들어, 증착 툴(610)) 및 리소그래피 장치 (예를 들어, 리소그래피 장치(630))를 포함할 수 있다. 예를 들어 에칭된 기판 (예를 들어, 최종적으로 에칭된 기판(785))의 특성에 대한 증착 툴의 기여도와 리소그래피 장치의 기여도는 단계 810에서 각각 추정된다. 제2 공정 장치는 에칭 툴일 수 있다. 따라서, 리소그래피 장치와 증착 툴의 총 기여도가 임계치를 충족하거나 초과하는 경우 (예를 들어, 임계 범위 내에 있는 경우), 증착 툴과 리소그래피 장치의 결정된 기여도에 기초하여 에칭 툴의 하나 이상의 변수를 조정하기 위한 수정 정보가 단계 820에서 생성될 수 있다. 구체적으로, 에칭 툴의 하나 이상의 변수는 에칭 툴의 에칭 속도, 에칭 툴의 에칭 유형 또는 에칭 툴의 작동 온도를 포함할 수 있다. 실시예에서, 핑거프린트에 대한 증착 툴과 리소그래피 장치의 총 기여도가 너무 큰 경우, 예를 들어, 에칭 툴에 의한 기여도에 비추어 고려할 때 임계 범위를 벗어나는 경우, 증착 툴과 리소그래피 장치에 의하여 처리된 기판 (예를 들어, 패터닝된 기판(750))은 에칭 툴에 의해 처리되기보다는 재작업될 수 있다.
다른 예에서, 하나 이상의 제1 공정 장치는 에칭 툴 (예를 들어, 에칭 툴(640))을 포함할 수 있다. 예를 들어 에칭된 기판 (예를 들어, 최종적으로 에칭된 기판(785))의 특성에 대한 에칭 툴의 기여도는 단계 810에서 (예를 들어, 앞서 처리된 기판을 사용하여 결정된 모델로부터) 추정된다. 제2 공정 장치는 리소그래피 툴일 수 있다. 따라서, 에칭 툴의 기여도가 임계치를 초과하거나 충족하는 경우 (예를 들어, 임계 범위 내에 있는 경우), 수정 정보는 에칭 툴의 추정된 기여도에 기초하여 리소그래피 툴의 하나 이상의 변수를 조정하기 위하여 단계 820에서 생성될 수 있다. 구체적으로, 리소그래피 장치의 하나 이상의 변수는 선량 및/또는 초점을 포함할 수 있다. 실시예에서, 핑거프린트에 대한 에칭 툴의 기여도가 너무 큰 경우, 예를 들어, 증착 툴 및/또는 리소그래피 툴에 의한 기여도에 비추어 고려될 때 임계 범위를 벗어나는 경우, 증착 툴에 의하여 처리된 기판 (예를 들어, 패터닝된 기판(750))은 리소그래피 툴에 의해 처리되기보다는 재작업될 수 있다.
도 9를 참조하면, 기판의 특성에 대한 리소그래피 후 공정 장치 (예를 들어, 에칭 툴)의 기여도를 결정하는 방법의 예시적인 흐름이 도시되어 있다. 나타난 바와 같이, 기판의 특성에 대한 리소그래피 전 공정 장치의 기여도(915)와 리소그래피 장치 (예를 들어, 리소그래피 장치(630))의 기여도(925)가 얻어지고 930에서 조합된다. 요소 930 (및 도면 내의 다른 유사한 요소)는 더하기 부호를 보여주고 있지만, 연산은 덧셈일 필요는 없으며, 예를 들어, 곱셈, 컨볼루션(convolution) 등일 수 있다. 또한, 리소그래피 후 공정 장치의 기여도(950)는 리소그래피 전 공정 장치(915)와 리소그래피 장치(925)의 조합된 기여도(930)를 최종적으로 에칭된 기판(785)의 특성(940)으로부터 제거함으로써 결정될 수 있다. 특성 940 (및 도면 내의 다른 유사한 요소)의 제거가 음의 부호를 보여주고 있지만, 연산은 덧셈일 필요는 없으며, 예를 들어, 나누기, 디컨볼루션(deconvolution) 등일 수 있다. 최종적으로 에칭된 기판(785)의 특성(940)의 값은 계측 장치 (예를 들어, 계측 장치(650))에 의해 측정된다. 따라서, 다시 말해서, 최종적으로 에칭된 기판(785)의 특성에 대한 리소그래피 후 공정 장치의 기여도(950)는 (예를 들어, 차감, 디콘볼루션 등을 통하여) 리소그래피 전 공정 장치와 리소그래피 공정 장치의 기여도(915 및 925)를 각각 제거함으로써 유도될 수 있다.
위에서 설명된 바와 같이, 증착 툴의 기여도(915)는 증착 툴 (예를 들어, 증착 툴(610))에 의해 형성된 에칭 가능한 층의 두께(910)로부터 유도될 수 있다. 리소그래피 장치의 기여도(925)는 리소그래피 장치와 관련된 하나 이상의 변수(920)의 그룹으로부터 유도될 수 있다.
실시예에서, 리소그래피 후 공정 장치는 트랙의 현상 구성 요소 (예를 들어, 제2 트랙 구성 요소(625)), 트랙의 베이크 플레이트 구성 요소 (예를 들어, 제2 트랙 구성 요소(625)), 및/또는 에칭 툴 (예를 들어, 에칭 툴(640))을 포함할 수 있다. 리소그래피 전 공정 장치(915)는 증착 툴 (예를 들어, 증착 툴(610)) 및/또는 트랙의 레지스트 코팅 구성 요소 (예를 들어, 제1 트랙 구성 요소(620))를 포함할 수 있다. 위에서 설명된 바와 같이, 증착 툴(610)의 기여도와 리소그래피 장치(630)의 기여도와 비교하여, 트랙 (예를 들어, 제1 트랙 구성 요소(620) 및/또는 제2 트랙 구성 요소(625))의 기여도는 작을 수 있거나, 심지어 무시할 수 있다. 따라서 실시예에서, 리소그래피 전 장치의 기여도(915)는 증착 툴 (예를 들어, 증착 툴(610))의 기여도만을 나타낼 수 있으며, 리소그래피 후 장치의 기여도(950)는 에칭 툴 (예를 들어, 에칭 툴(640))만을 나타낼 수 있다.
도 10을 참조하면, 기판 상의 결함 또는 다른 오류를 예측하고 하나 이상의 공정 장치의 하나 이상의 변수를 조정하는 방법의 예시적인 흐름이 도시되어 있다. 나타나 있는 바와 같이, 하나 이상의 공정 장치에 의해 처리된 기판에 부여될 하나 이상의 특성(1030)은 하나 이상의 공정 장치에 특정적인 하나 이상의 기여도 (예를 들어, 제1 기여도(1015), 제2 기여도(1025) 및 제3 기여도(950))를 결함 또는 다른 오류를 예측하는데 사용되는 하나 이상의 특성(1030)을 얻기 위해 처리되는 기판에 특정적인 제4 기여도(1035)와 조합함으로써 추정된다. 실시예에서, 하나 이상의 공정 장치 중 적어도 하나는 리소그래피 장치 (즉, 리소그래피 전 공정 장치) 상류에 있다.
실시예에서, 하나 이상의 공정 장치는 증착 툴 (예를 들어, 증착 툴(610)), 리소그래피 장치 (예를 들어, 리소그래피 장치(630)) 및 에칭 툴 (예를 들어, 에칭 툴(640))을 포함할 수 있다. 따라서, 제1 기여도(1015)는 증착 툴 (예를 들어, 증착 툴(610))의 기여도일 수 있으며, 제2 기여도(1025)는 리소그래피 장치 (예를 들어, 리소그래피 장치(630))의 기여도일 수 있고, 제3 기여도(950)는 에칭 툴 (예를 들어, 에칭 툴(640))의 기여도일 수 있다. 실시예에서, 하나 이상의 공정 장치는 하나 이상의 트랙 (예를 들어, 제1 트랙 구성 요소(620) 및/또는 제2 트랙 구성 요소(625))를 더 포함할 수 있다. 따라서, 하나 이상의 기여도는 제1 트랙 구성 요소(620)의 기여도 및/또는 제2 트랙 구성 요소(625)의 기여도를 포함할 수 있다. 그러나, 위에서 설명된 바와 같이, 증착 툴의 제1 기여도(1015), 리소그래피 장치의 제2 기여도(1025) 및 에칭 툴의 제3 기여도(950)와 비교하여 제1 트랙 구성 요소(620)의 기여도 및/또는 제2 트랙 구성 요소(625)의 기여도는 작을 수 있고 또는 심지어 무시될 수 있다. 따라서, 실시예에서, 제1 트랙 구성 요소(620)의 기여도 및/또는 제2 트랙 구성 요소(625)의 기여도는 무시될 수 있다.
이전에 언급된 바와 같이, 증착 툴 (예를 들어, 증착 툴(610))의 제1 기여도(1015)는 증착 툴 (예를 들어, 증착 툴(610))에 의하여 기판에 형성된 에칭 가능한 층의 변수(1010; 예를 들어 두께)로부터 유도될 수 있다. 실시예에서, 제1 기여도(1015)는 특정 기판에 특정적이지 않다 (따라서 패터닝 공정의 기판 전체에 걸쳐 사용될 수 있다). 실시예에서, 제1 기여도(1015)는 증착을 수행하는데 사용되는 증착 툴 (예를 들어, 증착 챔버(610))의 증착 챔버 (예를 들어, 증착 챔버(611) 또는 증착 챔버(612))에 특정적이다. 따라서, 실시예에서, 핑거프린트(1030)에 대한 증착 툴의 제1 기여도(1015)는 미리 특징지어질 수 있으며 데이터베이스 (예를 들어, 데이터베이스(670))로부터 얻어질 수 있고, 더욱이 증착 공정에서 사용되는 증착 툴 (예를 들어, 증착 툴(610))의 증착 챔버 (예를 들어, 증착 챔버(611) 또는 증착 챔버(612)에 관련하여 얻어질 수 있다.
리소그래피 장치 (예를 들어, 리소그래피 장치(630))의 제2 기여도(1025)는 리소그래피 장치와 관련된 하나 이상의 변수(1020)의 그룹으로부터 유도될 수 있다. 실시예에서, 리소그래피 장치 (예를 들어, 리소그래피 장치(630))와 관련된 하나 이상의 변수(1020)의 그룹은 기판에 비특정적인 하나 이상의 제1 변수를 포함할 수 있다. 따라서, 리소그래피 장치 (예를 들어, 리소그래피 장치(630))의 제2 기여도(1025)의 적어도 일부분은 특정 기판에 비특정적인 (따라서 패터닝 공정의 기판 전체에 걸쳐 사용될 수 있는) 하나 이상의 제1 변수로부터 유도될 수 있다. 따라서, 제2 기여도(1025)의 적어도 일부분은 미리 특징지어질 수 있고 데이터베이스 (예를 들어, 데이터베이스(670))로부터 얻어질 수 있다. 실시예에서, 하나 이상의 제1 변수는 리소그래피 장치에 의한 조명의 하나 이상의 변수, 리소그래피 장치의 투영 시스템의 하나 이상의 변수, 초점, 선량, 오버레이, 레이저 대역폭, 노광 지속 시간, 광학 수차, 고주파 레이저 대역폭 변화 및/또는 고주파 레이저 파장 변화 중 하나 이상을 포함할 수 있으나, 이에 제한되지는 않는다.
실시예에서, 에칭 툴 (예를 들어, 에칭 툴 (640))의 제3 기여도(950)는 도 9에서 설명된 바와 같은 공정에 의해 얻어질 수 있다. 에칭 툴의 제3 기여도(950)는 앞서 설명된 바와 같은 공정에 의하여 미리 특징지어질 수 있고 데이터베이스 (예를 들어, 데이터베이스(670))로부터 얻어질 수 있으며, 더욱이 에칭 툴의 제3 기여도(950)가 에칭 툴의 에칭 챔버에 특정적일 수 있고 특정 기판에 비특정적 (따라서 패터닝 공정의 기판 전체에 걸쳐 사용될 수 있다)일 수 있기 때문에 에칭을 위하여 사용된 에칭 툴 (예를 들어, 에칭 툴(640))의 에칭 챔버 (예를 들어, 에칭 챔버(641)와 에칭 챔버(642)와 관련하여 특정적일 수 있다.
실시예에서, 하나 이상의 공정 장치의 제4 기여도(1035)는 결함 또는 다른 오류 예측이 수행되는 하나 이상의 기판에 특정적이다. 실시예에서, 제4 기여도(1035)는 리소그래피 장치에 관련되고 예측이 수행되는 하나 이상의 특정 기판에 특정적인 하나 이상의 변수이다. 예를 들어, 기판에 특정적인 리소그래피 장치의 하나 이상의 변수는 리소그래피 장치의 기판 스테이지의 이동의 이동 표준 편차(MSD), 리소그래피 장치의 기판 스테이지의 이동의 이동 평균(MA) 및/또는 초점 중 하나 이상을 포함할 수 있으나, 이에 제한되지는 않는다. 실시예에서, 제4 기여도(1035)는 증착 툴에 관련되고 예측이 수행되는 하나 이상의 특정 기판에 특정적인 하나 이상의 변수이다. 예를 들어, 증착 툴의 하나 이상의 변수는 두께일 수 있다.
절차 1040에서, 고려 중인 하나 이상의 특정 기판에 대한 특성 (또는 특성들)(1030)의 하나 이상의 값이 임계치를 초과하는지 또는 충족하는지 여부가 결정된다. 그렇지 않은 경우, 절차 1050에서 결함 또는 다른 오류가 하나 이상의 기판 상에 생성될 것으로 예측되지 않는다. 본 방법은 그후 절차 1070에서 종료된다. 그렇지 않으면, 절차 1060에서 결함 또는 다른 오류가 하나 이상의 기판 상에 생성될 것으로 예측된다. 절차 1065에서 몇 가지 선택이 가능하다. 예를 들어, 하나 이상의 기판이 계속해서 처리되고 있는 경우, 신호가 제공되어 결함 또는 다른 오류가 예측되는 하나 이상의 기판을 폐기될 수 있고, 하나 이상의 기판을 재작업할 수 있다. 부가적으로 또는 대안적으로, 수정 정보(1065)가 생성되어 추정된 특성에 기초하여 하나 이상의 공정 장치 중 하나 이상을 조정할 수 있다. 예를 들어, 하나 이상의 기판이 계속해서 처리되고 있는 경우, 제4 기여도(1035)가 예를 들어 리소그래피 장치와 관련되는 리소그래피 후 장치에 대한 수정 정보가 생성될 수 있다. 다른 예로서, 수정 정보는 후속 기판의 처리를 위해 생성되어 잠재적인 결함 또는 다른 오류를 교정할 수 있다. 실시예에서, 수정 정보(1065)가 생성되어 하나 이상의 공정 장치의 하나 이상의 변수를 조정할 수 있다. 예를 들어, 하나 이상의 변수는 증착 툴의 증착 속도 및/또는 증착 툴의 작동 지속 시간과 같은 증착 툴 (예를 들어, 증착 툴(610))의 하나 이상의 증착 변수를 포함할 수 있다. 예를 들어, 하나 이상의 변수는 리소그래피 장치 (예를 들어, 리소그래피 장치(630))의 선량 및/또는 초점과 같은 리소그래피 장치 (예를 들어, 리소그래피 장치(630))의 하나 이상의 리소그래피 변수를 포함할 수 있다. 다른 예로서, 하나 이상의 변수는 에칭 툴의 에칭 속도, 에칭 툴의 에칭 유형 및/또는 에칭 툴의 작동 온도와 같은 에칭 툴 (예를 들어, 에칭 툴(640))의 하나 이상의 에칭 변수를 포함할 수 있다. 본 방법은 그후 절차 1070에서 종료된다.
도 11을 참조하면, 기판 상의 결함 또는 다른 오류를 예측하는 방법의 예시적인 흐름이 도시되어 있다. 나타나 있는 바와 같이, 하나 이상의 공정 장치에 의하여 처리될 하나 이상의 기판에 부여될 특성은 특성(1130)에 대한 하나 이상의 공정 장치의 하나 이상의 공정 변수의 제1 그룹(1105)의 제1 기여도(1110)와 특성(1130)에 대한 하나 이상의 공정 장치의 하나 이상의 공정 변수의 제2 그룹(1120)의 제2 기여도(11250)를 조합함으로써 추정된다. 구체적으로, 하나 이상의 공정 변수의 제1 그룹(1105)의 제1 기여도(1110)는 결함 또는 다른 오류가 예측되는 하나 이상의 기판에 대해 비특정적일 수 있다. 따라서, 제1 기여도(1110)는 하나 이상의 공정 변수의 제1 그룹에 기초하여 미리 특징지어질 수 있으며 데이터베이스 (예를 들어, 데이터베이스(670))로부터 얻어질 수 있다. 위에서 논의된 것과 유사하게, 기여도(1110)는 소정의 하나 이상의 공정 장치 및/또는 그의 구성 요소 (예를 들어, 에칭 챔버)에 특정적일 수 있다.
하나 이상의 공정 변수의 제1 그룹(1105)은 증착 툴의 증착 속도 및/또는 증착 툴의 작동 지속 시간과 같은 증착 툴의 하나 이상의 증착 변수를 포함할 수 있다. 　또한, 하나 이상의 공정 변수의 제1 그룹(1105)은 기판에 비특정적인 리소그래피 장치와 관련된 하나 이상의 변수를 포함할 수 있다. 예를 들어, 하나 이상의 변수는 리소그래피 장치에 의한 조명의 이상의 변수, 리소그래피 장치의 투영 시스템의 하나 이상의 변수, 초점, 선량, 오버레이, 레이저 대역폭, 노광 지속 시간, 광학 수차, 고주파 레이저 대역폭 변화 및/또는 고주파 레이저 파장 변화 중 하나 이상을 포함할 수 있으나, 이에 제한되지 않는다. 또한, 하나 이상의 공정 변수의 제1 그룹(1105)은, 에칭 툴 (구체적으로, 에칭 툴의 에칭 챔버)의 에칭 속도, 에칭 툴 (구체적으로, 에칭 툴의 에칭 챔버)의 에칭 유형 및/또는 에칭 툴 (구체적으로, 에칭 툴의 에칭 챔버)의 작동 온도와 같은, 에칭 툴 (예를 들어, 에칭 툴(640))의 하나 이상의 에칭 변수를 포함할 수 있다.
실시예에서, 하나 이상의 공정 장치의 하나 이상의 공정 변수의 제2 그룹 (1120)은 고려 중인 하나 이상의 특정 기판에 특정적인 리소그래피 장치와 관련된 하나 이상의 변수들을 포함할 수 있다. 예를 들어, 하나 이상의 변수는 리소그래피 장치의 기판 스테이지의 이동의 이동 표준 편차(MSD), 리소그래피 장치의 기판 스테이지의 이동의 이동 평균(MA) 및/또는 초점 중 하나 이상을 포함할 수 있으나, 이에 제한되지 않는다. 실시예에서, 하나 이상의 공정 장치의 하나 이상의 공정 변수의 제2 그룹(1120)은 고려 중인 하나 이상의 특정 기판에 특정적인 증착 툴과 관련된 하나 이상의 변수를 포함할 수 있다. 예를 들어, 하나 이상의 변수는 두께를 포함할 수 있다.
1140에서, 추정된 특성(특성들)(1130)이 임계치를 초과하는지 또는 충족하는지 여부가 결정된다. 그렇다면, 1150에서 결함 또는 오류가 기판 상에 생성되지 않은 것으로 예측된다. 본 방법은 그후 1170에서 종료된다. 그렇지 않으면, 1160에서 결함 또는 다른 오류가 기판 상에 생성될 것으로 예측된다. 도 10에 대하여 위에서 설명된 것과 유사한 단계가 제공될 수 있다. 예를 들어, 수정 정보(1165)가 생성되어 추정된 특성(1130)에 기초하여 제1 그룹 및/또는 제2 그룹으로부터의 하나 이상의 공정 변수를 조정할 수 있다. 본 방법은 그후 1170에서 종료된다.
도 12는 본 발명의 실시예에 따른, 에칭된 기판의 임계 치수 균일성에 관하여 제1 기여도(1110)를 결정하는 방법의 예시적인 도면을 도시하고 있다. 나타나 있는 바와 같이, 에칭된 기판 (예를 들어, 최종적으로 에칭된 기판(785))의 임계 치수 균일성에 대한 기여도(1110)는 에칭된 기판(1220)의 측정된 임계 치수 균일성으로부터 에칭된 기판의 임계 치수 균일성에 대한 리소그래피 장치 (예를 들어, 리소그래피 장치(630))의 기여도(1260)와 에칭된 기판의 임계 치수 균일성에 대한 증착 툴 (예를 들어, 증착 툴(610))의 기여도(1250)를 제거함으로써 얻어질 수 있다. 인식될 바와 같이, 기여도(1110)는 다수의 기판을 평가함으로써 결정될 수 있다.
위에서 언급된 바와 같이, 실시예에서, 증착 툴의 기여도(1250)는 증착 툴에 의하여 기판 상에 증착된 증착 층의 두께에 기초할 수 있다. 실시예에서, 증착 툴의 기여도(1250)는 미리 특징지어질 수 있으며, 데이터베이스 (예를 들어, 데이터베이스(670))로부터 얻어질 수 있고, 또한 증착을 위하여 사용된 증착 툴 (예를 들어, 증착 툴(610))의 증착 챔버 (예를 들어, 증착 챔버(611) 또는 증착 챔버(612))에 특정적일 수 있다. 위에서 설명된 바와 같이, 실시예에서, 기여도(1250)는 에칭된 기판(1220)의 측정된 임계 치수 균일성과 관련된 증착을 위한 특정 조건 (예를 들어, 증착 툴의 설정 매개 변수 및/또는 증착 툴에 의해 측정되거나 그렇지않으면 제공된 데이터)을 이용한 수학적 모델링에 의하여 결정될 수 있다.
실시예에서, 리소그래피 장치의 기여도(1260)는 리소그래피 장치와 관련된 변수의 그룹으로부터 유도될 수 있다. 예를 들어, 리소그래피 장치와 관련된 변수의 그룹은 초점 및 기판의 수직(normal) 방향으로의 기판의 이동의 이동 표준 편차를 포함할 수 있다. 따라서, 리소그래피 장치의 기여도(1260)는 리소그래피 장치의 초점으로부터 유도된 에칭된 기판의 임계 치수 균일성에 대한 제1 기여도(1230) 및 기판의 수직 방향으로의 기판의 이동의 이동 표준 편차로부터 유도된 에칭된 기판의 임계 치수 균일성에 대한 제2 기여도(1240)를 포함할 수 있다. 실시예에서, 리소그래피 장치와 관련된 변수의 그룹은 하나 이상의 다른 또는 부가적인 변수를 포함할 수 있다. 위에서 설명된 바와 같이, 실시예에서, 기여도(1260)는 에칭된 기판(1220)의 측정된 임계 치수 균일성과 관련된 리소그래피 장치에 의한 패턴 전사를 위한 특정 조건 (예를 들어, 리소그래피 장치의 설정 매개 변수 및/또는 리소그래피 장치에 의해 측정되거나 그렇지않으면 제공된 데이터)을 이용한 수학적 모델링에 의하여 결정될 수 있다.
따라서, 기여도(1110)는 하나 이상의 공정 장치의 기여도(1210)의 함수(F)에 의해 얻어질 수 있다. 실시예에서, 기여도(1110)는 하나 이상의 공정 장치 (예를 들어, 증착 툴, 리소그래피 장치 및/또는 에칭 툴)의 핑거프린트일 수 있거나 핑거프린트와 관련될 수 있다. 실시예에서, 함수(F)는 (예를 들어, 수학적 모델, 예를 들어 위에서 언급된 수학식 (1) 또는 (2)와 유사한 수학적 모델을 사용하는 것이 적합한) 다수의 기판에 대한 데이터를 사용하는 기여도(1210)의 전체적인 적합 함수일 수 있다. 실시예에서, 기여도(1110)는 에칭된 기판의 임계 치수 균일성(1220)에 대하여 하나 이상의 공정 장치의 보정할 수 없는 편차 또는 오류를 나타낼 수 있다. 실시예에서, 기여도(1110)는 데이터베이스 (예를 들어, 데이터베이스(670))에 저장될 수 있다. 일부 예에서, 기여도(1110) (또는 다른 기여도)는 에칭된 기판 (예를 들어, 최종적으로 에칭된 기판(785)) 전체에 걸친 하나 이상의 패턴의 평균 임계 치수 값의 백분율로 변환될 수 있으며 그후 데이터베이스 (예를 들어, 데이터베이스(670))에 저장될 수 있다.
도 13은 본 발명의 실시예에 따른, 하나 이상의 기판 상의 결함 또는 다른 오류를 예측하는 방법의 예시적인 도면을 도시하고 있다. 나타나 있는 바와 같이, 에칭된 기판 (예를 들어, 최종적으로 에칭된 기판(785)) 상의 핫 스폿의 예측된 임계 치수 균일성(1310)은 임계 치수 균일성에 대한 하나 이상의 공정 장치의 (예를 들어, 핑거프린트 형태의 기여도(1110)와 같은) 기여도(1320), 하나 이상의 기판에 적용 가능한 측정된 및/또는 툴 데이터에 기초한 임계 치수 균일성에 대한 리소그래피 장치의 기여도(1360) 및 하나 이상의 기판에 적용 가능한 측정된 및/또는 툴 데이터에 기초한 임계 치수 균일성에 대한 증착 툴의 기여도(1350)를 조합함으로써 추정된다.
실시예에서, 임계 치수 균일성에 대한 증착 툴 (예를 들어, 증착 툴(610))의 기여도(1350)는 고려 중인 하나 이상의 기판 상에 증착 툴에 의해 도포된 에칭 가능한 층 (예를 들어, 증착 층)의 두께에 기초하여 특징지어질 수 있다. 실시예에서, 증착 툴의 기여도(1350)는 증착 툴 및/또는 챔버를 위한 수학적 모델을 이용하여 결정될 수 있다. 실시예에서, 증착 툴의 기여도(1350)는 하나 이상의 기판에 적용 가능한 측정된 데이터 (예를 들어, 측정된 두께) 및/또는 툴 데이터 (예를 들어, 설정 매개 변수, 툴 동작 신호 등)에 기초하여 결정된다.
실시예에서, 리소그래피 장치의 기여도(1360)는 리소그래피 장치와 관련된 변수의 그룹으로부터 유도될 수 있다. 예를 들어, 리소그래피 장치와 관련된 변수의 그룹은 초점 및 기판의 수직 방향으로의 기판의 이동의 이동 표준 편차 (비록 이것이 추가의 또는 상이한 변수일 수 있지만)를 포함할 수 있다. 따라서, 리소그래피 장치의 기여도(1360)는 리소그래피 장치의 초점(1370)으로부터 유도된 에칭된 기판의 임계 치수 균일성에 대한 제1 기여도(1330) 및 기판의 수직 방향으로의 기판의 이동의 이동 표준 편차로부터 유도된 에칭된 기판의 임계 치수 균일성에 대한 제2 기여도(1340)를 포함할 수 있다. 구체적으로, 리소그래피 장치의 초점(1370)은 고려 중인 하나 이상의 기판에 비특정적인 하나 이상의 제1 초점 성분(1380)과 고려중인 하나 이상의 기판에 특정적인 하나 이상의 제2 초점 성분(1390)을 조합함으로써 모델링될 수 있다. 실시예에서, 하나 이상의 제1 초점 성분(1380)은 리소그래피 장치의 포커스 핑거프린트를 포함할 수 있지만, 이에 제한되는 것은 아니다. 실시예에서, 하나 이상의 제2 초점 성분(1390)은 초점에 영향을 주는 리소그래피 장치의 레벨링 및/또는 서보 매개 변수(servo parameter)를 포함할 수 있지만, 이에 제한되지는 않는다. 실시예에서, 리소그래피 장치의 조합된 기여도(1360)는, 예를 들어 도 14에 나타나 있는 바와 같은 방법을 이용하여 결정될 수 있다. 실시예에서, 기여도(1360)는 리소그래피 장치에 대한 수학적 모델을 이용하여 결정될 수 있다. 실시예에서, 리소그래피 장치의 기여도(1360)는 하나 이상의 기판에 적용 가능한 측정된 데이터 (예를 들어, 초점에 대한 측정된 높이 정보) 및/또는 툴 데이터 (예를 들어, 설정 매개 변수, 툴 작동 신호 등)에 기초하여 결정된다.
실시예에서, (예를 들어, 기여도(1110)의 형태의) 기여도(1320)는 도 12에서 설명된 바와 같이 결정될 수 있다. 기여도(1320)는 데이터베이스 (예를 들어, 데이터베이스(670))로부터 유도될 수 있으며 고려 중인 하나 이상의 기판을 얻는데 사용되는 하나 이상의 공정 장치에 특정적 (예를 들어, 고려 중인 하나 이상의 기판의 에칭에 사용되는 에칭 툴의 에칭 챔버에 특정적)일 수 있다.
에칭된 기판 상의 핫 스폿의 임계 치수 균일성(1310)이 추정된 후에, 추정된 임계 치수 균일성(1310)에 기초하여 결함 또는 다른 오류가 핫 스폿에서 생성될지 여부가 결정될 수 있다. 예를 들어, 추정된 임계 치수 균일성(1310)이 임계치를 충족하거나 초과한다면, 결함 또는 다른 오류가 핫 스폿에서 생성되지 않을 것으로 결정될 수 있다. 그렇지 않으면, 결함 또는 다른 오류가 핫 스폿에서 생성될 것으로 결정될 수 있다. 사용자 신호, 기판의 재작업/폐기, 수정 정보의 생성 등과 같은 적절한 조치가 그후 취해질 수 있다.
도 14는 기판 상의 CD에 대한 조합된 기여도를 모델링하는 예를 개략적으로 보여주고 있으며, 기여도는, 초점(F)(1410), 기판의 수직 방향으로의 기판의 이동의 이동 표준 편차(MSDZ)(1420) 및 기판에 평행한 방향으로의 기판의 이동의 이동 표준 편차(MSDX)(1430)와 같은, 다수의 모델링 가능한 처리 변수의 변화 (예를 들어, 오류)이다. 따라서, 이 예에서, 초점(F)(1410)의 CD에 대한 기여도의 예는 기여도(1415)로서 나타나 있으며, 이동 표준 편차(MSDZ)(1420)의 CD에 대한 기여도의 예는 기여도(1425)로서 나타나 있고, 이동 표준 편차(MSDX)(1430)의 CD에 대한 기여도의 예는 기여도(1435)로서 나타나 있다. 이 기여도들 각각은 그후 함께 조합된다(1445). 예에서, 조합된 기여도는 하기 식으로서 표현된다.
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실시예에서, 기여도들(1415, 1425, 1435)은 각각 초점(F)(1410), 이동 표준 편차(MSDZ)(1420) 및 이동 표준 편차(MSDX)(1430) 기여도일 수 있으며, 이 경우 CD 모델은 이 기여도들을 CD 기여도로 조합하기 위해 사용될 수 있다. 또한, 여기에 나와 있지 않은 (F 시간 MSD의 함수로서의 CD 등과 같은) 교차항이 있을 수 있다. CD의 절대값을 얻기 위하여, CD의 공칭값 또는 시뮬레이션된 값이 기여도와 조합될 수 있다. a, b, c와 같은 계수는 모델링 가능한 처리 변수 또는 그 함수에 대한 계측 데이터 CD의 민감도이다. MSD는 리소그래피 장치에서의 패턴 전사 동안 기판의 위치 결정 오류의 이동 표준 편차(MSD)이며, 따라서 위치 결정 오류의 고주파 부분을 나타낸다. 이 예에서, 기여도는 기판 전체에 걸쳐 있지만, 실시예에서, 하나 이상의 기여도는 (이후 예를 들어, 각각의 예에서 적용 가능한 조건에 따라 기판 전체에 걸쳐 반복될 수 있는) 다이/필드마다 수 있다. 기여도 (또는 그의 절대값으로의 변환)는 기판/다이/필드 전체에 걸쳐 공간적으로 한정될 수 있기 때문에 핑거프린트로서 특징지어질 수 있다. 도 14의 방법은 기판의 특성에 대한 리소그래피 장치의 기여도를 모델링하는 것으로 제한되지 않는다는 점이 주목되어야 한다. 이는 제조 공정에서 하나 이상의 공정 장치와 관련된 임의의 하나 이상의 변수의 조합된 기여도를 처리된 기판의 특성에 대해 모델링하는 데 사용될 수 있다. 하나 이상의 변수는 하나 이상의 리소그래피 변수, 하나 이상의 증착 변수, 하나 이상의 트랙 변수, 하나 이상의 에칭 변수, 하나 이상의 평탄화 변수 등을 포함할 수 있다.
실시예에서, 본 명세서에서 설명된 기여도는 동일한 공정 장치 내에서도 패터닝 공정의 상이한 특정 부분에 특정적일 수 있다. 따라서, 공정 장치 또는 구성 요소 특유의 것 또한 이러한 특이성을 포함하고 있다.
실시예에서, 본 명세서에서 설명된 기여도는 바람직하게는 패터닝 공정 설정마다 결정된다. 따라서, 실시예에서, 기여도는 장치 패턴, 장치 층 등의 특정 조합에 대해 결정된다. 실시예에서, 본 명세서에서의 데이터는 패터닝 공정의 장치 패턴과 관련된 계측 타겟을 사용하여 측정된 데이터에 기초하여 개발된다. 실시예에서, 본 명세서에서의 데이터는 장치 패턴 그 자체이다.
실시예에서, 본 명세서에서 설명된 기여도는 하나 이상의 공정 장치의 수행을 모니터링하는데 사용된다. 즉, 현재 측정된 데이터와 조합된 기여도는 하나 이상의 공정 장치의 현재 수행을 결정하기 위해 (예를 들어, 드리프트(drift)가 있는지 여부를 식별하기 위해) 사용될 수 있다. 교정/재교정, (예를 들어, 피드포워드 또는 피드백 애플리케이션에 대한) 수정 정보 생성 등과 같은 조합으로부터의 데이터의 분석에 응답하여 하나 이상의 조치가 취해질 수 있다.
실시예에서, 하나 이상의 장치 패턴으로 패터닝된 하나 이상의 기판이 기여도를 결정하는데 사용된다. 실시예에서, 하나 이상의 패턴닝된 모니터 기판이 기여도를 결정하기 위해 사용된다 (예를 들어, 패턴이 장치 패턴 또는 장치 패턴과 상관관계가 있는 다른 패턴일 수 있다).
실시예에서, 리소그래피 장치는 노광 후에 하나 이상의 모니터 기판을 이용하는 리소그래피 베이스라이너에 의하여 모니터링 및/또는 제어된다. 예를 들어, 모니터 기판의 하나 이상의 특성 (예를 들어, 임계 치수)이 측정되어 리소그래피 기판의 하나 이상의 변수 (예를 들어, 초점, 선량 등)의 측정값을 유도할 수 있다. 하나 이상의 특성 및/또는 유도된 변수의 측정값이 그의 목표값에서 벗어난 (예를 들어, 베이스라인 설정으로부터와 같은 임계 범위 밖에 있는) 경우, 리소그래피 베이스라이너는 리소그래피 장치의 하나 이상의 변수 (예를 들어, 선량, 초점, 등)을 조정할 수 있다. 이러한 방식으로, 리소그래피 장치는 예를 들어, 작동의 베이스라이너로부터의 드리프트에 대하여 모니터링 및/또는 제어될 수 있다.
따라서, 실시예에서, 하나 이상의 비-리소그래피 공정 장치 (예를 들어, 에칭기, 증착 챔버, 평탄화 툴 등)에 대한 베이스라이너가 제공되어 매칭 (예를 들어, 상이한 에칭기들 및 상이한 증착 챔버들 간의 매칭 등), 안정성 제어 (예를 들어, 드리프트에 대한 모니터링) 및/또는 오프셋/핑거프린트의 모니터링을 가능하게 할 수 있다. 따라서, 실시예에서, 에칭 후, CD는 예를 들어 (예를 들어, 전자 빔 검사를 이용하여 임계 장치/핫 스폿과 같은 장치 패턴을 측정하는 광학 검사 장치를 이용하여 계측 타켓 상에서) 측정되며, 그후 하나 이상의 공정 장치에 대한 하나 이상의 핑거프린트가 (예를 들어, 장치 유형마다) 유도된다. 예를 들어, 리소그래피 장치 초점 및 MSD 핑거프린트와 필름 두께 핑거프린트 측정이 이용되어, 예를 들어 에칭 툴의 에칭 핑거프린트를 격리시킨다. 하나 이상의 핑거프린트는 그후 예측 및 제어를 가능하게 하기 위하여 (예를 들어, (예를 들어, 모니터 특징부 또는 핫 스폿의 공지된 선량 감도에 기초한) 리소그래피 장치 선량 보정, 에칭 보정 (에칭 속도, 온도 변화 (예를 들어, 하나 이상의 영역에서의 온도 변화 등) 및/또는 막 두께 변화를 이용하여) 기판 당 측정 데이터와 조합될 수 있다.
실시예에서, 기판의 특성의 값으로부터 특성에 대한 리소그래피 장치의 기여도와 특성에 대한 하나 이상의 리소그래피 전 공정 장치의 기여도를 제거함으로써, 하나 이상의 공정 장치에 의하여 패터닝 공정에 따라 기판이 처리된 후에 하나 이상의 공정 장치가 기판의 특성에 대해 이루는 기여도를 하드웨어 컴퓨터 시스템에 의해 결정하는 것을 포함하고 있는 방법이 제공된다.
실시예에서, 하나 이상의 공정 장치는 에칭 툴을 포함하고 있다. 실시예에서, 특성에 대한 하나 이상의 리소그래피 전 공정 장치의 기여도는 특성에 대한 증착 툴의 기여도를 포함하고 있다. 실시예에서, 증착 툴의 기여도는 증착 툴에 의해 형성된 기판의 에칭 가능한 층의 특성으로부터 유도된다. 실시예에서, 에칭 가능한 층의 특성은 에칭 가능한 층의 두께이다. 실시예에서, 특성에 대한 리소그래피 장치의 기여도는 리소그래피 장치와 관련된 하나 이상의 변수의 그룹으로부터 유도된다. 실시예에서, 하나 이상의 제1 변수는 리소그래피 장치에 의한 조명의 하나 이상의 변수, 리소그래피 장치의 투영 시스템의 하나 이상의 변수, 초점, 선량, 오버레이, 리소그래피 장치의 기판 스테이지의 이동의 이동 표준 편차, 리소그래피 장치의 기판 스테이지의 이동의 이동 평균, 레이저 대역폭, 노광 지속 시간, 광학 수차, 고주파 레이저 대역폭 변화 및/또는 고주파 레이저 파장 변화에서 선택된 하나 이상을 포함하고 있다. 실시예에서, 본 방법은 하나 이상의 공정 장치의 기여도를 이용하여 고려 중인 하나 이상의 기판에 대한 특성이 임계치를 충족하는지 또는 초과하는지 여부를 결정하는 것; 및 임계치에 관한 결정에 응답하여 하나 이상의 리소그래피 전 공정 장치, 리소그래피 장치 및/또는 하나 이상의 리소그래피 후 공정 장치를 조정하기 위해 수정 정보를 생성 및 출력하는 것을 더 포함하고 있다. 실시예에서, 수정 정보는 하나 이상의 리소그래피 전 공정 장치, 리소그래피 장치 및/또는 하나 이상의 리소그래피 후 공정 장치의 변수를 변경하는데 사용되며, 여기서 변수는 증착 툴의 증착 변수, 리소그래피 장치의 리소그래피 변수, 및/또는 에칭 툴의 에칭 변수를 포함하고 있다. 실시예에서, 변수는 증착 툴의 증착 변수를 포함하며, 증착 변수는 증착 툴의 증착 속도 또는 증착 툴의 작동 지속 시간을 포함하고 있다. 실시예에서, 변수는 리소그래피 장치의 리소그래피 변수를 포함하고 있으며, 리소그래피 변수는 리소그래피 장치에 의한 조명의 하나 이상의 변수, 리소그래피 장치의 투영 시스템의 하나 이상의 변수, 초점, 선량, 오버레이, 리소그래피 장치의 기판 스테이지의 이동의 이동 표준 편차, 리소그래피 장치의 기판 스테이지의 이동의 이동 평균, 레이저 대역폭, 노광 지속 시간, 광학 수차, 고주파 레이저 대역폭 변화 및/또는 고주파 레이저 파장 변화를 포함하고 있다. 실시예에서, 변수는 에칭 툴의 에칭 변수를 포함하며, 에칭 변수는 에칭 툴의 에칭 유형 및/또는 에칭 툴의 에칭 속도를 포함하고 있다. 실시예에서, 수정 정보를 생성하는 것은 리소그래피 후 공정 장치의 제1 구성 요소 및/또는 제2 구성 요소의 변수를 조정하기 위해 수정 정보를 생성하는 것을 포함하고 있다. 실시예에서, 리소그래피 후 공정 장치는 에칭 툴이며, 제1 구성 요소는 에칭 툴의 제1 에칭 챔버이고, 제2 구성 요소는 에칭 툴의 제2 에칭 챔버이며, 제1 구성 요소 및/또는 제2 구성 요소의 변수는 에칭 툴의 제1 에칭 챔버 및/또는 에칭 툴의 제2 에칭 챔버의 에칭 속도, 에칭 툴의 제1 에칭 챔버 및/또는 에칭 툴의 제2 에칭 챔버의 에칭 유형, 또는 에칭 툴의 제1 에칭 챔버 및/또는 에칭 툴의 제2 에칭 챔버의 작동 온도를 포함하고 있다. 실시예에서, 하나 이상의 기판은 하나 이상의 공정 장치의 제1 챔버에 의해 처리되며, 수정 정보는 제1 챔버에 의해 처리되는 하나 이상의 기판에 대한 특성의 하나 이상의 값과 하나 이상의 공정 장치의 제2 챔버에 의하여 처리되는 하나 이상의 기판에 대한 특성의 하나 이상의 값을 더 가깝게 매치시킨다. 실시예에서, 기판의 특성 값은 기판 상의 하나 이상의 계측 타겟을 계측 장치로 측정함으로써 얻어진다. 실시예에서, 기판의 특성은 패턴의 임계 치수, 임계 치수 균일성, 오버레이, 측면 벽면 각도, 최하부 표면 기울어짐, 특징부 높이, 패턴 시프트 및/또는 기하학적 비대칭성에서 선택된 하나 이상의 특성을 포함하고 있다. 실시예에서, 기판의 특성은 기판 상의 패턴 전체에 걸친 특성의 하나 이상의 핑거프린트 또는 기판 전체에 걸친 다수의 패턴을 포함하는 기판 전체에 걸친 특성의 하나 이상의 핑거프린트를 포함하고 있다.
실시예에서, 패터닝 공정에서 사용되는 하나 이상의 공정 장치와 관련된 하나 이상의 공정 변수의 제1 그룹의 기판에 특정적인 기여도와 하나 이상의 공정 장치와 관련된 하나 이상의 공정 변수의 제2 그룹의 기판에 비특정적인 기여도를 조합함으로써 패터닝 공정에 의하여 처리될 기판에 부여될 특성을 하드웨어 컴퓨터 시스템에 의하여 추정하는 것을 포함하는 방법이 제공되며, 제1 그룹 및/또는 제2 그룹으로부터의 적어도 하나의 공정 변수는 리소그래피 장치 상류의 공정 장치와 관련되어 있다.
실시예에서, 본 방법은 추정된 특성에 기초하여 결함 또는 다른 오류가 기판 상에 생성되는지 여부를 결정하는 것을 더 포함하고 있다. 실시예에서, 본 방법은 추정된 특성에 기초하여 제1 그룹 및/또는 제2 그룹으로부터 하나 이상의 공정 변수를 조정하기 위한 수정 정보를 생성하는 것을 더 포함하고 있다. 실시예에서, 하나 이상의 공정 변수의 제2 그룹은 증착 툴, 리소그래피 장치 및/또는 에칭 툴과 관련된 하나 이상의 변수를 포함하고 있다. 실시예에서, 하나 이상의 공정 변수의 제2 그룹은 증착 툴의 증착 속도 또는 증착 툴의 작동 지속 시간을 포함하고 있다. 실시예에서, 하나 이상의 공정 변수의 제2 그룹은 리소그래피 장치에 의한 조명과 관련된 하나 이상의 변수, 리소그래피 장치의 투영 시스템의 하나 이상의 변수, 초점, 선량, 오버레이, 레이저 대역폭, 노광 지속 시간, 광학 수차, 고주파 레이저 대역폭 변화 및/또는 고주파 레이저 파장 변화에서 선택된 하나 이상의 변수를 포함하고 있다. 실시예에서, 하나 이상의 공정 변수의 제2 그룹은 에칭 툴의 에칭 속도, 에칭 툴의 에칭 유형, 또는 에칭 툴의 작동 온도를 포함하고 있다. 실시예에서, 하나 이상의 공정 변수의 제1 그룹은 리소그래피 장치와 관련된 하나 이상의 변수를 포함하고 있다. 실시예에서, 리소그래피 장치와 관련된 하나 이상의 변수는 리소그래피 장치의 기판 스테이지의 이동의 이동 표준 편차 또는 리소그래피 장치의 기판 스테이지의 이동의 이동 평균을 포함하고 있다. 실시예에서, 기판의 특성은 패턴의 임계 치수, 임계 치수 균일성, 오버레이, 측면 벽면 각도, 특징부 높이, 최하부 표면 기울어짐, 패턴 시프트 및/또는 기하학적 비대칭성에서 선택된 하나 이상의 특성을 포함하고 있다. 실시예에서, 기판의 특성은 기판 상의 패턴 전체에 걸친 특성의 하나 이상의 핑거프린트 또는 기판 전체에 걸친 다수의 패턴을 포함하는 기판 전체에 걸친 특성의 하나 이상의 핑거프린트를 포함하고 있다.
실시예에서, 하나 이상의 공정 장치의 특성에 대한 하나 이상의 기여도를 특성의 하나 이상의 값과 조합함으로써 하나 이상의 공정 장치에 의해 처리될 기판에 부여될 특성을 하드웨어 컴퓨터 시스템에 의해 추정하는 것을 포함하는 방법이 제공되며, 하나 이상의 공정 장치 중 적어도 하나는 리소그래피 장치 상류에 있다.
실시예에서, 본 방법은 추정된 특성에 기초하여 기판 상에 결함이 생성되었는지 여부를 결정하는 것을 더 포함하고 있다. 실시예에서, 하나 이상의 공정 장치는 증착 툴, 리소그래피 장치 및/또는 에칭 툴에서 선택된 하나 이상을 포함하고 있다. 실시예에서, 특성에 대한 하나 이상의 공정 장치의 하나 이상의 기여도는 특성에 대한 증착 툴의 기여도를 포함하고 있다. 실시예에서, 특성에 대한 증착 툴의 기여도는 증착 툴에 의하여 기판에 형성된 에칭 가능한 층의 특성으로부터 유도된다. 실시예에서, 에칭 가능한 층의 특성은 에칭 가능한 층의 두께이다. 실시예에서, 특성에 대한 하나 이상의 공정 장치의 하나 이상의 기여도는 특성에 대한 리소그래피 장치의 기여도를 포함하고 있다. 실시예에서, 특성에 대한 리소그래피 장치의 기여도는 리소그래피 장치와 관련된 하나 이상의 변수의 그룹으로부터 유도된다. 실시예에서, 리소그래피 장치와 관련된 하나 이상의 변수는 리소그래피 장치에 의한 조명의 하나 이상의 변수, 리소그래피 장치의 투영 시스템의 하나 이상의 변수, 초점, 선량, 오버레이, 리소그래피 장치의 기판 스테이지의 이동의 이동 표준 편차, 리소그래피 장치의 기판 스테이지의 이동의 이동 평균, 레이저 대역폭, 노광 지속 시간, 광학 수차, 고주파 레이저 대역폭 변화 및/또는 고주파 레이저 파장 변화에서 선택된 하나 이상의 변수를 포함하고 있다. 실시예에서, 특성에 대한 하나 이상의 공정 장치의 하나 이상의 기여도는 특성에 대한 에칭 툴의 기여도를 포함하고 있다. 실시예에서, 본 방법은 추정된 특성에 기초하여 하나 이상의 공정 장치 중 하나 이상을 조정하기 위해 수정 정보를 생성하고 출력하는 것을 더 포함하고 있다. 실시예에서, 수정 정보는 하나 이상의 공정 장치 중 하나 이상의 공정 장치의 하나 이상의 변수를 변경하기 위하여 사용된다. 실시예에서, 하나 이상의 변수는 증착 툴의 증착 변수, 리소그래피 장치의 리소그래피 변수, 및/또는 에칭 툴의 에칭 변수를 포함하고 있다. 실시예에서, 하나 이상의 변수는 증착 툴의 증착 변수를 포함하고 있으며, 증착 변수는 증착 툴의 증착 속도 또는 증착 툴의 작동 지속 시간을 포함하고 있다. 실시예에서, 하나 이상의 변수는 리소그래피 장치의 리소그래피 변수를 포함하고 있으며, 리소그래피 변수는 리소그래피 장치에 의한 조명의 하나 이상의 변수, 리소그래피 장치의 투영 시스템의 하나 이상의 변수, 초점, 선량, 오버레이, 리소그래피 장치의 기판 스테이지의 이동의 이동 표준 편차, 리소그래피 장치의 기판 스테이지의 이동의 이동 평균, 레이저 대역폭, 노광 지속 시간, 광학 수차, 고주파 레이저 대역폭 변화 및/또는 고주파 레이저 파장 변화를 포함하고 있다. 실시예에서, 하나 이상의 변수는 에칭 툴의 에칭 변수를 포함하며, 에칭 변수는 에칭 툴의 에칭 속도, 에칭 툴의 에칭 유형 또는 에칭 툴의 작동 온도를 포함하고 있다. 실시예에서, 기판의 특성의 하나 이상의 값은 하나 이상의 공정 장치 중 하나 이상으로부터의 측정값 또는 신호로부터 결정된다. 실시예에서, 기판의 특성은 패턴의 임계 치수, 임계 치수 균일성, 오버레이, 측면 벽면 각도, 특징부 높이, 최하부 표면 기울어짐, 패턴 시프트 및/또는 기하학적 비대칭성에서 선택된 하나 이상의 특성을 포함하고 있다. 실시예에서, 기판의 특성은 기판 상의 패턴 전체에 걸친 특성의 하나 이상의 핑거프린트 또는 기판 전체에 걸친 다수의 패턴을 포함하는 기판 전체에 걸친 특성의 하나 이상의 핑거프린트를 포함하고 있다.
실시예에서, 기판의 특성에 대한 하나 이상의 제1 공정 장치의 하나 이상의 기여도를 결정하는 것; 및 하나 이상의 제1 공정 장치 하류의 하나 이상의 제2 공정 장치를 조정하기 위해, 하드웨어 컴퓨터 시스템에 의하여 그리고 하나 이상의 기여도에 적어도 부분적으로 기초하여 수정 정보를 생성하는 것을 포함하고 있다.
실시예에서, 하나 이상의 제1 공정 장치 중 적어도 하나는 리소그래피 장치 상류에 있다. 실시예에서, 하나 이상의 제1 공정 장치는 증착 툴을 포함하고 있다. 실시예에서, 하나 이상의 제2 공정 장치는 리소그래피 장치 및/또는 에칭 툴을 포함하고 있다. 실시예에서, 특성에 대한 하나 이상의 제1 공정 장치의 하나 이상의 기여도는 특성에 대한 증착 툴의 기여도를 포함하고 있다. 실시예에서, 특성에 대한 증착 툴의 기여도는 증착 툴에 의하여 기판에 형성된 에칭 가능한 층의 특성으로부터 유도된다. 실시예에서, 에칭 가능한 층의 특성은 에칭 가능한 층의 두께이다. 실시예에서, 수정 정보는 하나 이상의 제2 공정 장치의 변수를 변경하는데 사용된다. 실시예에서, 변수는 리소그래피 장치의 리소그래피 변수를 포함하고 있다. 실시예에서, 변수는 에칭 툴의 에칭 변수를 포함하고 있다. 실시예에서, 기판의 특성은 패턴의 임계 치수, 임계 치수 균일성, 오버레이, 측면 벽면 각도, 최하부 표면 기울어짐, 특징부 높이, 패턴 시프트 및/또는 기하학적 비대칭성에서 선택된 하나 이상의 특성을 포함하고 있다. 실시예에서, 기판의 특성은 기판 상의 패턴 전체에 걸친 특성의 하나 이상의 핑거프린트 또는 기판 전체에 걸친 다수의 패턴을 포함하는 기판 전체에 걸친 특성의 하나 이상의 핑거프린트를 포함하고 있다.
본 출원 내의 설명은 기판 상에 형성되는 장치의 하나 이상의 층들 사이의 오버레이를 측정하도록 설계된 계측 공정 및 계측 타겟과 관련한 실시 예를 고려할 것이지만, 본 명세서의 실시예는 (예를 들어, 패터닝 장치와 기판 간의) 정렬을 측정하기 위한 공정 및 타겟, 임계 치수를 측정하기 위한 공정 및 타겟 등과 같은 다른 계측 공정 및 타겟에 동일하게 적용 가능하다. 따라서, 본 명세서에서 오버레이 계측 타겟, 오버레이 데이터 등에 대한 참조는 다른 종류의 계측 공정 및 타겟을 가능하게 하도록 적절하게 변형된 것으로 간주되어야 한다.
도 15를 참고하면, 컴퓨터 시스템(1500)이 나타나 있다. 컴퓨터 시스템(1500)은 정보를 전달하기 위한 버스(1502) 또는 다른 통신 메커니즘, 및 정보를 처리하기 위하여 버스(1502)와 연결된 프로세서(1504) (또는 다수의 프로세서(1504 및 1505))를 포함하고 있다. 컴퓨터 시스템(1500)은 또한 프로세서(1504)에 의해 실행될 정보 및 명령을 저장하기 위하여 버스(1502)에 연결된, 랜덤 액세스 메모리(RAM) 또는 다른 동적 저장 장치와 같은 메인 메모리(1506)를 포함하고 있다. 메인 메모리(1506)는 또한 프로세서(1504)에 의해 실행될 명령의 실행 중에 임시 변수 또는 다른 중간 정보를 저장하기 위하여 사용될 수 있다. 컴퓨터 시스템(1500)은 정적 정보 및 프로세서(1504)에 대한 명령을 저장하기 위하여 버스(1502)에 연결된 리드 온리 메모리(ROM)(1508) 또는 다른 정적 저장 장치를 더 포함하고 있다. 정보 및 명령을 저장하기 위하여, 자기 디스크 또는 광학 디스크와 같은 저장 장치(1510)가 제공되고 버스(1502)에 연결되어 있다.
컴퓨터 시스템(1500)은 컴퓨터 사용자에게 정보를 디스플레이하기 위하여, 음극선관(CRT) 또는 평판 패널 또는 터치 패널 디스플레이와 같은 디스플레이(1512)에 버스(1502)를 통하여 연결될 수 있다. 영숫자 및 다른 키를 포함하는 입력 장치(1514)는 정보 및 명령 선택을 프로세서(1504)에 전달하기 위하여 버스(1502)에 연결되어 있다. 다른 유형의 사용자 입력 장치는 방향 정보 및 명령 선택을 프로세서(1504)에 전달하기 위하여 또한 디스플레이(1512) 상의 커서 이동을 제어하기 위하여, 마우스, 트랙볼, 또는 커서 방향 키와 같은 커서 제어부(1516)이다. 이 입력 장치는 전형적으로 장치가 평면 내의 위치를 특정하게 하는, 제1축 (예를 들어, x)과 제2 축 (예를 들어, y)의 2개 축에서 2 자유도를 갖는다. 터치 패널(스크린) 디스플레이 또한 입력 장치로서 사용될 수 있다.
컴퓨터 시스템(1500)은 메인 메모리(1506)에 포함된 하나 이상의 명령의 하나 이상의 시퀀스를 실행하는 프로세서(1504)에 응답하여 도 6 내의 소프트웨어 어플리케이션(660)의 역할을 하기에 적합할 수 있다. 이러한 명령은 저장 장치(1510)와 같은 다른 컴퓨터-판독 가능한 매체로부터 메인 메모리(1506) 내로 판독될 수 있다. 메인 메모리(1506)에 포함된 명령의 시퀀스의 실행은 프로세서(1504)가 본 명세서에서 설명된 바와 같은 소프트웨어 어플리케이션(660)에 의하여 실행된 공정을 수행하게 한다. 다중 처리 장치에서의 하나 이상의 프로세서가 또한 메인 메모리(1506)에 포함된 명령의 시퀀스를 실행하기 위해 사용될 수 있다. 대안적인 실시예에서, 소프트웨어 명령 대신 또는 소프트웨어 명령과 조합하여 고정 배선(hard-wired) 회로가 사용될 수 있다. 따라서, 실시예는 하드웨어 회로 및 소프트웨어의 임의의 특정 조합에 제한되지 않는다
본 명세서에서 사용된 바와 같은 용어 "컴퓨터-판독 가능한 매체"는 실행을 위하여 프로세서(1504)에 명령을 제공하는데 참여하는 임의의 매체를 지칭한다. 이러한 매체는 비휘발성 매체, 휘발성 매체 및 전송 매체를 포함하는 많은 형태를 취할 수 있지만, 이에 제한되지 않는다. 비휘발성 매체는, 예를 들어 저장 장치(1510)와 같은 광학 또는 자기 디스크를 포함하고 있다. 휘발성 매체는 메인 메모리(1506)와 같은 동적 메모리를 포함하고 있다. 전송 매체는 버스(1502)를 포함하고 있는 와이어를 포함하는, 동축 케이블, 구리 와이어 및 광섬유를 포함하고 있다. 전송 매체는 또한 무선 주파수(RF) 및 적외선(IR) 데이터 통신 중에 발생되는 것과 같은 음향 또는 광파의 형태를 취할 수 있다. 컴퓨터-판독 가능한 매체의 공통적인 형태는, 예를 들어, 플로피 디스크, 플렉시블 디스크, 하드 디스크, 자기 테이프, 임의의 다른 자기 매체, 씨디-롬(CD-ROM), 디브이디(DVD), 임의의 다른 광학 매체, 펀치 카드, 종이 테이프, 구멍의 패턴을 갖는 임의의 다른 물리적 매체, 램(RAM), 롬(PROM) 및 이피롬(EPROM), 플래시-이피롬(FLASH-EPROM), 임의의 다른 메모리 칩 또는 카트리지, 이후에 설명되는 바와 같은 반송파, 또는 컴퓨터가 판독할 수 있는 임의의 다른 매체를 포함하고 있다.
다양한 형태의 컴퓨터 판독 가능한 매체는 실행을 위하여 하나 이상의 명령의 하나 이상의 시퀀스를 프로세서(1504)로 전달하는 것에 관련될 수 있다. 예를 들어, 명령은 초기에 원격 컴퓨터의 자기 디스크에 저장될 수 있다. 원격 컴퓨터는 명령을 그의 동적 메모리 내로 로딩할 수 있으며 모뎀을 이용하여 전화선을 통해 명령을 전송할 수 있다. 컴퓨터 시스템(1500)에 국부적인 모뎀은 전화선 상에서 데이터를 수신할 수 있고 적외선 송신기를 사용하여 데이터를 적외선 신호로 변환할 수 있다. 버스(1502)에 연결된 적외선 검출기는 적외선 신호로 전달된 데이터를 수신할 수 있고 버스(1502) 상에 데이터를 배치할 수 있다. 버스(1502)는 메인 메모리(1506)로 데이터를 전달하며, 프로세서(1504)는 메인 메모리로부터 명령을 검색하고 실행한다. 메인 메모리(1506)에 의해 수신된 명령은 프로세서(1504)에 의한 실행 전 또는 후에 저장 장치(1510)에 선택적으로 저장될 수 있다.
컴퓨터 시스템(1500)은 또한 버스(1502)에 연결된 통신 인터페이스(1518)를 포함할 수 있다. 통신 인터페이스(1518)는 로컬 네트워크(1522)에 연결된 네트워크 링크(1520)에 양방향 데이터 통신 커플링을 제공한다. 예를 들어, 통신 인터페이스(1518)는 해당 유형의 전화선에 데이터 통신 연결을 제공하기 위한 통합 서비스 디지털 네트워크(ISDN) 카드 또는 모뎀일 수 있다. 다른 예로서, 통신 인터페이스(1518)는 데이터 통신 연결을 호환 가능한 LAN에 제공하기 위한 근거리 통신망(LAN) 카드일 수 있다. 무선 링크 또한 구현될 수 있다. 임의의 이러한 구현에서, 통신 인터페이스(1518)는 다양한 유형의 정보를 나타내는 디지털 데이터 스트림을 전달하는 전기, 전자기 또는 광학 신호를 송신 및 수신한다.
네트워크 링크(1520)는 전형적으로 하나 이상의 네트워크를 통해 다른 데이터 장치에 데이터 통신을 제공한다. 예를 들어, 네트워크 링크(1520)는 로컬 네트워크(1522)를 통해 호스트 컴퓨터(1524)에 또는 인터넷 서비스 제공자(ISP)(1526)에 의해 운영되는 데이터 장비로의 접속을 제공할 수 있다. ISP(1526)는 결국 현재 흔히 "인터넷"(1528)으로 지칭되는, 범세계 패킷 데이터 통신 네트워크를 통해 데이터 통신 서비스들을 제공한다. 로컬 네트워크(1522) 및 인터넷(1528)은 모두 디지털 데이터 스트림을 전달하는 전기, 전자기 또는 광학 신호를 사용한다. 다양한 네트워크를 통한 신호 및 컴퓨터 시스템(1500)으로 또는 컴퓨터 시스템으로부터 디지털 데이터를 전달하는 통신 인터페이스(1518)를 통한 그리고 네트워크 링크(1520) 상의 신호는 정보를 운반하는 반송파의 예시적인 형태이다.
컴퓨터 시스템(1500)은 네트워크(들), 네트워크 링크(1520), 및 통신 인터페이스(1518)를 통해, 프로그램 코드를 포함하는 데이터를 수신하고 메시지를 전송할 수 있다. 인터넷 예에서, 서버(1530)는 인터넷(1528), ISP(1526), 로컬 네트워크(1522) 및 통신 인터페이스(1518)를 통해 응용 프로그램을 위한 요청된 코드를 전송할 수 있다. 하나 이상의 실시예에 따라, 하나의 이러한 다운로드된 어플리케이션은, 예를 들어 본 명세서 내에 개시된 방법을 제공한다. 크드가 수신됨에 따라 수신된 코드는 프로세서(1504)에 의해 실행될 수 있으며 및/또는 나중의 실행을 위하여 저장 장치(5110) 또는 다른 비휘발성 저장 장치에 저장될 수 있다. 이러한 방식으로, 컴퓨터 시스템(1500)은 반송파의 형태로 어플리케이션 코드를 얻을 수 있다
본 발명의 실시예는 본 명세서에 개시된 바와 같은 방법을 기술하는 기계-판독 가능한 명령어의 하나 이상의 시퀀스를 포함하는 컴퓨터 프로그램 또는 내부에 저장된 이러한 컴퓨터 프로그램을 갖는 데이터 저장 매체 (예를 들어, 반도체 메모리, 자기 또는 광학 디스크)의 형태를 취할 수 있다. 또한, 기계-판독 가능한 명령어는 2개 이상의 컴퓨터 프로그램으로 구현될 수 있다. 2개 이상의 컴퓨터 프로그램이 하나 이상의 상이한 메모리 및/또는 데이터 저장 매체에 저장될 수 있다.
하나 이상의 컴퓨터 프로그램이 리소그래피 장치의 적어도 하나의 구성 요소 내에 위치된 하나 이상의 컴퓨터 프로세서에 의해 판독될 때 본 명세서에서 설명된 임의의 컨트롤러들 각각 또는 조합은 동작 가능할 수 있다. 제어기들 각각 또는 조합은 신호를 수신, 처리 및 송신하기 위한 임의의 적절한 구성을 가질 수 있다. 하나 이상의 프로세서는 적어도 하나의 컨트롤러와 통신하도록 구성되어 있다. 예를 들어, 각 컨트롤러는 위에서 설명된 방법을 위한 기계-판독 가능한 명령을 포함하는 컴퓨터 프로그램을 실행하기 위하여 하나 이상의 프로세서를 포함할 수 있다. 컨트롤러는 이러한 컴퓨터 프로그램을 저장하기 위한 데이터 저장 매체 및/또는 이러한 매체를 수신하기 위한 하드웨어를 포함할 수 있다. 따라서 컨트롤러(들)는 하나 이상의 컴퓨터 프로그램의 기계 판독 가능한 명령에 따라 작동할 수 있다. 본 문맥에서는 IC의 제조에서의 검사 장치의 사용에 대해 특정한 언급이 이루어질 수 있지만, 본 명세서에서 설명된 검사 장치는 집적 광학 시스템, 자기 도메인(magnetic domain) 메모리를 위한 안내 및 검출 패턴, 플랫-패널 디스플레이, 액정 디스플레이(LCDs), 박막 자기 헤드 등의 제조와 같은 다른 응용을 가질 수 있다는 점이 이해되어야 한다. 당업자는 이러한 대안적인 응용의 문맥에서 본 명세서 내의 용어 "웨이퍼" 또는 "다이"의 임의의 사용은 각각 더 일반적인 용어 "기판" 또는 "타겟 부분"과 동의어로 간주될 수 있다는 점을 인식할 것이다. 본 명세서에서 언급된 기판은 노광 전 또는 후에, 예를 들어 트랙(전형적으로 레지스트의 층을 기판에 도포하고 노광된 레지스트를 현상하는 툴), 계측 툴 또는 검사 툴에서 처리될 수 있다. 적용 가능한 경우, 본 명세서 내의 본 발명은 이러한 기판 처리 툴과 다른 기판 처리 툴에 적용될 수 있다. 또한, 기판은 예를 들어 다층 IC를 생성하기 위해 한번 이상 처리될 수 있으며, 따라서 본 명세서에서 사용된 용어 기판은 또한 다수의 처리된 층을 이미 포함하는 기판을 지칭할 수 있다.
본 발명의 실시예는 하기의 번호가 부여된 항목의 목록 내에 개시되어 있다.
1. 본 방법은 기판의 특성의 값으로부터 특성에 대한 리소그래피 장치의 기여도와 특성에 대한 하나 이상의 리소그래피 전 공정 장치의 기여도를 제거함으로써, 하나 이상의 공정 장치에 의하여 패터닝 공정에 따라 기판이 처리된 후에 하나 이상의 공정 장치가 기판의 특성에 대해 이루는 기여도를 하드웨어 컴퓨터 시스템에 의해 결정하는 것을 포함하는 방법.
2. 항목 1의 방법에서, 하나 이상의 공정 장치는 에칭 툴을 포함하고 있다.
3. 항목 1 또는 항목 2의 방법에서, 특성에 대한 하나 이상의 리소그래피 전 공정 장치의 기여도는 특성에 대한 증착 툴의 기여도를 포함하고 있다.
4. 항목 3의 방법에서, 증착 툴의 기여도는 증착 툴에 의하여 형성된 기판의 에칭 가능한 층의 특성으로부터 유도된다.
5. 항목 4의 방법에서, 에칭 가능한 층의 특성은 에칭 가능한 층의 두께이다.
6. 항목 1 내지 5 중 어느 한 항목의 방법에서, 특성에 대한 리소그래피 장치의 기여도는 리소그래피 장치와 관련된 하나 이상의 변수의 그룹으로부터 유도된다.
7. 항목 6의 방법에서, 하나 이상의 제1 변수는 리소그래피 장치에 의한 조명의 하나 이상의 변수, 리소그래피 장치의 투영 시스템의 하나 이상의 변수, 초점, 선량, 오버레이, 리소그래피 장치의 기판 스테이지의 이동의 이동 표준 편차, 리소그래피 장치의 기판 스테이지의 이동의 이동 평균, 레이저 대역폭, 노광 지속 시간, 광학 수차, 고주파 레이저 대역폭 변화 및/또는 고주파 레이저 파장 변화에서 선택된 하나 이상을 포함하고 있다.
8. 항목 1 내지 7 중 어느 한 항목의 방법은
하나 이상의 공정 장치의 기여도를 이용하여 고려 중인 하나 이상의 기판에 대한 특성이 임계치를 충족하는지 또는 초과하는지 여부를 결정하는 것; 및
임계치에 관한 결정에 응답하여 하나 이상의 리소그래피 전 공정 장치, 리소그래피 장치 및/또는 하나 이상의 리소그래피 후 공정 장치를 조정하기 위해 수정 정보를 생성 및 출력하는 것을 더 포함하고 있다.
9. 항목 8의 방법에서, 수정 정보는 하나 이상의 리소그래피 전 공정 장치, 리소그래피 장치 및/또는 하나 이상의 리소그래피 후 공정 장치의 변수를 변경하는데 사용되며, 변수는 증착 툴의 증착 변수, 리소그래피 장치의 리소그래피 변수, 및/또는 에칭 툴의 에칭 변수를 포함하고 있다.
10. 항목 9의 방법에서, 변수는 증착 툴의 증착 변수를 포함하며, 증착 변수는 증착 툴의 증착 속도 또는 증착 툴의 작동 지속 시간을 포함하고 있다.
11. 항목 9 또는 항목 10의 방법에서, 변수는 리소그래피 장치의 리소그래피 변수를 포함하고 있으며, 리소그래피 변수는 리소그래피 장치에 의한 조명의 하나 이상의 변수, 리소그래피 장치의 투영 시스템의 하나 이상의 변수, 초점, 선량, 오버레이, 리소그래피 장치의 기판 스테이지의 이동의 이동 표준 편차, 리소그래피 장치의 기판 스테이지의 이동의 이동 평균, 레이저 대역폭, 노광 지속 시간, 광학 수차, 고주파 레이저 대역폭 변화 및/또는 고주파 레이저 파장 변화를 포함하고 있다.
12. 항목 9 내지 11 중 어느 한 항목의 방법에서, 변수는 에칭 툴의 에칭 변수를 포함하고 있으며, 에칭 변수는 에칭 툴의 에칭 유형 및/또는 에칭 툴의 에칭 속도를 포함하고 있다.
13. 항목 8 내지 12 중 어느 한 항목의 방법에서, 수정 정보를 생성하는 것은 리소그래피 후 공정 장치의 제1 구성 요소 및/또는 제2 구성 요소의 변수를 조정하기 위해 수정 정보를 생성하는 것을 포함하고 있다.
14. 항목 13의 방법에서, 리소그래피 후 공정 장치는 에칭 툴이며, 제1 구성 요소는 에칭 툴의 제1 에칭 챔버이고, 제2 구성 요소는 에칭 툴의 제2 에칭 챔버이며, 제1 구성 요소 및/또는 제2 구성 요소의 변수는 에칭 툴의 제1 에칭 챔버 및/또는 에칭 툴의 제2 에칭 챔버의 에칭 속도, 에칭 툴의 제1 에칭 챔버 및/또는 에칭 툴의 제2 에칭 챔버의 에칭 유형, 또는 에칭 툴의 제1 에칭 챔버 및/또는 에칭 툴의 제2 에칭 챔버의 작동 온도를 포함하고 있다.
15. 항목 8 내지 14 중 어느 한 항목의 방법에서, 하나 이상의 기판은 하나 이상의 공정 장치의 제1 챔버에 의해 처리되며, 수정 정보는 제1 챔버에 의해 처리되는 하나 이상의 기판에 대한 특성의 하나 이상의 값과 하나 이상의 공정 장치의 제2 챔버에 의하여 처리되는 하나 이상의 기판에 대한 특성의 하나 이상의 값을 더 가깝게 매치시킨다.
16. 항목 8 내지 15 중 어느 한 항목의 방법에서, 기판의 특성 값은 계측 장치로 기판 상의 하나 이상의 계측 타겟을 측정함으로써 얻어진다.
17. 항목 1 내지 16 중 어느 한 항목의 방법에서, 기판의 특성은 패턴의 임계 치수, 임계 치수 균일성, 오버레이, 측면 벽면 각도, 특징부 높이, 최하부 표면 기울어짐, 패턴 시프트 및/또는 기하학적 비대칭성에서 선택된 하나 이상의 특성을 포함하고 있다.
18. 항목 17의 방법에서, 기판의 특성은 기판 상의 패턴 전체에 걸친 특성의 하나 이상의 핑거프린트 또는 기판 전체에 걸친 다수의 패턴을 포함하는 기판 전체에 걸친 특성의 하나 이상의 핑거프린트를 포함하고 있다.
19. 본 방법은,
패터닝 공정에서 사용되는 하나 이상의 공정 장치와 관련된 하나 이상의 공정 변수의 제1 그룹의 기판에 특정적인 기여도와 하나 이상의 공정 장치와 관련된 하나 이상의 공정 변수의 제2 그룹의 기판에 비특정적인 기여도를 조합함으로써 패터닝 공정에 의하여 처리될 기판에 부여될 특성을 하드웨어 컴퓨터 시스템에 의하여 추정하는 것을 포함하고 있으며, 제1 그룹 및/또는 제2 그룹으로부터의 적어도 하나의 공정 변수는 리소그래피 장치 상류의 공정 장치와 관련되어 있다.
20. 항목 19의 방법은 추정된 특성에 기초하여 결함 또는 다른 오류가 기판 상에 생성되는지 여부를 결정하는 것을 더 포함하고 있다.
21. 항목 19 또는 항목 20의 방법은 추정된 특성에 기초하여 제1 그룹 및/또는 제2 그룹으로부터의 하나 이상의 공정 변수를 조정하도록 수정 정보를 생성하는 것을 더 포함하고 있다.
22. 항목 19 내지 21 중 어느 한 항목의 방법에서, 하나 이상의 공정 변수의 제2 그룹은 증착 툴, 리소그래피 장치 및/또는 에칭 툴에 관련된 하나 이상의 변수를 포함하고 있다.
23. 항목 22의 방법에서, 하나 이상의 공정 변수의 제2 그룹은 증착 툴의 증착 속도 또는 증착 툴의 작동 지속 시간을 포함하고 있다.
24. 항목 22 또는 항목 23의 방법에서, 하나 이상의 공정 변수의 제2 그룹은 리소그래피 장치에 의한 조명과 관련된 하나 이상의 변수, 리소그래피 장치의 투영 시스템의 하나 이상의 변수, 초점, 선량, 오버레이, 레이저 대역폭, 노광 지속 시간, 광학 수차, 고주파 레이저 대역폭 변화 및/또는 고주파 레이저 파장 변화에서 선택된 하나 이상의 변수를 포함하고 있다.
25. 항목 22 내지 24 중 어느 한 항목의 방법에서, 하나 이상의 공정 변수의 제2 그룹은 에칭 툴의 에칭 속도, 에칭 툴의 에칭 유형 또는 에칭 툴의 작동 온도를 포함하고 있다.
26. 항목 19 내지 25 중 어느 한 항목의 방법에서, 하나 이상의 공정 변수의 제1 그룹은 리소그래피 장치에 관련된 하나 이상의 변수를 포함하고 있다.
27. 항목 26의 방법에서, 리소그래피 장치에 관련된 하나 이상의 변수는 리소그래피 장치의 기판 스테이지의 이동의 이동 표준 편차 또는 리소그래피 장치의 기판 스테이지의 이동의 이동 평균을 포함하고 있다.
28. 항목 19 내지 27 중 어느 한 항목의 방법에서, 기판의 특성은 패턴의 임계 치수, 임계 치수 균일성, 오버레이, 측면 벽면 각도, 특징부 높이, 최하부 표면 기울어짐, 패턴 시프트 및/또는 기하학적 비대칭성에서 선택된 하나 이상의 특성을 포함하고 있다.
29. 항목 28의 방법에서, 기판의 특성은 기판 상의 패턴 전체에 걸친 특성의 하나 이상의 핑거프린트 또는 기판 전체에 걸친 다수의 패턴을 포함하는 기판 전체에 걸친 특성의 하나 이상의 핑거프린트를 포함하고 있다.
30. 본 방법은 하나 이상의 공정 장치의 특성에 대한 하나 이상의 기여도를 특성의 하나 이상의 값과 조합함으로써 하나 이상의 공정 장치에 의해 처리될 기판에 부여될 특성을 하드웨어 컴퓨터 시스템에 의해 추정하는 것을 포함하며, 하나 이상의 공정 장치 중 적어도 하나는 리소그래피 장치 상류에 있다.
31. 항목 30의 방법은 추정된 특성에 기초하여 결함이 기판 상에 생성되는지 여부를 결정하는 것을 더 포함하고 있다.
32. 항목 30 또는 항목 31의 방법에서, 하나 이상의 공정 장치는 증착 툴, 리소그래피 장치 및/또는 에칭 툴에서 선택된 하나 이상을 포함하고 있다.
33. 항목 30 내지 32중 어느 한 항목의 방법에서, 특성에 대한 하나 이상의 공정 장치의 하나 이상의 기여도는 특성에 대한 증착 툴의 기여도를 포함하고 있다.
34. 항목 33의 방법에서, 특성에 대한 증착 툴의 기여도는 증착 툴에 의하여 기판에 형성된 에칭 가능한 층의 특성으로부터 유도된다.
35. 항목 34의 방법에서, 에칭 가능한 층의 특성은 에칭 가능한 층의 두께이다.
36. 항목 30 내지 35중 어느 한 항목의 방법에서, 특성에 대한 하나 이상의 공정 장치의 하나 이상의 기여도는 특성에 대한 리소그래피 장치의 기여도를 포함하고 있다.
37. 항목 36의 방법에서, 특성에 대한 리소그래피 장치의 기여도는 리소그래피 장치에 관련된 하나 이상의 변수의 그룹으로부터 유도된다.
38. 항목 37의 방법에서, 리소그래피 장치에 관련된 하나 이상의 변수는 리소그래피 장치에 의한 조명의 하나 이상의 변수, 리소그래피 장치의 투영 시스템의 하나 이상의 변수, 초점, 선량, 오버레이, 리소그래피 장치의 기판 스테이지의 이동의 이동 표준 편차, 리소그래피 장치의 기판 스테이지의 이동의 이동 평균, 레이저 대역폭, 노광 지속 시간, 광학 수차, 고주파 레이저 대역폭 변화 및/또는 고주파 레이저 파장 변화에서 선택된 하나 이상의 변수를 포함하고 있다.
39. 항목 30 내지 38 중 어느 한 항목의 방법에서, 특성에 대한 하나 이상의 공정 장치의 하나 이상의 기여도는 특성에 대한 에칭 툴의 기여도를 포함하고 있다.
40. 항목 30 내지 39 중 어느 한 항목의 방법은 추정된 특성에 기초하여 하나 이상의 공정 장치 중 하나 이상을 조정하기 위해 수정 정보를 생성하고 출력하는 것을 더 포함하고 있다.
41. 항목 40의 방법에서, 수정 정보는 하나 이상의 공정 장치 중 하나 이상의 공정 장치의 하나 이상의 변수를 변경하기 위하여 사용된다.
42. 항목 41의 방법에서, 하나 이상의 변수는 증착 툴의 증착 변수, 리소그래피 장치의 리소그래피 변수, 및/또는 에칭 툴의 에칭 변수를 포함하고 있다.
43. 항목 42의 방법에서, 하나 이상의 변수는 증착 툴의 증착 변수를 포함하고 있으며, 증착 변수는 증착 툴의 증착 속도 또는 증착 툴의 작동 지속 시간을 포함하고 있다.
44. 항목 42 또는 항목 43의 방법에서, 하나 이상의 변수는 리소그래피 장치의 리소그래피 변수를 포함하고 있으며, 리소그래피 변수는 리소그래피 장치에 의한 조명의 하나 이상의 변수, 리소그래피 장치의 투영 시스템의 하나 이상의 변수, 초점, 선량, 오버레이, 리소그래피 장치의 기판 스테이지의 이동의 이동 표준 편차, 리소그래피 장치의 기판 스테이지의 이동의 이동 평균, 레이저 대역폭, 노광 지속 시간, 광학 수차, 고주파 레이저 대역폭 변화 및/또는 고주파 레이저 파장 변화를 포함하고 있다.
45. 항목 42 내지 44 중 어느 한 항목의 방법에서, 하나 이상의 변수는 에칭 툴의 에칭 변수를 포함하며, 에칭 변수는 에칭 툴의 에칭 속도, 에칭 툴의 에칭 유형 또는 에칭 툴의 작동 온도를 포함하고 있다.
46. 항목 30 내지 45 중 어느 한 항목의 방법에서, 기판의 특성의 하나 이상의 값은 하나 이상의 공정 장치 중 하나 이상으로부터의 측정값 또는 신호로부터 결정된다.
47. 항목 30 내지 46 중 어느 한 항목의 방법에서, 기판의 특성은 패턴의 임계 치수, 임계 치수 균일성, 오버레이, 측면 벽면 각도, 특징부 높이, 최하부 표면 기울어짐, 패턴 시프트 및/또는 기하학적 비대칭성에서 선택된 하나 이상의 특성을 포함하고 있다.
48. 항목 47의 방법에서, 기판의 특성은 기판 상의 패턴 전체에 걸친 특성의 하나 이상의 핑거프린트 또는 기판 전체에 걸친 다수의 패턴을 포함하는 기판 전체에 걸친 특성의 하나 이상의 핑거프린트를 포함하고 있다.
49. 방법은
기판의 특성에 대한 하나 이상의 제1 공정 장치의 하나 이상의 기여도를 결정하는 것; 및
하나 이상의 제1 공정 장치 하류의 하나 이상의 제2 공정 장치를 조정하기 위해, 하드웨어 컴퓨터 시스템에 의하여 그리고 하나 이상의 기여도에 적어도 부분적으로 기초하여 수정 정보를 생성하는 것을 포함하고 있다.
50. 항목 49의 방법에서, 하나 이상의 제1 공정 장치는 리소그래피 장치의 상류에 있다.
51. 항목 50의 방법에서, 하나 이상의 제1 공정 장치는 증착 툴을 포함하고 있다.
52. 항목 49 내지 51중 어느 한 항목의 방법에서, 하나 이상의 제2 공정 장치는 리소그래피 장치 및/또는 에칭 툴을 포함하고 있다.
53. 항목 49 내지 52중 어느 한 항목의 방법에서, 특성에 대한 하나 이상의 제1 공정 장치의 하나 이상의 기여도는 특성에 대한 증착 툴의 기여도를 포함하고 있다.
54. 항목 53의 방법에서, 특성에 대한 증착 툴의 기여도는 증착 툴에 의하여 기판에 형성된 에칭 가능한 층의 특성으로부터 유도된다.
55. 항목 54의 방법에서, 에칭 가능한 층의 특성은 에칭 가능한 층의 두께를 포함하고 있다.
56. 항목 49 내지 55중 어느 한 항목의 방법에서, 수정 정보는 하나 이상의 제2 공정 장치의 변수를 변경하기 위하여 사용된다.
57. 항목 56의 방법에서, 변수는 리소그래피 장치의 리소그래피 변수를 포함하고 있다.
58. 항목 56 또는 항목 57의 방법에서, 변수는 에칭 툴의 에칭 변수를 포함하고 있다.
59. 항목 49 내지 58 중 어느 한 항목의 방법에서, 기판의 특성은 패턴의 임계 치수, 임계 치수 균일성, 오버레이, 측면 벽면 각도, 특징부 높이, 최하부 표면 기울어짐, 패턴 시프트 및/또는 기하학적 비대칭성에서 선택된 하나 이상의 특성을 포함하고 있다.
60. 항목 59의 방법에서, 기판의 특성은 기판 상의 패턴 전체에 걸친 특성의 하나 이상의 핑거프린트 또는 기판 전체에 걸친 다수의 패턴을 포함하는 기판 전체에 걸친 특성의 하나 이상의 핑거프린트를 포함하고 있다.
61. 비-일시적 컴퓨터 프로그램 제품은 프로세서 시스템이 항목 1 내지 60 중 어느 한 항목의 방법을 수행하게 하기 위한 기계-독출 가능한 명령어를 포함하고 있다.
62. 시스템은,
하드웨어 프로세서 시스템; 및
기계-판독 가능한 명령을 저장하도록 구성된 비-일시적 컴퓨터 판독 가능 저장 매체를 포함하며,
실행될 때, 기계-판독 가능한 명령은 하드웨어 프로세서 시스템이 항목 1 내지 60 중 어느 한 항목의 방법을 수행하게 한다.
광학 리소그래피와 관련하여 본 발명의 실시예의 사용에 대하여 구체적인 참조가 위에서 이루어졌지만, 본 발명은 다른 응용, 예를 들어 나노임프린트 리소그래피에서 사용될 수 있으며, 문맥이 허용하는 경우, 광학 리소그래피에 제한되지 않는다. 나노임프린트 리소그래피의 경우, 패터닝 장치는 임프린트 템플레이트 또는 몰드이다. 본 명세서에서 사용된 용어 "방사선" 및 "빔"은 이온 빔 또는 전자 빔과 같은 입자 빔뿐만 아니라 (예를 들어, 약 365, 355, 248, 193, 157 또는 126㎚의 파장을 갖는) 자외선(UV) 방사선 및 (예를 들어, 5 내지 20㎚ 범위의 파장을 갖는) 극자외선(EUV) 방사선을 포함하는 모든 유형의 전자기 방사선을 포함하고 있다.
문맥이 허용하는 경우 용어 "렌즈"는 굴절, 반사, 자기, 전자기 및 정전기 광학 구성 요소를 포함하는, 다양한 유형의 광학 구성 요소 중 임의의 하나 또는 조합을 지칭할 수 있다.
본 명세서에서 임계값을 초과하거나 지나치는 것에 대한 언급은 특정 값 미만 또는 특정 값 이하의 값을 갖는 어떤 것, 특정 값보다 큰 또는 특정 값보다 크거나 같은 값을 갖는 어떤 것, 예를 들어 매개 변수 등에 기초하여 (예를 들어, 분류를 통하여) 다른 무엇보다 더 높게 또는 낮게 순위가 매겨진 무엇을 포함할 수 있다.
본 명세서에서 오류를 보정하는 것 또는 오류의 보정에 대한 언급은 오류를 제거하는 것 또는 오류를 허용 오차 범위 내로 감소시키는 것을 포함한다.
본 명세서에서 사용된 바와 같은 용어 "최적화시키는" 및 "최적화"는 리소그래피의 결과 및/또는 공정 또는 패터닝 처리가 기판 상의 디자인 레이아웃의 투영의 더 높은 정확도, 더 넓은 공정 윈도우 등과 같은 보다 바람직한 특성을 갖도록 리소그래피 장치, 패터닝 공정 등을 조정하는 것을 지칭하거나 의미한다. 따라서, 본 명세서에서 사용된 바와 같은 용어 "최적화시키는" 및 "최적화"는 하나 이상의 변수에 대한 하나 이상의 값의 초기 세트와 비교하여, 적어도 하나의 관련된 메트릭(metric)에서, 개선, 예를 들어 국부적인 최적 값을 제공하는, 하나 이상의 변수에 대한 하나 이상의 값을 식별하는 공정을 지칭하거나 의미한다. "최적" 및 다른 관련된 용어는 그에 따라 해석되어야 한다. 실시예에서, 최적화 단계는 반복적으로 적용되어 하나 이상의 메트릭에서 추가 개선을 제공할 수 있다.
시스템의 최적화 공정에서 시스템 또는 공정의 성능 지수는 비용 함수로 나타낼 수 있다. 최적화 공정은 비용 함수를 최적화시키는 (예를 들어, 최소화하는 또는 최대화하는) 시스템 또는 공정의 변수 세트 (설계 변수)를 찾는 공정이 될 것이다. 비용 함수는 최적화의 목표에 따라 임의의 적절한 형태를 가질 수 있다. 예를 들어, 비용 함수는 이러한 특성의 의도된 값 (예를 들어, 이상적인 값)에 대하여 시스템 또는 공정의 특정 특성 (평가 요소)의 편차의 가중된 평균 제곱근(RMS)일 수 있다; 비용 함수는 또한 이들 편차의 최대값 (즉, 최악의 편차)일 수 있다. 본 명세서 내의 용어 "평가 요소(evaluation points)"는 시스템 또는 공정의 임의의 특성을 포함하도록 넓게 해석되어야 한다. 시스템의 설계 변수들은 한정된 범위로 국한되며 및/또는 시스템 또는 공정의 구현의 실용성으로 인하여 상호 의존적일 수 있다. 리소그래피 장치 또는 패터닝 공정의 경우, 제약은 종종 조정 가능한 범위 및/또는 패터닝 장치 제조 가능성 설계 규칙과 같은 하드웨어의 물리적 속성 및 특성과 관련되며, 평가 포인트는 기판 상의 레지스트 이미지에 관한 물리적 요소(physical point)뿐만 아니라 선량과 초점같은 비물리적 특성을 포함할 수 있다.
본 발명의 특정 실시예가 위에서 설명되었지만, 본 발명이 설명된 것과 다르게 실시될 수 있다는 점이 인식될 것이다. 예를 들어, 본 발명은 위에서 설명된 바와 같은 방법을 설명하는 기계-판독 가능한 명령어의 하나 이상의 시퀀스를 포함하는 컴퓨터 프로그램 또는 내부에 저장된 이러한 컴퓨터 프로그램을 갖는 데이터 저장 매체 (예를 들어, 반도체 메모리, 자기 또는 광학 디스크)의 형태를 취할 수 있다.
위의 설명은 예시적인 것으로 의도된 것이며, 제한적인 것은 아니다. 따라서, 변형이 이하에 제시된 청구범위의 범위를 벗어나지 않고 설명된 바와 같은 개시 내용에 대해 이루어질 수 있다는 점은 당업자에게 명백할 것이다.

Claims (20)

  1. 하나 이상의 공정 장치의 특성에 대한 하나 이상의 기여도를 특성의 하나 이상의 값과 조합함으로써 하나 이상의 공정 장치에 의해 처리될 기판에 부여될 특성을 하드웨어 컴퓨터 시스템에 의해 추정하는 것을 포함하며, 하나 이상의 공정 장치 중 적어도 하나는 리소그래피 장치 상류에 있는, 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    추정된 특성에 기초하여 결함이 기판 상에 생성되는지 여부를 결정하는 것을 더 포함하는, 방법.
  3. 제1항에 있어서,
    하나 이상의 공정 장치는 증착 툴, 리소그래피 장치 및/또는 에칭 툴에서 선택된 하나 이상을 포함하는, 방법.
  4. 제1항에 있어서,
    특성에 대한 하나 이상의 공정 장치의 하나 이상의 기여도는 특성에 대한 증착 툴의 기여도를 포함하는, 방법.
  5. 제4항에 있어서,
    특성에 대한 증착 툴의 기여도는 증착 툴에 의하여 기판에 형성된 에칭 가능한 층의 특성으로부터 유도되는, 방법.
  6. 제5항에 있어서,
    에칭 가능한 층의 특성은 에칭 가능한 층의 두께인, 방법.
  7. 제1항에 있어서,
    특성에 대한 하나 이상의 공정 장치의 하나 이상의 기여도는 특성에 대한 리소그래피 장치의 기여도를 포함하는, 방법.
  8. 제7항에 있어서,
    특성에 대한 리소그래피 장치의 기여도는 리소그래피 장치에 관련된 하나 이상의 변수의 그룹으로부터 유도되는, 방법.
  9. 제8항에 있어서,
    리소그래피 장치에 관련된 하나 이상의 변수는, 리소그래피 장치에 의한 조명의 하나 이상의 변수, 리소그래피 장치의 투영 시스템의 하나 이상의 변수, 초점, 선량, 오버레이, 리소그래피 장치의 기판 스테이지의 이동의 이동 표준 편차, 리소그래피 장치의 기판 스테이지의 이동의 이동 평균, 레이저 대역폭, 노광 지속 시간, 광학 수차, 고주파 레이저 대역폭 변화 및/또는 고주파 레이저 파장 변화에서 선택된 하나 이상의 변수를 포함하는, 방법.
  10. 제1항에 있어서,
    특성에 대한 하나 이상의 공정 장치의 하나 이상의 기여도는 특성에 대한 에칭 툴의 기여도를 포함하는, 방법.
  11. 제1항에 있어서,
    추정된 특성에 기초하여 하나 이상의 공정 장치 중 하나 이상을 조정하기 위해 수정 정보를 생성하고 출력하는 것을 더 포함하는, 방법.
  12. 제11항에 있어서,
    수정 정보는 하나 이상의 공정 장치 중 하나 이상의 공정 장치의 하나 이상의 변수를 변경하기 위하여 사용되는, 방법.
  13. 제12항에 있어서,
    하나 이상의 변수는 증착 툴의 증착 변수, 리소그래피 장치의 리소그래피 변수, 및/또는 에칭 툴의 에칭 변수를 포함하는, 방법.
  14. 제13항에 있어서,
    하나 이상의 변수는 증착 툴의 증착 변수를 포함하고 있으며, 증착 변수는 증착 툴의 증착 속도 또는 증착 툴의 작동 지속 시간을 포함하는, 방법.
  15. 제13항에 있어서,
    하나 이상의 변수는 리소그래피 장치의 리소그래피 변수를 포함하고 있으며, 리소그래피 변수는 리소그래피 장치에 의한 조명의 하나 이상의 변수, 리소그래피 장치의 투영 시스템의 하나 이상의 변수, 초점, 선량, 오버레이, 리소그래피 장치의 기판 스테이지의 이동의 이동 표준 편차, 리소그래피 장치의 기판 스테이지의 이동의 이동 평균, 레이저 대역폭, 노광 지속 시간, 광학 수차, 고주파 레이저 대역폭 변화 및/또는 고주파 레이저 파장 변화를 포함하는, 방법.
  16. 제13항에 있어서,
    하나 이상의 변수는 에칭 툴의 에칭 변수를 포함하며, 에칭 변수는 에칭 툴의 에칭 속도, 에칭 툴의 에칭 유형 또는 에칭 툴의 작동 온도를 포함하는, 방법.
  17. 제1항에 있어서,
    기판의 특성의 하나 이상의 값은 하나 이상의 공정 장치 중 하나 이상으로부터의 측정값 또는 신호로부터 결정되는, 방법.
  18. 제1항에 있어서,
    기판의 특성은 패턴의 임계 치수, 임계 치수 균일성, 오버레이, 측면 벽면 각도, 특징부 높이, 최하부 표면 기울어짐, 패턴 시프트 및/또는 기하학적 비대칭성에서 선택된 하나 이상의 특성을 포함하는, 방법.
  19. 제18항에 있어서,
    기판의 특성은 기판 상의 패턴 전체에 걸친 특성의 하나 이상의 핑거프린트 또는 기판 전체에 걸친 다수의 패턴을 포함하는 기판 전체에 걸친 특성의 하나 이상의 핑거프린트를 포함하는, 방법.
  20. 비-일시적 기록매체에 저장된 컴퓨터 프로그램으로서, 상기 컴퓨터 프로그램은 기계-독출 가능한 명령어를 포함하고, 상기 명령어는, 컴퓨터 시스템에 의해 수행될 때, 컴퓨터 시스템으로 하여금 적어도 제1항 내지 제19항 중 어느 하나의 방법을 수행하게 하도록 구성된, 컴퓨터 프로그램.
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