JP6979637B2 - 圧縮装置 - Google Patents
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Description
以上の圧縮装置のアノード流体は、アノードにおける酸化反応でプロトンを生成する流体であれば、様々な種類のガス、液体が想定される。例えば、圧縮装置が電気化学式水素ポンプである場合、アノード流体として、水素含有ガスなどを挙げることができる。また、例えば、圧縮装置が水電解装置である場合、アノード流体として、液水などを挙げることができる。そこで、以下の実施形態では、アノード流体が水素含有ガスである場合において、圧縮装置の一例である電気化学式水素ポンプの構成および動作について説明する。
図1Aおよび図2Aは、第1実施形態の電気化学式水素ポンプの一例を示す図である。図1Bは、図1Aの電気化学式水素ポンプのB部の拡大図である。図2Bは、図2Aの電気化学式水素ポンプのB部の拡大図である。
以下、電気化学式水素ポンプ100の水素圧縮動作の一例について、図面を参照しながら説明する。
カソード電極:2H++2e−→H2(高圧) ・・・(2)
このようにして、電気化学式水素ポンプ100では、電圧印加器102が上記の電圧を印加することで、アノード電極ANに供給される水素含有ガスから取り出されたプロトンを、電解質膜11を介してカソード電極CAに移動させる。すると、カソード電極CAで圧縮された水素(H2)が生成する。これにより、電気化学式水素ポンプ100の水素圧縮動作が行われ、カソード電極CAで圧縮された水素は、例えば、図示しない水素貯蔵器に一時的に貯蔵される。また、水素貯蔵器で貯蔵された水素は、適時に、水素需要体に供給される。なお、水素需要体として、例えば、水素を用いて発電する燃料電池などを挙げることができる。
第1実施例の電気化学式水素ポンプ100は、以下に説明するカソードガス拡散層14の構成以外は、第1実施形態の電気化学式水素ポンプ100と同様である。
第2実施例の電気化学式水素ポンプ100は、以下に説明するカソードガス拡散層14の構成以外は、第1実施形態の電気化学式水素ポンプ100と同様である。
第3実施例の電気化学式水素ポンプ100は、以下に説明するカソードガス拡散層14の構成以外は、第1実施形態の電気化学式水素ポンプ100と同様である。
第4実施例の電気化学式水素ポンプ100は、以下に説明するカソードガス拡散層14の構成以外は、第1実施形態の電気化学式水素ポンプ100と同様である。
図4は、第2実施形態の電気化学式水素ポンプのカソードガス拡散層の一例を示す図である。
図5Aは、第3実施形態の電気化学式水素ポンプの一例を示す図である。図5Bは、図1Aの電気化学式水素ポンプのB部の拡大図である。なお、図5Aには、平面視において電気化学式水素ポンプ100の中心と、カソードガス導出マニホールド50の中心と、を通過する直線を含む電気化学式水素ポンプ100の垂直断面が示されている。
12 :カソード触媒層
13 :アノード触媒層
14 :カソードガス拡散層
14A :第1表面層
14B :第2表面層
14C :中間層
14S :カーボン多孔体シート
15 :アノードガス拡散層
16 :カソードセパレーター
17 :アノードセパレーター
21 :絶縁体
22A :アノード給電板
22C :カソード給電板
23A :アノード絶縁板
23C :カソード絶縁板
24A :アノード端板
24C :カソード端板
25 :締結器
26 :カソードガス導出経路
27 :アノードガス導入マニホールド
29 :アノードガス導入経路
30 :アノードガス導出マニホールド
31 :アノードガス導出経路
33 :アノードガス流路
34A :第1連絡路
34B :第2連絡路
35 :第1アノードガス通過経路
36 :第2アノードガス通過経路
40 :シール部材
42 :シール部材
43 :シール部材
50 :カソードガス導出マニホールド
50A :マニホールド孔
100 :電気化学式水素ポンプ
100A :水素ポンプユニット
102 :電圧印加器
AN :アノード電極
CA :カソード電極
Claims (9)
- 電解質膜、
前記電解質膜の一方の主面に接するアノード触媒層と、
前記電解質膜の他方の主面に接するカソード触媒層と、
前記アノード触媒層に接するアノードガス拡散層と、
前記カソード触媒層に接するカソードガス拡散層と、
前記アノード触媒層および前記カソード触媒層の間に電圧を印加することで、前記アノード触媒層上に供給されたアノード流体から取り出されたプロトンを、前記電解質膜を介して、前記カソード触媒層上に移動させ、圧縮された水素を生成する圧縮装置に用いる膜・電極接合体であって、
前記カソードガス拡散層は、カーボン多孔体シートを含み、前記カソード触媒層側と反対側の第1表面層の気孔率が、前記第1表面層よりも内側の層の気孔率よりも小さい、
膜・電極接合体。 - 前記カソードガス拡散層は、前記第1表面層にカーボン粒子と樹脂を含む層が含まれる、請求項1に記載の膜・電極接合体。
- 前記カソードガス拡散層は、前記第1表面層の厚み方向の抵抗率が、前記第1表面層よりも内側の層の厚み方向の抵抗率よりも小さい、請求項1または2に記載の膜・電極接合体。
- 前記カソードガス拡散層は、前記第1表面層の体積密度が、前記第1表面層よりも内側の層の体積密度よりも大きい、請求項1から3のいずれか1項に記載の膜・電極接合体。
- 前記第1表面層よりも内側の層は、カーボン粒子と樹脂を含み、前記第1表面層よりも内側の層に含まれる前記カーボン粒子の体積密度は、前記第1表面層に含まれる前記カーボン粒子の体積密度よりも小さい、請求項2に記載の膜・電極接合体。
- 前記第1表面層の気孔率が20%以上である、請求項1から5のいずれか1項に記載の膜・電極接合体。
- 前記第1表面層よりも内側の層は、気孔率が20%以上である、請求項1から5のいずれか1項に記載の膜・電極接合体。
- 前記第1表面層は、気孔率が20%未満である、請求項7に記載の膜・電極接合体。
- 請求項1―8のいずれか1項に記載の膜・電極接合体と、前記カソードガス拡散層の第1表面層上に設けられたカソードセパレーターとを備える、
圧縮装置。
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