JP6968315B1 - 電力変換装置 - Google Patents

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Abstract

交流電源(1)と直流負荷(7)との間にリアクトル(2)、スイッチング素子(3a〜3d、5a〜5d)、第1のコンデンサ(6)、第2のコンデンサ(4)が設けられ、かつスイッチング素子(3a〜3d、5a〜5d)の動作を制御する制御器(8)を備え、制御器(8)は第1のコンデンサ(6)の電圧および第2のコンデンサ(4)の電圧を予め設定された指令値に制御しながら、直流負荷(7)に対する負荷情報に応じて、交流電源(1)の交流周期間で、スイッチング素子(3a〜3d、5a〜5d)を一定のスイッチング周波数で制御する第1の制御方式と、第1の制御方式のスイッチング周波数よりも低い周波数で制御する第2の制御方式とを切り替える。

Description

本願は、電力変換装置に関する。
従来の電力変換装置には、交流電源に対して、リアクトル、複数のスイッチング素子およびコンデンサで構成するインバータと、複数のスイッチング素子および平滑コンデンサで構成するコンバータとが順次直列に接続されたものがあり、交流電源の交流電圧と平滑コンデンサの直流電圧との間で電力変換を行う際に、インバータの1スイッチング周期内で直流コンデンサの充電および放電の動作を行い、かつ、その充電量と放電量とが等しくなるように、インバータのスイッチング素子とコンバータのスイッチング素子とを制御するものがある(例えば、下記の特許文献1参照)。
上記従来の電力変換装置では、直流コンデンサは、交流電源の長大な周期と関係なく、インバータの1スイッチング周期内でその充電量と放電量とが等しくなるよう各スイッチング素子のスイッチング動作が制御されるので、充放電量そのものが低減し、リプル電圧を抑制できるため、直流コンデンサに要求される容量が低減し、装置の小型化が実現できる。
特許第6129450号
しかしながら、上記の特許文献1に示される従来技術では、どのような負荷状態においても交流周期間に一定スイッチング周波数でPWM(Pulse Width Modulation)動作を行うため、電力変換装置で発生するスイッチング損失、ならびにリアクトルの高周波損失(鉄損、銅損)が増加し、軽負荷範囲での回路効率低下を招くという課題がある。
本願は、上記のような課題を解決するための技術を開示するものであり、負荷状態に応じて複数のスイッチング素子の全てのスイッチング回数を減らすことにより、従来に比べて電力変換装置で発生するスイッチング損失ならびにリアクトルの高周波損失(鉄損、銅損)を抑制し、広範囲で高効率な電力変換装置を提供することを目的とする。
本願に開示される電力変換装置は、交流電源と直流負荷との間には、少なくとも1つのリアクトル、複数のスイッチング素子、および第1のコンデンサが設けられるとともに、前記リアクトルと前記第1のコンデンサとの間には第2のコンデンサが設けられ、かつ、前記スイッチング素子のスイッチング動作を制御する制御器を備え、前記交流電源の交流電圧と前記第1のコンデンサの電圧との間で電力変換を行い、前記第2のコンデンサを通過する電流経路と通過しない電流経路とを切り替えて複数の電圧を出力可能な電力変換装置であって、前記制御器は、前記第1のコンデンサの電圧および前記第2のコンデンサの電圧を予め設定された指令値に制御しながら、前記直流負荷に対する負荷情報に応じて、前記交流電源の交流周期間で、前記スイッチング素子を一定のスイッチング周波数で制御する第1の制御方式と、前記第1の制御方式のスイッチング周波数よりも低い周波数で制御する第2の制御方式とを切り替えるものである。
また、本願に開示される電力変換装置は、交流電源と直流負荷との間には、少なくとも1つのリアクトル、複数のスイッチング素子、および第1のコンデンサが設けられるとともに、前記リアクトルと前記第1のコンデンサとの間には第2のコンデンサが設けられ、かつ、前記スイッチング素子のスイッチング動作を制御する制御器を備え、前記交流電源の交流電圧と前記第1のコンデンサの電圧との間で電力変換を行う電力変換装置であって、
前記制御器は、前記第1のコンデンサの電圧および前記第2のコンデンサの電圧を予め設定された指令値に制御しながら、前記直流負荷に対する負荷情報に応じて、前記交流電源の交流周期間で、前記スイッチング素子を一定のスイッチング周波数で制御する第1の制御方式と、前記第1の制御方式のスイッチング周波数よりも低い周波数で制御する第2の制御方式とを切り替えるとともに、
前記負荷情報に応じて前記制御器で行う制御動作を判定する制御動作判定器と、
前記第2のコンデンサに対する電圧指令値を演算する第2コンデンサ電圧指令値演算器と、
前記第2のコンデンサの電圧を前記第2コンデンサ電圧指令値演算器で演算された前記電圧指令値に制御する第2コンデンサ電圧制御器と、
前記第1の制御方式に基づく前記スイッチング素子の制御動作と、前記第2の制御方式に基づく前記スイッチング素子の制御動作とを行う主制御器と、
前記制御器から生成されるデューティ比とキャリア信号とから前記スイッチング素子を駆動するゲート信号を生成するゲート信号生成器と、を備え、
前記主制御器は、前記第1の制御方式に基づき昇圧動作する連続SW制御器、前記第2の制御方式に基づき昇圧動作する簡易SW昇圧制御器、および前記第2の制御方式に基づき降圧動作する簡易SW降圧制御器で構成されるものである。
さらに、本願に開示される電力変換装置は、交流電源と直流負荷との間には、少なくとも1つのリアクトル、複数のスイッチング素子、および第1のコンデンサが設けられるとともに、前記リアクトルと前記第1のコンデンサとの間には第2のコンデンサが設けられ、かつ、前記スイッチング素子のスイッチング動作を制御する制御器を備え、前記交流電源の交流電圧と前記第1のコンデンサの電圧との間で電力変換を行う電力変換装置であって、
前記制御器は、前記第1のコンデンサの電圧および前記第2のコンデンサの電圧を予め設定された指令値に制御しながら、前記直流負荷に対する負荷情報に応じて、前記交流電源の交流周期間で、前記スイッチング素子を一定のスイッチング周波数で制御する第1の制御方式と、前記第1の制御方式のスイッチング周波数よりも低い周波数で制御する第2の制御方式とを切り替えるとともに、
前記負荷情報に応じて前記制御器で行う制御動作を判定する制御動作判定器と、
前記第2のコンデンサに対する電圧指令値を演算する第2コンデンサ電圧指令値演算器と、
前記第2のコンデンサの電圧を前記第2コンデンサ電圧指令値演算器で演算された前記電圧指令値に制御する第2コンデンサ電圧制御器と、
前記第1の制御方式に基づく前記スイッチング素子の制御動作と、前記第2の制御方式に基づく前記スイッチング素子の制御動作とを行う主制御器と、
前記制御器から生成されるデューティ比とキャリア信号とから前記スイッチング素子を駆動するゲート信号を生成するゲート信号生成器と、を備え、
前記第2コンデンサ電圧指令値演算器は、前記第1のコンデンサの電圧指令値と、前記交流電源から入力される交流電圧とに基づいて前記第2のコンデンサの電圧指令値を決定し、
前記第2コンデンサ電圧指令値演算器は、前記第1のコンデンサの前記電圧指令値が前記交流電圧のピーク値以下となる条件において、交流半周期で、前記交流電圧が前記第1のコンデンサの電圧以上となる時間と、前記交流電圧が前記第1のコンデンサの電圧以下で、かつ前記第2のコンデンサの電圧以上となる時間とを一致させるべく、前記第2のコンデンサの電圧指令値を決定するものである。
本願に開示される電力変換装置によれば、直流負荷の状態に応じて複数のスイッチング素子の全てのスイッチング回数を減らすことができるため、電力変換装置で発生するスイッチング損失およびリアクトルの高周波損失(鉄損、銅損)を抑制でき、広範囲で高効率な装置を提供できる。
実施の形態1による電力変換装置の回路図である。 実施の形態1による制御器のブロック図である。 実施の形態1による交流電圧、第2コンデンサの電圧、第1コンデンサの電圧の大小関係を示す説明図である。 実施の形態1による交流電圧、第2コンデンサの電圧、第1コンデンサの電圧の大小関係を示す説明図である。 実施の形態1による連続SW動作時の主動作波形と各動作範囲におけるスイッチングパターンである。 実施の形態1による簡易SW昇圧動作時の主動作波形と各動作範囲におけるスイッチングパターンである。 実施の形態1による簡易SW昇圧動作時の他の主動作波形と各動作範囲におけるスイッチングパターンである。 実施の形態1による簡易SW降圧動作時の主動作波形と各動作範囲におけるスイッチングパターンである。 実施の形態1による簡易SW降圧動作時の他の主動作波形と各動作範囲におけるスイッチングパターンである。 実施の形態1による制御動作判定器のブロック図である。 実施の形態1による第2コンデンサ電圧指令値演算器のブロック図である。 実施の形態1による第2コンデンサ電圧制御器のブロック図である。 実施の形態1による連続SW制御器のブロック図である。 実施の形態1による動作範囲R1におけるスイッチングパターンである。 実施の形態1による動作範囲R2におけるスイッチングパターンである。 実施の形態1による動作範囲R3におけるスイッチングパターンである。 実施の形態1によるDuty合算器の動作説明に供する図である。 実施の形態1によるDuty合算器の動作説明に供する図である。 実施の形態1による簡易SW昇圧制御器のブロック図である。 実施の形態1によるSWキャリア演算器Aのブロック図である。 実施の形態1による簡易SW降圧制御器のブロック図である。 実施の形態1によるSWキャリア演算器Bのブロック図である。 実施の形態2による電力変換装置の回路図である。 実施の形態2による制御器のブロック図である。 実施の形態2による制御動作判定器のブロック図である。 実施の形態3による電力変換装置の回路図である。 実施の形態4による電力変換装置の回路図である。 実施の形態5による電力変換装置の回路図である。 実施の形態5による制御器のブロック図である。 実施の形態5による連続SW動作時の主動作波形と各動作範囲におけるスイッチングパターンである。 実施の形態5による簡易SW昇圧動作時の主動作波形と各動作範囲におけるスイッチングパターンである。 実施の形態5による簡易SW昇圧動作時の他の主動作波形と各動作範囲におけるスイッチングパターンである。 実施の形態5による各動作範囲におけるスイッチングパターンである。 実施の形態6による電力変換装置の回路図である。 実施の形態における制御器のハードウエアの一例を示す図である。
実施の形態1.
図1は、実施の形態1による電力変換装置の回路図である。
この実施の形態1の電力変換装置100は、単相の交流電源1の交流電圧、交流電力を直流電圧、直流電力に変換して負荷7に出力するための主回路、および主回路を制御する制御器8を備える。そして、主回路は、交流電源1と第1コンデンサ6との間に、リアクトル2、単相インバータ3、および単相コンバータ5が順次接続されて構成されている。
上記の単相インバータ3は、一対の半導体スイッチング素子3a、3bが直列接続された第1レグと、一対の半導体スイッチング素子3c、3dが直列接続された第2レグ、および第1レグと第2レグの間にあって第1レグおよび第2レグに並列に接続された第2コンデンサ4を備える。
また、上記の単相コンバータ5は、一対の半導体スイッチング素子5a、5bが直列接続された第3レグ、および一対の半導体スイッチング素子5c、5dが直列接続された第4レグを備え、第3レグおよび第4レグが互いに並列に接続されて構成されている。
リアクトル2は、交流電源1のP母線と単相インバータ3の第1レグの中点との間に接続されている。また、単相コンバータ5の第3レグの中点と単相インバータ3の第2レグの中点とが接続され、単相コンバータ5の第4レグの中点と交流電源1のN母線とが接続されている。また、第1コンデンサ6は、単相コンバータ5の第3レグおよび第4レグの上端と、負荷7とがP側端子に接続され、また単相コンバータ5の第3レグおよび第4レグの下端と、負荷7とがN側端子に接続されている。
なお、単相インバータ3および単相コンバータ5に用いられる半導体スイッチング素子は、ダイオードが逆並列に接続されたIGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)、あるいはソース・ドレイン間にダイオードが接続されたMOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)、あるいはカスコード型のGaN−HEMT(Gallium nitride−High Mobility Transistor)などを用いることが好ましい。また、帰還ダイオードは、IGBT、MOSFET、あるいはGaN−HEMTに内蔵されたダイオードを用いても良く、外付けに別途ダイオードを設けても良い。負荷7は、抵抗負荷、蓄電池負荷の他に、図示しないインバータを介して接続されるモータあるいは圧縮機を負荷としてもよい。また、第1コンデンサ6と第2コンデンサ4は、アルミ電解コンデンサ、あるいはフィルムコンデンサなどで構成することができる。
交流電源1の交流電圧Vac、第1コンデンサ6の電圧(以下、出力電圧ともいう)Vdc、第2コンデンサ4の電圧Vsubが、それぞれ電圧センサ(図示省略)により検出されて制御器8に入力される。さらに、交流電源1の交流電流iacが電流センサ(図示省略)により検出されて制御器8に入力される。
制御器8では、上記センサで検出されて入力される負荷情報(すなわち、上記の電圧情報および電流情報)に基づいて、単相インバータ3のゲート信号G3a、G3b、G3c、G3d、および単相コンバータ5のゲート信号G5a、G5b、G5c、G5dを生成して電力変換装置100を制御する。
図2は、実施の形態1による制御器のブロック図である。
制御器8は、制御動作判定器9、第2コンデンサ電圧指令値演算器10(図2では電圧指令値演算器10と略している)、第2コンデンサ電圧制御器11(図2では電圧制御器11と略している)、主制御器12、およびゲート信号生成器16で構成される。
ここに、制御動作判定器9は、負荷情報、すなわち交流電圧Vacと出力電圧Vdcとの大小関係、および交流電圧Vacと交流電流iacとから演算される入力電力の情報に応じて、主制御器12で行う制御動作を選択する制御選択信号SelectSignal(図2ではSSと略している)を出力する。
第2コンデンサ電圧指令値演算器10は、交流電圧Vacおよび第1コンデンサ6の電圧指令値(以下、出力電圧指令値ともいう)Vdc*から動作状態に応じた第2コンデンサ4の電圧指令値Vsub*を演算して出力する。
第2コンデンサ電圧制御器11は、第2コンデンサ4の電圧Vsubをその電圧指令値Vsub*になるように制御する制御信号DutyVsubを演算して出力する。なお、以下、制御目標となる指令値には*印を付す。
主制御器12は、連続スイッチング制御器13、簡易スイッチング昇圧制御器14、および簡易スイッチング降圧制御器15の3つで構成される。なお、本願では、スイッチングをSWと略して使用することがあり、特に、連続スイッチング制御器13は連続SW制御器13と、簡易スイッチング昇圧制御器14は簡易SW昇圧制御器14と、簡易スイッチング降圧制御器15は簡易SW降圧制御器15と略して使用する。
主制御器12は、制御動作判定器9から入力される制御選択信号SSによって、上記の3つの制御器13、14、15の内、いずれの制御器で制御を行うかを決定する。そして、前述のセンサで検出された電圧情報および電流情報Vac、Vdc、Vsub、iac、ならびに第2コンデンサ電圧制御器11で演算された制御信号DutyVsubに基づいて、力率制御および電圧制御を担うデューティ比信号Dutytotal、およびこのデューティ比信号Dutytotalとの比較を行うキャリア信号Carrierを生成する。
また、ゲート信号生成器16は、デューティ比信号Dutytotalおよびキャリア信号CarrierからPWM(Pulse Width Modulation)制御によりゲート信号を演算し、単相インバータ3の半導体スイッチング素子3a〜3d、および単相コンバータ5の半導体スイッチング素子5a〜5dの各ゲートをON/OFFするゲート信号3a〜3d、5a〜5dを出力する。
次に、この実施の形態1による電力変換装置100の動作を説明する。
電力変換装置100は、交流電源1から入力される交流電流iacを単相インバータ3と単相コンバータ5が互いに協調しながらスイッチングすることで、リアクトル2に流れる交流電流iacを高力率に制御しながら電圧を昇圧あるいは降圧し、第1コンデンサ6により電力を平滑化して負荷7に直流電力を供給する。
特に、この実施の形態1では、主制御器12を構成する連続SW制御器13、簡易SW昇圧制御器14、および簡易SW降圧制御器15により、連続SW制御、簡易SW昇圧制御、および簡易SW降圧制御の3つの制御動作が行われる。
なお、連続SW制御器13による連続SW制御が、請求の範囲における第1の制御方式に、また、簡易SW昇圧制御器14による簡易SW昇圧制御、および簡易SW降圧制御器15による簡易SW降圧制御が、請求の範囲における第2の制御方式にそれぞれ対応している。
まず、各制御動作の動作概要について図3を用いて説明する。
図3A、Bには系統半周期中の交流電圧Vac、第2コンデンサ4の電圧Vsub、第1コンデンサ6の電圧(出力電圧)Vdcの大小関係を示している。図3Aは昇圧時の波形を、図3Bは降圧時の波形を示す。この実施の形態1による電力変換装置100では、昇圧時には符号R1とR2の2つの動作範囲が、降圧時には符合R1、R2、R3で示す3つの動作範囲が存在し、それぞれの範囲においてスイッチングパターンを切り替えながら動作する。なお、昇圧時と降圧時において同一符合では同じ動作となる。
図4は連続SW動作時の主動作波形と各動作範囲におけるスイッチングパターンである。
連続SW制御では、数kHz以上のスイッチング周波数でゲート駆動する動作となり、交流電流iacは力率「1」に近い正弦波状の波形となる。図4は、動作範囲R1と動作範囲R2での1スイッチング周期におけるゲート信号波形をそれぞれ示す。単相インバータ3においては第1のレグと第2のレグが駆動周期の半周期分ずれてスイッチングし、単相コンバータ5においては第4のレグはスイッチングを行わず、第3のレグがスイッチングする。各レグの上下のスイッチング素子のゲート信号は反転の関係になる。
このようにスイッチングすることで、各スイッチング素子が1回スイッチングを行う間にリアクトル2が2回励磁と消磁を行い、第2コンデンサ4の充放電がそれぞれ1回行われる。これにより、第2コンデンサ4は、スイッチング周期の時定数で充放電が行われるため、小容量のコンデンサで構成できる。なお、単相コンバータ5の第4のレグにおいて、並列のダイオードに通流するタイミングでゲート信号をONさせ、同期整流動作を行っても良い。
なお、図中、VG3a〜VG3dは単相インバータ3の各スイッチング素子3a〜3dのゲートに加えるゲート信号G3a〜G3dの電圧を示し、VG5a〜VG5dは単相コンバータ5の各スイッチング素子5a〜5dのゲートに加えるゲート信号G5a〜G5dの電圧を示す。また、Csubは第2コンデンサ4の容量、Chgは充電状態、DisChgは放電状態を示す(以下の図でも同じ)。
連続SW制御は、他の2つの制御、すなわち、簡易SW昇圧制御および簡易SW降圧制御と異なり、数kHz以上のPWM制御となるため、高昇圧で動作させることができる。そのため、連続SW制御動作は、大電流となる重負荷の条件、あるいは高昇圧比が必要な動作条件において有効となる制御である。
なお、図4に示したゲート信号のパターンは一例であり、各スイッチング素子が1回スイッチングを行う間にリアクトル2が2回励磁と消磁を行い、第2コンデンサ4の充放電がそれぞれ1回行う動作となるスイッチングパターンであれば良く、図4に示すスイッチングパターンに限定されない。
図5および図6は簡易SW昇圧動作時の主動作波形と各動作範囲におけるスイッチングパターンである。
簡易SW昇圧制御では、交流半周期内で数回のみスイッチングする動作となり、スイッチング回数が連続SW制御よりも少ないために力率は低下するが、高周波駆動に伴う損失は大幅に低減できる。簡易SW昇圧制御では、入力電力の条件に応じて動作範囲R1でスイッチングする動作とスイッチングしない動作とを行う。図5が動作範囲R1でスイッチングする動作であり、図6が動作範囲R1でスイッチングしない動作である。電力が小さい場合、動作範囲R2のみのスイッチングで十分に力率を確保できるが、電力が大きくなった場合、動作範囲R2のみのスイッチングでは電流ピークが増大し、力率の悪化および損失の増加が引き起こされる。
簡易SW昇圧制御の場合においても、単相インバータ3の第1のレグと第2のレグ、および単相コンバータ5の第3のレグがスイッチングを行い、第4のレグはスイッチングを行わず、各レグの上下のスイッチング素子のゲート信号が反転の関係になる。なお、連続SW制御の場合と同様に、単相コンバータ5の第4のレグにおいて、並列のダイオードに通流するタイミングでゲート信号をONさせ、同期整流動作を行っても良い。
簡易SW昇圧制御では、動作範囲R1と動作範囲R2で、ユーザが指定したスイッチング回数で第1コンデンサ6の電圧Vdcが指令値に追従するオン時間だけゲート信号をONする動作となる。指定回数をスイッチングした後は、第2コンデンサ4で充放電が発生しないように、交流電源1と負荷7をつなぐ経路を形成し、リアクトル2と第1コンデンサ6との自由共振動作となる。
なお、図5、図6に示したゲート信号のパターンは1例であり、各スイッチング素子が1回スイッチングを行う間にリアクトル2が2回励磁と消磁を行い、第2コンデンサ4の充放電がそれぞれ1回行う動作となるパターンであれば良く、図5、図6に示したパターンに限定されない。また、ユーザが設定するスイッチング回数は何回でもよく、スイッチング回数が多ければ力率が1に近づくが、回路損失は増加するというトレードオフの関係が成り立つ。
図7および図8は簡易SW降圧動作時の主動作波形と各動作範囲におけるスイッチングパターンである。
簡易SW降圧制御では、簡易SW昇圧制御と同様に、交流半周期内で数回のみスイッチングする動作となり、スイッチング回数が少ないため高周波駆動に伴う損失は大幅に低減できる。また、簡易SW降圧制御では、第1コンデンサ6の電圧Vdcの降圧比に応じて動作範囲R1でスイッチングする動作の場合と、スイッチングしない動作の場合とを選択することができる。図7が動作範囲R1でスイッチングする動作であり、図8が動作範囲R1でスイッチングしない動作である。降圧比が小さい場合、動作範囲R2のみのスイッチングで十分力率と電圧一定制御を行うことができるが、降圧比が大きくなった場合、動作範囲R2のみでは電圧一定制御が正常に動作しなくなる。
簡易SW降圧制御の場合においても、単相インバータ3の第1のレグと第2のレグ、および単相コンバータ5の第3のレグがスイッチングを行い、第4のレグはスイッチングを行わず、各レグの上下のスイッチング素子のゲート信号が反転の関係になる。なお、連続SW制御と同様に、単相コンバータ5の第4のレグにおいて、並列のダイオードに通流するタイミングでゲート信号をONさせ、同期整流動作を行っても良い。
簡易SW降圧制御では、連続SW制御および簡易SW昇圧制御の場合と異なり、動作範囲R3が存在する。動作範囲R3では、Vac>Vdc>Vsubの条件下で、各スイッチング素子が1回スイッチングを行う間にリアクトル2が1回励磁と消磁を行いながら第2コンデンサ4が1回充放電するスイッチングパターンで駆動する必要がある。そのため、動作範囲R1、R2と比べ、スイッチング回数が2倍必要となる。したがって、簡易SW降圧制御では、動作範囲R1と動作範囲R2の合計の充放電回数が動作範囲R3の充放電回数と等しくなる必要がある。
図7に示した動作範囲R1でスイッチング動作する場合では、動作範囲R1と動作範囲R2とでそれぞれ1回スイッチングすると、交流半周期で最小のスイッチング回数が8回となり、ユーザが設定できる回数は8の倍数となる。また、図8に示した動作範囲R1でスイッチングしない動作の場合では、最小のスイッチング回数が4回であり、ユーザが設定できる回数は4の倍数となる。上記のようにスイッチング回数を8回とした場合、スイッチング周波数は400Hzとなり、連続SW制御で動作させる場合よりも高周波損失を低減することができる。
なお、図7および図8に示したゲート信号のパターンは1例であり、動作範囲R1と動作範囲R2においては、各スイッチング素子が1回スイッチングを行う間にリアクトル2が2回励磁とリセットを行い、第2コンデンサ4の充放電がそれぞれ1回行う動作となるパターンであればよい。また、ユーザが設定するスイッチング回数は、動作範囲R1でスイッチングする動作の場合では8の倍数であれば何回でもよく、動作範囲R1でスイッチングしない動作の場合では4の倍数であれば何回でもよい。スイッチング回数が多ければ力率が1に近づくが、回路損失は増加するというトレードオフの関係が成り立つ。
次に、この実施の形態1による制御器8の構成および動作を説明する。
図9は制御動作判定器9のブロック図である。
制御動作判定器9には、図示しないセンサで検出された交流電圧Vac、第1コンデンサ6の電圧(出力電圧)Vdc、および交流電流iacが入力される。制御動作判定器9の領域判定器17は、交流電圧Vacに対して出力電圧Vdcが昇圧なのか降圧なのかを判定する。また、SW動作判定器18は、電力変換装置100による動作電力を演算し、ユーザが事前に定めた電力値との比較を行い、連続SW動作制御を行うか、あるいは簡易SW動作制御を行うかを判定する。そして、各信号の合算により得られる制御選択信号SelectSignalを主制御器12に出力する。なお、図9において、RMSは実効値、SQRT2は2の平方根を表している。
図10は、第2コンデンサ電圧指令値演算器10のブロック図である。
第2コンデンサ電圧指令値演算器10は、交流電圧Vacと出力電圧指令値Vdc*の動作状態に応じて、第2コンデンサ4の電圧指令値Vsub*を演算する。交流電圧Vacと出力電圧指令値Vdc*の関係は図3に示す通りであり、大きく分けて図3A、または図3Bの2パターンとなる。
すなわち、図3Aでは、常にVsub*=Vdc*/2となるように設定する。図3Bでは、交流電圧Vacと出力電圧指令値Vdc*の大小関係から、動作範囲R3の期間と動作範囲R2の期間が等しくなるように第2コンデンサ4の電圧指令値Vsub*を設定する。
この実施の形態1の電力変換装置は、出力電圧指令値Vdc*が交流電圧Vacの実効値と同じとなる条件が降圧限界となるため、第2コンデンサ4の電圧指令値Vsub*の下限値は交流電圧Vacの実効値の半分となる。
このように、降圧動作時に第2コンデンサ4の電圧指令値Vsub*を可変させることによって、動作範囲R2と動作範囲R3のみでスイッチングする動作を行う場合、Vsub*=Vdc*/2の条件式よりも力率改善効果を上げることができる。
図10の動作範囲R3周期演算器19では、次の式(1)の演算を行う。また、Vsubref演算器20では、次の式(2)の演算を行う。ここで、ω=2π・facであり、facは交流電源の周波数である。なお、図10において、÷は除算器、MUXはマルチプレクサを表している。
T3=1/ω・arcsin(Vdc*/√2Vac) (1)
Vsubref=Vdc*−√2Vac・sin(ω・T3) (2)
図11は、第2コンデンサ電圧制御器11のブロック図である。
第2コンデンサ電圧制御器11は、図外のセンサで検出した第2コンデンサ4の電圧Vsubと、第2コンデンサ電圧指令値演算器10で演算された第2コンデンサ4の電圧指令値Vsub*とから、両者の偏差を演算し、比例積分制御(PI制御)により第2コンデンサ4の電圧指令値Vsub*に追従するように制御を行う。なお、図11において、PIは比例積分制御器、÷は除算器を表している。
主制御器12は、連続SW制御器13、簡易SW昇圧制御器14、簡易SW降圧制御器15の3つで構成される。そして、制御動作判定器9から出力される制御選択信号SelectSignalに基づいて、3つの制御動作を切り替えながら、各制御動作に対応したデューティ比信号Dutytotal、およびこのデューティ比信号Dutytotalとの比較を行うキャリア信号Carrierを生成し、ゲート信号生成器16に出力する。
図12は、連続SW制御器13のブロック図である。
連続SW制御器13は、制御選択信号SelectSignalとして、昇圧連続スイッチング動作に対応した信号が入力された場合に動作する。
連続SW制御器13は、検出した第1コンデンサ6の電圧Vdc、および第1コンデンサ6の電圧指令値Vdc*から、両者の偏差を演算して比例積分制御器(PI制御器)にて比例積分制御(PI制御)を行い、交流電流指令値Iac*を出力する。交流電流指令値Iac*に交流電圧VacからPLL(Phased locked Loop)回路を介して得たPLL波形を乗算し、交流電流指令値の瞬時値iac*を求め、検出した交流電流iacとの偏差を比例制御器(P制御器)で比例制御(P制御)する。ここで、FFDuty演算器21で求められる理論デューティ比DutyPFCFFを加算することで、力率制御デューティ比DutyPFCを演算する。その後、Duty合算器22において第2コンデンサ電圧制御器11で演算して出力される制御信号DutyVsubと加算、あるいは減算を行い、デューティ比信号Dutytotalとしてゲート信号生成器16に出力する。
FFDuty演算器21では、動作範囲判定器23で求めた動作範囲条件に応じて演算する式を選択する。また、連続SW制御器13では、キャリア信号Carrierは固定値となるため、ユーザが設定した周波数のノコギリ波、あるいは三角波となる。また、FFDuty演算器21では、1スイッチング周期内で交流電流iacが2回増減を行い、第2コンデンサ4が充電と放電を1回ずつ行うスイッチングパターンでの理論デューティ比DutyPFCFFを演算する。
フィードフォワード(FF;Feed Forawd)制御を制御デューティに加えることで、高力率制御の応答性を向上させることが可能となる。この実施の形態1の電力変換装置100では動作範囲に応じて制御デューティを切り替える動作を行うため、フィードフォワード制御を入れることで切り替え時の急峻な変化を抑制できる。
この実施の形態1の電力変換装置100における理論デューティ比DutyPFCFFの1例を下記の式(3)から式(6)に示す。また、図13A、B、Cにこの実施の形態1の各動作範囲R1〜R3におけるスイッチングパターンを示す。
図13Aの動作範囲R1では、パターンA1、B1、D1、E1、F1の5つがあり、図13Bの動作範囲R2では、パターンA2、B2、C2、D2、F2の5つがある。また、図13Cの動作範囲R3では、パターンA3、B3、C3、F3の4つがある。
式(3)は図4を参照して動作範囲R1のパターンA1とE1で構成される動作、式(4)は図4を参照して動作範囲R1のパターンA1とF1で構成される動作、式(5)は図4を参照して動作範囲R2のパターンC2とD2で構成される動作、式(6)は図4を参照して動作範囲R2のパターンB2とD2で構成される動作となる。
なお、スイッチングパターンは、1スイッチング周期内で交流電流iacが2回増減を行い、第2コンデンサ4が充電と放電を1回ずつ行うものであれば何でもよい。
DutyPFCFF1=(Vsub−Vac)/Vsub (3)
DutyPFCFF2=(Vdc−Vac−Vsub)/(Vdc−Vsub)(4)
DutyPFCFF3=(Vdc−Vac)/Vsub (5)
DutyPFCFF4=(Vdc−Vac)/(Vdc−Vsub) (6)
図14Aおよび図14Bは、図12の連続SW制御器13を構成するDuty合算器22の動作説明に供する図である。
Duty合算器22では、前述の演算で得られた力率制御デューティ比DutyPFCと第2コンデンサ電圧制御器11で演算された制御信号DutyVsubとを加減算し、デューティ比信号Dutytotalとして次段のゲート信号生成器16に出力する。
動作範囲判定器23では、検出してきた交流電圧Vac、第1コンデンサ6の電圧Vdc、第2コンデンサ4の電圧Vsubの大小関係からR1からR3の動作を判定し、FFDuty演算器21に信号を出力する。
図14Aには動作範囲R1の動作例を、図14Bには動作範囲R2の動作例を示す。図のようなタイミングで力率制御デューティ比DutyPFCと制御信号DutyVsubを足し引きすることで、1スイッチング周期におけるDutyPFCの変化量を変えず、第2コンデンサ4の充放電量を可変し、第2コンデンサ4の電圧を一定に制御することが可能となる。
連続SW制御では、数kHz以上のスイッチング動作により制御を行うため、昇圧比を大きくとることが可能であり、第1コンデンサ6の電圧Vdcを高昇圧化できる。負荷7がインバータとモータおよび圧縮機で構成される場合には、第1コンデンサ6の電圧Vdcが高いほど、インバータの変調率を上げることができ、インバータあるいはモータ・圧縮機の損失を低減でき、システムとして高効率化が実現できる。
図15は、簡易SW昇圧制御器14のブロック図である。
簡易SW昇圧制御器14は、制御選択信号SelectSignalとして、昇圧簡易スイッチング動作に対応した信号が入力された場合に動作する。
簡易SW昇圧制御器14は、センサで検出した第1コンデンサ6の電圧Vdc、および第1コンデンサ6の電圧指令値Vdc*から、両者の偏差を演算し、比例積分器(PI器)で比例積分制御(PI制御)を行った後に規格化することで、出力電圧Vdcを制御するのに必要となるデューティ比を演算する。
すなわち、まず、オン時間演算器24は、デューティ比から交流半周期におけるオン時間Tonを演算し、その内、動作範囲R1での割合分TSW1を、ゲインKと動作範囲R1のSW回数を掛ることで導出する。ここで、ゲインKは0から1の範囲で、力率を考慮しながらユーザが任意に設定する。なお、事前にテーブルを持って置き、負荷条件に応じて可変してもよい。
SWキャリア演算器A25は、動作範囲R1でのキャリア信号Carrier1、および動作範囲R2でのキャリア信号Carrier2を生成し、ゲート信号生成器16に出力する。なお、キャリア信号Carrier1およびCarrier2は、ノコギリ波でも三角波でもよい。
ここで、SWキャリア演算器A25に入力される動作範囲R1のスイッチング数N1は、入力電力に応じてマルチプレクサ(MUX)で「0」か「1」かを判定する。入力電力が所定の値以上の場合、動作範囲R1でスイッチングを行わないと力率が悪化し、回路損失が低下する。スイッチング回数N1が「0」の場合、図6で示した動作となり、「1」の場合、図5で示した動作となる。動作範囲R2のスイッチング回数N2、およびディレイ時間Tdl2は、力率を考慮しながらユーザが任意に設定する。なお、事前にテーブルを持って置き、負荷条件に応じて可変してもよい。
簡易SW昇圧制御動作では、動作範囲R1のデューティ比は、その動作範囲の割合TSW1およびそのキャリア信号Carrier1から求めることができ、動作範囲R2のデューティ比は、Duty合算器22において固定値0.5となる力率制御デューティ比DutyPFC、およびその制御信号DutyVsubを加算、あるいは減算したデューティ比信号Dutytotalとしてゲート信号生成器16に出力する。Duty合算器22の動作は、連続SW制御のものと同様となる。なお、図15において、MUXはマルチプレクサを表している。
図16は、簡易SW昇圧制御器14を構成するSWキャリア演算器A25のブロック図である。
SWキャリア演算器A25は、動作範囲R1・SWキャリア演算器A26、および動作範囲R2・SWキャリア演算器A27からなる。そして、SWキャリア演算器A25は、各動作範囲R1、R2のスイッチング回数N1、N2、および動作範囲R2におけるスイッチングディレイ時間Tdl2に基づいて各動作範囲R1、R2でのキャリア信号Carrier1およびキャリア信号Carrier2を生成する。
すなわち、動作範囲R1・SWキャリア演算器A26は、動作範囲R1のスイッチング周期T1を求め、その後、周期をノコギリ波、あるいは三角波へと変更し、キャリア信号Carrier1として出力する。スイッチング周期T1は、下記の式(7)の演算を行うことで算出される。ここでN1は動作範囲R1で行うスイッチング回数であり、「0」か「1」である。
T1=N1/ω・arcsin(Vsub*/√2Vac) (7)
また、動作範囲R2・SWキャリア演算器A27では、動作範囲R2におけるスイッチング周期TSW2を下記の式(8)にて求め、SWキャリアに変更する。その後、ユーザが設定した動作範囲R2のディレイ時間Tdl2を入れたSWキャリアをキャリア信号Carrier2として出力する。ここで、N2は動作範囲R2で行うスイッチング回数であり、「1」以上の整数である。
TSW2=2・(Ton−TSW1)/N2 (8)
簡易SW昇圧制御は、連続SW動作よりもスイッチング回数が圧倒的に少ないため、昇圧比が低くなる。そのため、電力変換装置の負荷条件として低昇圧条件の場合に選択される制御となる。また、簡易SW昇圧制御では交流半周期においてSW回数が数回のみとなるため、半導体素子ならびにリアクトルの損失を大幅に低減することができる。
図17は、簡易SW降圧制御器15のブロック図である。
簡易SW降圧制御器15は、制御選択信号SelectSignalとして、降圧簡易スイッチング動作に対応した信号が入力された場合に動作する。
簡易SW降圧制御器15は、検出した第1コンデンサ6の電圧Vdcおよび第1コンデンサ6の電圧指令値Vdc*から、両者の偏差を演算し、比例積分器(PI制御器)で比例積分制御(PI制御)を行った後に規格化することで、出力電圧Vdcを制御するのに必要となるデューティ比を演算する。その後、連続SW制御器13と同様に、FFDuty演算器21から得られる理論デューティ比DutyPFCFFを加算することで、力率制御デューティ比DutyPFCを求める。そして、力率制御デューティ比DutyPFCと制御信号DutyVsubをDuty合算器22で加減算し、デューティ比信号Dutytotalとしてゲート信号生成器16に出力する。
Duty合算器22の動作は、連続SW制御器13と同様となるため省略する。
SWキャリア演算器B28は、第1コンデンサ6の電圧Vdc、交流電圧Vac、後述の動作範囲R1のスイッチング判定信号Sj1、および動作範囲R3のスイッチング回数N3を用いて、各動作範囲におけるキャリア信号を演算し、動作範囲判定器23からの出力信号を用いて、マルチプレクサ(MUX)各動作範囲におけるキャリア信号Carrierをゲート信号生成器16に出力する。
ここで、動作範囲R1のスイッチング判定信号Sj1は、第1コンデンサ6の電圧指令値Vdc*に応じてマルチプレクサ(MUX)で「0」か「1」かを判定したものであり、動作範囲R1でスイッチングするモードと、スイッチングしないモードを切り替える。上記電圧指令値Vdc*が所定の値以下の場合、動作範囲R1でスイッチングを行わないと、電圧一定制御の悪化が発生する。スイッチング判定信号Sj1が「0」の場合、図8で示した動作となり、「1」の場合は、図7で示した動作となる。動作範囲R3のスイッチング回数N3は、力率考慮しながらユーザが任意に設定する。なお、事前にテーブルを持って置き、負荷条件に応じて可変してもよい。
図18は、簡易SW降圧制御器15を構成するSWキャリア演算器B28のブロック図である。
SWキャリア演算器B28は、動作範囲R1・SWキャリア演算器B29、動作範囲R2・SWキャリア演算器B30、および動作範囲R3・SWキャリア演算器31からなる。そして、動作範囲R1のスイッチング判定信号Sj1、および動作範囲R3のスイッチング回数N3に基づいてキャリア信号Carrier1、キャリア信号Carrier2、キャリア信号Carrier3をそれぞれ生成する。
すなわち、動作範囲R1・SWキャリア演算器B29は、動作範囲R1の周期T1およびスイッチング周期TSW1を求め、その後、周期をノコギリ波、あるいは三角波へと変更し、キャリア信号Carrier1として出力する。上記の周期T1は下記の式(9)で、またスイッチング周期TSW1は、下記の式(10)の演算を行って求める。ここで、Sj1は動作範囲R1のスイッチング判定信号であり、「0」または「1」となる。N3は動作範囲R3のスイッチング回数であり、動作範囲R1でスイッチングを行う場合は「4」の倍数の整数、動作範囲R1でスイッチングを行わない場合は「2」の倍数の整数である。
T1=1/ω・arcsin(Vsub*/√2Vac) (9)
TSW1=Sj1・N3/4・T1 (10)
また、動作範囲R2・SWキャリア演算器B30は、動作範囲R2の周期T2およびスイッチング周期TSW2を求め、その後、周期をノコギリ波、あるいは三角波へと変更し、キャリア信号Carrier2として出力する。周期T2は、下記の式(11)で求め、また、スイッチング周期TSW2は、下記の式(12)、あるいは式(13)の演算を行って求める。ここで、式(12)は動作範囲R1のスイッチング判定信号が「1」の場合に用いるものであり、式(13)は動作範囲R1のスイッチング判定信号が「0」の場合に用いるものである。
T2=1/ω・arcsin(Vdc/√2Vac)−T1 (11)
TSW2=N3/4・T2 (12)
TSW2=N3/2・T2 (13)
また、動作範囲R3・SWキャリア演算器B31は、動作範囲R3のスイッチング周期TSW3を求め、その後、周期をノコギリ波、あるいは三角波へと変更し、キャリア信号Carrier3として出力する。スイッチング周期TSW3は、下記の式(14)の演算を行って求める。
TSW3={1/(2・fac)−2・(T1+T2)}/N3(14)
簡易SW降圧制御では、簡易SW昇圧制御と同様に、交流半周期においてスイッチング回数が数回のみとなるため、半導体素子およびリアクトルの損失を大幅に低減することができる。
ゲート信号生成器16は、デューティ比信号Dutytotalとキャリア信号CarrierからPWM(Pulse Width Modulation)制御によりゲートパルスを演算し、各動作範囲に応じたゲート信号を単相インバータ3の半導体スイッチング素子3a〜3dと単相コンバータ5の半導体スイッチング素子5a〜5dに出力する。
以上のように、この実施の形態1では、負荷状態に応じて、交流半周期中に一定スイッチング周波数で力率および電圧制御する連続SW制御、交流半周期中に数回のスイッチングのみで力率および電圧制御する簡易SW昇圧制御、および簡易SW降圧制御を選択して動作させることで、第2コンデンサ4の容量は、従来技術同様に小容量のものを採用しながら、従来技術に比べて広範囲で回路損失を低減することが可能となる。
実施の形態2.
図19は、実施の形態2による電力変換装置200を示す回路図、図20はこの電力変換装置200における制御器32のブロック図であり、実施の形態1と対応もしくは相当する構成部分には同一の符合を付す。
この実施の形態2の電力変換装置200の主回路構成は、実施の形態1の電力変換装置100と基本的に同じである。また、制御器32の構成要素についても、実施の形態1の制御器8と同様であるが、制御器32を構成する制御動作判定器33が実施の形態1の場合と異なっている。したがって、制御動作判定器33以外の構成部分については、ここでは詳しい説明は省略する。
図21は、制御動作判定器33のブロック図である。
制御動作判定器33は、交流電圧Vacと出力電圧Vdcの大小関係、および出力電圧Vdcの大きさに応じて、主制御器12で行う制御を選択するための制御選択信号SelectSignal(図21ではSSと略している)を出力する。
すなわち、制御動作判定器33は、交流電圧Vacと出力電圧Vdcが入力され、領域判定器17において、交流電圧Vacに対して出力電圧Vdcが昇圧なのか、あるいは降圧なのかを判定する。また、SW動作判定器34において、出力電圧Vdcに対してユーザが事前に定めた値との比較を行い、連続SW動作か、簡易SW降圧動作か、あるいは簡易SW昇圧動作かを判定する。各信号の合算により得られる制御選択信号SelectSignalを主制御器12に出力する。
なお、制御動作判定器33以外の構成部分の動作については、実施の形態1と同様であるため、ここでは説明は省略する。また、電力変換装置300の主な動作は、実施の形態1による電力変換装置100と同様となるため、説明は省略する。
以上より、この実施の形態2による電力変換装置200は、制御動作判定器33による制御動作の判定を出力電圧Vdcに基づいて行うため、同じ電力条件下で出力電圧Vdcを可変する動作を行う電力変換装置に対して、有効な効果を発揮することができる。
実施の形態3.
図22は、この実施の形態3による電力変換装置300を示す回路図であり、実施の形態1と対応もしくは相当する構成部分には同一の符合を付す。
この実施の形態3の特徴は、実施の形態1と比較すると、単相コンバータ5の構成が異なっていることである。すなわち、この実施の形態3の単相コンバータ5は、ダイオード5aaと半導体スイッチング素子5bとが直列接続されてなる第3レグと、ダイオード5ccと半導体スイッチング素子5dとが直列接続されてなる第4レグを備え、これら第3レグおよび第4レグが互いに並列に接続されているものである。
そして、単相コンバータ5の第3レグの中点と単相インバータ3の第2レグの中点とが接続され、単相コンバータ5の第4レグの中点と交流電源1のN母線とが接続されている。また、第1コンデンサ6は、単相コンバータ5の第3レグと第4レグの上端と負荷7とが、そのP側端子に接続され、単相コンバータ5の第3レグと第4レグの下端と負荷7とが、そのN側端子に接続されている。
制御器35の構成は、前記実施の形態1による電力変換装置100の制御器8の構成を採用してもよく、前記実施の形態2による電力変換装置200の制御器32の構成を採用してもよい。
なお、その他の構成部分は、実施の形態1と同じであるので、ここでは詳しい説明は省略する。また、電力変換装置300の主な動作は、実施の形態1による電力変換装置100と同様となる。さらに、制御器35の動作は、実施の形態1の制御器8、もしくは、実施の形態2の制御器32と同様の動作となるため、説明は省略する。
以上のように、この実施の形態3による電力変換装置300は、単相コンバータ5の上アームにダイオード5aa、5ccが使用されているので、同期整流動作が不可能となるが、スイッチング時のリカバリ特性が向上するため、スイッチング損失の低減、ならびに回路の安定駆動が可能となる。
実施の形態4.
図23は、実施の形態4による電力変換装置400の回路図であり、実施の形態1と対応もしくは相当する構成部分には同一の符合を付す。
この実施の形態4の電力変換装置400は、単相の交流電源1の交流電圧、交流電力を直流電圧、直流電力に変換して負荷7に出力するための主回路、および制御器37を備える。そして、主回路は、交流電源1と第1コンデンサ6との間に互いに直列に接続された単相インバータ3、単相コンバータ5、ダイオードブリッジ36、およびリアクトル2から構成されている。
上記の単相インバータ3は、ダイオード3aaと半導体スイッチング素子3bとが直列接続された第1レグ、および半導体スイッチング素子3cとダイオード3ddとが直列接続された第2レグ、および第1レグおよび第2レグの間にあって第1レグおよび第2レグに並列に接続された第2コンデンサ4を備える。
また、単相コンバータ5は、ダイオード5aaと半導体スイッチング素子5bとが直列接続された第3レグと、ダイオード5ccとダイオード5ddとが直列接続された第4レグを備え、第3レグと第4レグとが互いに並列に接続されて構成されている。
ダイオードブリッジ36は、交流電源1とリアクトル2の間に接続されている。また、リアクトル2は、ダイオードブリッジ36の上側の出力端子と単相インバータ3の第1レグの中点との間に接続されている。
そして、単相コンバータ5の第3レグの中点と単相インバータ3の第2レグの中点が接続され、単相コンバータ5の第4レグの中点とダイオードブリッジ36の下側出力端子とが接続されている。また、第1コンデンサ6は、単相コンバータ5の第3レグと第4レグの上端と負荷7とが、そのP側端子に接続され、単相コンバータ5の第3レグと第4レグの下端と負荷7とが、そのN側端子に接続されている。
なお、単相インバータ3および単相コンバータ5に用いられる半導体スイッチング素子は、ダイオードが逆並列に接続されたIGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)、ソース・ドレイン間にダイオードが接続されたMOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)、あるいはカスコード型のGaN−HEMT(Gallium nitride−High Mobility Transistor)などを用いることが好ましい。また、帰還ダイオードはIGBT、MOSFET、あるいはGaN−HEMTに内蔵されたダイオードを用いても良く、外付けに別途ダイオードを設けても良い。
制御器37の構成は、実施の形態1による電力変換装置100の制御器8の構成を採用してもよく、実施の形態2による電力変換装置200の制御器32の構成を採用してもよい。
なお、その他の構成部分は、実施の形態1と同じであるので、ここでは詳しい説明は省略する。また、電力変換装置400の主な動作は、実施の形態1による電力変換装置100と同様となる。さらに、制御器37の動作は、実施の形態1の制御器8、もしくは、実施の形態2の制御器32と同様の動作となるため、説明は省略する。
以上のように、この実施の形態4による電力変換装置400は、ダイオードブリッジ36を追加することにより、先の実施の形態1〜3よりも半導体スイッチング素子の数を減らすことができる。そのため、比較的安価に回路を構成することが可能となる。
実施の形態5.
図24は、実施の形態5による電力変換装置500の回路図であり、実施の形態1と対応もしくは相当する構成部分には同一の符合を付す。
この実施の形態5の電力変換装置500は、単相の交流電源1の交流電圧、交流電力を直流電圧、直流電力に変換して負荷7に出力するための主回路、および制御器40で構成される。
主回路は、交流電源1と第1コンデンサ6との間に、リアクトル2、ダイオード整流レグ38、マルチレベル駆動レグ39が順次接続されるとともに、第2コンデンサ4を備えている。
ダイオード整流レグ38は、一対のダイオード38a、38bが直列に接続されて構成されている。また、マルチレベル駆動レグ39は、半導体スイッチング素子39a〜39dの4素子が直列に接続されて構成されている。そして、一対の半導体スイッチング素子39a、39bの互いの接続点と、一対の半導体スイッチング素子39c、39dの互いの接続点との間に第2コンデンサ4が接続されている。
リアクトル2は、交流電源1のP母線とダイオード整流レグ38の中点との間に接続されている。また、ダイオード整流レグ38の上端とマルチレベル駆動レグ39の上端とが第1コンデンサ6のP側端子に接続され、ダイオード整流レグ38の下端とマルチレベル駆動レグ39の下端とが第1コンデンサ6のN側端子に接続されている。
また、マルチレベル駆動レグ39の上側アームの一対の半導体スイッチング素子39a、39bと、下側アームの一対の半導体スイッチング素子39c、39dの互いの接続点に交流電源1のN母線が接続されている。
なお、マルチレベル駆動レグ39に用いられる半導体スイッチング素子39a〜39dは、ダイオードが逆並列に接続されたIGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)、ソース・ドレイン間にダイオードが接続されたMOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)、あるいはカスコード型のGaN−HEMT(Gallium nitride−High Mobility Transistor)などを用いることが好ましい。また、帰還ダイオードはIGBT、MOSFET、あるいはGaN−HEMTに内蔵されたダイオードを用いても良く、外付けに別途ダイオードを設けても良い。
交流電源1の交流電圧Vac、第1コンデンサ6の電圧Vdc、第2コンデンサ4の電圧Vsubが、それぞれ電圧センサ(図示省略)により検出されて制御器40に入力される。さらに、交流電源1の交流電流iacが電流センサ(図示省略)により検出されて、制御器40に入力される。
制御器40は、上記センサで検出されて入力される負荷情報(電圧情報および電流情報)に基づいて、マルチレベル駆動レグ39のゲート信号G39a、G39b、G39c、G39dを生成して電力変換装置500を制御する。
図25は、実施の形態5による制御器のブロック図であり、前述の実施の形態1と対応、もしくは相当する構成部分には同一の符合を付す。
制御器40は、制御動作判定器9、第2コンデンサ電圧制御器11、主制御器41、およびゲート信号生成器16で構成される。
ここに、主制御器41は、連続SW制御器13、および簡易SW昇圧制御器14の2つで構成される。主制御器41は、制御動作判定器9から入力されるSelectSignal(図ではSSと略す)によって、上記の2つの制御器13、14の内、いずれの制御器で制御を行うかを決定する。そして、前述のセンサで検出された電圧情報および電流情報Vac、Vdc、Vsub、ならびに第2コンデンサ電圧制御器11で演算された制御信号DutyVsubの信号に基づいて、力率制御および電圧制御を担うデューティ比信号Dutytotal、およびこのデューティ比信号Dutytotalとの比較を行うキャリア信号Carrierを生成する。
ゲート信号生成器42は、デューティ比信号Dutytotalおよびキャリア信号CarrierからPWM(Pulse Width Modulation)制御によりゲート信号を演算し、マルチレベル駆動レグ39の半導体スイッチ素子39a〜39dの各ゲートをON/OFFするゲート信号を出力する。
次に、この実施の形態5による電力変換装置500の動作を説明する。
電力変換装置500は、交流電源1から入力される交流電流iacをマルチレベル駆動レグ39によりスイッチングすることでリアクトル2に流れる交流電流iacを高力率に制御しながら電圧を昇圧し、第1コンデンサ6により電力を平滑して負荷7に直流電力を供給する。
この実施の形態5の動作は、実施の形態1の場合とは異なり、主制御器41において、連続SW制御、および簡易SW昇圧制御の2つの制御動作となる。よって、各電圧の関係図は、図3Aの場合のみとなる。なお、この実施の形態5では、降圧動作が存在しないため、第2コンデンサ4の電圧指令値Vsub*は、常にVsub*=Vdc*/2の関係となる。
図26は、連続SW動作時の主動作波形と各動作範囲におけるスイッチングパターンである。
連続SW制御では、数kHz以上のスイッチング周波数でゲート駆動する動作となり、交流電流iacは力率「1」に近い正弦波状の波形となる。図26に、動作範囲R1と動作範囲R2での1スイッチング周期におけるゲート信号波形をそれぞれ示す。
図26において、正の半周期では、マルチレベル駆動レグ39の上側アームの半導体スイッチング素子39a、39bがスイッチングを行い、下側アームの半導体スイッチング素子39c、39dは並列ダイオードを通流する動作となる。また、負の半周期では、上側アームの半導体スイッチング素子39a、39bの動作と、下側アームの半導体スイッチング素子39c、39dの動作が正の半周期の場合と反転する。なお、並列ダイオードを通流する動作時に半導体スイッチング素子をONすることで、同期整流動作としてもよい。
このようにマルチレベル駆動レグ39の半導体スイッチング素子39a〜39dをスイッチングすることで、各素子が1回スイッチングを行う間にリアクトル2が2回励磁と消磁を行い、第2コンデンサ4の充放電がそれぞれ1回行われる。これにより、第2コンデンサ4はスイッチング周期の時定数で充放電が行われるため、小容量のもので構成できる。また、連続SW制御の効果は、先の実施の形態1で説明した通りであるので省略する。
なお、図26に示したゲート信号のパターンは一例であり、各半導体スイッチング素子39a〜39dが1回スイッチングを行う間にリアクトル2が2回励磁と消磁を行い、第2コンデンサ4の充放電がそれぞれ1回行う動作となるパターンであれば良く、図26のパターンに限定されない。
図27および図28は簡易SW昇圧動作時の主動作波形と各動作範囲におけるスイッチングパターンである。
簡易SW昇圧制御では、交流半周期内で数回のみスイッチングする動作となり、スイッチング回数が連続SW制御よりも少ないために力率は低下するが、高周波駆動に伴う損失は大幅に低減できる。
簡易SW昇圧制御では、入力電力と力率の条件に応じて動作範囲R1でスイッチングする動作と、スイッチングしない動作を選択することができる。図27は動作範囲R1でスイッチングする場合の動作を示す図であり、図28は動作範囲R1でスイッチングしない場合の動作を示す図である。電力が小さい場合、動作範囲R2のみのスイッチングで十分力率を確保できるが、電力が大きくなった場合には、動作範囲R2のみでは電流ピークが増大し、力率の悪化および損失の増加が引き起こされる。
簡易SW昇圧制御の場合においても、正の半周期では、マルチレベル駆動レグ39の上側アームの半導体スイッチング素子39a、39bがスイッチングを行い、下側アームの半導体スイッチング素子39c、39dは並列ダイオードを通流する動作となる。負の半周期では、上側アームの半導体スイッチング素子39a、39bの動作と、下側アームの半導体スイッチング素子39c、39dの動作が正の半周期の場合と反転する。なお、並列ダイオードを通流する動作時に半導体スイッチング素子をONすることで、同期整流動作としてもよい。
簡易SW昇圧制御では、動作範囲R1と動作範囲R2で、ユーザが指定したスイッチング回数で出力電圧Vdcが指令値に追従するようなオン時間だけゲート信号をONする動作となる。指定回数分をスイッチングした後は、第2コンデンサ4で充放電が発生しないように、交流電源1と負荷7をつなぐ経路を形成し、リアクトル2と第1コンデンサ6との自由共振動作となる。
なお、図27、図28に示したゲート信号のパターンは1例であり、各素子が1回スイッチングを行う間にリアクトル2が2回励磁と消磁を行い、第2コンデンサ4の充放電がそれぞれ1回行う動作となるパターンであれば良く、図27、図28に示したパターンに限定されない。また、ユーザが設定するスイッチング回数は何回でもよく、スイッチング回数が多ければ力率が「1」に近づくが、回路損失は増加するというトレードオフの関係が成り立つ。
次に、この実施の形態5による制御器40の動作を説明する。なお、この実施の形態5において、実施の形態1と対応する符合の構成部分は動作が同じとなるため、説明は省略する。
この実施の形態5では、実施の形態1に比べると降圧条件が存在しないため、第2コンデンサ4の電圧指令値Vsub*は、常にVsub*=Vdc*/2の関係式となる。
制御器40において、制御動作の判定は、実施の形態1の制御動作判定器9を用いてもよく、あるいは実施の形態2の制御動作判定器33を用いても良い。
主制御器41は、連続SW制御器13、および簡易SW昇圧制御器14の2つで構成され、制御動作判定器9から出力される制御選択信号SelectSignal(図ではSSと略す)に基づいて2つの動作を切り替えながら、各動作に対応したデューティ比信号Dutytotal、およびこのデューティ比信号Dutytotalとの比較を行うキャリア信号Carrierを生成し、次段のゲート信号生成器16に出力する。
この実施の形態5の各動作範囲R1、R2におけるスイッチングパターンを図29に示す。
動作範囲R1では、パターンA1、D1、E1、F1の4つがあり、動作範囲R2では、パターンA2、B2、C2、D2の4つがある。前述の実施の形態1と同様に、スイッチングパターンの組み合わせによって理論デューティ比DutyPFCFFを演算する。
ゲート信号生成器42では、デューティ比信号Dutytotalとキャリア信号CarrierとからPWM(Pulse Width Modulation)制御によりゲートパルスを演算し、各動作範囲に応じたゲート信号をマルチレベル駆動レグ39の半導体スイッチング素子39a〜39dに出力する。
以上のように、この実施の形態5による電力変換装置500は、制御器40によってマルチレベル駆動レグ39の半導体スイッチング素子をON/OFF制御することにより、前述の実施の形態1と同様に、第2コンデンサ4の容量を従来技術と同様な小容量のものを採用しながら、従来技術に比べて広範囲で回路損失を低減することが可能となる。また、実施の形態1と比べて降圧動作ができなくなる代わりに、部品点数を低減できるため、低コストかつ低損失を実現できる。
実施の形態6.
図30は、この実施の形態6による電力変換装置600の回路図であり、実施の形態5と対応もしくは相当する構成部分には同一の符合を付す。
この実施の形態6の電力変換装置600は、主回路の構成が実施の形態5の場合と少し異なっている。すなわち、この実施の形態6において、主回路は、交流電源1と第1コンデンサ6との間に、ダイオードブリッジ36、リアクトル2、マルチレベル駆動レグ39が順次接続されるとともに、第2コンデンサ4を備えている。
マルチレベル駆動レグ39は、上側アームの一対のダイオード40a、40b、および下側アームの一対の半導体スイッチング素子39c、39dの4素子が直列に接続されて構成されている。そして、上側アームの一対のダイオード40a、40bの互いの接続点と、下側アームの一対の半導体スイッチング素子39c、39dの互いの接続点との間に第2コンデンサ4が接続されている。
リアクトル2は、ダイオードブリッジ36の上端とマルチレベル駆動レグ39の中点との間に接続されている。マルチレベル駆動レグ39の上端が第1コンデンサ6のP側端子に接続され、またマルチレベル駆動レグ39の下端が第1コンデンサ6のN側端子に接続されている。
なお、主回路のその他の構成部分については、実施の形態5の場合と同様であるため、ここでは説明は省略する。また、制御器44の構成は、実施の形態5の場合と同じである。また、制御器44の動作は、入力される負荷情報(電圧情報および電流情報)に基づいて、マルチレベル駆動レグ39のゲート信号G39c、G39dを生成して半導体スイッチング素子39c、39dをON/OFF制御する点も実施の形態5の場合と同様となるため、説明は省略する。
以上のように、この実施の形態6による電力変換装置600は、ダイオードブリッジ36を追加することで、前述の実施の形態5よりも半導体スイッチング素子の数を減らすことができる。そのため、比較的安価に回路を構成することが可能となる。
なお、前述の実施の形態における制御器8、32、35、37、40、44は、ハードウエアの一例を図31に示すように、プロセッサ1000と記憶装置1010から構成される。記憶装置1010は、図示していないが、ランダムアクセスメモリ等の揮発性記憶装置と、フラッシュメモリ等の不揮発性の補助記憶装置とを備える。
また、フラッシュメモリの代わりにハードディスクの補助記憶装置を備えてもよい。プロセッサ1000は、記憶装置1010から入力されたプログラムを実行する。この場合、補助記憶措置から揮発性記憶装置を介してプロセッサ1000にプログラムが入力される。また、プロセッサ1000は、演算結果等のデータを記憶装置1010の揮発性記憶装置に出力してもよいし、揮発性記憶装置を介して補助記憶装置にデータを保存してもよい。
本願は、様々な例示的な実施の形態及び実施例が記載されているが、1つ、または複数の実施の形態に記載された様々な特徴、態様、及び機能は特定の実施の形態の適用に限られるのではなく、単独で、または様々な組み合わせで実施の形態に適用可能である。
従って、例示されていない無数の変形例が、本願に開示される技術の範囲内において想定される。例えば、少なくとも1つの構成要素を変形する場合、追加する場合または省略する場合、さらには、少なくとも1つの構成要素を抽出し、他の実施の形態の構成要素と組み合わせる場合が含まれるものとする。
100,200,300,400,500,600 電力変換装置、1 交流電源、2 リアクトル、3 単相インバータ、4 第2コンデンサ、5 単相コンバータ、6 第1コンデンサ、7 負荷、8,32,35,37,40,44 制御器、3a,3b,3c,3d,5a,5b,5c,5d,39a,39b,39c,39d 半導体スイッチング素子、G3a,G3b,G3c,G3d,G5a,G5b,G5c,G5d,G39a,G39b,G39c,G39d ゲート信号、9,33 制御動作判定器、10 第2コンデンサ電圧指令値演算器、11 第2コンデンサ電圧制御器、12,41 主制御器、13 連続SW制御器、14 簡易SW昇圧制御器、15 簡易SW降圧制御器、16,42 ゲート信号生成器、17 領域判定器、18,34 SW動作判定器、19 動作範囲R3周期演算器、20 Vsubref演算器、21 FFDuty演算器、22 Duty合算器、23 動作範囲判定器、24 オン時間演算器、25 SWキャリア演算器A、26 動作範囲R1・SWキャリア演算器A、27 動作範囲R2・SWキャリア演算器A、28 SWキャリア演算器B、29 動作範囲R1・SWキャリア演算器B、30 動作範囲R2・SWキャリア演算器B、31 動作範囲R3・SWキャリア演算器B、3aa,3dd,5aa,5cc,5dd,38a,38b,40a,40b ダイオード、36 ダイオードブリッジ、38 ダイオード整流レグ、39 マルチレベル駆動レグ、1000 プロセッサ、1010 記憶装置。

Claims (15)

  1. 交流電源と直流負荷との間には、少なくとも1つのリアクトル、複数のスイッチング素子、および第1のコンデンサが設けられるとともに、前記リアクトルと前記第1のコンデンサとの間には第2のコンデンサが設けられ、かつ、前記スイッチング素子のスイッチング動作を制御する制御器を備え、前記交流電源の交流電圧と前記第1のコンデンサの電圧との間で電力変換を行い、前記第2のコンデンサを通過する電流経路と通過しない電流経路とを切り替えて複数の電圧を出力可能な電力変換装置であって、
    前記制御器は、前記第1のコンデンサの電圧および前記第2のコンデンサの電圧を予め設定された指令値に制御しながら、前記直流負荷に対する負荷情報に応じて、前記交流電源の交流周期間で、前記スイッチング素子を一定のスイッチング周波数で制御する第1の制御方式と、前記第1の制御方式のスイッチング周波数よりも低い周波数で制御する第2の制御方式とを切り替える、電力変換装置。
  2. 前記制御器は、前記負荷情報に応じて前記制御器で行う制御動作を判定する制御動作判定器と、
    前記第2のコンデンサに対する電圧指令値を演算する第2コンデンサ電圧指令値演算器と、
    前記第2のコンデンサの電圧を前記第2コンデンサ電圧指令値演算器で演算された前記電圧指令値に制御する第2コンデンサ電圧制御器と、
    前記第1の制御方式に基づく前記スイッチング素子の制御動作と、前記第2の制御方式に基づく前記スイッチング素子の制御動作とを行う主制御器と、
    前記制御器から生成されるデューティ比とキャリア信号とから前記スイッチング素子を駆動するゲート信号を生成するゲート信号生成器と、
    を備える、請求項1に記載の電力変換装置。
  3. 交流電源と直流負荷との間には、少なくとも1つのリアクトル、複数のスイッチング素子、および第1のコンデンサが設けられるとともに、前記リアクトルと前記第1のコンデンサとの間には第2のコンデンサが設けられ、かつ、前記スイッチング素子のスイッチング動作を制御する制御器を備え、前記交流電源の交流電圧と前記第1のコンデンサの電圧との間で電力変換を行う電力変換装置であって、
    前記制御器は、前記第1のコンデンサの電圧および前記第2のコンデンサの電圧を予め設定された指令値に制御しながら、前記直流負荷に対する負荷情報に応じて、前記交流電源の交流周期間で、前記スイッチング素子を一定のスイッチング周波数で制御する第1の制御方式と、前記第1の制御方式のスイッチング周波数よりも低い周波数で制御する第2の制御方式とを切り替えるとともに、
    前記負荷情報に応じて前記制御器で行う制御動作を判定する制御動作判定器と、
    前記第2のコンデンサに対する電圧指令値を演算する第2コンデンサ電圧指令値演算器と、
    前記第2のコンデンサの電圧を前記第2コンデンサ電圧指令値演算器で演算された前記電圧指令値に制御する第2コンデンサ電圧制御器と、
    前記第1の制御方式に基づく前記スイッチング素子の制御動作と、前記第2の制御方式に基づく前記スイッチング素子の制御動作とを行う主制御器と、
    前記制御器から生成されるデューティ比とキャリア信号とから前記スイッチング素子を駆動するゲート信号を生成するゲート信号生成器と、を備え、
    前記主制御器は、前記第1の制御方式に基づき昇圧動作する連続SW制御器、前記第2の制御方式に基づき昇圧動作する簡易SW昇圧制御器、および前記第2の制御方式に基づき降圧動作する簡易SW降圧制御器で構成される、電力変換装置。
  4. 前記制御動作判定器は、前記交流電源から入力される交流電流と交流電圧から演算される入力電力に応じて、前記主制御器で行う制御動作を判定する、請求項2または請求項3に記載の電力変換装置。
  5. 前記制御動作判定器は、前記直流負荷への出力電圧に応じて、前記主制御器で行う制御動作を判定する、請求項2または請求項3に記載の電力変換装置。
  6. 前記第2コンデンサ電圧指令値演算器は、前記第1のコンデンサの電圧指令値と、前記交流電源から入力される交流電圧とに基づいて前記第2のコンデンサの電圧指令値を決定する、請求項2に記載の電力変換装置。
  7. 交流電源と直流負荷との間には、少なくとも1つのリアクトル、複数のスイッチング素子、および第1のコンデンサが設けられるとともに、前記リアクトルと前記第1のコンデンサとの間には第2のコンデンサが設けられ、かつ、前記スイッチング素子のスイッチング動作を制御する制御器を備え、前記交流電源の交流電圧と前記第1のコンデンサの電圧との間で電力変換を行う電力変換装置であって、
    前記制御器は、前記第1のコンデンサの電圧および前記第2のコンデンサの電圧を予め設定された指令値に制御しながら、前記直流負荷に対する負荷情報に応じて、前記交流電源の交流周期間で、前記スイッチング素子を一定のスイッチング周波数で制御する第1の制御方式と、前記第1の制御方式のスイッチング周波数よりも低い周波数で制御する第2の制御方式とを切り替えるとともに、
    前記負荷情報に応じて前記制御器で行う制御動作を判定する制御動作判定器と、
    前記第2のコンデンサに対する電圧指令値を演算する第2コンデンサ電圧指令値演算器と、
    前記第2のコンデンサの電圧を前記第2コンデンサ電圧指令値演算器で演算された前記電圧指令値に制御する第2コンデンサ電圧制御器と、
    前記第1の制御方式に基づく前記スイッチング素子の制御動作と、前記第2の制御方式に基づく前記スイッチング素子の制御動作とを行う主制御器と、
    前記制御器から生成されるデューティ比とキャリア信号とから前記スイッチング素子を駆動するゲート信号を生成するゲート信号生成器と、を備え、
    前記第2コンデンサ電圧指令値演算器は、前記第1のコンデンサの電圧指令値と、前記交流電源から入力される交流電圧とに基づいて前記第2のコンデンサの電圧指令値を決定し、
    前記第2コンデンサ電圧指令値演算器は、前記第1のコンデンサの前記電圧指令値が前記交流電圧のピーク値以下となる条件において、交流半周期で、前記交流電圧が前記第1のコンデンサの電圧以上となる時間と、前記交流電圧が前記第1のコンデンサの電圧以下で、かつ前記第2のコンデンサの電圧以上となる時間とを一致させるべく、前記第2のコンデンサの電圧指令値を決定する、電力変換装置。
  8. 前記簡易SW昇圧制御器は、前記第2の制御方式に基づき昇圧動作する場合において、前記交流電源から入力される交流電流と交流電圧から演算される入力電力に応じて、前記交流電圧が前記第2のコンデンサの電圧以下の範囲で、スイッチングする動作か、スイッチングしない動作かを判定する、請求項3に記載の電力変換装置。
  9. 前記簡易SW昇圧制御器は、前記第2の制御方式に基づき昇圧動作する場合において、前記交流電源の力率と入力電力に基づいてスイッチング回数を変更する、請求項3に記載の電力変換装置。
  10. 前記簡易SW昇圧制御器は、前記第2の制御方式に基づき昇圧動作する場合において、前記交流電源の交流電圧が第2のコンデンサの電圧以上の範囲で、前記交流電源の力率に基づいてスイッチングを開始するタイミングを変更する、請求項3に記載の電力変換装置。
  11. 前記簡易SW降圧制御器は、前記第2の制御方式に基づき降圧動作する場合において、前記第1のコンデンサの電圧に応じて、前記交流電源の交流電圧が第2のコンデンサの電圧以下の範囲で、スイッチングする動作か、スイッチングしない動作かを判定する、請求項3に記載の電力変換装置。
  12. 前記簡易SW降圧制御器は、前記第2の制御方式に基づき降圧動作する場合において、前記交流電源の力率と入力電力に基づいてスイッチング回数を変更する、請求項3に記載の電力変換装置。
  13. 前記主制御器は、前記第2の制御方式に基づく制御動作を行う場合において、前記第2のコンデンサを充電する期間と、前記第2のコンデンサを放電する期間とを一致させるべく、前記スイッチング素子の制御を行う、請求項2に記載の電力変換装置。
  14. 前記制御器は、前記第2の制御方式に基づき昇圧動作する場合において、前記スイッチング素子が1回スイッチングを行う間に前記リアクトルが2回励磁と消磁を行い、前記第2のコンデンサの充放電がそれぞれ1回行う、請求項1に記載の電力変換装置。
  15. 前記制御器は、前記第2の制御方式に基づき降圧動作する場合において、前記交流電圧が前記第1のコンデンサの電圧以上となる時間と、前記交流電圧が前記第1のコンデンサの電圧以下で、かつ前記第2のコンデンサの電圧以上となる時間とのそれぞれにおいて、前記スイッチング素子が1回スイッチングを行う間に前記リアクトルが2回励磁とリセットを行い、前記第2のコンデンサの充放電をそれぞれ1回行う、請求項1に記載の電力変換装置。
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