JP6956608B2 - 炭素膜付き多孔質体 - Google Patents
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Description
炭素膜の平均厚さとしたとき、前記炭素膜の平均厚さを10nm以上150nm以下とすることによって、前記炭素膜の表面を前記第2のセラミック粒子の形状を反映した面粗さを有する面としている。
素膜付き多孔質体1の断面に、例えばPtを蒸着し、エネルギー分散型X線分析(EDS)により、多孔質基体2の内部を元素分析する。このとき、多孔質基体2の内部に炭素のピークが存在するか否かを確認すればよい。
炭素膜付き多孔質体1は、以下のように作製することができる。まず、例えば平均粒径1〜10μmの第1のセラミック粒子5からなり、平均細孔径が0.1〜5μm、気孔率が30〜60%の多孔質基体2を準備する。この多孔質基体2のひとつの面に、例えば、平均粒径1.0μm以下の第2のセラミック粒子7からなる層を形成する。さらに第2のセラミック粒子7からなる層の上に、炭素膜4を形成する。
シドのうち1種以上が含まれていてもよい。溶媒としては、テトラヒドロフラン、アセトン、メタノール、エタノールなどの有機溶剤を用いればよい。
1:炭素膜付き多孔質体
2:セラミック多孔質基体
3:複合層
4:炭素膜
5:第1のセラミック粒子
6:第1の細孔
7:第2のセラミック粒子
8:炭素質材料
9:第2の細孔
Claims (5)
- 第1のセラミック粒子を有するセラミック多孔質基体と、該セラミック多孔質基体のひとつの面上に配置され、第2のセラミック粒子および炭素質材料を含む複合層と、該複合層の面上に配置され、ガラス状炭素を含む炭素膜と、を有し、
該炭素膜の面の十点平均粗さが、300nm以上であり、
前記複合層の最も表面に位置する前記第2のセラミック粒子の表面を被覆する前記炭素膜の厚さの平均値を、前記炭素膜の平均厚さとしたとき、前記炭素膜の平均厚さを10nm以上150nm以下とすることによって、前記炭素膜の表面を前記第2のセラミック粒子の形状を反映した面粗さを有する面としている、炭素膜付き多孔質体。 - 前記炭素膜の面の十点平均粗さが、1000nm以下である、請求項1に記載の炭素膜付き多孔質体。
- 前記複合層の断面において、前記第2のセラミック粒子間の間隙の面積に対する、前記炭素質材料の面積が、90%以上である、請求項1または2に記載の炭素膜付き多孔質体。
- 前記第2のセラミック粒子の平均粒径が、前記第1のセラミック粒子の平均粒径以下である、請求項1〜3のいずれかに記載の炭素膜付き多孔質体。
- 前記炭素質材料が、前記ガラス状炭素を含む、請求項1〜4のいずれかに記載の炭素膜付き多孔質体。
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