JP6954999B2 - センサを製造する方法、センサ、及びセンサの使用 - Google Patents

センサを製造する方法、センサ、及びセンサの使用 Download PDF

Info

Publication number
JP6954999B2
JP6954999B2 JP2019514809A JP2019514809A JP6954999B2 JP 6954999 B2 JP6954999 B2 JP 6954999B2 JP 2019514809 A JP2019514809 A JP 2019514809A JP 2019514809 A JP2019514809 A JP 2019514809A JP 6954999 B2 JP6954999 B2 JP 6954999B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
sensor
aerosol deposition
conductive layer
weight
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2019514809A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2019529315A (ja
Inventor
ビーナント カールハインツ
ビーナント カールハインツ
ディートマン シュテファン
ディートマン シュテファン
ツィンケビヒ マッツファイ
ツィンケビヒ マッツファイ
モース ラルフ
モース ラルフ
シューベルト ミヒャエル
シューベルト ミヒャエル
トゥルビット マルティン
トゥルビット マルティン
Original Assignee
ヘレウス ネクセンソス ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング
ヘレウス ネクセンソス ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ヘレウス ネクセンソス ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング, ヘレウス ネクセンソス ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング filed Critical ヘレウス ネクセンソス ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング
Publication of JP2019529315A publication Critical patent/JP2019529315A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6954999B2 publication Critical patent/JP6954999B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01KMEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01K7/00Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements
    • G01K7/16Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using resistive elements
    • G01K7/18Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using resistive elements the element being a linear resistance, e.g. platinum resistance thermometer
    • G01K7/186Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using resistive elements the element being a linear resistance, e.g. platinum resistance thermometer using microstructures
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01KMEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01K7/00Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements
    • G01K7/16Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using resistive elements
    • G01K7/18Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using resistive elements the element being a linear resistance, e.g. platinum resistance thermometer
    • G01K7/183Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using resistive elements the element being a linear resistance, e.g. platinum resistance thermometer characterised by the use of the resistive element
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32LAYERED PRODUCTS
    • B32BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B18/00Layered products essentially comprising ceramics, e.g. refractory products
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/01Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
    • C04B35/03Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on magnesium oxide, calcium oxide or oxide mixtures derived from dolomite
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/01Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
    • C04B35/10Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on aluminium oxide
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/01Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
    • C04B35/46Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates
    • C04B35/462Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates
    • C04B35/465Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates based on alkaline earth metal titanates
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/01Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
    • C04B35/48Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on zirconium or hafnium oxides, zirconates, zircon or hafnates
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/622Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/62222Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products obtaining ceramic coatings
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C24/00Coating starting from inorganic powder
    • C23C24/02Coating starting from inorganic powder by application of pressure only
    • C23C24/04Impact or kinetic deposition of particles
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01FMEASURING VOLUME, VOLUME FLOW, MASS FLOW OR LIQUID LEVEL; METERING BY VOLUME
    • G01F1/00Measuring the volume flow or mass flow of fluid or fluent solid material wherein the fluid passes through a meter in a continuous flow
    • G01F1/68Measuring the volume flow or mass flow of fluid or fluent solid material wherein the fluid passes through a meter in a continuous flow by using thermal effects
    • G01F1/684Structural arrangements; Mounting of elements, e.g. in relation to fluid flow
    • G01F1/688Structural arrangements; Mounting of elements, e.g. in relation to fluid flow using a particular type of heating, cooling or sensing element
    • G01F1/69Structural arrangements; Mounting of elements, e.g. in relation to fluid flow using a particular type of heating, cooling or sensing element of resistive type
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01FMEASURING VOLUME, VOLUME FLOW, MASS FLOW OR LIQUID LEVEL; METERING BY VOLUME
    • G01F1/00Measuring the volume flow or mass flow of fluid or fluent solid material wherein the fluid passes through a meter in a continuous flow
    • G01F1/68Measuring the volume flow or mass flow of fluid or fluent solid material wherein the fluid passes through a meter in a continuous flow by using thermal effects
    • G01F1/684Structural arrangements; Mounting of elements, e.g. in relation to fluid flow
    • G01F1/688Structural arrangements; Mounting of elements, e.g. in relation to fluid flow using a particular type of heating, cooling or sensing element
    • G01F1/69Structural arrangements; Mounting of elements, e.g. in relation to fluid flow using a particular type of heating, cooling or sensing element of resistive type
    • G01F1/692Thin-film arrangements
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01KMEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01K1/00Details of thermometers not specially adapted for particular types of thermometer
    • G01K1/08Protective devices, e.g. casings
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01KMEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01K13/00Thermometers specially adapted for specific purposes
    • G01K13/02Thermometers specially adapted for specific purposes for measuring temperature of moving fluids or granular materials capable of flow
    • G01K13/024Thermometers specially adapted for specific purposes for measuring temperature of moving fluids or granular materials capable of flow of moving gases
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01BCABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B3/00Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties
    • H01B3/02Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of inorganic substances
    • H01B3/12Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of inorganic substances ceramics
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01CRESISTORS
    • H01C7/00Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
    • H01C7/006Thin film resistors
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3205Alkaline earth oxides or oxide forming salts thereof, e.g. beryllium oxide
    • C04B2235/3206Magnesium oxides or oxide-forming salts thereof
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3217Aluminum oxide or oxide forming salts thereof, e.g. bauxite, alpha-alumina
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3231Refractory metal oxides, their mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof
    • C04B2235/3232Titanium oxides or titanates, e.g. rutile or anatase
    • C04B2235/3234Titanates, not containing zirconia
    • C04B2235/3236Alkaline earth titanates
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3231Refractory metal oxides, their mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof
    • C04B2235/3244Zirconium oxides, zirconates, hafnium oxides, hafnates, or oxide-forming salts thereof
    • C04B2235/3246Stabilised zirconias, e.g. YSZ or cerium stabilised zirconia
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/60Aspects relating to the preparation, properties or mechanical treatment of green bodies or pre-forms
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01KMEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01K2205/00Application of thermometers in motors, e.g. of a vehicle
    • G01K2205/04Application of thermometers in motors, e.g. of a vehicle for measuring exhaust gas temperature

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Fluid Mechanics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Composite Materials (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)

Description

本発明は、少なくとも一つの導電層と、少なくとも一つの更なる層、特に不動態層及び/又は絶縁層、と、を具備するセンサ、特に温度センサ、を製造する方法に関する。本発明はまた、少なくとも一つの導電層と、少なくとも一つの更なる層、特に不動態層及び/又は絶縁層、と、を具備するセンサ、特に温度センサ、であって、本発明に係る方法を用いて好ましくは製造されるセンサ、に関する。加えて、本発明は、車両における、本発明に係るセンサの使用に関する。
毒性の汚染を防止するため温度センサ内に不動態層を提供することが公知である。例えば、不動態コーティングを、サーミスタの白金構造上に付着させている。不動態層は、例えば、PVD又は厚膜プロセスを使用して付着させている。しかしながら、このやり方で付着させた不動態層は、漏れがまったくないわけではない。
PVD法では、不動態材料、特に酸化アルミニウム材料(Al)は、気相に変換され、そしてセンサの面上に膜として凝結する。この方法で生じる幹成長に加えて、蒸発により堆積させた材料の相状態は欠点である。
使用される酸化アルミニウムは、例えば、ガンマ相で存在し、これは温度曝露下で、安定なアルファ相に転換する。そのような相変態は、約8%までの体積縮小を伴うことがあり得る。そのような体積縮小は、付着させた不動態層における亀裂の原因となる。
ターゲットへのイオンの衝突を使用してプラズマ中で不動態材料、特に酸化アルミニウム、を除去するスパッタリングプロセスを用いる付着もまた、記載の欠点を示す。
厚膜プロセスでは、不動態材料を含むペースト、特に酸化アルミニウム粒子を含むペースト、をスクリーン印刷により面上に印刷する。有機物を駆逐した後、酸化アルミニウム粒子は、1000℃〜1500℃の温度で焼結されるが、高い充填密度を実現するため異なる粒子径を組み合わせる場合であっても、それらは依然として、空洞及び欠陥を含有している。
記載の方法により製造された不動態層を封止することを目的として、例えばガラスから成る更なる層を更に付着させることが公知である。しかしながら、存在する可能性のある還元性雰囲気下で非常に高い二酸化ケイ素(SiO)含有量を有する耐熱ガラスは、還元されてケイ素になる。もしケイ素が、空孔及び亀裂を通じて導電層、特に白金層、に拡散することが可能であれば、これは導電層の汚染の原因となる。更には、ケイ化白金形成が生じることがあり、これは、導電層、特に白金構造の破壊の原因となり得る。
本発明の目的は、センサ、特に温度センサ、を製造する更に進歩した方法であって、気密されたセンサ層を製造することができる方法、を指定することである。
本発明の更なる目的は、少なくとも一つの気密された層、特に、気密されるように設計された、少なくとも一つの導電層及び/又は少なくとも一つの更なる層、特に不動態層及び/又は絶縁層を伴う更に進歩したセンサを指定することである。
本発明に係るセンサの好適な考え得る応用を指定することも、本発明の目的である。
本発明に準拠して、この目的は、センサ、特に温度センサ、を製造する方法に関連して、請求項1の特徴により実現される。少なくとも一つの導電層と、少なくとも一つの他の層、特に不動態層及び/又は絶縁層、と、を具備するセンサ、特に温度センサ、に関しては、その目的は、請求項7の特徴により実現される。本発明に係るセンサの使用に関しては、その目的は、請求項18の特徴により実現される。
本発明は、少なくとも一つの導電層と、少なくとも一つの他の層、特に不動態層及び/又は絶縁層、と、を具備するセンサ、特に温度センサ、を製造する方法であって、導電層及び/又は更なる層、特に不動態層及び/又は絶縁層を、エアロゾル堆積法[ADM]を使用して製造する方法を指定するという考えに基づいている。
ADM法は、好適な粉体をエアロゾルに変換する常温コーティング法である。コーティングチャンバ及びエアロゾル発生器の中では、1〜50mbarの範囲の粗引き真空を生成する。エアロゾル発生器内にプロセス用気体を加えることによって生じる圧力差により、エアロゾルがノズルに輸送され、このノズル内ではエアロゾルが数百m/sにまで加速され、続いて基材上に堆積される。塑性変形に加え、結果として粉体粒子が破壊されてnmサイズの破片になり、これらが配列して、高密度で良好な接着層を形成する。
換言すれば、本発明に係る方法は、センサの少なくとも一つの層がエアロゾル堆積を用いて製造されるという事実に基づいている。
本発明に係る方法は、以下のステップ:
a)センサ担体を提供するステップ;
b)センサ担体上に少なくとも一つの導電層を直接的又は間接的に付着させるステップ;
c)エアロゾル堆積を用いて、少なくとも一つの更なる層、特に不動態層及び/又は絶縁層を付着させるステップ、
を有することができる。
導電層、特に白金を具備する導電層を、センサ担体上に直接的に堆積することが可能である。
少なくとも一つの中間層を、センサ担体と導電層との間に形成することもまた可能である。それゆえ導電層は、この少なくとも一つの中間層の堆積に続く少なくとも一つの中間層に付着させる。
センサ担体は、セラミック、及び/又は金属、及び/又は金属合金、及び/又はガラス、及び/又はガラスセラミック、及び/又はプラスチックからつくることができる。特に、センサ担体は、絶縁性酸化物、例えば、純粋な酸化アルミニウム(Al23)、又は酸化アルミニウムと、添加剤、及び/又は様々な酸化ジルコニウムセラミックス若しくはジルコニウム複合酸化物セラミックス、及び/又は様々な酸化マグネシウム(MgO)化合物、及び/又は酸化ケイ素(SiO2)と、を混合したものを伴うものから構成される。
センサ担体の熱膨張係数は、好ましくは0.05・10−6−1から15・10−6−1の範囲にある。
また、もし600℃でのセンサ担体の比抵抗が1010Ωcmより大きいならば、有利である。
本発明の更なる実施形態では、センサ担体は、導電体になるよう設計することができる。
中間層もまた、エアロゾル堆積(エアロゾル堆積法)を使用してセンサ担体に付着させることが可能である。エアロゾル堆積(ADM)では、特にステップc)では、
a)母材の純度が少なくとも94重量%である酸化アルミニウム(Al)、
及び/又は、
b)母材の純度が少なくとも94重量%である酸化マグネシウム(MgO)、
及び/又は、
c)母材の全純度が少なくとも98重量%である、組成物MgTiO、MgTiO、又はMgTiとしてのチタン酸マグネシウム、
及び/又は
d)母材の全純度が少なくとも98重量%であり、安定化剤酸化イットリウム、特に、0重量%から20重量%の酸化イットリウム、及び/又はCaO、特に0重量%から15重量%のCaO、及び/又はMgO、特に0重量%から15重量%のMgOを含む二元系ジルコニア合金(ZrO)、
及び/又は、
e)母材の全純度が少なくとも98重量%であり、Nb、特に、0重量%から30重量%のNb、及び/又はTa、特に、0重量%から30重量%のTaの更なる添加剤を含む、d)に準拠した三元系ジルコニア合金(ZrO)、
から成る粉体が、好ましくは使用される。
母材は、いかなる割合で混合してもよい。使用される粉体の純度のおかげで、後のプロセスでセンサの特に導電層の汚染を生じさせる可能性がある異物を埋め込むことなしに、特に気密された層を製造することができる。
エアロゾル堆積法(ADM)では、特にステップc)では、不活性ガス、特にヘリウム(He)、及び/又はアルゴン(Ar)、及び/又は窒素(N)、及び/又は酸素(O)が担体気体として使用される。
加えて、好ましくは150℃以下の温度がエアロゾル堆積の最中にかけられる。これが、本発明に係る本方法が常温コーティングプロセスとして公知であることの理由である。
エアロゾル堆積は、好ましくはコーティングチャンバ内で実行される。特に、エアロゾル堆積の最中には、真空がコーティングチャンバ内に作りだされる。それゆえエアロゾル堆積は、真空下のコーティングチャンバ内で生じる。
導電層及び/又は更なる層、特に不動態層及び/又は絶縁層、の本発明に係る製造では、担体気体が、発生器中にまず導入され、その中でコーティング粉体がエアロゾルに変換される、つまりコーティング粉体が担体気体の流れの中に細かく分散される。コーティング粉体は特に、絶縁材料、好ましくは酸化物、特に好ましくは酸化アルミニウムを含有する。
ノズルを用いて、エアロゾルは、真空条件下、コーティングチャンバ内に、そしてコーティングされることになる面上に噴霧される。コーティングされることになる面、特にセンサ担体は、XYテーブルを用いて動かされる。
代わりに又は加えて、ノズルを、コーティングされることになる面上で動かすことが可能である。それら二つの組み合わせ、すなわちテーブル及びノズルを互いに向ってX−Y方向に動かすこともまた可能である。
コーティングされることになる面に衝突する際のコーティング粒子、特に酸化アルミニウム粒子、の運動エネルギーの結果として、これらの粒子は変形され圧縮されることになる。結果として生じる層は、きわめて高密度であり、そして亀裂のないものである。
更に厚い層を製造するために、複数の「経路」を形成することもできる。
エアロゾルコーティングの上記の実施形態は、一例としてのみ見なされることに留意されたい。エアロゾルコーティングの可能な変形例は、例えばノズルを動かすこと、又は、相次いで配置されるいくつかのノズルにより噴霧を実行することである。
コーティングされることになる面上にADMにより製造される層の構造を直接的に製造するために、例えばコーティングの前にマスクを付着させることができる。ここでの一つの選択肢は、「シャドウマスク(shadow mask)」の使用であり、これは、コーティングされることになる面の上に位置して、コーティングされることになる場所にのみ「開口」を有するものである。
また、所望の構造は、ノズルの特別な幾何学構造を用いて、及び/又は堆積の最中にノズル及び/又はテーブルをX−Y方向に動かすことにより、作り出すこともできる。
画定される構造はまた、ノズルジェットのオンオフを切り替えることにより作り出すこともできる。
リフトオフ技術を使用して全面上に堆積されたADM層の構造を実現するという別の選択肢もまた存在する。これは、コーティングされることになる面上に、光又は電子ビームを用いてフォトレジスト層を構造化することを、必然的に含んでいる。その後、面は、ADMを使用して全面上にコーティングされ、そしてフォトレジストを溶解させて取り除くことにより、上に重なっていたADM層が除去される。
ADMは、常温コーティングプロセスである。コーティング粒子、特に酸化アルミニウム粒子は、すでにアルファ相になっているので、高温をかけた状態の下で相変化が生じることにはならない。それゆえ、生成された層において亀裂及び空孔に起因して漏れる箇所は、生じない。
少なくとも一つの導電性コーティングを構造化すること、及び/又はこれを、構造化された形態でセンサ担体上に直接的に又は間接的に付着させることのいずれかが可能である。構造又は構造化された形態が意味するのが、間隙なしに又は凹部なしに実現された導電層の形態だけであると決まっているわけではない。そうではなく、構造化された導電性コーティングが、例えば蛇行している形状を有することができる。凹部及び/又は溝及び/又は開口を有する他の形態もまた考えられる。
例えば、印刷プロセスを使用して、導電性コーティングを、構造化された形態のセンサ担体に直接的に又は間接的に付着させることができる。まず連続した平滑な層を、センサ担体に直接的又は間接的に付着させること、並びに溝、及び/又は凹部、及び/又は開口を更なるステップにおいてその層に導入することもまた可能である。
導電層は、例えば、フォトリソグラフィー技術を使用して、及び/又はレーザにより、構造化することができる。
本発明の更なる実施形態では、少なくとも一つの他の層、特に不動態層及び/又は絶縁層、の付着後に、最終的な配置を別々の部品に分割することが可能である。それゆえ、複数のセンサ、特に複数の温度センサを、一体につながった構造としてまず製造し、そしてその後、それらを別々に分離することが可能である。
本発明の更なる二次的態様は、少なくとも一つの導電層と、少なくとも一つの更なる層、特に不動態層及び/又は絶縁層、と、を具備するセンサ、特に温度センサ、に関する。本発明に係るセンサは、特に好ましくは本発明に係る方法により製造される。
本発明に係るセンサ、特に本発明に係る温度センサは、少なくとも一つの層、すなわち導電層及び/又は更なる層、特に不動態層及び/又は絶縁層を、エアロゾル堆積(エアロゾル堆積法)を用いて製造するという考えに基づいている。そうしたやり方で製造されるセンサの層は、常温コーティングプロセスの一部として付着させる。付着させた層は、気密された層である。
エアロゾル堆積を使用して製造されるセンサの少なくとも一つの層が、酸化アルミニウム(Al)、及び/又は酸化マグネシウム(MgO)、及び/又は、
a)母材の純度が少なくとも94重量%である酸化アルミニウム(Al)、
及び/又は、
b)母材の純度が少なくとも94重量%である酸化マグネシウム(MgO)、
及び/又は、
c)母材の全純度が少なくとも98重量%である、組成物MgTiO、MgTiO、又はMgTiとしてのチタン酸マグネシウム、
及び/又は、
d)母材の全純度が少なくとも98重量%であり、安定化剤酸化イットリウム、特に、0重量%から20重量%の酸化イットリウム、及び/又はCaO、そして特に0重量%から15重量%のCaO、及び/又はMgO、特に0重量%から15重量%のMgOを含む二元系ジルコニア合金(ZrO)、
及び/又は、
e)母材の全純度が少なくとも98重量%であり、Nb、特に、0重量%から30重量%のNbO、及び/又はTa、特に、0重量%から30重量%のTaの更なる添加剤を含む、d)に指定された三元系合金(ジルコニアZrO)、
を具備する。
本発明の特に好ましい実施形態では、エアロゾル堆積(ADM)を使用して製造された層は、絶縁酸化物の不動態層であり、酸化アルミニウムが特に好ましい。
もしエアロゾル堆積(ADM)を使用して製造された少なくとも一つの層が少なくとも95%までの酸化アルミニウム(Al)から成るならば、これもまた有利である。
堆積させたAl層の結晶相を決定するには、X線回折の方法を好ましくは使用する。製造元シュトーエ・ウント・ツィー社(Stoe & Cie GmbH)から入手できる Stadi P というタイプのX線回折装置を、この目的に使用する。相の定量化には、リートベルト(Rietveld)法を適用する。代わりに、比較及び分析に必要な成分からなる決められた混合物を製造することが可能である。
粉体、特に酸化アルミニウム粉体の純度は、発光分光分析を使用して決定する。測定については、サーモ・フィッシャー・サイエンティフィック社(Thermo Fisher Scientific)により供給される iCAP 6500 duo 又は iCAP 7400 duo というタイプのICPスペクトロメータを使用する。
測定は、DIN EN ISO 11885 規格に準拠して実行する。酸化アルミニウム(Al)粉体の場合では、100mgの試料を、8mlの塩化水素(HCl)、2mlの硝酸(HNO)、及び1.5mlのフッ化水素(HF)に加え、マイクロ波分解プロセスを使用して可溶化する。溶解した試料を、つづいて試験管に移し、これをふたたび純水で満たす。測定溶液は、測定装置中にポンプで送り、そこで噴霧して、エアロゾルをアルゴンプラズマ中に導入する。そこでは、試料の成分を蒸発させ、原子化し、励起し、そして部分的にイオン化させる。つづいて、原子及びイオンが基底状態に戻る際に放射される光を検出する。放射された光の波長は、試料に含有される各元素の特徴である。波長の強度は、各元素の濃度に比例する。
好ましくは、600℃の温度でエアロゾル堆積を使用して製造されたAl層における比抵抗は、少なくとも1010Ωcmである。
エアロゾル堆積(ADM)を使用して製造された層、特に酸化アルミニウム層の比抵抗(RS)は、好ましくは、ASTM D257-07 規格に記載の4点測定又は2点測定を用いて決定される。これには、基材、例えばガラス、例えば20mm×60mmのサイズを有するものをまず準備する必要がある。調べられることになる層、特に酸化アルミニウム材料を、基材上に堆積する。端部のそれぞれを金属化する、又はこれらに、平坦な金属ストリップを転写する。金属ストリップは、10mmの間隔で互いに平行に配置する。電源を二つコンタクトに接続し、電流値を設定する。
4点測定の場合では、二つのプローブ及び電位差計(Hewlett-Packard 4355A)を使用して、金属ストリップ間の電位降下を測定し、表面抵抗(SR)を決定する。層厚(d)は、平行に製造された層から決定する。比抵抗(RS)は、以下の関係により与えられる:RS=SR×d。
加えて、エアロゾル堆積を使用して製造された少なくとも一つの層は、100nm〜50μmの厚さを有することができる。層厚を決定するためには、機械式のパーソメータ(Perthometer)(スタイラス機器)を、好ましくは使用する。これには、ガラス基材、例えば20mm×60mmのサイズを有するものをまず準備する必要がある。基材面の一部を、例えばその上に固定された金属箔を用いて、マスクする。調べられることになる層を基材上に堆積させる。マスクの除去後、層の段差上で機械式のパーソメータ(Tencor 500、分解能<1nm)のスタイラスを通過させることにより、スライスされた厚さを測定する。
好ましくは、エアロゾル堆積を使用して製造された少なくとも一つの層は、防湿性である。エアロゾル堆積を使用して製造された層の、湿気の侵入に対する封止性は、DIN EN 60749-8:2003-12 規格によって定義される。このプロセスのもと、Pt200抵抗センサ(HDA 420)を、試験されることになる層でコーティングし、その後少なくとも15分間、室温で水浴に浸漬する。除去及び室温での乾燥の後、センサの抵抗を測定する。適切な防湿性を有する層としては、+25℃での抵抗が、初期値の1%より大きく変化してはならない。
更には、本発明に係るセンサは、1200℃超で最低限二時間の温度処理、及び引き続いて25℃への冷却の後に、エアロゾル堆積を使用して製造された層に平方センチメートルあたり亀裂が一つもないことを特徴とすることができる。
好ましくは、エアロゾル堆積を用いて製造された層は、4・10−6−1から14・10−6−1の範囲の熱膨張係数を有する。熱膨張係数は、例えば、膨張率測定を使用して測定することができる。
エアロゾル堆積を用いて製造された層は、好ましくは1%より少ない空孔率を有する。エアロゾル堆積により製造された層の空孔率は、例えば、水銀ポロシメトリ(porosimetry)を使用して測定することができる。水銀ポロシメトリを実行するためには、ポロテック・カンパニー(Porotec company)により供給される装置(低圧範囲では Pascal 140、高圧範囲では Pascal 440)を、好ましくは使用する。規格 DIN 66133 は、水銀圧入によって、空孔体積分布及び固形分の比表面積を定義する。好ましくは、対象の層を、測定の前に約1時間、200℃に加熱する。
エアロゾル堆積を用いて製造された層は、従来法により製造された層よりも高い硬度を好ましくは有する。よって、例えば、ADM法により製造されたAl(>99.9%)層の硬度は、10GPaである。PVD法、及びスクリーン印刷法(両方の場合とも純粋なAl)を用いて製造された層の硬度はそれぞれ、4.7GPaと2.8GPaである。
エアロゾル堆積により製造された層の硬度は、例えば、ナノインデンテーション(nanoindentation)を使用して測定することができる。Nano-Test プラットフォームは、試料と接触しているダイヤモンドの動きをモニタする。コイルを通る電流の変化による結果として、圧縮力がかかり(電磁力アクチュエータの原理)、そしてダイヤモンドの位置に変化が生じる。硬度測定の最中には、ダイヤモンド先端部は、試料に侵入し続ける。続いてこの距離変化は、キャパシタの静電容量の変化を介して負荷の関数として記録される。その結果、印加されたコイル電流の正確な較正により、そして距離変化の測定により、侵入深さ及び印加した負荷の両方を決定することができる。負荷対侵入深さの曲線を分析するために、オリバー(Oliver)及びファール(Pharr)により提案された方法を通常は使用する。
エアロゾル堆積により製造された層は、誘電率を有する誘電体、又は絶縁体とすることができる。電子伝導体を、エアロゾル堆積により製造される層として形成することもまた可能である。この層はまた、機能層とすることができる。
本発明に係るセンサはまた、センサ担体を具備しており、これは、セラミック、及び/又は金属、及び/又は金属合金、及び/又はガラス、及び/又はガラスセラミック、及び/又はプラスチックから成るものとすることができる。特定の好ましい形態では、センサ担体は、酸化アルミニウム、及び/又は酸化マグネシウム、及び/又は酸化ジルコニウム(ジルコニア)であって、安定化されていてもよいもの、及び/又は酸化ケイ素を具備する。センサ担体の熱膨張係数は、好ましくは0.05・10−6−1から15・10−6−1である。
600℃でのセンサ担体の又はセンサ担体材料の比抵抗は、少なくとも1010Ωcmである。比抵抗の決定に関しては、ASTM D257-07 規格に従ってすでに記載された測定を適用することができる。
センサ担体を、導電体となるように設計することが可能である。
センサの導電性コーティングは好ましくは、金属から、特に、白金(Pt)、及び/又はロジウム(Rh)、及び/又はイリジウム(Ir)、及び/又はパラジウム(Pd)、及び/又は金(Au)、及び/又はタングステン(W)、及び/又はタンタル(Ta)、及び/又はニッケル(Ni)、及び/又は銅(Cu)から、及び/又は指定された金属の合金から形成される。
代わりに、少なくとも一つの導電層を、伝導性セラミック、例えば炭化ケイ素(SiC)から製造することが可能である。導電性コーティングが伝導性セラミックを具備することも可能である。
導電層を、貴金属、及び/又はニッケル(Ni)、及び/又はクロム(Cr)、及び/又はニッケル−クロム(NiCr)、及び/又は窒化ケイ素(Si)、又は指定された元素の合金からなる群からの材料からつくることも可能である。
少なくとも一つの導電層を構造化することができる。導電層が、線状及び/又は導体ループ状、及び/又は蛇行している構造、及び/又は交差指型構造、及び/又はネットワーク、及び/又はパッドの形態での構造を具備することが可能である。
導電層の構造は、先に記載のとおり、本発明に係る方法の一部として遡って導電性コーティング中に導入することができる。すでに構造化された形態のセンサ担体上に、導電層を直接的に又は間接的に付着させることもまた可能である。
導電性コーティングは、少なくともいくつかの区画において、少なくとも一つの機能層、特に保護層、及び/又はセンサ層、及び/又は絶縁層、及び/又はバリア層によりカバーされる。導電性コーティングは、少なくともいくつかの区画においては、エアロゾル堆積を使用して製造された層により好ましくはカバーされる。
センサ担体と導電層との間に配置された少なくとも一つの中間層は、例えば、平滑化目的の平衡層、又は密着層若しくは機械的な分離目的の層、又は電気絶縁のための層、又は導電層における亀裂形成を防止するための層とすることができる。複数の中間層を、センサ担体と少なくとも一つの導電層との間に形成することが可能である。
本発明の一実施形態では、少なくとも二つの導電層を形成することが可能であり、エアロゾル堆積により製造される少なくとも一つの層を、それら少なくとも二つの導電層の間に形成することができる。
少なくとも一つの導電性構造を、エアロゾル堆積により製造される少なくとも一つの層と交互に付着させることが可能である。最上層の導電層は、少なくとも部分的に露出する、すなわち少なくともいくつかの区画においては更なる層でカバーされないようにすることができる。
もしセンサが少なくとも二つの導電層を有するなら、導電層を、少なくとも一つの測定ブリッジにより互いに接続することが可能である。
更には、導電性構造を、互いから完全に絶縁する、又は少なくともいくつかの区画において絶縁することができる。絶縁は、例えば、エアロゾル堆積を使用して製造された層を用いて提供することができる。
少なくとも一つの導電層を、加熱及び/又は測定に使用することができる。少なくとも一つの導電層を、パラメータ、例えば導電率、及び/又は電気抵抗、及び/又はインピーダンス、及び/又は電圧、及び/又は電流振幅、及び/又は周波数、及び/又は静電容量、及び/又は位相のオフセットを測定するのに使用することができる可能性もある。
本発明の更なる二次的態様は、温度、及び/又は粒子量、及び/又は煤粒子量、及び/又は反応熱、及び/又は気体含有量、及び/又は気体の流れを測定するために、車両において本発明に係るセンサを使用することに関する。本発明に係る方法を用いて、及び/又は本発明に係るセンサと併せてすでに提示されているとおり、同様な利点が得られる。
これ以降、本発明を、添付された模式的な図面を参照しつつ更に詳細に記載する。
それらの図面は、
図1〜図3は、公知のセンサと比較した、本発明に係るセンサ上での温度ドリフトの比較測定の結果である。 図1〜図3は、公知のセンサと比較した、本発明に係るセンサ上での温度ドリフトの比較測定の結果である。 図1〜図3は、公知のセンサと比較した、本発明に係るセンサ上での温度ドリフトの比較測定の結果である。 図4a及び図4bは、Al層の平面図であり、図4AのAl層はPVDプロセスを用いて、そして図4BのAl層はADMにより製造されている。 図4a及び図4bは、Al層の平面図であり、図4AのAl層はPVDプロセスを用いて、そして図4BのAl層はADMにより製造されている。 図5a〜図5cは、異なる設計のセンサである。 図5a〜図5cは、異なる設計のセンサである。 図5a〜図5cは、異なる設計のセンサである。 図6a〜図6dは、絶縁層及びカバー層を有する異なる設計のセンサである。 図6a〜図6dは、絶縁層及びカバー層を有する異なる設計のセンサである。 図6a〜図6dは、絶縁層及びカバー層を有する異なる設計のセンサである。 図6a〜図6dは、絶縁層及びカバー層を有する異なる設計のセンサである。 図7a〜図7cは、複数の絶縁層及び/又はカバー層を有する異なる設計のセンサである。 図7a〜図7cは、複数の絶縁層及び/又はカバー層を有する異なる設計のセンサである。 図7a〜図7cは、複数の絶縁層及び/又はカバー層を有する異なる設計のセンサである。
図1〜3に、標準的な方法を使用して製造されている公知のセンサと比較して、本発明に係るセンサの温度ドリフトが肯定的な影響を受け得る程度を示す。
本発明に係るセンサは、白金の導電層、及び酸化アルミニウム(Al)の不動態層を含む。酸化アルミニウム層は、エアロゾル堆積を用いて製造する。
図1〜図3に、異なるやり方で付着させたAl不動態層に関しての比較を示す。最初から三本の棒はそれぞれ、スクリーン印刷法を使用して付着させたAl層を有するセンサに関する。
一方で棒4〜6は、エアロゾル堆積(ADM)を用いて付着させたAl層に関する。
対照的に棒7〜9は、PVD(物理蒸着)法を使用して白金構造に付着させたAl層に関する。
センサの設計、すなわち、白金層、層厚、及び寸法は、同一とした。温度変化試験を、完成したセンサを用いて実行した。そのために、センサは、装置を使用してチャンバ加熱炉の中に置き、その後、再びチャンバ加熱炉から取り出した。センサをチャンバ加熱炉の外に出すとすぐ、それらのセンサに空気を吹きつけて、急速な冷却が得られるようにした。
図1のグラフに、0℃で12,000サイクルの後での温度ドリフトをケルビン表示で示す。図2のグラフに、100℃で測定した12,000サイクルの後での温度ドリフトをケルビン表示で示す。図3のグラフに、900℃で測定した12,000サイクルの後での温度ドリフトをケルビン表示で示す。
エアロゾル堆積(ADM)を使用して付着させたAlの不動態層を有するセンサが、あらゆる温度で、すなわち0℃で、そして100℃で、そして900℃で、顕著に低いドリフトを示しているのが明らかに見られる。
これらの試験結果は、エアロゾル堆積(ADM)を使用して製造された不動態層、特にAl層がセンサを顕著に改善することを実証するものであり、安定性に関する要求を数倍上回っている。
以下の表に、異なるやり方で製造された絶縁層の電気抵抗の比較を列挙する。これを作成するために、第一にエアロゾル堆積を用い、そして第二にスクリーン印刷法によりAl絶縁層を二つの白金電極領域の間に付着させた模型を組み立てた。層の厚さは、各場合で9ミクロンであった。
Figure 0006954999
室温では、エアロゾル堆積を使用して製造された層は、スクリーン印刷により製造された層よりも17倍高い電気絶縁抵抗を有すること、すなわちADM層が実質的に更に良好に絶縁することが分かる。
250℃では、エアロゾル堆積(ADM)により製造された層は、スクリーン印刷された層と比較して12倍高い絶縁抵抗値を有する。
図4aに、PVDプロセスを使用して従来から製造されているAl層を示す。亀裂が視認できる。これらは、ガンマからアルファへの相変態によって生じる縮小に起因して、温度処理の後に生じる。
図4bに、ADMにより製造されたAl層を示す。Al粉体は、層の製造の最中にはo相として存在する。ADMは常温コーティング法であるので、相変態は生じない。亀裂は、温度処理の最中には生じない。
空孔率が低く、亀裂が存在せず、欠陥が低レベルであることに起因して、高い電気絶縁抵抗と良好な熱伝導性の両方を有する非常に高密度のADM層が得られる。
記載の肯定的な特性、例えば良好な熱伝導性と組み合わさった高い電気絶縁抵抗に起因して、ADMにより製造された層は、センサの構築に伝導性の層又は構造とADM層とを交互に使用する多層系を構築するのには、特に適している。
図5aに、簡単なセンサ設計を示す。ADM層2を基材担体1に付着させる。非常に良好な絶縁抵抗に起因して、ADM層2は、もし低い電気抵抗を有する金属又は酸化物、例えば安定化された酸化ジルコニウムを基材担体材料として使用するならば、絶縁層として作用する。
この設計はまた、基材担体1が、粗い、構造的特徴のある、多孔質性の、又は欠陥性の面を有する場合には、又はもし欠陥、例えば亀裂又は細孔がその面に存在するならば、平衡層として適用される。このADM層を形成することが実証されている材料は、上記のとおり、酸化物又は複合酸化物、好ましくはAl又はMgOである。絶縁層2上には、少なくとも一つの伝導性の構造又は面3を付着させるが、これは好ましくは、白金、金、ニッケル又はCrNi合金から成る。
絶縁層2を使用して、伝導性の面又は構造3の接着に効果を与えることもできる。
図5bに、少なくとも一つの伝導性の層又は構造3を基材担体1に付着させた構造を示す。基材担体材料としての使用が実証されている材料は、Al又は安定化されたZrOである。伝導性の層又は構造3は、好ましくは白金、金、ニッケル、又はCrNi合金から成る。
伝導性の層又は構造3は、ADM層4によりカバーされる。Alは、コーティング材としての使用が実証されている材料である。ADM層4は、保護層又は不動態層として作用するが、その理由は、そうして製造された層が非常に高密度であり、そして低いガス浸透性を有するからである。伝導性の層又は構造3のカバーされていない領域は、ここでは電気的な接触のための接続面として使用される。この構造は、温度抵抗器又は熱抵抗器として使用される可能性がある。
図5cに、図5a及び図5bの組み合わせを表す構造を示す。伝導性の層又は構造3は、例えば白金、金、ニッケル、又はCrNi合金からできており、二つのADM層2及び4の間に埋め込まれる。この構造は、絶縁層2の利点を含んでおり、そしてカバー層又は不動態層4は、温度抵抗器又は熱抵抗器として使用される。
以下の設計例は、ADMを用いて特に良好に製造された層の利点を示す。このように製造された層は、空孔率が低く、亀裂が無くて欠陥が少なく、そして密度が非常に高い。ADM層として特に実証されている材料はAlであり、それは、これらの層が、良好な熱伝導性と組み合わさった高い電気絶縁抵抗を有するからである。用途によって、0.5から50μmの範囲の層厚が実用的である。5から10μmの層厚が特に好結果をもたらすことが実証されている。
図6aに、図5bの構造の発展例を示す。第一の伝導性の面又は構造3をカバーするADM層5は、ここでは、更なる伝導性の面又は構造6を上に付着させた絶縁層である。絶縁層材料は、Al、MgO、又はこれら二つの材料の混合物から成る。Alは、特に好結果をもたらすことが実証されている。
ここに示された伝導性の面又は構造6は、抵抗ループとして実装されており、そしてヒータを表している。この構造は例えば、風速計原理に基づく流量又は質量流量センサとして使用され、この中では伝導性構造3が温度抵抗として使用され、そして他の伝導性構造6が熱抵抗器として使用される。測定される特性は、比例する熱損失である。
図6bに、図6aのセンサ構造の発展例を示す。加えて、最上層は、不動態層7として付着させたADM層であり、その下にある伝導性の面又は構造6を腐食性の攻撃から保護する。
図6cに図6aの設計変形例を示すが、この場合では、上部の伝導性の層又は構造6が、IDE構造の形態で二重電極構造として実装されている。この構造は、伝導度センサとして使用することができる。IDE構造は、それが液体又は気体流中に浸漬される場合に、電極間の抵抗を測定するのに使用される。センサ面上の堆積物を抵抗測定により測定することもできる。
図6dに、図6cのセンサ構造の発展例を示す。加えて、最上層は、絶縁層又は不動態層7として付着させたADM層である。図6cに記載のセンサ機能は、容量測定、又はインピーダンス測定を用いて評価することができる。
図7aに、基材担体1上に三つの伝導性の面又は構造3、6、及び9を有するセンサ設計を示す。伝導性の面又は構造3、6、及び9は、少なくとも一つの温度抵抗、一つの熱抵抗器、及び一つの電極構造である。伝導性の面又は構造3、6、及び9は、各場合で少なくとも一つのADM層5、8により互いから電気的に絶縁されている。この構造は、伝導度センサとして使用することができ、この場合、伝導性を測定するためのIDE構造として、少なくとも一つの加熱構造が温度制御センサに使用される。抵抗構造を温度測定に使用することができる。
図7bに、図7aの更なる実施形態を示すが、これは最上層として更に、絶縁層又は不動態層10としてのADM層を含有するものである。この構造を用いて、最上層のADM層10上の面堆積物を、容量測定又はインピーダンス測定を使用して検出することができる。
図7cに、図7aの実施形態の発展例を示すが、更なる層11がIDE構造の上に付着している。この層11は、機能層として使用され、特定の気体に応答して電気特性が変化する。この構造は、気体センサとして使用することができる。
1 基材担体
2 (ADM)による絶縁層(I)
3 伝導性の層(I)又は構造
4 ADMによるカバー層(I)
5 (ADM)による絶縁層(II)
6 伝導性の層(II)又は構造
7 ADMによるカバー層(II)
8 (ADM)による絶縁層(III)
9 伝導性の層(III)又は構造
10 ADMによるカバー層(III)
11 機能層

Claims (10)

  1. 少なくとも一つの導電層と、少なくとも一つの更なる層である不動態層又は絶縁層、と、を具備するセンサである温度センサ、を製造する方法であって、
    少なくとも一つの更なる層が、150℃以下の温度処理を使用したエアロゾル堆積(エアロゾル堆積法、ADM)を用い、担体気体として酸素(O )を用いて製造され、
    前記エアロゾル堆積において、
    a)母材の純度が少なくとも94重量%であるアルファ相の酸化アルミニウム(Al)、又は、
    b)母材の純度が少なくとも94重量%である酸化マグネシウム(MgO)、又は、
    c)母材の全純度が少なくとも98重量%である、組成物MgTiO、MgTiO、又はMgTiとしてのチタン酸マグネシウム、又は、
    d)母材の全純度が少なくとも98重量%であり、0重量%から20重量%の酸化イットリウム、又は0重量%から15重量%のCaO、又は0重量%から15重量%のMgOを含む二元系ジルコニア(ZrO)、又は、
    e)母材の全純度が少なくとも98重量%であり、0重量%から30重量%のNb、又は0重量%から30重量%のTaの添加剤を、d)に指定された二元系ジルコニア(ZrO )に更に含む、三系ジルコニアZrO)、
    の粉体が使用されることを特徴とする方法。
  2. a)センサ担体を提供するステップと、
    b)前記センサ担体の上に、前記少なくとも一つの導電層として第1の導電層を直接的又は間接的に付着させるステップと、
    c)エアロゾル堆積を用いて、前記第1の導電層の上に、前記少なくとも一つの更なる層を付着させるステップと、
    を有することを特徴とする、請求項1に記載の方法。
  3. d)前記少なくとも一つの更なる層の上に、前記少なくとも一つの導電層として第2の導電層を直接的又は間接的に付着させるステップと、
    e)前記第1の導電層と前記第の導電層とを、少なくとも一つの測定ブリッジを介して互いに接続するステップと、
    を更に有することを特徴とする、請求項2に記載の方法。
  4. 前記エアロゾル堆積で、酸化アルミニウム(Al)又は酸化マグネシウム(MgO)又は酸化ジルコニウム(ジルコニア(ZrO))の粉体であって、安定化されたものが、少なくとも95%の母材の純度で、又はそれらのあらゆる混合物で使用されることを特徴とする、請求項1から3のいずれか一項に記載の方法。
  5. エアロゾル堆積を使用して製造された前記少なくとも一つの更なる層が、少なくとも95%の酸化アルミニウム(Al)から成ることを特徴とする、請求項1からのいずれか一項に記載の方法。
  6. アロゾル堆積を用いて製造された前記酸化アルミニウム(Al )から成る層の600℃の温度における比抵抗が、少なくとも1010オームcmであることを特徴とする、請求項に記載の方法。
  7. エアロゾル堆積を用いて製造された前記少なくとも一つの更なる層が、100nm〜50μmの厚さを有することを特徴とする、請求項1からのいずれか一項に記載の方法。
  8. エアロゾル堆積(ADM)を用いて製造された前記少なくとも一つの更なる層が、少なくとも6Gpaの硬度を有することを特徴とする、請求項1からのいずれか一項に記載の方法。
  9. エアロゾル堆積(ADM)を用いて製造された前記少なくとも一つの更なる層が防湿性であることを特徴とする、請求項1からのいずれか一項に記載の方法。
  10. 前記少なくとも一つの導電層が、白金(Pt)又はロジウム(Rh)又はイリジウム(Ir)又はパラジウム(Pd)又は金(Au)又はタングステン(W)又はタンタル(Ta)又はニッケル(Ni)又は銅(Cu)又は前記の指定された金属の合金、から成ることを特徴とする、請求項1からのいずれか一項に記載の方法。
JP2019514809A 2016-10-11 2017-10-11 センサを製造する方法、センサ、及びセンサの使用 Active JP6954999B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102016119340.2 2016-10-11
DE102016119340.2A DE102016119340A1 (de) 2016-10-11 2016-10-11 Verfahren zur Herstellung eines Sensors, Sensor und Verwendung eines Sensors
PCT/EP2017/075982 WO2018069415A1 (de) 2016-10-11 2017-10-11 Verfahren zur herstellung eines sensors, sensor und verwendung eines sensors

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2019529315A JP2019529315A (ja) 2019-10-17
JP6954999B2 true JP6954999B2 (ja) 2021-10-27

Family

ID=60191348

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2019514809A Active JP6954999B2 (ja) 2016-10-11 2017-10-11 センサを製造する方法、センサ、及びセンサの使用

Country Status (8)

Country Link
US (1) US20200271528A1 (ja)
EP (1) EP3526367B1 (ja)
JP (1) JP6954999B2 (ja)
KR (1) KR102237782B1 (ja)
CN (1) CN109790624A (ja)
DE (1) DE102016119340A1 (ja)
TW (1) TWI734843B (ja)
WO (1) WO2018069415A1 (ja)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102007446B1 (ko) * 2018-05-21 2019-10-21 해성디에스 주식회사 센서 유닛, 이를 포함하는 온도 센서, 센서 유닛의 제조방법 및 이를 이용하여 제조된 온도 센서
DE202019002164U1 (de) * 2019-05-17 2019-06-21 Heraeus Nexensos Gmbh Verbesserter Hochtemperaturchip
EP3842566A1 (en) * 2019-12-27 2021-06-30 Tubacex Innovación A.I.E. Pipe with resistance temperature detection sensor
FR3118198B1 (fr) * 2020-12-21 2023-08-18 Commissariat Energie Atomique Noyau de mesure pour la mesure d'échauffement nucléaire en réacteur nucléaire et capteur calorimétrique intégrant un tel noyau de mesure
EP4177377A1 (de) * 2021-11-03 2023-05-10 Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG Herstellung einer freitragenden metallschicht

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19601592C1 (de) * 1996-01-18 1997-05-07 Bosch Gmbh Robert Sensor und Verfahren zur Herstellung eines Sensors
DE19614459A1 (de) * 1996-04-12 1997-10-16 Grundfos As Elektronisches Bauelement
EP0973020B1 (de) * 1998-07-16 2009-06-03 EPIQ Sensor-Nite N.V. Elektrischer Temperatur-Sensor mit Mehrfachschicht
AU7684900A (en) * 1999-10-12 2001-04-23 Japan As Represented By Secretary Of Agency Of Industrial Science And Technology, Ministry Of International Trade And Industry Composite structured material and method for preparation thereof and apparatus for preparation thereof
JP2002235181A (ja) * 1999-10-12 2002-08-23 National Institute Of Advanced Industrial & Technology 複合構造物及びその製造方法並びに作製装置
JP2001181859A (ja) * 1999-10-12 2001-07-03 Natl Inst Of Advanced Industrial Science & Technology Meti 複合構造物の作製方法および作製装置
JP2002296226A (ja) * 2001-03-30 2002-10-09 Ngk Spark Plug Co Ltd 積層型センサ素子及びその製造方法
JP2005223256A (ja) * 2004-02-09 2005-08-18 Nec Tokin Corp 積層型圧電トランス及びその製造方法
WO2007004691A1 (ja) * 2005-06-30 2007-01-11 Nec Corporation 電界/磁界センサおよびそれらの製造方法
JP2010225709A (ja) * 2009-03-23 2010-10-07 Brother Ind Ltd 圧電アクチュエータの製造方法
ES2663098T3 (es) * 2010-09-13 2018-04-11 Pst Sensors (Pty) Limited Método de producción de un sensor de temperatura impreso
EP2490073B1 (en) * 2011-02-18 2015-09-23 ASML Netherlands BV Substrate holder, lithographic apparatus, and method of manufacturing a substrate holder
JP2013018687A (ja) * 2011-07-13 2013-01-31 Sumitomo Electric Ind Ltd 窒化物膜の製造方法
DE102011081279A1 (de) * 2011-08-19 2013-02-21 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren zur elektrischen Passivierung elektromechanischer Bauelemente
JP2013142582A (ja) * 2012-01-10 2013-07-22 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 超音波厚みセンサの製造方法
DE102012110210B4 (de) * 2012-10-25 2017-06-01 Heraeus Sensor Technology Gmbh Hochtemperaturchip mit hoher Stabilität
JP2015115438A (ja) * 2013-12-11 2015-06-22 株式会社村田製作所 Ntcサーミスタ素子
JP6361275B2 (ja) * 2014-05-15 2018-07-25 山里産業株式会社 測温抵抗素子の製造方法
WO2015187959A1 (en) * 2014-06-04 2015-12-10 Pepex Biomedical, Inc. Electrochemical sensors and methods for making electrochemical sensors using advanced printing technology
US10593928B2 (en) * 2014-08-20 2020-03-17 Washington University Single-step synthesis of nanostructured thin films by a chemical vapor and aerosol deposition process
JP6661269B2 (ja) * 2015-01-14 2020-03-11 サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド. コーティング膜を備える構造体およびその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
WO2018069415A1 (de) 2018-04-19
EP3526367A1 (de) 2019-08-21
TWI734843B (zh) 2021-08-01
KR20190059314A (ko) 2019-05-30
KR102237782B1 (ko) 2021-04-08
EP3526367B1 (de) 2023-12-06
DE102016119340A1 (de) 2018-04-12
CN109790624A (zh) 2019-05-21
TW201825711A (zh) 2018-07-16
US20200271528A1 (en) 2020-08-27
JP2019529315A (ja) 2019-10-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6954999B2 (ja) センサを製造する方法、センサ、及びセンサの使用
JP5976186B2 (ja) 1200℃膜抵抗体
US20170363530A1 (en) Sensor for detecting electrically conductive and/or polarizable particles, sensor system, method for operating a sensor, method for producing a sensor of this type and use of a sensor of this type
US20100199778A1 (en) Capacitive pressure sensor
US8730002B2 (en) Non-conducting zirconium dioxide
RU2466116C2 (ru) Способ нанесения покрытия на покрытую карбидом кремния подложку
JP2020029614A5 (ja)
JP2008298769A (ja) SiCで被覆された基材上にアルミナを堆積させる方法
JP3493343B2 (ja) プラチナ温度センサおよびその製造方法
CN101622527A (zh) 传感器装置
US10871462B2 (en) MOx-based gas sensor and manufacturing method thereof
JP2019052973A5 (ja)
Fasching et al. “Smart” coatings: a technical note
JP2007248335A (ja) 還元性ガス検知素子
JP2003065989A (ja) 金属酸化物半導体ガスセンサ
Djugum et al. A fabrication process for vacuum-deposited strain gauges on thermally sprayed Al2O3
JP6958384B2 (ja) ガスセンサ素子
WO2021065902A1 (ja) 電極埋設セラミックス構造体
RU2547291C1 (ru) Способ изготовления тонкопленочной нано- и микроэлектромеханической системы высокотемпературного датчика механических величин
RU2647168C2 (ru) Датчик влажности
RU2544864C1 (ru) Способ изготовления тонкопленочной нано- и микроэлектромеханической системы датчика механических величин
JPS63292049A (ja) 排ガスセンサ−
CN116097072A (zh) 温度传感器以及用于制造这种温度传感器的方法
CN118715193A (zh) 集成热电偶的cmc材料
Wienand et al. 1200 C. film resistor

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20190315

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20200602

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20200824

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20201215

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20210309

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20210831

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20210930

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6954999

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150