JP6949781B2 - 固体電解コンデンサ、及び固体電解コンデンサの製造方法 - Google Patents

Description

本発明は固体電解コンデンサ、及び固体電解コンデンサの製造方法に関する。

近年、電子機器等の様々な分野において固体電解コンデンサが広く用いられている。特許文献１には、固体電解質として導電性高分子を用いた固体電解コンデンサに関する技術が開示されている。

特開２０１１−１５１２０５号公報

上述のように、特許文献１には、固体電解質として導電性高分子を用いた固体電解コンデンサに関する技術が開示されている。ここで、導電性高分子は密度が低く、空隙が多く存在するという性質を有する。特に、化学酸化重合を用いて導電性高分子の重合膜を形成した場合は、形成される導電性高分子の密度が低くなり、導電性高分子内に空隙が多く形成される。

このように、密度が低く空隙が多く存在する材料を固体電解質層の材料に用いた場合は、固体電解質層の強度が弱くなる。このため、固体電解コンデンサの外装形成時や実装時のリフロー工程において固体電解質層に機械的なストレスが加わると、固体電解質層の形状が変化して固体電解質層が剥離・切断等して固体電解質層の導電率が低下するおそれがある。このように固体電解質層の導電率が低下すると、固体電解コンデンサの等価直列抵抗（ＥＳＲ：Equivalent Series Resistance）が高くなるという問題がある。

また、固体電解質層に空隙が多く存在する場合は、固体電解質層が圧縮された際に、固体電解質層の上に形成された陰極層（グラファイト層）が固体電解質層を貫通して、陰極層と誘電体層とが部分的に接触するおそれがある。このような場合は、固体電解コンデンサの漏れ電流が増加したりショートしたりするという問題がある。

上記課題に鑑み本発明の目的は、ＥＳＲの増加、及び漏れ電流の増加を抑制することが可能な固体電解コンデンサ、及び固体電解コンデンサの製造方法を提供することである。

本発明の一態様にかかる固体電解コンデンサは、多孔質の弁作用金属からなる陽極体と、前記陽極体の表面に形成された誘電体層と、前記誘電体層の上に形成された固体電解質層と、を備え、前記固体電解質層の内部の空隙の少なくとも一部にカルボン酸エステルを有する。

本発明の一態様にかかる固体電解コンデンサの製造方法は、多孔質の弁作用金属からなる陽極体の表面に誘電体層を形成する工程と、前記誘電体層の上に固体電解質層を形成する工程と、前記固体電解質層の内部の空隙の少なくとも一部にカルボン酸エステルを形成する工程と、を備える。

本発明により、ＥＳＲの増加、及び漏れ電流の増加を抑制することが可能な固体電解コンデンサ、及び固体電解コンデンサの製造方法を提供することができる。

実施の形態にかかる固体電解コンデンサの断面図である。 実施の形態にかかる固体電解コンデンサの拡大断面図である。 固体電解コンデンサのＥＳＲ変化を示すグラフである。 固体電解コンデンサのショート発生率を示すグラフである。

以下、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。
図１は、実施の形態にかかる固体電解コンデンサの断面図である。図１に示すように、本実施の形態にかかる固体電解コンデンサ１は、陽極体１１、誘電体層１２、固体電解質層１３、陰極層１６、導電性接着剤１７、陽極リード１８、外装樹脂１９、及びリードフレーム２０、２１を備える。

本実施の形態にかかる固体電解コンデンサ１は、図１に示すように、陽極体１１の上に、誘電体層１２、固体電解質層１３、陰極層１６が順番に積層されている。陽極体１１は陽極リード１８を備えており、陽極リード１８はリードフレーム２０に接続されている。例えば、陽極リード１８は溶接によってリードフレーム２０に接続されている。また、陰極層１６は導電性接着剤１７を介してリードフレーム２１に接続されている。例えば、陰極層１６は、グラファイト層と銀層とを積層することで形成することができる。本実施の形態にかかる固体電解コンデンサ１は、２つのリードフレーム２０、２１の一部が外部に露出された状態で外装樹脂１９により覆われている。

図２は、本実施の形態にかかる固体電解コンデンサの拡大断面図であり、図１の破線部付近の拡大断面図である。図２に示すように、陽極体１１は多孔質の弁作用金属を用いて構成されている。陽極体１１は、例えば、タンタル（Ｔａ）、アルミニウム（Ａｌ）、ニオブ（Ｎｂ）、チタン（Ｔｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ハフニウム（Ｈｆ）、タングステン（Ｗ）から選択される少なくとも１種、またはこれらの金属同士の合金を用いることができる。特に、陽極体１１は、タンタル（Ｔａ）、アルミニウム（Ａｌ）、及びニオブ（Ｎｂ）から選択される少なくとも１種、またはこれらの金属同士の合金を用いることが好ましい。陽極体１１は、例えば、板状、箔状、または線状の弁作用金属、弁作用金属の微粒子を含む焼結体、エッチングによって拡面処理された多孔質の弁作用金属などを用いて形成される。

誘電体層１２は、陽極体１１の表面に形成されている。例えば、誘電体層１２は、陽極体１１の表面を陽極酸化することで形成することができる。図２に示すように、陽極体１１の表面は多孔質であり、誘電体層１２はこの多孔質の孔部にも形成される。例えば、陽極体１１にタンタルを用いた場合は、陽極体１１を陽極酸化することで、陽極体１１の表面に酸化タンタル被膜（誘電体層１２）を形成することができる。例えば、誘電体層１２の厚みは、陽極酸化の電圧によって適宜調整することができる。

固体電解質層１３は、誘電体層１２の上に形成されている。図２に示すように、固体電解質層１３は、誘電体層１２が形成された陽極体１１の孔部の内部にも形成されている。つまり、固体電解質層１３は、誘電体層１２の表面全体と接するように形成されている。また、固体電解質層１３の内部には空隙が存在しており、この内部の空隙の少なくとも一部にはカルボン酸エステル１４が形成されている（充填されている）。また、誘電体層１２と固体電解質層１３との界面にも空隙が存在しており、この界面に存在する空隙の少なくとも一部にもカルボン酸エステル１５が形成されている（充填されている）。

なお、図２では、固体電解質層１３の内部の空隙に充填されているカルボン酸エステルを符号１４で示し、誘電体層１２と固体電解質層１３との界面に存在する空隙に充填されているカルボン酸エステルを符号１５で示しているが、これらのカルボン酸エステル１４、１５は同じ材料である。

例えば、固体電解質層１３は、導電性高分子を用いて構成することができる。固体電解質層１３を形成する際は、例えば、化学酸化重合や電解重合等を用いることができる。また、導電性高分子溶液を塗布（含浸）して乾燥することで固体電解質層１３を形成してもよい。

特に化学酸化重合を用いて導電性高分子（固体電解質層１３）を形成した場合は、形成される導電性高分子の密度が低くなり、導電性高分子内に空隙が多く形成される。よって本発明はこのように化学酸化重合を用いて導電性高分子を形成した場合（すなわち、密度が低く、空隙が多く存在する導電性高分子を固体電解質層１３として用いた場合）に好適に用いられる。

固体電解質層１３は、例えばピロール、チオフェン、アニリンおよびその誘導体を少なくとも一種以上含む単量体からなる重合体を含むことが好ましい。加えて、ドーパントとしてスルホン酸系化合物を含むことが好ましい。

また、固体電解質層１３には、上述の導電性高分子に加えて、二酸化マンガン、酸化ルテニウム等の酸化物材料、ＴＣＮＱ（７，７，８，８，−テトラシアノキノジメタンコンプレックス塩）等の有機半導体等が含まれていてもよい。

図２に示すように、本実施の形態にかかる固体電解コンデンサ１では、固体電解質層１３の内部に形成された空隙の少なくとも一部にカルボン酸エステル１４が充填されている。また、誘電体層１２と固体電解質層１３との界面に形成された空隙の少なくとも一部にカルボン酸エステル１５が充填されている。カルボン酸エステル１４、１５としては、カルボン酸とヒドロキシル基を含む材料を反応させることで得られるカルボン酸エステルの組み合わせを用いることができる。なお、カルボン酸はカルボン酸塩であってもよい。

例えば、カルボン酸エステル１４、１５には、アジピン酸及びアジピン酸アンモニウムから選ばれる少なくとも一種とポリグリセリンとの化合物を用いることができる。つまり、カルボン酸としてアジピン酸及びアジピン酸アンモニウムから選ばれる少なくとも一種を、また、ヒドロキシル基を含む材料としてポリグリセリンをそれぞれ用いて、これらの材料を反応させることで、カルボン酸エステル１４、１５を得ることができる。

例えば、固体電解質層１３の空隙にカルボン酸エステル１４、１５を充填する際は、固体電解質層１３を形成した後、アジピン酸（アジピン酸アンモニウム）とポリグリセリンとの混合水溶液に、誘電体層１２及び固体電解質層１３が形成された陽極体１１を浸漬させて、固体電解質層１３の空隙に混合水溶液を含浸させ、その後、高温で乾燥することで、アジピン酸（アジピン酸アンモニウム）とポリグリセリンとをエステル結合させてカルボン酸エステルを形成する。ここで、エステル化の温度は１３０℃以上であるので、このときの乾燥温度は１３０℃以上とすることが好ましい。

また、このときのポリグリセリンの分子量は５００以上であることが好ましい。ポリグリセリンの分子量が５００以上である場合は、ポリグリセリンの分解温度が２５０℃以上となるので、生成されたカルボン酸エステル１４、１５の耐熱性を向上させることができる。

ここで、ポリグリセリンの粘度は分子量が大きいほど大きくなる。また、ポリグリセリンの単位重量当たりのＯＨ基の数は、ポリグリセリンの分子量が大きいほど少なくなる。
したがって、ポリグリセリンの粘度やエステル結合のしやすさ（ＯＨ基の数）を考慮すると、ポリグリセリンの分子量は５００〜６００であることが好ましい。

また、カルボン酸エステル１４、１５の質量は、固体電解質層１３の質量の１０％以上であることが好ましい。カルボン酸エステル１４、１５の質量を固体電解質層１３の質量の１０％以上とすることで、固体電解質層１３に存在する空隙を埋めることができる。

また、本実施の形態にかかる固体電解コンデンサ１では、固体電解質層１３を２層構造としてもよい。例えば、固体電解質層１３は、誘電体層１２の上に形成された第１の固体電解質層、及び第１の固体電解質層の上に形成された第２の固体電解質層の２層構造としてもよい。この場合は、第１の固体電解質層（つまり、誘電体層１２と接している第１の固体電解質層）の空隙の少なくとも一部にカルボン酸エステルを充填する。すなわち、固体電解質層１３を２層構造とする場合は、カルボン酸エステルを含む第１の固体電解質層を形成した後、更に第１の固体電解質層の上に第２の固体電解質層を形成する。

また、本実施の形態にかかる固体電解コンデンサ１では、固体電解質層１３を３層以上の構造としてもよく、この場合は、少なくとも１層目の固体電解質層（つまり、誘電体層１２と接している固体電解質層）の空隙にカルボン酸エステルを充填する。

上述のようにして固体電解質層１３を形成した後、固体電解質層１３の上に陰極層１６を形成する。陰極層１６は、グラファイト層と銀層とを積層することで形成することができる。なお、グラファイト層および銀層は一例であり、陰極層１６を構成する材料は導電性を示す材料であれば特に限定されることはない。

上述のように、特許文献１には、固体電解質として導電性高分子を用いた固体電解コンデンサに関する技術が開示されている。ここで、導電性高分子は密度が低く、空隙が多く存在するという性質を有する。特に、化学酸化重合を用いて導電性高分子の重合膜を形成した場合は、形成される導電性高分子の密度が低くなり、導電性高分子内に空隙が多く形成される。

このように、密度が低く空隙が多く存在する材料を固体電解質層の材料に用いた場合は、固体電解質層の強度が弱くなる。このため、固体電解コンデンサの外装形成時や実装時のリフロー工程において固体電解質層に機械的なストレスが加わると、固体電解質層の形状が変化して固体電解質層が剥離・切断等して固体電解質層の導電率が低下するおそれがある。このように固体電解質層の導電率が低下すると、固体電解コンデンサのＥＳＲが高くなるという問題があった。

また、固体電解質層に空隙が多く存在する場合は、固体電解質層が圧縮された際に、固体電解質層の上に形成された陰極層（グラファイト層）が固体電解質層を貫通して、陰極層と誘電体層とが部分的に接触するおそれがある。このような場合は、固体電解コンデンサの漏れ電流が増加したりショートしたりするという問題があった。

このような問題を解決するために、本実施の形態にかかる固体電解コンデンサ１では、固体電解質層１３の内部の空隙の少なくとも一部にカルボン酸エステル１４を充填している。このように、固体電解質層１３の内部の空隙にカルボン酸エステル１４を充填した場合は、固体電解質層１３の空隙をカルボン酸エステル１４で埋めることができ、固体電解質層１３の密度を高めることができる。よって、固体電解質層１３の強度を強くすることができるので、固体電解コンデンサ１の製造時に固体電解質層１３に機械的なストレスが加えられた場合であっても、固体電解質層１３の形状が変化することを抑制することができる。したがって、固体電解質層１３の導電率の低下を抑制することができるので、固体電解コンデンサのＥＳＲが高くなることを抑制することができる。

また、固体電解質層１３が圧縮された際に、固体電解質層１３の上に形成された陰極層１６（グラファイト層）が固体電解質層１３を貫通することを抑制することができる。したがって、陰極層１６と誘電体層１２とが部分的に接触することを抑制することができ、固体電解コンデンサ１の漏れ電流の増加およびショートの発生を抑制することができる。

また、カルボン酸エステルは部分的にカルボキシル基が残っているため導電性を示す。このため、固体電解質層１３の内部の空隙にカルボン酸エステル１４を充填した際に、固体電解質層１３の抵抗が大きくなることを抑制することができる。したがって、固体電解コンデンサ１のＥＳＲが高くなることを抑制することができる。

また、本実施の形態にかかる固体電解コンデンサ１では、固体電解質層１３は誘電体層１２と接するように形成されており、誘電体層１２と固体電解質層１３との界面に存在する空隙の少なくとも一部にカルボン酸エステル１５を充填している。ここで、カルボン酸エステルは弁作用金属を陽極酸化することができるため（つまり、化成能を有するため）、誘電体層１２に欠陥が生じた際に誘電体層１２を修復することができ、漏れ電流を安定化させることができる。

また、固体電解質層の内部の空隙に充填する材料として耐熱性の低い材料を使用した場合は、実装時のリフロー工程等における熱によって充填材料からガスが発生するおそれがある。このようにガスが発生した場合は、ＥＳＲが増大したり、外装樹脂にクラックが発生したりするおそれがあった。

本実施の形態にかかる固体電解コンデンサ１では、このような問題を解決するために、固体電解質層１３の内部の空隙に充填する材料として耐熱性の高いカルボン酸エステル１４、１５を用いている。具体的には、カルボン酸エステルを形成する際に、分解温度が２５０℃以上のポリグリセリン（分子量が５００〜６００のポリグリセリン）を使用し、更にポリグリセリンをアジピン酸（アジピン酸アンモニウム）とエステル化することで、耐熱性を向上させることができる。したがって、実装時のリフロー工程等における熱によって充填材料からガスが発生することを抑制することができる。よって、ＥＳＲが増大したり、外装樹脂にクラックが発生したりすることを抑制することができる。

以上で説明したように、本実施の形態にかかる発明により、ＥＳＲの増加、及び漏れ電流の増加を抑制することが可能な固体電解コンデンサ、及び固体電解コンデンサの製造方法を提供することができる。

以下、本発明を実施例に基づき、さらに具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。

＜実施例１＞
実施例１にかかるサンプルを下記の方法を用いて作製した。
まず、タンタル粉末を用いてタンタル焼結体を作製した。具体的には、まず、陽極リード（タンタルワイヤー）が埋め込まれたタンタル粉末をプレス成形した。このとき形成された成形体は、縦１．７ｍｍ、横２．２ｍｍ、厚さ１．２ｍｍの直方体とした。その後、この成形体を１５００℃で焼結して、タンタル焼結体を作製した。

次に、作製したタンタル焼結体をリン酸溶液中で陽極酸化して、タンタル焼結体の表面に誘電体層を形成した。このときの陽極酸化の条件は、４０Ｖとした。

その後、表面に誘電体層が形成されたタンタル焼結体を、３，４−エチレンジオキシチオフェンを含むモノマー溶液と、ドーパントとしての１，３，６−ナフタレントリスルホン酸と、酸化剤であるペルオキソ二硫酸アンモニウムを含む酸化剤溶液と、を含む溶液に浸漬させた。この浸漬を数回繰り返し、化学酸化重合を用いてポリ３，４−エチレンジオキシチオフェンを含む固体電解質層（導電性高分子層）を形成した。

次に、４０ｗｔ％のポリグリセリン＃５００（阪本薬品工業株式会社製。平均分子量が５００のポリグリセリン）と、５ｗｔ％のアジピン酸アンモニウムと、５５ｗｔ％の水（Ｈ_２Ｏ）と、をスターラーで混合して溶液を作製した。そして、作製した溶液中に、固体電解質層まで形成したサンプルを浸漬した。その後、このサンプルを溶液中から引き上げて、１５０℃で６０分間乾燥してカルボン酸エステルを形成した。このようにして、固体電解質層の空隙にカルボン酸エステルを充填した。

次に、固体電解質層の上にグラファイト層と銀層とを積層して陰極層を形成した。グラファイト層にはグラファイトペーストを使用し、銀層には銀ペーストを使用した。そして、溶接を用いて陽極リードと陽極側のリードフレームとを接続した。また、導電性接着剤を用いて陰極層と陰極側のリードフレームとを接続した。その後、２つのリードフレームの一部が外部に露出された状態で、外装樹脂を用いてサンプルを覆うことで固体電解コンデンサを作製した。

＜実施例２＞
実施例２にかかるサンプルを下記の方法を用いて作製した。
まず、実施例１と同様の方法を用いてタンタル焼結体を作製した。その後、実施例１と同様の方法を用いて陽極酸化を行い、タンタル焼結体の表面に誘電体層を形成した。更に実施例１と同様の方法を用いて、誘電体層の上に固体電解質層（導電性高分子層）を形成した。

次に、４０ｗｔ％のポリグリセリン＃５００（阪本薬品工業株式会社製。平均分子量が５００のポリグリセリン）と、５ｗｔ％のアジピン酸アンモニウムと、５５ｗｔ％の水（Ｈ_２Ｏ）と、をスターラーで混合して溶液を作製した。そして、作製した溶液中に、固体電解質層まで形成したサンプルを浸漬した。その後、このサンプルを溶液中から引き上げて、１５０℃で６０分間乾燥してカルボン酸エステルを形成した。このようにして、固体電解質層の空隙にカルボン酸エステルを充填した。

その後、固体電解質層の上に導電性高分子溶液からなる固体電解質層を形成した。具体的には、カルボン酸エステルを形成した後のサンプルを導電性高分子溶液に浸漬・乾燥することで、２層目の固体電解質層を形成した。

その後、固体電解質層の上にグラファイト層と銀層とを積層して陰極層を形成した。グラファイト層にはグラファイトペーストを使用し、銀層には銀ペーストを使用した。そして、溶接を用いて陽極リードと陽極側のリードフレームとを接続した。また、導電性接着剤を用いて陰極層と陰極側のリードフレームとを接続した。その後、２つのリードフレームの一部が外部に露出された状態で、外装樹脂を用いてサンプルを覆うことで固体電解コンデンサを作製した。

実施例２では、固体電解質層が２層構造となっている点が実施例１と異なる。固体電解質層に充填されたカルボン酸エステルは完全な固体ではないため、実施例２のように固体電解質層を２層構造とすることで、１層目の固体電解質層に充填されたカルボン酸エステルを２層目の固体電解質層を用いて閉じ込めることができる。

＜比較例１＞
比較例１にかかるサンプルとして、固体電解質層の空隙にカルボン酸エステルが充填されていないサンプルを作製した。これ以外は、実施例１で作製したサンプルと同様である。

＜比較例２＞
比較例２にかかるサンプルとして、１層目の固体電解質層の空隙にカルボン酸エステルが充填されていないサンプルを作製した。これ以外は、実施例２で作製したサンプルと同様である。

＜サンプルの評価＞
上述の実施例１、２、及び比較例１、２にかかるサンプルを各々所定の数だけ作製し、これらのサンプルを以下の方法を用いて評価した。

実施例１、２、及び比較例１、２にかかるサンプルに対して、実装リフローの前後におけるＥＳＲの変化を調べた。図３は、各々のサンプルのＥＳＲ変化を示すグラフである。図３においてσは標準偏差を示している。

図３に示すように、実施例１、２にかかるサンプルは、比較例１、２にかかるサンプルと比べてＥＳＲ変化が小さくなる傾向にあった。したがって、固体電解質層の空隙にカルボン酸エステルを充填することで、固体電解コンデンサのＥＳＲが高くなることを抑制することができた。

また、実施例１にかかるサンプルと実施例２にかかるサンプルとを比較すると、実施例２にかかるサンプルの方が実施例１にかかるサンプルよりも全体的にＥＳＲ変化が小さくなる傾向にあった。したがって、実施例２のように固体電解質層を２層構造とした場合は、１層目の固体電解質層に充填されたカルボン酸エステルを２層目の固体電解質層を用いて閉じ込めることができ、その結果、固体電解コンデンサのＥＳＲ変化を小さくすることができた。

また、実施例１、２、及び比較例１、２にかかるサンプルに対して、ショート発生率を調べた。図４は、各々のサンプルのショート発生率を示すグラフである。

ショート発生率は次の方法を用いて求めた。すなわち、実施例１、２、及び比較例１、２にかかるサンプルに対して外装樹脂を形成（モールド）した後、リフロー工程、エージング工程、ショートチェック工程、検査工程を実施した。図４にはショートチェック工程におけるショート発生率を示している。なお、ショートチェックをする際は、固体電解コンデンサの電極間に定格電圧を印加して、電極間に流れる電流量が規格電流値以上である場合にショートと判断した。このとき用いたサンプル数は１０ｋｐとした。

図４に示すように、比較例１にかかるサンプルではショート発生率が１２．０％、比較例２にかかるサンプルではショート発生率が１．６％であった。これに対して、実施例１にかかるサンプルではショート発生率が１．４％、実施例２にかかるサンプルではショート発生率が０．３％であった。これらの結果から、実施例１、２にかかるサンプルは、比較例１、２にかかるサンプルと比べてショート発生率が低くなった。特に実施例２にかかるサンプルではショート発生率が０．３％となり、他のサンプルと比べて低い値となった。

図４に示す結果から、固体電解質層の空隙にカルボン酸エステルを充填することで、固体電解コンデンサの漏れ電流の増加を抑制することができた。

以上、本発明を上記実施の形態に即して説明したが、本発明は上記実施の形態の構成にのみ限定されるものではなく、本願特許請求の範囲の請求項の発明の範囲内で当業者であればなし得る各種変形、修正、組み合わせを含むことは勿論である。

１ 固体電解コンデンサ
１１ 陽極体
１２ 誘電体層
１３ 固体電解質層
１４、１５ カルボン酸エステル
１６ 陰極層
１７ 導電性接着剤
１８ 陽極リード
１９ 外装樹脂
２０、２１ リードフレーム

Claims (9)

1. 多孔質の弁作用金属からなる陽極体と、
   前記陽極体の表面に形成された誘電体層と、
   前記誘電体層の上に形成された固体電解質層と、を備え、
   前記固体電解質層の内部の空隙の少なくとも一部にカルボン酸エステルを有し、
   前記固体電解質層は、前記誘電体層と接するように形成されており、
   前記カルボン酸エステルは更に、前記誘電体層と前記固体電解質層との界面に存在する空隙の少なくとも一部に充填されている、
   固体電解コンデンサ。
2. 前記カルボン酸エステルが、アジピン酸及びアジピン酸アンモニウムから選ばれる少なくとも一種とポリグリセリンとの化合物である、請求項１に記載の固体電解コンデンサ。
3. 前記ポリグリセリンの分子量が５００〜６００である、請求項２に記載の固体電解コンデンサ。
4. 前記カルボン酸エステルの質量が前記固体電解質層の質量の１０％以上である、請求項１〜３のいずれか一項に記載の固体電解コンデンサ。
5. 前記固体電解質層は、
   前記誘電体層の上に形成された第１の固体電解質層と、
   前記第１の固体電解質層の上に形成された第２の固体電解質層と、を備え、
   前記カルボン酸エステルは、前記第１の固体電解質層の空隙の少なくとも一部に充填されている、
   請求項１〜４のいずれか一項に記載の固体電解コンデンサ。
6. 多孔質の弁作用金属からなる陽極体の表面に誘電体層を形成する工程と、
   前記誘電体層の上に化学酸化重合を用いて固体電解質層を形成する工程と、
   前記固体電解質層の内部の空隙の少なくとも一部にカルボン酸エステルを形成する工程と、を備える、
   固体電解コンデンサの製造方法。
7. 前記固体電解質層を形成する工程において、前記誘電体層と接するように前記固体電解質層を形成し、
   前記カルボン酸エステルを形成する工程において、更に、前記誘電体層と前記固体電解質層との界面に存在する空隙の少なくとも一部に前記カルボン酸エステルを充填する、
   請求項６に記載の固体電解コンデンサの製造方法。
8. 前記カルボン酸エステルを形成する工程において、アジピン酸及びアジピン酸アンモニウムから選ばれる少なくとも一種とポリグリセリンとを含む溶液に浸漬して乾燥することで前記カルボン酸エステルを形成する、請求項６または７に記載の固体電解コンデンサの製造方法。
9. 前記カルボン酸エステルを含む前記固体電解質層である第１の固体電解質層を形成した後、更に前記第１の固体電解質層の上に第２の固体電解質層を形成する工程を備える、請求項６〜８のいずれか一項に記載の固体電解コンデンサの製造方法。

Images