JP6942218B2 - シール材 - Google Patents
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Description
以下の実施例1〜15並びに比較例1〜11のゴム組成物を作製した。それぞれの構成については表1〜4にも示す。
架橋性フッ素ゴムAパーオキサイド架橋用の三元系FKM(テクノフロンP459 SOLVAY社製)に、この架橋性フッ素ゴムA100質量部に対して、イオン液体Aの1-エチル-3-メチルイミダゾリウム・ビストリフルオロメタンスルホニルイミド(EMI-N111 三菱マテリアル社製)1.0質量部、架橋剤のパーオキサイドの2,5−ジメチル−2,5−ジ(t−ブチルパーオキシ)ヘキサン(パーヘキサ25B 日油社製)1.5質量部、及び架橋助剤のトリアリルイソシアヌレート(タイク 日本化成社製)4.0質量部を配合して混練した未架橋ゴム組成物を調製した。続いて、この未架橋ゴム組成物を、成形温度165℃、成形圧力5MPa、及び成形時間15分としてプレス成形して一次熱架橋させた後、加熱温度200℃及び加熱時間4時間で二次熱架橋させてシート状のゴム組成物を得た。そして、このシート状のゴム組成物に対して、照射線量30kGyのγ線を照射して放射線架橋させた。このγ線を照射して作製したシート状のゴム組成物を実施例1とした。
イオン液体Aに代えて、それぞれイオン液体Bの1-エチル-3-メチルイミダゾリウム・ビストリフルオロブタンスルホニルイミド(EMI-N441 三菱マテリアル社製)、イオン液体Cの1-ブチル-3-メチルイミダゾリウム・ビストリフルオロメタンスルホニルイミド(BMI-N111 三菱マテリアル社製)、イオン液体Dの1-ブチル-3-メチルイミダゾリウム・ビストリフルオロブタンスルホニルイミド(BMI-N441 三菱マテリアル社製)、イオン液体Eの1-エチル-3-メチルイミダゾリウム・ビスフルオロスルホニルイミド(エレクセルAS−110 第一工業製薬社製)、イオン液体Fの1-エチル-3-メチルイミダゾリウム・ビストリフルオロメタンスルホニルイミド(エレクセルAS−210 第一工業製薬社製)、イオン液体Gの1-オクチル-4-メチルピリジウム・ビスフルオロスルホニルイミド(エレクセルAS−804 第一工業製薬社製)、イオン液体H(エレクセルMP−457 第一工業製薬社製)、及びイオン液体Iのトリブチルメチルアンモニウム・ビストリフルオロメタンスルホニルイミド(FC−4400 スリーエムジャパン社製)を用いたことを除いて、実施例1と同様の操作で作製したシート状のゴム組成物を実施例2〜9とした。
イオン液体Cの配合量を、架橋性フッ素ゴムA100質量部に対して、それぞれ0.1質量部、0.5質量部、1.5質量部、及び2.0質量部としたことを除いて、実施例3と同様の操作で作製したシート状のゴム組成物を実施例10〜13とした。
イオン液体Aを配合していないことを除いて、実施例1と同様の操作で作製したシート状のゴム組成物を比較例1とした。
イオン液体Aに代えて、架橋性フッ素ゴムA100質量部に対して、それぞれ高分子型帯電防止剤A(ペレスタットHC250 三洋化成工業社製)5.0質量部、高分子型帯電防止剤B(ペレクトロンPVL 三洋化成工業社製)5.0質量部、高分子型帯電防止剤C(ペバックスMV1074SP01 アルケマ社製)10質量部、高分子型帯電防止剤D(ペバックスMH2030 アルケマ社製)10質量部、高分子型帯電防止剤E(エンティラSD100 三井・デュポン・ポリケミカル社製)15質量部、高分子型帯電防止剤F(エンティラMK400 三井・デュポン・ポリケミカル社製)15質量部、及びLi塩含有帯電防止剤(サンコノールTBX−8310 三光化学工業社製)10質量部、Li塩含有帯電防止剤5.0質量部を用いたことを除いて、実施例1と同様の操作で作製したシート状のゴム組成物を比較例2〜9とした。
架橋性フッ素ゴムBのパーオキサイド架橋用の三元系FKM(ダイエルG-912 ダイキン工業社製)に、この架橋性フッ素ゴムB100質量部に対して、イオン液体A5.0質量部、架橋剤のパーオキサイド1.5質量部、架橋助剤4.0質量部、及び粉状の無機充填材の疎水性シリカ(アエロジルR972 エボニック社製)10質量部を配合して混練した未架橋ゴム組成物を用いたことを除いて、実施例1と同様の操作で作製したシート状のゴム組成物を実施例14とした。また、イオン液体Aに代えて、イオン液体Cを用いたことを除いて、実施例14と同様の操作で作製したシート状のゴム組成物を実施例15とした。
イオン液体Aを配合していないことを除いて、実施例14と同様の操作で作製したシート状のゴム組成物を比較例11とした。
<表面抵抗率及び体積抵抗率>
実施例1〜15並びに比較例1〜11のそれぞれのゴム組成物について、JISK6271:2008に基づいて体積抵抗率を測定した。そして、体積抵抗率については、1.0×1012Ω・cm以下のものをAA、1.0×1012Ω・cmを越えて1.0×1013Ω・cm以下のものをA、1.0×1013Ω・cmを越えるものをBと評価した。
実施例1〜8及び10〜15並びに比較例1〜2、4、8〜9、及び11のそれぞれのゴム組成物について、JISL1094:2014に規定されるA法(半減期測定法)に準じて帯電性試験を行って半減期を測定した。そして、半減期について、1.0秒以下のものをAA、1.0秒を越えて2.0秒以下のものをA、2.0秒を越えるものをBと評価した。
実施例1〜13並びに比較例1〜5及び8〜9のそれぞれについて、JISK6262:2013に基づき、試験時間72時間及び試験温度150℃として圧縮永久ひずみの測定を行った。そして、圧縮永久ひずみについて、30.0%以下のものをA、30.0%を越えるものをBと評価した。
試験結果を表1〜4に示す。これらの結果によれば、架橋性フッ素ゴムにイオン液体を配合すれば、粉状乃至粒状の帯電防止剤を用いなくても、圧縮永久ひずみを損なわずに帯電防止を図ることができることが分かる。また、優れた識別性を得ることもできる。
Claims (7)
- 未架橋の架橋性フッ素ゴムと、イオン液体と、架橋剤と、を含有し、且つカーボンブラックを含有しないシール材用ゴム材料の前記架橋性フッ素ゴムが架橋したゴム組成物で形成されたシール材であって、
前記イオン液体は、1-ブチル-3-メチルイミダゾリウム・ビストリフルオロメタンスルホ ニルイミドであり、
前記ゴム組成物は、JIS L1094:2014に規定されるA法(半減期測定法)に準じて測定される半減期が2.0秒以下であるシール材。 - 請求項1に記載されたシール材において、
前記ゴム組成物は、JIS L1094:2014に規定されるA法(半減期測定法)に準じて測定される半減期が0.49秒以下であるシール材。 - 請求項1又は2に記載されたシール材において、
前記シール材用ゴム材料における前記イオン液体の含有量が、前記架橋性フッ素ゴム100質量部に対して0.5質量部以上5質量部以下であるシール材。 - 請求項1乃至3のいずれかに記載されたシール材において、
前記ゴム組成物は、JIS K6271−1:2015に基づいて測定される体積抵抗率が3.0×10 11 Ω・cm以下であるシール材。 - 請求項1乃至4のいずれかに記載されたシール材において、
前記ゴム組成物は、JIS K6262:2013に基づき、試験時間72時間及び試験温度150℃として測定される圧縮永久ひずみが23.3%以下であるシール材。 - 請求項1乃至5のいずれかに記載されたシール材において、
前記シール材用ゴム材料が疎水性シリカを更に含有するシール材。 - 請求項1乃至6のいずれかに記載されたシール材において、
半導体製造装置に用いられるシール材。
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