JP6929716B2 - オキシフッ化イットリウム溶射膜及びその製造方法、並びに溶射部材 - Google Patents
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Description
本発明のオキシフッ化イットリウム溶射膜は、X線回折法により得られる回折スペクトルにおいて、オキシフッ化イットリウムに帰属されるすべてのピーク強度の合計を100としたとき、フッ化イットリウム及び酸化イットリウムに帰属されるすべてのピーク強度の合計が10未満であることを特徴とする。
本発明のオキシフッ化イットリウムを含む溶射膜は、X線回析法により得られる回析スペクトルにおいて、オキシフッ化イットリウム及びフッ化イットリウムに帰属されるすべてのピーク強度の合計を100としたとき、酸化イットリウムに帰属されるすべてのピーク強度の合計が1未満であることを特徴とする。
本発明のオキシフッ化イットリウム溶射膜の製造方法は、オキシフッ化イットリウムを含み、酸素含有量が7.0〜11.5質量%の粉末原料を用いてプラズマ溶射する工程を含むことを特徴とする。
本発明のオキシフッ化イットリウムを含む溶射膜の製造方法は、オキシフッ化イットリウムまたはフッ化イットリウムの少なくともどちらか一方を含み、酸素含有量が0〜6.0質量%の粉末原料から調整したスラリー原料によるHVOF溶射または高速プラズマ溶射する工程を含むことを特徴とする。
本発明の溶射部材は、基材上に、酸化イットリウム溶射膜と、オキシフッ化イットリウム溶射膜とをこの順に有し、前記オキシフッ化イットリウム溶射膜が、X線回折法により得られる回折スペクトルにおいて、オキシフッ化イットリウムに帰属されるすべてのピーク強度の合計を100としたとき、フッ化イットリウム及び酸化イットリウムに帰属されるすべてのピーク強度の合計が10未満であることを特徴とする。なお、基材を構成する材料には、アルミニウムの他、アルミニウム合金、ステンレス等の金属、石英ガラス、アルミナなどのセラミックス等を用いることができる。
オキシフッ化イットリウムを含み、酸素含有量が8.5質量%の粉末原料(粒径:25μm)を準備し、この原料に対し、X線回折装置((株)リガク製、MultiFlex)を用い、以下に示す条件でX線回折スペクトルを測定した。得られたX線回折スペクトルを図1(A)に示す。
スキャンステップ:0.02°
走査軸:2θ
走査範囲:10〜80°
作動ガス:Ar、O2
スキャン速度:100〜1000mm/s
溶射距離:80mm
溶射速度:150〜330m/s
電流:80〜110A
電圧:240〜280V
電力:19〜31kW
オキシフッ化イットリウム及びフッ化イットリウムを含み、酸素含有量が7.0質量%の粉末原料(粒径:25μm)を準備し、この原料に対し、実施例1と同様にして、基材に対して上記原料をプラズマ溶射して200μmの厚さのオキシフッ化イットリウム溶射膜を形成し、アニール処理を行った。原料、形成した溶射膜、アニール処理後の溶射膜に対するX線回折スペクトルから同定した結晶相を表1に示す。
オキシフッ化イットリウムを含み、酸素含有量が11.5質量%の粉末原料(粒径:25μm)を準備し、この原料に対し、実施例1と同様にして、基材に対して上記原料をプラズマ溶射して200μmの厚さのオキシフッ化イットリウム溶射膜を形成し、アニール処理を行った。原料、形成した溶射膜、アニール処理後の溶射膜に対するX線回折スペクトルから同定した結晶相を表1に示す。
アルミニウム基材(厚み:5mm)上に、プラズマ溶射により100μmの酸化イットリウム溶射膜を形成し、その上にオキシフッ化イットリウムを含み酸素含有量が8.5質量%の原料を実施例1と同様の溶射条件にてプラズマ溶射し、50μmのオキシフッ化イットリウム溶射膜を形成した。なお、酸化イットリウム溶射膜形成時のプラズマ溶射の条件は、実施例1で示したオキシフッ化イットリウム溶射膜のプラズマ溶射の条件と同様である。
オキシフッ化イットリウム及びフッ化イットリウムを含み、酸素含有量が6.4質量%の粉末原料(粒径:25μm)を準備し、この原料に対し、実施例1と同様にして、基材に対して上記原料をプラズマ溶射して200μmの厚さのオキシフッ化イットリウム溶射膜を形成し、アニール処理を行った。原料、形成した溶射膜、アニール処理後の溶射膜に対するX線回折スペクトルから同定した結晶相を表1に示す。X線回折スペクトルから原料はY5O4F7とYF3(斜方晶)の結晶相を含んでおり、形成した溶射膜はY5O4F7とYF3(異相)の結晶相からなり、アニール処理後にはY5O4F7とYF3(斜方晶)の結晶相となるため、安定性に欠けることが分かる。
オキシフッ化イットリウムを含み、酸素含有量が12.0質量%の粉末原料(粒径:25μm)を準備し、この原料に対し、実施例1と同様にして、基材に対して上記原料をプラズマ溶射して200μmの厚さのオキシフッ化イットリウム溶射膜を形成し、アニール処理を行った。原料、形成した溶射膜、アニール処理後の溶射膜に対するX線回折スペクトルから同定した結晶相を表1に示す。X線回折スペクトルから原料はYOF単相であるが、形成した溶射膜とアニール処理後ではYOFとY2O3の結晶相となるため、安定性に欠けることが分かる。
オキシフッ化イットリウム及びフッ化イットリウムを含み、酸素含有量が5.6質量%のスラリー原料(粒径:2μm)を準備した。
灯油流量:180mL/min
スキャン速度:1000mm/s
溶射距離:100mm
溶射速度:450m/s
オキシフッ化イットリウム及びフッ化イットリウムを含み、酸素含有量が2.2質量%のスラリー原料(粒径:2μm)を準備し、この原料に対し、実施例5と同様にして、基材に対して上記原料をHVOF溶射して200μmの厚さのオキシフッ化イットリウム溶射膜を形成し、アニール処理を行った。原料、形成した溶射膜、アニール処理後の溶射膜に対するX線回折スペクトルから同定した結晶相を表2に示す。
フッ化イットリウム(酸素含有量が0質量%)のスラリー原料(粒径:2μm)を準備し、この原料に対し、実施例5と同様にして、基材に対して上記原料をHVOF溶射して200μmの厚さのオキシフッ化イットリウム溶射膜を形成し、アニール処理を行った。原料、形成した溶射膜、アニール処理後の溶射膜に対するX線回折スペクトルから同定した結晶相を表2に示す。
オキシフッ化イットリウム及びフッ化イットリウムを含み、酸素含有量が6.0質量%のスラリー原料(粒径:2μm)を準備し、この原料に対し、実施例5と同様にして、基材に対して上記原料をHVOF溶射して200μmの厚さのオキシフッ化イットリウム溶射膜を形成し、アニール処理を行った。原料、形成した溶射膜、アニール処理後の溶射膜に対するX線回折スペクトルから同定した結晶相を表2に示す。
アルミニウム基材(厚み:5mm)上に、プラズマ溶射により100μmの酸化イットリウム溶射膜を形成し、その上にオキシフッ化イットリウム及びフッ化イットリウムを含む、酸素含有量が5.6質量%のスラリー原料を実施例5と同様の溶射条件にてHVOF溶射し、50μmのオキシフッ化イットリウムを含む溶射膜を形成した。なお、酸化イッ トリウム溶射膜形成時のプラズマ溶射の条件は、実施例1で示したオキシフッ化イットリウム溶射膜のプラズマ溶射膜の条件と同様である。
オキシフッ化イットリウムを含み、酸素含有量が8.4質量%のスラリー原料(粒径:2μm)を準備し、この原料に対し、実施例5と同様にして、基材に対して上記原料をHVOF溶射して200μmの厚さのオキシフッ化イットリウム溶射膜を形成し、アニール処理を行った。原料、形成した溶射膜、アニール処理後の溶射膜に対するX線回折スペクトルから同定した結晶相を表2に示す。X線回析スペクトルから、原料、形成した溶射膜及びアニール処理後でY2O3の結晶相が出現し、安定性に欠けることが分かる。
オキシフッ化イットリウムを含み、酸素含有量が8.4質量%の粉末原料(粒径:25μm)を準備した。
H2ガス流量:5L/min
スキャン速度:850mm/s
溶射距離:90mm
溶射速度:600〜700m/s
電流:400A
電圧:260V
電力:104kW
オキシフッ化イットリウム及びフッ化イットリウムを含み、酸素含有量が4.6質量%の粉末原料(粒径:25μm)を準備し、この原料に対し、実施例10と同様にして、基材に対して上記粉末原料を高速プラズマ溶射して200μmの厚さのオキシフッ化イットリウム溶射膜を形成し、アニール処理を行った。原料、形成した溶射膜、アニール処理後の溶射膜に対するX線回折スペクトルから同定した結晶相を表3に示す。
アルミニウム基材(厚み:5mm)上に、プラズマ溶射により100μmの酸化イットリウム溶射膜を形成し、その上にオキシフッ化イットリウム及びフッ化イットリウムを含む、酸素含有量が5.6質量%の粉末原料(粒径:25μm)を実施例10と同様の溶射条件にて高速プラズマ溶射し、50μmのオキシフッ化イットリウムを含む溶射膜を形成した。なお、酸化イットリウム溶射膜形成時のプラズマ溶射の条件は、実施例1で示したオキシフッ化イットリウム溶射膜のプラズマ溶射膜の条件と同様である。
オキシフッ化イットリウム及びフッ化イットリウムを含み、酸素含有量が4.6質量%のスラリー原料(粒径:2μm)を準備し、この原料に対し、実施例10と同様にして、基材に対して上記スラリー原料を高速プラズマ溶射して200μmの厚さのオキシフッ化イットリウム溶射膜を形成し、アニール処理を行った。X線回折スペクトルから、アニール処理後の溶射膜にはY2O3結晶相の生成がないことが確認された。
オキシフッ化イットリウムを含み、酸素含有量が8.4質量%の粉末原料(粒径:25μm)を準備し、この原料に対し、H2ガス流量を70L/minに増大した以外は実施例10と同様にして、基材に対して上記粉末原料を高速プラズマ溶射して200μmの厚さのオキシフッ化イットリウム溶射膜を形成し、アニール処理を行った。原料、形成した溶射膜、アニール処理後の溶射膜に対するX線回折スペクトルから同定した結晶相を表3に示す。X線回析スペクトルから、アニール処理後の溶射膜にはY2O3の結晶相が出現し、安定性に欠けることが分かる。
オキシフッ化イットリウム及びフッ化イットリウムを含み、酸素含有量が4.6質量%の粉末原料(粒径:25μm)を準備し、この原料に対し、H2ガス流量を70L/minに増大した以外は実施例10と同様にして、基材に対して上記粉末原料を高速プラズマ溶射して200μmの厚さのオキシフッ化イットリウム溶射膜を形成し、アニール処理を行った。原料、形成した溶射膜、アニール処理後の溶射膜に対するX線回折スペクトルから同定した結晶相を表3に示す。X線回析スペクトルから、アニール処理後の溶射膜にはY2O3の結晶相が出現し、安定性に欠けることが分かる。
オキシフッ化イットリウム及びフッ化イットリウムを含み、酸素含有量が4.6質量%のスラリー原料(粒径:2μm)を準備し、この原料に対し、H2ガス流量を70L/minに増大した以外は実施例12と同様にして、基材に対して上記スラリー原料を高速プラズマ溶射して200μmの厚さのオキシフッ化イットリウム溶射膜を形成し、アニール処理を行った。X線回折スペクトルから、アニール処理後の溶射膜にはY2O3の生成が一部確認され、安定性に欠けることが分かる。
Claims (3)
- Y 5 O 4 F 7 を主成分とし、YOFとYF 3 を含むオキシフッ化イットリウム溶射膜であって、X線回折法により得られる回折スペクトルにおいて、オキシフッ化イットリウムに帰属されるすべてのピーク強度の合計を100としたとき、フッ化イットリウム及び酸化イットリウムに帰属されるすべてのピーク強度の合計が10未満であることを特徴とするオキシフッ化イットリウム溶射膜。
- 基材上に、酸化イットリウム溶射膜と、オキシフッ化イットリウム溶射膜とをこの順に有し、前記オキシフッ化イットリウム溶射膜が、X線回折法により得られる回折スペクトルにおいて、オキシフッ化イットリウムに帰属されるすべてのピーク強度の合計を100としたとき、フッ化イットリウム及び酸化イットリウムに帰属されるすべてのピーク強度の合計が10未満であり、
前記酸化イットリウム溶射膜と、前記オキシフッ化イットリウム溶射膜との間に酸化イットリウム及びオキシフッ化イットリウムを含む溶射膜をさらに有することを特徴とする溶射部材。 - 請求項1に記載のオキシフッ化イットリウム溶射膜の製造方法であって、
オキシフッ化イットリウムを含み、酸素含有量が4.6〜6.0質量%の粉末原料を用いてプラズマ溶射する工程を含むことを特徴とするオキシフッ化イットリウム溶射膜の製造方法。
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