JP6928600B2 - レーザ装置及び極端紫外光生成システム - Google Patents

レーザ装置及び極端紫外光生成システム Download PDF

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Description

本開示は、レーザ装置及び極端紫外光生成システムに関する。
近年、半導体プロセスの微細化に伴って、半導体プロセスの光リソグラフィにおける転写パターンの微細化が急速に進展している。次世代においては、７０ｎｍ〜４５ｎｍの微細加工、さらには３２ｎｍ以下の微細加工が要求されるようになる。このため、例えば３２ｎｍ以下の微細加工の要求に応えるべく、波長１３ｎｍ程度の極端紫外（ＥＵＶ）光を生成する極端紫外光生成装置と縮小投影反射光学系(reduced projection reflection optics)とを組み合わせた露光装置の開発が期待されている。
ＥＵＶ光生成装置としては、ターゲット物質にパルスレーザ光を照射することによって生成されるプラズマが用いられるＬＰＰ（Laser Produced Plasma）式の装置と、放電によって生成されるプラズマが用いられるＤＰＰ（Discharge Produced Plasma）式の装置と、シンクロトロン放射光が用いられるＳＲ（Synchrotron Radiation）式の装置との３種類の装置が提案されている。
米国特許出願公開第２０１３／０５１４１２号明細書 米国特許出願公開第２００９／２３２１７１号明細書 特開平０９−２４８６８２号
概要
本開示の１つの観点に係るレーザ装置は、パルスレーザ光を所定の繰返し周波数で出力するバースト発振と、前記所定の繰返し周波数での出力を休止する発振休止と、を交互に繰返すマスターオシレータと、前記マスターオシレータから出力されるパルスレーザ光の光路に配置される少なくとも１つの増幅器と、前記少なくとも１つの増幅器に電力を供給する電源と、前記バースト発振が行われる期間における前記少なくとも１つの増幅器の励起強度に対する、前記発振休止の期間における前記少なくとも１つの増幅器の励起強度の比を、第１の繰返し周波数及び前記第１の繰返し周波数より大きい第２の繰返し周波数の各々について記憶した記憶媒体と、前記電源を制御するコントローラであって、前記バースト発振が行われる期間における前記少なくとも１つの増幅器の励起強度が第１の励起強度となるように前記電源を制御し、前記所定の繰返し周波数が前記第１の繰返し周波数である場合に、前記発振休止の期間における前記少なくとも１つの増幅器の励起強度が前記第１の励起強度以下の第２の励起強度となるように前記電源を制御し、前記所定の繰返し周波数が前記第２の繰返し周波数である場合に、前記発振休止の期間における前記少なくとも１つの増幅器の励起強度が前記第２の励起強度より小さい第３の励起強度となるように前記電源を制御する、前記コントローラと、を備える。
前記少なくとも１つの増幅器は、第１の増幅器と、前記第１の増幅器から出力されるパルスレーザ光の光路に配置される第２の増幅器と、を含み、前記コントローラは、前記所定の繰返し周波数が前記第２の繰返し周波数である場合に、前記バースト発振が行われる期間における前記第１の増幅器の励起強度に対する前記発振休止の期間における前記第１の増幅器の励起強度の比が、前記バースト発振が行われる期間における前記第２の増幅器の励起強度に対する前記発振休止の期間における前記第２の増幅器の励起強度の比よりも小さくなるように、前記電源を制御し、前記コントローラは、前記記憶媒体に記憶されたデータに基づいて、前記発振休止の期間に前記電源を制御してもよい。
前記少なくとも１つの増幅器は、第１の増幅器と、前記第１の増幅器から出力されるパルスレーザ光の光路に配置される第２の増幅器と、前記第２の増幅器から出力されるパルスレーザ光の光路に配置される第３の増幅器と、を含み、前記コントローラは、前記所定の繰返し周波数が前記第２の繰返し周波数である場合に、前記バースト発振が行われる期間における前記第１の増幅器の励起強度に対する前記発振休止の期間における前記第１の増幅器の励起強度の比が、前記バースト発振が行われる期間における前記第２の増幅器の励起強度に対する前記発振休止の期間における前記第２の増幅器の励起強度の比、及び前記バースト発振が行われる期間における前記第３の増幅器の励起強度に対する前記発振休止の期間における前記第３の増幅器の励起強度の比のいずれよりも小さくなるように、前記電源を制御し、前記コントローラは、前記記憶媒体に記憶されたデータに基づいて、前記発振休止の期間に前記電源を制御してもよい。
前記少なくとも１つの増幅器は、第１の増幅器と、前記第１の増幅器から出力されるパルスレーザ光の光路に配置される第２の増幅器と、前記第２の増幅器から出力されるパルスレーザ光の光路に配置される第３の増幅器と、を含み、前記コントローラは、前記所定の繰返し周波数が前記第２の繰返し周波数である場合に、前記バースト発振が行われる期間における前記第１の増幅器の励起強度に対する前記発振休止の期間における前記第１の増幅器の励起強度の比、及び前記バースト発振が行われる期間における前記第２の増幅器の励起強度に対する前記発振休止の期間における前記第２の増幅器の励起強度の比のいずれもが、前記バースト発振が行われる期間における前記第３の増幅器の励起強度に対する前記発振休止の期間における前記第３の増幅器の励起強度の比よりも小さくなるように、前記電源を制御し、前記コントローラは、前記記憶媒体に記憶されたデータに基づいて、前記発振休止の期間に前記電源を制御してもよい。
本開示の他の１つの観点に係る極端紫外光生成システムは、所定領域に向けてターゲットを出力するターゲット供給部と、前記ターゲットに照射されるパルスレーザ光を出力するレーザ装置であって、パルスレーザ光を所定の繰返し周波数で出力するバースト発振と、前記所定の繰返し周波数での出力を休止する発振休止と、を交互に繰返すマスターオシレータと、前記マスターオシレータから出力されるパルスレーザ光の光路に配置される少なくとも１つの増幅器と、前記少なくとも１つの増幅器に電力を供給する電源と、前記バースト発振が行われる期間における前記少なくとも１つの増幅器の励起強度に対する、前記発振休止の期間における前記少なくとも１つの増幅器の励起強度の比を、第１の繰返し周波数及び前記第１の繰返し周波数より大きい第２の繰返し周波数の各々について記憶した記憶媒体と、前記電源を制御するコントローラであって、前記バースト発振が行われる期間における前記少なくとも１つの増幅器の励起強度が第１の励起強度となるように前記電源を制御し、前記所定の繰返し周波数が前記第１の繰返し周波数である場合に、前記発振休止の期間における前記少なくとも１つの増幅器の励起強度が前記第１の励起強度以下の第２の励起強度となるように前記電源を制御し、前記所定の繰返し周波数が前記第２の繰返し周波数である場合に、前記発振休止の期間における前記少なくとも１つの増幅器の励起強度が前記第２の励起強度より小さい第３の励起強度となるように前記電源を制御する、前記コントローラと、を含む前記レーザ装置と、を備える。
前記少なくとも１つの増幅器は、第１の増幅器と、前記第１の増幅器から出力されるパルスレーザ光の光路に配置される第２の増幅器と、を含み、前記コントローラは、前記所定の繰返し周波数が前記第２の繰返し周波数である場合に、前記バースト発振が行われる期間における前記第１の増幅器の励起強度に対する前記発振休止の期間における前記第１の増幅器の励起強度の比が、前記バースト発振が行われる期間における前記第２の増幅器の励起強度に対する前記発振休止の期間における前記第２の増幅器の励起強度の比よりも小さくなるように、前記電源を制御し、前記コントローラは、前記記憶媒体に記憶されたデータに基づいて、前記発振休止の期間に前記電源を制御してもよい。
前記少なくとも１つの増幅器は、第１の増幅器と、前記第１の増幅器から出力されるパルスレーザ光の光路に配置される第２の増幅器と、前記第２の増幅器から出力されるパルスレーザ光の光路に配置される第３の増幅器と、を含み、前記コントローラは、前記所定の繰返し周波数が前記第２の繰返し周波数である場合に、前記バースト発振が行われる期間における前記第１の増幅器の励起強度に対する前記発振休止の期間における前記第１の増幅器の励起強度の比が、前記バースト発振が行われる期間における前記第３の増幅器の励起強度に対する前記発振休止の期間における前記第３の増幅器の励起強度の比よりも小さくなるように、前記電源を制御し、前記コントローラは、前記記憶媒体に記憶されたデータに基づいて、前記発振休止の期間に前記電源を制御してもよい。
本開示のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の図面を参照して以下に説明する。
図１は、ＬＰＰ式のＥＵＶ光生成システムの構成を概略的に示す。 図２は、本開示の第１の実施形態に適用可能なレーザ装置のブロック図である。 図３は、第１の比較例に係るレーザ装置のタイミングチャートである。 図４Ａ及び図４Ｂは、第２の比較例に係るレーザ装置のタイミングチャートである。 図５Ａ及び図５Ｂは、本開示の第１の実施形態に係るレーザ装置のタイミングチャートである。 図６Ａ及び図６Ｂは、第１の実施形態において励起強度を制御する第１の例を示すグラフである。 図７Ａ〜図７Ｆは、第１の実施形態において励起強度を制御する第２の例を示すグラフである。 図８Ａは、第１の実施形態におけるマスターオシレータの第１の例を示すブロック図である。図８Ｂは、図８Ａに示されるマスターオシレータＭＯ１のタイミングチャートである。図８Ｃは、パルスレーザ光源の一例を示すブロック図である。 図９Ａは、第１の実施形態におけるマスターオシレータの第２の例を示すブロック図である。図９Ｂは、図９Ａに示されるマスターオシレータＭＯ２のタイミングチャートである。 図１０Ａは、第１の実施形態におけるマスターオシレータの第３の例を示すブロック図である。図１０Ｂは、図１０Ａに示されるマスターオシレータＭＯ３のタイミングチャートである。 図１１Ａは、本開示の第２の実施形態に係るレーザ装置のブロック図である。図１１Ｂは、図１１Ａに示される第１エネルギーセンサの構成例を示すブロック図である。 図１２Ａは、繰返し周波数に基づいて発振休止の期間における励起強度を設定する第１の例を説明するための図である。図１２Ｂは、繰返し周波数に基づいて発振休止の期間における励起強度を設定する第２の例を説明するための図である。 図１３は、図１１Ａに示されるレーザコントローラによる励起強度の設定手順を示すフローチャートである。 図１４は、図１３に示される励起強度の調整の手順を示すフローチャートである。 図１５は、図１４に示される励起強度の算出の手順を示すフローチャートである。 図１６は、制御部の概略構成を示すブロック図である。
実施形態
＜内容＞
１．ＥＵＶ光生成システムの全体説明
１．１ 構成
１．２ 動作
２．増幅器の励起強度を変化させるレーザ装置
２．１ 構成
２．２ 動作
２．３ 比較例
２．３．１ 励起強度が一定の場合
２．３．２ バースト発振の期間と発振休止の期間とで励起強度を変えた場合
２．４ バースト発振における繰返し周波数に応じて発振休止の期間における励起強度を変えるレーザ装置
２．５ 励起強度の制御
２．５．１ 第１の例
２．５．２ 第２の例
２．６ マスターオシレータの構成例
２．６．１ 第１の例
２．６．２ 第２の例
２．６．３ 第３の例
３．複数の増幅器の励起強度を変化させるレーザ装置
３．１ レーザ装置の構成
３．２ エネルギーセンサの構成
３．３ コントローラの動作
３．４ 励起強度の設定手順
３．５ 励起強度の調整手順
３．６ 励起強度の算出手順
４．制御部の構成
５．補足
以下、本開示の実施形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。以下に説明される実施形態は、本開示のいくつかの例を示すものであって、本開示の内容を限定するものではない。また、各実施形態で説明される構成及び動作の全てが本開示の構成及び動作として必須であるとは限らない。なお、同一の構成要素には同一の参照符号を付して、重複する説明を省略する。
１．ＥＵＶ光生成システムの全体説明
１．１ 構成
図１に、ＬＰＰ式のＥＵＶ光生成システムの構成を概略的に示す。ＥＵＶ光生成装置１は、少なくとも１つのレーザ装置３と共に用いられてもよい。本願においては、ＥＵＶ光生成装置１及びレーザ装置３を含むシステムを、ＥＵＶ光生成システム１１と称する。図１に示し、かつ、以下に詳細に説明するように、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２、ターゲット供給部２６を含んでもよい。チャンバ２は、密閉可能であってもよい。ターゲット供給部２６は、例えば、チャンバ２の壁を貫通するように取り付けられてもよい。ターゲット供給部２６から出力されるターゲット物質の材料は、スズ、テルビウム、ガドリニウム、リチウム、キセノン、又は、それらの内のいずれか２つ以上の組合せを含んでもよいが、これらに限定されない。
チャンバ２の壁には、少なくとも１つの貫通孔が設けられていてもよい。その貫通孔には、ウインドウ２１が設けられてもよく、ウインドウ２１をレーザ装置３から出力されるパルスレーザ光３２が透過してもよい。チャンバ２の内部には、例えば、回転楕円面形状の反射面を有するＥＵＶ集光ミラー２３が配置されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、第１及び第２の焦点を有し得る。ＥＵＶ集光ミラー２３の表面には、例えば、モリブデンとシリコンとが交互に積層された多層反射膜が形成されていてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、例えば、その第１の焦点がプラズマ生成領域２５に位置し、その第２の焦点が中間集光点（ＩＦ）２９２に位置するように配置されるのが好ましい。ＥＵＶ集光ミラー２３の中央部には貫通孔２４が設けられていてもよく、貫通孔２４をパルスレーザ光３３が通過してもよい。
ＥＵＶ光生成装置１は、ＥＵＶ光生成制御部５、ターゲットセンサ４等を含んでもよい。ターゲットセンサ４は、撮像機能を有してもよく、ターゲット２７の存在、軌跡、位置、速度等を検出するよう構成されてもよい。
また、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２の内部と露光装置６の内部とを連通させる接続部２９を含んでもよい。接続部２９内部には、アパーチャが形成された壁２９１が設けられてもよい。壁２９１は、そのアパーチャがＥＵＶ集光ミラー２３の第２の焦点位置に位置するように配置されてもよい。
さらに、ＥＵＶ光生成装置１は、レーザ光進行方向制御部３４、レーザ光集光ミラー２２、ターゲット２７を回収するためのターゲット回収部２８等を含んでもよい。レーザ光進行方向制御部３４は、レーザ光の進行方向を規定するための光学素子と、この光学素子の位置、姿勢等を調整するためのアクチュエータとを備えてもよい。
１．２ 動作
図１を参照に、レーザ装置３から出力されたパルスレーザ光３１は、レーザ光進行方向制御部３４を経て、パルスレーザ光３２としてウインドウ２１を透過してチャンバ２内に入射してもよい。パルスレーザ光３２は、少なくとも１つのレーザ光経路に沿ってチャンバ２内を進み、レーザ光集光ミラー２２で反射されて、パルスレーザ光３３として少なくとも１つのターゲット２７に照射されてもよい。
ターゲット供給部２６は、ターゲット２７をチャンバ２内部のプラズマ生成領域２５に向けて出力するよう構成されてもよい。ターゲット２７には、パルスレーザ光３３に含まれる少なくとも１つのパルスが照射されてもよい。パルスレーザ光が照射されたターゲット２７はプラズマ化し、そのプラズマから放射光２５１が放射され得る。ＥＵＶ集光ミラー２３は、放射光２５１に含まれるＥＵＶ光を、他の波長域の光に比べて高い反射率で反射してもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３によって反射されたＥＵＶ光を含む反射光２５２は、中間集光点２９２で集光され、露光装置６に出力されてもよい。なお、１つのターゲット２７に、パルスレーザ光３３に含まれる複数のパルスが照射されてもよい。
ＥＵＶ光生成制御部５は、ＥＵＶ光生成システム１１全体の制御を統括するよう構成されてもよい。ＥＵＶ光生成制御部５は、ターゲットセンサ４によって撮像されたターゲット２７のイメージデータ等を処理するよう構成されてもよい。また、ＥＵＶ光生成制御部５は、例えば、ターゲット２７が出力されるタイミング、ターゲット２７の出力方向等を制御するよう構成されてもよい。さらに、ＥＵＶ光生成制御部５は、例えば、レーザ装置３の発振タイミング、パルスレーザ光３２の進行方向、パルスレーザ光３３の集光位置等を制御するよう構成されてもよい。上述の様々な制御は単なる例示に過ぎず、必要に応じて他の制御が追加されてもよい。
２．増幅器の励起強度を変化させるレーザ装置
２．１ 構成
図２は、本開示の第１の実施形態に適用可能なレーザ装置のブロック図である。図２に示されるレーザ装置３は、マスターオシレータＭＯと、増幅器３００と、ＲＦ電源３１０と、レーザコントローラＣと、を備えている。
マスターオシレータＭＯは、信号線を介してレーザコントローラＣと接続されている。マスターオシレータＭＯの具体的な構成例については図８Ａ、図９Ａ、図１０Ａを参照しながら後述する。マスターオシレータＭＯは、パルスレーザ光であるシードレーザ光Ｐ０を出力するように構成されている。
増幅器３００は、マスターオシレータＭＯから出力されるシードレーザ光Ｐ０の光路に配置されている。増幅器３００は、例えば、炭酸ガスレーザ装置であってもよい。炭酸ガスレーザ装置は、レーザ媒質として炭酸ガスを含むレーザガスを収容した図示しないチャンバと、レーザ媒質に高周波の励起電圧を印加するように構成された図示しない一対の電極と、を含む。増幅器３００は、導電体を介してＲＦ電源３１０に接続されている。図２には増幅器３００を１台だけ図示したが、図１１Ａを参照しながら後述するように複数の増幅器が用いられてもよい。
ＲＦ電源３１０は、増幅器３００の一対の電極に、高周波の励起電圧を印加するように構成されている。ＲＦ電源３１０は、信号線を介してレーザコントローラＣと接続されている。
レーザコントローラＣは、レーザ装置３全体の制御を統括するように構成されている。レーザコントローラＣは、図１を参照しながら説明したＥＵＶ光生成制御部５に信号線を介して接続されている。レーザコントローラＣは、ＥＵＶ光生成制御部５との間で制御信号の送受信を行う。
２．２ 動作
レーザコントローラＣは、マスターオシレータＭＯにトリガ信号ＳＧ１を出力する。マスターオシレータＭＯは、トリガ信号ＳＧ１に従い、所定の繰返し周波数でシードレーザ光Ｐ０を出力する。
レーザコントローラＣは、マスターオシレータＭＯにバーストＯＮ／ＯＦＦ信号ＳＧ２を出力する。マスターオシレータＭＯは、バーストＯＮ／ＯＦＦ信号ＳＧ２に従い、バースト運転を行う。バースト運転とは、シードレーザ光Ｐ０を所定の繰返し周波数で出力するバースト発振と、所定の繰返し周波数での出力を休止する発振休止と、を交互に繰返すことをいう。バースト発振の期間は、例えば、図１を参照しながら説明した露光装置６において、半導体ウエハにおける１つの半導体チップを形成する領域を露光している期間に相当する。発振休止の期間は、例えば、半導体ウエハにおける１つの半導体チップを形成する領域から、別の１つの半導体チップを形成する領域にＥＵＶ光の照射位置が移動するように、半導体ウエハを移動させるための期間に相当する。あるいは、発振休止の期間は、露光装置６にセットされた１枚の半導体ウエハを取り出して、別の１枚の半導体ウエハをセットするための期間に相当する。バースト運転については、図３を参照しながらさらに後述する。
レーザコントローラＣは、ＲＦ電源３１０に、電源制御信号を送信する。ＲＦ電源３１０は、電源制御信号に従い、増幅器３００の一対の電極に励起電圧を印加する。電源制御信号は、増幅器３００の励起強度を設定する情報を含んでいる。増幅器３００の励起強度は、例えば、増幅器３００の一対の電極に印加される励起電圧の電位の振幅、又は励起電圧のデューティー比によって、設定される。励起電圧の電位の振幅、及び励起電圧のデューティー比については、図６Ａ〜図７Ｆを参照しながら後述する。
増幅器３００の一対の電極に励起電圧が印加されると、増幅器３００の一対の電極の間に放電が発生する。この放電により、レーザ媒質が励起され、レーザ媒質が高エネルギー準位となる。この増幅器３００の一対の電極の間に、マスターオシレータＭＯから出力されたシードレーザ光Ｐ０が入射すると、シードレーザ光Ｐ０は増幅され、増幅レーザ光Ｐ１として増幅器３００から出力される。増幅レーザ光Ｐ１は、図１を参照しながら説明したパルスレーザ光３１として、レーザ光進行方向制御部３４に入射してもよい。
２．３ 比較例
２．３．１ 励起強度が一定の場合
図３は、第１の比較例に係るレーザ装置のタイミングチャートである。図３において、横軸は時間Ｔを示す。図３に示される縦軸に平行な一点鎖線は、それぞれ一点鎖線で接続された事象のタイミングがほぼ一致することを示す。図２を参照しながら説明したレーザ装置３は、第１の比較例にも適用される。
上述のトリガ信号ＳＧ１は、図３に示されるように、所定の繰返し周波数で出力されるパルス信号である。
上述のバーストＯＮ／ＯＦＦ信号ＳＧ２は、図３に示されるように、バースト発振の期間Ｂ１ｏｎ及びＢ２ｏｎをＯＮ状態で示し、発振休止の期間Ｂ０ｏｆｆ、Ｂ１ｏｆｆ及びＢ２ｏｆｆをＯＦＦ状態で示す矩形波の信号である。
このようなトリガ信号ＳＧ１及びバーストＯＮ／ＯＦＦ信号ＳＧ２がマスターオシレータＭＯに入力されると、マスターオシレータＭＯは、図３に示されるシードレーザ光Ｐ０を出力する。シードレーザ光Ｐ０は、バーストＯＮ／ＯＦＦ信号ＳＧ２で規定されたバースト発振の期間Ｂ１ｏｎ及びＢ２ｏｎにおいては、トリガ信号ＳＧ１で規定された所定の繰返し周波数で出力される。シードレーザ光Ｐ０は、バーストＯＮ／ＯＦＦ信号ＳＧ２で規定された発振休止の期間Ｂ０ｏｆｆ、Ｂ１ｏｆｆ及びＢ２ｏｆｆにおいては、出力されない。
第１の比較例において、励起電圧による増幅器３００の励起強度は、バースト発振の期間Ｂ１ｏｎ及びＢ２ｏｎ及び発振休止の期間Ｂ０ｏｆｆ、Ｂ１ｏｆｆ及びＢ２ｏｆｆのいずれにおいても、励起強度Ｉ０となっている。すなわち、増幅器３００の励起強度が一定値となっている。
この場合、発振休止の期間Ｂ０ｏｆｆ、Ｂ１ｏｆｆ及びＢ２ｏｆｆにおいては、増幅器３００のゲインは、時間の経過により、ほぼゲインＧ０まで蓄積される。
一方、バースト発振の期間Ｂ１ｏｎ及びＢ２ｏｎにおいては、シードレーザ光Ｐ０を増幅することによって増幅器３００のゲインが消費される。増幅器３００のゲインは、時間の経過により、ゲインＧ０より小さいゲインＧ１まで減少する。増幅器３００のゲインがゲインＧ１まで減少すると、励起電圧によって増幅器３００に与えられるエネルギーの供給量と、シードレーザ光Ｐ０を増幅することによるエネルギーの消費量とがほぼバランスする。
第１の比較例においては、増幅器３００のゲインが、バースト発振の期間Ｂ１ｏｎ及びＢ２ｏｎの始めに、ゲインＧ０からゲインＧ１に低下する。このため、増幅レーザ光Ｐ１のパルスエネルギーは、バースト発振の期間Ｂ１ｏｎ及びＢ２ｏｎの始めだけ高い値となり、その後、低い値となり得る。このように、第１の比較例においては、バースト発振の期間Ｂ１ｏｎ及びＢ２ｏｎにおける増幅レーザ光Ｐ１のパルスエネルギーが不安定となり得る。このため、図１を参照しながら説明したＥＵＶ光生成システム１１において、ターゲット２７にパルスレーザ光３３が照射されたとき、ＥＵＶ光のエネルギーの安定性に悪影響を及ぼし得る。
２．３．２ バースト発振の期間と発振休止の期間とで励起強度を変えた場合
図４Ａ及び図４Ｂは、第２の比較例に係るレーザ装置のタイミングチャートである。図４Ａ及び図４Ｂにおいて、横軸は時間Ｔを示す。図４Ａ及び図４Ｂに示される縦軸に平行な一点鎖線は、それぞれ一点鎖線で接続された事象のタイミングがほぼ一致することを示す。図２を参照しながら説明したレーザ装置３は、第２の比較例にも適用される。
トリガ信号ＳＧ１及びバーストＯＮ／ＯＦＦ信号ＳＧ２については、図３を参照しながら説明したものと同様である。トリガ信号ＳＧ１及びバーストＯＮ／ＯＦＦ信号ＳＧ２については、図４Ａ及び図４Ｂでの図示を省略している。
また、図４Ａに示されるシードレーザ光Ｐ０は、図３を参照しながら説明したものと同様である。
第２の比較例において、バースト発振の期間Ｂ１ｏｎ及びＢ２ｏｎにおける増幅器３００の励起強度は、上述の励起強度Ｉ０である。
一方、発振休止の期間Ｂ０ｏｆｆ、Ｂ１ｏｆｆ及びＢ２ｏｆｆにおける増幅器３００の励起強度は、励起強度Ｉ０より小さい励起強度Ｉ１となっている。この励起強度Ｉ１は、発振休止の期間Ｂ０ｏｆｆ、Ｂ１ｏｆｆ及びＢ２ｏｆｆにおいて、増幅器３００のゲインを上述のゲインＧ１に維持するような励起強度に設定される。すなわち、増幅器３００のゲインが上述のゲインＧ１である場合に、励起電圧によって増幅器３００に与えられるエネルギーの供給量と、増幅器３００から自然排出されるエネルギーの量とがほぼバランスするように、励起強度が設定される。
このように、第２の比較例においては、バースト発振の期間Ｂ１ｏｎ及びＢ２ｏｎと、発振休止の期間Ｂ０ｏｆｆ、Ｂ１ｏｆｆ及びＢ２ｏｆｆとで、増幅器３００の励起強度を変える。これにより、バースト発振の期間Ｂ１ｏｎ及びＢ２ｏｎと、発振休止の期間Ｂ０ｏｆｆ、Ｂ１ｏｆｆ及びＢ２ｏｆｆとのいずれにおいても、増幅器３００のゲインをゲインＧ１に維持することができる。
しかしながら、図４Ｂに示されるように、シードレーザ光Ｐ０の繰返し周波数が変わった場合には、新たな問題が生じ得る。すなわち、図４Ａに示されるシードレーザ光Ｐ０の繰返し周波数よりも、図４Ｂに示されるシードレーザ光Ｐ０の繰返し周波数が小さくなっている。そうすると、シードレーザ光Ｐ０を増幅することによるエネルギーの消費量が小さくなり得る。従って、バースト発振の期間Ｂ１ｏｎ及びＢ２ｏｎにおける増幅器３００のゲインは、ゲインＧ１より大きいゲインＧ２まで上昇し得る。
そして、発振休止の期間Ｂ０ｏｆｆ、Ｂ１ｏｆｆ及びＢ２ｏｆｆにおいては、増幅器３００の励起強度が、励起強度Ｉ１まで小さくなるので、増幅器３００のゲインは、ゲインＧ１まで低下する。
第２の比較例においては、図４Ｂに示される場合に、増幅器３００のゲインが、バースト発振の期間Ｂ１ｏｎ及びＢ２ｏｎの始めに、ゲインＧ１からゲインＧ２に上昇する。このため、増幅レーザ光Ｐ１のパルスエネルギーは、バースト発振の期間Ｂ１ｏｎ及びＢ２ｏｎの始めだけ低い値となり、その後、高い値となり得る。このように、第２の比較例においては、バースト発振の期間Ｂ１ｏｎ及びＢ２ｏｎにおける増幅レーザ光Ｐ１のパルスエネルギーが不安定となり得る。このため、図１を参照しながら説明したＥＵＶ光生成システム１１において、ターゲット２７にパルスレーザ光３３が照射されたとき、ＥＵＶ光のエネルギーの安定性に悪影響を及ぼし得る。
２．４ バースト発振における繰返し周波数に応じて発振休止の期間における励起強度を変えるレーザ装置
図５Ａ及び図５Ｂは、本開示の第１の実施形態に係るレーザ装置のタイミングチャートである。図５Ａ及び図５Ｂにおいて、横軸は時間Ｔを示す。図５Ａ及び図５Ｂに示される縦軸に平行な一点鎖線は、それぞれ一点鎖線で接続された事象のタイミングがほぼ一致することを示す。
トリガ信号ＳＧ１及びバーストＯＮ／ＯＦＦ信号ＳＧ２については、図３を参照しながら説明したものと同様である。トリガ信号ＳＧ１及びバーストＯＮ／ＯＦＦ信号ＳＧ２については、図５Ａ及び図５Ｂでの図示を省略している。
図５Ａは、第２の比較例に係る図４Ａと同様である。
また、図５Ｂに示されるシードレーザ光Ｐ０は、図４Ｂを参照しながら説明したものと同様である。すなわち、図５Ａに示されるシードレーザ光Ｐ０の繰返し周波数よりも、図５Ｂに示されるシードレーザ光Ｐ０の繰返し周波数が小さくなっている。
図５Ｂにおいては、発振休止の期間Ｂ０ｏｆｆ、Ｂ１ｏｆｆ及びＢ２ｏｆｆにおける増幅器３００の励起強度は、励起強度Ｉ０より小さく励起強度Ｉ１より大きい励起強度Ｉ２となっている。この励起強度Ｉ２は、発振休止の期間Ｂ０ｏｆｆ、Ｂ１ｏｆｆ及びＢ２ｏｆｆにおいて、増幅器３００のゲインを上述のゲインＧ２に維持するような励起強度に設定される。すなわち、増幅器３００のゲインが上述のゲインＧ２である場合に、励起電圧によって増幅器３００に与えられるエネルギーの供給量と、増幅器３００から自然排出されるエネルギーの量とがほぼバランスするように、励起強度が設定される。
第１の実施形態によれば、シードレーザ光Ｐ０の繰返し周波数が変わった場合でも、増幅レーザ光Ｐ１のパルスエネルギーの変動が抑制され得る。このため、図１を参照しながら説明したＥＵＶ光生成システム１１において、ターゲット２７にパルスレーザ光３３が照射されたとき、ＥＵＶ光のエネルギーの意図しない変動が抑制され得る。
ここでは、バースト発振の期間Ｂ１ｏｎ及びＢ２ｏｎにおける増幅器３００の励起強度を一定の励起強度Ｉ０とした場合について説明したが、本開示はこれに限定されない。バースト発振の期間Ｂ１ｏｎ及びＢ２ｏｎにおける増幅器３００の励起強度は、増幅レーザ光Ｐ１のパルスエネルギーを調整するために、必要に応じて変更されてもよい。
励起強度Ｉ０、Ｉ１及びＩ２は、以下の関係を有してもよい。
Ｉ１／Ｉ０ ＜ Ｉ２／Ｉ０ ≦ １
好ましくは、以下の関係でもよい。
Ｉ１／Ｉ０ ＜ Ｉ２／Ｉ０ ＜ １
励起強度Ｉ０は、本開示における第１の励起強度に相当し得る。
励起強度Ｉ１は、本開示における第３の励起強度に相当し得る。
励起強度Ｉ２は、本開示における第２の励起強度に相当し得る。
図５Ａに示されるシードレーザ光Ｐ０の繰返し周波数は、本開示における第２の繰返し周波数に相当し得る。
図５Ｂに示されるシードレーザ光Ｐ０の繰返し周波数は、本開示における第１の繰返し周波数に相当し得る。
２．５ 励起強度の制御
２．５．１ 第１の例
図６Ａ及び図６Ｂは、第１の実施形態において励起強度を制御する第１の例を示すグラフである。図６Ａ及び図６Ｂの各々において、横軸は時間Ｔを示す。図６Ａは、図５Ａを参照しながら説明した励起電圧による励起強度を示す。図６Ｂは、第１の例において一対の電極に印加される励起電圧の電位の波形を示す。
図６Ｂに示されるように、一対の電極に印加される励起電圧の電位は、バースト発振の期間Ｂ１ｏｎ及びＢ２ｏｎにおいては振幅が大きく、発振休止の期間Ｂ０ｏｆｆ、Ｂ１ｏｆｆ及びＢ２ｏｆｆにおいては振幅が小さい高周波の電位である。この振幅の大きさは、図６Ａに示される励起強度の大きさに対応する。このように、励起強度は、高周波の電位の振幅を変えることによって制御されてもよい。
２．５．２ 第２の例
図７Ａ〜図７Ｆは、第１の実施形態において励起強度を制御する第２の例を示すグラフである。図７Ａ〜図７Ｆの各々において、横軸は時間Ｔを示す。図７Ａは、図５Ａを参照しながら説明した励起電圧による励起強度を示す。図７Ｂは、第２の例において一対の電極に印加される励起電圧の電位の波形の略図を示す。図７Ｃは、図７Ｂに示される略図の内のバースト発振の期間Ｂ１ｏｎの一部を拡大することにより、詳細な波形を示す。図７Ｄは、図７Ｂに示される略図の内の発振休止の期間Ｂ１ｏｆｆの一部を拡大することにより、詳細な波形を示す。
図７Ｂ、図７Ｃ及び図７Ｄに示されるように、一対の電極に印加される励起電圧は、バースト発振の期間Ｂ１ｏｎと、発振休止の期間Ｂ１ｏｆｆとで、粗密の差を有している。すなわち、バースト発振の期間Ｂ１ｏｎにおいては、高周波の励起電圧が高い頻度で生成され、発振休止の期間Ｂ１ｏｆｆにおいては、高周波の励起電圧が低い頻度で生成される。
図７Ｅは、図７Ｃに示される電位を生成するための電源制御信号を示す。図７Ｆは、図７Ｄに示される電位を生成するための電源制御信号を示す。図７Ｅに示されるように、バースト発振の期間Ｂ１ｏｎにおける電源制御信号は、パルス幅ｔ及び周期αを有する矩形波である。図７Ｆに示されるように、発振休止の期間Ｂ１ｏｆｆにおける電源制御信号は、パルス幅ｔ及び周期βを有する矩形波である。これらの電源制御信号がＲＦ電源３１０に入力されると、ＲＦ電源３１０は、電源制御信号がＯＮである期間に、電位の振幅が一定である高周波の励起電圧を生成し、電源制御信号がＯＦＦである期間に、励起電圧の生成を休止する。これにより、ＲＦ電源３１０によって生成される励起電圧の電位の波形が、図７Ｃ及び図７Ｄに示される波形となる。
電源制御信号のパルス幅ｔを周期α又は周期βで除算した以下のＤ１又はＤ２を、デューティー比という。
Ｄ１＝ｔ／α
Ｄ２＝ｔ／β
バースト発振の期間Ｂ１ｏｎにおけるデューティー比Ｄ１よりも、発振休止の期間Ｂ１ｏｆｆにおけるデューティー比Ｄ２を小さくすることにより、発振休止の期間Ｂ１ｏｆｆにおける励起強度を小さくすることができる。このデューティー比の大きさは、図７Ａに示される励起強度の大きさに対応する。このように、励起強度は、デューティー比を変えることによって制御されてもよい。
バースト発振の期間Ｂ１ｏｎにおける電源制御信号の周期αは、マスターオシレータＭＯから出力されるシードレーザ光Ｐ０の繰返し周波数の逆数であることが望ましい。例えば、シードレーザ光Ｐ０の繰返し周波数が１００ｋＨｚである場合、周期αは１０μｓとする。そして、発振休止の期間Ｂ１ｏｆｆにおける電源制御信号の周期βは、周期αより長い周期とする。但し、パルス幅ｔを一定として周期αと周期βとを異なるようにした場合に限らず、バースト発振の期間Ｂ１ｏｎと発振休止の期間Ｂ１ｏｆｆとでパルス幅ｔが異なるようにしてもよい。
図７Ｃ及び図７Ｅは、バースト発振の期間Ｂ１ｏｎについて図示しているが、バースト発振の期間Ｂ２ｏｎにおいても同様である。図７Ｄ及び図７Ｆは、発振休止の期間Ｂ１ｏｆｆについて図示しているが、発振休止の期間Ｂ０ｏｆｆ及びＢ２ｏｆｆにおいても同様である。
２．６ マスターオシレータの構成例
２．６．１ 第１の例
図８Ａは、第１の実施形態におけるマスターオシレータの第１の例を示すブロック図である。第１の例に係るマスターオシレータＭＯ１は、パルスレーザ光源３５１と、光シャッタ３６１と、を含んでいる。
図８Ｂは、図８Ａに示されるマスターオシレータＭＯ１のタイミングチャートである。図８Ｂにおいて、横軸は時間Ｔを示す。図８Ｂに示される縦軸に平行な一点鎖線は、それぞれ一点鎖線で接続された事象のタイミングがほぼ一致することを示す。図８Ｂに示されるトリガ信号ＳＧ１及びバーストＯＮ／ＯＦＦ信号ＳＧ２は、図３を参照しながら説明したものと同様である。
図８Ａにおいては、トリガ信号ＳＧ１は、パルスレーザ光源３５１に入力され、バーストＯＮ／ＯＦＦ信号ＳＧ２は、光シャッタ３６１に入力される。
パルスレーザ光源３５１は、トリガ信号ＳＧ１で規定された所定の繰返し周波数でパルスレーザ光Ｐ０１を出力する。
光シャッタ３６１は、パルスレーザ光源３５１から出力されるパルスレーザ光Ｐ０１の光路に配置される。光シャッタ３６１は、バーストＯＮ／ＯＦＦ信号ＳＧ２がＯＦＦ状態のときは閉じ、バーストＯＮ／ＯＦＦ信号ＳＧ２がＯＮ状態のときは開く。そして、バーストＯＮ／ＯＦＦ信号ＳＧ２がＯＦＦ状態のときは、パルスレーザ光Ｐ０１がほぼ通過しない状態となる。バーストＯＮ／ＯＦＦ信号ＳＧ２がＯＮ状態のときは、パルスレーザ光Ｐ０１が通過する。これにより、図３を参照しながら説明したシードレーザ光Ｐ０と同様のパルスレーザ光がマスターオシレータＭＯ１から出力される。
光シャッタ３６１は、図示しない電気光学素子と図示しない偏光子とを組み合わせた偏光シャッタでもよい。あるいは、光シャッタ３６１は、音響光学素子を用いた光スイッチでもよい。
図８Ｃは、パルスレーザ光源の一例を示すブロック図である。図８Ａを参照しながら説明したマスターオシレータＭＯ１に含まれるパルスレーザ光源３５１は、複数の量子カスケードレーザＱＣＬ１〜ＱＣＬｍと、光路調節器３５１ａと、を含んでもよい。
量子カスケードレーザＱＣＬ１〜ＱＣＬｍの各々は、量子井戸を多段接続した構成を有する半導体レーザである。量子カスケードレーザＱＣＬ１〜ＱＣＬｍから出力されるパルスレーザ光Ｐ００１〜Ｐ００ｍの波長は互いに異なっていてもよい。但し、これらの波長は、いずれも、炭酸ガスレーザ装置で増幅されるパルスレーザ光の波長とほぼ一致するように調整される。
量子カスケードレーザＱＣＬ１〜ＱＣＬｍから出力されるパルスレーザ光Ｐ００１〜Ｐ００ｍの光路に、光路調節器３５１ａが配置されている。光路調節器３５１ａは、パルスレーザ光Ｐ００１〜Ｐ００ｍの光路を、１つの光路に合流させ、合流したパルスレーザ光Ｐ０１を、光シャッタ３６１に向けて出力する。
ここでは複数の量子カスケードレーザＱＣＬ１〜ＱＣＬｍを含むパルスレーザ光源３５１について説明したが、本開示はこれに限定されない。パルスレーザ光源３５１は、炭酸ガスレーザ装置でもよい。
２．６．２ 第２の例
図９Ａは、第１の実施形態におけるマスターオシレータの第２の例を示すブロック図である。第２の例に係るマスターオシレータＭＯ２は、ＣＷレーザ光源３５２と、光シャッタ３６２と、ＡＮＤ回路３７２と、を含んでいる。
図９Ｂは、図９Ａに示されるマスターオシレータＭＯ２のタイミングチャートである。図９Ｂにおいて、横軸は時間Ｔを示す。図９Ｂに示される縦軸に平行な一点鎖線は、それぞれ一点鎖線で接続された事象のタイミングがほぼ一致することを示す。図９Ｂに示されるトリガ信号ＳＧ１及びバーストＯＮ／ＯＦＦ信号ＳＧ２は、図３を参照しながら説明したものと同様である。
図９Ａにおいては、トリガ信号ＳＧ１とバーストＯＮ／ＯＦＦ信号ＳＧ２との両方が、ＡＮＤ回路３７２に入力される。ＡＮＤ回路３７２は、トリガ信号ＳＧ１とバーストＯＮ／ＯＦＦ信号ＳＧ２とのＡＮＤ信号ＳＧ３を、光シャッタ３６２に出力する。図９Ｂに示されるように、ＡＮＤ信号ＳＧ３は、バーストＯＮ／ＯＦＦ信号ＳＧ２がＯＦＦ状態のときはＯＦＦ状態となり、バーストＯＮ／ＯＦＦ信号ＳＧ２がＯＮ状態のときはトリガ信号ＳＧ１と同じ繰返し周波数のパルス信号となる。
図９Ａに示されるように、ＣＷレーザ光源３５２は、ＣＷレーザ光Ｐ０２を出力する。
光シャッタ３６２は、ＣＷレーザ光源３５２から出力されるＣＷレーザ光Ｐ０２の光路に配置される。光シャッタ３６２は、ＡＮＤ信号ＳＧ３がＯＦＦ状態のときは閉じ、ＡＮＤ信号ＳＧ３がＯＮ状態のときは開く。これにより、バーストＯＮ／ＯＦＦ信号ＳＧ２がＯＦＦ状態のときは、ＣＷレーザ光Ｐ０２がほぼ通過しない状態となる。バーストＯＮ／ＯＦＦ信号ＳＧ２がＯＮ状態のときは、トリガ信号ＳＧ１と同じ繰返し周波数のパルスレーザ光がＣＷレーザ光Ｐ０２から切り出されて出力される。これにより、図３を参照しながら説明したシードレーザ光Ｐ０と同様のパルスレーザ光がマスターオシレータＭＯ２から出力される。
ＣＷレーザ光源３５２は、連続発振する炭酸ガスレーザ装置でもよい。
光シャッタ３６２は、図示しない電気光学素子と図示しない偏光子とを組み合わせた偏光シャッタでもよい。あるいは、光シャッタ３６２は、音響光学素子を用いた光スイッチでもよい。
２．６．３ 第３の例
図１０Ａは、第１の実施形態におけるマスターオシレータの第３の例を示すブロック図である。第３の例に係るマスターオシレータＭＯ３は、パルスレーザ光源３５３と、ＡＮＤ回路３７３と、を含んでいる。
図１０Ｂは、図１０Ａに示されるマスターオシレータＭＯ３のタイミングチャートである。図１０Ｂにおいて、横軸は時間Ｔを示す。図１０Ｂに示される縦軸に平行な一点鎖線は、それぞれ一点鎖線で接続された事象のタイミングがほぼ一致することを示す。図１０Ｂに示されるトリガ信号ＳＧ１及びバーストＯＮ／ＯＦＦ信号ＳＧ２は、図３を参照しながら説明したものと同様である。
図１０Ａにおいては、トリガ信号ＳＧ１とバーストＯＮ／ＯＦＦ信号ＳＧ２との両方が、ＡＮＤ回路３７３に入力される。ＡＮＤ回路３７３は、トリガ信号ＳＧ１とバーストＯＮ／ＯＦＦ信号ＳＧ２とのＡＮＤ信号ＳＧ３を、パルスレーザ光源３５３に出力する。図１０Ｂに示されるＡＮＤ信号ＳＧ３は、図９Ｂを参照しながら説明したものと同様である。
パルスレーザ光源３５１は、ＡＮＤ信号ＳＧ３に従ってシードレーザ光Ｐ０を出力する。これにより、バーストＯＮ／ＯＦＦ信号ＳＧ２がＯＦＦ状態のときは、シードレーザ光Ｐ０が出力されない状態となる。バーストＯＮ／ＯＦＦ信号ＳＧ２がＯＮ状態のときは、トリガ信号ＳＧ１と同じ繰返し周波数のシードレーザ光Ｐ０が出力される。これにより、図３を参照しながら説明したシードレーザ光Ｐ０と同様のパルスレーザ光がマスターオシレータＭＯ３から出力される。
パルスレーザ光源３５３は、炭酸ガスレーザ装置でもよい。
３．複数の増幅器の励起強度を変化させるレーザ装置
３．１ レーザ装置の構成
図１１Ａは、本開示の第２の実施形態に係るレーザ装置のブロック図である。図１１Ａに示されるレーザ装置３ａは、マスターオシレータＭＯと、第１増幅器３０１と、第２増幅器３０２と、第３増幅器３０３と、レーザコントローラＣと、を備えている。レーザ装置３ａは、さらに、ＲＦ電源３１１〜３１３と、第１〜第３エネルギーセンサ３２１〜３２３と、ビームスプリッタ３３１〜３３３と、を備えている。
第１増幅器３０１は、マスターオシレータＭＯから出力されるシードレーザ光Ｐ０の光路に配置されている。第１増幅器３０１は、ＲＦ電源３１１によって印加される励起電圧に従って、シードレーザ光Ｐ０を増幅して増幅レーザ光Ｐ１を出力するように構成されている。
第２増幅器３０２は、第１増幅器３０１から出力される増幅レーザ光Ｐ１の光路に配置されている。第２増幅器３０２は、ＲＦ電源３１２によって印加される励起電圧に従って、増幅レーザ光Ｐ１をさらに増幅して増幅レーザ光Ｐ２を出力するように構成されている。
第３増幅器３０３は、第２増幅器３０２から出力される増幅レーザ光Ｐ２の光路に配置されている。第３増幅器３０３は、ＲＦ電源３１３によって印加される励起電圧に従って、増幅レーザ光Ｐ２をさらに増幅して増幅レーザ光Ｐ３を出力するように構成されている。
ビームスプリッタ３３１は、第１増幅器３０１と第２増幅器３０２との間の増幅レーザ光Ｐ１の光路に配置されている。ビームスプリッタ３３１は、増幅レーザ光Ｐ１を高い透過率で透過させるとともに、増幅レーザ光Ｐ１の一部を第１エネルギーセンサ３２１に向けて反射する。第１エネルギーセンサ３２１は、増幅レーザ光Ｐ１の一部を受光して増幅レーザ光Ｐ１のパルスエネルギーを検出する。第１エネルギーセンサ３２１は、検出した増幅レーザ光Ｐ１のパルスエネルギーをレーザコントローラＣに出力する。第１増幅器３０１と第２増幅器３０２との間の増幅レーザ光Ｐ１の光路には、高反射ミラーＭ１及び高反射ミラーＭ２がさらに配置されてもよい。
ビームスプリッタ３３２は、第２増幅器３０２と第３増幅器３０３との間の増幅レーザ光Ｐ２の光路に配置されている。ビームスプリッタ３３２は、増幅レーザ光Ｐ２を高い透過率で透過させるとともに、増幅レーザ光Ｐ２の一部を第２エネルギーセンサ３２２に向けて反射する。第２エネルギーセンサ３２２は、増幅レーザ光Ｐ２の一部を受光して増幅レーザ光Ｐ２のパルスエネルギーを検出する。第２エネルギーセンサ３２２は、検出した増幅レーザ光Ｐ２のパルスエネルギーをレーザコントローラＣに出力する。
ビームスプリッタ３３３は、第３増幅器３０３から出力された増幅レーザ光Ｐ３の光路に配置されている。ビームスプリッタ３３３は、増幅レーザ光Ｐ３を高い透過率で透過させるとともに、増幅レーザ光Ｐ３の一部を第３エネルギーセンサ３２３に向けて反射する。第３エネルギーセンサ３２３は、増幅レーザ光Ｐ３の一部を受光して増幅レーザ光Ｐ３のパルスエネルギーを検出する。第３エネルギーセンサ３２３は、検出した増幅レーザ光Ｐ３のパルスエネルギーをレーザコントローラＣに出力する。
３．２ エネルギーセンサの構成
図１１Ｂは、図１１Ａに示される第１エネルギーセンサの構成例を示すブロック図である。第１エネルギーセンサ３２１は、光電素子３２４と、積分回路３２５と、Ａ／Ｄ変換器３２６と、を含んでいる。
光電素子３２４は、増幅レーザ光Ｐ１を受信すると、増幅レーザ光Ｐ１の光強度に比例した電圧を発生して積分回路３２５に出力する。積分回路３２５は、光電素子３２４から受信した電圧を時間で積分することにより、増幅レーザ光Ｐ１のパルスエネルギーに比例した電圧を発生してＡ／Ｄ変換器３２６に出力する。Ａ／Ｄ変換器３２６は、積分回路３２５から受信した電圧をデジタル値に変換する。このようにして、第１エネルギーセンサ３２１は、増幅レーザ光Ｐ１のパルスエネルギーを計測し、レーザコントローラＣに出力する。
第２エネルギーセンサ３２２及び第３エネルギーセンサ３２３の構成は、第１エネルギーセンサ３２１と同様である。
３．３ コントローラの動作
図１１Ａを再び参照し、レーザコントローラＣは、トリガ信号ＳＧ１の繰返し周波数に基づいて、発振休止の期間における第１増幅器３０１、第２増幅器３０２、及び第３増幅器３０３の励起強度を設定する。第１の実施形態において説明したように、レーザコントローラＣは、シードレーザ光Ｐ０の繰返し周波数を決めるトリガ信号ＳＧ１の繰返し周波数が大きくなった場合は、発振休止の期間における励起強度を小さくする。レーザコントローラＣは、トリガ信号ＳＧ１の繰返し周波数が小さくなった場合は、発振休止の期間における励起強度を大きくする。
図１２Ａは、繰返し周波数に基づいて発振休止の期間における励起強度を設定する第１の例を説明するための図である。図１２Ａは、トリガ信号ＳＧ１の繰返し周波数と、各増幅器の励起強度とを対応付けたテーブルデータを示す。このテーブルデータを記憶する記憶装置は、後述のストレージメモリ１００５でもよい。ストレージメモリ１００５は、本開示における記憶媒体に相当し得る。図１２Ａにおいては、各増幅器の励起強度として、バースト発振の期間における励起強度に対する、発振休止の期間における励起強度の比が示されている。
レーザコントローラＣは、トリガ信号ＳＧ１の繰返し周波数に基づいて、図１２Ａに示されるテーブルデータから発振休止の期間における励起強度を読み出して、発振休止の期間における励起強度を設定する。
図１２Ａに示されるように、繰返し周波数が高いほど、発振休止の期間における励起強度が小さくなるように設定される。また、繰返し周波数を例えば１００ｋＨｚとした場合には、前段の増幅器よりも、後段の増幅器となるほど、発振休止の期間における励起強度が大きくなるように設定される。
図１２Ｂは、繰返し周波数に基づいて発振休止の期間における励起強度を設定する第２の例を説明するための図である。図１２Ｂは、トリガ信号ＳＧ１の繰返し周波数と、増幅器の励起強度との関係を近似曲線で示す。記憶装置は、このような近似曲線を表す近似式を記憶してもよい。記憶装置は、後述のストレージメモリ１００５でもよい。図１２Ｂにおいては、増幅器の励起強度として、バースト発振の期間における励起強度に対する、発振休止の期間における励起強度の比が示されている。
レーザコントローラＣは、トリガ信号ＳＧ１の繰返し周波数に基づいて、図１２Ｂに示される近似曲線あるいは近似式から発振休止の期間における励起強度を算出して、発振休止の期間における励起強度を設定する。
図１２Ｂに示されるように、繰返し周波数が高いほど、発振休止の期間における励起強度が小さくなるように設定される。図１２Ｂは、すべての増幅器に共通の励起強度が設定される場合を示しているが、前段の増幅器よりも、後段の増幅器となるほど、発振休止の期間における励起強度が大きくなるように設定されてもよい。
図１１Ａを再び参照し、レーザコントローラＣは、第１エネルギーセンサ３２１によって計測された増幅レーザ光Ｐ１のパルスエネルギーのばらつきを判定する。レーザコントローラＣは、この判定結果に基づいて、発振休止の期間における第１増幅器３０１の励起強度を算出し、ＲＦ電源３１１に電源制御信号を送信する。
同様に、レーザコントローラＣは、第２エネルギーセンサ３２２によって計測された増幅レーザ光Ｐ２のパルスエネルギーのばらつきを判定する。レーザコントローラＣは、この判定結果に基づいて、発振休止の期間における第２増幅器３０２の励起強度を算出し、ＲＦ電源３１２に電源制御信号を送信する。
同様に、レーザコントローラＣは、第３エネルギーセンサ３２３によって計測された増幅レーザ光Ｐ３のパルスエネルギーのばらつきを判定する。レーザコントローラＣは、この判定結果に基づいて、発振休止の期間における第３増幅器３０３の励起強度を算出し、ＲＦ電源３１３に電源制御信号を送信する。
３．４ 励起強度の設定手順
図１３は、図１１Ａに示されるレーザコントローラによる励起強度の設定手順を示すフローチャートである。レーザコントローラＣは、以下のようにして、第１増幅器３０１〜第３増幅器３０３の励起強度を設定する。図１３に示される処理は、図１を参照しながら説明したＥＵＶ光生成装置１へのパルスレーザ光の出力を止めた状態で行われてもよいし、ＥＵＶ光生成装置１へのパルスレーザ光の出力を継続しながら行われてもよい。
まず、Ｓ１００において、レーザコントローラＣは、トリガ信号ＳＧ１の繰返し周波数を設定する。レーザコントローラＣは、図１を参照しながら説明したＥＵＶ光生成制御部５から繰返し周波数の指令値を受信して、トリガ信号ＳＧ１の繰返し周波数を設定してもよい。あるいは、図１を参照しながら説明したターゲットセンサ４によるターゲット２７の検出信号に基づいて、トリガ信号ＳＧ１の繰返し周波数を設定してもよい。あるいは、ＥＵＶ光生成装置１へのパルスレーザ光の出力を止めた状態である場合は、レーザコントローラＣは、外部装置からの信号に関わらず、所望の繰返し周波数を設定してもよい。
次に、Ｓ２００において、レーザコントローラＣは、マスターオシレータＭＯにレーザ発振を開始させる。マスターオシレータＭＯは、シードレーザ光Ｐ０を所定の繰返し周波数で出力するバースト発振と、所定の繰返し周波数での出力を休止する発振休止と、を交互に繰返す。
次に、Ｓ３００において、レーザコントローラＣは、カウンタｎの値を１に設定する。本フローチャートにおいて、カウンタｎは、複数の増幅器をそれぞれ識別するための番号として用いられる。
次に、Ｓ４００において、レーザコントローラＣは、第ｎ増幅器について、発振休止の期間における励起強度を調整する。この処理の詳細については、図１４を参照しながら後述する。
次に、Ｓ５００において、レーザコントローラＣは、カウンタｎの値が最大値Ｎに達したか否かを判定する。最大値Ｎは、レーザ装置に含まれる増幅器の数に相当する。図１１Ａを参照しながら説明した例においては、Ｎ＝３であるが、これより多い数又は少ない数でもよい。
カウンタｎの値が最大値Ｎに達していない場合には（Ｓ５００；ＮＯ）、レーザコントローラＣは、Ｓ６００において、カウンタｎの値に１を加えてカウンタｎの値を更新する。その後、レーザコントローラＣは、処理を上述のＳ４００に戻してその後の処理を繰返す。これにより、レーザコントローラＣは、第１増幅器３０１から後段の増幅器に向かって、１つずつ順番に励起強度を調整する。
カウンタｎの値が最大値Ｎに達した場合には（Ｓ５００；ＹＥＳ）、レーザコントローラＣは、本フローチャートの処理を終了する。
３．５ 励起強度の調整手順
図１４は、図１３に示される励起強度の調整の手順を示すフローチャートである。図１４に示される処理は、図１３に示されるＳ４００のサブルーチンとして、レーザコントローラＣによって行われる。
まず、Ｓ４１０において、レーザコントローラＣは、第ｎ増幅器について、発振休止の期間における励起強度を設定する。Ｓ４１０において設定される励起強度は、本開示における第４の励起強度に相当し得る。
発振休止の期間における励起強度は、例えば、Ｓ１００において設定されたトリガ信号ＳＧ１の繰返し周波数に基づいて設定される。繰返し周波数に基づく励起強度の設定は、例えば、図１２Ａ及び図１２Ｂを参照しながら説明したように行われる。例えば、まず、バースト発振の期間における励起強度に対する、発振休止の期間における励起強度の比を設定する。その後、この比をバースト発振の期間における励起強度に乗算することにより、発振休止の期間における励起強度を設定する。
発振休止の期間における励起強度は、後述のＳ４４０において励起強度が算出された場合には、Ｓ４４０において算出された値が設定される。
次に、Ｓ４２０において、レーザコントローラＣは、第ｎエネルギーセンサにより、第ｎ増幅器から出力されたパルスレーザ光のパルスエネルギーを検出する。
次に、Ｓ４３０において、レーザコントローラＣは、Ｓ４２０において検出されたパルスエネルギーのばらつきを判定する。パルスエネルギーのばらつきは、例えば、バースト発振の期間の始めの所定数のパルスのパルスエネルギーの平均値と、当該バースト発振の期間のパルスエネルギーの平均値と、の比較により判定されてもよい。パルスエネルギーのばらつきは、例えば、バースト発振の期間の始めの所定数のパルスのパルスエネルギーの平均値と、当該バースト発振の期間のパルスエネルギーの平均値と、の差の絶対値により判定されてもよい。あるいは、パルスエネルギーのばらつきは、当該バースト発振の期間のパルスエネルギーの平均値に対する上記絶対値の比により判定されてもよい。所定数のパルスについては図１５を参照しながら後述する。レーザコントローラＣは、パルスエネルギーのばらつきが所定値より大きい場合はＮＧと判定し、パルスエネルギーのばらつきが所定値より小さい場合はＯＫと判定する。レーザコントローラＣは、例えば、当該バースト発振の期間のパルスエネルギーの平均値に対する上記絶対値の比が５％より大きい場合はＮＧと判定し、この比が５％以下である場合はＯＫと判定する。あるいは、パルスエネルギーのばらつきは、パルスエネルギーの値の分散又は標準偏差により判定されてもよい。
パルスエネルギーのばらつきの判定結果がＮＧの場合、レーザコントローラＣは、Ｓ４４０において、第ｎ増幅器について、発振休止の期間における励起強度を算出する。この処理の詳細については、図１５を参照しながら後述する。Ｓ４４０において算出される励起強度は、本開示における第５の励起強度に相当し得る。
パルスエネルギーのばらつきの判定結果がＯＫの場合、レーザコントローラＣは、Ｓ４５０において、第ｎ増幅器について、上述のＳ４１０において設定された発振休止の期間における励起強度を、記憶装置に記憶させる。この記憶装置は、後述のストレージメモリ１００５でもよい。Ｓ４５０の後、レーザコントローラＣは、本フローチャートの処理を終了し、図１３の処理に戻る。
３．６ 励起強度の算出手順
図１５は、図１４に示される励起強度の算出の手順を示すフローチャートである。図１５に示される処理は、図１４に示されるＳ４４０のサブルーチンとして、レーザコントローラＣによって行われる。
まず、Ｓ４４１において、レーザコントローラＣは、図１４を参照しながら説明したＳ４２０において第ｎエネルギーセンサにより検出されたパルスエネルギーのデータから、バースト発振の期間の始めのパルスエネルギーＥｓを算出する。バースト発振の期間の始めのパルスエネルギーＥｓは、バースト発振の期間の始めの所定数のパルスのパルスエネルギーの平均値でもよい。ここで、所定数のパルスは、１パルス以上、２０パルス以下でもよい。所定数のパルスは、例えば５パルスでもよい。
次に、Ｓ４４２において、レーザコントローラＣは、当該バースト発振の期間のパルスエネルギーの平均値Ｅａｖを算出する。
次に、Ｓ４４３において、レーザコントローラＣは、バースト発振の期間の始めのパルスエネルギーＥｓと、当該バースト発振の期間のパルスエネルギーの平均値Ｅａｖとを比較する。
Ｅｓ＞Ｅａｖである場合（Ｓ４４３；ＹＥＳ）、レーザコントローラＣは、Ｓ４４４において、第ｎ増幅器についての発振休止の期間における励起強度を、現在の設定値よりも低い値となるように算出する。例えば、レーザコントローラＣは、バースト発振の期間における励起強度に対する、発振休止の期間における励起強度の比から、正の一定値を減算することにより、新たな比を算出し、その後、この新たな比をバースト発振の期間における励起強度に乗算することにより、発振休止の期間における新たな励起強度を算出する。ここで、正の一定値は、例えば５％でもよい。すなわち、バースト発振の期間における励起強度に対する、発振休止の期間における励起強度の比が７０％であった場合には、新たな比を６５％とする。また、例えば、レーザコントローラＣは、発振休止の期間における励起強度の現在の設定値から正の一定値を減算することにより、発振休止の期間における新たな励起強度を算出してもよい。また、例えば、レーザコントローラＣは、発振休止の期間における励起強度の現在の設定値に１より小さい一定値を乗算することにより、発振休止の期間における新たな励起強度を算出してもよい。ここで、１より小さい一定値は、例えば、０．９５でもよい。
Ｅｓ＞Ｅａｖではない場合（Ｓ４４３；ＮＯ）、レーザコントローラＣは、Ｓ４４５において、第ｎ増幅器についての発振休止の期間における励起強度を、現在の設定値よりも高い値となるように算出する。例えば、レーザコントローラＣは、バースト発振の期間における励起強度に対する、発振休止の期間における励起強度の比に、正の一定値を加算することにより、新たな比を算出し、その後、この新たな比をバースト発振の期間における励起強度に乗算することにより、発振休止の期間における新たな励起強度を算出する。ここで、正の一定値は、例えば５％でもよい。すなわち、バースト発振の期間における励起強度に対する、発振休止の期間における励起強度の比が７０％であった場合には、新たな比を７５％とする。また、例えば、レーザコントローラＣは、発振休止の期間における励起強度の現在の設定値に正の一定値を加算することにより、発振休止の期間における新たな励起強度を算出してもよい。また、例えば、レーザコントローラＣは、発振休止の期間における励起強度の現在の設定値に１より大きい一定値を乗算することにより、発振休止の期間における新たな励起強度を算出してもよい。ここで、１より大きい一定値は、例えば、１．０５でもよい。
Ｓ４４４の後、あるいは、Ｓ４４５の後、レーザコントローラＣは、本フローチャートの処理を終了し、図１４の処理に戻る。
以上の処理によれば、発振休止の期間における励起強度を、繰返し周波数に基づいて設定するだけでなく、図１５を参照しながら説明した処理により、パルスエネルギーのばらつきが小さくなるように微調整することができる。
４．制御部の構成
図１６は、制御部の概略構成を示すブロック図である。
上述した実施の形態におけるレーザコントローラＣ等の制御部は、コンピュータやプログラマブルコントローラ等汎用の制御機器によって構成されてもよい。例えば、以下のように構成されてもよい。
（構成）
制御部は、処理部１０００と、処理部１０００に接続される、ストレージメモリ１００５と、ユーザインターフェイス１０１０と、パラレルＩ／Ｏコントローラ１０２０と、シリアルＩ／Ｏコントローラ１０３０と、Ａ／Ｄ、Ｄ／Ａコンバータ１０４０とによって構成されてもよい。また、処理部１０００は、ＣＰＵ１００１と、ＣＰＵ１００１に接続された、メモリ１００２と、タイマー１００３と、ＧＰＵ１００４とから構成されてもよい。
（動作）
処理部１０００は、ストレージメモリ１００５に記憶されたプログラムを読出してもよい。また、処理部１０００は、読出したプログラムを実行したり、プログラムの実行に従ってストレージメモリ１００５からデータを読出したり、ストレージメモリ１００５にデータを記憶させたりしてもよい。
パラレルＩ／Ｏコントローラ１０２０は、パラレルＩ／Ｏポートを介して通信可能な機器１０２１〜１０２ｘに接続されてもよい。パラレルＩ／Ｏコントローラ１０２０は、処理部１０００がプログラムを実行する過程で行うパラレルＩ／Ｏポートを介した、デジタル信号による通信を制御してもよい。
シリアルＩ／Ｏコントローラ１０３０は、シリアルＩ／Ｏポートを介して通信可能な機器１０３１〜１０３ｘに接続されてもよい。シリアルＩ／Ｏコントローラ１０３０は、処理部１０００がプログラムを実行する過程で行うシリアルＩ／Ｏポートを介した、デジタル信号による通信を制御してもよい。
Ａ／Ｄ、Ｄ／Ａコンバータ１０４０は、アナログポートを介して通信可能な機器１０４１〜１０４ｘに接続されてもよい。Ａ／Ｄ、Ｄ／Ａコンバータ１０４０は、処理部１０００がプログラムを実行する過程で行うアナログポートを介した、アナログ信号による通信を制御してもよい。
ユーザインターフェイス１０１０は、オペレータが処理部１０００によるプログラムの実行過程を表示したり、オペレータによるプログラム実行の中止や割り込み処理を処理部１０００に行わせたりするよう構成されてもよい。
処理部１０００のＣＰＵ１００１はプログラムの演算処理を行ってもよい。メモリ１００２は、ＣＰＵ１００１がプログラムを実行する過程で、プログラムの一時記憶や、演算過程でのデータの一時記憶を行ってもよい。タイマー１００３は、時刻や経過時間を計測し、プログラムの実行に従ってＣＰＵ１００１に時刻や経過時間を出力してもよい。ＧＰＵ１００４は、処理部１０００に画像データが入力された際、プログラムの実行に従って画像データを処理し、その結果をＣＰＵ１００１に出力してもよい。
パラレルＩ／Ｏコントローラ１０２０に接続される、パラレルＩ／Ｏポートを介して通信可能な機器１０２１〜１０２ｘは、ＥＵＶ光生成制御部５、他の制御部等のトリガ信号やタイミングを示す信号の受送信に使用してもよい。
シリアルＩ／Ｏコントローラ１０３０に接続される、シリアルＩ／Ｏポートを介して通信可能な機器１０３１〜１０３ｘは、ＥＵＶ光生成制御部５、他の制御部等のデータの受送信に使用してもよい。
Ａ／Ｄ、Ｄ／Ａコンバータ１０４０に接続される、アナログポートを介して通信可能な機器１０４１〜１０４ｘは、ターゲットセンサ４等の各種センサであってもよい。
以上のように構成されることで、制御部は各実施形態に示された動作を実現可能であってよい。
５．補足
上記の説明は、制限ではなく単なる例示を意図したものである。従って、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本開示の実施形態に変更を加えることができることは、当業者には明らかであろう。
本明細書及び添付の特許請求の範囲全体で使用される用語は、「限定的でない」用語と解釈されるべきである。例えば、「含む」又は「含まれる」という用語は、「含まれるものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。「有する」という用語は、「有するものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。また、本明細書及び添付の特許請求の範囲に記載される修飾句「１つの」は、「少なくとも１つ」又は「１又はそれ以上」を意味すると解釈されるべきである。

Claims (5)

  1. パルスレーザ光を所定の繰返し周波数で出力するバースト発振と、前記所定の繰返し周波数での出力を休止する発振休止と、を交互に繰返すマスターオシレータと、
    前記マスターオシレータから出力されるパルスレーザ光の光路に配置される少なくとも１つの増幅器と、
    前記少なくとも１つの増幅器に電力を供給する電源と、
    前記バースト発振が行われる期間における前記少なくとも１つの増幅器の励起強度に対する、前記発振休止の期間における前記少なくとも１つの増幅器の励起強度の比を、第１の繰返し周波数及び前記第１の繰返し周波数より大きい第２の繰返し周波数の各々について記憶した記憶媒体と、
    前記電源を制御するコントローラであって、
    前記バースト発振が行われる期間における前記少なくとも１つの増幅器の励起強度が第１の励起強度となるように前記電源を制御し、
    前記所定の繰返し周波数が前記第１の繰返し周波数である場合に、前記発振休止の期間における前記少なくとも１つの増幅器の励起強度が前記第１の励起強度以下の第２の励起強度となるように前記電源を制御し、
    前記所定の繰返し周波数が前記第２の繰返し周波数である場合に、前記発振休止の期間における前記少なくとも１つの増幅器の励起強度が前記第２の励起強度より小さい第３の励起強度となるように前記電源を制御する、前記コントローラと、
    を備え、
    前記少なくとも１つの増幅器は、第１の増幅器と、前記第１の増幅器から出力されるパルスレーザ光の光路に配置される第２の増幅器と、を含み、
    前記コントローラは、前記所定の繰返し周波数が前記第２の繰返し周波数である場合に、
    前記バースト発振が行われる期間における前記第１の増幅器の励起強度に対する前記発振休止の期間における前記第１の増幅器の励起強度の比が、
    前記バースト発振が行われる期間における前記第２の増幅器の励起強度に対する前記発振休止の期間における前記第２の増幅器の励起強度の比よりも
    小さくなるように、前記電源を制御し、
    前記コントローラは、前記記憶媒体に記憶されたデータに基づいて、前記発振休止の期間に前記電源を制御する、
    レーザ装置。
  2. パルスレーザ光を所定の繰返し周波数で出力するバースト発振と、前記所定の繰返し周波数での出力を休止する発振休止と、を交互に繰返すマスターオシレータと、
    前記マスターオシレータから出力されるパルスレーザ光の光路に配置される少なくとも１つの増幅器と、
    前記少なくとも１つの増幅器に電力を供給する電源と、
    前記バースト発振が行われる期間における前記少なくとも１つの増幅器の励起強度に対する、前記発振休止の期間における前記少なくとも１つの増幅器の励起強度の比を、第１の繰返し周波数及び前記第１の繰返し周波数より大きい第２の繰返し周波数の各々について記憶した記憶媒体と、
    前記電源を制御するコントローラであって、
    前記バースト発振が行われる期間における前記少なくとも１つの増幅器の励起強度が第１の励起強度となるように前記電源を制御し、
    前記所定の繰返し周波数が前記第１の繰返し周波数である場合に、前記発振休止の期間における前記少なくとも１つの増幅器の励起強度が前記第１の励起強度以下の第２の励起強度となるように前記電源を制御し、
    前記所定の繰返し周波数が前記第２の繰返し周波数である場合に、前記発振休止の期間における前記少なくとも１つの増幅器の励起強度が前記第２の励起強度より小さい第３の励起強度となるように前記電源を制御する、前記コントローラと、
    を備え、
    前記少なくとも１つの増幅器は、第１の増幅器と、前記第１の増幅器から出力されるパルスレーザ光の光路に配置される第２の増幅器と、前記第２の増幅器から出力されるパルスレーザ光の光路に配置される第３の増幅器と、を含み、
    前記コントローラは、前記所定の繰返し周波数が前記第２の繰返し周波数である場合に、
    前記バースト発振が行われる期間における前記第１の増幅器の励起強度に対する前記発振休止の期間における前記第１の増幅器の励起強度の比が、
    前記バースト発振が行われる期間における前記第２の増幅器の励起強度に対する前記発振休止の期間における前記第２の増幅器の励起強度の比、及び
    前記バースト発振が行われる期間における前記第３の増幅器の励起強度に対する前記発振休止の期間における前記第３の増幅器の励起強度の比のいずれよりも
    小さくなるように、前記電源を制御し、
    前記コントローラは、前記記憶媒体に記憶されたデータに基づいて、前記発振休止の期間に前記電源を制御する、
    レーザ装置。
  3. パルスレーザ光を所定の繰返し周波数で出力するバースト発振と、前記所定の繰返し周波数での出力を休止する発振休止と、を交互に繰返すマスターオシレータと、
    前記マスターオシレータから出力されるパルスレーザ光の光路に配置される少なくとも１つの増幅器と、
    前記少なくとも１つの増幅器に電力を供給する電源と、
    前記バースト発振が行われる期間における前記少なくとも１つの増幅器の励起強度に対する、前記発振休止の期間における前記少なくとも１つの増幅器の励起強度の比を、第１の繰返し周波数及び前記第１の繰返し周波数より大きい第２の繰返し周波数の各々について記憶した記憶媒体と、
    前記電源を制御するコントローラであって、
    前記バースト発振が行われる期間における前記少なくとも１つの増幅器の励起強度が第１の励起強度となるように前記電源を制御し、
    前記所定の繰返し周波数が前記第１の繰返し周波数である場合に、前記発振休止の期間における前記少なくとも１つの増幅器の励起強度が前記第１の励起強度以下の第２の励起強度となるように前記電源を制御し、
    前記所定の繰返し周波数が前記第２の繰返し周波数である場合に、前記発振休止の期間における前記少なくとも１つの増幅器の励起強度が前記第２の励起強度より小さい第３の励起強度となるように前記電源を制御する、前記コントローラと、
    を備え、
    前記少なくとも１つの増幅器は、第１の増幅器と、前記第１の増幅器から出力されるパルスレーザ光の光路に配置される第２の増幅器と、前記第２の増幅器から出力されるパルスレーザ光の光路に配置される第３の増幅器と、を含み、
    前記コントローラは、前記所定の繰返し周波数が前記第２の繰返し周波数である場合に、
    前記バースト発振が行われる期間における前記第１の増幅器の励起強度に対する前記発振休止の期間における前記第１の増幅器の励起強度の比、及び
    前記バースト発振が行われる期間における前記第２の増幅器の励起強度に対する前記発振休止の期間における前記第２の増幅器の励起強度の比のいずれもが、
    前記バースト発振が行われる期間における前記第３の増幅器の励起強度に対する前記発振休止の期間における前記第３の増幅器の励起強度の比よりも
    小さくなるように、前記電源を制御し、
    前記コントローラは、前記記憶媒体に記憶されたデータに基づいて、前記発振休止の期間に前記電源を制御する、
    レーザ装置。
  4. 所定領域に向けてターゲットを出力するターゲット供給部と、
    前記ターゲットに照射されるパルスレーザ光を出力するレーザ装置であって、
    パルスレーザ光を所定の繰返し周波数で出力するバースト発振と、前記所定の繰返し周波数での出力を休止する発振休止と、を交互に繰返すマスターオシレータと、
    前記マスターオシレータから出力されるパルスレーザ光の光路に配置される少なくとも１つの増幅器と、
    前記少なくとも１つの増幅器に電力を供給する電源と、
    前記バースト発振が行われる期間における前記少なくとも１つの増幅器の励起強度に対する、前記発振休止の期間における前記少なくとも１つの増幅器の励起強度の比を、第１の繰返し周波数及び前記第１の繰返し周波数より大きい第２の繰返し周波数の各々について記憶した記憶媒体と、
    前記電源を制御するコントローラであって、
    前記バースト発振が行われる期間における前記少なくとも１つの増幅器の励起強度が第１の励起強度となるように前記電源を制御し、
    前記所定の繰返し周波数が前記第１の繰返し周波数である場合に、前記発振休止の期間における前記少なくとも１つの増幅器の励起強度が前記第１の励起強度以下の第２の励起強度となるように前記電源を制御し、
    前記所定の繰返し周波数が前記第２の繰返し周波数である場合に、前記発振休止の期間における前記少なくとも１つの増幅器の励起強度が前記第２の励起強度より小さい第３の励起強度となるように前記電源を制御する、前記コントローラと、
    を含む前記レーザ装置と、
    を備え、
    前記少なくとも１つの増幅器は、第１の増幅器と、前記第１の増幅器から出力されるパルスレーザ光の光路に配置される第２の増幅器と、を含み、
    前記コントローラは、前記所定の繰返し周波数が前記第２の繰返し周波数である場合に、
    前記バースト発振が行われる期間における前記第１の増幅器の励起強度に対する前記発振休止の期間における前記第１の増幅器の励起強度の比が、
    前記バースト発振が行われる期間における前記第２の増幅器の励起強度に対する前記発振休止の期間における前記第２の増幅器の励起強度の比よりも
    小さくなるように、前記電源を制御し、
    前記コントローラは、前記記憶媒体に記憶されたデータに基づいて、前記発振休止の期間に前記電源を制御する、
    極端紫外光生成システム。
  5. 所定領域に向けてターゲットを出力するターゲット供給部と、
    前記ターゲットに照射されるパルスレーザ光を出力するレーザ装置であって、
    パルスレーザ光を所定の繰返し周波数で出力するバースト発振と、前記所定の繰返し周波数での出力を休止する発振休止と、を交互に繰返すマスターオシレータと、
    前記マスターオシレータから出力されるパルスレーザ光の光路に配置される少なくとも１つの増幅器と、
    前記少なくとも１つの増幅器に電力を供給する電源と、
    前記バースト発振が行われる期間における前記少なくとも１つの増幅器の励起強度に対する、前記発振休止の期間における前記少なくとも１つの増幅器の励起強度の比を、第１の繰返し周波数及び前記第１の繰返し周波数より大きい第２の繰返し周波数の各々について記憶した記憶媒体と、
    前記電源を制御するコントローラであって、
    前記バースト発振が行われる期間における前記少なくとも１つの増幅器の励起強度が第１の励起強度となるように前記電源を制御し、
    前記所定の繰返し周波数が前記第１の繰返し周波数である場合に、前記発振休止の期間における前記少なくとも１つの増幅器の励起強度が前記第１の励起強度以下の第２の励起強度となるように前記電源を制御し、
    前記所定の繰返し周波数が前記第２の繰返し周波数である場合に、前記発振休止の期間における前記少なくとも１つの増幅器の励起強度が前記第２の励起強度より小さい第３の励起強度となるように前記電源を制御する、前記コントローラと、
    を含む前記レーザ装置と、
    を備え、
    前記少なくとも１つの増幅器は、第１の増幅器と、前記第１の増幅器から出力されるパルスレーザ光の光路に配置される第２の増幅器と、前記第２の増幅器から出力されるパルスレーザ光の光路に配置される第３の増幅器と、を含み、
    前記コントローラは、前記所定の繰返し周波数が前記第２の繰返し周波数である場合に、
    前記バースト発振が行われる期間における前記第１の増幅器の励起強度に対する前記発振休止の期間における前記第１の増幅器の励起強度の比が、
    前記バースト発振が行われる期間における前記第３の増幅器の励起強度に対する前記発振休止の期間における前記第３の増幅器の励起強度の比よりも
    小さくなるように、前記電源を制御し、
    前記コントローラは、前記記憶媒体に記憶されたデータに基づいて、前記発振休止の期間に前記電源を制御する、
    極端紫外光生成システム。
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