JP6905604B2

JP6905604B2 - 材料性能検査装置の製造方法

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Publication number: JP6905604B2
Application number: JP2019572157A
Authority: JP
Inventors: 松杉李
Original assignee: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Current assignee: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Priority date: 2017-06-28
Filing date: 2017-07-21
Publication date: 2021-07-21
Anticipated expiration: 2037-07-21
Also published as: CN107144528B; CN107144528A; KR20200021527A; EP3647770A1; EP3647770A4; WO2019000519A1; KR102278819B1; JP2020525985A

Description

本発明は、材料性能検査技術の分野に関するものであり、特に材料性能検査装置及びその製造方法に関するものである。

ＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ−ＥｍｉｔｔｉｎｇＤｉｏｄｅ、発光ダイオード）は既に様々な業界で普遍的に応用されており、技術の発展及び進歩に伴い、ＯＬＥＤ（ＯｒｇａｎｉｃＬｉｇｈｔ−ＥｍｉｔｔｉｎｇＤｉｏｄｅ、有機発光ダイオード）及びＷＯＬＥＤ（ＷｈｉｔｅＯｒｇａｎｉｃＬｉｇｈｔ−ＥｍｉｔｔｉｎｇＤｉｏｄｅ、白色有機発光ダイオード）が相次いで登場している。現在、ＬＥＤ、ＯＬＥＤ及びＷＯＬＥＤは様々な業界で広く応用されており、例えば表示灯として用いられ、或いは電気スタンド、テレビ、ディスプレイパネル及びディスプレイ等に適用されていることを含む。従って、ＬＥＤの発光効果は特に重要である。

ＬＥＤ、ＯＬＥＤ及びＷＯＬＥＤの製造過程では、画素定義材料の使用が必要となり、当該材料の性能の良し悪し、特に当該材料の酸素含有量及び水分含有量は直接、最終生産物であるＬＥＤ、ＯＬＥＤ及びＷＯＬＥＤの発光効果に影響を及ぼす。このため、ＬＥＤ、ＯＬＥＤ及びＷＯＬＥＤに適用しようとする画素定義材料を全て検査する必要がある。

材料検査装置の製造過程において、先ず露光、現像及びエッチングにより基板上に金属ゲート電極を形成し、次に、露光及び現像により基板上に一層のカラーフィルタ層及び／又は絶縁層を形成することで、画素定義層材料の検査を助けることができる。カラーフィルタ層及び／又は絶縁層を形成する過程において、先ず基板及び金属ゲート電極上に有機フォトレジストを全面的に塗布して一層の膜を形成し、次に、露光及び現像により金属ゲート電極上の有機フォトレジスト材料及び基板上の余分な有機フォトレジスト材料を除去し、有用な部分を残すことで、カラーフィルタ片及び／又は絶縁層を形成する必要がある。有機フォトレジストの金属への接着力が弱いため、有機フォトレジスト膜が頻繁に破損し、有機フォトレジスト膜厚の均一性に影響を及ぼすことで、後続する露光及び現像の後に形成されるカラーフィルタ片及び／又は絶縁層のパターンが理想的でないものとなり、検査装置の検査効果に甚大な影響を与えることになる。

従来の材料検査装置は、有機フォトレジスト材料の金属ゲート電極への接着力が弱く、露光及び現像の後にカラーフィルタ片及び／又は絶縁層のパターンが理想的でないものとなる問題が存在し、これに基づいて本発明は、材料性能検査装置及びその製造方法を提供する。

本発明は材料性能検査装置を提供し、当該装置は材料の性能を検査するのに用いられ、

基板と；

前記基板の一側に設けられた金属ゲート電極と；

前記金属ゲート電極の前記基板と反対側の一側に設けられた補助層と；

前記基板の前記金属ゲート電極を有する一側に設けられた有機フォトレジスト材料を含む機能層とを含み、前記機能層の形成過程において、前記有機フォトレジストは少なくとも一定時間、前記補助層上に接着し、前記機能層は発光部品と組み合わせて、検査材料の性能を検査するのに用いるものである。

本発明はさらに材料性能検査装置の製造方法を提供し、当該製造方法は、

基板を提供するステップと；

前記基板上に一層の金属材料を堆積させ、露光、現像及びエッチングによって、金属ゲート電極を得るステップと；

前記基板及び前記金属ゲート電極上に一層の補助材料を堆積させ、露光、現像及びエッチングによって、前記金属ゲート電極上に補助層を得るステップと；

前記基板及び前記金属ゲート電極上に一層の有機フォトレジスト材料を堆積させ、露光及び現像によって、前記基板の前記金属ゲート電極を有する一側に機能層を形成するステップとを含む。

本発明の前記材料性能検査装置及びその製造方法において、金属ゲート電極の表面上に補助層が形成され、当該補助層は非金属材料である。そのため、機能層を製造する過程において、有機フォトレジストを基板及び補助層上に堆積させると、補助層上の有機フォトレジストの接着力が強いため、堆積した有機フォトレジスト膜は均一となり、これにより露光及び現像の後に理想の機能層が得られ、材料性能検査装置の検査効果を保証することができる。

本発明に係る材料性能検査装置の一実施形態を示す構造概略図である。本発明に係る材料性能検査装置の他の実施形態を示す構造概略図である。本発明に係る材料性能検査装置の別の実施形態を示す構造概略図である。本発明に係る材料性能検査装置のさらなる実施形態を示す構造概略図である。図４の実施形態に対応するその他の実施形態における補助孔を示す構造概略図である。本発明に係る材料性能検査装置の製造方法の一実施形態を示すフロートチャート図である。本発明に係る材料性能検査装置の製造方法の他の実施形態を示すフロートチャート図である。本発明に係る材料性能検査装置の製造方法の別の実施形態を示すフロートチャート図である。

以下において、図面と組み合わせて、材料性能検査装置及び当該装置の製造方法を詳細に説明する。

図１を参照すると、図１は、本発明の一実施形態に係る材料性能検査装置の構造概略図である。当該材料性能検査装置は、基板１００と、基板１００の一側に設けられた金属ゲート電極２００と、金属ゲート電極２００の基板１００と反対側の一側に形成された補助層３００と、露光及び現像により、基板１００の金属ゲート電極２００を有する一側に形成された機能層４００とを含む。

具体的には、金属ゲート電極２００は、基板１００と補助層３００との間に位置しており、金属ゲート電極２００は、他の部品と電気的に接続するのに用いられる。機能層４００は、有機フォトレジスト材料でできており、発光部品と組み合わせて材料の性能を検査するのに用いられ、機能層４００の形成過程において、有機フォトレジストは少なくとも一定時間、補助層３００上に接着する。より具体的には、機能層４００を基板１００上に形成する過程は、以下の通りである。有機フォトレジストを基板１００及び補助層３００上に上面より塗布した後、異なる露光量によって、金属ゲート電極３００上の有機フォトレジスト材料及び基板１００上の余剰の有機フォトレジスト材料を除去し、図１に示すように、有用なパターンを残すことで機能層４００を形成する。上記の方法において、機能層４００はその形成過程中に、金属ゲート電極２００の存在する位置で、有機フォトレジストを補助層３００上に塗布するため、有機フォトレジストと金属ゲート電極２００が直接的に接触することはない。さらに、補助層３００上の有機フォトレジストの接着力が強いため、堆積した有機フォトレジスト膜は均一となり、これにより露光及び現像の後に理想のパターンを有する機能層４００が得られ、材料性能検査装置の検査効果を保証することができる。

好ましくは、金属ゲート電極２００は基板１００上で縁部に近接する位置にあり、機能層４００は基板１００の中間の位置にある。

好ましくは、基板１００は透明なガラス基板又は石英基板であってもよい。

補助層３００は非金属層であると理解することができる。好ましくは、補助層３００は、単層のＳｉＮｘ若しくはＳｉＯｘ、ＳｉＮｘとＳｉＯｘの混合物、又はＳｉＮｘの１層とＳｉＯｘの１層であってもよい。

図２を参照すると、一実施形態において、補助層３００は、第１本体３０１と第２本体３０２とを含む。第１本体３０１は金属ゲート電極２００の基板１００と反対側の一側上に設けられており、第２本体３０２は基板１００の金属ゲート電極２００を有する一側上に設けられており、第２本体３０２は機能層４００と基板１００との間に位置する。補助層３００上の有機フォトレジストの接着力が強いため、第２本体３０２を基板１００上に設けることで、機能層を形成する過程において有機フォトレジストが全面的に非常に均一に塗布されるのを保証することができ、これにより最終的に理想のパターンを有する機能層４００が形成されるのを保証して、材料性能検査装置の検査効果を確保できる。

材料性能検査装置が材料に対して行なう検査の原理は、以下の通りである。検査の対象となる材料を材料性能検査装置の中に形成し、且つ発光部品に接続し、発光部品から発せられる光が基板１００上に到達し、その発光効果が理想的なもの（主に、発光の色彩、輝度及び解像度を考慮する）である場合は、検査対象の材料の性能が良いことを示す。

図３を参照すると、好ましくは、機能層４００はカラーフィルタ層４０１を含む。カラーフィルタ層４０１は、主に光フィルタリングの機能を発揮し、発光部品から発せられる光が白色光である場合、例えばＷＯＬＥＤでは、カラーフィルタ層４０１を用いる必要があり、カラーフィルタ層４０１を介して白色光を有彩色光に分解することで、発光効果を観察できるようになる。具体的には、カラーフィルタ層４０１は、アクリル樹脂及び／又はポリメタクリル酸メチル樹脂からなる。

他の実施形態において、機能層４００はさらに絶縁層４０２を含み、カラーフィルタ層４０１は基板１００と絶縁層４０２との間に位置する。絶縁層４０２は絶縁及び分離の機能を果たし、通常、カラーフィルタ層４０１が金属ゲート電極２００に接続された部品に接触すると、カラーフィルタ層４０２のフィルタリング効果に影響が及ぶと共に、金属ゲート電極２００に接続された部品の動作過程にも影響が及ぶ。このため、カラーフィルタ層４０１上に一層の絶縁層４０２を設けることで、金属ゲート電極２００に接続された部品及びカラーフィルタ層４０１の各々の動作性能を保証することができる。好ましくは、絶縁層４０２はポリイミド及び／又はアクリル材料からなる。

図４を参照すると、一実施形態において、本発明の材料性能検査装置はさらに、補助層３００上及び機能層４００上に順次形成された、アノード層５００と、検査対象材料層７００と、発光材料層６００と、カソード層８００とを含む。ここで、アノード層５００は金属ゲート電極２００と電気的に接続されており、検査対象材料層７００はアノード層５００とカソード層８００との間に位置し、且つアノード層５００及びカソード層８００との間に空間９００を形成しており、当該空間９００は発光材料層６００を配置するのに提供される。発光材料層６００は空間９００内に収容されると共に、検査対象材料層７００に当接する。以下、本実施形態における材料性能検査装置の動作原理についてさらに詳述する。金属ゲート電極２００を外部電源（図示せず）に接続した後、電力をアノード層５００に伝達し、アノード層５００とカソード層８００との間で生じた電圧差を発光材料層６００に作用させることで、発光材料層６００を発光させ、光線が基板１００上に届き、これにより発光効果を観察できるようになる。検査対象材料層７００は発光材料層６００に当接するため、発光材料層６００の発光効果に直接影響を与え、即ち、発光材料層６００の発光効果により検査対象材料層７００の性能の良し悪しを検出することができる。

本実施形態における金属ゲート電極２００は、２つの部分から構成されており、基板１００上で縁部に近接する位置に設けられ、基板を金属領域１０１と、中間領域１０２と、周辺領域１０３とに分割している。機能層４００も基板１００上に形成されており、２つの金属ゲート電極２００の間にある中間領域１０２に位置する。アノード層５００は、金属領域１０１及び中間領域１０２に位置し、同時に補助層３００と、中間領域１０２における基板１００の一部と、機能層４００との上を被覆している。発光材料層６００は中間領域１０２に位置し、アノード層５００上に形成されている。カソード層８００は金属領域１０１、中間領域１０２及び周辺領域１０３に位置し、発光材料層６００はアノード層５００とカソード層８００との間に位置する。検査対象材料層７００は、周辺領域１０３、金属領域１０１、及び中間領域１０２の一部に位置する。周辺領域１０３において、検査対象材料層７００は基板１００とカソード層８００との間に位置している。金属領域１０１及び中間領域１０２の一部において、検査対象材料層７００はアノード層５００とカソード層８００との間に位置している。上記の構造により、製品の全体的な外観構造が整然となることを保証でき、加工工程を簡素化することができる。ここで理解されたい点として、その他の実施形態において、カソード層８００は少なくとも中間領域１０２に形成されていればよく、アノード層５００とカソード層８００との間で電圧差が生じ、その電圧差を発光材料層６００に供給することを保証できればよい。その他の実施形態では、検査対象材料層７００の少なくとも一部がカソード層８００とアノード層５００との間に形成され、且つ発光材料層６００に当接していればよい。

具体的には、アノード層５００上には、金属ゲート電極２００と電気的に接続する延長部５０１が設けられている。本実施形態において、延長部５０１は金属ゲート電極２００の側面に接続されており、その際、補助層３００は金属ゲート電極２００の上方に位置する第１本体３０１のみを含むか、又は第２本体３０２と第１本体３０１とが分断され、これにより金属ゲート電極２００の側面の位置に間隙が現れ、当該間隙はアノード層５００の延長部５０１を収容するのに用いられ、アノード層５００と金属ゲート電極２００との電気的接続を実現することができる。

図５を参照すると、他の実施形態において、第１本体３０１上に金属ゲート電極２００と連通する補助孔３０３が設けられており、延長部５０１は補助孔３０３を介して金属ゲート電極２００に当接し、アノード層５００と金属ゲート電極２００との電気的接続を実現させる。

本発明の材料性能検査装置において、金属ゲート電極２００上に補助層３００を形成することで、後の機能層４００の形成過程中に、金属ゲート電極２００の存在する位置で、有機フォトレジストを補助層３００上に塗布するため、有機フォトレジストと金属ゲート電極２００が直接的に接触することはない。補助層３００上の有機フォトレジストの接着力が強いため、堆積した有機フォトレジスト膜は均一となり、これにより露光及び現像の後に理想のパターンを有する機能層４００が得られ、材料性能検査装置の検査効果を保証することができる。

本発明はさらに、材料性能検査装置の製造方法を提供する。

参照する図６及び図１は、本発明に係る材料性能検査装置の製造方法の一実施形態を示すフロートチャート図である。当該方法は、以下のステップを含む。

Ｓ１０１：基板１００を提供する。

好ましくは、当該基板１００は透明なガラス基板又は石英基板であってもよい。

Ｓ１０２：基板１００上に一層の金属材料を堆積させ、露光、現像及びエッチングによって、金属ゲート電極２００を得る。

ここで、基板１００上に一層の金属材料を堆積させるには、通常、物理堆積法又は化学気相堆積法が用いられる。次に、金属材料層上に一層のフォトエッチング剤を塗布した後、異なる露光量に応じて、露光及び現像によって、所望する金属ゲート電極の大きさに応じたフォトエッチング剤が金属材料上に接着し、その他の除去しようとする金属材料の部分は表面に露出し、さらにエッチング工程により表面に露出した金属をエッチングすることで、フォトエッチング剤によって保護された金属材料が残り、金属ゲート電極２００が形成される。

Ｓ１０３：基板１００及び金属ゲート電極２００上に一層の補助材料を堆積させ、露光、現像及びエッチングによって、金属ゲート電極２００上に補助層３００を得る。

堆積、露光、現像及びエッチングの過程は、金属ゲート電極２００を形成する過程と同一であるため、省略する。ここで、補助層３００は金属ゲート電極２００上にのみ形成されていてもよく、さらに基板１００上に形成された金属ゲート電極２００の側面に位置する部分を含んでもよい。

Ｓ１０４：基板１００及び金属ゲート電極２００上に一層の有機フォトレジスト材料を塗布し、露光及び現像によって、基板１００の一表面に機能層４００を形成する。

ここで、有機フォトレジスト材料はステップＳ１０１で用いたフォトエッチング剤と類似しており、有機フォトレジストを基板１００及び金属ゲート電極２００上に上面より塗布した後、所望する機能層のパターンに応じて異なる露光量を設定し、次いで、露光及び現像によって、金属ゲート電極２００上に位置する、及びその他の不必要な部分の有機フォトレジストを除去することで、最終的に特定のパターンを有する機能層４００が得られる。具体的には、機能層４００はカラーフィルタ層であり、主に他の発光部品と組み合わせて、検査対象材料の性能を検査するのに用いられ、或いはカラーフィルタ層及び絶縁層を含むものである。

従来技術と区別して、本実施形態に係る製造方法で得られる材料性能検査装置は、その製造過程において、先ず金属ゲート電極２００上に補助層３００を形成するが、ステップＳ１０４における機能層４００の形成過程では、金属ゲート電極２００の存在する位置で、有機フォトレジストを補助層３００上に塗布するため、有機フォトレジストと金属ゲート電極２００が直接的に接触することはない。さらに、補助層３００上の有機フォトレジストの接着力が強いため、堆積した有機フォトレジスト膜は均一となり、これにより露光及び現像の後に理想のパターンを有する機能層４００が得られ、材料性能検査装置の検査効果を保証することができる。

参照する図７及び図４は、本発明に係る材料性能検査装置の製造方法の他の実施形態を示すフロートチャート図である。当該方法は、以下のステップを含む。

Ｓ２０１：基板１００を提供する。

Ｓ２０２：基板１００上に一層の金属材料を堆積させ、露光、現像及びエッチングによって、金属ゲート電極２００を得る。

Ｓ２０３：基板１００及び金属ゲート電極２００上に一層の補助材料を堆積させ、露光、現像及びエッチングによって、金属ゲート電極２００上に補助層３００を得る。

Ｓ２０４：基板及び金属ゲート電極２００上に一層の有機フォトレジスト材料を塗布し、露光及び現像によって、基板１００の一表面上に機能層４００を形成する。

Ｓ２０５：補助層３００及び機能層４００と反対側の一表面上にアノード層５００を形成し、アノード層５００を金属ゲート電極２００に接続する。

ここで、アノード層５００を形成する工程は、金属ゲート電極２００を形成する過程と同一であるため、省略する。

Ｓ２０６：アノード層５００の基板１００と反対側の一側に順次、検査対象材料層７００と発光材料層６００とを形成し、検査対象材料層７００を発光材料層６００に当接させる。

ここで、検査対象材料層７００は、堆積、露光、現像及びエッチング工程により形成される。具体的には、先ずアノード層５００上に検査対象材料を堆積させ、露光及び現像後に、アノード層５００上の少なくとも一部分の検査対象材料をエッチングすることで除去し、アノード層５００を露出させ、発光材料層６００の蒸着に提供される。或いは、先ず発光材料層６００をアノード層５００上に蒸着させ、次に検査対象材料をアノード層５００及び発光材料層６００上に堆積させた後、発光材料層６００上の対応する検査対象材料をエッチングすることで除去し、ステップＳ２０７のための準備が完了する。

Ｓ２０７：少なくとも発光材料層６００のアノード層５００と反対側の一側に、カソード層８００を形成する。

蒸着方法により、カソード層８００を発光材料層６００上に蒸着させる。その他の実施形態において、カソード層８００を、発光材料層７００に対応する領域外にまで延伸して蒸着させることもでき、例えば、検査対象材料層７００上にまで延伸させて、装置全体の外観をより平滑にすることができる。

参照する図８、図４及び図５は、本発明に係る材料性能検査装置の製造方法のさらなる実施形態を示すフロートチャート図である。当該方法は、以下のステップを含む。

Ｓ３０１：基板１００を提供する。

Ｓ３０２：基板１００上に一層の金属材料を堆積させ、露光、現像及びエッチングによって、金属ゲート電極２００を得る。

Ｓ３０３：基板１００及び金属ゲート電極２００上に一層の補助材料を堆積させ、露光、現像及びエッチングによって、金属ゲート電極２００上に補助層３００を得る。

Ｓ３０４：補助層３００上に金属ゲート電極２００と連通する補助孔３０３をエッチングし、補助孔３０３を介してアノード層５００を金属ゲート電極２００に接続する。

その他の実施形態において、補助層３００上に金属ゲート電極２００と連通する補助孔３０３をエッチングするステップは、機能層４００を形成するステップの後であってもよく、ステップＳ３０６でアノード層５００を形成する前に行われていればよい。ここで理解されたい点として、その他の実施形態において、前記補助孔３０３をエッチングしなくてもよく、代わりに金属ゲート電極２００の側面に間隙を残し、アノード層５００の形成過程でアノード材料を堆積させる際に充填して提供することで、アノード層５００と金属ゲート電極２００との電気的接続を実現できる。具体的には、前記間隙は、金属ゲート電極２００の側面と機能層４００との間に形成することができる。或いは、補助層４００が基板上を被覆している第２本体３０２を含む場合に、第２本体３０２上の金属ゲート電極２００の側面に位置する箇所で補助孔３０３をエッチングし、補助孔３０３がエッチングにより形成された後に、金属ゲート電極２００の側面が丁度露出するようになり、即ち、金属ゲート電極２００の一側面を補助孔３０３の内壁とすることができる。

Ｓ３０５：基板１００及び金属ゲート電極２００上に一層の有機フォトレジスト材料を塗布し、露光及び現像によって、基板１００の金属ゲート電極２００を有する一側に機能層４００を形成する。

Ｓ３０６：補助層３００及び機能層４００上にアノード層５００を形成し、アノード層５００を金属ゲート電極２００に電気的に接続する。

本実施形態において、アノード層５００を形成するための材料が堆積時に補助孔３０３を充填することで、アノード層５００と金属ゲート電極２００との電気的接続を実現することができる。

Ｓ３０７：アノード層５００の基板１００と反対側の一側に、検査対象材料層７００と発光材料層６００とを形成し、検査対象材料層７００を発光材料層６００に当接させる。

Ｓ３０８：少なくとも発光材料層６００のアノード層５００と反対側の一側に、カソード層８００を形成する。

上述の内容は本発明の実施形態にすぎず、本発明の特許請求の範囲を限定するものではない。本発明の明細書及び図面の内容を利用してなされた、同等の効果を有する構造若しくは工程の置換、又は他の関連する技術分野への直接的若しくは間接的な応用は、いずれも本発明の保護範囲に含まれるものとする。

Claims

基板と、金属ゲート電極と、補助層と、機能層とを含み、材料の性能を検査するのに用いる材料性能検査装置の製造方法において、
前記金属ゲート電極は前記基板の一側に設けられており；
前記補助層は、前記金属ゲート電極の前記基板と反対側の一側に設けられており、第１本体と第２本体とを含み、前記第１本体は前記金属ゲート電極の前記基板と反対側の一側に設けられており、前記第２本体は前記基板の前記金属ゲート電極を有する一側に設けられており；
前記機能層はカラーフィルタ層を含み、前記基板の前記金属ゲート電極を有する一側に設けられており、
前記第２本体は前記機能層と前記基板との間に位置しており、
前記材料性能検査装置の中に検査の対象となる材料が形成されており、
基板を提供するステップと；
前記基板上に一層の金属材料を堆積させ、露光、現像及びエッチングによって、金属ゲート電極を得るステップと；
前記基板及び前記金属ゲート電極上に一層の補助材料を堆積させ、露光、現像及びエッチングによって、前記金属ゲート電極上に補助層を得るステップと；
前記基板及び前記金属ゲート電極上に一層の有機フォトレジスト材料を塗布し、露光及び現像によって、前記基板の前記金属ゲート電極を有する一側に機能層を形成するステップとを含み、
前記機能層の形成過程において、前記カラーフィルタ層は少なくとも一定時間、前記補助層上に接着し、前記機能層は発光部品から発せられる光を通して材料の性能を検査するのに用いるものであり、
前記材料性能検査装置は、アノード層と、検査対象材料層と、前記発光部品としての発光材料層と、カソード層とをさらに含み、
前記アノード層は前記金属ゲート電極と電気的に接続されており、
前記検査対象材料層は、前記アノード層と前記カソード層との間に位置し、且つ前記アノード層及び前記カソード層との間に空間を形成しており、
前記空間は前記発光材料層を配置するのに提供され、前記発光材料層は前記空間内に収容されると共に、前記検査対象材料層に当接することを特徴とする材料性能検査装置の製造方法。
前記カラーフィルタ層はアクリル樹脂からなることを特徴とする請求項１に記載の材料性能検査装置の製造方法。
前記機能層はさらに絶縁層を含み、前記カラーフィルタ層は前記基板と前記絶縁層との間に位置することを特徴とする請求項１に記載の材料性能検査装置の製造方法。
前記補助層及び前記機能層の前記基板と反対側の一側にアノード層を形成し、前記アノード層を前記金属ゲート電極に電気的に接続するステップと；
前記アノード層の前記基板と反対側の一側に順次、検査対象材料層と発光材料層とを形成し、前記検査対象材料層を前記発光材料層に当接させるステップと；
少なくとも前記発光材料層の前記アノード層と反対側の一側に、カソード層を形成するステップとをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の材料性能検査装置の製造方法。
基板と、金属ゲート電極と、補助層と、機能層とを含み、材料の性能を検査するのに用いる材料性能検査装置の製造方法において、
前記金属ゲート電極は前記基板の一側に設けられており；
前記補助層は、前記金属ゲート電極の前記基板と反対側の一側に設けられており；
前記機能層はカラーフィルタ層を含み、前記基板の前記金属ゲート電極を有する一側に設けられており、
前記材料性能検査装置の中に検査の対象となる材料が形成されており、
基板を提供するステップと；
前記基板上に一層の金属材料を堆積させ、露光、現像及びエッチングによって、金属ゲート電極を得るステップと；
前記基板及び前記金属ゲート電極上に一層の補助材料を堆積させ、露光、現像及びエッチングによって、前記金属ゲート電極上に補助層を得るステップと；
前記基板及び前記金属ゲート電極上に一層の有機フォトレジスト材料を塗布し、露光及び現像によって、前記基板の前記金属ゲート電極を有する一側に機能層を形成するステップとを含み、
前記機能層の形成過程において、前記カラーフィルタ層は少なくとも一定時間、前記補助層上に接着し、前記機能層は発光部品から発せられる光を通して材料の性能を検査するのに用いるものであり、
前記材料性能検査装置は、アノード層と、検査対象材料層と、前記発光部品としての発光材料層と、カソード層とをさらに含み、
前記アノード層は前記金属ゲート電極と電気的に接続されており、
前記検査対象材料層は、前記アノード層と前記カソード層との間に位置し、且つ前記アノード層及び前記カソード層との間に空間を形成しており、
前記空間は前記発光材料層を配置するのに提供され、前記発光材料層は前記空間内に収容されると共に、前記検査対象材料層に当接することを特徴とする材料性能検査装置の製造方法。
前記カラーフィルタ層はアクリル樹脂からなることを特徴とする請求項５に記載の材料性能検査装置の製造方法。
前記機能層はさらに絶縁層を含み、前記カラーフィルタ層は前記基板と前記絶縁層との間に位置することを特徴とする請求項５に記載の材料性能検査装置の製造方法。
前記補助層及び前記機能層の前記基板と反対側の一側にアノード層を形成し、前記アノード層を前記金属ゲート電極に電気的に接続するステップと；
前記アノード層の前記基板と反対側の一側に順次、検査対象材料層と発光材料層とを形成し、前記検査対象材料層を前記発光材料層に当接させるステップと；
少なくとも前記発光材料層の前記アノード層と反対側の一側に、カソード層を形成するステップとをさらに含むことを特徴とする請求項５に記載の材料性能検査装置の製造方法。
前記補助層上には、前記金属ゲート電極と連通する少なくとも１つの補助孔が設けられており、前記アノード層は前記補助孔を介して前記金属ゲート電極に電気的に接続されており、
前記補助層及び前記機能層の前記基板と反対側の一側にアノード層を形成するステップの前に、
さらに、前記補助層上に前記金属ゲート電極と連通する補助孔をエッチングし、前記補助孔を介して前記アノードを前記金属ゲート電極に電気的に接続するステップを含むことを特徴とする請求項８に記載の材料性能検査装置の製造方法。