JP6892743B2 - 製膜装置 - Google Patents
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Description
請求項2に記載の発明は、請求項1に記載の発明において、前記位置調整構造が回転により前記基板に対して前記マスクを移動させるネジ構造であることを特徴とする。
図1には、スパッタリング装置100が示されている。スパッタリング装置100は、筐体101を備えている。筐体101は、内部を減圧にすることが可能な密閉構造を有する容器である。筐体101には、スパッタリングに必要なガスを筐体101内に供給するガス供給系102が接続されている。ガス供給系102からは、アルゴン等の不活性ガスと酸化物気体等の添加ガス、さらに窒素ガス等が筐体101内に供給される。また、筐体101は、排気ポンプ103を備えたガス排気系104、スパッタリングのための放電を行うための電力を供給する高周波電源105が接続されている。なお、スパッタリングの放電を行うための電源として直流電源やパルス電源を用いることもできる。
以下、図1のスパッタリング装置100を用いて作製されるLVF(Linear Variable Filter)の一例を示す。図5には、LVF200の概念図が示されている。LVF200は、ガラス基板201を基材とし、その一方の面にBPF(バンドパスフィルタ)特性を有する光学薄膜202が成膜され、他方の面にSPF(ショートパスフィルタ)およびLPF(ロングパスフィルタ)として機能する光学薄膜203が成膜された構造を有している。
本実施形態では、マスクが基板を保持するキャリアに固定され、またマスクをキャリアから取り外すことが可能であるので、マスクの交換や調整が、マスクが装置側に取り付けられている場合に比較して容易に行える。
図10には、マスク110の高さ位置(基板107からの距離)を可変できる構造が示されている。この例では、キャリア108に第1のスペーサ131が着脱可能な状態で取り付けられている。スペーサ131には、1または複数のイモネジ(ホーローセット)133が回転自在な状態で取り付けられている。マスク110には、第2のスペーサ132が固定されている。マスク110と第2のスペーサ132には、イモネジ133が貫通する孔が形成されている。この孔の内周には、イモネジ133と噛み合う雌ネジ構造が形成されており、この雌ネジ構造がイモネジ133と噛み合っている。
図11には、複数の開口部を有するマスク140の例が示されている。マスク140は、複数の開口部141を有している。マスク140を用いた場合、図12に示すように基板107の開口部141に対応した位置で光学薄膜(図示省略)の膜厚が相対的に厚くなり、開口141がない部分で光学薄膜の膜厚が相対的に薄くなる。また、膜厚が厚い部分と薄い部分の間は、膜厚勾配が形成される。マスク140の高さ位置を変えると、膜厚勾配の状態が変化する。具体的には、マスク140を基板107に近づけると、膜厚勾配は大きくなり、膜厚が厚い部分と薄い部分の差が大きくなる。逆に、マスク140を基板107から遠ざけると、膜厚勾配は小さくなり、膜厚が厚い部分と薄い部分の差が小さくなる。
図13には、図1とは形式に異なるスパッタリング装置500が示されている。スパッタリング装置500は、内部を減圧状態にすることが可能な容器である筐体501を備えている。筐体501の内部には、円筒形状で回転が可能な基板保持部502が配置されている。基板保持部502は、その外周に複数のキャリア108を保持している。基板保持部502は、後述する電極112に対向する電極としても機能する。キャリア108は、図1の場合と同様に基板107が固定され、またスペーサ109とマスク110が固定されている。この点は、図1の場合と同じである。
Claims (5)
- 基板の一端側から他端側へ膜厚が単調増加する光学薄膜が成膜されたLVFの成膜装置であって、
前記基板を保持するキャリアと、
前記キャリアの一端側にのみ固定され、前記基板との間に前記光学薄膜を構成する粒子が侵入可能な空間を有した状態で前記基板の一部を覆うマスクと
を備え、
上記構成により前記一端側の光学薄膜の膜厚が小さく、前記他端側の光学薄膜の膜厚が大きく形成されるものであり、
位置調整構造により前記基板と前記マスクの距離が可変であり、前記位置調整構造により前記基板と前記マスクの間隔を調整することで、前記基板上の光学薄膜の傾斜勾配を制御しつつ成膜するものであることを特徴とする成膜装置。 - 前記位置調整構造は、回転により前記基板に対して前記マスクを移動させるネジ構造であることを特徴とする請求項1に記載の成膜装置。
- 前記マスクが前記キャリアに対して着脱可能であることを特徴とする請求項1または2に記載の成膜装置。
- 前記基板の前記マスクで覆われた部分に前記光学薄膜の成膜が行われることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載の成膜装置。
- 前記マスクと前記基板の間隔がスペーサによって確保されていることを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項に記載の成膜装置。
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