JP5783613B2 - マグネトロンコーティングモジュール及びマグネトロンコーティング方法 - Google Patents
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Description
a)第1コーティングソースと、
b)第1コーティングソースと基板を受ける領域との間に補助基板として配置された回転ターゲットと、
c)その中で回転ターゲットがマグネトロンのカソードを形成する、マグネトロンと、
d)第1コーティングソースと基板のコーティング領域との間のガス分離室。
・ 第1コーティングソース(2,3)と、
・ 第1コーティングソースと、コートされる基板1を受けるように備えられた領域との間に、補助基板5として配置された回転ターゲットと、
・ 補助基板5がそのカソードを形成し、また今回の実施態様の場合は炭素で形成される、マグネトロン(5,6)と、
・ 第1コーティング装置2,3と、基板のコーティング部分6との間のガス分離室4。
Claims (11)
- a)第1コーティングソース(2)と、
b)第1コーティングソース(2)と基板(1)を受ける領域との間に、補助基板として配置された回転ターゲット(5)と、
c)回転ターゲット(5)がカソードを形成するマグネトロン(5,6)と、
d)第1コーティングソース(2)と、基板のコーティング領域(6)との間のガス分離室(4)とを備え、
前記第1コーティングソース(2)で回転ターゲット(5)をスパッタリングする前に、回転ターゲット(5)の少なくとも表面が、スパッタリング中、反応ガスで気体状の複合物を形成する材料から成り、該複合物は蒸着される層の中に導入されず、
第1段階で、前記第1コーティングソース(2)を用いて前記回転ターゲット(5)のコーティングを行い、第2段階で、前記マグネトロン(5,6)を用いて、コーティングを前記回転ターゲット(5)から除去して前記基板(1)に蒸着し、
前記回転ターゲット(5)からコーティングを完全に除去することを、前記マグネトロン(5,6)の余剰出力によって行うことを特徴とするマグネトロンコーティングモジュール(100)。 - 回転ターゲット(5)の少なくとも表面が炭素を含むことを特徴とする、請求項1に記載されたマグネトロンコーティングモジュール(100)。
- 第1コーティングソース(2)が平面状マグネトロンであることを特徴とする、請求項1又は2のいずれかに記載されたマグネトロンコーティングモジュール(100)。
- 回転ターゲット(5)のコーティングを、コーティングソース(2)としての平面状マグネトロンを用いて、金属ターゲット、望ましくはSi,Ta,Ti,Zr,Hf,Al,Zn,Sn,Nb,V,W,Bi,Sb,Mo,Mg,Ca,Se,In,Ni,Cr,Mn,Te,Cd,及び/又はこの合金から成るグループから選択されたターゲットのスパッタリングによって行うことを特徴とする、請求項1に記載されたマグネトロンコーティングモジュールを実施する方法。
- 回転ターゲット(5)のコーティング工程が不活性雰囲気中で行われることを特徴とする、請求項4に記載された方法。
- 回転ターゲット(5)の除去工程が、不活性ガス若しくは反応性ガス雰囲気中で、又は反応性ガスと不活性ガスとを含む雰囲気中で行われることを特徴とする、請求項4又は5に記載された方法。
- 前記反応性ガス雰囲気が、O2,N2,H2S,N2O,NO2,CO2又はこの混合物から成るグループから選択されたガスを含むことを特徴とする、請求項4〜6のいずれかに記載された方法。
- 雰囲気の圧力が、第1段階においては0.2〜20Paであり、第2段階においては0.05〜5Paであることを特徴とする、請求項4〜7のいずれかに記載された方法。
- 回転ターゲット(5)の回転速度が、1〜100回転/分であることを特徴とする、請求項4〜8のいずれかに記載された方法。
- 回転ターゲット(5)が、0.1〜200nm*m/minの速度でコートされることを特徴とする、請求項4〜9のいずれかに記載された方法。
- スパッタリング時に、回転ターゲット(5)の表面の物質を反応性ガスでガス状の複合物に形成し、該複合物は蒸着層に導入されないことを特徴とする、請求項4〜10のいずれかに記載された方法。
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