JP6890201B1 - 接合材用合金インゴット - Google Patents
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Abstract
Description
例えば、特許文献1に開示されているSnAgCu系接合材(はんだ材料)では、約125℃程度に対応したパワー半導体に適用可能であるに過ぎず、次世代のパワー半導体に適用することができない。また特許文献3、特許文献4に開示されている低融点ろう材、ハンダ合金では、振動連続動作状態特性を持っていない。
先に、本明細書における用語法は、特に説明がない場合であっても、以下による。
(1)金属というときは、金属元素単体のみならず、複数の金属元素を含む合金、金属間化合物を含むことがある。
(2)ある単体の金属元素に言及する場合、完全に純粋に当該金属元素のみからなる物質だけを意味するものではなく、微かな他の物質を含む場合もあわせて意味する。すなわち、当該金属元素の性質にほとんど影響を与えない微量の不純物を含むものを除外する意味ではないことは勿論、たとえば、母相という場合、Snの結晶中の原子の一部が他の元素(たとえば、Cu)に置き換わっているものを除外する意味ではない。例えば、前記他の物質または他の元素は、対象となる物質中、0〜0.1質量%含まれる場合がある。
(3)エンドタキシャル接合とは、金属・合金となる物質中(本発明ではSnおよびSn−Cu合金を含む母相)に金属間化合物結晶が析出し、この析出の最中にSn−Cu合金と金属間化合物結晶とが結晶格子レベルで接合し、結晶粒を構成することを意味している。エンドタキシャルという用語は公知であり、例えばNature Chemisry 3(2): 160-6、2011年の160頁左欄最終パラグラフに記載がある。
また、金属間化合物結晶120は、単斜方晶及び六方晶の結晶構造を含有することが判明した。この金属間化合物結晶構造の確認は島津制XRD-6100観察装置とデーターベース:ICDD(International Centre for Diffraction Data)により行った。
例えば次のような条件が挙げられる。
高周波誘導加熱:9×10-2Pa程度まで減圧可能な性能を有する真空槽内に高周波溶解用るつぼを設置し、該るつぼに上記原材料を導入し、上記減圧度程度まで減圧したまま上記原材料に対し高周波誘導加熱を行い、加熱温度を600℃〜800℃にして上記原材料を溶解させ、その温度を5分〜15分保持する。
冷却固化:続いて、15〜50℃の窒素ガスを槽内に流しつつ、大気圧下で上記加熱温度を約400℃以上に設定し、鋳型鋳込みを行い、30℃以下で冷却固化させる。
前記金属間化合物結晶の組成および割合は、前記合金インゴットの製造条件に従うことにより満たすことができる。
本発明の合金インゴットから製造された接合材(例えばハンダ線)は、約160℃以下でも(たとえば、常温でも)高温相結晶を含有している。例えば、この接合材を接合工程で加熱する際に、当該接合材を完全には溶融させない半溶融状態とし、金属間化合物と母相とのエンドタキシャル接合を含む状態とすれば、冷却後の160℃以下の温度領域でも高温相結晶を含む状態を維持する。そして、かかる高温相結晶は、ある程度まで温度を下げても、正方晶の低温相結晶β−Snへの相転移を起こしにくく、正方晶のβ−Snに相転移しないままのSnについては、α−Snへの相転移が生じず、温度の低下によるα−Snへの相転移に伴う大きな体積変化が生じない。したがって、160℃以下の温度領域でも(たとえば、常温でも)高温相結晶を有するSnを含む接合材は、Snを組成に含む他の接合材(すなわち、160℃以下の温度領域でも高温結晶相を意図的には含ませていないもの)よりも、温度変化による体積変化が低減される。
また、電子部品には、Cu、Ag、Au、Niその他さまざまな金属が用いられるが、Snは、これらのさまざまな金属と良好に接合する。
したがって、本発明の合金インゴットから製造された接合材は、幅広い温度領域で(たとえば、常温でも)高温相結晶相を含有し、正方晶の低温相β−Snが生じることを出来る限り回避することによって、温度変化による正方晶のβ−Snから立方晶のα−Snへの相転移に伴う大きな体積変化を起こしにくいという性質を有し、かつ、電子部品に用いられるさまざまな金属とも良好に接合するため、とりわけ微細な接合箇所の接合材に有用である。
下記図1で示すような合金インゴットの断面を電子顕微鏡写真撮影し、Sn−Cu合金と金属間化合物結晶との接合面を任意に50か所サンプリングする。続いて、その接合面を画像解析し、下記実施例で示すようなエンドタキシャル接合が、サンプリングした接合面に対してどの程度存在するのかを調べる。
なお、本発明の合金インゴットを用いて形成された上記金属粒子は、金属粒子内の母相中のSn−Cu合金と金属間化合物結晶とのエンドタキシャル接合が維持されることを本発明者らは確認している。
また、上記ペーストは、金属粒子を有機ビヒクル中に混在させることにより得ることができる。
なお、シート状あるいはペースト状に加工された後の金属粒子においても、本発明の合金インゴットと同じ結晶構造を有することを本発明者らは確認している。
例えば、Snより導電性が高いCuやNi合金粒子と組み合わせると、導電性がよく、かつ、比較的幅広い温度領域で体積変化が抑制された接合層が得られる。
基板100,500は、半導体素子を備え、例えばパワーデバイスなどの電子・電気機器を構成する基板であり、金属/合金体101,501は、電極、バンプ、端子またはリード導体などとして、基板100,500に一体的に設けられている接続部材である。パワーデバイスなどの電子・電気機器では、金属/合金体101,501は、一般にはCuまたはその合金として構成される。もっとも、基板100,500に相当する部分が、金属/合金体で構成されたものを排除するものではない。
原材料として8質量%Cu、1質量%Ni、0.001質量%Ge、残部がSnからなる各金属の原材料を用い、下記条件の高周波誘導加熱および冷却固化を行い、本発明の合金インゴットを形成した。
高周波誘導加熱:9×10-2Pa程度まで減圧可能な性能を有する真空槽内に高周波溶解用るつぼを設置し、該るつぼに上記原材料を導入し、上記減圧度程度まで減圧したまま上記原材料に対し高周波誘導加熱を行い、加熱温度を650℃にして上記原材料を溶解させ、その温度を5分保持した。
冷却固化:続いて、15〜50℃の窒素ガスを槽内に10分間流しつつ、大気圧下で原材料の加熱温度を約400℃に設定し、鋳型鋳込みを行い、室温で冷却固化させた。
得られた本発明の合金インゴットは、厚さ2cm、長さ20cm、幅3cmの矩形であり、前記図1に示すような断面を有していた。
図2は、図1(b)における「No,1」箇所の金属間化合物に対し、EDSによる元素マッピング分析を行った結果である。この分析結果から、金属間化合物結晶の組成は、Cuが17〜33質量%、Niが1.8〜4.22質量%、Geが0.007質量%、残部がSnであることが判明した。
図3の透過型電子回折パターンは、エンドタキシャル接合部の状態を示すものであり、図3の透過型電子回折パターンから、淡色部で表される母相中のSn−Cu合金と、濃色部で表されるSn、Cu、NiおよびGeからなる金属間化合物とがエンドタキシャル接合していることが確認された。また、その結晶間にはバッファー層がないことも確認された。また、母相中のSn−Cu合金と金増感化合物との間で、格子定数(および結晶方位)が揃い、それぞれの結晶が、連続的に結晶格子レベルで接合していることが確認された。
前記特許文献3(特許第6369620号公報)の実施例の記載に基づき試験を行った。原材料として8質量%Cu、1質量%Ni、0.001質量%Ge、残部がSnからなる各金属の原材料を用い、溶融炉の設定温度を450℃として原材料を溶融した後、水を循環させた回転鋳型の溝に溶融物を鋳込んだ。冷却速度は概ね30℃/sであった。そして、回転鋳型に超音波発振器を付設し、溶融はんだを鋳込む際に60kHzの超音波を印加した。
得られた比較例1の合金インゴットは、厚さ2cm、長さ20cm、幅3cmの矩形である。
図4は、比較例1の合金インゴットを樹脂包埋して薄くカッティングした断面のSEM像である。図4(b)は、図4(a)の部分拡大図である。図4(a)を参照すると、比較例1の合金インゴットは、SnおよびSn−Cu合金を含む母相240中に、Sn、Cu、NiおよびGeを含む金属間化合物結晶220を有するが、図4(b)で示すように、母相と金属間化合物結晶との界面で破断が生じ、エンドタキシャル接合が確認できなかった。
前記特許文献4(国際公開WO2014/084242A1)に記載の方法に基づき試験を行った。原材料として8質量%Cu、1質量%Ni、0.001質量%Ge、残部がSnからなる各金属の原材料を用い、原材料を溶融した後、鋳型の溝に溶融物を鋳込み、室温で冷却した。
得られた比較例2の合金インゴットは、厚さ2cm、長さ20cm、幅3cmの矩形である。
図5は、比較例2の合金インゴットを樹脂包埋して薄くカッティングした断面のSEM像である。図5(b)は、図5(a)の部分拡大図である。図5(a)を参照すると、比較例2の合金インゴットは、SnおよびSn−Cu合金を含む母相340中に、Sn、Cu、NiおよびGeを含む金属間化合物結晶320を有するが、図5(b)で示すように、母相と金属間化合物結晶との界面で破断が生じ、エンドタキシャル接合が確認できなかった。
実施例1、比較例1、比較例2で作成した合金インゴットを用い、圧接加工することにより、厚さ100μm×15mm×15mmの薄片シートを作成した。
この薄片シートと、厚さ300μm×30mm×30mmの銅箔とを、ギ酸雰囲気中260℃で焼成貼り付けし、試験片を得た。この試験片の積層中心部を、190度折り曲げ、試験片表面の亀裂状態を光学顕微鏡により観察した。
その結果を図6に示す。
図6(a)の結果から、実施例1で作成した合金インゴットを用いて作成した試験片は、破断・亀裂なく接合を維持しており(符号701)、振動連続動作状態特性を維持できる柔軟性を有することが分かった。
また、図6(b)の結果から、比較例1で作成した合金インゴットを用いて作成した試験片は、190度折り曲げ材料表面に亀裂状態が確認され(符号702)、上記試験における折り曲げ引張力に対応できず、亀裂の発生を招き、振動連続動作状態特性を維持する柔軟性がないことが分かった。
また、図6(c)の結果から、比較例2で作成した合金インゴットを用いて作成した試験片は、190度折り曲げ材料表面に亀裂状態が確認され(符号703)、上記試験における折り曲げ引張力に対応できず、亀裂の発生を招き、振動連続動作状態特性を維持する柔軟性がないことが分かった。
140,240,340 母相
100,500 基板
101,501 合金/合金体
Claims (1)
- SnおよびSn−Cu合金を含む母相中に、Sn、Cu、NiおよびGeを含む金属間化合物結晶を有する、接合材用合金インゴットであって、
前記金属間化合物結晶の組成が、Cu5〜50質量%、Ni6.5〜0.1質量%、Ge0.001〜0.1質量%、残部がSnであり、
前記母相の組成がSn95〜99.9質量%、Cu5質量%以下および不可避不純物0.1質量%以下であり、
前記母相中のSn−Cu合金と前記金属間化合物結晶の少なくとも1部が、エンドタキシャル接合してなり、
前記接合材用合金インゴット中の前記金属間化合物結晶の割合が、20〜60質量%であり、
前記接合材用合金インゴットは、160℃以下の温度において、斜方晶の結晶構造を有するSnを含有する、
ことを特徴とする接合材用合金インゴット。
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