JP6888624B2 - 光洗浄処理装置 - Google Patents
光洗浄処理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6888624B2 JP6888624B2 JP2018525998A JP2018525998A JP6888624B2 JP 6888624 B2 JP6888624 B2 JP 6888624B2 JP 2018525998 A JP2018525998 A JP 2018525998A JP 2018525998 A JP2018525998 A JP 2018525998A JP 6888624 B2 JP6888624 B2 JP 6888624B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- template
- window member
- processing chamber
- ultraviolet rays
- housing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B7/00—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C33/00—Moulds or cores; Details thereof or accessories therefor
- B29C33/70—Maintenance
- B29C33/72—Cleaning
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B7/00—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass
- B08B7/0035—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass by radiant energy, e.g. UV, laser, light beam or the like
- B08B7/0057—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass by radiant energy, e.g. UV, laser, light beam or the like by ultraviolet radiation
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C59/00—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor
- B29C59/002—Component parts, details or accessories; Auxiliary operations
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C59/00—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor
- B29C59/02—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor by mechanical means, e.g. pressing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
Description
本発明は、ナノインプリントに用いられる石英ガラスよりなるテンプレートの表面を紫外線によって洗浄処理するための光洗浄処理装置に関する。
近年、半導体チップやバイオチップの製造においては、従来のフォトリソグラフィーおよびエッチングを利用したパターン形成方法に比較して低コストで製造することが可能な方法として、光ナノインプリント技術が注目されている。
この光ナノインプリント技術を利用したパターン形成方法においては、用いられる石英ガラスよりなるテンプレートの表面に、レジスト残渣などの異物が存在すると、得られるパターンに欠陥が生じるため、テンプレートの表面を洗浄処理することが必要である。
従来、テンプレートの表面を洗浄処理する手段として、テンプレートの表面に紫外線を照射することによって、当該テンプレートの表面に付着した異物を分解除去する光洗浄処理装置が提案されている（特許文献１参照。）。
この光ナノインプリント技術を利用したパターン形成方法においては、用いられる石英ガラスよりなるテンプレートの表面に、レジスト残渣などの異物が存在すると、得られるパターンに欠陥が生じるため、テンプレートの表面を洗浄処理することが必要である。
従来、テンプレートの表面を洗浄処理する手段として、テンプレートの表面に紫外線を照射することによって、当該テンプレートの表面に付着した異物を分解除去する光洗浄処理装置が提案されている（特許文献１参照。）。
しかしながら、上記の光洗浄処理装置においては、テンプレートの表面を十分に洗浄処理するために相当に長い時間を要し、その結果、半導体チップなどの製造において生産性が低下する、という問題がある。
そこで、本発明の目的は、石英ガラスよりなるテンプレートの表面の洗浄処理を短時間で実行することができる光洗浄処理装置を提供することにある。
本発明の光洗浄処理装置は、ナノインプリントに用いられる石英ガラスよりなるテンプレートの表面を紫外線によって洗浄処理する光洗浄処理装置であって、
処理対象であるテンプレートが配置され、処理用ガスが供給される処理室を形成する処理室形成材と、
前記処理室に配置された前記テンプレートに間隙を介して対向して設けられた、紫外線を透過する窓部材を有する筐体と、
前記筐体内に配置された、前記テンプレートに前記窓部材を介して紫外線を照射する紫外線光源と、
前記テンプレートを加熱する加熱手段と
を備えてなり、
前記処理室形成材は、前記窓部材に対向して設けられた赤外線透過窓部材を有し、
前記加熱手段は、ランプヒータであって、前記赤外線透過窓部材の内面に対向して配置され、
前記赤外線透過窓部材は、前記紫外線光源から放射された真空紫外線を透過しないものであることを特徴とする。
処理対象であるテンプレートが配置され、処理用ガスが供給される処理室を形成する処理室形成材と、
前記処理室に配置された前記テンプレートに間隙を介して対向して設けられた、紫外線を透過する窓部材を有する筐体と、
前記筐体内に配置された、前記テンプレートに前記窓部材を介して紫外線を照射する紫外線光源と、
前記テンプレートを加熱する加熱手段と
を備えてなり、
前記処理室形成材は、前記窓部材に対向して設けられた赤外線透過窓部材を有し、
前記加熱手段は、ランプヒータであって、前記赤外線透過窓部材の内面に対向して配置され、
前記赤外線透過窓部材は、前記紫外線光源から放射された真空紫外線を透過しないものであることを特徴とする。
また、本発明の光洗浄処理装置は、ナノインプリントに用いられる石英ガラスよりなるテンプレートの表面を紫外線によって洗浄処理する光洗浄処理装置であって、
処理対象であるテンプレートが配置され、処理用ガスが供給される処理室を形成する処理室形成材と、
前記処理室に配置された前記テンプレートに間隙を介して対向して設けられた、紫外線を透過する窓部材を有する筐体と、
前記筐体内に配置された、前記テンプレートに前記窓部材を介して紫外線を照射する紫外線光源と、
前記テンプレートを加熱する加熱手段と
を備えてなり、
前記加熱手段は、ランプヒータであって、前記処理室内に配置されており、
前記処理室形成材は、前記紫外線光源から放射された真空紫外線を透過しないものであり、
前記処理室内は大気雰囲気であることを特徴とする。
処理対象であるテンプレートが配置され、処理用ガスが供給される処理室を形成する処理室形成材と、
前記処理室に配置された前記テンプレートに間隙を介して対向して設けられた、紫外線を透過する窓部材を有する筐体と、
前記筐体内に配置された、前記テンプレートに前記窓部材を介して紫外線を照射する紫外線光源と、
前記テンプレートを加熱する加熱手段と
を備えてなり、
前記加熱手段は、ランプヒータであって、前記処理室内に配置されており、
前記処理室形成材は、前記紫外線光源から放射された真空紫外線を透過しないものであり、
前記処理室内は大気雰囲気であることを特徴とする。
また、本発明の光洗浄処理装置は、ナノインプリントに用いられる石英ガラスよりなるテンプレートの表面を紫外線によって洗浄処理する光洗浄処理装置であって、
処理対象であるテンプレートが配置され、処理用ガスが供給される処理室を形成する処理室形成材と、
前記処理室に配置された前記テンプレートに間隙を介して対向して設けられた、紫外線を透過する窓部材を有する筐体と、
前記筐体内に配置された、前記テンプレートに前記窓部材を介して紫外線を照射する紫外線光源と、
前記テンプレートを加熱する加熱手段と
を備えてなり、
前記加熱手段は、前記窓部材に設けられた、抵抗加熱により発熱する発熱体よりなり、
前記処理室形成材は、前記紫外線光源から放射された真空紫外線を透過しないものあり、
前記処理室内は大気雰囲気であることを特徴とする。
本発明の光洗浄処理装置においては、前記ランプヒータは、赤外線を照射するカーボンヒータまたはハロゲンヒータよりなることが好ましい。
処理対象であるテンプレートが配置され、処理用ガスが供給される処理室を形成する処理室形成材と、
前記処理室に配置された前記テンプレートに間隙を介して対向して設けられた、紫外線を透過する窓部材を有する筐体と、
前記筐体内に配置された、前記テンプレートに前記窓部材を介して紫外線を照射する紫外線光源と、
前記テンプレートを加熱する加熱手段と
を備えてなり、
前記加熱手段は、前記窓部材に設けられた、抵抗加熱により発熱する発熱体よりなり、
前記処理室形成材は、前記紫外線光源から放射された真空紫外線を透過しないものあり、
前記処理室内は大気雰囲気であることを特徴とする。
本発明の光洗浄処理装置においては、前記ランプヒータは、赤外線を照射するカーボンヒータまたはハロゲンヒータよりなることが好ましい。
本発明の光洗浄処理装置によれば、加熱手段によって、テンプレートを加熱することができるので、テンプレートの表面に付着したレジスト残渣などの異物がテンプレートを介して加熱される。このため、テンプレートの表面に付着した異物の分解反応が促進され、その結果、テンプレートの表面の洗浄処理を短時間で実行することができる。
以下、本発明の実施の形態について詳細に説明する。
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る光洗浄処理装置の構成を示す説明用断面図である。図１に示す光洗浄処理装置は、ナノインプリントに用いられるテンプレートの表面を光洗浄処理するためのものである。処理対象であるテンプレートは、例えば石英ガラスにより構成されている。
この光洗浄処理装置は、処理対象であるテンプレート１が配置される処理室１１を形成する直方体状の箱型の処理室形成材１０を有する。テンプレート１の光洗浄処理中においては、処理室１１内にオゾンが発生するため、処理室形成材１０を構成する材料としては、耐紫外線性を有すると共に耐オゾン性を有するものを用いることが好ましい。処理室形成材１０を構成する材料の具体例としては，ステンレス、硬質アルマイト処理されたアルミニウムなどが挙げられる。
処理室形成材１０の底壁部には開口１２が形成され、この開口１２を塞ぐよう光源ユニット２０が配置されている。また、処理室形成材１０における底壁部または上壁部の内面には、テンプレート１の四隅を保持する保持部材（図示省略）が固定されている。また、処理室形成材１０には、処理室１１に処理用ガスを供給するためのガス供給口（図示省略）および処理室１１内のガスを排出するガス排出口（図示省略）が形成されている。
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る光洗浄処理装置の構成を示す説明用断面図である。図１に示す光洗浄処理装置は、ナノインプリントに用いられるテンプレートの表面を光洗浄処理するためのものである。処理対象であるテンプレートは、例えば石英ガラスにより構成されている。
この光洗浄処理装置は、処理対象であるテンプレート１が配置される処理室１１を形成する直方体状の箱型の処理室形成材１０を有する。テンプレート１の光洗浄処理中においては、処理室１１内にオゾンが発生するため、処理室形成材１０を構成する材料としては、耐紫外線性を有すると共に耐オゾン性を有するものを用いることが好ましい。処理室形成材１０を構成する材料の具体例としては，ステンレス、硬質アルマイト処理されたアルミニウムなどが挙げられる。
処理室形成材１０の底壁部には開口１２が形成され、この開口１２を塞ぐよう光源ユニット２０が配置されている。また、処理室形成材１０における底壁部または上壁部の内面には、テンプレート１の四隅を保持する保持部材（図示省略）が固定されている。また、処理室形成材１０には、処理室１１に処理用ガスを供給するためのガス供給口（図示省略）および処理室１１内のガスを排出するガス排出口（図示省略）が形成されている。
光源ユニット２０は、直方体状の箱型の筐体２１を有する。筐体２１を構成する材料としては、耐紫外線性を有するものを用いることが好ましく、その具体例としては、硬質アルマイト処理されたアルミニウムなどが挙げられる。
筐体２１内には、紫外線光源としてエキシマランプ２５が配置されている。筐体２１の上面には、エキシマランプ２５からの紫外線を透過する窓部材２２が、枠状の固定板２３によって固定されて設けられている。窓部材２２を構成する材料としては、例えば合成石英ガラスを用いることができる。また、筐体２１には、当該筐体２１内に、例えば窒素ガスなどのパージ用ガスを供給するためのパージ用ガス供給管（図示省略）が設けられている。
そして、光源ユニット２０は、窓部材２２が処理室１１に配置されたテンプレート１に間隙を介して対向するよう配置されている。窓部材２２の外面とテンプレート１のパターン面との間の離間距離は、例えば０．３〜１０．０ｍｍである。
筐体２１内には、紫外線光源としてエキシマランプ２５が配置されている。筐体２１の上面には、エキシマランプ２５からの紫外線を透過する窓部材２２が、枠状の固定板２３によって固定されて設けられている。窓部材２２を構成する材料としては、例えば合成石英ガラスを用いることができる。また、筐体２１には、当該筐体２１内に、例えば窒素ガスなどのパージ用ガスを供給するためのパージ用ガス供給管（図示省略）が設けられている。
そして、光源ユニット２０は、窓部材２２が処理室１１に配置されたテンプレート１に間隙を介して対向するよう配置されている。窓部材２２の外面とテンプレート１のパターン面との間の離間距離は、例えば０．３〜１０．０ｍｍである。
エキシマランプ２５は、筐体２１内において、窓部材２２を介してテンプレート１に紫外線を照射することができるよう配置されている。
図２は、エキシマランプ２５の斜視図であり、図３は、図２に示すエキシマランプ２５の説明用断面図である。このエキシマランプ２５は、内部に放電空間Ｓが形成された全体が扁平な板状の放電容器２６を有する。この放電容器２６の両端には口金２９が設けられている。また、放電容器２６の放電空間Ｓ内には、エキシマ用ガスが気密に封入されている。放電容器２６の一面には、網状の高電圧側電極２７が配置され、当該放電容器２６の他面には、網状のアース側電極２８が配置されている。高電圧側電極２７およびアース側電極２８の各々は、高周波電源（図示省略）に電気的に接続されている。そして、エキシマランプ２５は、放電容器２６における高電圧側電極２７が配置された一面が、筐体２１における窓部材２２と対向するよう配置されている。
図２は、エキシマランプ２５の斜視図であり、図３は、図２に示すエキシマランプ２５の説明用断面図である。このエキシマランプ２５は、内部に放電空間Ｓが形成された全体が扁平な板状の放電容器２６を有する。この放電容器２６の両端には口金２９が設けられている。また、放電容器２６の放電空間Ｓ内には、エキシマ用ガスが気密に封入されている。放電容器２６の一面には、網状の高電圧側電極２７が配置され、当該放電容器２６の他面には、網状のアース側電極２８が配置されている。高電圧側電極２７およびアース側電極２８の各々は、高周波電源（図示省略）に電気的に接続されている。そして、エキシマランプ２５は、放電容器２６における高電圧側電極２７が配置された一面が、筐体２１における窓部材２２と対向するよう配置されている。
放電容器２６を構成する材料としては、真空紫外線を良好に透過するもの、具体的には、合成石英ガラスなどのシリカガラス、サファイアガラスなどを用いることができる。
高電圧側電極２７およびアース側電極２８を構成する材料としては、アルミニウム、ニッケル、金などの金属材料を用いることができる。また、高電圧側電極２７およびアース側電極２８は、上記の金属材料を含む導電性ペーストをスクリーン印刷することにより、或いは上記の金属材料を真空蒸着することにより、形成することもできる。
放電容器２６の放電空間Ｓ内に封入されるエキシマ用ガスとしては、真空紫外線を放射するエキシマを生成し得るもの、具体的には、キセノン、アルゴン、クリプトン等の希ガス、または、希ガスと、臭素、塩素、ヨウ素、フッ素等のハロゲンガスとを混合した混合ガスなどを用いることができ、これらの中では、キセノンが好適である。エキシマ用ガスの具体的な例を、放射される紫外線の波長と共に示すと、キセノンガスでは１７２ｎｍ、アルゴンとヨウ素との混合ガスでは１９１ｎｍ、アルゴンとフッ素との混合ガスでは１９３ｎｍである。
また、エキシマ用ガスの封入圧は、例えば１０〜１００ｋＰａである。
高電圧側電極２７およびアース側電極２８を構成する材料としては、アルミニウム、ニッケル、金などの金属材料を用いることができる。また、高電圧側電極２７およびアース側電極２８は、上記の金属材料を含む導電性ペーストをスクリーン印刷することにより、或いは上記の金属材料を真空蒸着することにより、形成することもできる。
放電容器２６の放電空間Ｓ内に封入されるエキシマ用ガスとしては、真空紫外線を放射するエキシマを生成し得るもの、具体的には、キセノン、アルゴン、クリプトン等の希ガス、または、希ガスと、臭素、塩素、ヨウ素、フッ素等のハロゲンガスとを混合した混合ガスなどを用いることができ、これらの中では、キセノンが好適である。エキシマ用ガスの具体的な例を、放射される紫外線の波長と共に示すと、キセノンガスでは１７２ｎｍ、アルゴンとヨウ素との混合ガスでは１９１ｎｍ、アルゴンとフッ素との混合ガスでは１９３ｎｍである。
また、エキシマ用ガスの封入圧は、例えば１０〜１００ｋＰａである。
第１の実施の形態に係る光洗浄処理装置において、処理室形成材１０の上壁部には、赤外線を透過する赤外線透過窓部材１３が設けられている。処理室形成材１０の外部には、テンプレート１を加熱する加熱手段として、赤外線透過窓部材１３を介してテンプレート１に赤外線を照射するランプヒータ３０が、当該赤外線透過窓部材１３に対向するよう配置されている。
赤外線透過窓部材１３を構成する材料としては、耐熱性を有し、かつ真空紫外線を透過しないものを用いることが好ましい。赤外線透過窓部材１３が真空紫外線を透過するものである場合には、エキシマランプ２５からの真空紫外線が赤外線透過窓部材１３を透過することにより、処理室形成材１０の外部にオゾンが発生するため、好ましくない。赤外線透過窓部材１３を構成する材料の具体例としては、パイレックス（登録商標）ガラス、テンパックスガラス（登録商標）等の耐熱ガラス、溶融石英ガラス、ゲルマニウム、シリコンなどが挙げられる。
なお、窓部材２２と赤外線透過窓部材１３との距離が十分に離れている場合には、真空紫外線が処理室１１内の大気雰囲気に吸収され、赤外線透過窓部材１３まで到達しないため、赤外線透過窓部材１３は真空紫外線を透過するものであってもよい。この場合には、赤外線透過窓部材１３を構成する材料の具体例としては、真空紫外線を透過する材料、例えばサファイア、フッ化カルシウム、フッ化バリウムなどを使用することができる。
ランプヒータ３０としては、例えば波長が０．８〜１０００μｍの赤外線を放射するものを用いることができる。ランプヒータ３０の具体例としては、ハロゲンヒータ、カーボンヒータなどが挙げられる。これらの中では、ハロゲンヒータが好ましい。
ハロゲンヒータとしては、反射鏡付シングルエンドタイプのもの、ダブルエンドタイプものなどを用いることができる。
また、ランプヒータ３０には、赤外線をテンプレート１に集光するための反射ミラーが設けられていてもよい。
赤外線透過窓部材１３を構成する材料としては、耐熱性を有し、かつ真空紫外線を透過しないものを用いることが好ましい。赤外線透過窓部材１３が真空紫外線を透過するものである場合には、エキシマランプ２５からの真空紫外線が赤外線透過窓部材１３を透過することにより、処理室形成材１０の外部にオゾンが発生するため、好ましくない。赤外線透過窓部材１３を構成する材料の具体例としては、パイレックス（登録商標）ガラス、テンパックスガラス（登録商標）等の耐熱ガラス、溶融石英ガラス、ゲルマニウム、シリコンなどが挙げられる。
なお、窓部材２２と赤外線透過窓部材１３との距離が十分に離れている場合には、真空紫外線が処理室１１内の大気雰囲気に吸収され、赤外線透過窓部材１３まで到達しないため、赤外線透過窓部材１３は真空紫外線を透過するものであってもよい。この場合には、赤外線透過窓部材１３を構成する材料の具体例としては、真空紫外線を透過する材料、例えばサファイア、フッ化カルシウム、フッ化バリウムなどを使用することができる。
ランプヒータ３０としては、例えば波長が０．８〜１０００μｍの赤外線を放射するものを用いることができる。ランプヒータ３０の具体例としては、ハロゲンヒータ、カーボンヒータなどが挙げられる。これらの中では、ハロゲンヒータが好ましい。
ハロゲンヒータとしては、反射鏡付シングルエンドタイプのもの、ダブルエンドタイプものなどを用いることができる。
また、ランプヒータ３０には、赤外線をテンプレート１に集光するための反射ミラーが設けられていてもよい。
ハロゲンヒータなどのランプヒータ３０から放射される赤外線のうち、どの波長域の赤外線をテンプレートに照射するかを赤外線透過窓部材１３の材質の種類によって選択することができる。
例えば近赤外線領域の赤外線をテンプレート１に照射する場合には、赤外線透過窓部材１３の材質の具体例としては、パイレックス（登録商標）ガラス、テンパックスガラス（登録商標）等の耐熱ガラス、溶融石英ガラスが挙げられる。
また、近赤外線領域から中赤外線領域の赤外線をテンプレート１に照射する場合には、赤外線透過窓部材１３の材質の具体例としては、サファイアが挙げられる。
また、近赤外線領域から遠赤外線領域の赤外線をテンプレート１に照射する場合には、赤外線透過窓部材１３の材質の具体例としては、ゲルマニウム、シリコン、フッ化カルシウム、フッ化バリウムが挙げられる。
また、テンプレート１自体を高温に加熱しても問題ない場合には、テンプレート１自体が加熱されると共に、テンプレート１の表面に付着したレジスト残渣などの異物も加熱されるため、より効率的となる。テンプレート１自体を加熱するか否かによって赤外線透過窓部材１３を遠赤外線を透過する部材にするか、遠赤外線を吸収する部材にするかを選択することが好ましい。
例えば近赤外線領域の赤外線をテンプレート１に照射する場合には、赤外線透過窓部材１３の材質の具体例としては、パイレックス（登録商標）ガラス、テンパックスガラス（登録商標）等の耐熱ガラス、溶融石英ガラスが挙げられる。
また、近赤外線領域から中赤外線領域の赤外線をテンプレート１に照射する場合には、赤外線透過窓部材１３の材質の具体例としては、サファイアが挙げられる。
また、近赤外線領域から遠赤外線領域の赤外線をテンプレート１に照射する場合には、赤外線透過窓部材１３の材質の具体例としては、ゲルマニウム、シリコン、フッ化カルシウム、フッ化バリウムが挙げられる。
また、テンプレート１自体を高温に加熱しても問題ない場合には、テンプレート１自体が加熱されると共に、テンプレート１の表面に付着したレジスト残渣などの異物も加熱されるため、より効率的となる。テンプレート１自体を加熱するか否かによって赤外線透過窓部材１３を遠赤外線を透過する部材にするか、遠赤外線を吸収する部材にするかを選択することが好ましい。
上記の光洗浄処理装置においては、先ず、処理対象であるテンプレート１が、処理室形成材１０内に設けられた保持部材（図示省略）に保持される。この状態で、ランプヒータ３０が点灯されると共に、処理室形成材１０に形成されたガス供給口（図示省略）から処理用ガスが処理室１１に供給される。その結果、ランプヒータ３０からの赤外線が、赤外線透過窓部材１３およびテンプレート１を介して、当該テンプレート１の表面に付着したレジスト残渣などの異物に照射されることにより、当該異物が加熱される。また、処理室１１は、処理用ガスに置換される。
ここで、赤外線透過窓部材１３の材質として遠赤外線を吸収する材料を選択した場合には、ランプヒータ３０から放射された赤外線のうち、波長が０．８〜２μｍの近赤外線は、赤外線透過窓部材１３およびテンプレート１の各々を透過し、テンプレート１の表面に付着した異物に照射されて吸収される結果、異物が加熱される。一方、波長が４〜１０００μｍの遠赤外線は、赤外線透過窓部材１３に吸収される。
また、赤外線透過窓部材１３の材質として遠赤外線を透過する材料を選択した場合には、遠赤外線は、テンプレート１およびテンプレート１の表面に付着した異物に照射されて吸収される結果、異物と共にテンプレート１自体を加熱することができる。
ここで、赤外線透過窓部材１３の材質として遠赤外線を吸収する材料を選択した場合には、ランプヒータ３０から放射された赤外線のうち、波長が０．８〜２μｍの近赤外線は、赤外線透過窓部材１３およびテンプレート１の各々を透過し、テンプレート１の表面に付着した異物に照射されて吸収される結果、異物が加熱される。一方、波長が４〜１０００μｍの遠赤外線は、赤外線透過窓部材１３に吸収される。
また、赤外線透過窓部材１３の材質として遠赤外線を透過する材料を選択した場合には、遠赤外線は、テンプレート１およびテンプレート１の表面に付着した異物に照射されて吸収される結果、異物と共にテンプレート１自体を加熱することができる。
そして、この状態で、光源ユニット２０において、エキシマランプ２５が点灯することにより、当該エキシマランプ２５からの紫外線が窓部材２２を介してテンプレート１の表面に照射され、テンプレート１の光洗浄処理が実行される。
その後、エキシマランプ２５およびランプヒータ３０が消灯され、この状態で、処理用ガスの供給が継続されることにより、テンプレート１が風冷されると共に、処理室１１内に生じたオゾンなどがガス排出口（図示省略）から排出される。
以上のようにして、テンプレート１の光洗浄処理が達成され、その後、テンプレート１が処理室１１から取り出される。
その後、エキシマランプ２５およびランプヒータ３０が消灯され、この状態で、処理用ガスの供給が継続されることにより、テンプレート１が風冷されると共に、処理室１１内に生じたオゾンなどがガス排出口（図示省略）から排出される。
以上のようにして、テンプレート１の光洗浄処理が達成され、その後、テンプレート１が処理室１１から取り出される。
以上において、処理用ガスとしては、クリーンドライエアーなどの酸素を含むガス、窒素ガス、またはクリーンドライエアーと窒素ガスとの混合ガスを用いることができる。
処理室１１に供給される処理用ガスの流量は、例えば０〜１００Ｌ／ｍｉｎである。
ランプヒータ３０を点灯してから光洗浄処理の開始（エキシマランプ２５の点灯）までの予熱時間は、例えば５〜６０秒間である。
光洗浄処理中において、テンプレート１の表面に付着した異物の温度は、例えば５０〜２００℃である。
また、光洗浄処理の処理時間、すなわち紫外線の照射時間は、例えば３〜６００秒間である。
処理室１１に供給される処理用ガスの流量は、例えば０〜１００Ｌ／ｍｉｎである。
ランプヒータ３０を点灯してから光洗浄処理の開始（エキシマランプ２５の点灯）までの予熱時間は、例えば５〜６０秒間である。
光洗浄処理中において、テンプレート１の表面に付着した異物の温度は、例えば５０〜２００℃である。
また、光洗浄処理の処理時間、すなわち紫外線の照射時間は、例えば３〜６００秒間である。
上記の光洗浄処理装置によれば、ランプヒータ３０によって、テンプレート１を加熱することができるので、テンプレート１の表面に付着したレジスト残渣などの異物がテンプレート１を介して加熱される。そのため、テンプレート１の表面に付着した異物の分解反応が促進され、その結果、テンプレート１の表面の洗浄処理を短時間で実行することができる。
図４は、本発明の第２の実施の形態に係る光洗浄処理装置の構成を示す説明用断面図である。図４に示す光洗浄処理装置は、ナノインプリントに用いられるテンプレートの表面を光洗浄処理するためのものである。
第２の実施の形態に係る光洗浄処理装置においては、ランプヒータ３０は、光源ユニット２０の筐体２１内におけるエキシマランプ２５の背後に配置されている。また、窓部材２２は、赤外線を透過する材料により構成されている。また、エキシマランプ２５における高電圧側電極２７およびアース側電極２８はそれぞれ網状であり（図２および図３参照）、そのため、放電容器２６における高電圧側電極２７およびアース側電極２８が形成されていない部分が、ランプヒータ３０からの赤外線を透過する赤外線透過部となる。
第２の実施の形態に係る光洗浄処理装置におけるその他の構成は、処理室形成材１１に赤外線透過窓部材が設けられていないことを除き、第１の実施の形態に係る光洗浄処理装置と同様である。
第２の実施の形態に係る光洗浄処理装置においては、ランプヒータ３０は、光源ユニット２０の筐体２１内におけるエキシマランプ２５の背後に配置されている。また、窓部材２２は、赤外線を透過する材料により構成されている。また、エキシマランプ２５における高電圧側電極２７およびアース側電極２８はそれぞれ網状であり（図２および図３参照）、そのため、放電容器２６における高電圧側電極２７およびアース側電極２８が形成されていない部分が、ランプヒータ３０からの赤外線を透過する赤外線透過部となる。
第２の実施の形態に係る光洗浄処理装置におけるその他の構成は、処理室形成材１１に赤外線透過窓部材が設けられていないことを除き、第１の実施の形態に係る光洗浄処理装置と同様である。
上記の光洗浄処理装置においては、テンプレート１が、処理室形成材１０内に設けられた保持部材（図示省略）に保持された状態で、ランプヒータ３０が点灯されると共に、処理室形成材１０に形成されたガス供給口（図示省略）から処理用ガスが処理室１１に供給される。その結果、ランプヒータ３０からの赤外線が、エキシマランプ２５の放電容器２６および窓部材２２を介して、当該テンプレート１の表面に付着したレジストレジスト残渣などの異物に照射されることにより、当該異物が加熱される。また、処理室１１は、処理用ガスに置換される。
ここで、ランプヒータ３０から放射された赤外線のうち、近赤外線は、エキシマランプ２５における赤外線透過部、すなわち放電容器２６における高電圧側電極２７およびアース側電極２８が形成されていない部分、並びに窓部材２２の各々を透過し、テンプレート１の表面に付着した異物に照射されて吸収される結果、異物が加熱される。一方、遠赤外線は、放電容器２６または窓部材２２に吸収される。
そして、第１の実施の形態に係る光洗浄処理装置と同様にして、テンプレート１の光洗浄処理が達成され、テンプレート１が処理室１１から取り出される。
以上において、ランプヒータ３０による予熱時間やその他の光洗浄処理条件については、第１の実施の形態に係る光洗浄処理装置と同様である。
ここで、ランプヒータ３０から放射された赤外線のうち、近赤外線は、エキシマランプ２５における赤外線透過部、すなわち放電容器２６における高電圧側電極２７およびアース側電極２８が形成されていない部分、並びに窓部材２２の各々を透過し、テンプレート１の表面に付着した異物に照射されて吸収される結果、異物が加熱される。一方、遠赤外線は、放電容器２６または窓部材２２に吸収される。
そして、第１の実施の形態に係る光洗浄処理装置と同様にして、テンプレート１の光洗浄処理が達成され、テンプレート１が処理室１１から取り出される。
以上において、ランプヒータ３０による予熱時間やその他の光洗浄処理条件については、第１の実施の形態に係る光洗浄処理装置と同様である。
上記の光洗浄処理装置によれば、ランプヒータ３０によって、テンプレート１を加熱することができるので、テンプレート１の表面に付着したレジスト残渣などの異物がテンプレート１を介して加熱される。そのため、テンプレート１の表面に付着した異物の分解反応が促進され、その結果、テンプレート１の表面の洗浄処理を短時間で実行することができる。
図５は、本発明の第３の実施の形態に係る光洗浄処理装置の構成を示す説明用断面図である。図５に示す光洗浄処理装置は、ナノインプリントに用いられるテンプレートの表面を光洗浄処理するためのものである。
第３の実施の形態に係る光洗浄処理装置においては、光源ユニット２０における窓部材２２の内面に、加熱手段として、抵抗加熱により発熱する帯状の膜よりなる発熱体３５が設けられている。このような発熱体３５は、窓部材２２に導電性ペーストを印刷し焼成することによって形成することができる。発熱体３５の発熱量は、例えば０．５〜１０ｋＷである。
第３の実施の形態に係る光洗浄処理装置におけるその他の構成は、ランプヒータ３０が設けられていないことを除き、第２の実施の形態に係る光洗浄処理装置と同様である。
第３の実施の形態に係る光洗浄処理装置においては、光源ユニット２０における窓部材２２の内面に、加熱手段として、抵抗加熱により発熱する帯状の膜よりなる発熱体３５が設けられている。このような発熱体３５は、窓部材２２に導電性ペーストを印刷し焼成することによって形成することができる。発熱体３５の発熱量は、例えば０．５〜１０ｋＷである。
第３の実施の形態に係る光洗浄処理装置におけるその他の構成は、ランプヒータ３０が設けられていないことを除き、第２の実施の形態に係る光洗浄処理装置と同様である。
上記の光洗浄処理装置においては、テンプレート１が、処理室形成材１０内に設けられた保持部材（図示省略）に保持された状態で、発熱体３５が通電されると共に、処理室形成材１０に形成されたガス供給口（図示省略）から処理用ガスが処理室１１に供給される。その結果、発熱体３５が抵抗加熱により発熱し、その輻射熱によって、テンプレート１の表面に付着したレジスト残渣などの異物が加熱される。また、処理室１１は、処理用ガスに置換される。
そして、第１の実施の形態に係る光洗浄処理装置と同様にして、テンプレート１の光洗浄処理が達成され、テンプレート１が処理室１１から取り出される。
以上において、発熱体３５に通電してから光洗浄処理の開始（エキシマランプ２５の点灯）までの予熱時間は、例えば５〜６０秒間である。その他の光洗浄処理条件については、第１の実施の形態に係る光洗浄処理装置と同様である。
そして、第１の実施の形態に係る光洗浄処理装置と同様にして、テンプレート１の光洗浄処理が達成され、テンプレート１が処理室１１から取り出される。
以上において、発熱体３５に通電してから光洗浄処理の開始（エキシマランプ２５の点灯）までの予熱時間は、例えば５〜６０秒間である。その他の光洗浄処理条件については、第１の実施の形態に係る光洗浄処理装置と同様である。
上記の光洗浄処理装置によれば、発熱体３５によって、テンプレート１を加熱することができるので、テンプレート１の表面に付着したレジスト残渣などの異物がテンプレート１を介して加熱される。そのため、テンプレート１の表面に付着した異物の分解反応が促進され、その結果、テンプレート１の表面の洗浄処理を短時間で実行することができる。
図６は、本発明の第４の実施の形態に係る光洗浄処理装置の構成を示す説明用断面図である。図６に示す光洗浄処理装置は、ナノインプリントに用いられるテンプレートの表面を光洗浄処理するためのものである。
第４の実施の形態に係る光洗浄処理装置においては、処理室１１内に、テンプレート１を加熱する加熱手段として、テンプレート１に赤外線を照射するランプヒータ３０が、テンプレート１の裏面に対向するよう配置されている。
第４の実施の形態に係る光洗浄処理装置におけるその他の構成は、筐体２１内におけるエキシマランプ２５の背後にランプヒータ３０が設けられていないことを除き、第２の実施の形態に係る光洗浄処理装置と同様である。
第４の実施の形態に係る光洗浄処理装置においては、処理室１１内に、テンプレート１を加熱する加熱手段として、テンプレート１に赤外線を照射するランプヒータ３０が、テンプレート１の裏面に対向するよう配置されている。
第４の実施の形態に係る光洗浄処理装置におけるその他の構成は、筐体２１内におけるエキシマランプ２５の背後にランプヒータ３０が設けられていないことを除き、第２の実施の形態に係る光洗浄処理装置と同様である。
ランプヒータ３０としては、カーボンヒータを用いることが好ましい。
カーボンヒータは、不活性ガスが封入された石英管内に炭素繊維よりなる発熱体が配置されてなるものである。カーボンヒータから放射される赤外線は、例えば波長が２．０〜４．０μｍの中赤外線の領域にピークを有するものである。この中赤外線は、テンプレート１を構成する石英ガラスに吸収されるので、テンプレート１を効率よく加熱することができる。
カーボンヒータは、不活性ガスが封入された石英管内に炭素繊維よりなる発熱体が配置されてなるものである。カーボンヒータから放射される赤外線は、例えば波長が２．０〜４．０μｍの中赤外線の領域にピークを有するものである。この中赤外線は、テンプレート１を構成する石英ガラスに吸収されるので、テンプレート１を効率よく加熱することができる。
上記の光洗浄処理装置においては、テンプレート１が、処理室形成材１０内に設けられた保持部材（図示省略）に保持された状態で、ランプヒータ３０が点灯されると共に、処理室形成材１０に形成されたガス供給口（図示省略）から処理用ガスが処理室１１に供給される。その結果、ランプヒータ３０からの赤外線が、テンプレート１の表面に付着したレジスト残渣などの異物に照射されることにより、当該異物が加熱される。また、処理室１１は、処理用ガスに置換される。
ここで、ランプヒータ３０から放射された赤外線のうち、近赤外線は、テンプレート１を透過し、テンプレート１の表面に付着した異物に照射されて吸収される結果、異物が加熱される。一方、中赤外線および遠赤外線は、テンプレート１に吸収される結果、テンプレート１が加熱され、異物に伝熱される。
そして、第１の実施の形態に係る光洗浄処理装置と同様にして、テンプレート１の光洗浄処理が達成され、テンプレート１が処理室１１から取り出される。
以上において、ランプヒータ３０による予熱時間やその他の光洗浄処理条件については、第１の実施の形態に係る光洗浄処理装置と同様である。
ここで、ランプヒータ３０から放射された赤外線のうち、近赤外線は、テンプレート１を透過し、テンプレート１の表面に付着した異物に照射されて吸収される結果、異物が加熱される。一方、中赤外線および遠赤外線は、テンプレート１に吸収される結果、テンプレート１が加熱され、異物に伝熱される。
そして、第１の実施の形態に係る光洗浄処理装置と同様にして、テンプレート１の光洗浄処理が達成され、テンプレート１が処理室１１から取り出される。
以上において、ランプヒータ３０による予熱時間やその他の光洗浄処理条件については、第１の実施の形態に係る光洗浄処理装置と同様である。
上記の光洗浄処理装置によれば、ランプヒータ３０によって、テンプレート１を加熱することができるので、テンプレート１の表面に付着したレジスト残渣などの異物がテンプレート１を介して加熱される。そのため、テンプレート１の表面に付着した異物の分解反応が促進され、その結果、テンプレート１の表面の洗浄処理を短時間で実行することができる。
以上、本発明の実施の形態を説明したが、本発明は上記の実施の形態に限定されず、種々の変更を加えることが可能である。
（１）加熱手段としては、ランプヒータ３０や発熱体３５の代わりに、処理室に供給される処理用ガスを加熱するものを用いることができる。
このような加熱手段を有する光洗浄処理装置においては、処理室形成材１０内に設けられた保持部材（図示省略）に保持された状態で、ランプヒータ３０が点灯されると共に、処理室形成材１０に形成されたガス供給口（図示省略）から、加熱された処理用ガスが処理室１１に供給されることにより、処理室１１が、加熱された処理用ガスに置換される。
そして、第１の実施の形態に係る光洗浄処理装置と同様にして、テンプレート１の光洗浄処理が達成され、テンプレート１が処理室１１から取り出される。
以上において、加熱された処理用ガスの温度は、例えば５０〜２００℃である。
このような加熱手段を有する光洗浄処理装置においては、処理室形成材１０内に設けられた保持部材（図示省略）に保持された状態で、ランプヒータ３０が点灯されると共に、処理室形成材１０に形成されたガス供給口（図示省略）から、加熱された処理用ガスが処理室１１に供給されることにより、処理室１１が、加熱された処理用ガスに置換される。
そして、第１の実施の形態に係る光洗浄処理装置と同様にして、テンプレート１の光洗浄処理が達成され、テンプレート１が処理室１１から取り出される。
以上において、加熱された処理用ガスの温度は、例えば５０〜２００℃である。
上記の光洗浄処理装置によれば、加熱手段によって処理用ガスが加熱されるので、その処理用ガスによってテンプレート１の表面に付着したレジスト残渣などの異物が加熱されて当該異物の分解反応が促進され、その結果、テンプレート１の表面の洗浄処理を短時間で実行することができる。
（２）第３の実施の形態に係る光洗浄処理装置においては、発熱体３５は、窓部材２２の外面（テンプレート１に対向する面）に設けられていてもよい。但し、このような構成においては、発熱体２２は処理室１１に露出することとなり、処理室１１内に、発熱体３５を構成する材料に起因する塵埃が混入する虞があるため、発熱体３５は、窓部材２２の内面に設けられていることが好ましい。
〈実施例１〉
図６に示す構成に従って紫外線処理装置を作製した。この紫外線処理装置の仕様は以下の通りである。これを紫外線処理装置〔１〕とする。
・ヒータランプ：カーボンヒータ
・カーボンヒータの電力：３ｋＷ
・カーボンヒータの大きさ：１００ｍｍ×２００ｍｍ
・カーボンヒータの直径：５ｍｍ
・カーボンヒータ下面からテンプレート上面までの距離：５０ｍｍ
図６に示す構成に従って紫外線処理装置を作製した。この紫外線処理装置の仕様は以下の通りである。これを紫外線処理装置〔１〕とする。
・ヒータランプ：カーボンヒータ
・カーボンヒータの電力：３ｋＷ
・カーボンヒータの大きさ：１００ｍｍ×２００ｍｍ
・カーボンヒータの直径：５ｍｍ
・カーボンヒータ下面からテンプレート上面までの距離：５０ｍｍ
上記の紫外線処理装置〔１〕を用いて、下記の光洗浄処理条件（処理ガスの供給条件および紫外線の照射条件および加熱条件）により、特定の厚みでレジストが塗布された被処理物（テンプレート）の光洗浄処理を行った。
・処理ガス種：ＣＤＡ
・処理ガスの供給量：１Ｌ／ｍｉｎ
・処理ガスのパージ時間：６０秒間
・窓部材における紫外線照度：７０ｍＷ／ｃｍ2
・紫外線の照射時間：３５秒間
・カーボンヒータによる加熱時間：５０秒間
・テンプレートに塗布されたレジストの温度：１００℃
その結果、レジストを除去する速度は２ｎｍ／ｓであった。
なお、カーボンヒータによる加熱時間５０秒間は、処理ガスのパージ時間６０秒間に含まれるため、カーボンヒータによる加熱時間がテンプレートの洗浄処理においてスループットに追加されることはない。
・処理ガス種：ＣＤＡ
・処理ガスの供給量：１Ｌ／ｍｉｎ
・処理ガスのパージ時間：６０秒間
・窓部材における紫外線照度：７０ｍＷ／ｃｍ2
・紫外線の照射時間：３５秒間
・カーボンヒータによる加熱時間：５０秒間
・テンプレートに塗布されたレジストの温度：１００℃
その結果、レジストを除去する速度は２ｎｍ／ｓであった。
なお、カーボンヒータによる加熱時間５０秒間は、処理ガスのパージ時間６０秒間に含まれるため、カーボンヒータによる加熱時間がテンプレートの洗浄処理においてスループットに追加されることはない。
〈実施例２〉
図１に示す構成に従って紫外線処理装置を作製した。この紫外線処理装置の仕様は以下の通りである。これを紫外線処理装置〔２〕とする。
・赤外線透過窓部材：テンパックスガラス（登録商標）
・赤外線透過窓部材の大きさ：φ５０ｍｍ
・赤外線透過窓部材の厚み：２ｍｍ
・赤外線透過窓部材下面から窓部材上面までの距離：８０ｍｍ
・ランプヒータ：ハロゲンヒータ
・ハロゲンヒータの電力：５００Ｗ
図１に示す構成に従って紫外線処理装置を作製した。この紫外線処理装置の仕様は以下の通りである。これを紫外線処理装置〔２〕とする。
・赤外線透過窓部材：テンパックスガラス（登録商標）
・赤外線透過窓部材の大きさ：φ５０ｍｍ
・赤外線透過窓部材の厚み：２ｍｍ
・赤外線透過窓部材下面から窓部材上面までの距離：８０ｍｍ
・ランプヒータ：ハロゲンヒータ
・ハロゲンヒータの電力：５００Ｗ
上記の紫外線処理装置〔２〕を用いて、下記の光洗浄処理条件（処理ガスの供給条件および紫外線の照射条件および加熱条件）により、特定の厚みでレジストが塗布された被処理物（テンプレート）の光洗浄処理を行った。
・処理ガス種：ＣＤＡ
・処理ガスの供給量：１Ｌ／ｍｉｎ
・処理ガスのパージ時間：６０秒間
・窓部材における紫外線照度：７０ｍＷ／ｃｍ2
・紫外線の照射時間：３５秒間
・ハロゲンヒータによる加熱時間：６００秒間
・テンプレートに塗布されたレジストの温度：１００℃
その結果、レジストを除去する速度は２ｎｍ／ｓであった。
なお、本実施例の条件の電力では、ハロゲンヒータによる加熱時間が６００秒程度かかるが、レジストを除去する速度は、実施例１の紫外線処理装置と同等であった。
・処理ガス種：ＣＤＡ
・処理ガスの供給量：１Ｌ／ｍｉｎ
・処理ガスのパージ時間：６０秒間
・窓部材における紫外線照度：７０ｍＷ／ｃｍ2
・紫外線の照射時間：３５秒間
・ハロゲンヒータによる加熱時間：６００秒間
・テンプレートに塗布されたレジストの温度：１００℃
その結果、レジストを除去する速度は２ｎｍ／ｓであった。
なお、本実施例の条件の電力では、ハロゲンヒータによる加熱時間が６００秒程度かかるが、レジストを除去する速度は、実施例１の紫外線処理装置と同等であった。
〈比較例〉
赤外線透過窓部材およびハロゲンヒータを設けなかったこと以外は、紫外線処理装置〔２〕と同様の仕様の紫外線処理装置〔３〕を作製した。
赤外線透過窓部材およびハロゲンヒータを設けなかったこと以外は、紫外線処理装置〔２〕と同様の仕様の紫外線処理装置〔３〕を作製した。
上記の紫外線処理装置〔３〕を用いて、下記の光洗浄処理条件（処理ガスの供給条件および紫外線の照射条件および加熱条件）により、実施例と同様の特定の厚みでレジストが塗布された被処理物（テンプレート）の光洗浄処理を行った。
・処理ガス種：ＣＤＡ
・処理ガスの供給量：１Ｌ／ｍｉｎ
・処理ガスのパージ時間：６０秒間
・窓部材における紫外線照度：７０ｍＷ／ｃｍ2
・紫外線の照射時間：１００秒間
その結果、レジストを除去する速度は０．７ｎｍ／ｓであった。
・処理ガス種：ＣＤＡ
・処理ガスの供給量：１Ｌ／ｍｉｎ
・処理ガスのパージ時間：６０秒間
・窓部材における紫外線照度：７０ｍＷ／ｃｍ2
・紫外線の照射時間：１００秒間
その結果、レジストを除去する速度は０．７ｎｍ／ｓであった。
上記の結果から、実施例１に係る紫外線処理装置〔１〕および実施例２に係る紫外線処理装置〔２〕によれば、カーボンヒータまたはハロゲンヒータよりなる加熱手段が設けられているため、レジストを除去する速度を大幅に上げることができ、従って、テンプレートの洗浄処理時間を短縮することができることが確認された。
１ テンプレート
１０ 処理室形成材
１１ 処理室
１２ 開口
１３ 赤外線透過窓部材
２０ 光源ユニット
２１ 筐体
２２ 窓部材
２３ 固定板
２５ エキシマランプ
２６ 放電容器
２７ 高電圧側電極
２８ アース側電極
２９ 口金
３０ ランプヒータ
３５ 発熱体
Ｓ 放電空間
１０ 処理室形成材
１１ 処理室
１２ 開口
１３ 赤外線透過窓部材
２０ 光源ユニット
２１ 筐体
２２ 窓部材
２３ 固定板
２５ エキシマランプ
２６ 放電容器
２７ 高電圧側電極
２８ アース側電極
２９ 口金
３０ ランプヒータ
３５ 発熱体
Ｓ 放電空間
Claims (5)
- ナノインプリントに用いられる石英ガラスよりなるテンプレートの表面を紫外線によって洗浄処理する光洗浄処理装置であって、
処理対象であるテンプレートが配置され、処理用ガスが供給される処理室を形成する処理室形成材と、
前記処理室に配置された前記テンプレートに間隙を介して対向して設けられた、紫外線を透過する窓部材を有する筐体と、
前記筐体内に配置された、前記テンプレートに前記窓部材を介して紫外線を照射する紫外線光源と、
前記テンプレートを加熱する加熱手段と
を備えてなり、
前記処理室形成材は、前記窓部材に対向して設けられた赤外線透過窓部材を有し、
前記加熱手段は、ランプヒータであって、前記赤外線透過窓部材の外面に対向して配置され、
前記赤外線透過窓部材は、前記紫外線光源から放射された真空紫外線を透過しないものであることを特徴とする光洗浄処理装置。 - ナノインプリントに用いられる石英ガラスよりなるテンプレートの表面を紫外線によって洗浄処理する光洗浄処理装置であって、
処理対象であるテンプレートが配置され、処理用ガスが供給される処理室を形成する処理室形成材と、
前記処理室に配置された前記テンプレートに間隙を介して対向して設けられた、紫外線を透過する窓部材を有する筐体と、
前記筐体内に配置された、前記テンプレートに前記窓部材を介して紫外線を照射する紫外線光源と、
前記テンプレートを加熱する加熱手段と
を備えてなり、
前記加熱手段は、ランプヒータであって、前記処理室内に配置されており、
前記処理室形成材は、前記紫外線光源から放射された真空紫外線を透過しないものであり、
前記処理室内は大気雰囲気であることを特徴とする光洗浄処理装置。 - ナノインプリントに用いられる石英ガラスよりなるテンプレートの表面を紫外線によって洗浄処理する光洗浄処理装置であって、
処理対象であるテンプレートが配置され、処理用ガスが供給される処理室を形成する処理室形成材と、
前記処理室に配置された前記テンプレートに間隙を介して対向して設けられた、紫外線を透過する窓部材を有する筐体と、
前記筐体内に配置された、前記テンプレートに前記窓部材を介して紫外線を照射する紫外線光源と、
前記テンプレートを加熱する加熱手段と
を備えてなり、
前記加熱手段は、前記窓部材に設けられた、抵抗加熱により発熱する発熱体よりなり、
前記処理室形成材は、前記紫外線光源から放射された真空紫外線を透過しないものであり、
前記処理室内は大気雰囲気であることを特徴とする光洗浄処理装置。 - 前記ヒータランプは、赤外線を照射するカーボンヒータまたはハロゲンヒータであることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の光洗浄処理装置。
- 前記処理室内は大気雰囲気であることを特徴とする請求項１に記載の光洗浄処理装置。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2016135648 | 2016-07-08 | ||
| JP2016135648 | 2016-07-08 | ||
| PCT/JP2017/022318 WO2018008365A1 (ja) | 2016-07-08 | 2017-06-16 | 光洗浄処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPWO2018008365A1 JPWO2018008365A1 (ja) | 2019-04-25 |
| JP6888624B2 true JP6888624B2 (ja) | 2021-06-16 |
Family
ID=60912708
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2018525998A Active JP6888624B2 (ja) | 2016-07-08 | 2017-06-16 | 光洗浄処理装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP6888624B2 (ja) |
| KR (1) | KR102162392B1 (ja) |
| CN (1) | CN109414849B (ja) |
| TW (1) | TWI712480B (ja) |
| WO (1) | WO2018008365A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6949191B1 (ja) * | 2020-12-18 | 2021-10-13 | ホッティーポリマー株式会社 | ３ｄプリンタ |
Family Cites Families (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2577585B2 (ja) * | 1987-11-27 | 1997-02-05 | 東芝セラミックス株式会社 | 石英ガラス管の製造方法 |
| JPH07321046A (ja) * | 1994-05-23 | 1995-12-08 | Hitachi Ltd | 薄膜形成装置及び薄膜形成方法 |
| JP2001155160A (ja) | 1999-11-30 | 2001-06-08 | Komatsu Ltd | 電子部品の外観検査装置 |
| JP4747398B2 (ja) * | 2000-07-27 | 2011-08-17 | 株式会社Ｇｓユアサ | 紫外線処理装置 |
| JP2004202926A (ja) * | 2002-12-26 | 2004-07-22 | Towa Corp | 樹脂成形における構成要素のクリーニング方法及び装置 |
| US20100072671A1 (en) * | 2008-09-25 | 2010-03-25 | Molecular Imprints, Inc. | Nano-imprint lithography template fabrication and treatment |
| CN101780699B (zh) * | 2009-01-20 | 2014-01-08 | 晟铭电子科技股份有限公司 | 微结构成形装置及采用成形装置进行微结构成形的方法 |
| JP5471514B2 (ja) | 2010-01-28 | 2014-04-16 | ウシオ電機株式会社 | 光処理装置 |
| JP2011245384A (ja) * | 2010-05-25 | 2011-12-08 | Ushio Inc | 光照射装置 |
| JP5906037B2 (ja) * | 2010-09-09 | 2016-04-20 | キヤノン株式会社 | 光学部品の製造方法 |
| JP5235977B2 (ja) * | 2010-12-16 | 2013-07-10 | 富士フイルム株式会社 | 画像形成装置及び画像形成方法 |
| JP2012256724A (ja) * | 2011-06-09 | 2012-12-27 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 |
| JP5776631B2 (ja) * | 2012-06-04 | 2015-09-09 | ウシオ電機株式会社 | テンプレート洗浄方法、パターン形成方法、光洗浄装置およびナノインプリント装置 |
| JP5987522B2 (ja) | 2012-07-23 | 2016-09-07 | ウシオ電機株式会社 | テンプレート洗浄用光照射装置、ナノインプリント装置、テンプレート洗浄方法およびパターン形成方法 |
| JP6111783B2 (ja) * | 2013-03-27 | 2017-04-12 | 大日本印刷株式会社 | インプリント方法およびインプリント装置 |
| CN104308452A (zh) * | 2014-08-21 | 2015-01-28 | 清华大学 | 一种非晶合金微纳结构压印成型模具及其制备与应用方法 |
| JP6550964B2 (ja) * | 2015-06-26 | 2019-07-31 | ウシオ電機株式会社 | 光処理装置およびその製造方法 |
-
2017
- 2017-06-16 CN CN201780041541.0A patent/CN109414849B/zh active Active
- 2017-06-16 JP JP2018525998A patent/JP6888624B2/ja active Active
- 2017-06-16 KR KR1020187036577A patent/KR102162392B1/ko active IP Right Grant
- 2017-06-16 WO PCT/JP2017/022318 patent/WO2018008365A1/ja active Application Filing
- 2017-06-27 TW TW106121464A patent/TWI712480B/zh active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN109414849B (zh) | 2022-05-10 |
| TW201811530A (zh) | 2018-04-01 |
| JPWO2018008365A1 (ja) | 2019-04-25 |
| CN109414849A (zh) | 2019-03-01 |
| KR20190009339A (ko) | 2019-01-28 |
| TWI712480B (zh) | 2020-12-11 |
| KR102162392B1 (ko) | 2020-10-06 |
| WO2018008365A1 (ja) | 2018-01-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101689987B1 (ko) | 광조사 장치 | |
| JP5471514B2 (ja) | 光処理装置 | |
| JP6888624B2 (ja) | 光洗浄処理装置 | |
| WO2015083435A1 (ja) | アッシング方法およびアッシング装置 | |
| JP3653980B2 (ja) | 紫外線照射装置 | |
| JPS6187338A (ja) | 多重ビ−ム照射Ｓｉ表面ドライ洗浄法 | |
| JP4479466B2 (ja) | エキシマ光照射装置 | |
| JPS6235811B2 (ja) | ||
| JP2001079387A (ja) | 紫外光照射装置及び方法 | |
| JPH06312130A (ja) | 誘電体バリヤ放電ランプを使用した洗浄方法 | |
| JP2005317555A (ja) | エキシマランプ及びエキシマ照射装置 | |
| TW574722B (en) | Optical irradiation device | |
| JPH06343938A (ja) | 付着物の洗浄方法及びその装置 | |
| JPH06210287A (ja) | 誘電体バリヤ放電ランプを使用した処理方法 | |
| WO2019225303A1 (ja) | 光透過性材料およびランプ並びにガス処理装置およびガス処理方法 | |
| JPH09120950A (ja) | 紫外線洗浄装置 | |
| JP7056386B2 (ja) | ガス処理装置およびガス処理方法 | |
| JP2010118370A (ja) | エキシマ照射装置 | |
| JP3526691B2 (ja) | 紫外線照射装置および紫外線処理装置 | |
| JPH06231735A (ja) | 誘電体バリヤ放電ランプを使用した灰化装置 | |
| JP6102842B2 (ja) | デスミア処理方法およびデスミア処理装置 | |
| EP1158574B1 (en) | Ultraviolet radiation producing apparatus | |
| JP2006004701A (ja) | エキシマランプ | |
| US6787787B1 (en) | Ultraviolet radiation producing apparatus | |
| JP2016189394A (ja) | デスミア用エキシマ光照射装置およびデスミア処理方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20191213 |
|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20200709 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20201124 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210121 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20210216 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210408 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20210420 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20210503 |
|
| R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 6888624 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |