JP6853879B2 - ウェーハベースの光源パラメータ制御 - Google Patents

ウェーハベースの光源パラメータ制御 Download PDF

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Description

関連出願の相互参照
この出願は、2016年10月17日に出願された米国特許出願第15/295,280号に関し、同特許は、その全体が参照により本明細書に組み込まれる。
開示される対象物は、ウェーハに向けて誘導されるパルス光ビームのスペクトル特徴を調整することによって、ウェーハをスキャンしている間にリソグラフィ性能パラメータの変化を補償するための装置に関する。
半導体リソグラフィ(又はフォトリソグラフィ)では、集積回路(IC)の製作には、半導体(例えば、シリコン)基板(ウェーハとも呼ばれる)上で実行される様々な物理的及び化学的プロセスが必要とされる。フォトリソグラフィ露光装置又はスキャナは、基板のターゲット部分に所望のパターンを焼き付ける機械である。ウェーハは、ウェーハが一般にスキャナの直交するX及びY方向によって定義された平面に沿って延在するように、ステージに固定される。ウェーハは、光ビームによる照射を受け、光ビームは、深紫外線(DUV)範囲の波長を有する。光ビームは、軸方向に沿って移動し、軸方向は、スキャナのZ方向に相当する。スキャナのZ方向は、X−Y横平面に直交する。光ビームは、ビームデリバリユニットを通過し、レチクル(又はマスク)を通じてフィルタリングされ、次いで、準備されたウェーハに投影される。このように、チップ設計がフォトレジスト上にパターン形成され、次いで、フォトレジストがエッチング及び洗浄され、次いで、プロセスが繰り返される。
いくつかの一般的な態様では、フォトリソグラフィ装置は、パルス光ビームを生成するように構成された光源と、パルス光ビームと光学的に相互作用するスペクトル特徴選択システムと、リソグラフィ装置に位置付けられた基板にわたってパルス光ビームをスキャンするように構成されたスキャン光学システムと、基板の各サブエリアにおいて少なくとも1つのリソグラフィ性能パラメータを決定するように構成された計測装置であって、サブエリアが、基板の全エリアの一部分である、計測装置と、スペクトル特徴選択システム、光源及び計測装置に接続された制御システムとを含む。制御システムは、各基板サブエリアにおいて、決定されたリソグラフィ性能パラメータを受信し、決定されたリソグラフィ性能パラメータを分析し、決定されたリソグラフィ性能パラメータの分析に基づいて、第1の信号をスペクトル特徴選択システムに送信することによってパルス光ビームの第1のスペクトル特徴を修正し、パルス光ビームの第1のスペクトル特徴を修正している間に第2の信号をスペクトル特徴選択システムに送信することによってパルス光ビームの第2のスペクトル特徴を維持するように構成される。
実装は、以下の特徴のうちの1つ又は複数を含み得る。例えば、基板の各サブエリアが基板の露光フィールドであっても、各サブエリアが光ビームの単一パルスに対応してもよい。
スペクトル特徴選択システムは、スペクトル特徴作動機構を含み得、スペクトル特徴作動機構は、スペクトル特徴作動機構の1つ又は複数の要素を変更し、それにより、パルス光ビームとの相互作用を変更するように構成された作動システムを含む。制御システムは、第1の信号がスペクトル特徴作動機構の作動システムに送信され、且つ、第2の信号がスペクトル特徴作動機構の作動システムに送信されるように、スペクトル特徴作動機構の作動システムに接続することができる。
リソグラフィ性能パラメータは、基板の物理的プロパティであり得る。制御システムは、基板の各サブエリアに対する基板の物理的プロパティの決定値を受信するように構成することができる。基板の物理的プロパティは、所望の位置からの基板の位置の平均オフセット及び基板のステージ振動のうちの1つ又は複数を含み得る。基板の物理的プロパティは、基板の中央サブエリアから基板のエッジのサブエリアまで様々である基板の位置であり得る。
スペクトル特徴選択システムは、分散光学素子と、少なくとも3つの屈折光学素子を含むビームエキスパンダとを含み得る。パルス光ビームは、分散光学素子及び多数の屈折光学素子の各々と相互作用する。スペクトル特徴選択システムは、多数のアクチュエータを含む作動システムを含み得、多数のアクチュエータの各々は、少なくとも3つの屈折光学素子のうちの1つをパルス光ビームに対して回転させる。少なくとも3つの屈折光学素子は、分散光学素子から最も遠く離れた第1の屈折光学素子と、第1の屈折光学素子に隣接する第2の屈折光学素子と、第2の屈折光学素子に隣接する第3の屈折光学素子とを含み得る。第1の屈折光学素子は、第1の回転ステージを含む第1の高速アクチュエータと関連付けることができ、第1の回転ステージは、第1の回転軸の周りを回転し、第1の屈折光学素子を第1の回転軸の周りで回転させるために第1の屈折光学素子と機械的にリンクされた領域を含む。第3の屈折光学素子は、第2の回転ステージを含む第2の高速アクチュエータと関連付けることができ、第2の回転ステージは、第2の回転軸の周りを回転し、第3の屈折光学素子を第1の回転軸の周りで回転させるために第3の屈折光学素子と機械的にリンクされた領域を含む。
第1の屈折光学素子の回転は、パルス光ビームの第2のスペクトル特徴を比較的粗く変化させることができ、第3の屈折光学素子の回転は、パルス光ビームの第2のスペクトル特徴を比較的細かく変化させることができる。第2の屈折光学素子の回転は、パルス光ビームの第1のスペクトル特徴を比較的細かく変化させることができる。ビームエキスパンダは、第4の屈折光学素子を含み得、第4の屈折光学素子の回転は、パルス光ビームの第1のスペクトル特徴を比較的粗く変化させることができる。スペクトル特徴選択システムは、ビームエキスパンダと分散光学素子との間に反射光学素子を含み得る。
制御システムは、リソグラフィ性能パラメータが許容範囲外にあるかどうかを判断することによって、決定されたリソグラフィ性能パラメータを分析することができ、制御システムは、リソグラフィ性能パラメータが許容範囲外にあると判断された場合は、スペクトル特徴選択システムに信号を送信することによって、パルス光ビームの第1のスペクトル特徴を修正することができる。
スキャン光学システムは、パルス光ビームが基板の各サブエリアと相互作用するように、パルス光ビーム及び基板のうちの1つ又は複数を横平面に沿って互いに対して移動させるように構成することができる。横平面は、パルス光ビームが誘導される軸方向に垂直なものであり得る。
光源は、第1のガス放電チャンバを含む第1のガス放電ステージであって、第1のガス放電チャンバが、エネルギー源を収容し、第1の利得媒体を含むガス混合物を内包する、第1のガス放電ステージと、第2のガス放電チャンバを含む第2のガス放電ステージであって、第2のガス放電チャンバが、エネルギー源を収容し、第2の利得媒体を含むガス混合物を内包する、第2のガス放電ステージとを含み得る。第1のガス放電ステージは、第1のパルス光ビームを生成するように構成される。第2のガス放電ステージは、第1のパルス光ビームを受信し、第1のパルス光ビームを増幅するように構成され、それにより、光源からパルス光ビームを生成する。
他の一般的な態様では、フォトリソグラフィ方法は、光源からパルス光ビームを生成することと、パルス光ビームで基板の各サブエリアに露光することを含めてパルス光ビームで基板に露光するために、リソグラフィ露光装置の基板にわたってパルス光ビームをスキャンすることであって、サブエリアが、基板の全エリアの一部分である、スキャンすることとを含む。方法は、基板の各サブエリアに対して、基板のサブエリアと関連付けられたリソグラフィ性能パラメータを受信することと、受信されたリソグラフィ性能パラメータを分析することと、分析に基づいて、パルス光ビームの少なくとも第1のスペクトル特徴を修正し、パルス光ビームの少なくとも第2のスペクトル特徴を維持することとを含む。
実装は、以下の特徴のうちの1つ又は複数を含み得る。例えば、パルス光ビームは、スペクトル特徴選択システムを通じてパルス光ビームを誘導することによって生成することができる。方法は、スペクトル特徴選択システムの回折面からパルス光ビームを選択的に反射させることによって、パルス光ビームの第1のスペクトル特徴を選択することを含み得る。
基板のサブエリアが基板の露光フィールドであっても、基板のサブエリアが光ビームの単一パルスに対応してもよい。
基板にわたってパルス光ビームをスキャンしている間に基板の各サブエリアにおいてリソグラフィ性能パラメータを受信することにより、基板の各サブエリアにおいてリソグラフィ性能パラメータを受信することができる。
基板の物理的プロパティのエラー、基板上に形成されたフィーチャのコントラスト、パルス光ビームが露光された基板エリアのクリティカルディメンション、ターゲットに対する又は下位のフィーチャ(すなわち、オーバーレイ)に対する基板上に形成されたフィーチャの配置(所望の/ターゲット場所に対するX,Y場所)、フォトレジストプロファイル、側壁角及び基板の位置の変化のうちの1つ又は複数を受信することを含むことにより、サブにおいてリソグラフィ性能パラメータを受信することができる。
所望の位置からの基板の位置の平均オフセット及び基板のステージ振動のうちの1つ又は複数を受信することにより、サブエリアにおいてリソグラフィ性能パラメータを受信することができる。基板の中央サブエリアから基板のエッジのサブエリアまで様々である基板の位置を受信することにより、サブエリアにおいてリソグラフィ性能パラメータを受信することができる。
基板にわたってパルス光ビームをスキャンする前に基板の各サブエリアにおいてリソグラフィ性能パラメータを受信することにより、基板の各サブエリアにおいてリソグラフィ性能パラメータを受信することができる。
パルス光ビームの波長を修正することにより、第1のスペクトル特徴を修正することができ、パルス光ビームの帯域幅を帯域幅の範囲内に維持することにより、第2のスペクトル特徴を維持することができる。
パルス光ビームの帯域幅を+/−10フェムトメートル(fm)内又は+/−1fm内に維持することにより、パルス光ビームの帯域幅を帯域幅の範囲内に維持することができる。
パルス光ビームの第1のスペクトル特徴は、パルス光ビームが通過する第1のプリズムシステムを回転させることによって修正することができ、パルス光ビームの第2のスペクトル特徴は、パルス光ビームが通過する第2のプリズムシステムを回転させることによって維持することができる。第1のプリズムシステム及び第2のプリズムシステムは、スペクトル特徴選択システム内のコンポーネントであり得る。パルス光ビームが通過する第1のプリズムシステムは、パルス光ビームが通過する2つのプリズムを回転させることによって回転することができ、パルス光ビームが通過する第2のプリズムシステムは、パルス光ビームが通過する少なくとも2つの他のプリズムを回転させることによって回転することができる。第1のプリズムシステムの2つのプリズムは、第1のプリズムシステムの他方のプリズムを作動させるための作動ステップより大きい作動ステップで第1のプリズムシステムの一方のプリズムを作動させることによって回転することができる。第2のプリズムシステムの2つの他のプリズムは、第2のプリズムシステムの他方のプリズムを作動させるための作動ステップより大きい作動ステップで第2のプリズムシステムの一方のプリズムを作動させることによって回転することができる。
パルス光ビームの第1のスペクトル特徴は、パルス光ビームが反射するミラーを回転させることによって修正することができ、パルス光ビームの第2のスペクトル特徴は、パルス光ビームが通過するプリズムシステムを回転させることによって維持することができる。ミラー及びプリズムシステムは、スペクトル特徴選択システム内のコンポーネントである。
また、方法は、基板の少なくとも各サブエリアにおいて、光源から生成されたパルス光ビームの第1のスペクトル特徴を推定することと、推定された第1のスペクトル特徴が許容範囲内にあるかどうかを判断することと、推定された第1のスペクトル特徴が許容範囲内にないと判断された場合は、パルス光ビームの第1のスペクトル特徴を修正することも含み得る。
方法は、基板の少なくとも各サブエリアにおいて、光源から生成されたパルス光ビームの第2のスペクトル特徴を推定することと、推定された第2のスペクトル特徴が許容範囲内にあるかどうかを判断することと、推定された第2のスペクトル特徴が許容範囲内にないと判断された場合は、パルス光ビームの第2のスペクトル特徴を修正することを含み得る。
パルス光ビームの第2のスペクトル特徴は、パルス光ビームの第1のスペクトル特徴の修正に起因する第2のスペクトル特徴の変化を補償するために第2のスペクトル特徴を調整することによって維持することができ、パルス光ビームの第2のスペクトル特徴は、パルス光ビームの第1のスペクトル特徴を修正することと同時に調整することができる。
受信されたリソグラフィ性能パラメータは、リソグラフィ性能パラメータに基づいて基板の物理的プロパティが許容範囲外にあるかどうかを判断することによって分析することができる。
パルス光ビームの第1のスペクトル特徴を修正することができ、それにより、基板におけるパルス光ビームの第1の条件を修正することができ、パルス光ビームの第2のスペクトル特徴を維持することができ、それにより、基板におけるパルス光ビームの第2の条件を特定のレベルに維持することができる。
パルス光ビームの第1のスペクトル特徴を選択することを含めて第1のガス放電ステージから第1のパルス光ビームを生成し、第1のパルス光ビームを第2のガス放電ステージの方に誘導し、第2のガス放電ステージにおいて第1のパルス光ビームを増幅し、それにより、光源からパルス光ビームを生成することにより、光源からパルス光ビームを生成することができる。
パルス光ビームが回折光学素子に再帰反射して多数のプリズムを通じて戻るように、回折光学素子に向けて多数のプリズムを通じてパルス光ビームを誘導し、回折光学素子へのパルス光ビームの入射角は変化するが回折光学素子へのパルス光ビームの総合倍率は不変であるように、少なくとも2つの直角プリズムを同時に回転させることにより、パルス光ビームの少なくとも第1のスペクトル特徴を修正することができ、パルス光ビームの少なくとも第2のスペクトル特徴を維持することができる。
他の一般的な態様では、フォトリソグラフィ方法は、光源からパルス光ビームを生成することと、基板のエッジロールオフを基板の各サブエリアと相関させるレシピを受信することであって、サブエリアが、基板の全エリアの一部分である、受信することと、パルス光ビームで基板の各サブエリアに露光することを含めてパルス光ビームで基板に露光するために、リソグラフィ露光装置の基板にわたってパルス光ビームをスキャンすることと、基板における焦点位置を調整し、露光されているサブエリアに基づいてエッジロールオフを補償するためにパルス光ビームの少なくとも波長を修正することと、基板における焦点位置を調整し、露光されているサブエリアに対するエッジロールオフを補償するために、パルス光ビームの波長を修正している間に、パルス光ビームの少なくとも帯域幅を維持することとを含む。
フォトリソグラフィ露光装置の方に誘導されるパルス光ビームを生成するフォトリソグラフィシステムのブロック図である。 図1のフォトリソグラフィ露光装置内で結像されるウェーハのマップを描写する概略図であり、マップは、ウェーハのサブエリアを示す。 図1のフォトリソグラフィシステムによって生成されたパルス光ビームの例示的な光スペクトルのグラフである。 図1のフォトリソグラフィシステムにおいて使用することができる例示的なフォトリソグラフィ露光装置のブロック図である。 図1のフォトリソグラフィシステムにおいて使用することができる例示的なスペクトル特徴選択装置のブロック図である。 図5Aのスペクトル特徴選択装置内の例示的なプリズムのブロック図であり、プリズムを通じたビーム倍率及びビーム屈折角を示す。 プリズムの少なくとも1つと関連付けられた高速アクチュエータを含み、図1のフォトリソグラフィシステムにおいて使用することができる例示的なスペクトル特徴選択装置のブロック図である。 図6Aの装置のプリズムのうちの1つの6B−6Bセクションに沿って取られた図である。 図6BのプリズムのZSF方向に沿った図であり、プリズムの回転を示す。 プリズムの少なくとも1つと関連付けられた高速アクチュエータを含み、図1のフォトリソグラフィシステムにおいて使用することができる例示的なスペクトル特徴選択装置のブロック図である。 図7Aの装置のプリズムのうちの1つの7B−7Bセクションに沿って取られた図である。 図7BのプリズムのZSF方向に沿った図であり、プリズムの回転を示す。 プリズムの少なくとも1つと関連付けられた高速アクチュエータを含み、図1のフォトリソグラフィシステムにおいて使用することができる例示的なスペクトル特徴選択装置のブロック図である。 図8Aの装置のプリズムのうちの1つの8B−8Bセクションに沿って取られた図である。 図8BのプリズムのZSF方向に沿った図であり、プリズムの回転を示す。 図8Bに示される8B−8Bセクションに沿って取られたクローズアップ図である。 図1のフォトリソグラフィシステムにおいて使用することができる例示的な光源のブロック図である。 図1のフォトリソグラフィシステムにおいて使用することができる例示的な制御システムのブロック図である。 ウェーハの各サブエリアにおいてウェーハにおける特性の変化を補償するため、パルス光ビームの少なくとも2つのスペクトル特徴を急速に且つ独立して制御するために、図1のフォトリソグラフィシステムによって実行される例示的な手順のフローチャートである。 パルス光ビームの1つ又は複数のスペクトル特徴を制御するために、図1のフォトリソグラフィシステムによって実行される例示的な手順のフローチャートである。
図1を参照すると、フォトリソグラフィシステム100は、パルス光ビーム110を生成する照明システム150を含み、パルス光ビーム110は、名目上、中心波長にある波長を有し、フォトリソグラフィ露光装置又はスキャナ115の方に誘導される。パルス光ビーム110は、スキャナ115のステージ122上に取り付けられた基板又はウェーハ120上にマイクロ電子フィーチャをパターン形成するために使用される。ウェーハ120上にパターン形成されたこれらのマイクロ電子フィーチャは、クリティカルディメンション(CD)によってサイズが制限される。
ウェーハ120にわたってパルス光ビーム110がスキャンされている際、スキャナ115又は制御システム185は、ウェーハ120で起こるリソグラフィ性能パラメータの変化を補償するために、光ビーム110のスペクトル特徴(波長又は帯域幅など)の変更を周期的に要求する。例えば、1つ又は複数のリソグラフィ性能パラメータは、パルス光ビーム110によってスキャンされているウェーハ120の各サブエリアによって異なり得る。ウェーハ120のサブエリアは、スキャンされているウェーハの全エリアのごく一部であるウェーハ120のエリアであり、ウェーハの露光フィールド又は光ビーム110の単一パルスと相互作用するウェーハ120のエリアであり得る。ウェーハ120のサブエリアは、ある特定の時間にウェーハ120に光ビーム110が露光されているその場所であり得る。
ウェーハ120におけるそのようなリソグラフィ性能パラメータは、ウェーハ120又はウェーハ120と相互作用する光ビーム110と関連付けられた特性であると考えることができる。例えば、光ビーム110の帯域幅に起因する色収差、圧力、温度、ウェーハトポグラフィ又は表面形状、ウェーハ120の位置の変化及び光ビーム110の焦点面のエラーは、ウェーハ120にわたってスキャンしている間に予想外に変動し得るリソグラフィ性能パラメータである。
圧力及び温度パラメータはそれぞれ、スキャナ115内のウェーハ120の近くの環境における圧力及び温度である。圧力及び温度の変化は、光ビーム110の波長の効果的な変化をもたらし、従って、光ビーム110の焦点面の変化をもたらす。
具体的な例では、ほとんどの投影レンズ(光ビーム110がウェーハ120の方に移動する際に、光ビーム110の経路において使用される)は色収差を有し、それにより、光ビーム110に波長エラーが存在する場合は、ウェーハ120上の結像エラーが生成される。色収差によって生じるエラーの1つは、フォーカスエラーであり、他のエラーは、はるかに小さい傾向がある。例えば、光ビーム110の波長がターゲット波長から外れている場合は、ウェーハ120上の像は、著しい焦点面エラーを有することになる。従って、色収差によって生じるこれらの焦点面エラーを補償するため、ウェーハ120にわたって光ビーム110がスキャンされている際に光ビーム110の波長を変更できることが望ましい。
別の例として、ウェーハ120のサブエリアによって異なり得るリソグラフィ性能パラメータは、Z方向に沿ったウェーハ120の位置である。ウェーハ120の位置は、所望の位置からの固定オフセットであるオフセット(平均オフセットなど)を含み、また、その固定オフセットに関する位置の変動であるステージ振動又は変動も含む。Z方向に沿ったステージ振動は、ステージエラー信号から導出される移動標準偏差(MSD)値によって特徴付けることができる。ステージ振動の高い値は、像をぼやけさせ、従って、CDの不均一性をもたらす。Z方向に沿った平均オフセットは、移動平均(MA)値によって特徴付けられる。ウェーハ120のトポグラフィは、ウェーハがそのエッジに沿った(及びその中央サブエリアから最も遠く離れた)サブエリアにおいて異なる表面ジオメトリを呈するエッジロールオフと呼ばれる望まない効果への寄与を与えるか又はエッジロールオフと呼ばれる望まない効果をもたらす。特に、ウェーハ120の最良フォーカス位置は、ウェーハ120のエッジに沿って又はウェーハ120のエッジ近くにおいて、ウェーハ120の中心の近くとはかなり異なる値を有し得る(以下で論じられるように、そのような効果は図2で見ることができる)。
図2を参照すると、ウェーハ220の例示的なマップ200が示されており、リソグラフィ性能パラメータPPは、ウェーハ220の各サブエリア(例えば、各露光フィールド223)に対してプロットされている。PPの値が高いほど暗くなり、PPの値が低いほど明るくなる。ウェーハ220のマップ200は、ウェーハ220の露光フィールド223にわたってPPがどのように異なるかを示す。ウェーハ220の露光フィールド223は、スキャナ115内の露光スリット又はウィンドウの1回のスキャンにおいて露光されるウェーハ220のエリアである。
本明細書で説明されるフォトリソグラフィシステム100及び関連方法は、ウェーハ120におけるこれらの性能パラメータの変化を補償するために、ウェーハ120にわたってスキャンされている際及びスキャナ115から指示され次第、光ビーム110の波長などの第1のスペクトル特徴の修正を可能にするように設計される。光ビーム110の第1のスペクトル特徴の修正は、照明システム150から出力される光ビーム110を形成するためのシードビームであるパルス光ビーム110Aと相互作用するように構成されたスペクトル特徴選択装置130によって及びスペクトル特徴選択装置130の制御の下で実装される。スペクトル特徴選択装置130の設計のため、第1のスペクトル特徴が変化することにより、第2のスペクトル特徴が不注意に又は望ましくない方法で変化するように、光ビーム110の他のスペクトル特徴は第1のスペクトル特徴と結び付けられ得る。従って、フォトリソグラフィシステム100は、ウェーハ120にわたってスキャンしている間、第1のスペクトル特徴(波長など)が修正されている間でさえ、光ビーム110の第2のスペクトル特徴(帯域幅など)を値の許容範囲内に維持するように設計される。光ビーム110の第2のスペクトル特徴を値の許容範囲内に維持するため、フォトリソグラフィシステム100は、第1のスペクトル特徴の所望の変化によって生じる第2のスペクトル特徴の望ましくない変化を補償するように光ビーム110の第2のスペクトル特徴を調整する。また、第2のスペクトル特徴(及び他のスペクトル特徴)の修正もスペクトル特徴選択装置130によって及びスペクトル特徴選択装置130の制御の下で実装される。
第1のスペクトル特徴の修正及び第2のスペクトル特徴の調整は、スキャナ115から指示され次第、ウェーハ120の各場所又はサブエリア(例えば、各露光フィールド)で起こり、従って、ウェーハ120にわたって光ビーム110がスキャンされている間に起こる。例えば、光ビーム110の波長及び帯域幅は、ウェーハ120の各サブエリア(各露光フィールドなど)に対して調整することができる。これらの調整は、ウェーハ120のあるサブエリアからウェーハ120の別のサブエリアに進むのに要する時間内に安定値に落ち着くように調整を可能にするため、急速に起こる。
ウェーハ120の各サブエリアに対する帯域幅の急速な調整を可能にするため、スペクトル特徴選択装置130は、ウェーハ120の各サブエリアに対する帯域幅の調整を可能にするためにウェーハ120にわたって光ビーム110がスキャンされている間にパルス光ビーム110の帯域幅のより急速な調整を提供するように再設計されている。
スペクトル特徴選択装置130は、スペクトル特徴粗調整システム130A及びスペクトル特徴微調整システム130Bを含み得る。スペクトル特徴粗調整システム130Aは、スペクトル特徴(帯域幅など)の粗い、広範囲の及び低速制御のために使用され、光源104によって生成されたパルス光ビーム110Aと相互作用する光学コンポーネントの集合体である。粗制御は、微制御において使用される調整ステップと比べて、スペクトル特徴の調整ステップが比較的大きいことを意味する。スペクトル特徴微調整システム130Bは、スペクトル特徴(帯域幅など)の細かい、狭範囲の及び高速制御のために使用される。微制御は、粗制御において使用される調整ステップと比べて、スペクトル特徴の調整ステップが比較的小さいことを意味する。スペクトル特徴微調整システム130Bは、1つ又は複数のスペクトル特徴を制御するためにパルス光ビーム110Aと光学的に相互作用する光学システムを含み得る。帯域幅微調整システム130Cは、1つ又は複数のスペクトル特徴(帯域幅など)を制御するために光源105の他の態様と急速に相互作用する非光学システムを含み得る。例えば、スペクトル特徴微調整システム130Cは、光源105内の1つ又は複数のガス放電チャンバと関連付けられたタイミングの態様を調整し、それにより、パルス光ビーム110の帯域幅を調整するように構成することができる。
フォトリソグラフィシステム100についての詳細は次に説明する。
再び図1を参照すると、照明システム150は、変更することができるパルス繰り返し率でパルス光ビーム110を生成する光源105を含む。照明システム150は、照明システム150内の光源105及び他のフィーチャと通信する制御システム185を含む。また、照明システム150は、照明システム150の動作及びパルス光ビーム110の態様を制御するためにスキャナ115と通信する。
制御システム185は、パルス光源105及びスペクトル特徴選択装置130に動作可能に接続される。そして、スキャナ115は、制御システム185及びスキャナ115内のコンポーネントに動作可能に接続されたリソグラフィコントローラ140を含む。
パルス光ビーム110のパルス繰り返し率は、光ビーム110のパルスが光源105によって生成されるレートである。従って、例えば、パルス光ビーム110のパルス繰り返し率は、1/Δtであり、Δtは、パルスとパルスとの間の時間である。制御システム185は、一般に、スキャナ115内でウェーハ120に露光する際にパルス光ビームの繰り返し率を修正することを含めて、パルス光ビーム110が生成される繰り返し率を制御するように構成される。
いくつかの実装では、スキャナ115は、パルス光ビーム110を生成するために光源105をトリガし(コントローラ140と制御システム185との間の通信を通じて)、従って、スキャナ115は、コントローラ140及び制御システム185によって、繰り返し率、スペクトル特徴(帯域幅又は波長など)及び/又はドーズを制御する。例えば、コントローラ140は、光ビーム110の繰り返し率を許容レートの特定の範囲内に維持するために、制御システム185に信号を送信する。スキャナ115は、一般に、光ビーム110のパルスの各バーストに対して繰り返し率を一定に維持する。光ビーム110のパルスのバーストは、ウェーハ120上の露光フィールドに対応し得る。パルスのバーストは、例えば、10〜500パルスの範囲を含み得る。
クリティカルディメンション(CD)は、システム100によってウェーハ120上にプリントすることができる最小特徴サイズである。CDは、光ビーム110の波長に依存する。従って、ウェーハ120上及びシステム100によって露光される他のウェーハ上にプリントされるマイクロ電子フィーチャの均一なCDを維持するため、光ビーム110の中心波長は、予想若しくはターゲット中心波長に又はターゲット波長周辺の波長の範囲内にとどめるべきである。従って、ターゲット中心波長に又はターゲット中心波長周辺の許容波長の範囲内に中心波長を維持することに加えて、光ビーム110の帯域幅(光ビーム110の波長の範囲)を帯域幅の許容範囲内に維持することが望ましい。
光ビーム110の帯域幅を許容範囲に維持するか又は光ビーム110の帯域幅を調整するため、制御システム185は、パルス光ビーム110の帯域幅の調整量を決定するように構成される。それに加えて、制御システム185は、装置130の少なくとも1つの光学コンポーネント(例えば、プリズム)を移動させ、それにより、パルス光ビーム110がウェーハ120に露光されている際に、決定された調整量によってパルス光ビーム110の帯域幅を変更し、それにより、パルス光ビーム110のパルス繰り返し率の修正によって生じる帯域幅変化を補償するために、スペクトル特徴選択装置130に信号を送信するように構成される。
パルス光ビーム110の帯域幅は、パルスの任意の2つのバーストの合間に変更することができる。その上、帯域幅を第1の値から第2の値に変更し、また、第2の値で安定させるのに要する時間は、パルスのバーストとパルスのバーストとの間の時間未満であるべきである。例えば、バーストとバーストとの間の時間が50ミリ秒(ms)である場合は、帯域幅を第1の値から第2の値に変更し、第2の値で安定させる総時間は、50ms未満であるべきである。制御システム185及びスペクトル特徴選択装置130は、以下で詳細に論じられるように、帯域幅のそのような急速な変化を可能にするように設計される。
スキャナ115のコントローラ140は、ウェーハ120にわたってスキャンされているパルス光ビーム110の態様(帯域幅又は繰り返し率など)を調整又は修正するために、制御システム185に信号を送信する。制御システム185に送信された信号により、制御システム185は、パルス光源105に送信される電気信号又は装置130に送信される電気信号を修正する。例えば、パルス光源105がガスレーザ増幅器を含む場合は、電気信号は、パルス光源105の1つ又は複数のガス放電チャンバ内の電極にパルス電流を提供する。
ウェーハ120は、ウェーハステージ122(テーブルとも呼ばれる)上に配置され、ステージ122は、あるパラメータに従って、コントローラ140の制御の下で、ウェーハ120を正確に位置付けるように構成されたポジショナに接続される。
また、フォトリソグラフィシステム100は、測定システム170も含み得、測定システム170は、光ビーム110の1つ又は複数のスペクトル特徴(帯域幅又は波長など)を測定するサブシステムを含み得る。動作の間にフォトリソグラフィシステム100に印加される様々な外乱が原因で、ウェーハ120における光ビーム110のスペクトル特徴(帯域幅又は波長など)の値は、所望のスペクトル特徴(すなわち、スキャナ115が予想するスペクトル特徴)と一致しない又は整合しない可能性がある。従って、光ビーム110のスペクトル特徴(特性帯域幅など)は、動作の間に、光スペクトルから計量の値を推定することによって測定又は推定され、その結果、オペレータ又は自動システム(例えば、フィードバックコントローラ)は、測定又は推定された帯域幅を使用して、光源105のプロパティを調整すること及び光ビーム110の光スペクトルを調整することができる。測定システム170のサブシステムは、この光スペクトルに基づいて、光ビーム110のスペクトル特徴(帯域幅及び/又は波長など)を測定する。
測定システム170は、光源105とスキャナ115との間の経路に配置されたビーム分離デバイスから方向転換された光ビーム110の一部分を受信する。ビーム分離デバイスは、光ビーム110の第1の部分又はパーセンテージを測定システム170の方に誘導し、光ビーム110の第2の部分又はパーセンテージをスキャナ115に向けて誘導する。いくつかの実装では、光ビーム110の大部分は、第2の部分で、スキャナ115に向けて誘導される。例えば、ビーム分離デバイスは、光ビーム110のごく一部(例えば、1〜2%)を測定システム170の方に誘導する。ビーム分離デバイスは、例えば、ビームスプリッタであり得る。
光ビーム110のパルスは、深紫外線(DUV)範囲の波長(例えば、248ナノメートル(nm)又は193nmの波長)を中心とする。ウェーハ120上にパターン形成されるマイクロ電子フィーチャのサイズは、パルス光ビーム110の波長に依存し、低い波長は、小さな最小フィーチャサイズ又はクリティカルディメンションをもたらす。パルス光ビーム110の波長が248nm又は193nmである際、マイクロ電子フィーチャの最小サイズは、例えば、50nm以下であり得る。パルス光ビーム110の分析及び制御のために使用される帯域幅は、図3に示されるように、その光スペクトル300(又は発光スペクトル)の実際の瞬時帯域幅であり得る。光スペクトル300は、光ビーム110の光エネルギー又は出力が異なる波長(又は周波数)にわたってどのように分布しているかについての情報を内包する。光ビーム110の光スペクトル300は、波長又は光周波数の関数としてスペクトル強度(絶対校正のものである必要はない)がプロットされる図の形態で描写される。光スペクトル300は、光ビーム110のスペクトル形状又は強度スペクトルと呼ぶことができる。光ビーム110のスペクトルプロパティ又は特徴は、強度スペクトルのいかなる態様又は表現も含む。例えば、帯域幅は、スペクトル特徴である。光ビームの帯域幅は、このスペクトル形状の幅の尺度であり、この幅は、レーザ光の波長又は周波数の観点から得ることができる。光ビームの帯域幅を特徴付ける値を推定するため、光スペクトル300の詳細に関連する適切ないかなる数学的構成(すなわち、計量)も使用することができる。例えば、光ビーム帯域幅を特徴付けるため、スペクトル形状の最大ピーク強度のごく一部(X)のスペクトルの全幅(FWXMと呼ばれる)を使用することができる。別の例として、光ビーム帯域幅を特徴付けるため、積分スペクトル強度のごく一部(Y)を含むスペクトルの幅(EYと呼ばれる)を使用することができる。
光ビーム110は、ビーム準備システム112を通じて誘導され、ビーム準備システム112は、光ビーム110の態様を修正する光学素子を含み得る。例えば、ビーム準備システム112は、反射及び/又は屈折光学素子、光パルスストレッチャ及び光学アパーチャ(自動シャッタを含む)を含み得る。
スペクトル特徴選択装置130は、光源105によって生成された光ビーム110Aと相互作用するために、光源105の第1の端部に配置される。光ビーム110Aは、以下で論じられるように、光源105内の共振器の一方の端部で生成されたビームであり、マスタ発振器によって生成されたシードビームであり得る。スペクトル特徴選択装置130は、パルス光ビーム110Aの1つ又は複数のスペクトル特徴(帯域幅又は波長など)を調節又は調整することによってパルス光ビーム110のスペクトルプロパティを微調節するように構成される。
また、図4を参照すると、ウェーハ120、220は、光ビーム110による照射を受ける。リソグラフィ露光装置115は、例えば、1つ又は複数の集光レンズを有するイルミネータシステム129と、マスク134と、対物配列132とを含む光学配列を含む。マスク134は、Z方向(一般に、光ビーム110の軸方向に相当する)に沿って又はZ方向に垂直なX−Y平面においてなど、1つ又は複数の方向に沿って移動可能である。対物配列132は、投影レンズを含み、マスク134からウェーハ120上のフォトレジストへの像転写が起こるようにすることができる。イルミネータシステム129は、マスク134に衝突する光ビーム110に対する角度の範囲を調整する。また、イルミネータシステム129は、マスク134にわたって光ビーム110の強度分布を均質化する(均一にする)。
リソグラフィ装置115は、他の数あるフィーチャの中でも特に、リソグラフィコントローラ140と、空調デバイスと、様々な電気コンポーネント用の電源とを含み得る。リソグラフィコントローラ140は、ウェーハ120上に層がどのようにプリントされるかを制御する。
いくつかの実装では、ウェーハ120をカバーするために液浸媒体を供給することができる。液浸媒体は、液浸リソグラフィ用の液体(水など)であり得る。リソグラフィがドライシステムである他の実装では、液浸媒体は、乾燥窒素、乾燥空気又は清浄空気などの気体であり得る。他の実装では、ウェーハ120は、圧力制御環境(真空又は不完全真空など)内で露光することができる。
再び図4を参照すると、プロセスプログラム又はレシピは、ウェーハ120の露光の長さ、使用されるマスク134及び露光に影響を及ぼす他の因子を決定する。リソグラフィの間、光ビーム110の多数のパルスは、照明ドーズを形成するために、ウェーハ120の同じエリアに照射される。同じエリアに照射される光ビーム110のパルスの数Nは、露光ウィンドウ400と呼ぶことができ、ウィンドウ400のサイズは、マスク134の前に配置される露光スリット405によって制御することができる。スリット405は、シャッタのように設計することができ、開閉することができる多数のブレードを含み得る。そして、露光エリアのサイズは、非スキャン方向におけるブレード間の距離によって決定され、また、スキャン方向におけるスキャンの長さ(距離)によっても決定される。いくつかの実装では、Nの値は、数十パルス(例えば、10〜100パルス)である。他の実装では、Nの値は、100パルスを超える(例えば、100〜500パルス)。
ウェーハステージ122、マスク134及び対物配列132のうちの1つ又は複数は、関連作動システムに固定され、それにより、スキャン配列(又はスキャン光学システム)が形成される。スキャン配列では、マスク134、対物配列132及びウェーハ120(ステージ122を介する)のうちの1つ又は複数は、露光フィールド223にわたって露光ウィンドウ400をスキャンするために、露光の間に互いに対して移動される。
再び図1を参照すると、フォトリソグラフィシステム100は、ウェーハ120、220の各サブエリアに対する(例えば、各露光フィールド223に対する)リソグラフィ性能パラメータPPの値を決定するように構成されたウェーハ計測装置145も含む。計測装置145は、制御システム185が各ウェーハサブエリアに対するリソグラフィ性能パラメータPPの値を受信するように、制御システム185に接続される。制御システム185は、各ウェーハサブエリアに対するリソグラフィ性能パラメータPPの値を格納することができる。
いくつかの実装では、計測装置145は、オフラインモードで使用されるように構成され、オフラインモードでは、ウェーハ120、220が光ビーム110によってパターン形成された後に、ウェーハ120、220が分析される。そのようなスキャンによって得られたデータは、制御システム185によって、将来スキャンされる1つ又は複数のウェーハに対して使用することができる。
他の実装では、計測装置145は、オンラインモードで使用され、オンラインモードでは、ウェーハ120、220が光ビーム110によってパターン形成されている間に、ウェーハ120、220が分析される。例えば、ウェーハ120、220の露光フィールドは、光ビーム110のバーストの合間に調査することができる。
再び図1を参照すると、計測装置145は、リソグラフィ性能パラメータPPを調査することができるいかなる装置でもあり得る。
例えば、モニタされている性能パラメータPPがウェーハトポグラフィである場合は、計測装置145は、スキャナ115であり得、露光の間又はウェーハ120のスキャンとスキャンとの間にそのようなモニタリングを実行することができる。ウェーハ120のトポグラフィは、光ビーム110の波長を調整することによって制御することができる。
計測装置145は、高分解能イメージングに対して、例えば、1nm未満のフィーチャサイズを表示できるように設計された高分解能走査電子顕微鏡(SEM)などの自己完結型システムであり得る。SEMは、集光電子ビームでウェーハ120をスキャンすることによってサンプル(この事例では、ウェーハ120)の像を生成する電子顕微鏡のタイプである。SEMは、1ナノメートル(nm)より優れた分解能を達成することができる。
ウェーハ120は、高真空、低真空(環境SEM)、湿潤状態、及び、広範囲の極低温又は上昇温度においてなど、適切ないかなる環境においても観察することができる。検出の最も一般的なモードは、電子ビームで励起された原子によって放出される二次電子によるものである。二次電子の数は、ウェーハ120の表面と電子ビームと間の角度の関数である。他のシステムでは、後方散乱電子又はX線を検出することができる。
計測装置145は、ウェーハ120の定量的な非接触式の三次元測定を提供する走査白色光干渉法を採用することができる。この技法では、白色光ビームは、フィルタを通過し、次いで、顕微鏡対物レンズを通過し、ウェーハ120の表面に至る。ウェーハ120の表面から反射して戻って来た光は、参照ビームと組み合わされ、装置145内のソフトウェア分析のために捕捉される。各ポイントに対するデータを得た後、装置145は、ウェーハ120の表面の三次元像(トポグラフィ)を生成することができる。ウェーハ120のそのようなトポグラフィカルマップは、これらの他のリソグラフィ性能パラメータ(局所的なステップ高さ、クリティカルディメンション(CD)、オーバーレイ、多層膜厚さ及び光学プロパティ、組み合わされたトポグラフィと膜厚、並びに、ウェーハ湾曲)の測定も可能にする。
他の実装では、計測装置145は、スキャタロメータであり、スキャタロメータは、ウェーハ120に向けてエネルギーのパルスを送信し、ウェーハ120からの反射又は回折エネルギーを測定する。スキャタロメータは、1つのセンサにおいてオーバーレイ、フォーカス及びCDの測定を組み合わせることができる。いくつかの実装では、計測装置145は、YieldStar S-250D(オランダのVeldhovenのASML Netherlands B.V.によって製造)であり、回折に基づくオーバーレイ及び回折に基づくフォーカス技法並びにCDを測定するための任意選択の能力を使用してオンプロダクトオーバーレイ及びフォーカスの測定を可能にするスタンドアロン計測ツールである。
いくつかの実装では、計測装置145は、ウェーハ120の各層上に配置された材料の別個のパターンが正しく位置合わせされているかどうかを判断するオーバーレイ計測装置である。例えば、オーバーレイ計測装置は、ウェーハの各層の接点、ライン及びトランジスタが互いに一致するかどうかを判断する。パターン間のいかなる種類のミスアライメントも、短絡及び接続不良を招く恐れがあり、これを受けて、歩留まり及び利益率に影響が及ぼされる。従って、実際には、オーバーレイ計測装置は、ウェーハ120上に各層が形成された後(ただし、第2の層が形成された後)に使用される。オーバーレイ計測装置は、ウェーハ上に以前に形成された層に対するウェーハ上にごく最近形成された(すなわち、現在の)層の相対位置を測定し、ごく最近形成された層は、以前に形成された層の上に形成される。現在のウェーハ層と以前に形成されたウェーハ層との相対位置は、光ビームがウェーハに露光される各場所に対して測定される(ウェーハ120において測定された光ビーム110の特性がその場所に対応する場合)。
計測装置145は、クリティカルディメンション(CD)を測定することができ、クリティカルディメンション(CD)は、プリントされたフィーチャサイズと相関がある。SEM及びスキャトロメトリツールは、CDを測定するために使用することができる。計測装置145は、設計意図及び/又は以前にパターン形成された層に対する像配置エラーをチェックするために、オーバーレイを測定することができる。光学及び回折に基づくツールは、オーバーレイを測定するために使用することができる。
図5Aを参照すると、いくつかの実装では、スペクトル特徴選択装置130は、パルス光ビーム110Aと光学的に相互作用するように配列された1組の光学フィーチャ又はコンポーネント500、505、510、515、520と、ファームウェアとソフトウェアの任意の組合せの形態の電子機器を含む制御モジュール550とを含む。光学コンポーネント500、505、510、515、520は、スペクトル特徴粗調整システム130Aを提供するように構成することができ、そのようなコンポーネントの調整が十分に急速である場合は、スペクトル特徴微調整システム130Bを提供するように構成することができる。図5Aには示されていないが、スペクトル特徴選択装置130がスペクトル特徴微制御を提供するための他の光学フィーチャ又は他の非光学フィーチャを含むことは可能である。
制御モジュール550は、それぞれの光学コンポーネント500、505、510、515、520に物理的に結合された1つ又は複数の作動システム500A、505A、510A、515A、520Aに接続される。装置130の光学コンポーネントは、格子であり得る分散光学素子500と、プリズムであり得る1組の屈折光学素子505、510、515、520で作られたビームエキスパンダ501とを含む。格子500は、光ビーム110Aを分散及び反射させるように設計された反射格子であり得、それに従って、格子500は、DUV範囲の波長を有するパルス光ビーム110Aとの相互作用に適した材料で作られる。プリズム505、510、515、520の各々は、光ビーム110Aがプリズムのボディを通過する際に光ビーム110Aを分散及び方向転換させるように動作する透過プリズムである。プリズムの各々は、光ビーム110Aの波長の透過を可能にする材料(例えば、フッ化カルシウムなど)で作ることができる。4つの屈折光学素子505、510、515、520が示されているが、4つより少ない又は4つより多い屈折光学素子をビームエキスパンダ501において使用することが可能である。
プリズム520は、格子500から最も遠く離れた所に位置付けられ、プリズム505は、格子500に最も近い所に位置付けられる。パルス光ビーム110Aは、アパーチャ555を通じて装置130に入り、次いで、プリズム520、プリズム510及びプリズム505の順に通過して移動し、その後、格子500の回折面502に衝突する。ビーム110Aが連続プリズム520、515、510、505の各々を通過する度に、光ビーム110Aは、光学的に拡大され、次の光学コンポーネントに向けて方向転換される(ある角度で屈折する)。光ビーム110Aは、回折し、格子500から反射して、プリズム505、プリズム510、プリズム515及びプリズム520の順に通過して戻り、その後、光ビーム110Aが装置130を出るためにアパーチャ555を通過する。格子300から連続プリズム505、510、515、520の各々を通過する度に、光ビーム110Aは、アパーチャ555に向けて移動するにつれて光学的に圧縮される。
図5Bを参照すると、ビームエキスパンダ501のプリズムP(プリズム505、510、515又は520の何れか1つであり得る)の回転は、その回転させたプリズムPの入口表面H(P)に光ビーム110Aが衝突する入射角を変化させる。その上、その回転させたプリズムPを通過する光ビーム110Aの2つの局所的な光学的品質(すなわち、光学倍率OM(P)及びビーム屈折角δ(P))は、その回転させたプリズムPの入口表面H(P)に衝突する光ビーム110Aの入射角の関数である。プリズムPを通過する光ビーム110Aの光学倍率OM(P)は、そのプリズムPに入る光ビーム110Aの横幅Wi(P)に対するそのプリズムPを出る光ビーム110Aの横幅Wo(P)の比率である。
ビームエキスパンダ501内の1つ又は複数のプリズムPにおける光ビーム110Aの局所的な光学倍率OM(P)の変化は、ビームエキスパンダ501を通過する光ビーム110Aの光学倍率OM 565の全体的な変化を引き起こす。ビームエキスパンダ501を通過する光ビーム110Aの光学倍率OM 565は、ビームエキスパンダ501に入る光ビーム110Aの横幅Wiに対するビームエキスパンダ501を出る光ビーム110Aの横幅Woの比率である。
それに加えて、ビームエキスパンダ501内の1つ又は複数のプリズムPを通じる局所的なビーム屈折角δ(P)の変化は、格子500の表面502における光ビーム110Aの入射角562の全体的な変化を引き起こす。
光ビーム110Aの波長は、光ビーム110Aが格子500の回折面502に衝突する入射角562を変更することによって調整することができる。光ビーム110Aの帯域幅は、光ビーム110の光学倍率565を変更することによって調整することができる。
スペクトル特徴選択装置130は、光ビーム110がスキャナ115によってウェーハ120にわたってスキャンされている間にパルス光ビーム110の帯域幅のより急速な調整を提供するように再設計される。スペクトル特徴選択装置130は、光学コンポーネント500、505、510、515、520のうちの1つ又は複数をより効果的に且つより急速に回転させるための1つ又は複数の新しい作動システムを用いて再設計することができる。
例えば、スペクトル特徴選択装置130は、プリズム520をより効果的に且つより急速に回転させるための新しい作動システム520Aを含む。新しい作動システム520Aは、プリズム520が回転する速度を増加するように設計することができる。具体的には、新しい作動システム520Aに取り付けられたプリズム520の回転軸は、新しい作動システム520Aの回転可能モータシャフト522Aに平行である。他の実装では、新しい作動システム520Aは、アームを含むように設計することができ、アームは、プリズム520を回転させるための追加の効力を提供するために、一方の端部がモータシャフト522Aに物理的にリンクされ、他方の端部が、プリズム520に物理的にリンクされる。このように、光ビーム110Aの光学倍率OMは、プリズム520の回転に対する感度が高くなるようになっている。
いくつかの実装では、プリズム505は、より急速な帯域幅の調整を提供するために、ビームエキスパンダの以前の設計に対して反転される。これらの事例では、比較的小さなプリズム520の回転で、帯域幅の変化は比較的速くなる(装置130の以前の設計と比べて)。プリズム520の単位回転当たりの光学倍率の変化は、以前のスペクトル特徴選択装置と比べて、再設計されたスペクトル特徴選択装置130では増大する。
装置130は、光ビーム110Aが格子500の回折面502に衝突する入射角562を調整することによって、光源105の1つ又は複数の共振器内で生成される光ビーム110Aの波長を調整するように設計される。具体的には、この調整は、プリズム505、510、515、520及び格子500のうちの1つ又は複数を回転させ、それにより、光ビーム110Aの入射角562を調整することによって行うことができる。
その上、光源105によって生成される光ビーム110Aの帯域幅は、光ビーム110Aの光学倍率OM 565を調整することによって調整される。従って、光ビーム110Aの帯域幅は、光ビーム110Aの光学倍率565の変化をもたらすプリズム505、510、515、520のうちの1つ又は複数の回転を起こすことによって調整することができる。
特定のプリズムPの回転はそのプリズムPにおける局所的なビーム屈折角δ(P)及び局所的な光学倍率OM(P)の両方の変化を引き起こすため、波長及び帯域幅の制御は、この設計において結び付いている。
それに加えて、光ビーム110Aの帯域幅は、プリズム520の回転に対する感度が比較的高く、プリズム505の回転に対する感度が比較的低い。この理由は、それらのプリズム515、510、505は回転させたプリズム520と格子500との間にあり、光ビーム110Aはプリズム520を通過した後にこれらの他のプリズム515、510、505を通じて移動しなければならないため、プリズム520の回転に起因する光ビーム110Aの局所的な光学倍率OM(520)のいかなる変化にも、他のプリズム515、510、505における光学倍率OM(515)、OM(510)、OM(505)のそれぞれの変化の積が乗じられるためである。他方では、光ビーム110Aの波長は、プリズム505の回転に対する感度が比較的高く、プリズム520の回転に対する感度が比較的低い。
例えば、波長を変更することなく帯域幅を変更するには、光学倍率565は、入射角562を変更することなく変更すべきであり、この変更は、プリズム520を大量回転させ、プリズム505を少量回転させることによって達成することができる。
制御モジュール550は、それぞれの光学コンポーネント500、505、510、515、520に物理的に結合された1つ又は複数の作動システム500A、505A、510A、515A、520Aに接続される。作動システムは光学コンポーネントの各々に対して示されているが、装置130の光学コンポーネントのいくつかは、静止状態で維持されるか又は作動システムに物理的に結合されない。例えば、いくつかの実装では、格子500を静止状態で維持し、プリズム515を静止状態で維持し、作動システムに物理的に結合しなくともよい。
作動システム500A、505A、510A、515A、520Aの各々は、そのそれぞれの光学コンポーネントに接続される1つ又は複数のアクチュエータを含む。光学コンポーネントの調整により、光ビーム110Aの特定のスペクトル特徴(波長及び/又は帯域幅)が調整される。制御モジュール550は、制御システム185から制御信号を受信し、制御信号は、作動システムのうちの1つ又は複数を動作又は制御するための特定のコマンドを含む。作動システムは、連携して作動するように選択及び設計することができる。
作動システム500A、505A、510A、515A、520Aのアクチュエータの各々は、それぞれの光学コンポーネントを移動させるか又は制御するための機械デバイスである。アクチュエータは、モジュール550からエネルギーを受信し、そのエネルギーをそれぞれの光学コンポーネントに与えられる何らかの種類の運動に変換する。例えば、作動システムは、ビームエキスパンダのプリズムのうちの1つ又は複数を回転させるための加力デバイス及び回転ステージの何れか1つであり得る。作動システムは、例えば、ステッピングモータなどのモータ、バルブ、圧力制御デバイス、圧電デバイス、リニアモータ、油圧アクチュエータ、ボイスコイルなどを含み得る。
格子500は、高ブレーズ角エシェル格子であり得、回折格子の方程式を満たす任意の入射角562で格子500に入射した光ビーム110Aが反射(回折)する。回折格子の方程式は、格子500のスペクトル次数、回折波長(回折ビームの波長)、格子500への光ビーム110Aの入射角562、格子500から回折した光ビーム110Aの出射角、格子500に入射する光ビーム110Aの垂直発散、格子500の回折面の溝間隔間の関係を提供する。その上、格子500への光ビーム110Aの入射角562が格子500からの光ビーム110Aの出射角と等しくなるように格子500が使用される場合は、格子500及びビームエキスパンダ(プリズム505、510、515、520)は、リトロー構成で配列され、格子500から反射した光ビーム110Aの波長は、リトロー波長である。格子500に入射する光ビーム110Aの垂直発散はゼロに近いと想定することができる。公称波長を反射させるため、格子500は、光源105で増幅するために公称波長が反射してビームエキスパンダ(プリズム505、510、515、520)を通じて戻って来るように、格子500に入射する光ビーム110Aに対して位置合わせされる。次いで、格子500への光ビーム110Aの入射角562を変更することによって、光源105内の共振器の全利得帯域幅にわたってリトロー波長を調節することができる。
プリズム505、510、515、520の各々は、光ビーム110Aが通過する表面内に含まれるように、光ビーム110Aの横方向に沿って十分に広いものである。各プリズムは、アパーチャ555から格子500に向かう経路上で光ビーム110Aを光学的に拡大し、従って、各プリズムは、そのサイズがプリズム520からプリズム505に向けて逐次的に大きくなる。従って、プリズム505はプリズム510より大きく、プリズム510はプリズム515より大きく、プリズム520が最も小さいプリズムである。
格子500から最も遠く離れ、また、サイズが最も小さいプリズム520は、作動システム520A上(具体的には、回転シャフト522A)に取り付けられ、回転シャフト522Aより、プリズム520が回転し、そのような回転は、格子500に衝突する光ビーム110Aの光学倍率を変化させ、それにより、装置130から出力される光ビーム110Aの帯域幅が修正される。作動システム520Aは、プリズム520が固定される回転シャフト522Aを含む回転式ステッピングモータを含むため、高速作動システム520Aとして設計される。回転シャフト522Aは、その軸中心線の周りを回転し、軸中心線は、プリズム520の回転軸に平行である。その上、作動システム520Aは、回転式ステッピングモータを含むため、機械メモリが欠如しており、また、エネルギー基底状態も欠如している。回転シャフト522Aの各場所は、回転シャフト522Aの他の場所の各々と同じエネルギーを有し、回転シャフト522Aは、ポテンシャルエネルギーが低い好ましい休止場所が欠如している。
いくつかの実装では、作動システム510A(プリズム510が取り付けられる)は、高速作動システム520Aと同様の高速作動システムであり得る。このように、作動システム510Aは、回転シャフト512Aを含み得、回転シャフト512Aにより、プリズム510が回転し、そのような回転は、格子500に衝突する光ビーム110Aの光学倍率を変化させ、それにより、装置130から出力される光ビーム110Aの帯域幅が修正される。従って、作動システム510Aは、プリズム510が固定される回転シャフト512Aを含む回転式ステッピングモータを含むため、高速作動システム(システム520Aと同様に)として設計される。回転シャフト512Aは、その軸中心線の周りを回転し、軸中心線は、プリズム510の回転軸に平行である。その上、作動システム510Aは、回転式ステッピングモータを含むため、機械メモリが欠如しており、また、エネルギー基底状態も欠如している。回転シャフト512Aの各場所は、回転シャフト512Aの他の場所の各々と同じエネルギーを有し、回転シャフト512Aは、ポテンシャルエネルギーが低い好ましい休止場所が欠如している。
上記で論じられるように、光ビーム110Aの帯域幅は、プリズム520の回転に対する感度が比較的高く、プリズム505の回転に対する感度が比較的低い。この理由は、それらのプリズム515、510、505は回転させたプリズム520と格子500との間にあり、光ビーム110Aはプリズム520を通過した後にこれらの他のプリズム515、510、505を通じて移動しなければならないため、プリズム520の回転に起因する光ビーム110Aの局所的な光学倍率OM(520)のいかなる変化にも、他のプリズム515、510、505における光学倍率OM(515)、OM(510)、OM(505)のそれぞれの変化の積が乗じられるためである。他方では、光ビーム110Aの波長は、プリズム505の回転に対する感度が比較的高く、プリズム520の回転に対する感度が比較的低い。従って、波長は、プリズム505を回転させることによって粗く変化させることができ、プリズム520は、回転させることができる(粗く)。光ビーム110Aの入射角562は、プリズム505の回転が原因で変化し、プリズム520の回転は、プリズム505の回転によって生じる倍率の変化を相殺する。その上、新しく設計された高速作動システム520Aは、倍率の望まない変化を迅速に相殺するために、帯域幅の急速な変化を可能にする。それに加えて、帯域幅のさらなる微制御を行う必要がある場合は、新しく設計された高速作動システム510Aを使用してプリズム510を急速に回転させることができる。また、圧電ステージを含み得る作動システム515Aを用いてプリズム515を回転させることによって波長のさらなる微制御を行うことも可能である。
プリズム520は、粗い、広範囲の及び低速帯域幅制御のために使用することができる。対照的には、帯域幅は、プリズム510を制御することによって、細かい狭範囲で、さらに一層急速に制御することができる。
いくつかの実装では、スペクトル特徴選択装置130は、光ビーム110Aがビームエキスパンダ501と格子500との間を移動する際、光ビーム110Aの経路に沿ってビームエキスパンダ501と格子500との間の場所503に配置されたビーム偏向器(ミラーなど)を含み得る。ミラーは、格子500の回折面502に衝突する光ビーム110Aの入射角562を変更するために、それ自体のアクチュエータシステムの制御の下で回転される。このように、ミラーは、光ビーム110Aの光学倍率565又は帯域幅の望まない変化をもたらすことなく、光ビーム110Aの波長を調整するために使用することができる。
図6A及び6Bを参照すると、第1の実装では、スペクトル特徴選択装置630は、格子600及び4つのプリズム605、610、615、620を有するように設計されている。格子600及び4つのプリズム605、610、615、620は、光ビーム110Aが装置630のアパーチャ655を通過した後、光源105によって生成された光ビーム110Aと相互作用するように構成される。光ビーム110Aは、装置630のXSF−YSF平面において、アパーチャ655から、プリズム620、プリズム615、プリズム610及びプリズム605を通じて経路に沿って移動し、次いで、格子600に反射してプリズム605、610、615、620を通じて戻り、その後、アパーチャ655を通じて装置を出る。
プリズム605、610、615、620は、直角プリズムであり、パルス光ビーム110Aは、プリズム605、610、615、620を通じて透過し、その結果、パルス光ビーム110Aは、各直角プリズムを通過する際に、その光学倍率を変化させる。分散光学素子600から最も遠く離れた直角プリズム620は、多数のプリズムの中で最も小さな斜辺を有し、連続直角プリズムの各々は、分散光学素子600に近づくほど、分散光学素子からより遠く離れた隣接する直角プリズムより大きなサイズ又は同じサイズの斜辺を有する。
例えば、格子600に最も近いプリズム605は、サイズが最も大きなものでもあり、例えば、その斜辺は、4つのプリズム605、610、615、620の中で最も大きな範囲を有する。格子600から最も遠く離れたプリズム620は、サイズが最も小さなものでもあり、例えば、その斜辺は、4つのプリズム605、610、615、620の中で最も小さな範囲を有する。隣接するプリズムが同じサイズであることは可能である。しかし、光ビーム110Aは、プリズム620、プリズム615、プリズム610、プリズム605を通じて移動するにつれて光学的に拡大され、従って、光ビーム110Aの横範囲は、光ビーム110Aが格子600に近づくほど増大するため、格子600により近い各プリズムは、そのサイズがその隣接するプリズムと少なくとも同じであるか又はそれより大きいものであるべきである。光ビーム110Aの横範囲は、光ビーム110Aの伝播方向に垂直な平面に沿った範囲である。そして、光ビーム110Aの伝播方向は、装置630のXSF−YSF平面にある。
プリズム605は、装置630のZSF軸に平行な軸の周りでプリズム605を回転させる作動システム605Aに物理的に結合され、プリズム610は、ZSF軸に平行な軸の周りでプリズム610を回転させる作動システム610Aに物理的に結合され、プリズム620は、高速作動システム620Aに物理的に結合される。高速作動システム620Aは、装置630のZSF軸に平行な軸の周りでプリズム605を回転させるように構成される。
高速作動システム620Aは、回転式ステッピングモータ621Aを含み、回転式ステッピングモータ621Aは、回転シャフト622Aと、回転シャフト622Aに固定された回転プレート623Aとを有する。回転シャフト622Aひいては回転プレート623Aは、軸中心線ARの周りを回転し、軸中心線ARは、プリズム620の重心に平行であり(回転軸APに相当する)、また、装置630のZSF軸にも平行である。必須というわけではないが、プリズム620の軸中心線ARは、XSF−YSF平面に沿ってプリズム620の重心(回転軸AP)と一致するか又は位置合わせすることが可能である。いくつかの実装では、プリズム620の重心(又は回転軸AP)は、XSF−YSF平面に沿って軸中心線ARからオフセットが設けられる。軸中心線ARに対してプリズム620の重心からオフセットを設けることにより、プリズム620を回転させる際に常に格子600の表面上の特定の位置に位置するように光ビーム110Aの位置を調整することができる。
プリズム620を回転プレート623Aに取り付けることにより、シャフト622A及び回転プレート623Aがそれらの軸中心線ARの周りを回転する際に、プリズム620は、その回転軸APの周りを直接回転する。このように、直線平行移動可能(フレクシャを使用して回転運動に変換される)シャフトを有するリニアステッピングモータを使用するシステムと比べて、プリズム620の急速な回転又は制御が可能になる。シャフト622A(及びプレート623A)の回転ステップはプリズム620の回転ステップと直接相関するため(いかなる直線運動も与えずに)、回転式ステッピングモータ621Aは、光ビーム110Aひいては光ビーム110のスペクトル特徴(帯域幅など)のより急速な調整を可能にする速度でプリズム620を回転させることができる。ステッピングモータ621Aの回転設計は、プリズム620に対して以前のアクチュエータに見られるいかなる直線運動又はフレクシャ運動も使用することなく、取り付けられたプリズム620に純粋な回転運動を与える。その上、回転式シャフト622Aの使用により、リニアステッピングモータにフレクシャ設計を加えたもの(プリズム620は、フレクシャから決定された角度だけ回転することができる)を使用する以前のアクチュエータとは異なり、プリズム620は、完全に360°回転することができる。いくつかの実装では、許容範囲で光ビーム110Aの帯域幅の調節を達成するため、プリズム620は、15度回転できるものである。プリズム620は、15度を超えて回転することができるが、現在の帯域幅範囲要件が必要とされるわけではない。
いくつかの実装では、ステッピングモータ621Aは、直接駆動ステッピングモータによってできる。直接駆動ステッピングモータは、位置制御のために内蔵ステッピングモータ機能を使用する従来の電磁モータである。運動におけるより高い分解能が必要とされ得る他の実装では、ステッピングモータ621Aは、圧電モータ技術を使用することができる。
ステッピングモータ621Aは、例えば、プリズム620の急速な回転を提供するために可変周波数駆動制御方法を使用してモータコントローラを用いて制御される回転式ステージであり得る。
上記で論じられるように、回転式ステッピングモータ621Aを使用する利点は、プリズム620の回転軸APが回転シャフト622Aに平行であり、また、軸中心線ARにも平行であるため、プリズム620のより急速な回転を得ることである。従って、シャフト622Aのあらゆる単位回転に対し、プリズム620は、増分単位だけ回転し、プリズム620は、回転シャフト622Aが回転できる速さと同じ速さで回転する。いくつかの実装では、この構成の安定性を増大させ、プリズム620の安定性を増大させるため、高速作動システム620Aは、回転式ステッピングモータ621Aの回転シャフト622Aの位置を検出するように構成された位置モニタ624Aを含む。回転シャフト622Aの測定位置と回転シャフト622Aの予想又はターゲット位置との間のエラーは、プリズム620の位置のエラーと直接相関し、従って、この測定は、プリズム620の回転エラー(すなわち、実際の回転と命じられた回転との差)を決定し、動作の間にこのエラーを補正するために使用することができる。
制御モジュール550は、回転シャフト622Aの位置の値を受信するために位置モニタ624Aに接続され、また、制御モジュール550は、回転シャフト622Aの命じられた位置の格納された値又は現在の値にアクセスすることができ、その結果、制御モジュール550は、回転シャフト622Aの位置の測定値と命じられた位置との差を決定し、また、このエラーを低減するために回転シャフト622Aをどのように調整するかを決定するための計算を実行することができる。例えば、制御モジュール550は、エラーを相殺するために回転シャフト622Aの回転サイズ及び回転方向を決定することができる。或いは、制御システム185がこの分析を実行することができる。
位置モニタ624Aは、回転プレート623Aと一体化して構築された分解能が非常に高い光学回転式エンコーダであり得る。光学回転式エンコーダは、光検知技術を使用し、不透明ラインとパターンをその上に有する内部コードディスクの回転上にある。例えば、プレート623Aは、発光ダイオードなど、光ビームの中で回転され(従って、回転式エンコーダという名前が付けられている)、プレート623A上のマーキングは、光を遮断及び遮断解除するシャッタとして動作する。内部フォトダイオード検出器は、交流光ビームを検知し、エンコーダの電子機器は、パターンを電気信号に変換し、電気信号は、エンコーダ624Aの出力を通じて制御モジュール550に送られる。
いくつかの実装では、制御モジュール550は、回転式ステッピングモータ621Aを操作することのみを目的とする高速内部専用コントローラを有するように設計することができる。例えば、高速内部専用コントローラは、エンコーダ624Aから高分解能位置データを受信することができ、シャフト622Aの位置を調整し、それにより、プリズム620の位置を調整するために、回転式ステッピングモータ621Aに直接、信号を送信することができる。
また、図6Cを参照すると、照明システム150は、制御モジュール550とインタフェースを取る制御システム185の制御の下で、光ビーム110Aの帯域幅などのスペクトル特徴を変更する。例えば、光ビーム110A及び光ビーム110の帯域幅を粗く且つ広く制御するため、制御モジュール550は、第1の角度θ1(図6Cの左側)から第2の角度θ2(Δθ=θ2−θ1)(図6Cの右側)まで回転シャフト622Aを回転させるために、高速作動システム620Aの回転式ステッピングモータ621Aに信号を送信する。そして、シャフト622Aの角度のこの変化は、シャフト622Aに固定されたプレート623Aに直接与えられ、また、それにより、プレート623Aに固定されたプリズム620にも与えられる。θ1からθ2へのプリズム620の回転は、格子600と相互作用するパルス光ビーム110Aの光学倍率OM 565のOM1からOM2への対応する変化をもたらし、パルス光ビーム110Aの光学倍率565の変化は、パルス光ビーム110A(光ビーム110も同様)の帯域幅の変化をもたらす。この高速作動システム620Aを使用してプリズム620を回転させることによって達成することができる帯域幅の範囲は、広い範囲であり得、約100フェムトメートル(fm)〜約450fmであり得る。達成可能な全帯域幅範囲は、少なくとも250fmであり得る。
回転シャフト622Aの1単位回転による高速作動システム620Aと関連付けられたプリズム620の回転は、パルス光ビーム110の帯域幅を測定する帯域幅測定デバイス(例えば、以下で論じられる測定システム170の一部として)の分解能未満の量だけパルス光ビーム110Aの帯域幅を変化させる。帯域幅のそのような変化を達成するため、プリズム620は、最大で15度まで回転させることができる。実際には、プリズム620の回転の量は、装置630の他のコンポーネントの光学レイアウトによってのみ制約される。例えば、大き過ぎる回転により、光ビーム110Aは、大き過ぎて光ビーム110Aが次のプリズム615に衝突できないほどの量まで変位し得る。いくつかの実装では、許容範囲で光ビーム110Aの帯域幅の調節を達成するため、プリズム620は、光ビーム110Aが他のプリズム605、610又は615の何れかから離れるというリスクを伴うことなく、15度回転できるものである。プリズム620は、15度を超えて回転することができるが、現在の帯域幅範囲要件が必要とされるわけではない。
再び図6Aを参照すると、プリズム610は、プリズム410を回転させる作動システム610Aに取り付けることができ、プリズム610のそのような回転は、光ビーム110Aの波長の微制御を提供することができる。作動システム610Aは、圧電モータによって制御される回転式ステッピングモータを含み得る。圧電モータは、逆圧電効果を利用することによって動作し、逆圧電効果では、直線又は回転運動を生み出すために、材料は、音響又は超音波振動を生み出す。
或いは、プリズム610は、回転式ステッピングモータ(回転シャフト622A及び回転シャフト622Aに固定された回転プレート623Aを有する回転式ステッピングモータ621Aのような)を含む高速作動システム610Aに取り付けることができる。回転シャフトひいては回転プレートは、軸中心線の周りを回転し、軸中心線は、プリズム610の重心に平行であり(回転軸APに相当する)、また、装置630のZSF軸にも平行である。このように、プリズム610の回転は、光ビーム110Aの帯域幅のさらなる微制御を提供することができる。
格子600により近く、プリズム620のサイズより大きいか又は等しいサイズを有するプリズム615は、いくつかの実装では、空間に固定することができる。格子600により近い次のプリズム610は、プリズム615のサイズより大きいか又は等しいサイズを有する。
格子610に最も近いプリズム605は、プリズム610のサイズより大きいか又は等しいサイズを有する(プリズム605は、ビームエキスパンダの中で最も大きいプリズムである)。プリズム605は、プリズム605を回転させる作動システム605Aに取り付けることができ、プリズム605のそのような回転は、光ビーム110Aの波長の粗制御を提供することができる。例えば、プリズム605は、光ビーム110A(ひいては光ビーム110)の波長を約193.2ナノメートル(nm)〜約193.5nmに調節するために、1〜2度回転することができる。いくつかの実装では、作動システム605Aは、プリズム605が固定される取付面(プレート623Aなど)及び取付面を回転させるモータシャフトを含む回転式ステッピングモータを含む。作動システム605Aのモータは、以前のリニアステッピングモータ及びフレクシャ組合せ設計より50倍速い圧電モータであり得る。作動システム620Aのように、作動システム605Aは、制御システム185又は制御モジュール650に対して角度位置フィードバックを提供する光学回転式エンコーダを含み得る。
図7A及び7Bを参照すると、スペクトル特徴選択装置730の別の実装では、高速作動システム720Aは、格子700から最も遠く離れたビームエキスパンダのプリズム720を軸中心線ARの周りで回転Rさせるように設計される。任意選択により又はそれに加えて、プリズム710と関連付けられた作動システム710Aも、高速作動システム720A又は620Aのように設計された高速作動システムであり得る。
装置730は、拡張アーム725Aを含み、拡張アーム725Aは、軸中心線ARの場所で回転プレート723Aに機械的にリンクされる第1の領域740Aを有する。拡張アーム725Aは、第2の領域745Aが軸中心線ARと交わらないように、XSF−YSF平面の方向に沿って(従って、軸中心線ARに垂直な方向に沿って)軸中心線ARからオフセットが設けられた第2の領域745Aを有する。プリズム720は、第2の領域745Aに機械的にリンクされる。
プリズム720の重心(プリズム軸AP)及び軸中心線ARは両方とも、装置730のZSF軸と平行に維持されるが、プリズム720の重心は、軸中心線ARからオフセットが設けられる。軸中心線ARの周りの角度Δθの拡張アーム725Aの回転は、組み合わされた動き(すなわち、XSF−YSF平面内の軸中心線ARの周りの角度Δθ(図5Cを参照)のプリズム720の回転Rと、装置730のXSF−YSF平面内のある方向に沿ったプリズム720の直線平行移動T)をプリズム720に与える。図7Cの例では、プリズム720は、第1の角度θ1から第2の角度θ2まで回転Rされ、XSF−YSF平面の第1の位置Pos1からXSF−YSF平面の第2の位置Pos2まで平行移動Tされる。
それにより、プリズム720に対する直線平行移動Tは、格子700の表面702の長い方の軸701に平行な方向に沿って光ビーム110Aを平行移動させる。また、長い方の軸701は、装置730のXSF−YSF平面に沿って位置する。光ビーム110Aのこの平行移動を実行することにより、可能な光学倍率OMの範囲の下限で格子700のどのエリア又は領域が照射を受けるかを制御することが可能である。その上、格子700及び格子の表面702は不均一である。すなわち、格子700の表面702のいくつかの領域は、光ビーム110Aの波面に対して、格子700の表面702の他の領域とは異なる変化を与え、表面702のいくつかの領域は、光ビーム110Aの波面に対して、表面702の他の領域より大きな歪みを与える。制御システム185(又は制御モジュール550)は、高速作動システム720Aを制御し、それにより、プリズム720に対する直線平行移動Tを調整し、長い方の軸701に沿って光ビーム110Aの平行移動を調整して、格子700の表面702の不均一性を利用し、格子表面702の一方の端部に近い格子表面702の歪みが高い方の領域に照射し、光学倍率を単に下げる効果が達成するよりさらに一層スペクトル帯域幅を上げることができる。
それに加えて、プリズム720に対する直線平行移動Tは、プリズム720の回転の間に、光ビーム110Aの場所に対してプリズム720の斜辺H(図7Cを参照)も平行移動させる。従って、斜辺Hに対する平行移動は、装置730の動作の間に、斜辺Hの新しい領域を光ビーム110Aにさらす。装置730の寿命にわたり、プリズム720は、その回転範囲の一方の限度から他方の限度まで回転し、また、より多くの領域が光ビーム110Aにさらされ、それにより、光ビーム110Aによってプリズム720に与えられる損傷の量が低減する。
装置630と同様に、スペクトル特徴選択装置730もまた格子600を含み、ビームエキスパンダは、プリズム705、710、715を含み、プリズム705、710、715は、光ビーム110Aの経路に沿ってプリズム720と格子700との間に位置付けられる。格子700及び4つのプリズム705、710、715、720は、光ビーム110Aが装置730のアパーチャ755を通過した後、光源105によって生成された光ビーム110Aと相互作用するように構成される。光ビーム110Aは、光ビーム110Aは、装置730のXSF−YSF平面において、アパーチャ755から、プリズム720、プリズム715、プリズム710及びプリズム705を通じて経路に沿って移動し、次いで、格子700に反射して連続プリズム705、710、715、720を通じて戻り、その後、アパーチャ755を通じて装置730を出る。
図8A〜8Dを参照すると、他の実装では、高速作動システム820Aは、高速作動システム720Aのように設計されるが、二次アクチュエータ860Aが追加される。二次アクチュエータ860Aは、格子800から最も遠く離れたプリズム820に物理的に結合される。二次アクチュエータ860Aは、軸AHの周りでプリズム820を回転させるように構成され、軸AHは、XSF−YSF平面に位置し、また、プリズム820の斜辺Hの平面にも位置する。
いくつかの実装では、必須というわけではないが、二次アクチュエータ860Aは、制御モジュール650(又は制御システム185)によって制御される。二次アクチュエータ860Aは、制御モジュール550又は制御システム185によって制御されない手動ねじ及びフレクシャ設計であり得る。例えば、アクチュエータ860Aは、システム820Aが使用される前に設定するか、又は、システム820Aの使用の合間に手動で周期的に変更することができる。
従って、プリズム820は、プリズム815、810、805及び格子800の各々を通じる光ビーム110Aの経路をより良く維持するために、光ビーム110Aがプリズム820及びプリズム820の斜辺Hに入る所にわたってより優れた制御を可能にするために、XSF−YSF平面に位置する軸AHの周りを回転することができる。具体的には、軸AHの周りのプリズム820の回転により、光ビーム110Aのさらなる微調整を行うことができる。例えば、プリズム820は、プリズム820がAP又はAR軸の周りで回転する場合であっても、格子800から再帰反射した(すなわち、回折した)光ビーム110Aが、XSF−YSF平面にとどまり、装置830のZSF軸に沿って変位しないことを保証するために、軸AHの周りを回転することができる。AP又はAR軸がZSF軸と完全には位置合わせされない場合、このZSF軸調整を有することが有益である。それに加えて、拡張アーム825Aは、片持ち梁であり、軸AHの周りで反れるようにZSF軸に沿って撓むか又は動くことができるため、AH軸の周りでプリズム820を回転させることが有益であり、二次アクチュエータ860Aは、この反りを相殺するために使用することができる。
図9を参照すると、例示的な光源905は、光ビーム110としてパルスレーザビームを生成するパルスレーザ源である。光源905は、パワー増幅器(PA)910にシード光ビーム110Aを提供するマスタ発振器(MO)900を含む2ステージレーザシステムである。マスタ発振器900は、典型的には、増幅が起こる利得媒体と、光共振器などの光フィードバック機構とを含む。パワー増幅器910は、典型的には、マスタ発振器900からシードレーザビームでシードされる際に増幅が起こる利得媒体を含む。パワー増幅器910が再生リング共振器として設計されている場合は、パワー増幅器910は、パワーリング増幅器(PRA)として説明され、この事例では、リング設計から十分な光フィードバックを提供することができる。スペクトル特徴選択装置130は、比較的に低い出力パルスエネルギーで光ビーム110Aの中心波長及び帯域幅などのスペクトルパラメータの微調節を可能にするために、マスタ発振器900から光ビーム110Aを受信する。パワー増幅器910は、マスタ発振器900から光ビーム110Aを受信し、フォトリソグラフィにおいて使用するための出力に必要な電力を得るために、この出力を増幅する。
マスタ発振器900は、2つの細長い電極と、利得媒体として機能するレーザガスと、電極間でガスを循環させるファンとを有する放電チャンバを含む。レーザ共振器は、パワー増幅器910にシード光ビーム110Aを出力するために、放電チャンバの一方の側のスペクトル特徴選択装置130と放電チャンバの第2の側の出力カプラ915との間に形成される。
また、光源905は、出力カプラ915から出力を受信する線中心分析モジュール(LAM)920や、必要に応じてビームのサイズ及び/又は形状を修正する1つ又は複数のビーム修正光学システム925も含み得る。線中心分析モジュール920は、シード光ビームの波長(例えば、中心波長)を測定するために使用することができる測定システム170内の測定システムの1つのタイプの例である。
パワー増幅器910は、パワー増幅器放電チャンバを含み、パワー増幅器910が再生リング増幅器である場合は、パワー増幅器は、循環経路を形成するために、光ビームを反射して放電チャンバに戻すビームリフレクタ又はビーム調節デバイス930も含む。パワー増幅器放電チャンバは、1対の細長い電極と、利得媒体として機能するレーザガスと、電極間でガスを循環させるためのファンとを含む。シード光ビーム110Aは、パワー増幅器910を繰り返し通過することによって増幅される。ビーム修正光学システム925は、出力光ビーム110を形成するために、シード光ビーム110Aを捕らえ、パワー増幅器からの増幅放射の一部分を逃がす方法(例えば、部分反射ミラー)を提供する。
マスタ発振器900及びパワー増幅器910の放電チャンバにおいて使用されるレーザガスは、必要な波長及び帯域幅周辺のレーザビームを生成するための適切ないかなるガスでもあり得る。例えば、レーザガスは、約193nmの波長の光を放出するフッ化アルゴン(ArF)又は約248nmの波長の光を放出するフッ化クリプトン(KrF)であり得る。
線中心分析モジュール920は、マスタ発振器900の出力(光ビーム110A)の波長をモニタする。線中心分析モジュール920は、光源905内の他の場所に配置することも、光源905の出力に配置することもできる。
パワー増幅器910によって生成されたパルスの繰り返し率は、スキャナ115のコントローラ140からの命令の下で、マスタ発振器900が制御システム185によって制御される繰り返し率によって決定される。パワー増幅器910から出力されたパルスの繰り返し率は、スキャナ115によって見られる繰り返し率である。
上記で論じられるように、図5Aのものなどの光学素子のみを使用して、帯域幅を粗制御及び微制御することが両方とも可能である。他方では、MO 900内の電極の起動とPRA 910内の電極の起動との間の差動タイミングを制御することによって、細かく狭い範囲において急速に帯域幅を制御する一方で、高速作動システム520Aを使用してプリズム520の角度を調整することによって、粗く広い範囲において帯域幅を制御することが可能である。
図10を参照すると、本明細書で説明されるシステム及び方法の態様に関連する制御システム185についての詳細が提供されている。制御システム185は、図10には示されていない他のフィーチャを含み得る。一般に、制御システム185は、デジタル電子回路、コンピュータハードウェア、ファームウェア及びソフトウェアのうちの1つ又は複数を含む。
制御システム185は、読み取り専用メモリ及び/又はランダムアクセスメモリであり得るメモリ1000を含む。コンピュータプログラム命令及びデータを明確に具体化するのに適した記憶装置は、不揮発性メモリのすべての形態を含み、例示として、EPROM、EEPROM及びフラッシュメモリデバイスなどの半導体メモリデバイスや、内部ハードディスク及びリムーバブルディスクなどの磁気ディスクや、光磁気ディスクや、CD−ROMディスクを含む。また、制御システム185は、1つ又は複数の入力デバイス1005(キーボード、タッチスクリーン、マイクロフォン、マウス、ハンドヘルド入力デバイスなど)及び1つ又は複数の出力デバイス1010(スピーカ又はモニタなど)も含み得る。
制御システム185は、1つ又は複数のプログラマブルプロセッサ1015と、プログラマブルプロセッサ(プロセッサ1015など)による実行のために機械可読記憶装置において明確に具体化された1つ又は複数のコンピュータプログラム製品1020とを含む。1つ又は複数のプログラマブルプロセッサ1015の各々は、入力データに基づいて動作して適切な出力を生成することによって、所望の機能を実行するための命令のプログラムを実行することができる。一般に、プロセッサ1015は、メモリ1000から命令及びデータを受信する。前述の何れも、特別に設計されたASIC(特定用途向け集積回路)によって捕捉すること、又は、特別に設計されたASIC(特定用途向け集積回路)に組み込むことができる。
制御システム185は、数ある他のコンポーネントの中でも特に、スペクトル特徴分析モジュール1025、計測モジュール1027、リソグラフィ分析モジュール1030、決定モジュール1035、光源作動モジュール1050、リソグラフィ作動モジュール1055、ビーム準備作動モジュール1060を含む。これらのモジュールの各々は、プロセッサ1015などの1つ又は複数のプロセッサによって実行される1組のコンピュータプログラム製品であり得る。その上、モジュール1025、1030、1035、1050、1055、1060の何れも、メモリ1000内に格納されたデータにアクセスすることができる。
スペクトル特徴分析モジュール1025は、測定システム170から出力を受信する。計測モジュール1027は、計測装置145からデータを受信する。リソグラフィ分析モジュール1030は、スキャナ115のリソグラフィコントローラ140から情報を受信する。決定モジュール1035は、分析モジュール(モジュール1025、1027、1030など)から出力を受信し、分析モジュールからの出力に基づいて、1つ又は複数のどの作動モジュールを作動する必要があるかを決定する。光源作動モジュール1050は、光源105及びスペクトル特徴選択装置130のうちの1つ又は複数に接続される。リソグラフィ作動モジュール1055は、スキャナ115に接続され、具体的には、リソグラフィコントローラ140に接続される。ビーム準備作動モジュール1060は、ビーム準備システム112の1つ又は複数のコンポーネントに接続される。
図10にはほんのわずかなモジュールしか示されていないが、制御システム185は、他のモジュールを含むことができる。それに加えて、制御システム185は、すべてのコンポーネントが同一場所に配置されたボックスとして表現されているが、制御システム185は、互いに物理的にリモート設置されたコンポーネントで構成することができる。例えば、光源作動モジュール1050は、光源105又はスペクトル特徴選択装置130と物理的に同一場所に配置することができる。
一般に、制御システム185は、測定システム170から少なくとも光ビーム110についての何らかの情報を受信し、スペクトル特徴分析モジュール1025は、スキャナ115に供給される光ビーム110の1つ又は複数のスペクトル特徴(例えば、帯域幅)をどのように調整するかを決定するために、情報に対する分析を実行する。この決定に基づいて、制御システム185は、制御モジュール550を介して光源105の動作を制御するために、スペクトル特徴選択装置130及び/又は光源105に信号を送信する。一般に、スペクトル特徴分析モジュール1025は、光ビーム110の1つ又は複数のスペクトル特徴(例えば、波長及び/又は帯域幅)を推定するために必要な分析を実行する。スペクトル特徴分析モジュール1025の出力は、決定モジュール1035に送信されるスペクトル特徴の推定値である。
スペクトル特徴分析モジュール1025は、比較ブロックを含み、比較ブロックは、推定スペクトル特徴を受信するために接続され、また、スペクトル特徴ターゲット値を受信するためにも接続される。一般に、比較ブロックは、スペクトル特徴ターゲット値と推定値との差を表すスペクトル特徴エラー値を出力する。決定モジュール1035は、スペクトル特徴エラー値を受信し、スペクトル特徴を調整するために、システム100に対する補正をどう達成するのが一番良いかを決定する。従って、決定モジュール1035は、光源作動モジュール1050に信号を送信し、光源作動モジュール1050は、スペクトル特徴エラー値に基づいて、スペクトル特徴選択装置130(又は光源105)をどのように調整するかを決定する。光源作動モジュール1050の出力は、スペクトル特徴選択装置130に送信される1組のアクチュエータコマンドを含む。例えば、光源作動モジュール1050は、制御モジュール550にコマンドを送信し、制御モジュール550は、装置530内の作動システムに接続される。
それに加えて、リソグラフィ分析モジュール1030は、例えば、パルス光ビーム110の1つ又は複数のスペクトル特徴を変更するか又は光ビーム110のパルス繰り返し率を変更するために、スキャナ115のリソグラフィコントローラ140から命令を受信することができる。リソグラフィ分析モジュール1030は、スペクトル特徴をどのように調整するかを決定するために、これらの命令に対する分析を実行し、分析の結果を決定モジュール1035に送信する。制御システム185は、所定の繰り返し率での動作を光源105に行わせる。より具体的には、スキャナ115は、トリガ信号を光源105に送信し(あらゆるパルスに対して(すなわち、パルスごとに)制御システムによって(リソグラフィ分析モジュール1030を通じて)、それらのトリガ信号間の時間間隔は、任意のものであり得るが、スキャナ115が一定の間隔でトリガ信号を送信する際は、それらの信号のレートが繰り返し率である。繰り返し率は、スキャナ115によって要求されるレートであり得る。
図11を参照すると、手順1100は、フォトリソグラフィシステム100によって、ウェーハ120の各サブエリアにおいて1つ又は複数のリソグラフィ性能パラメータの変化を補償するため、パルス光ビーム110の少なくとも2つのスペクトル特徴を急速に且つ独立して制御するために実行される。少なくとも2つのスペクトル特徴の独立した制御とは、ウェーハ120の特定のサブエリアに対して第1のスペクトル特徴を調整すべきであり、そのウェーハ120の特定のサブエリアに対して第2のスペクトル特徴を維持すべきである場合、手順1100は、第2のスペクトル特徴を許容範囲内に維持するために必要なステップを行い、このステップは、ウェーハ120の各サブエリアに対して行われることを意味する。従って、第1のスペクトル特徴及び第2のスペクトル特徴は、ウェーハ120の特定のサブエリアにおいて任意の調整が必要とされた後、且つ、ウェーハ120の次のサブエリアが分析される前に、安定した値に達する。スペクトル特徴選択システム130はパルス光ビーム110のスペクトル特徴のより急速な調整を提供するように再設計されているため、この急速な分析及び調整は、ウェーハ120の各サブエリアに対して行われる。手順1100は、制御システム185によって実行することができる。
例えば、光源105によって、パルス光ビーム110が生成される(1105)。パルス光ビーム110は、スペクトル特徴選択システム130を通じてシード光ビーム110Aを誘導することによって生成することができる(1105)。
例えば、パルス光ビーム110は、パルス光ビーム910Aの第1のスペクトル特徴を選択することを含めて第1のガス放電ステージ(マスタ発振器900など)からの第1のパルス光ビーム910Aを生成することと、第1のパルス光ビーム910Aを第2のガス放電ステージ(パワー増幅器910など)の方に誘導することと、第2のガス放電ステージにおいて第1のパルス光ビームを増幅し、それにより、光源905からのパルス光ビーム910を生成することとによって、光源905から生成することができる。
パルス光ビーム110は、ウェーハ120に向けて誘導され、ウェーハ120は、スキャナ115のステージ122に取り付けられる。例えば、光源105によって生成されたパルス光ビーム110は、必要に応じて修正され、ビーム準備システム112によってスキャナ115に向けて方向転換される。
例えば、パルス光ビーム110及びウェーハ120を横平面(X−Y平面)に沿って互いに対して移動させることによって、ウェーハ120にわたってパルス光ビーム110がスキャンされる(1110)。具体的には、リソグラフィコントローラ140は、ウェーハステージ122、マスク134及び対物配列132と関連付けられた作動システムに1つ又は複数の信号を送信し、それにより、露光の間、ウェーハ220の各サブエリアにわたって(各露光フィールド223に対して)露光ウィンドウ400をスキャンするために、マスク134、対物配列132及びウェーハ120(ステージ122を介して)のうちの1つ又は複数を互いに対して移動させることができる。
リソグラフィ処理のための光ビーム110による露光のために、ウェーハ120の第1のサブエリアが選択される(1115)。選択されるウェーハ120のサブエリアは、露光フィールド(ウェーハ220の露光フィールド223など)であり得る。或いは、ウェーハ120のサブエリアは、光ビーム110の単一パルスと相互作用するウェーハ120のその部分に相当し得る。
ウェーハ120のその選択されたサブエリアに対するウェーハ120におけるリソグラフィ性能パラメータが受信される(1120)。例えば、制御システム185は、リソグラフィコントローラ140からウェーハ120のサブエリアに対する性能パラメータを受信し、リソグラフィコントローラ140は、計測装置145からデータを受信する。ウェーハ120における性能パラメータは、ウェーハ120にわたってパルス光ビーム110をスキャンしている間に、ウェーハ120の各サブエリアにおいて受信することも、ウェーハ120にわたってパルス光ビーム110をスキャンする前に受信することもできる(1120)。
受信された性能パラメータ(1120)は、ウェーハの物理的プロパティのエラー、ウェーハ上に形成されたフィーチャのコントラスト、パルス光ビーム110が露光されたサブエリアのクリティカルディメンション、ターゲットに対する又は下位のフィーチャ(すなわち、オーバーレイ)に対するウェーハ120上に形成されたフィーチャの配置(所望の/ターゲット場所に対するX,Y場所)、フォトレジストプロファイル、側壁角及びウェーハ120の位置の変化のうちの1つ又は複数であり得る。
制御システム185は、例えば、受信されたリソグラフィ性能パラメータが値の許容範囲外にあるかどうかを判断するために、受信されたリソグラフィ性能パラメータを分析する(1125)。リソグラフィ性能パラメータが値の許容範囲外にある場合は(1125)、制御システム185は、ウェーハ120のそのサブエリアにおけるリソグラフィ性能パラメータの許容できない変化を補償するために、光ビーム110の第1のスペクトル特徴をどのように修正するかを決定する。制御システム185は、リソグラフィ性能パラメータの許容できない変化を補償する量だけ光ビーム110の第1のスペクトル特徴を変更する(1130)ために、スペクトル特徴選択装置130に信号を送信する。
その上、制御システム185は、光ビーム110の第1のスペクトル特徴の修正が光ビーム110の第2のスペクトル特徴の値に影響を及ぼすかどうかも分析し、光ビーム110の第2のスペクトル特徴を許容範囲内に維持するように動作する。例えば、制御システム185は、光ビーム110の第1のスペクトル特徴の修正によって生じる光ビーム110の第2のスペクトル特徴の望まない修正を相殺するために光ビーム110の第2のスペクトル特徴を変更する必要があると決定することができる。従って、制御システム185は、この望まない修正を補償する量だけ光ビームの第2のスペクトル特徴を変更する(1130)ために、スペクトル特徴選択装置130に信号を送信する。
制御システム185は、リソグラフィ処理のために光ビーム110によってウェーハ120の追加のサブエリアに露光する必要があるかどうかを判断し(1135)、ウェーハ120の追加のサブエリアに露光する必要がある場合は(1135)、制御システム185は、リソグラフィ処理のために光ビーム110によって露光すべきサブエリアとしてウェーハ120の次のサブエリアを選択する(1140)。従って、手順1100は、ウェーハ120全体が処理されるまで続く。
その上、手順1100は、スペクトル特徴選択システム130の回折面(表面502など)からパルス光ビーム110Aを選択的に反射させることによって、パルス光ビーム110の第1のスペクトル特徴を修正することができる(1130)。
パルス光ビームの第1のスペクトル特徴は、修正することができ(1130)、パルス光ビームの第2のスペクトル特徴は、パルス光ビームが回折光学素子に再帰反射して多数のプリズムを通じて戻るように、回折光学素子(格子500など)に向けて多数のプリズム(プリズム505、510、515、520など)を通じてパルス光ビームを誘導することによって維持することができる(113)。それに加えて、ビームエキスパンダの少なくとも2つのプリズムは、回折光学素子へのパルス光ビーム110の入射角562は変化するが回折光学素子へのパルス光ビームの総合倍率565は不変であるように、回転することができる。
パルス光ビームの波長を修正することにより、光ビーム110の第1のスペクトル特徴を修正することができる(1130)。その上、パルス光ビーム110の帯域幅を帯域幅の範囲内に維持することにより、第2のスペクトル特徴を維持することができる(1130)。例えば、パルス光ビーム110の帯域幅は、+/−10フェムトメートル(fm)内又は+/−1fm内に維持することができる。
パルス光ビーム110の第1のスペクトル特徴は、パルス光ビーム110Aが通過するスペクトル特徴選択装置130の第1のプリズムシステムを回転させることによって修正することができる(1130)。例えば、制御システム185は、ビームエキスパンダ501の1つ又は複数のプリズムを回転させるために、図5Aのスペクトル特徴選択装置130の制御モジュール550に信号を送信することができる。例えば、プリズム505は、比較的粗い波長修正のために回転させることができ、プリズム510は、比較的細かい波長修正のために回転させることができる。別の例として、プリズム505は、比較的粗い波長修正のために回転させることができ、プリズム515は、比較的細かい波長修正のために回転させることができる。
その上、パルス光ビーム110の第2のスペクトル特徴は、パルス光ビーム110Aが通過するスペクトル特徴選択装置130の第2のプリズムシステムを回転させることによって維持することができる(1130)。例えば、制御システム185は、ビームエキスパンダ501の1つ又は複数のプリズムを回転させるために、図5Aのスペクトル特徴選択装置130の制御モジュール550に信号を送信することができる。例えば、プリズム520は、比較的粗い帯域幅調整のために回転させることができ、プリズム510は、上記で論じられる高速アクチュエータを使用して比較的細かい帯域幅調整のために回転させることができる。
比較的粗い波長修正は、比較的細かい波長修正を提供するために使用される作動ステップより比較的大きな、そのプリズムと関連付けられた作動ステップによって達成することができる。同様に、比較的粗い帯域幅調整は、比較的細かい帯域幅修正を提供するために使用される作動ステップより比較的大きな、そのプリズムと関連付けられた作動ステップによって達成することができる。
パルス光ビーム110の第1のスペクトル特徴は、パルス光ビーム110Aが通過するスペクトル特徴選択装置130のプリズム505と格子500との間に配置されたミラーを回転させることによって修正することができる(1130)。例えば、制御システム185は、ミラーを回転させるために、図5Aのスペクトル特徴選択装置130の制御モジュール550に信号を送信することができる。
制御システム185は、パルス光ビーム110の第1のスペクトル特徴の修正(1130)に起因する第2のスペクトル特徴の変化を補償するために、第2のスペクトル特徴を調整することによって、パルス光ビーム110の第2のスペクトル特徴を維持することができる(1130)。その上、パルス光ビーム110の第2のスペクトル特徴は、パルス光ビーム110の第1のスペクトル特徴を修正すること(1130)と同時に調整することができる(1130)。
パルス光ビーム110の第1のスペクトル特徴の修正(1130)は、ウェーハ120におけるパルス光ビーム110の第1の条件の修正をもたらす。例えば、第1のスペクトル特徴が光ビーム110の波長である場合は、波長の修正は、ウェーハ120における光ビーム110の焦点面の修正をもたらす。パルス光ビーム110の第2のスペクトル特徴の維持(1130)は、ウェーハ120におけるパルス光ビーム110の第2の条件の特定のレベルでの維持をもたらす。例えば、第2のスペクトル特徴が光ビーム110の帯域幅である場合は、光ビーム110の帯域幅を維持することにより、コントラスト属性又はウェーハ120における光ビーム110の焦点深度を維持することができる。
上記で与えられた例は図5Aのスペクトル特徴選択装置を指すが、図6A、7A、8Aのスペクトル特徴選択装置に対する設計の何れも、手順1100の1つ又は複数のステップを実行するために代わりに使用することができる。
それに加えて、手順1100の間、制御システム185は、ウェーハ120にわたって光ビーム110がスキャンされている間に、パルス光ビーム110の1つ又は複数のスペクトル特徴を制御するために、図12に示されるような並行手順1150も実行する。この手順1150は、リソグラフィ性能パラメータが許容範囲外にあるかどうかとは無関係に実行され、従って、リソグラフィ性能パラメータを考慮しない。それにもかかわらず、手順1150の間に制御システム185によって実行される分析は、制御システム185によって、受信されたリソグラフィ性能パラメータをどのように分析する(1125)か、を決定し、第1のスペクトル特徴を修正し、第2のスペクトル特徴を維持する(1130)ためにも使用することができる。
手順1150は、パルス光ビーム110の1つ又は複数のスペクトル特徴を測定すること(1155)と、測定されたスペクトル特徴の何れかが値の許容範囲外にあるかどうかを判断すること(1160)とを含む。例えば、制御システム185のスペクトル特徴分析モジュール1025は、測定システム170(1155)からスペクトル特徴測定値を受信することができる。スペクトル特徴分析モジュール1025は、スペクトル特徴の何れかが値の許容範囲外にあるかどうかを判断することができる(1160)。スペクトル特徴の何れかが値の許容範囲外にある場合は、それらのスペクトル特徴は調整される(1165)。例えば、決定モジュール1035は、光源作動モジュール1050に信号を送信することができ、光源作動モジュール1050は、光ビーム110の1つ又は複数のスペクトル特徴を調整する(1165)ために、スペクトル特徴選択装置130に信号を送信する。この調整は、ウェーハ特性の変化を説明するために行う必要があるいかなる調整(1130)とも合わせることができる。
手順1150は、スキャンの間に、一定の間隔で、例えば、ステップ1120、1125、1130が実行される各露光フィールド223又は各サブエリアに対して実行することができる。その上、制御システム185は、第1のスペクトル特徴が値の許容範囲内にあることを保証するために、リソグラフィ性能パラメータ変化を補償するために必要とされる第1のスペクトル特徴の調整(1130)を、第1のスペクトル特徴の任意の必要な調整に合わせることができる。
他の実装は、以下の請求項の範囲内にある。

Claims (21)

  1. パルス光ビームを生成する光源と、
    前記パルス光ビームと光学的に相互作用するスペクトル特徴選択システムと、
    前記パルス光ビームでリソグラフィ装置に位置付けられた基板を露光するために、前記基板にわたって前記パルス光ビームをスキャンするスキャン光学システムと、
    前記基板の各サブエリアにおいて少なくとも1つのリソグラフィ性能パラメータを決定する計測装置であって、サブエリアが、前記基板の全エリアの一部分である、計測装置と、
    前記スペクトル特徴選択システム、前記光源及び前記計測装置に接続された制御システムであって、各基板サブエリアにおいて、
    前記決定されたリソグラフィ性能パラメータを受信し、
    前記決定されたリソグラフィ性能パラメータを分析し、
    前記決定されたリソグラフィ性能パラメータの前記分析に基づいて、
    第1の信号を前記スペクトル特徴選択システムに送信することによって前記パルス光ビームの第1のスペクトル特徴を修正し、
    前記パルス光ビームの前記第1のスペクトル特徴を修正している間に第2の信号を前記スペクトル特徴選択システムに送信することによって前記パルス光ビームの第2のスペクトル特徴を維持する
    制御システムと
    を含む、
    前記スペクトル特徴選択システムが、
    分散光学素子及び少なくとも3つの屈折光学素子を含むビームエキスパンダであって、前記パルス光ビームが、分散光学素子及び前記多数の屈折光学素子の各々と相互作用する、分散光学素子及びビームエキスパンダと、
    多数のアクチュエータを含む作動システムであって、前記多数のアクチュエータの各々が、前記少なくとも3つの屈折光学素子のうちの1つを前記パルス光ビームに対して回転させる、作動システムと
    を含み、
    前記作動システムが、前記屈折光学素子の少なくとも1つと関連付けられた高速アクチュエータを含み、前記高速アクチュエータが、回転ステージを含み、前記回転ステージが、回転軸の周りを回転し、前記関連付けられた屈折光学素子を前記回転軸の周りで回転させるために前記関連付けられた屈折光学素子と機械的にリンクされた領域を含む、
    第1の屈折光学素子の前記回転が、前記パルス光ビームの前記第2のスペクトル特徴を比較的粗く変化させ、第2の屈折光学素子の前記回転が、前記パルス光ビームの前記第1のスペクトル特徴を比較的細かく変化させ、第3の屈折光学素子の前記回転が、前記パルス光ビームの前記第2のスペクトル特徴を比較的細かく変化させる、フォトリソグラフィ装置。
  2. 前記基板の各サブエリアが前記基板の露光フィールドであるか、又は、各サブエリアが前記パルス光ビームの単一パルスに対応する、請求項1に記載のフォトリソグラフィ装置。
  3. 前記スペクトル特徴選択システムが、スペクトル特徴作動機構を含み、前記スペクトル特徴作動機構が、前記スペクトル特徴作動機構の1つ又は複数の要素を変更し、それにより、前記パルス光ビームとの相互作用を変更する作動システムを含む、請求項1に記載のフォトリソグラフィ装置。
  4. 前記リソグラフィ性能パラメータが、所望の位置からの前記基板の位置の平均オフセット及び前記基板のステージ振動のうちの1つ又は複数を含む、請求項1に記載のフォトリソグラフィ装置。
  5. 前記リソグラフィ性能パラメータが、前記基板の中央サブエリアから前記基板のエッジのサブエリアまで様々である前記基板の位置を含む、請求項1に記載のフォトリソグラフィ装置。
  6. パルス光ビームを生成する光源と、
    前記パルス光ビームと光学的に相互作用するスペクトル特徴選択システムと、
    前記パルス光ビームでリソグラフィ装置に位置付けられた基板を露光するために、前記基板にわたって前記パルス光ビームをスキャンするスキャン光学システムと、
    前記基板の各サブエリアにおいて少なくとも1つのリソグラフィ性能パラメータを決定する計測装置であって、サブエリアが、前記基板の全エリアの一部分である、計測装置と、
    前記スペクトル特徴選択システム、前記光源及び前記計測装置に接続された制御システムであって、各基板サブエリアにおいて、
    前記決定されたリソグラフィ性能パラメータを受信し、
    前記決定されたリソグラフィ性能パラメータを分析し、
    前記決定されたリソグラフィ性能パラメータの前記分析に基づいて、
    第1の信号を前記スペクトル特徴選択システムに送信することによって前記パルス光ビームの第1のスペクトル特徴を修正し、
    前記パルス光ビームの前記第1のスペクトル特徴を修正している間に第2の信号を前記スペクトル特徴選択システムに送信することによって前記パルス光ビームの第2のスペクトル特徴を維持する
    制御システムと
    を含む、
    前記スペクトル特徴選択システムが、少なくとも3つの屈折光学素子を含み、
    第1の屈折光学素子の回転が、前記パルス光ビームの前記第2のスペクトル特徴を比較的粗く変化させ、第2の屈折光学素子の回転が、前記パルス光ビームの前記第1のスペクトル特徴を比較的細かく変化させ、第3の屈折光学素子の回転が、前記パルス光ビームの前記第2のスペクトル特徴を比較的細かく変化させる、フォトリソグラフィ装置。
  7. 前記ビームエキスパンダが、第4の屈折光学素子を含み、前記第4の屈折光学素子の回転が、前記パルス光ビームの前記第1のスペクトル特徴を比較的粗く変化させる、請求項に記載のフォトリソグラフィ装置。
  8. 前記制御システムが、前記リソグラフィ性能パラメータが許容範囲外にあるかどうかを判断することによって、前記決定されたリソグラフィ性能パラメータを分析し、
    前記制御システムが、前記リソグラフィ性能パラメータが許容範囲外にあると判断された場合は、前記スペクトル特徴選択システムに前記第1の信号を送信することによって、前記パルス光ビームの前記第1のスペクトル特徴を修正する、請求項1に記載のフォトリソグラフィ装置。
  9. 前記スキャン光学システムが、前記パルス光ビームが前記基板の各サブエリアと相互作用するように、前記パルス光ビーム及び前記基板のうちの1つ又は複数を横平面に沿って互いに対して移動させるように構成され、前記横平面が、前記パルス光ビームが誘導される軸方向に垂直なものである、請求項1に記載のフォトリソグラフィ装置。
  10. 光源からパルス光ビームを生成することと、
    前記パルス光ビームで基板の各サブエリアに露光することを含めて前記パルス光ビームで前記基板に露光するために、リソグラフィ露光装置の前記基板にわたって前記パルス光ビームをスキャンすることであって、サブエリアが、前記基板の全エリアの一部分である、スキャンすることと、
    前記基板の各サブエリアに対して、
    前記基板の前記サブエリアと関連付けられたリソグラフィ性能パラメータを受信することと、
    前記受信されたリソグラフィ性能パラメータを分析することと、
    前記分析に基づいて、スペクトル特徴選択システムによって、前記パルス光ビームの少なくとも第1のスペクトル特徴を修正し、前記パルス光ビームの少なくとも第2のスペクトル特徴を維持することと
    を含み、
    前記スペクトル特徴選択システムが、
    分散光学素子及び少なくとも3つの屈折光学素子を含むビームエキスパンダであって、前記パルス光ビームが、分散光学素子及び前記多数の屈折光学素子の各々と相互作用する、分散光学素子及びビームエキスパンダと、
    多数のアクチュエータを含む作動システムであって、前記多数のアクチュエータの各々が、前記少なくとも3つの屈折光学素子のうちの1つを前記パルス光ビームに対して回転させる、作動システムと
    を含み、
    前記作動システムが、前記屈折光学素子の少なくとも1つと関連付けられた高速アクチュエータを含み、前記高速アクチュエータが、回転ステージを含み、前記回転ステージが、回転軸の周りを回転し、前記関連付けられた屈折光学素子を前記回転軸の周りで回転させるために前記関連付けられた屈折光学素子と機械的にリンクされた領域を含む、
    第1の屈折光学素子の前記回転が、前記パルス光ビームの前記第2のスペクトル特徴を比較的粗く変化させ、第2の屈折光学素子の前記回転が、前記パルス光ビームの前記第1のスペクトル特徴を比較的細かく変化させ、第3の屈折光学素子の前記回転が、前記パルス光ビームの前記第2のスペクトル特徴を比較的細かく変化させる、フォトリソグラフィ方法。
  11. 前記基板の各サブエリアにおいて前記リソグラフィ性能パラメータを受信することが、前記基板にわたって前記パルス光ビームをスキャンしている間に前記基板の各サブエリアにおいて前記リソグラフィ性能パラメータを受信することを含む、請求項10に記載の方法。
  12. 前記サブエリアにおいて前記リソグラフィ性能パラメータを受信することが、前記基板の物理的プロパティのエラー、前記基板上に形成されたフィーチャのコントラスト、前記パルス光ビームが露光された前記基板の各サブエリアのクリティカルディメンション、ターゲットに対する又は下位のフィーチャに対する前記基板上に形成された前記フィーチャの配置(所望の/ターゲット場所に対するX,Y場所)、フォトレジストプロファイル、前記基板の側壁角、前記基板の位置の変化、所望の位置からの前記基板の位置の平均オフセット、前記基板のステージ振動、及び、前記基板の中央サブエリアから前記基板のエッジのサブエリアまで様々である前記基板の位置のうちの1つ又は複数を受信することを含む、請求項10に記載の方法。
  13. 前記基板の各サブエリアにおいて前記リソグラフィ性能パラメータを受信することが、前記基板にわたって前記パルス光ビームをスキャンする前に前記基板の各サブエリアにおいて前記リソグラフィ性能パラメータを受信することを含む、請求項10に記載の方法。
  14. 前記第1のスペクトル特徴を修正することが、前記パルス光ビームの波長を修正することを含み、
    前記第2のスペクトル特徴を維持することが、前記パルス光ビームの帯域幅を帯域幅の範囲内に維持することを含む、請求項10に記載の方法。
  15. 前記パルス光ビームの前記帯域幅を前記帯域幅の範囲内に維持することが、前記パルス光ビームの前記帯域幅を+/−10フェムトメートル(fm)内又は+/−1fm内に維持することを含む、請求項14に記載の方法。
  16. 前記パルス光ビームの前記第1のスペクトル特徴を修正することが、前記パルス光ビームが通過する第1のプリズムシステムを回転させることを含み、
    前記パルス光ビームの前記第2のスペクトル特徴を維持することが、前記パルス光ビームが通過する第2のプリズムシステムを回転させることを含み、
    前記第1のプリズムシステム及び前記第2のプリズムシステムが、スペクトル特徴選択システム内のコンポーネントである、請求項10に記載の方法。
  17. 前記基板の少なくとも各サブエリアにおいて、前記光源から生成された前記パルス光ビームのスペクトル特徴を推定することと、
    前記推定されたスペクトル特徴が許容範囲内にあるかどうかを判断することと、
    前記推定されたスペクトル特徴が前記許容範囲内にないと判断された場合は、前記パルス光ビームの前記スペクトル特徴を修正することと
    をさらに含み、
    前記スペクトル特徴が、前記第1のスペクトル特徴及び前記第2のスペクトル特徴のうちの1つ又は複数である、請求項10に記載の方法。
  18. 前記パルス光ビームの前記第2のスペクトル特徴を維持することが、前記パルス光ビームの前記第1のスペクトル特徴の前記修正に起因する前記第2のスペクトル特徴の変化を補償するために前記第2のスペクトル特徴を調整することを含み、
    前記パルス光ビームの前記第2のスペクトル特徴を調整することが、前記パルス光ビームの前記第1のスペクトル特徴を修正することと同時に起こる、請求項10に記載の方法。
  19. 前記受信されたリソグラフィ性能パラメータを分析することが、前記リソグラフィ性能パラメータに基づいて、所望の位置からの前記基板の位置の平均オフセットを含む前記基板の物理的プロパティが許容範囲外にあるかどうかを判断することを含む、請求項10に記載の方法。
  20. 前記パルス光ビームの前記第1のスペクトル特徴を修正することにより、前記基板における前記パルス光ビームの第1の条件が修正され、前記パルス光ビームの前記第2のスペクトル特徴を維持することにより、前記基板における前記パルス光ビームの第2の条件が特定のレベルに維持される、請求項10に記載の方法。
  21. 光源からパルス光ビームを生成することと、
    基板のエッジロールオフを前記基板の各サブエリアと相関させるレシピを受信することであって、サブエリアが、前記基板の全エリアの一部分である、受信することと、
    前記パルス光ビームで前記基板の各サブエリアに露光することを含めて前記パルス光ビームで前記基板に露光するために、リソグラフィ露光装置の前記基板にわたって前記パルス光ビームをスキャンすることと、
    前記基板における焦点位置を調整し、前記露光されているサブエリアに基づいてエッジロールオフを補償するために、前記パルス光ビームの少なくとも波長を修正することと、
    前記基板における前記焦点位置を調整し、前記露光されているサブエリアに対するエッジロールオフを補償するために、前記パルス光ビームの前記波長を修正している間に、前記パルス光ビームの少なくとも帯域幅を維持することと
    を含む、フォトリソグラフィ方法。
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