CN114144731B - 补偿由重复率偏差引起的波长误差的方法 - Google Patents

补偿由重复率偏差引起的波长误差的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN114144731B
CN114144731B CN202080052966.3A CN202080052966A CN114144731B CN 114144731 B CN114144731 B CN 114144731B CN 202080052966 A CN202080052966 A CN 202080052966A CN 114144731 B CN114144731 B CN 114144731B
Authority
CN
China
Prior art keywords
radiation
pulse
repetition rate
control signal
pulse repetition
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202080052966.3A
Other languages
English (en)
Other versions
CN114144731A (zh
Inventor
邓国泰
R·阿拉瓦特
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Cymer LLC
Original Assignee
Cymer LLC
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Cymer LLC filed Critical Cymer LLC
Publication of CN114144731A publication Critical patent/CN114144731A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN114144731B publication Critical patent/CN114144731B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
    • H01S3/105—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling the mutual position or the reflecting properties of the reflectors of the cavity, e.g. by controlling the cavity length
    • H01S3/1055—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling the mutual position or the reflecting properties of the reflectors of the cavity, e.g. by controlling the cavity length one of the reflectors being constituted by a diffraction grating
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
    • G03F7/70025—Production of exposure light, i.e. light sources by lasers
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/7055—Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
    • G03F7/70575—Wavelength control, e.g. control of bandwidth, multiple wavelength, selection of wavelength or matching of optical components to wavelength
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
    • H01S3/10038—Amplitude control
    • H01S3/10046—Pulse repetition rate control
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
    • H01S3/10069—Memorized or pre-programmed characteristics, e.g. look-up table [LUT]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
    • H01S3/08—Construction or shape of optical resonators or components thereof
    • H01S3/08004—Construction or shape of optical resonators or components thereof incorporating a dispersive element, e.g. a prism for wavelength selection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
    • H01S3/13—Stabilisation of laser output parameters, e.g. frequency or amplitude
    • H01S3/1305—Feedback control systems
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
    • H01S3/13—Stabilisation of laser output parameters, e.g. frequency or amplitude
    • H01S3/136—Stabilisation of laser output parameters, e.g. frequency or amplitude by controlling devices placed within the cavity
    • H01S3/137—Stabilisation of laser output parameters, e.g. frequency or amplitude by controlling devices placed within the cavity for stabilising of frequency
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/14—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range characterised by the material used as the active medium
    • H01S3/22—Gases
    • H01S3/223—Gases the active gas being polyatomic, i.e. containing two or more atoms
    • H01S3/225—Gases the active gas being polyatomic, i.e. containing two or more atoms comprising an excimer or exciplex
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/23—Arrangements of two or more lasers not provided for in groups H01S3/02 - H01S3/22, e.g. tandem arrangements of separate active media
    • H01S3/2308—Amplifier arrangements, e.g. MOPA

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Lasers (AREA)
  • Optical Communication System (AREA)

Abstract

一种用于控制辐射脉冲的辐射系统包括：被配置为与辐射脉冲相互作用以控制辐射脉冲的特性的光学元件；被配置为根据从控制器接收的控制信号致动光学元件的致动器，控制信号至少部分地取决于辐射系统的参考脉冲重复率；以及被配置为从控制器接收脉冲信息并且使用脉冲信息确定对控制信号的调节的处理器。辐射系统可以用于提高以多焦点成像模式操作的光刻设备的精度。

Description

补偿由重复率偏差引起的波长误差的方法
相关申请的交叉引用
本申请要求于2019年7月23日提交的题为“METHOD OF COMPENSATING WAVELENGTHERROR INDUCED BY REPETITION RATE DEVIATION”的美国申请号62/877,796的优先权，该申请的全部内容通过引用并入本文。
技术领域
本公开涉及用于生成例如在光刻设备中使用的辐射脉冲的系统和方法。
背景技术
光刻设备是一种被构造为将期望图案施加到衬底上的机器。光刻设备可以用于例如集成电路(IC)的制造中。例如，光刻设备可以将图案化装置(例如，掩模)的图案(也经常称为“设计布局”或“设计”)投射到设置在衬底(例如，晶片)上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。
随着半导体制造工艺的不断进步，电路元件的尺寸不断减小，而每个器件的功能元件(诸如晶体管)的数目在过去几十年中一直在稳步增加，遵循通常称为“摩尔定律”的趋势。为了跟上摩尔定律，半导体行业正在追逐能够产生越来越小的特征的技术。为了在衬底上投射图案，光刻设备可以使用电磁辐射。这种辐射的波长决定了图案化到衬底上的抗蚀剂中的特征的最小尺寸。当前使用的典型波长为365nm(i线)、248nm、193nm和13.5nm。与使用例如波长为193nm的辐射的光刻设备相比，使用波长在4nm到20nm范围内(例如，6.7nm或13.5nm)的极紫外(EUV)辐射的光刻设备可以用于在衬底上形成较小特征。
通常，准分子激光器被设计为使用特定气体混合物进行操作；因此，改变波长可能很复杂。特别地，从一次放电到下一次放电(“脉冲到脉冲”)改变中心波长是具有挑战性的。然而，可能存在期望具有改变波长的能力的情况。例如，在3D NAND存储器层(即，其中结构类似于彼此堆叠的NAND(“NOT-AND”)门的存储器)中。从2D到3D NAND架构的转变需要对制造工艺进行重大改变。在3DNAND制造中，挑战主要来自以极端纵横比(即，孔直径与其深度之比)进行蚀刻和沉积工艺。产生具有非常高的纵横比(HAR)特征的复杂3D结构非常复杂，并且需要极高的精度，并且最终还需要工艺一致性和可重复性才能实现规模化。此外，随着多层堆叠高度的增加，在堆叠(例如，存储器阵列)的顶部和底部实现一致的蚀刻和沉积结果的难度也在增加。
这些考虑因素导致需要更大的焦深。对于单波长光，光刻焦深DOF由以下关系式确定DOF＝±m2λ/(NA)2，其中λ是照射光的波长，NA是数值孔径，m2是取决于抗蚀剂工艺的实际因素。由于3D NAND光刻中对焦深的要求较高，有时会在晶片上进行多次曝光，每次使用不同激光波长。
此外，构成聚焦激光辐射的透镜的材料是分散的，因此不同波长在抗蚀剂中的不同深度处聚焦。这是可能需要能够改变波长的能力的另一原因。
诸如深紫外(DUV)辐射系统等辐射系统包括用于控制所生成的辐射的波长的系统。通常，这些波长控制系统包括反馈和前馈补偿器以提高波长稳定性。典型地，预期目标或参考波长(即，由波长控制系统控制的波长)在激光操作期间不会迅速变化。因此，补偿器主要用于抑制瞬态干扰。前馈补偿器还补偿预期不经常发生的波长目标的命令变化，即，波长变化事件。当这样的事件发生时，例如，为了实现600fm的波长设定点变化，通常必须允许约100ms的稳定时间，以使系统稳定地稳定到新的波长。这通常超过脉冲之间的时间(通常约为1ms或更短)，因此在目标波长设定点在脉冲之间改变约500fm的用例下，这样的控制系统将无法提供期望的脉冲到脉冲波长跟踪性能。
作为具体示例，在生成两种不同波长的DUV光的应用中，参考波长在曝光期间具有两个设定点，即，在第一波长时具有第一设定点并且在第二波长时具有第二设定点。然后将在这两个设定点之间调节参考波长。
期望具有生成具有受控特性(诸如波长)的辐射脉冲的能力。期望在辐射脉冲之间(即，在脉冲到脉冲的基础上)改变受控特性。还期望减少或甚至消除可能降低受控特性的精度的误差。
发明内容
根据第一方面，提供了一种用于控制辐射脉冲的辐射系统，该辐射系统包括被配置为与辐射脉冲相互作用以控制辐射脉冲的特性的光学元件、以及被配置为根据从控制器接收的控制信号致动光学元件的致动器。控制信号至少部分地取决于辐射系统的参考脉冲重复率。控制器被配置为接收脉冲信息并且使用脉冲信息确定和施加对控制信号的调节。
在各种实现中，辐射系统可以减少与辐射脉冲的特性相关联的误差，从而与已知辐射系统相比提高辐射系统的精度。
光学元件可以是反射性的或透射性的。控制器可以从正在接收受控辐射脉冲用于给定目的的装置(例如，用于光刻曝光的光刻设备)中接收脉冲信息。
辐射系统的参考脉冲重复率可以是预定的和/或固定的。
脉冲信息可以包括操作性脉冲重复率和/或脉冲数目。操作性脉冲重复率可以不同于参考脉冲重复率。例如，操作性脉冲重复率可以与参考脉冲重复率相差预期量，以改变由所生成的辐射脉冲提供的能量剂量。脉冲信息可以离线确定并且在需要时提供给控制器。备选地，脉冲信息可以在辐射系统的操作期间确定。
调节可以改变控制信号的相位。
该特性可以是辐射脉冲的波长。
在很多不同光学系统中，控制(例如，改变)辐射脉冲的波长是合乎需要的。例如，以多焦点成像模式操作的光刻系统将在不同辐射脉冲之间、在不同辐射波长之间改变。辐射系统可以减少辐射脉冲的波长误差，从而提高例如包括辐射系统的光刻系统的精度。
脉冲信息可以包括辐射系统的操作性脉冲重复率，并且调节可以至少部分考虑参考脉冲重复率与操作性脉冲重复率之间的差异。
参考脉冲重复率与操作性脉冲重复率之间的差异可以是有意的(例如，以改变辐射脉冲的能量剂量)和/或无意的(例如，影响辐射系统的组件的热误差)。这些差异可能导致辐射脉冲的期望特性(例如，波长)出现误差，因为致动器可能不再与辐射脉冲处于期望同步。该辐射系统可以减少由参考脉冲重复率与操作性脉冲重复率之间的差异导致的辐射脉冲的特性的误差。
调节可以改变例如控制信号的幅度或振幅。
调节可以改变控制信号的相位。然而，一些辐射系统中的致动器往往是欠阻尼的，因为致动器以如此高的频率(例如，约60kHz或更高)振荡。因此，改变欠阻尼致动器的控制信号的相位可能会引入显著的瞬态振荡，从而引入自身的误差。改变控制信号的幅度可以减少与辐射脉冲的特性相关联的误差，而不会引发与改变控制信号的相位相关联的不利因素。
控制信号的幅度可以是：
其中U(f)是在频域中的致动器的控制信号，λT是辐射脉冲的目标波长，n是脉冲数目，P(f)是在频域中的致动器的动态模型。
脉冲信息可以包括脉冲数目。控制信号的改变后的幅度可以是：
其中C是校正因子。
校正因子可以是：
其中Rr是辐射系统的参考脉冲重复率，Δ是操作性脉冲重复率与参考脉冲重复率之间的差异。
校正因子可以根据已知的和(离线)可测量的量来预测。发明人惊奇地发现，校正因子是总波长峰值间隔误差的可逆分量。可以将校正因子应用至现有致动器控制信号，以根据脉冲重复率偏差产生(理想情况下)零诱导误差。校正因子可以减少辐射脉冲的波长误差。
针对由辐射系统生成的每个辐射脉冲，可以计算校正因子并将其应用至控制信号。
致动器可以包括压电元件，该压电元件被配置为旋转光学元件使得辐射脉冲在光学元件上的入射角改变。
光学元件可以包括光栅，该光栅被配置为以波长依赖的方式反射辐射脉冲使得所选择的辐射波长带被传输到辐射系统的输出。
传输到辐射系统的输出的所选择的波长带可以取决于辐射脉冲相对于光栅的入射角。
光学元件可以包括棱镜，该棱镜被配置为以波长依赖的方式折射辐射脉冲使得所选择的辐射波长带被传输到辐射系统的输出。
传输到辐射系统的输出的所选择的波长带可以取决于辐射脉冲相对于棱镜的入射角。
根据第二方面，提供了一种光刻系统，该光刻系统包括被配置为接收辐射脉冲、图案化辐射脉冲并且将图案化辐射脉冲投射到目标上的光刻设备、以及根据第一方面的辐射系统。
在各种实现中，辐射系统通过减少投射到目标上的辐射脉冲的波长误差来提高以多焦点成像模式操作的光刻设备的精度。在各种实现中，辐射系统将与多焦点成像光刻系统兼容的重复率范围增加例如至少约±10Hz。在各种实现中，辐射系统降低了光刻系统由于例如波长误差而造成的吞吐量损失的风险，并且避免了对光刻系统的控制软件进行重大且昂贵的修改的需要。
根据第三方面，提供一种控制辐射脉冲的方法，该方法包括：使用光学元件与辐射脉冲相互作用以控制辐射脉冲的特性，根据至少部分地取决于辐射系统的参考脉冲重复率的控制信号使用致动器致动光学元件，接收脉冲信息，并且使用脉冲信息确定和施加对控制信号的调节。
该特性可以是辐射脉冲的波长。
脉冲信息可以包括辐射系统的操作性脉冲重复率，并且该调节可以至少部分考虑参考脉冲重复率与操作性脉冲重复率之间的差异。
该调节可以改变控制信号的幅度。
控制信号的幅度可以是：
其中U(f)是致动器的控制信号，λT是辐射脉冲的目标波长，n是脉冲数目，P(f)是致动器的动态模型。
脉冲信息可以包括脉冲数目。控制信号的改变后的幅度可以是：
其中C是校正因子。
校正因子可能是：
其中Rr是辐射系统的参考脉冲重复率，Δ是操作性脉冲重复率与参考脉冲重复率之间的差异。
针对由辐射系统生成的每个辐射脉冲，可以计算校正因子并将其应用至控制信号。
根据第四方面，提供了一种将图案化辐射束投射到目标上的方法，其中图案化辐射束包括辐射脉冲，该方法还包括根据第三方面的方法来控制辐射脉冲。
根据第五方面，提供了一种包括计算机可读指令的计算机程序，该计算机可读指令被配置为使计算机执行根据第三方面和/或第四方面的方法。
根据第六方面，提供了一种承载根据第五方面的计算机程序的计算机可读介质。
根据第七方面，提供了一种用于控制辐射脉冲的计算机设备，包括存储处理器可读指令的存储器、以及被设置为读取和执行存储在存储器中的指令的处理器，其中该处理器可读指令包括被布置为控制计算机执行根据第三方面和/或第四方面的方法的指令。
附图说明
现在将仅通过示例的方式参考所附示意图来描述各种版本的系统和方法，在附图中：
图1示意性地描绘了光刻设备的概况；
图2示意性地描绘了根据所公开的主题的一个方面的光刻系统的总体广义概念的视图；
图3示意性地描绘了根据所公开的主题的一个方面的照射系统的总体广义概念的视图；
图4示出了根据实施例的一个方面的两室激光系统的功能框图；
图5是示出根据实施例的一个方面的两个激光室中的可能的相对放电定时的流程图；
图6是示出根据实施例的一个方面的两个激光室中的另一可能的相对放电定时的流程图；
图7示意性地描绘了根据实施例的用于控制辐射脉冲的辐射系统；
图8是示出参考脉冲重复率与辐射系统的操作性脉冲重复率之间的差异如何影响由辐射系统控制的辐射波长的精度的图；
图9是示出根据实施例的控制辐射脉冲的方法的流程图；以及
图10示出了根据实施例的将没有调节后的控制信号的辐射系统与具有调节后的控制信号的辐射系统进行比较的模拟结果。
具体实施方式
在本文档中，术语“辐射”和“光束”用于涵盖所有类型的电磁辐射，包括紫外线辐射(例如，波长为365、248、193、157或126nm)和EUV(极紫外辐射，例如波长在约5-100nm的范围内)。
本文中使用的术语“掩模版”、“掩模”或“图案化装置”可以广义地解释为是指可以用于向传入辐射束赋予图案化横截面的通用图案化装置，该图案化横截面对应于要在衬底的目标部分中产生的图案。在该上下文中也可以使用术语“光阀”。除了经典掩模(透射或反射、二元、相移、混合等)之外，其他这样的图案化装置的示例包括可编程反射镜阵列和可编程LCD阵列。
图1示意性地描绘了光刻设备LA。光刻设备LA包括：被配置为调节辐射束B(例如，UV辐射、DUV辐射或EUV辐射)的照射系统(也称为照射器)IL；被构造为支撑图案化装置(例如，掩模)MA并且连接到第一定位器PM的掩模支撑件(例如，掩模台)MT，第一定位器PM被配置为根据某些参数准确地定位图案化装置MA；被构造为保持衬底(例如，涂覆有抗蚀剂的晶片)W并且连接到第二定位器PW的衬底支撑件(例如，晶片台)WT，第二定位器PW被配置为根据某些参数准确地定位衬底支撑件；以及被配置为将通过图案化装置MA赋予辐射束B的图案投射到衬底W的目标部分C(例如，包括一个或多个管芯)上的投射系统(例如，折射投射透镜系统)PS。
在操作中，照射系统IL从辐射源SO接收辐射束，例如经由光束传输系统BD。照射系统IL可以包括各种类型的光学组件，诸如折射、反射、磁性、电磁、静电和/或其他类型的光学组件、或其任何组合，该光学组件用于引导、成形和/或控制辐射。照射器IL可以用于调节辐射束B以在其在图案化装置MA的平面处的横截面中具有期望的空间和角度强度分布。
视情况而定，对于所使用的曝光辐射，和/或对于其他因素，诸如浸没液体的使用或真空的使用，本文中使用的术语“投射系统”PS应当广义地解释为涵盖各种类型的投射系统，包括折射、反射、反射折射、变形、磁性、电磁和/或静电光学系统、或其任何组合。本文中对术语“投射透镜”的任何使用都可以被认为与更一般的术语“投射系统”PS同义。
光刻设备LA可以是如下这样的类型：其中衬底的至少一部分可以被具有相对较高折射率的液体(例如，水)覆盖，从而填充投射系统PS与衬底W之间的空间——也称为浸没式光刻。US6952253中给出了关于浸没技术的更多信息，该文献通过引用并入本文。
光刻设备LA也可以是具有两个或更多个衬底支撑件WT的类型(也称为“双台”)。在这样的“多台”机器中，衬底支撑件WT可以并行使用，和/或衬底W的后续曝光的准备步骤可以在位于衬底支撑件WT中的一个上的衬底W上执行，而另一衬底支撑体WT上的另一衬底W用于在该另一衬底W上曝光图案。
除了衬底支撑件WT之外，光刻设备LA可以包括测量台。测量台被布置为保持传感器和/或清洁装置。传感器可以被布置为测量投射系统PS的特性或辐射束B的特性。测量台可以保持多个传感器。清洁装置可以被布置为清洁光刻设备的一部分，例如投射系统PS的一部分、或提供浸没液体的系统的一部分。当衬底支撑件WT远离投射系统PS时，测量台可以在投射系统PS下方移动。
在操作中，辐射束B入射到图案化装置(例如，被保持在掩模支撑件MT上的掩模MA)上，并且由存在于图案化装置MA上的图案(设计布局)来图案化。在穿过掩模MA之后，辐射束B穿过投射系统PS，该投射系统PS将光束聚焦到衬底W的目标部分C上。借助于第二定位器PW和位置测量系统IF，衬底支撑件WT可以精确地移动，例如，以便在聚焦和对准位置处将不同目标部分C定位在辐射束B的路径中。类似地，第一定位器PM和可能的另一位置传感器(图1中未明确描绘)可以用于相对于辐射束B的路径准确地定位图案化装置MA。图案化装置MA和衬底W可以使用掩模对准标记M1、M2和衬底对准标记P1、P2来对准。尽管如图所示的衬底对准标记P1、P2占据专用目标部分，但它们可以位于目标部分之间的空间中。当衬底对准标记P1、P2位于目标部分C之间时，它们称为划线对准标记。
为了清楚起见，使用笛卡尔坐标系。笛卡尔坐标系具有三个轴，即x轴、y轴和z轴。三个轴中的每个轴与其他两个轴正交。围绕x轴的旋转称为Rx旋转。围绕y轴的旋转称为Ry旋转。围绕z轴的旋转称为Rz旋转。x轴和y轴定义水平面，而z轴在竖直方向。笛卡尔坐标系不限制本发明，而仅用于说明。相反，可以使用诸如圆柱坐标系等另一坐标系来进行澄清。笛卡尔坐标系的取向可以不同，例如，使得z轴具有沿着水平面的分量。
图2示意性地描绘了包括照射系统105的光刻系统100。如下文更全面地描述的，照射系统105包括光源，光源产生脉冲光束110并且将其指向对晶片120上的微电子特征进行图案化的光刻曝光设备或扫描仪115。晶片120放置在晶片台125上，该晶片台125被构造为保持晶片120并且连接到定位器，该定位器被配置为根据某些参数准确地定位晶片120。
光刻系统100使用波长在深紫外(DUV)范围内(例如，波长为248纳米(nm)或193nm)的光束110。可以在晶片120上图案化的微电子特征的最小尺寸取决于光束110的波长，较低波长允许较小最小特征尺寸。当光束110的波长为248nm或193nm时，微电子特征的最小尺寸例如可以为50nm或更小。光束110的带宽可以是其光谱(或发射光谱)的实际瞬时带宽，其包含关于光束110的光能如何分布在不同波长上的信息。扫描仪115包括具有例如一个或多个聚光透镜、掩模和物镜布置的光学布置。掩模沿着一个或多个方向可移动，诸如沿着光束110的光轴或在垂直于光轴的平面中可移动。物镜布置包括投射透镜，并且使得图像能够从掩模转印到晶片120上的光致抗蚀剂。照射系统105调节照射在掩模上的光束110的角度范围。照射系统105还使光束110在整个掩模上的强度分布均匀化(使其均匀)。
除了其他特征之外，扫描仪115可以包括光刻控制器130、空调装置、和用于各种电气组件的电源。光刻控制器130控制如何在晶片120上印刷各层。光刻控制器130包括存储诸如工艺配方等信息的存储器。工艺程序或配方基于例如所使用的掩模以及影响曝光的其他因素来确定晶片120上的曝光长度。在光刻期间，光束110的多个脉冲照射晶片120的相同区域以构成照射剂量。
光刻系统100还优选地包括控制系统135。通常，控制系统135包括数字电子电路系统、计算机硬件、固件和软件中的一种或多种。控制系统135还包括可以是只读存储器和/或随机存取存储器的存储器。适合于有形地体现计算机程序指令和数据的存储设备包括所有形式的非易失性存储器，包括例如半导体存储器设备，诸如EPROM、EEPROM和闪存设备；磁盘，诸如内部硬盘和可移动磁盘；磁光盘；以及CD-ROM磁盘。
控制系统135还可以包括一个或多个输入设备(诸如键盘、触摸屏、麦克风、鼠标、手持输入设备等)和一个或多个输出设备(诸如扬声器或显示器)。控制系统135还包括一个或多个可编程处理器、以及有形地体现在机器可读存储设备中以由一个或多个可编程处理器执行的一个或多个计算机程序产品。一个或多个可编程处理器每个可以执行指令程序以通过对输入数据进行操作并且生成适当输出来执行期望功能。通常，处理器从存储器接收指令和数据。上述各项中的任何一个都可以由专门设计的ASIC(专用集成电路)补充或合并到其中。控制系统135可以是集中式的或者部分或全部地分布在整个光刻系统100中。
参考图3，示例性照射系统105是脉冲激光源，该脉冲激光源产生脉冲激光束作为光束110。图3以框图形式示意性地示出了根据所公开的主题的某些方面的实施例的气体放电激光系统。气体放电激光系统可以包括例如固态或气体放电种子激光系统140、放大级(例如，功率环放大器(“PRA”)级145)、中继光学器件150和激光系统输出子系统160。种子系统140可以包括例如主振荡器(“MO”)室165。
种子激光系统140还可以包括主振荡器输出耦合器(“MO OC”)175，该MO OC 175可以包括部分反射镜，该部分反射镜与线缩窄模块(“LNM”)170中的反射光栅(未示出)一起形成振荡器腔，种子激光器140在该振荡器腔中振荡以形成种子激光输出脉冲，即，形成主振荡器(“MO”)。该系统还可以包括线中心分析模块(“LAM”)180。LAM 180可以包括用于精细波长测量的标准具光谱仪、和粗略分辨率的光栅光谱仪。MO波前工程箱(“WEB”)185可以用于将MO种子激光系统140的输出重定向到放大级145，并且可以包括例如使用例如多棱镜扩束器(未示出)的波束扩展和例如光延迟路径(未示出)形式的相干破坏。
放大级145可以包括例如PRA激光腔200，PRA激光腔200也可以是振荡器，例如，由种子波束注入和输出耦合光学器件(未示出)形成，该光学器件可以并入PRA WEB 210和可以由光束反向器220通过腔室200中的增益介质重定向以返回。PRA WEB 210可以包含用于标称操作波长(例如，对于ArF系统，约为193nm)的部分反射输入/输出耦合器(未示出)和最大反射反射镜、以及一个或多个棱镜。
在放大级145的输出处的带宽分析模块(“BAM”)230可以从放大级接收输出激光脉冲光束，并且拾取光束的一部分以用于量测目的，例如，以测量输出带宽和脉冲能量。激光输出脉冲光束然后穿过光脉冲展宽器(“OPuS”)240和输出组合自动快门量测模块(“CASMM”)250，CASMM 250也可以处于脉冲能量计的位置。OPuS 240的一个目的可以是例如将单个输出激光脉冲转换成脉冲串。从原始单个输出脉冲产生的次级脉冲可以相对于彼此延迟。通过将原始激光脉冲能量分配到二次脉冲串中，可以扩展激光的有效脉冲长度，同时降低峰值脉冲强度。OPuS 240因此可以经由BAM 230从PRA WEB 210接收激光束并且将OPuS240的输出指向CASMM 250。在其他实施例中可以使用其他合适的布置。
PRA激光室200和MO 165被配置为腔室，其中电极之间的放电可以导致激光气体中的激光气体放电以产生反转的高能分子群，包括例如Ar、Kr和/或Xe，以产生相对较宽的频带辐射，该辐射可以被线缩窄至在线缩窄模块(“LNM”)170中选择的相对非常窄的带宽和中心波长，如本领域已知的。
通常，调谐发生在LNM中。用于激光器的线变窄和调谐的典型技术是在激光器的放电腔的后部提供窗口，激光束的一部分穿过该窗口进入LNM。在那里，光束的该部分利用棱镜扩束器被扩展并且指向光学元件，诸如光栅，该光学元件将激光的较宽光谱的狭窄选定部分反射回放电室，它在该放电室中被放大。通常，通过使用诸如压电致动器等致动器改变光束照射光栅的角度来调谐激光器。备选地，可以使用诸如棱镜等透射光学元件将激光的较宽光谱的狭窄选定部分传输回放电室，它在该放电室中被放大。可以通过使用诸如压电致动器等致动器改变光束照射棱镜的角度来调谐激光器。
如上所述，对于一些应用，有利的是，能够生成具有一个波长的一个或多个脉冲的突发、并且然后能够切换到生成具有不同波长的一个或多个脉冲的突发。然而，在脉冲之间切换波长具有挑战性。一个原因是，稳定时间(即，系统在波长变化之后达到稳定所需要的时间)通常比脉冲间隔长。根据一个方面，通过在脉冲之间预先定位驱动器以在脉冲之间实现即将到来的新目标波长，以该方式准备致动器从而缩短由改变参考波长引起的瞬态稳定期。
根据另一方面，致动器的动态模型用于计算用于致动致动器以最小化实际波长与波长目标之间的差异的最佳控制波形。
最佳控制波形可以使用若干方法中的任何一种来计算。例如，最佳控制波形可以使用动态编程来计算。该方法非常适合于处理包含非线性动态特性的复杂模型。如果采用具有强非线性动态特性的致动器模型，则可以使用动态编程来为给定波长目标生成最佳控制信号。然而，动态编程确实提出了挑战，即，它需要大量计算资源，而这些资源可能无法实时实现。为了克服这一挑战，可以使用诸如预填充查找表或预编程现场可编程门阵列(FPGA)等数据存储设备，该数据存储设备包含针对可以用于操作源的不同重复率中的至少一些重复率的最佳控制参数。
作为另一示例，最佳控制波形可以使用模型反演前馈控制来确定。该方法依赖于致动器动态模型来构建数字滤波器，数字滤波器反转致动器动态特性。通过使期望致动器轨迹的期望波形通过该滤波器，可以实时生成最佳控制波形，以实现零稳态误差跟踪。
作为另一示例，使用学习算法来实现以稳定方式实现两个单独波长的最优解决方案，以保证在若干次学习迭代上的误差收敛。
本文中公开的系统和方法的实施例可以潜在地实现间隔1000fm的两个单独波长，其中间隔误差低于20fm。
根据另一方面，可以通过使用FPGA以非常高的速率将最佳控制波形馈送到致动器。
控制系统可以包括前馈控制和迭代学习控制(ILC)的组合。如图4所示，由ILC模块300使用来自流数据采集单元330的波长测量和ILC更新法则来离线计算前馈控制信号A，如下所述。带宽波长控制模块(BWCM)340使用前馈控制信号A来更新数据存储单元中的预定义数据，诸如BWCM 340中包括的FPGA。BWCM 340然后在激光脉冲时时以例如60kHz致动压电换能器PZT 350。激光辐射的波长由线中心(中心波长)分析模块(LAM)360和发射控制平台或处理器(FCP)370测量，并且在6kHz下将波长测量提供给数据采集单元330。
应当理解，图4所示的系统可以被配置为包含多个频率范围。虚线框内的区域表示可以基本上离线发生的过程。PZT 350可以用以约60kHz的速率更新的控制信号来驱动。波长数据可以以约6kHz来采集。
为了考虑对PZT电压变化的约束，可以使用具有约束的二次规划，来帮助在可行操作区域内寻找最佳前馈信号。二次规划(QP)是一种用于解决各种数学优化问题的技术。QP可以被用于在数学上找到具有约束的给定二次成本函数的最优解。在本公开的上下文中，QP可以被用于寻找可以用于致动压电换能器，以便提供期望目标值的激光波长的最佳控制波形。优化可以基于PZT动态响应的模型(例如，对电输入的机械响应)。在优化技术的各种实现中，QP生成的波形可以用作用于以开环驱动PZT的优化控制波形(以下由“U”表示)。在各种实现中，例如，在激光系统在操作期间经历各种干扰的情况下，基于激光波长测量的反馈控制可以有助于确保稳定性。下面讨论的一种可能的干扰源是“重复率偏差”，其中脉冲激光的所命令重复率偏离预期参考率。
标准QP求解器可以解决具有以下结构的问题：
其中LX≤b
(等式1)
其中X是可以自由选择的设计参数，但它必须满足LX≤b。换言之，QP求解器在由LX≤b定义的可行区域内寻找使成本函数最小化的最优X。等式1示出了二次规划问题的标准公式。发明人已经发现，这种形式可以用于标识有用的优化控制波形，在下面指定为“u”或“U”。以下讨论以标准QP形式概述该问题的介绍。在下面的讨论中，“P”是等式2所示PZT动态特性的表示；“H”是具有加权“Q”的“P”的二次方。因此，“H”本质上承载QP形式的PZT动态特性。
在这里描述的技术中，目标是找到满足致动器约束同时使致动器位置与期望控制波形之间的误差最小化的前馈控制。PZT动态特性可以表示为以下状态空间形式：
x(k+1)＝Ax(k)+Bu(k)
y(k+1)＝Cx(k+1)
(等式2)
其中A、B、C分别是描述PZT动态特性的状态矩阵、输入矩阵和输出矩阵；x是状态向量，u是输入向量，y是PZT的输出。
代入上述动态模型，原始成本函数可以改写为
其中DU≤l
(等式3)
这符合标准QP形式，其中
H＝PTQP
f＝-PTQR
X＝U
L＝D
b＝l
(等式4)
P描述PZT输入输出动态特性，Q是加权函数，R表示期望控制波形，D表示致动器约束，l是致动器约束的阈值。
根据另一方面，ILC控制可以通过下式来描述：
Uk＝Uk-1+LEk-1
(等式5)
其中Uk是在第k次迭代时使用的前馈控制信号，L是指示ILC算法的收敛的学习函数，Ek是在第k次迭代时的误差。
ILC控制的稳定性和收敛性可以通过如下将ILC控制规律与系统的动态模型结合来导出
Ek＝(I-PL)Ek-1
(等式6)
其中P是描述系统的输入输出关系的矩阵，I是单位矩阵。如果(I-PL)的所有特征值的绝对值都小于1，则可以保证稳定性。收敛速率也由矩阵(I-PL)决定。如果(I-PL)＝0，则误差将在一次迭代之后收敛到0。
图5是示出根据实施例的一个方面的控制辐射源的方法的流程图。在步骤S100中，先前脉冲突发已经结束。在步骤S110中，通过将致动器预先定位到在其应当处于以产生具有第一频率的脉冲的位置与其应当处于以产生具有第二频率的脉冲的位置之间的位置来准备致动器。在步骤S120中，使用上述技术中的一种或多种来计算最佳控制波形。在步骤S130中，确定新的突发是否已经被触发。如果没有新的突发被触发，则重复步骤S130。如果新的突发已经被触发，则在步骤S140中，使用例如FPGA将用于以所命令重复率和频率的操作的参数中继到源。在步骤S150，确定当前突发是否已经结束。如果当前突发尚未结束，则重复步骤S140。如果突发已经结束，则该过程在步骤S160处结束。
图6示出了由ILC执行的用于利用初始QP前馈控制信号来计算其更新规律的方法。在步骤S210中，使用二次规划产生初始前馈控制信号。在步骤S220中，使用前馈控制信号发射激光。在步骤S230中，确定前馈信号中的误差是否已经收敛。如果误差没有收敛，则在步骤S250中，使用迭代学习来更新控制信号。然后，在步骤S220中，使用新的控制信号来发射激光。如果误差已经收敛，则该过程在步骤S240中结束。
在不同辐射波长之间切换、以使辐射在衬底的抗蚀剂中的不同深度处聚焦的方法，可以称为多焦点成像。在多焦点成像期间使用的生成控制信号的方法，可以假定辐射系统的脉冲重复率固定在参考脉冲重复率。例如，参考脉冲重复率可以是约6000Hz。辐射系统的操作性脉冲重复率(即，所命令的脉冲重复率)可以与参考脉冲重复率不同。参考脉冲重复率与操作性脉冲重复率之间的差异可以是有意的和/或无意的。例如，光刻设备可以在很多不同约束(例如，衬底的扫描速度)下接收很多不同变量，并且处理该信息以确定如何最佳地向衬底的目标部分提供期望的辐射剂量。在一些情况下，光刻设备的控制器或处理器可以确定，用于向衬底的目标部分提供期望的辐射剂量的优选方式是改变光源的操作性脉冲重复率，使得衬底的目标部分在扫描期间接收更大或更小的辐射剂量。例如，在光刻设备的操作期间，操作性脉冲重复率可以等于参考脉冲重复率±约5Hz。发明人已经发现，操作性脉冲重复率与参考脉冲重复率之间的差异可能导致诸如波长误差等误差。即，光源可能生成具有不准确波长的辐射脉冲，这可能导致辐射在衬底的抗蚀剂内的不正确深度处聚焦。这又会导致光刻设备形成有缺陷的器件。
为了更好地理解辐射系统的操作性脉冲重复率与参考脉冲重复率之间的差异如何导致波长误差，首先了解辐射系统的组件如何相互作用是有用的。图7示意性地描绘了用于控制辐射脉冲410a-c的辐射系统400的示例。辐射系统400包括被配置为与辐射脉冲410a相互作用以控制辐射脉冲410b-c的特性的光学元件420。在图7的示例中，光学元件420包括光栅。光栅420被配置为以波长依赖的方式使入射的辐射脉冲410a反射，使得所选择的辐射波长带被传输到辐射系统400的输出430。传输到辐射系统400的输出430的所选择的波长带可以取决于辐射脉冲410a相对于光栅420的入射角。光学元件420可以备选地包括棱镜，该棱镜被配置为以波长依赖的方式使辐射脉冲410a折射，使得所选择的波长带的辐射被传输到辐射系统400的输出430。传输到辐射系统400的输出430的所选择的波长带可以取决于辐射脉冲410a相对于棱镜的入射角。
辐射系统400还包括被配置为根据从控制器460接收的控制信号450来致动光学元件420的致动器440。致动器440可以包括压电元件，该压电元件被配置为使光学元件420绕旋转轴425旋转，使得辐射脉冲410a在光学元件420上的入射角改变。由光学元件420传输到辐射系统400的输出430的所选择的辐射波长带，取决于辐射脉冲相对于光学元件420的入射角。因此，当辐射脉冲410a中的每个到达光学元件420并且与光学元件420相互作用时，光学元件420必须处于正确的旋转位置，使得正确的辐射波长带被传输到辐射系统400的输出。
控制信号450可以至少部分地取决于辐射系统400的参考脉冲重复率。辐射系统400的输出430可以例如将受控辐射脉冲410c指向光刻设备或扫描仪115以用于光刻曝光。受控辐射脉冲410c可以由光刻设备115图案化并且被投射到目标上，诸如如图1所示的衬底W的目标部分C。
为了使光学元件420从入射到光学元件420上的辐射脉冲410a中选择期望的辐射波长带，当辐射脉冲410a与光学元件420相互作用时，光学元件420必须相对于辐射脉冲410a处于正确的位置。即，辐射脉冲410a与光学元件420相互作用的时间必须与光学元件420的运动正确同步，使得光学元件420选择期望的辐射波长带。用于控制致动器440并且由此控制光学元件420的旋转位置的控制信号450，可以例如具有一般正弦形状，从而使光学元件420在两个旋转位置之间振荡。该振荡的频率至少部分由辐射脉冲410a的重复率确定。辐射系统400可以被设计为使得当正弦控制信号450处于峰值和/或谷值时，每个辐射脉冲410a应当到达光学元件420，以确保光学元件420选择正确的辐射波长带。
图8是示出参考脉冲重复率与辐射系统的操作性脉冲重复率之间的差异如何影响由辐射系统控制的辐射波长的精度的图。如果操作性脉冲重复率与参考脉冲重复率之间存在差异，则光学元件420的运动不再与辐射脉冲410a的到达时间正确同步。这表示，当辐射脉冲410a到达光学元件420时，光学元件420不在正确的角位置。因此，当脉冲与光学元件420相互作用时，光学元件420与辐射脉冲410a之间的入射角是不正确的，使得由光学元件420选择的辐射波长是不正确的。光学元件420的运动在整个辐射脉冲410a的突发(即，组)中与辐射脉冲410a的到达时间进一步不同步，从而使该问题随着突发的继续而变得更糟。这种效果如图8所示。
在图8的示例中，辐射系统的参考脉冲重复率为6000Hz。图的x轴示出了在300个辐射脉冲的突发内的脉冲数目。图的y轴示出了两个期望的辐射中心波长之间的间隔。在图8的示例中，辐射系统试图在间隔1000fm的两个辐射波长之间切换。该图示出了随着300个辐射脉冲的突发与六种不同操作重复率(6000Hz、5999Hz、5998Hz、5997Hz、5996Hz和5995Hz)相关联的波长误差。当操作性脉冲重复率为6000Hz时(即，当参考重复率和操作性脉冲重复率相等时)，中心波长间隔在整个突发中保持在期望的1000fm，这表示，没有发生波长误差。当操作性脉冲重复率不同于6000Hz时(即，当参考重复率和操作性脉冲重复率不相等时)，中心波长间隔偏离期望的1000fm。这种偏差在整个突发中增加，从而导致明显的波长误差。如图8所示，操作性脉冲重复率与参考脉冲重复率之间的差异越大，所得到的波长误差就越大。例如，当操作性脉冲重复率为5998Hz(即，相差2Hz)时，最终脉冲的波长误差约为50fm。当操作性脉冲重复率为5995Hz(即，相差5Hz)时，最终脉冲的波长误差约为300fm。因此，即使操作性脉冲重复率的相对较小的偏差也会在致动器的动态响应与控制信号之间引起相位误差，这可能会导致显著的波长误差，并且在整个突发中恶化。
在控制技术的各种实现中，可以通过调节致动器的控制信号以至少部分地考虑该偏差，来减少与操作性脉冲重复率偏差相关联的误差。再次参考图7，光刻设备115可以与控制器460通信。例如，控制器460可以从光刻设备115接收脉冲信息，诸如脉冲数目和操作重复率，并且使用脉冲信息来确定对控制信号的调节。鉴于重复率的偏差导致控制信号与辐射脉冲的到达时间之间存在相位差，补偿相位差的一种方法是调节控制信号的相位，使得控制信号始终与辐射脉冲的到达时间同相。然而，致动器往往会出现欠阻尼，因为它以如此高的频率(例如，约60kHz)振荡。因此，改变欠阻尼致动器的控制信号的相位可能会引入显著的瞬态振荡，从而引入自身的误差。优选的备选方案是调节控制信号的幅度，以至少部分地考虑光学元件的运动与由重复率偏差引起的脉冲的到达时间之间的相位差。
突发的第n脉冲处的重复率偏差引起的波长误差可以用下式描述：
λΔ(n)＝λT(n)-|P(f)|×|U(f)|×cos(2π×f×Δ×n)
(等式7)
其中λT是辐射脉冲410c的目标波长，n是脉冲数目，P(f)是频域中致动器440的动态模型，U(f)是频域中致动器440的控制信号450，f表示感兴趣频率，Δ是操作性脉冲重复率与参考脉冲重复率之间的差异(即，重复率偏差)。因此，|P(f)|是在频率f下致动器440的动态模型的幅度，|U(f)|是在频率f下致动器440的控制信号450的幅度。如上所述，控制信号可以使用若干方法中的一种来确定，例如，动态规划、模型反演前馈控制和/或学习算法，以保证在若干次学习迭代中误差收敛。
感兴趣频率可以取决于辐射系统400的参考脉冲重复率，因为控制信号450至少部分地取决于辐射系统400的参考脉冲重复率。例如，控制信号450可以被配置为使致动器440以如下频率来致动光学元件420，该频率为参考脉冲重复率的约一半。为了实现这一点，控制信号450可以使其大部分能量处于参考脉冲重复率的约一半处。因此，感兴趣频率可以是参考脉冲重复率的约一半。例如，如果参考脉冲重复率约为6000Hz，则感兴趣频率将约为3000Hz。当辐射系统400处于涉及在两个目标中心波长之间切换连续辐射脉冲410a的波长的多焦点成像模式时，第n脉冲处的波长误差可以由下式描述：
其中Rr是辐射系统400的参考脉冲重复率。在这种情况下，是频率为/>Hz时致动器440的动态模型的幅度，/>是频率为/>Hz时致动器440的控制信号450的幅度。这两项的乘积(即，/>)表示当控制信号包含频率为/>Hz(即，感兴趣频率)的能量时的致动器输出。即，因为控制信号450的大部分能量在频率/>Hz处，所以可以通过使用频率为/>Hz时的致动器动态响应模型来预测致动器的输出。
当操作性脉冲重复率与参考脉冲重复率之间没有差异时(即，当Δ＝0时)，等式8可以重写为：
为了确保辐射脉冲410c的波长误差为零(即，λΔ(n)＝0)，控制信号450的幅度可以设置为遵循下式：
当操作性脉冲重复率与参考脉冲重复率之间存在差异时(即，当Δ≠0时)并且控制信号450的幅度被设置为等式10时(即，当时)，辐射脉冲410c的波长误差(即，等式8)可以由下式描述：
可以对控制信号450进行调节以减小辐射脉冲410c的波长误差。该调节可以采用校正因子的形式，该校正因子可以被应用至控制信号450以产生调节后的控制信号。调节后的控制信号可以采用以下形式：
其中C是校正因子。
调节后的控制信号可以代入等式8，并且等式8可以设置为0，使得辐射脉冲的波长误差为零，如下式所示：
等式13可以重新排列为下式：
等式14可以重新排列以定义校正因子。即，校正因子可以采用以下形式：
即，校正因子可以是参考脉冲重复率、参考脉冲重复率与操作性脉冲重复率之间的差异、以及脉冲数目的函数。因此，一旦脉冲数目大于一(即，n＞1)，就可以针对每个后续辐射脉冲计算校正因子。
图9示出了根据实施例的控制辐射脉冲的方法。步骤S300包括准备新的脉冲或辐射脉冲突发。这可以包括例如将致动光学元件移动到期望位置或振荡。步骤S310包括确定脉冲数目是否大于一的决定。之所以发生这个步骤是因为，只有在脉冲数目大于一之后才能确定操作性脉冲重复率。例如，可以通过取两个连续脉冲之间的间隔的倒数来确定操作性脉冲重复率，并且因此最早只能针对第二脉冲计算操作性脉冲重复率。如果脉冲数目不大于一，则该方法进行到步骤320A，该步骤320A包括将未调节的控制信号施加到致动器。如果脉冲数目大于一，则该方法进行到步骤S320B，该步骤S320B包括使用操作重复率和在等式15中列出的脉冲数目来确定校正因子。该方法然后进行到步骤S325，该步骤S325包括向控制信号应用校正因子以调节控制信号的幅度。将调节后的控制信号施加到致动器以至少部分地补偿重复率偏差，并且由此减少辐射系统的波长误差。
图10示出了针对以下项比较波长稳定性的模拟结果：没有调节后的控制信号的模型化的辐射系统(图板(a))、与具有调节后的控制信号的模型化的辐射系统(图板(b))。在图10的示例中，辐射系统试图在间隔1000fm的两个辐射波长之间切换。
图10中的虚线表示每个系统中PZT的轨迹。轨迹上的大点1001、1002标记激光脉冲到达的时间；由于相邻点之间的交叠，大点呈现为粗线。在存在重复率偏差的情况下(即，实际的所命令的重复率与参考重复率不同)，激光脉冲的到达时间与PZT轨迹不同步。在图板(a)中，这种不同步导致随时间增长的波长误差：点1001有时不会始终如一地击中其目标，这导致+/-500fm调谐。在图板(b)中，通过适当增加PZT轨迹的幅度来补偿重复率偏差。对输入信号的适当调节可以使用上面讨论的技术来确定。结果是，点1002有时更一致地击中其目标，从而导致期望的+/-500fm调谐。
从图10可以看出，没有确定和施加调节后的控制信号的辐射系统(图板(a))通过辐射脉冲突发随着时间的增加而遭受增加的波长误差。在0.05秒之后，没有使用调节后的控制信号的辐射系统500遭受超过约200fm的波长误差。相比之下，确定和向致动器施加调节后的控制信号的辐射系统(图板(b))，在整个辐射脉冲突发期间保持约1000fm的期望波长间隔。
尽管在本文中可以具体提及光刻设备在IC的制造中的使用，但是应当理解，本文中描述的光刻设备可以具有其他应用。可能的其他应用包括制造集成光学系统、磁域存储器的引导和检测模式、平板显示器、液晶显示器(LCD)、薄膜磁头等。
尽管在本文中可以在光刻设备的上下文中具体参考本发明的实施例，但是本发明的实施例可以在其他设备中使用。本发明的实施例可以形成掩模检查设备、量测设备、或者测量或处理诸如晶片(或其他衬底)或掩模(或其他图案化装置)等对象的任何设备的一部分。这些设备通常可以称为光刻工具。这样的光刻工具可以使用真空条件或环境(非真空)条件。
在上下文允许的情况下，本发明的实施例可以以硬件、固件、软件或其任何组合来实现。本发明的实施例还可以实现为存储在机器可读介质上的指令，该指令可以由一个或多个处理器读取和执行。机器可读介质可以包括用于以机器(例如，计算设备)可读的形式存储或传输信息的任何机制。例如，机器可读介质可以包括只读存储器(ROM)；随机存取存储器(RAM)；磁性存储介质；光存储介质；闪存设备；电、光、声或其他形式的传播信号(例如，载波、红外信号、数字信号等)等。此外，固件、软件、例程、指令可以在本文中被描述为执行某些动作。然而，应当理解，这样的描述仅仅是为了方便，并且这样的动作实际上是由计算设备、处理器、控制器或其他设备执行该固件、软件、例程、指令等而产生的，并且这样做可以使致动器或其他设备与物理世界相互作用。
本发明的其他方面在以下编号的条款中阐述。
1.一种用于控制辐射脉冲的辐射系统，包括：
光学元件，被配置为与所述辐射脉冲相互作用以控制所述辐射脉冲的特性；
致动器，被配置为根据从控制器接收的控制信号致动所述光学元件，所述控制信号至少部分地取决于所述辐射系统的参考脉冲重复率，其中所述控制器被配置为接收脉冲信息并且使用所述脉冲信息确定和施加对所述控制信号的调节。
2.根据条款1所述的辐射系统，其中所述特性是所述辐射脉冲的波长。
3.根据条款1所述的辐射系统，其中所述脉冲信息包括所述辐射系统的操作性脉冲重复率，并且其中所述调节至少部分考虑所述参考脉冲重复率与所述操作性脉冲重复率之间的差异。
4.根据条款1所述的辐射系统，其中所述调节改变所述控制信号的幅度。
5.根据条款4所述的辐射系统，其中所述控制信号的所述幅度是：
其中U(f)是频域中所述致动器的所述控制信号，λT是所述辐射脉冲的目标波长，n是脉冲数目，P(f)是频域中所述致动器的动态模型。
6.根据条款5所述的辐射系统，其中所述脉冲信息包括脉冲数目，并且其中所述控制信号的改变后的幅度是：
其中C是校正因子。
7.根据条款6所述的辐射系统，其中所述校正因子是：
其中Rr是所述辐射系统的所述参考脉冲重复率，Δ是所述操作性脉冲重复率与所述参考脉冲重复率之间的差异。
8.根据条款7所述的辐射系统，其中针对由所述辐射系统生成的每个辐射脉冲，计算所述校正因子并将所述校正因子应用至所述控制信号。
9.根据条款1所述的辐射系统，其中所述致动器包括压电元件，所述压电元件被配置为旋转所述光学元件使得所述辐射脉冲在所述光学元件上的入射角改变。
10.根据条款1所述的辐射系统，其中所述光学元件包括光栅，所述光栅被配置为以波长依赖的方式反射所述辐射脉冲使得所选择的辐射波长带被传输到所述辐射系统的输出。
11.根据条款1所述的辐射系统，其中所述光学元件包括棱镜，所述棱镜被配置为以波长依赖的方式折射所述辐射脉冲使得所选择的辐射波长带被传输到所述辐射系统的输出。
12.一种光刻系统，包括：
光刻设备，被配置为接收辐射脉冲、图案化所述辐射脉冲并且将图案化辐射脉冲投射到目标上；以及
根据条款1所述的辐射系统。
13.一种控制辐射脉冲的方法，包括：
使用光学元件与所述辐射脉冲相互作用以控制所述辐射脉冲的特性；
根据至少部分地取决于所述辐射系统的参考脉冲重复率的控制信号使用致动器致动所述光学元件；
接收脉冲信息；以及
使用所述脉冲信息确定和施加对所述控制信号的调节。
14.根据条款13所述的方法，其中所述特性是所述辐射脉冲的波长。
15.根据条款14所述的方法，其中所述脉冲信息包括所述辐射系统的操作性脉冲重复率，并且其中所述调节至少部分考虑所述参考脉冲重复率与所述操作性脉冲重复率之间的差异。
16.根据条款14所述的方法，其中所述调节改变所述控制信号的幅度。
17.根据条款16所述的方法，其中所述控制信号的幅度是：
/>
其中U(f)是所述致动器的所述控制信号，λT是所述辐射脉冲的目标波长，n是脉冲数目，P(f)是所述致动器的动态模型。
18.根据条款17所述的方法，其中所述脉冲信息包括脉冲数目，并且其中所述控制信号的改变后的幅度是：
其中C是校正因子。
19.根据条款18所述的方法，其中所述校正因子是：
其中Rr是所述辐射系统的所述参考脉冲重复率，Δ是所述操作性脉冲重复率与所述参考脉冲重复率之间的差异。
20.根据条款19所述的方法，其中针对由所述辐射系统生成的每个辐射脉冲，计算所述校正因子并将所述校正因子应用至所述控制信号。
21.一种将图案化辐射束投射到目标上的方法，其中所述图案化辐射束包括辐射脉冲，所述方法还包括根据包括以下各项的方法来控制所述辐射脉冲：
使用光学元件与所述辐射脉冲相互作用以控制所述辐射脉冲的特性；
根据至少部分地取决于所述辐射系统的参考脉冲重复率的控制信号使用致动器致动所述光学元件；
接收脉冲信息；以及
使用所述脉冲信息确定和施加对所述控制信号的调节。
22.一种包括计算机可读指令的计算机程序，所述计算机可读指令被配置为使计算机执行控制辐射脉冲的方法，所述方法包括：
使用光学元件与所述辐射脉冲相互作用以控制所述辐射脉冲的特性；
根据至少部分地取决于所述辐射系统的参考脉冲重复率的控制信号使用致动器致动所述光学元件；
接收脉冲信息；以及
使用所述脉冲信息确定和施加对所述控制信号的调节。
23.一种用于控制辐射脉冲的计算机设备，包括存储处理器可读指令的存储器、以及被设置为读取和执行存储在所述存储器中的指令的处理器，其中所述处理器可读指令包括被布置为控制所述计算机执行控制辐射脉冲的方法的指令，所述方法包括：
使用光学元件与所述辐射脉冲相互作用以控制所述辐射脉冲的特性；
根据至少部分地取决于所述辐射系统的参考脉冲重复率的控制信号使用致动器致动所述光学元件；
接收脉冲信息；以及
使用所述脉冲信息确定和施加对所述控制信号的调节。
虽然上面已经描述了本发明的特定实施例，但是应当理解，本发明可以以不同于所描述的方式实践。以上描述旨在是说明性而非限制性的。因此，对于本领域技术人员来说很清楚的是，可以在不背离下面提出的权利要求的范围的情况下对所描述的本发明进行修改。

Claims (21)

1.一种用于控制辐射脉冲的辐射系统，包括：
光学元件，被配置为与所述辐射脉冲相互作用以控制所述辐射脉冲的特性；
致动器，被配置为根据从控制器接收的控制信号，来致动所述光学元件，所述控制信号至少部分地取决于所述辐射系统的参考脉冲重复率，其中所述控制器被配置为接收脉冲信息并且使用所述脉冲信息来确定和施加对所述控制信号的调节，并且
其中所述脉冲信息包括所述辐射系统的操作性脉冲重复率，并且其中所述调节至少部分地考虑所述参考脉冲重复率与所述操作性脉冲重复率之间的差异。
2.根据权利要求1所述的辐射系统，其中所述特性是所述辐射脉冲的波长。
3.根据权利要求1所述的辐射系统，其中所述调节改变所述控制信号的幅度。
4.根据权利要求3所述的辐射系统，其中所述控制信号的所述幅度为：
其中U(f)是在频域中的所述致动器的所述控制信号，λT是所述辐射脉冲的目标波长，n是脉冲数目，P(f)是在所述频域中的所述致动器的动态模型。
5.根据权利要求4所述的辐射系统，其中所述脉冲信息包括脉冲数目，并且其中所述控制信号的改变后的幅度为：
其中C是校正因子。
6.根据权利要求5所述的辐射系统，其中所述校正因子为：
其中Rr是所述辐射系统的所述参考脉冲重复率，并且Δ是所述操作性脉冲重复率与所述参考脉冲重复率之间的差异。
7.根据权利要求6所述的辐射系统，其中针对由所述辐射系统生成的每个辐射脉冲，计算所述校正因子并将所述校正因子施加至所述控制信号。
8.根据权利要求1所述的辐射系统，其中所述致动器包括压电元件，所述压电元件被配置为旋转所述光学元件使得所述辐射脉冲在所述光学元件上的入射角改变。
9.根据权利要求1所述的辐射系统，其中所述光学元件包括光栅，所述光栅被配置为以波长依赖的方式使所述辐射脉冲反射，使得所选择的辐射波长带被传输到所述辐射系统的输出。
10.根据权利要求1所述的辐射系统，其中所述光学元件包括棱镜，所述棱镜被配置为以波长依赖的方式使所述辐射脉冲折射，使得所选择的辐射波长带被传输到所述辐射系统的输出。
11.一种光刻系统，包括：
光刻设备，被配置为接收辐射脉冲、图案化所述辐射脉冲并且将图案化的辐射脉冲投射到目标上；以及
根据权利要求1所述的辐射系统。
12.一种控制辐射系统中的辐射脉冲的方法，所述方法包括：
使用光学元件与所述辐射脉冲相互作用，以控制所述辐射脉冲的特性；
使用致动器、根据至少部分地取决于所述辐射系统的参考脉冲重复率的控制信号，来致动所述光学元件；
接收脉冲信息；以及
使用所述脉冲信息来确定和施加对所述控制信号的调节，
其中所述脉冲信息包括所述辐射系统的操作性脉冲重复率，并且其中所述调节至少部分地考虑所述参考脉冲重复率与所述操作性脉冲重复率之间的差异。
13.根据权利要求12所述的方法，其中所述特性是所述辐射脉冲的波长。
14.根据权利要求12所述的方法，其中所述调节改变所述控制信号的幅度。
15.根据权利要求14所述的方法，其中所述控制信号的幅度为：
其中U(f)是所述致动器的所述控制信号，λT是所述辐射脉冲的目标波长，n是脉冲数目，P(f)是所述致动器的动态模型。
16.根据权利要求15所述的方法，其中所述脉冲信息包括脉冲数目，并且其中所述控制信号的改变后的幅度为：
其中C是校正因子。
17.根据权利要求16所述的方法，其中所述校正因子为：
其中Rr是所述辐射系统的所述参考脉冲重复率，并且Δ是所述操作性脉冲重复率与所述参考脉冲重复率之间的差异。
18.根据权利要求17所述的方法，其中针对由所述辐射系统生成的每个辐射脉冲，计算所述校正因子并将所述校正因子施加至所述控制信号。
19.一种将辐射系统中的图案化的辐射束投射到目标上的方法，其中所述图案化的辐射束包括辐射脉冲，所述方法还包括根据包括以下各项的方法来控制所述辐射脉冲：
使用光学元件与所述辐射脉冲相互作用，以控制所述辐射脉冲的特性；
使用致动器、根据至少部分地取决于所述辐射系统的参考脉冲重复率的控制信号，来致动所述光学元件；
接收脉冲信息；以及
使用所述脉冲信息来确定和施加对所述控制信号的调节，
其中所述脉冲信息包括所述辐射系统的操作性脉冲重复率，并且其中所述调节至少部分地考虑所述参考脉冲重复率与所述操作性脉冲重复率之间的差异。
20.一种计算机程序产品，包括计算机可读指令，所述计算机可读指令被配置为使计算机执行控制辐射系统中的辐射脉冲的方法，所述方法包括：
使用光学元件与所述辐射脉冲相互作用，以控制所述辐射脉冲的特性；
使用致动器、根据至少部分地取决于所述辐射系统的参考脉冲重复率的控制信号，来致动所述光学元件；
接收脉冲信息；以及
使用所述脉冲信息来确定和施加对所述控制信号的调节，
其中所述脉冲信息包括所述辐射系统的操作性脉冲重复率，并且其中所述调节至少部分地考虑所述参考脉冲重复率与所述操作性脉冲重复率之间的差异。
21.一种用于控制辐射脉冲的计算机设备，包括存储器和处理器，所述存储器存储处理器可读指令，所述处理器被设置为读取和执行存储在所述存储器中的指令，其中所述处理器可读指令包括被布置为控制所述计算机执行控制辐射系统中的辐射脉冲的方法的指令，所述方法包括：
使用光学元件与所述辐射脉冲相互作用，以控制所述辐射脉冲的特性；
使用致动器、根据至少部分地取决于所述辐射系统的参考脉冲重复率的控制信号，来致动所述光学元件；
接收脉冲信息；以及
使用所述脉冲信息来确定和施加对所述控制信号的调节，
其中所述脉冲信息包括所述辐射系统的操作性脉冲重复率，并且其中所述调节至少部分地考虑所述参考脉冲重复率与所述操作性脉冲重复率之间的差异。
CN202080052966.3A 2019-07-23 2020-06-25 补偿由重复率偏差引起的波长误差的方法 Active CN114144731B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201962877796P 2019-07-23 2019-07-23
US62/877,796 2019-07-23
PCT/US2020/039520 WO2021015919A1 (en) 2019-07-23 2020-06-25 Method of compensating wavelength error induced by repetition rate deviation

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN114144731A CN114144731A (zh) 2022-03-04
CN114144731B true CN114144731B (zh) 2024-04-09

Family

ID=71662326

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202080052966.3A Active CN114144731B (zh) 2019-07-23 2020-06-25 补偿由重复率偏差引起的波长误差的方法

Country Status (6)

Country Link
US (2) US11803126B2 (zh)
JP (1) JP7358610B2 (zh)
KR (1) KR102628796B1 (zh)
CN (1) CN114144731B (zh)
TW (1) TWI803761B (zh)
WO (1) WO2021015919A1 (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN117581429A (zh) * 2021-08-06 2024-02-20 极光先进雷射株式会社 激光装置和电子器件的制造方法
WO2024030478A1 (en) * 2022-08-05 2024-02-08 Cymer, Llc Apparatus for and method of control for multifocal imaging

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SU382016A1 (ru) * 1971-04-26 1973-05-22 Устройство для измерения разности частот следования импульсов
SU1001098A1 (ru) * 1981-10-01 1983-02-28 Предприятие П/Я В-8708 Умножитель частоты следовани импульсов
CA1192975A (en) * 1981-07-06 1985-09-03 Werner H. Egli Error cancelling bias system
DE4204844A1 (de) * 1992-02-18 1993-08-19 Lambda Physik Forschung Verfahren und schaltung zum steuern eines thyratrons in einem gasentladungslaser
US6621846B1 (en) * 1997-07-22 2003-09-16 Cymer, Inc. Electric discharge laser with active wavelength chirp correction
CN102834988A (zh) * 2010-04-07 2012-12-19 西默股份有限公司 用于控制光带宽的方法和设备
CN108474689A (zh) * 2015-12-21 2018-08-31 西默有限公司 针对重复率相关性能变量的在线校准
CN109217095A (zh) * 2018-11-13 2019-01-15 徐州诺派激光技术有限公司 中红外脉冲激光器及其工作方法
CN111164516A (zh) * 2017-09-29 2020-05-15 Asml荷兰有限公司 辐射源

Family Cites Families (37)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5142543A (en) 1988-01-27 1992-08-25 Kabushiki Kaisha Komatsu Seisakusho Method and system for controlling narrow-band oscillation excimer laser
US6671294B2 (en) 1997-07-22 2003-12-30 Cymer, Inc. Laser spectral engineering for lithographic process
US6853653B2 (en) 1997-07-22 2005-02-08 Cymer, Inc. Laser spectral engineering for lithographic process
US6532247B2 (en) 2000-02-09 2003-03-11 Cymer, Inc. Laser wavelength control unit with piezoelectric driver
US6650666B2 (en) 2000-02-09 2003-11-18 Cymer, Inc. Laser wavelength control unit with piezoelectric driver
JP4683778B2 (ja) 2001-07-16 2011-05-18 ギガフォトン株式会社 レーザ装置用波長制御装置及び制御方法
US7154928B2 (en) 2004-06-23 2006-12-26 Cymer Inc. Laser output beam wavefront splitter for bandwidth spectrum control
US7088758B2 (en) 2001-07-27 2006-08-08 Cymer, Inc. Relax gas discharge laser lithography light source
TWI232357B (en) 2002-11-12 2005-05-11 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
GB2402230B (en) 2003-05-30 2006-05-03 Xsil Technology Ltd Focusing an optical beam to two foci
US6829040B1 (en) 2003-11-07 2004-12-07 Advanced Micro Devices, Inc. Lithography contrast enhancement technique by varying focus with wavelength modulation
US7116695B2 (en) * 2004-09-28 2006-10-03 Cymer, Inc. Laser output light pulse beam parameter transient correction system
US7534552B2 (en) 2004-12-23 2009-05-19 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7256870B2 (en) 2005-02-01 2007-08-14 Asml Netherlands B.V. Method and apparatus for controlling iso-dense bias in lithography
US7843978B2 (en) * 2005-02-04 2010-11-30 Jds Uniphase Corporation Passively Q-switched laser with adjustable pulse repetition rate
US7525638B2 (en) 2005-03-23 2009-04-28 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7286207B2 (en) 2005-04-28 2007-10-23 Infineon Technologies, Ag Exposing a semiconductor wafer using two different spectral wavelengths and adjusting for chromatic aberration
US20070013889A1 (en) 2005-07-12 2007-01-18 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby having an increase in depth of focus
US7728955B2 (en) 2006-03-21 2010-06-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, radiation supply and device manufacturing method
US8554035B2 (en) 2006-10-26 2013-10-08 Cornell Research Foundation, Inc. Production of optical pulses at a desired wavelength using soliton self-frequency shift in higher-order-mode fiber
JP2009010231A (ja) 2007-06-28 2009-01-15 Canon Inc 露光装置およびデバイス製造方法
CA2695953C (en) 2007-08-09 2018-05-01 Nicolas Godbout Tunable mode-locked laser
NL2005424A (en) 2009-10-30 2011-05-02 Asml Netherlands Bv Lithographic method and apparatus.
JP2013062484A (ja) 2011-08-24 2013-04-04 Gigaphoton Inc レーザ装置
US9207119B2 (en) 2012-04-27 2015-12-08 Cymer, Llc Active spectral control during spectrum synthesis
DE102012211256A1 (de) 2012-06-29 2014-01-02 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsbelichtungsanlage für die Projektionslithographie
US9261794B1 (en) 2014-12-09 2016-02-16 Cymer, Llc Compensation for a disturbance in an optical source
US9485609B2 (en) * 2015-02-06 2016-11-01 Nxp B.V. Pulse frequency control for wireless communications and ranging
US10816905B2 (en) * 2015-04-08 2020-10-27 Cymer, Llc Wavelength stabilization for an optical source
US9778108B2 (en) 2015-05-22 2017-10-03 Cymer, Llc Metrology system and method having a plurality of sensors for estimating a spectral feature of a pulsed light beam
US9785050B2 (en) 2015-06-26 2017-10-10 Cymer, Llc Pulsed light beam spectral feature control
JP6595012B2 (ja) 2016-02-02 2019-10-23 ギガフォトン株式会社 狭帯域化レーザ装置
US9997888B2 (en) * 2016-10-17 2018-06-12 Cymer, Llc Control of a spectral feature of a pulsed light beam
US9989866B2 (en) 2016-10-17 2018-06-05 Cymer, Llc Wafer-based light source parameter control
WO2019079010A1 (en) 2017-10-19 2019-04-25 Cymer, Llc FORMATION OF MULTIPLE AERIAL IMAGES IN ONE LITHOGRAPHIC EXPOSURE PASSAGE
NL2022609A (en) 2018-03-12 2019-09-18 Asml Netherlands Bv Control System and Method
JP7044894B2 (ja) 2018-03-30 2022-03-30 サイマー リミテッド ライアビリティ カンパニー パルス光ビームのスペクトル特性選択及びパルスタイミング制御

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SU382016A1 (ru) * 1971-04-26 1973-05-22 Устройство для измерения разности частот следования импульсов
CA1192975A (en) * 1981-07-06 1985-09-03 Werner H. Egli Error cancelling bias system
SU1001098A1 (ru) * 1981-10-01 1983-02-28 Предприятие П/Я В-8708 Умножитель частоты следовани импульсов
DE4204844A1 (de) * 1992-02-18 1993-08-19 Lambda Physik Forschung Verfahren und schaltung zum steuern eines thyratrons in einem gasentladungslaser
US6621846B1 (en) * 1997-07-22 2003-09-16 Cymer, Inc. Electric discharge laser with active wavelength chirp correction
CN102834988A (zh) * 2010-04-07 2012-12-19 西默股份有限公司 用于控制光带宽的方法和设备
CN108474689A (zh) * 2015-12-21 2018-08-31 西默有限公司 针对重复率相关性能变量的在线校准
CN112731770A (zh) * 2015-12-21 2021-04-30 西默有限公司 针对重复率相关性能变量的在线校准
CN111164516A (zh) * 2017-09-29 2020-05-15 Asml荷兰有限公司 辐射源
CN109217095A (zh) * 2018-11-13 2019-01-15 徐州诺派激光技术有限公司 中红外脉冲激光器及其工作方法

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Control of Wafer Scanners: Methods and Developments;Heertjes, M.F等;2020 American Control Conference (ACC);20200727;3686–3703 *
LiDAR DATA ACCURACY: THE IMPACT OF PULSE REPETITION RATE;Nora Csanyi;MAPPS/ASPRS 2006 Fall Conference;20061110;1-8 *

Also Published As

Publication number Publication date
US20240036475A1 (en) 2024-02-01
CN114144731A (zh) 2022-03-04
TWI803761B (zh) 2023-06-01
WO2021015919A1 (en) 2021-01-28
US20220269181A1 (en) 2022-08-25
KR102628796B1 (ko) 2024-01-23
KR20220024953A (ko) 2022-03-03
JP7358610B2 (ja) 2023-10-10
TW202123570A (zh) 2021-06-16
US11803126B2 (en) 2023-10-31
JP2022542223A (ja) 2022-09-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20240036475A1 (en) Method of compensating wavelength error induced by repetition rate deviation
JP4202181B2 (ja) リソグラフィ装置、デバイス製造方法、性能測定方法、較正方法、およびコンピュータ・プログラム
CN105393169A (zh) 基于晶片的光源参数控制
TWI747391B (zh) 光譜特徵控制設備
US20220390857A1 (en) A radiation system for controlling bursts of pulses of radiation
JP2023159430A (ja) 光源波長を変調するための装置及び方法
JP2010267963A (ja) リソグラフィ装置及びデバイス製造方法におけるアライメントの改良
CN109863454B (zh) 控制晶片平台振动
WO2021186698A1 (ja) 露光システム、レーザ制御パラメータの作成方法、及び電子デバイスの製造方法
JP2023507272A (ja) Ｄｕｖレーザアライメントを改善するためのメトロロジ
US20240006838A1 (en) Apparatus for and method of modulating a wavelength of an excimer laser as a function of its repetition frequency
WO2024134780A1 (ja) 露光システム、及び電子デバイスの製造方法
US20230055090A1 (en) Predictive control of a pulsed light beam
JP2022517529A (ja) 投影システム及び投影システムを備えるリソグラフィ装置
CN117355794A (zh) 激光系统

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant