CN109863454B - 控制晶片平台振动 - Google Patents

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Abstract

一种方法包括产生脉冲光束；将脉冲光束朝向安装到光刻曝光装置的平台的衬底引导；使脉冲光束和衬底相对于彼此扫描，包括将脉冲光束投射到衬底的每个子区域上并且使脉冲光束和衬底中的一项或多项相对于彼此移动；针对衬底的每个子区域确定平台的振动的值；针对衬底的每个子区域，确定对脉冲光束的带宽的调节量，该调节量补偿平台振动的变化以便跨衬底将焦点模糊保持在预定值范围内；并且将脉冲光束的带宽改变所确定的调节量，从而补偿平台振动变化。

Description

控制晶片平台振动
相关申请的交叉引用
本申请涉及于2016年10月17日提交的美国申请No.15/295,280，该申请通过引用整体并入本文。
技术领域
所公开的主题涉及一种用于通过调节朝向晶片被引导的脉冲光束的特性来在晶片的扫描期间补偿晶片平台的振动的变化的装置。
背景技术
在半导体光刻(或光刻技术)中，集成电路(IC)的制造需要在半导体(例如，硅)衬底(也称为晶片)上执行的各种物理和化学工艺。光刻曝光装置或扫描仪是一种将期望图案施加到衬底的目标部分上的机器。晶片固定到平台，使得晶片总体上沿着由扫描仪的正交的XL和YL方向限定的平面延伸。通过光束照射晶片，该光束的波长在深紫外(DUV)范围内。光束沿着轴向方向行进，该轴向方向与扫描仪的ZL方向相对应。扫描仪的ZL方向与横向XL-YL平面正交。临界尺寸(CD)是可以通过曝光装置在晶片上印刷的图案的最小特征尺寸。重要的是，保持均匀或受控的CD以便能够更好地控制印刷在晶片上的微电子特征。
发明内容
在一些总体方面中，一种方法包括：从脉冲光源产生脉冲光束；将脉冲光束朝向安装到光刻曝光装置的平台的衬底引导；在脉冲光束与衬底之间执行扫描操作，其中扫描操作包括将脉冲光束投射到衬底的每个子区域上并且使脉冲光束中的脉冲光束和衬底中的一项或多项相对于彼此移动；针对衬底的每个子区域，确定平台的振动的值；针对衬底的每个子区域，确定对脉冲光束的带宽的调节量，该调节量补偿平台振动的变化以便跨衬底将焦点模糊保持在预定值范围内；以及当脉冲光束对衬底进行曝光时，将脉冲光束的带宽改变所确定的调节量，从而补偿平台振动变化。
实现可以包括以下特征中的一个或多个。例如，可以通过访问查找表以确定保持有效平台振动恒定的带宽的值来确定对特定子区域中的带宽的调节量。该方法可以包括在将脉冲光束朝向衬底引导之前创建查找表。
可以通过在已经在脉冲光束与衬底之间执行扫描操作之后针对衬底的每个子区域确定平台振动的值来确定衬底的每个子区域的平台振动的值。可以通过在脉冲光束对尚未被脉冲光束扫描的衬底进行曝光时将脉冲光束的带宽改变所确定的调节量来在脉冲光束对衬底进行曝光时将脉冲光束的带宽改变所确定的调节量。
可以在将脉冲光束朝向衬底引导之前确定对脉冲光束的带宽的调节量。可以在脉冲光束朝向衬底被引导时并且在衬底的每个子区域处确定对脉冲光束的带宽的调节量。
可以通过调节光谱特征选择装置的一个或多个光学部件来改变脉冲光束的带宽。可以通过旋转和平移光谱特征选择装置的棱镜来调节光谱特征选择装置的一个或多个光学部件。
可以将焦点模糊保持在预定范围内以将形成在衬底中的特征的临界尺寸保持在预定范围内。
可以通过改变脉冲光束的脉冲的突发之间的带宽来改变脉冲光束的带宽。
该方法可以包括测量朝向衬底被引导的脉冲光束的带宽，以及如果所测量的带宽在可接受的带宽范围之外，则调节脉冲光束的带宽。
在其他总体方面中，一种装置包括：产生脉冲光束的光源；将脉冲光束朝向安装到光刻曝光装置的平台的衬底引导的光束引导系统；被配置为将脉冲光束投射到衬底的每个子区域上并且使脉冲光束中和衬底中的一项或多项相对于彼此移动的扫描系统；被配置为针对衬底的每个子区域确定平台的振动的值的量测装置；以及连接到光源、扫描系统和量测装置的控制系统。控制系统被配置为；从量测装置接收针对每个子区域的平台振动的所确定的值；针对每个子区域，确定对脉冲光束的带宽的调节量，该调节量补偿平台振动的变化，以便跨衬底将焦点模糊保持在预定值范围内；以及当脉冲光束对衬底进行曝光时，向光源发送信号以将脉冲光束的带宽修改所确定的调节量，从而补偿平台振动变化。
实现可以包括以下特征中的一个或多个。例如，扫描系统可以被配置为沿着横向平面使脉冲光束和衬底中的一项或多项相对于彼此移动。横向平面垂直于脉冲光束沿其被引导的轴向方向，并且量测装置可以被配置为确定平台沿着轴向方向的振动的值。
该装置可以包括被配置为选择脉冲光束的光谱特征的光谱特征选择装置，光谱特征选择装置包括布置在脉冲光束的路径中的光学部件集合，其中控制系统连接到光谱特征选择装置。控制系统可以通过向光谱特征选择装置发送信号以移动至少一个光学部件从而改变脉冲光束的带宽来向光源发送信号以修改脉冲光束的带宽。光谱特征选择装置的该组光学部件可以包括至少一个棱镜，并且控制系统可以通过向与至少一个棱镜相关联的快速致动器发送信号以引起棱镜旋转从而改变带宽来向光谱特征选择装置发送信号以移动至少一个光学部件从而改变脉冲光束的带宽。
光谱特征选择装置的该组光学部件可以包括：被布置为与脉冲光束交互的色散光学元件；以及在色散光学元件与光源之间被布置在脉冲光束的路径中的多个棱镜。
光谱特征选择装置可以包括致动系统，该致动系统包括与棱镜相关联并且被配置为旋转相关联的棱镜，从而调节脉冲光束的光谱特征的至少一个快速致动器。
快速致动器可以包括旋转平台，旋转平台围绕旋转轴线旋转并且包括与棱镜机械链接的区域。旋转平台可以被配置为围绕旋转轴线旋转完整的360°的旋转角度。
附图说明
图1是产生被引导到光刻曝光装置的脉冲光束的光刻系统的框图；
图2是描绘在图1的光刻曝光装置内成像的晶片的绘图的示意图，该绘图示出了晶片的子区域；
图3是由图1的光刻系统产生的脉冲光束的示例性光谱的曲线图；
图4是可以在图1的光刻系统中使用的示例性光刻曝光装置的框图；
图5A是可以在图1的光刻系统中使用的示例性光谱特征选择装置的框图；
图5B是图5A的光谱特征选择装置内的示例性棱镜的框图，并且示出了穿过棱镜的光束放大率和光束折射角；
图6A是包括与至少一个棱镜相关联的快速致动器并且可以在图1的光刻系统中使用的示例性光谱特征选择装置的框图；
图6B是沿着图6A装置的一个棱镜的6B-6B截面截取的视图；
图6C是沿着图6B的棱镜的ZSF方向的视图，示出了棱镜的旋转；
图7A是包括与至少一个棱镜相关联的快速致动器并且可以在图1的光刻系统中使用的示例性光谱特征选择装置的框图；
图7B是沿着图7A装置的一个棱镜的7B-7B截面截取的视图；
图7C是沿着图7B的棱镜的ZSF方向的视图，示出了棱镜的旋转；
图8是可以在图1的光刻系统中使用的示例性光源的框图；
图9是可以在图1的光刻系统中使用的示例性控制系统的框图；
图10是由图1的光刻系统执行示例性过程的流程图，以快速调节脉冲光束的带宽，以补偿晶片的每个子区域中的平台振动的变化；
图11是由图1的光刻系统执行的示例性过程的流程图，以确定针对晶片的每个子区域的对脉冲光束的带宽的调节；以及
图12是针对晶片的所有子区域测量的平台振动与补偿平台振动的不希望变化的脉冲光束的带宽之间的示例性关系的曲线图。
具体实施方式
参考图1，光刻系统100包括照射系统150，该照射系统150产生脉冲光束110，该脉冲光束110具有名义上处于中心波长处的波长并且被引导到光刻曝光装置或扫描仪115。脉冲光束110是用于在安装到扫描仪115中的平台122的衬底或晶片120上图案化微电子特征。在晶片120上图案化的这些微电子特征的尺寸受到临界尺寸(CD)的限制，并且临界尺寸受到焦点模糊的影响，焦点模糊是光束110在晶片120处的焦点的模糊。焦点模糊至少部分地是由于光束110的带宽、沿着ZL方向的平台振动或振荡、以及平台122从XL-YL平面的倾斜而引起的色差效应而导致的。
平台振动是沿着ZL方向发生的平台122的振动。平台振动跨晶片120的横向方向(跨XL和YL方向)变化。例如，如图2所示，示出了晶片220的示例性绘图200，其中沿着ZL方向的平台振动由从平台干涉仪误差信号中导出的移动标准偏差(MSD)值表征。较高的平台振动值使图像模糊，并且从而导致CD的不均匀性。晶片220的绘图200示出了平台振动如何跨晶片220的曝光场223而改变。晶片220的曝光场223是在曝光狭缝或窗口的一次扫描中曝光的晶片220的区域。
因为焦点模糊至少部分地取决于光束110的带宽和沿着ZL方向的平台振动，所以可以通过在使光束跨晶片220扫描时调节光束的带宽以补偿跨晶片220的表面的平台振动的变化来将焦点模糊保持在恒定值。本文中描述的光刻系统100和相关方法被设计为确定晶片220的每个位置或子区域(例如，每个曝光场)处的带宽调节或值，该带宽调节或值抵消以其他方式由该晶片子区域处的平台振动的变化引起的焦点模糊的变化，从而保持焦点模糊并且控制跨晶片220的CD。对带宽的调节在使光束110跨晶片220扫描时发生。例如，在光谱特征选择装置130的控制下，可以针对晶片220的每个子区域(诸如每个曝光场223)调节光束110的带宽。
此外，为了能够针对晶片120、220的每个子区域快速地调节带宽，已经对光谱特征选择装置130进行了重新设计，以便在使光束110跨晶片120扫描的同时提供脉冲光束110的带宽的更快速调节，以便能够针对晶片120的每个子区域来调节带宽。
具体地，光谱特征选择装置130可以包括粗略光谱特征调节系统130A和精细光谱特征调节系统130B。粗略光谱特征调节系统130A用于光谱特征(诸如带宽)的粗略、大范围和慢速控制，并且是与由光源104产生的脉冲光束110A交互的光学部件的集合。精细光谱特征调节系统130B用于诸如带宽等光谱特征的精细、窄范围和快速控制。精细光谱特征调节系统130B可以包括与脉冲光束110A光学地交互以控制一个或多个光谱特征的光学系统。精细带宽调节系统130C可以包括以快速方式与光源105的其他方面交互以控制诸如带宽等一个或多个光谱特征的非光学系统。例如，精细光谱特征调节系统130C可以被配置为调节与光源105内的气体放电室相关联的定时的各方面，从而调节脉冲光束110的带宽。
接下来描述关于光刻系统100的细节。再次参考图1，照射系统150包括以能够改变的脉冲重复率产生脉冲光束110的光源105。照射系统150包括与光源105和照射系统150内的其他特征通信的控制系统185。照射系统150还与扫描仪115通信，以控制照射系统150的操作和脉冲光束110的各方面。
控制系统185可操作地连接到脉冲光源105和光谱特征选择装置130。并且，扫描仪115包括可操作地连接到控制系统185和扫描仪115内的部件的光刻控制器140。
脉冲光束110的脉冲重复率是光源110产生光束110的脉冲的速率。因此，例如，脉冲光束110的重复率是1/Δt，其中Δt是脉冲之间的时间。控制系统185总体上被配置为控制产生脉冲光束110的重复率，包括当脉冲光束在扫描仪115中曝光晶片120时改变脉冲光束的重复率。
在一些实现中，扫描仪115触发光源105(通过控制器140与控制系统185之间的通信)以产生脉冲光束110，因此扫描仪115通过控制器140和控制系统185来控制重复率、诸如带宽或波长等光谱特征、和/或剂量。例如，控制器140向控制系统185发送信号以将光束110的重复率保持在特定的可接受速率范围内。扫描仪115总体上针对光束110的每个脉冲突发保持重复率恒定。光束110的脉冲突发可以对应于晶片120上的曝光场。曝光场是在扫描仪115内的曝光狭缝或窗口的一次扫描中曝光的晶片120的区域。例如，脉冲突发可以包括从10到500个脉冲中的任何多个脉冲。
如所讨论的，临界尺寸(CD)是系统100可以在晶片120上印刷的最小特征尺寸。CD取决于光束110的波长。因此，为了保持在晶片120和由系统100曝光的其他晶片上印刷的微电子特征的均匀CD，光束110的中心波长应当保持在预期或目标中心波长处或者在目标波长附近的波长范围内。因此，除了将中心波长保持在目标中心波长处或者在目标中心波长附近的可接受波长范围内之外，还希望将光束110的带宽(光束110中的波长范围)保持在可接受的带宽范围内。
为了将光束110的带宽保持在可接受范围内，或者为了调节光束110的带宽，控制系统185被配置为确定对脉冲光束110的带宽的调节量。控制系统185被配置为向光谱特征选择装置130发送信号，以移动装置130的至少一个光学部件(例如，棱镜520)，从而当脉冲光束110曝光晶片120时，将脉冲光束110的带宽改变所确定的调节量，从而补偿跨晶片220的表面的沿着ZL方向的平台振动的变化。
在一些实现中，脉冲光束110的带宽可以在脉冲的任何两个突发之间改变。在该示例中，将带宽从第一值改变为第二值并且还稳定在第二值所花费的时间应当小于脉冲突发之间的时间。例如，如果突发之间的时间段是50ms，则是将带宽从第一值改变为第二值并且稳定在第二值的总时间应当小于50ms。在该示例中，将带宽从第一值改变为第二值并且还稳定在第二值所花费的时间可以低至50毫秒(ms)。在其他实现中，可以在脉冲突发期间或者在曝光场之间(并且不一定在突发之间)改变脉冲光束110的带宽。在一些实现中，脉冲光束110的带宽可以在光束110的脉冲之间改变。例如，带宽可以在约几十微秒(μs)内(例如，在100到200μs内)改变10飞秒(fm)。在其他实现中，脉冲光束110的带宽在场之间(在曝光场之间)改变；例如，带宽可以在约10到15ms内改变100fm。
控制系统185和光谱特征选择装置130被设计为能够实现带宽的这种快速变化，如下面详细讨论的。
扫描仪115的控制器140向控制系统185发送信号，以调节或修改正在跨晶片120扫描的脉冲光束110的一方面(诸如带宽或重复率)。发送到控制系统185的信号可以引起控制系统185修改发送到脉冲光源105的电信号或发送到装置130的电信号。例如，如果脉冲光源105包括气体激光放大器，则电信号向脉冲光源105的一个或多个气体放电室内的电极提供脉冲电流。
晶片120放置在晶片平台122(也称为工作台)上，并且平台122连接到定位器，定位器被配置为根据某些参数并且在控制器140的控制下准确地定位晶片120。
光刻系统100还可以包括测量系统170，测量系统170可以包括测量光束110的一个或多个光谱特征(诸如带宽或波长)的子系统。由于在操作期间施加到光刻系统100的各种干扰，晶片120处的光束110的光谱特征(诸如带宽或波长)的值可能与期望的光谱特征(即，扫描仪115期望的光谱特征)不对应或不匹配。因此，在操作期间通过从光谱估计度量的值来测量或估计光束110的光谱特征(诸如特征带宽)，使得操作者或自动系统(例如，反馈控制器)能够使用所测量或估计的带宽来调节光源105的特性并且调节光束110的光谱。测量系统170的子系统基于该光谱来测量光束110的光谱特征(诸如带宽和/或波长)。
测量系统170接收光束110的从光束分离装置重定向的部分，该光束分离装置放置在光源105与扫描仪115之间的路径中。光束分离装置将光束110的第一部分或百分比引导到测量系统170中并且将光束110的第二部分或百分比朝向扫描仪115引导。在一些实现中，第二部分中的大部分光束110朝向扫描仪115被引导。例如，光束分离装置将光束110的一部分(例如，1-2％)引导到测量系统170中。光束分离装置可以是例如分束器。
光束110的脉冲以在深紫外(DUV)范围内的波长为中心，例如波长为248纳米(nm)或193nm。在晶片120上图案化的微电子特征的尺寸取决于脉冲光束110的波长等，较低的波长产生较小的最小特征尺寸或临界尺寸。当脉冲光束110的波长为248nm或193nm时，微电子特征的最小尺寸可以是例如50nm或更小。用于分析和控制脉冲光束110的带宽可以是其光谱300(或发射光谱)的实际瞬时带宽，如图3所示。光谱300包含关于光束110的光学能量或功率如何在不同波长(或频率)上分布的信息。
光束110被引导穿过光束准备系统112，光束准备系统112可以包括修改光束110的各方面的光学元件。例如，光束准备系统112可以包括反射和/或折射光学元件、光学脉冲展宽器和光学孔径(包括自动遮蔽件)。
照明系统150包括光谱特征选择装置130。光谱特征选择装置130放置在光源105的第一端以与由光源105产生的光束110A交互。光束110A是在光源105内的谐振器的一端处产生的光束，并且可以是由主振荡器产生的种子束，如下所述。光谱特征选择装置130被配置为通过调谐或调节脉冲光束110A的一个或多个光谱特征(诸如带宽或波长)来精细地调节脉冲光束110的光谱特性。
还参考图4，晶片120、220由光束110照射。光刻曝光装置115包括光学布置，该光学布置包括具有例如一个或多个聚光透镜的照射器系统129、掩模134和物镜布置132。掩模134沿着一个或多个方向可移动，诸如沿着ZL方向(其总体上对应于光束110的轴向方向)或在垂直于ZL方向的XL-YL平面中。物镜布置132包括投影透镜并且使得能够发生从掩模134到晶片120上的光刻胶的图像转移。照射器系统129调节照射在掩模134上的光束110的角度范围。照射器系统129还使光束110跨掩模134的强度分布均匀化(使得均匀)。
除了其他特征之外，光刻设备115可以包括光刻控制器140、空调设备和用于各种电气部件的电源。光刻控制器140控制如何在晶片120上印刷层。
在一些实现中，可以提供浸没介质以覆盖晶片120。浸没介质可以是用于液体浸没光刻的液体(诸如水)。在其中光刻是干燥系统的其他实现中，浸没介质可以是诸如干燥氮气、干燥空气或清洁空气等气体。在其他实现中，晶片120可以在压力控制环境(诸如真空或部分真空)内曝光。
再次参考图4，工艺程序或选配方案确定晶片120上的曝光长度、所使用的掩模134和影响曝光的其他因素。在光刻期间，光束110的多个脉冲照射晶片120的相同区域以形成照射剂量。照射相同区域的光束110的脉冲数N可以称为曝光窗口400，并且窗口400的尺寸可以通过放置在掩模134之前的曝光狭缝405来控制。狭缝405可以设计为遮蔽件，并且可以包括可以打开和关闭的多个刀片。并且，曝光场的尺寸由在非扫描方向上的刀片之间的距离以及在扫描方向上的扫描长度(距离)来确定。在一些实现中，N的值为十，例如，10-100个脉冲。在其他实现中，N的值大于100个脉冲，例如，100-500个脉冲。
晶片平台122、掩模134和物镜布置132中的一个或多个固定到相关联的致动系统，从而形成扫描布置。在扫描布置中，掩模134、物镜布置132和晶片120中的一个或多个(经由平台122)在曝光期间相对于彼此移动，以跨曝光场223扫描曝光窗口400。
再次参考图1，光刻系统100还包括被配置为针对晶片120、200的每个子区域(例如，针对每个曝光场223)确定Z方向上的平台振动的值的晶片量测装置145。量测装置145连接到控制系统185，使得控制系统185接收每个晶片子区域的Z方向上的平台振动的值。控制系统185可以存储每个晶片子区域的Z方向上的平台振动的值。
在一些实现中，量测装置145被配置为以离线模式来使用，在离线模式下，在晶片120、220已经由光束110图案化之后或之前对晶片120、220进行分析。通过这种扫描获得的数据可以由控制系统185针对将来要扫描的一个或多个晶片来使用。通过这种扫描获得的数据可以用于产生可以用于下一待扫描晶片的晶片120、220的校正图。
在其他实现中，量测装置145以在线模式来使用，在在线模式下，在晶片120、220被光束110图案化的同时对晶片120、220进行分析。例如，可以在光束110的突发之间探测晶片120、220的曝光场，或者指示ZL方向上的平台振动的扫描仪115的另一方面可以在晶片120、220的扫描期间被探测。
量测装置145可以是能够探测平台振动的任何装置。在一些实施方式中，量测装置145包括在每个晶片子区域(诸如每个晶片曝光场223)处测量晶片120的表面上的小的位移或表面不规则性的干涉仪。从这些数据，可以导出每个晶片子区域(诸如每个晶片曝光场223)处沿着ZL方向的移动标准偏差(MSD)值；并且可以认为MSDZL的值表示沿着ZL方向的平台振动。
作为另一示例，量测装置145可以是可以在曝光之前或者在晶片120的扫描之间执行探测晶片120的扫描仪1I5。
量测装置145可以是独立系统，诸如被设计用于高分辨率成像的高分辨率扫描电子显微镜(SEM)，以便能够显示小于例如1nm的特征尺寸。SEM是一种电子显微镜，其通过用焦点的电子束扫描晶片120来产生样本(在这种情况下为晶片120)的图像。SEM可以实现优于1纳米(nm)的分辨率。
量测装置145可以采用扫描白光干涉测量法，这种方法提供晶片120的定量非接触式三维测量。在该技术中，白光束穿过滤光器，并且然后穿过显微镜物镜到达晶片120的表面。从晶片120的表面反射回来的光与参考光束组合并且被捕获以在装置145内进行软件分析。在获得每个点的数据之后，装置145可以生成晶片120的表面的三维图像(形貌)。晶片120的这种形貌图也使得能够测量平台振动。
在其他实现中，量测装置145是散射仪，其朝向晶片120传输能量脉冲并且测量来自晶片120的反射或衍射能量。
参考图5A，在一些实现中，光谱特征选择装置130包括被布置为与脉冲光束110A光学地交互的光学特征或部件500、505、510、515、520的集合以及包括固件和软件的任意组合形式的电子器件的控制模块550。光学部件500、505、510、515、520可以被配置为提供粗略光谱特征调节系统130A(如图1所示)；并且，如果这些部件的调节足够快，则光学部件500、505、510、515、520可以被配置为提供精细光谱特征调节系统130B(如图1所示)。尽管在图5A中未示出，但是光谱特征选择装置130可以包括用于提供精细光谱特征控制的其他光学特征或其他非光学特征。
控制模块550连接到物理耦合到相应光学部件500、505、510、515、520的一个或多个致动系统500A、505A、510A、515A、520A。装置130的光学部件包括可以是光栅的色散光学元件500以及由可以是棱镜的折射光学部件505、510、515、520的集合制成的扩束器501。光栅500可以是被设计成分散和反射光束110A的反射光栅；因此，光栅500由适于与波长在DUV范围内的脉冲光束110A交互的材料制成。棱镜505、510、515、520中的每个是透射棱镜，透射棱镜用于在光束110A穿过棱镜体时分散和重定向光束110A。每个棱镜可以由允许光束110A的波长的透射的材料(诸如例如，氟化钙)制成。
棱镜520位于最远离光栅500的位置，而棱镜505位于最靠近光栅500的位置。脉冲光束110A穿过孔径555进入装置130，并且然后行进依次穿过棱镜520、棱镜510和棱镜505，然后照射到光栅500的衍射表面502上。随着光束110A每次穿过连续的棱镜520、515、510、505，光束110A被光学放大并且朝向下一光学部件重定向(以特定角度折射)。当光束110A离开装置130时，光束110A在穿过孔径555之前，从光栅500被衍射和反射回，依次穿过棱镜505、棱镜510、棱镜515和棱镜520。每次从光栅300穿过连续的棱镜505、510、515、520时，光束110A在朝向孔径555行进时被光学压缩。
参考图5B，扩束器501的棱镜P(其可以是棱镜505、510、515或520中的任何一个)的旋转改变光束110A照射到该旋转后的棱镜P的入射表面H(P)上的入射角。此外，穿过该旋转后的棱镜P的光束110A的两个局部光学质量(即，光学放大率OM(P)和光束折射角δ(P))是入射到该旋转后的棱镜P的入射表面H(P)上的光束110A的入射角的函数。穿过棱镜P的光束110A的光学放大率OM(P)是离开该棱镜P的光束110A的横向宽度Wo(P)与进入该棱镜P的光束110A的横向宽度Wi(P)的比率。
扩束器501内的一个或多个棱镜P处的光束110A的局部光学放大率OM(P)的变化引起穿过扩束器501的光束110A的光学放大率OM 565的整体变化。穿过扩束器501的光束110A的光学放大率OM 565是离开扩束器501的光束110A的横向宽度Wo与进入扩束器501的光束110A的横向宽度Wi的比率。
另外，穿过扩束器501内的一个或多个棱镜P的局部光束折射角δ(P)的变化引起在光栅500的表面502处的光束110A的入射角562的整体变化。
可以通过改变光束110A照射到光栅500的衍射表面502上的入射角562来调节光束110A的波长。可以通过改变光束110的光学放大率565来调节光束110A的带宽。
光谱特征选择装置130被重新设计以便在通过扫描仪115使光束110跨晶片120扫描时更快速地调节脉冲光束110的带宽。光谱特征选择装置130可以被重新设计为具有用于更有效和更快速地旋转光学部件500、505、510、515、520中的一个或多个的一个或多个新的致动系统。
例如，光谱特征选择装置130包括用于更有效和更快速地旋转棱镜520的新的致动系统520A。新的致动系统520A可以以增加棱镜520旋转的速度的方式来设计。具体地，安装到新的致动系统520A的棱镜520的旋转轴线与新的致动系统520A的可旋转电机轴522A平行。在其他实现中，新的致动系统520A可以被设计为包括臂，该臂在一端处物理链接到电机轴522A并且在另一端处物理链接到棱镜520，以提供用于旋转棱镜520的附加手段。以这种方式，使光束110A的光学放大率OM对棱镜520的旋转更敏感。
在一些实现中，棱镜505相对于扩束器的现有设计翻转以提供更快速的带宽调节。在这些情况下，带宽变化相对更快(与装置130的现有设计相比)，其中棱镜520的旋转相对较小。与现有的光谱特征选择装置相比，在重新设计的光谱特征选择装置130中，棱镜520的每单位旋转的光学放大率的变化增加。
装置130被设计为通过调节光束110A照射在光栅500的衍射表面502上的入射角562来调节在光源105的一个或多个谐振器内产生的光束110A的波长。具体地，这可以通过旋转棱镜505、510、515、520和光栅500中的一个或多个从而调节光束110A的入射角562来完成。
此外，通过调节光束110A的光学放大率OM 565来调节由光源105产生的光束110A的带宽。因此，可以通过旋转棱镜505、510、515、520中的一个或多个来调节光束110A的带宽，这引起光束110A的光学放大率565改变。
因为特定棱镜P的旋转引起该棱镜P处的局部光束折射角δ(P)和局部光学放大率OM(P)两者的变化，所以在该设计中耦合了波长和带宽的控制。
另外，光束110A的带宽对棱镜520的旋转相对敏感，并且对棱镜505的旋转相对不敏感。这是因为，由于棱镜520的旋转而产生的光束110A的局部光学放大率OM(520)的任何变化都乘以分别在其他棱镜515、510和505中的光学放大率OM(515)、OM(510)、OM(505)的变化的乘积，因为这些棱镜在旋转后的棱镜520与光栅500之间，并且光束110A在穿过棱镜520之后必须穿过这些其他棱镜515、510、505。另一方面，光束110A的波长对棱镜505的旋转相对敏感，并且对棱镜520的旋转相对不敏感。
例如，为了在不改变波长的情况下改变带宽，应当在不改变入射角562的情况下改变光学放大率565，并且这可以通过将棱镜520旋转一个大的量并且将棱镜505旋转一个小的量来实现。
控制模块550连接到物理地耦合到相应的光学部件500、505、510、515、520的一个或多个致动系统500A、505A、510A、515A、520A。尽管针对每个光学部件示出了致动系统，但是装置130中的一些光学部件可以保持静止或者不物理地耦合到致动系统。例如，在一些实现中，光栅500可以保持静止，并且棱镜515可以保持静止并且不物理地耦合到致动系统。
致动系统500A、505A、510A、515A、520A中的每个包括连接到其相应光学部件的一个或多个致动器。光学部件的调节引起光束110A的特定光谱特征(波长和/或带宽)的调节。控制模块550从控制系统185接收控制信号，该控制信号包括操作或控制一个或多个致动系统的特定命令。可以选择和设计致动系统以协同工作。
致动系统500A、505A、510A、515A、520A的每个致动器是用于移动或控制相应光学部件的机械装置。致动器从模块550接收能量，并且将该能量转换成被赋予相应光学部件的某种运动。例如，致动系统可以是用于旋转扩束器的一个或多个棱镜的力装置和旋转平台中的任何一种。致动系统可以包括例如电机(诸如步进电机)、阀门、压力控制装置、压电装置、线性电机、液压致动器、音圈等。
光栅500可以是高闪耀角中阶梯光栅，并且以满足光栅方程的任何入射角562入射在光栅500上的光束110A将被反射(衍射)。光栅方程提供光栅500的光谱阶、衍射波长(衍射光束的波长)、光束110A到光栅500上的入射角562、从光栅500衍射离开的光束110A的出射角、入射到光栅500上的光束110A的垂直发散、以及光栅500的衍射表面的沟槽间距之间的关系。此外，如果使用光栅500使得光束110A到光栅500上的入射角562等于光束110A离开光栅500的出射角，则光栅500和扩束器(棱镜505、510、515、520)以自准式配置布置并且从光栅500反射的光束110A的波长是自准式波长。可以假定入射到光栅500上的光束110A的垂直发散接近零。为了反射标称波长，光栅500相对于入射到光栅500上的光束110A对准，使得标称波长穿过扩束器(棱镜505、510、515、520)被反射回来以在光源105中放大。然后，通过改变光束110A到光栅500上的入射角562，可以在光源105内的谐振器的整个增益带宽上调谐自准式波长。
棱镜505、510、515、520中的每个沿着光束110A的横向方向足够宽，以使得光束110A被包含在光束110A所穿过的表面内。每个棱镜在从孔径555朝向光栅500的路径上光学地放大光束110A，并且因此每个棱镜的尺寸从棱镜520到棱镜505连续变大。因此，棱镜505大于棱镜510，棱镜510大于棱镜515，并且棱镜520是最小棱镜。
距离光栅500最远并且尺寸也最小的棱镜520安装在致动系统520A上，并且具体地安装到旋转轴522A，这引起棱镜520旋转，并且这种旋转改变照射在光栅500上的光束110A的光学放大率，从而改变从装置130输出的光束110A的带宽。致动系统520A被设计为快速致动系统520A，因为它包括旋转步进电机，旋转步进电机包括棱镜520固定到的旋转轴522A。旋转轴522A围绕其轴心线旋转，该轴心线与棱镜520的旋转轴线平行。此外，因为致动系统520A包括旋转步进电机，所以它没有任何机械记忆并且也没有能量基态。旋转轴522A的每个位置与旋转轴522A的每个其他位置具有相同的能量，并且旋转轴522A没有具有低势能的优选静止位置。
参考图6A和6B，在第一实现中，光谱特征选择装置630被设计为具有光栅600和四个棱镜605、610、615、620。光栅600和四个棱镜605、610、615、620被配置为在由光源105产生的光束110A穿过装置630的孔径655之后与光束110A交互。光束110A沿着装置630的XSF-YSF平面中的路径从孔径655行进，穿过棱镜620、棱镜615、棱镜610、棱镜605，并且然后从光栅600反射，并且然后穿过棱镜605、610、615、620返回，然后穿过孔径655离开装置。
棱镜605、610、615、620是直角棱镜，脉冲光束110A穿过该棱镜被传输，使得脉冲光束110A在穿过每个直角棱镜时改变其光学放大率。距离色散光学元件600最远的直角棱镜620具有多个中的最小斜边，并且更靠近色散光学元件600的每个连续直角棱镜具有比更远离色散光学元件的相邻直角棱镜更大或相同尺寸的斜边。
例如，最靠近光栅600的棱镜605的尺寸也最大，例如，其斜边具有四个棱镜605、610、615、620的最大范围。距离光栅600最远的棱镜620的尺寸也最小，例如，其斜边具有四个棱镜605、610、615、620的最小范围。相邻棱镜可以具有相同的尺寸。但是，更靠近光栅600的每个棱镜应当至少与其相邻棱镜的尺寸一样大或更大，因为光束110A在穿过棱镜620、棱镜615、棱镜610和棱镜605时被光学放大，并且因此当光束110A更靠近光栅600时，光束110A的横向范围扩大。光束110A的横向范围是沿着垂直于光束110A的传播方向的平面的范围。并且，光束110A的传播方向在装置630的XSF-YSF平面中。
棱镜605物理地耦合到致动系统605A，致动系统605A使棱镜605围绕与装置630的ZSF轴平行的轴旋转，棱镜610物理地耦合到致动系统610A，致动系统610A使棱镜610围绕与ZSF轴平行的轴旋转，并且棱镜620物理地耦合到快速致动系统620A。快速致动系统620A被配置为使棱镜605围绕与装置630的ZSF轴平行的轴旋转。
快速致动系统620A包括旋转步进电机621A，旋转步进电机621A具有旋转轴622A和固定到旋转轴622A的旋转板623A。旋转轴622A并且因此旋转板623A围绕轴心线AR旋转，轴心线AR平行于棱镜620的质心(对应于旋转轴线AP)并且还平行于装置630的ZSF轴。尽管不是必需的，但是棱镜620的轴心线AR可以沿着XSF-YSF平面与棱镜620的质心(旋转轴线AP)对应或对准。在一些实现中，棱镜620的质心(或旋转轴线AP)沿着XSF-YSF平面从轴心线AR偏移。通过使轴心线AR从棱镜620的质心偏移，每当棱镜620旋转时，光束110A的位置可以被调节到光栅600的表面上的特定位置。
通过将棱镜620安装到旋转板623A，当轴622A和旋转板623A围绕其轴心线AR旋转时，棱镜620直接围绕其旋转轴线AP旋转。以这种方式，与使用具有线性可平移轴的线性步进电机(使用挠曲转换成旋转运动)的系统相比，能够实现对棱镜620的快速旋转或控制。因为轴622A(和板623A)的旋转步长直接与棱镜620的旋转步长相关(没有施加任何线性运动)，所以旋转步进电机621A能够以使得能够更快速地调节光束110A并因此更快速地调节光束110的光谱特征(诸如带宽)的速度来旋转棱镜620。步进电机621A的旋转设计向棱镜620赋予纯旋转运动，棱镜620在不使用在用于棱镜620的现有致动器上发现的任何线性运动或挠曲运动的情况下被安装。此外，使用旋转轴622A使得棱镜620能够旋转约完整的360°，这与使用线性步进电动机加上挠曲设计的现有致动器不同(其中棱镜620只能围绕由挠曲确定的角度来旋转)。在一些实现中，为了实现光束110A的带宽在可接受范围内的调谐，棱镜620能够旋转15度。棱镜620可以旋转大于15度，但是对于当前的带宽范围要求不是必需的。
在一些实现中，步进电机621A可以是直接驱动步进电机。直接驱动步进电机是传统的电磁电机，它使用内置步进电机功能进行位置控制。在可能需要更高运动分辨率的其他实现中，步进电机621A可以使用压电电机技术。
步进电机621A可以是旋转平台，该旋转平台由电机控制器使用变频驱动控制方法控制，以提供棱镜620的快速旋转。
如上所述，使用旋转步进电机621A的优点是获得棱镜620的更快速旋转，因为棱镜620的旋转轴线AP平行于旋转轴622A以及轴心线AR。因此，对于轴622A的每次单位旋转，棱镜620旋转增量单位，并且棱镜620旋转与旋转轴622A可以旋转的一样快。在一些实现中，为了增加该配置的稳定性并且增加棱镜620的稳定性，快速致动系统620A包括位置监测器624A，位置监测器624A被配置为检测旋转步进电机621A的旋转轴622A的位置。旋转轴622A的测量位置与旋转轴622A的预期或目标位置之间的误差直接与棱镜620的位置误差相关，并且因此，该测量可以用于确定棱镜620的旋转误差(即，实际旋转与所命令的旋转之间的差异)并且在操作期间纠正该误差。
控制模块550连接到位置监测器624A以接收旋转轴622A的位置的值，并且控制模块550还能够访问旋转轴622A的所命令的位置的存储或当前值，使得控制模块550可以执行计算以确定旋转轴622A的位置的测量值与所命令的位置之间的差异，并且还确定如何调节旋转轴622A以减小该误差。例如，控制模块550可以确定旋转轴622A的旋转大小以及旋转方向以抵消误差。备选地，控制系统185可以执行该分析。
位置监测器624A可以是与旋转板623A一体地构建的非常高分辨率的光学旋转编码器。光学旋转编码器使用光学感测技术以及其上具有不透明的线条和图案的内部编码盘的旋转。例如，板623A在诸如发光二极管等光束中旋转(因此称为旋转编码器)，并且板623A上的标记用作阻挡和解除阻挡光的遮蔽件。内部光电二极管检测器感测交变光束，并且编码器的电子器件将图案转换成电信号，该电信号然后通过编码器624A的输出被传递到控制模块550上。
在一些实现中，控制模块550可以被设计为具有仅用于操作旋转步进电机621A的快速内部专用控制器。例如，快速内部专用控制器可以从编码器624A接收高分辨率位置数据，并且可以直接向旋转步进电机621A发送信号以调节轴622A的位置，并且从而调节棱镜620的位置。
还参考图6C，照射系统150在与控制模块550对接的控制系统185的控制下改变光束110A的光谱特征，诸如带宽。例如，为了粗略地和广泛地控制光束110A和光束110的带宽，控制模块550向快速致动系统620A的旋转步进电机621A发送信号，以使旋转轴622A从第一角度θ1(在图6C的左侧)旋转到第二角度θ2(其中Δθ＝θ2–θ1)(在图6C的右侧)。并且，轴622A的这种角度变化直接被施加到固定到轴622A的板623A，并且从而也被施加到固定到板623A的棱镜620。棱镜620从θ1到θ2的旋转引起与光栅600交互的脉冲光束110A的光学放大率OM 565从OM1到OM2的相应变化，并且脉冲光束110A的光学放大率565的变化引起脉冲光束110A(以及光束110)的带宽变化。可以通过使用该快速致动系统620A旋转棱镜620来实现的带宽范围可以是宽的范围并且可以从约100飞秒(fm)到约450fm。可实现的总带宽范围可以是至少250fm。
使与快速致动系统620A相关联棱镜620旋转旋转轴622A的一个旋转单位引起脉冲光束110A的带宽改变小于带宽测量装置(用于例如，作为测量系统170的一部分，其在下面讨论)的分辨率的量，带宽测量装置测量脉冲光束110的带宽。棱镜620可以旋转多达15度，以实现这种带宽变化。实际上，棱镜620的旋转量仅受装置630的其他部件的光学布局的约束。例如，太大的旋转可能导致光束110A移位如此大的量，以至于光束110A不会照射到下一棱镜615。在一些实现中，为了实现将光束110A的带宽调谐在可接受范围内，棱镜620能够旋转15度而没有光束110A离开任何其他棱镜605、610或615的风险。棱镜620可以旋转大于15度，但是对于当前的带宽范围要求不是必需的。
再次参考图6A，棱镜610可以安装到致动系统610A，致动系统610A引起棱镜410旋转，并且棱镜610的这种旋转可以提供对光束110A的波长的精细控制。致动系统610A可以包括由压电电机控制的旋转步进电机。压电电机利用相反的压电效应进行操作，其中材料产生声学或超声波振动，以便产生线性或旋转运动。
在一些实现中，更靠近光栅600并且尺寸大于或等于棱镜620的尺寸的下一棱镜615可以在空间中固定。更靠近光栅600的下一棱镜610的尺寸大于或等于棱镜615的尺寸。
最靠近光栅610的棱镜605的尺寸大于或等于棱镜610的尺寸(棱镜605是扩束器的最大棱镜)。棱镜605可以安装到致动系统605A，致动系统605A引起棱镜605旋转，并且棱镜605的这种旋转可以提供对光束110A的波长的粗略控制。例如，棱镜605可以旋转1-2度以将光束110A(和因此光束110)的波长从约193.2纳米(nm)调谐到约193.5nm。在一些实现中，致动系统605A包括旋转步进电机，旋转步进电机包括棱镜605固定到的安装表面(诸如板623A)和旋转安装表面的电机轴。致动系统605A的电机可以是比现有的线性步进电机和挠曲组合设计快50倍的压电电机。与致动系统620A类似，致动系统605A可以包括为控制系统185或控制模块650提供角位置反馈的光学旋转编码器。
参考图7A和7B，在光谱特征选择装置730的另一实现中，快速致动系统720A被设计为使距离光栅700最远的扩束器的棱镜720围绕轴心线AR旋转。可选地或另外地，与棱镜710相关联的致动系统710A也可以是被设计为类似于快速致动系统720A或620A的快速致动系统。
装置730包括延伸臂725A，延伸臂725A具有第一区域740A，第一区域740A在轴心线AR的位置处机械链接到旋转板723A。延伸臂725A具有第二区域745A，第二区域745A沿着XSF-YSF平面中的方向(并且因此沿着垂直于轴心线AR的方向)偏离轴心线AR，使得第二区域745A与轴心线AR不相交。棱镜720机械链接到第二区域745A。
棱镜720的质心(棱镜轴线AP)和轴心线AR都保持平行于装置730的ZSF轴；然而，棱镜720的质心偏离轴心线AR。延伸臂725A围绕轴心线AR旋转角度Δθ向棱镜720赋予组合运动：棱镜720围绕轴心线AR的在XSF-YSF平面内的为角度Δθ的旋转R(参见图5C)以及沿着位于装置730的XSF-YSF平面内的方向到棱镜720的线性平移T。在图7C的示例中，棱镜720从第一角度θ1旋转R到第二角度θ2并且从XSF-YSF平面中的第一位置Pos1平移T到XSF-YSF平面中的第二位置Pos2。
因此，到棱镜720的线性平移T沿着与光栅700的表面702的长轴701平行的方向平移光束110A。长轴701也沿着装置730的XSF-YSF平面。通过执行光束110A的这种平移，可以控制光栅700的哪个区域以可能的光学放大率OM的范围的下端被照射。而且，光栅700和光栅的表面702是不均匀的；即，光栅700的表面702的一些区域向光束110A的波前赋予与光栅700的表面702的其他区域不同的变化，并且表面702的一些区域向光束110A的波前赋予比表面702的其他区域更多的失真。控制系统185(或控制模块550)可以控制快速致动系统720A，从而调节到棱镜720的线性平移T并且调节光束110A沿着长轴701的平移，以利用光栅700表面702的不均匀性，并且在光栅表面702的一端附近照射光栅表面702的较高失真区域以提高光谱带宽，甚至比简单地降低光学放大率的效果将实现的更大。
另外，在棱镜720相对于光束110A的位置的旋转期间，到棱镜720的线性平移T还平移棱镜720的斜边H(参见图7C)。因此，在装置730的操作期间，对斜边H的平移将斜边H的新区域暴露于光束110A。在装置730的寿命期间，棱镜720从其旋转范围的一端旋转到另一端，并且还有更多区域暴露于光束110A，这减少了光束110A向棱镜720赋予的损坏量。
类似于装置630，光谱特征选择装置730还包括光栅600，并且扩束器包括沿着光束110A的路径定位在棱镜720与光栅700之间的棱镜705、710、715。光栅700和四个棱镜705、710、715、720被配置为在光束110A穿过装置730的孔径755之后与由光源105产生的光束110A交互。光束110A沿着装置730的XSF-YSF平面中的路径从孔径755行进，穿过棱镜720、棱镜715、棱镜710、棱镜705，并且然后从光栅700反射，并且穿过连续的棱镜705、710、715、720，然后穿过孔径755离开装置730。
参考图8，示例性光源805是产生脉冲激光束作为光束110的脉冲激光源。光源805是包括向功率放大器(PA)810提供种子光束110A的主振荡器(MO)800的两级激光系统。主振荡器800通常包括其中发生放大的增益介质和诸如光学谐振器等光学反馈机构。功率放大器810通常包括其中当用来自主振荡器800的种子激光束接种时发生放大的增益介质。如果功率放大器810被设计为再生环形谐振器，则其被描述为功率环放大器(PRA)，并且在这种情况下，可以从环设计提供足够的光学反馈。光谱特征选择装置130从主振荡器800接收光束110A，以便能够以相对较低的输出脉冲能量精细调谐光束110A的光谱参数，诸如中心波长和带宽。功率放大器810从主振荡器800接收光束110A并且放大该输出以获得用于输出以在光刻中使用所需要的功率。
主振荡器800包括具有两个细长电极的放电室、用作增益介质的激光气体、以及使气体在电极之间循环的风扇。激光谐振器形成在放电室的一侧的光谱特征选择装置130与放电室的第二侧的输出耦合器815之间，以向功率放大器810输出种子光束110A。
光源805还可以包括接收来自输出耦合器815的输出的线中心分析模块(LAM)820、以及根据需要修改光束的尺寸和/或形状的一个或多个光束修改光学系统825。线中心分析模块820是可以用于测量种子光束的波长(例如，中心波长)的测量系统170内的一种类型的测量系统的示例。
功率放大器810包括功率放大器放电室，并且如果它是再生环形放大器，则功率放大器还包括光束反射器或光束转向装置830，光束反射器将光束反射回放电室以形成循环路径。功率放大器放电室包括成对细长电极、用作增益介质的激光气体、以及用于使气体在电极之间循环的风扇。种子光束110A通过重复穿过功率放大器810而被放大。光束修改光学系统825提供一种方式(例如，部分反射镜)来内耦合种子光束110A以及出耦合来自功率放大器的放大辐射的一部分以形成输出光束110。
在主振荡器800和功率放大器810的放电室中使用的激光气体可以是用于产生在所需要的波长和带宽周围的激光束的任何合适的气体。例如，激光气体可以是发射波长为约193nm的光的氟化氩(ArF)或发射波长为约248nm的光的氟化氪(KrF)。
线中心分析模块820监测主振荡器800的输出(光束110A)的波长。线中心分析模块820可以放置在光源805内的其他位置，或者可以放置在光源805的输出处。
参考图9，提供了涉及本文中描述的系统和方法的各方面的关于控制系统185的细节。控制系统185可以包括图9中未示出的其他特征。通常，控制系统185包括数字电子电路、计算机硬件、固件和软件中的一个或多个。
控制系统185包括存储器900，存储器900可以是只读存储器和/或随机存取存储器。适合于有形地实施计算机程序指令和数据的存储设备包括所有形式的非易失性存储器，作为示例，包括半导体存储器设备，诸如EPROM、EEPROM和闪存设备；磁盘，诸如内部硬盘和可移动磁盘；磁光盘；以及CD-ROM磁盘。控制系统185还可以包括一个或多个输入设备905(诸如键盘、触摸屏、麦克风、鼠标、手持输入设备等)和一个或多个输出设备910(诸如扬声器或显示器)。
控制系统185包括一个或多个可编程处理器915、以及在机器可读存储设备中有形地实施以由可编程处理器(诸如处理器915)执行的一个或多个计算机程序产品920。一个或多个可编程处理器915每个可以执行指令程序，以通过对输入数据进行操作并且生成适当的输出来执行期望的功能。通常，处理器915从存储器900接收指令和数据。前述任何内容都可以由专门设计的ASIC(专用集成电路)补充或并入其中。
除了其他部件之外，控制系统185还包括光谱特征分析模块925、量测模块927、光刻分析模块930、决策模块935、光源致动模块950、光刻致动模块955和光束准备致动模块960。这些模块中的每个可以是由诸如处理器915等一个或多个处理器执行的计算机程序产品集合。此外，模块925、930、935、950、955、960中的任何一个可以访问存储在存储器900中的数据。
光谱特征分析模块925从测量系统170接收输出。量测模块927从量测装置145接收数据。光刻分析模块930从扫描仪115的光刻控制器140接收信息。决策模块935从分析模块(诸如模块925、927和930)接收输出并且基于来自分析模块的输出来确定需要激活哪个或哪些驱动模块。光源致动模块950连接到光源105和光谱特征选择装置130中的一个或多个。光刻致动模块955连接到扫描仪115，并且具体地连接到光刻控制器140。光束准备致动模块960连接到射束准备系统112的一个或多个部件。
虽然图9中仅示出了几个模块，但是控制系统185可以包括其他模块。另外，尽管控制系统185被表示为其中所有部件看起来共同定位的盒子，但是控制系统185可以由物理上彼此远离的部件构成。例如，光源致动模块950可以与光源105或光谱特征选择装置130物理地共同定位。
通常，控制系统185从测量系统170接收关于光束110的至少一些信息，并且光谱特征分析模块925对信息执行分析以确定如何调节提供给扫描仪115的光束110的一个或多个光谱特征(例如，带宽)。基于该确定，控制系统185向光谱特征选择装置130和/或光源105发送信号，以经由控制模块550来控制光源105的操作。
通常，光谱特征分析模块925执行估计光束110的一个或多个光谱特征(例如，波长和/或带宽)所需要的分析。光谱特征分析模块925的输出是光谱特征的估计值。
光谱特征分析模块925包括比较块，比较块被连接以接收所估计的光谱特征并且还被连接以接收光谱特征目标值。通常，比较块输出表示光谱特征目标值与估计值之间的差值的光谱特征误差值。决策模块935接收光谱特征误差值并且确定如何最佳地对系统100进行校正，以便调节光谱特征。因此，决策模块935向光源致动模块950发送信号，光源致动模块950基于光谱特征误差值来确定如何调节光谱特征选择装置130(或光源105)。光源致动模块950的输出包括发送到光谱特征选择装置130的致动器命令集合。例如，光源致动模块950将这些命令发送到控制模块550，控制模块550连接到装置530内的致动系统。
控制系统185引起光源105以给定的重复率进行操作。更具体地，扫描仪115针对每个脉冲(即，基于脉冲到脉冲的方式)向光源105发送触发信号，并且这些触发信号之间的时间间隔可以是任意的，但是当扫描仪115以规则的间隔发送触发信号时，这些信号的速率是重复率。重复率可以是由扫描仪115请求的速率。
由功率放大器810产生的脉冲的重复率由控制系统185根据来自扫描仪115中的控制器140的指令控制主振荡器800的重复率来确定。从功率放大器810输出的脉冲的重复率是扫描仪115看到的重复率。
棱镜520(或棱镜620、720)可以用于粗略、大范围、慢带宽控制。相反，通过控制MO800和PRA 810内的电极的激活之间的差分定时，可以在精细和窄的范围内并且甚至更快地控制带宽。
参考图10，由光刻系统100执行过程1000以减少平台振动(即，平台122的振动)对晶片120上的CD的影响，从而改善临界尺寸均匀性(CDU)。
脉冲光束110例如由光源105产生(1005)。脉冲光束110朝向晶片120被引导，晶片120安装到扫描仪115的平台122(1010)。例如，根据需要修改由光源105产生的脉冲光束110，并且通过光束准备系统112朝向扫描仪115重定向脉冲光束110。
例如，通过沿着横向平面(XL-YL平面)使脉冲光束110和晶片120相对于彼此移动，使脉冲光束110跨晶片120扫描(1015)。具体地，光刻控制器140可以向与晶片平台122、掩模134和物镜布置132相关联的致动系统发送一个或多个信号，从而在曝光期间使掩模134、物镜布置132和晶片220中的一个或多个(经由平台122)相对于彼此移动，以跨晶片220的曝光场223扫描曝光窗口400。
针对晶片的每个曝光场确定平台122的振动的值(1020)。该确定可以至少部分地由量测装置145执行，并且输出被发送到控制系统185。该确定可以在用脉冲光束110扫描晶片120之前执行。
对于晶片120的每个曝光场，控制系统185确定对朝向晶片120被引导的脉冲光束110的带宽的调节量(1025)。该调节量补偿在可接受范围之外的该曝光场中的平台振动的变化，并且跨整个晶片120将焦点模糊保持在预定值范围内。接下来，当使脉冲光束110跨晶片120扫描时，控制系统185向光谱特征选择装置130发送信号，以将脉冲光束110的带宽改变针对晶片120的每个曝光场的所确定的调节量(1035)。
另外，在过程1000期间，控制系统185还执行用于在使光束110跨晶片120扫描的同时控制脉冲光束110的一个或多个光谱特征的并行过程1040。过程1040包括测量脉冲光束110的一个或多个光谱特征(1045)并且确定是否有任何所测量的光谱特征在可接受的值范围之外(1050)。例如，控制系统185的光谱特征分析模块925可以从测量系统170接收光谱特征测量(1045)。光谱特征分析模块925可以确定是否有任何光谱特征在可接受的值范围之外(1050)。如果有任何光谱特征在可接受的值范围之外，则调节这些光谱特征(1055)。例如，决策模块935可以向光源致动模块950发送信号，光源致动模块950向光谱特征选择装置130发送信号以调节光束110的一个或多个光谱特征(1055)。
过程1040可以与过程1000并行地执行，例如，在扫描期间或者以规则的间隔，例如，针对每个曝光场223。此外，控制系统185可以协调对补偿平台振动变化(1030)所需要的带宽的调节与对确保带宽在可接受的值范围内的带宽的任何所需要的调节(1055)。
参考图11，光刻系统100可以执行过程1025，过程1025用于针对晶片120的特定子区域(诸如曝光场)确定对朝向晶片120被引导的脉冲光束110的带宽的调节量。这样的调节量补偿在可接受范围之外的该曝光场中的平台振动的变化，并且跨整个晶片120将焦点模糊保持在预定值范围内。过程1025可由控制系统185执行。控制系统185访问查找表(1126)。查找表是基于先前确定的扫描仪115的平台振动而创建的表或校正图，并且针对晶片120的每个子区域定义了光束110的带宽之间的关系，带宽的值被选择以抵消该子区域中的平台振动的测量值。平台振动值取决于所使用的扫描仪115和晶片平台122。因此，针对一个特定扫描仪115和平台122的平台振动与晶片120的子区域之间的关系可以与针对另一特定扫描仪115和平台122的关系不同。
图12示出了如何创建查找表的示例。首先，将晶片120放置在扫描仪115中，并且量测装置145在每个子区域处探测晶片120，以针对晶片120的每个子区域确定方向ZL上的平台振动。曲线图1200示出了针对晶片120的所有子区域在ZL方向上的各个平台振动的出现次数(频率)之间的示例性关系。在该示例中，ZL方向上的平台振动是在每个晶片子区域(其可以对应于晶片曝光场223)处的沿着ZL方向的移动标准偏差(MSD)值。该曲线图1200示出，在该示例中，从晶片120的中央到晶片120的边缘，标称MSD(ZL)值出现在比更高MSD(ZL)值高得多的频率处。控制系统185试图将有效平台振动SVE保持在恒定值。有效平台振动与所测量的平台振动(SVM)(诸如曲线图1200所示)以及脉冲光束110的带宽(BW)有关，如下：
Figure BDA0002028929430000281
其中CA是脉冲光束110在朝向晶片120被引导时所经历的色差。因此，控制系统185可以在获得曲线图1200之后计算BW，以便保持有效平台振动的恒定值。曲线图1250示出了可以用于抵消所测量的平台振动SVM并且保持有效平台振动SVE恒定的光束110的BW的值。
控制系统185检查查找表(诸如曲线图1500)并且确定补偿该晶片子区域中的所测量的平台振动的带宽，以便在该子区域中保持有效平台振动恒定(1028)并且然后输出所确定带宽的该值(1030)。
在一些实现中，在将脉冲光束110朝向当前安装到平台122的晶片120之前，可以由量测装置145创建查找表。因此，可以基于先前扫描的晶片120来创建查找表。
其他实现在以下权利要求的范围内。

Claims (22)

1.一种用于控制平台振动的方法，包括：
从脉冲光源产生脉冲光束；
将所述脉冲光束朝向被安装到光刻曝光装置的平台的衬底引导；
在所述脉冲光束与所述衬底之间执行扫描操作，其中所述扫描操作包括将所述脉冲光束投射到所述衬底的每个子区域上并且使所述脉冲光束和所述衬底中的一项或多项相对于彼此移动；
针对衬底的每个子区域，确定所述平台的振动的值；
针对所述衬底的每个子区域，确定对所述脉冲光束的带宽的调节量，所述调节量补偿平台振动的变化，以便跨所述衬底将焦点模糊保持在预定值范围内；以及
当所述脉冲光束对衬底进行曝光时，将所述脉冲光束的带宽改变所确定的调节量，从而补偿所述平台振动变化。
2.根据权利要求1所述的方法，其中确定对特定子区域中的带宽的调节量包括：访问查找表以确定保持有效平台振动恒定的带宽的值。
3.根据权利要求2所述的方法，还包括：在将所述脉冲光束朝向所述衬底引导之前创建所述查找表。
4.根据权利要求1所述的方法，其中针对衬底的每个子区域确定所述平台振动的值包括：在已经在所述脉冲光束与所述衬底之间执行扫描操作之后，针对所述衬底的每个子区域确定所述平台振动的值。
5.根据权利要求4所述的方法，其中当所述脉冲光束对衬底进行曝光时将所述脉冲光束的带宽改变所确定的调节量包括：当所述脉冲光束对尚未被所述脉冲光束扫描的衬底进行曝光时将所述脉冲光束的带宽改变所确定的调节量。
6.根据权利要求1所述的方法，其中确定对所述脉冲光束的带宽的调节量在将所述脉冲光束朝向所述衬底引导之前发生。
7.根据权利要求1所述的方法，其中确定对所述脉冲光束的带宽的调节量在将所述脉冲光束朝向所述衬底引导时并且在所述衬底的每个子区域处发生。
8.根据权利要求1所述的方法，其中改变所述脉冲光束的带宽包括：调节光谱特征选择装置的一个或多个光学部件。
9.根据权利要求8所述的方法，其中调节所述光谱特征选择装置的一个或多个光学部件包括旋转和平移所述光谱特征选择装置的棱镜。
10.根据权利要求1所述的方法，其中将所述焦点模糊保持在所述预定值范围内还将形成在所述衬底中的特征的临界尺寸保持在预定范围内。
11.根据权利要求1所述的方法，其中改变所述脉冲光束的带宽包括改变所述脉冲光束的脉冲的突发之间的带宽。
12.根据权利要求1所述的方法，还包括：测量朝向所述衬底被引导的所述脉冲光束的带宽，并且如果所测量的带宽在可接受的带宽范围之外，则调节所述脉冲光束的带宽。
13.一种用于控制平台振动的装置，包括：
光源，产生脉冲光束；
光束引导系统，将所述脉冲光束朝向被安装到光刻曝光装置的平台的衬底引导；
扫描系统，被配置为将所述脉冲光束投射到所述衬底的每个子区域上，并且使所述脉冲光束中和所述衬底中的一项或多项相对于彼此移动；
量测装置，被配置为针对所述衬底的每个子区域确定所述平台的振动的值；以及
控制系统，连接到所述光源、所述扫描系统和所述量测装置，并且被配置为；
从所述量测装置接收针对每个子区域的平台振动的所确定的值；
针对每个子区域，确定对所述脉冲光束的带宽的调节量，所述调节量补偿所述平台振动的变化，以便跨所述衬底将焦点模糊保持在预定值范围内；以及
当所述脉冲光束对衬底进行曝光时，向所述光源发送信号以将所述脉冲光束的带宽修改所确定的调节量，从而补偿所述平台振动变化。
14.根据权利要求13所述的装置，其中所述扫描系统被配置为：沿着横向平面使所述脉冲光束和所述衬底中的一项或多项相对于彼此移动。
15.根据权利要求14所述的装置，其中所述横向平面垂直于所述脉冲光束沿其被引导的轴向方向，并且所述量测装置被配置为确定所述平台沿着所述轴向方向的振动的值。
16.根据权利要求13所述的装置，还包括：被配置为选择所述脉冲光束的光谱特征的光谱特征选择装置，所述光谱特征选择装置包括布置在所述脉冲光束的路径中的光学部件集合，其中所述控制系统连接到所述光谱特征选择装置。
17.根据权利要求16所述的装置，其中所述控制系统通过向所述光谱特征选择装置发送信号以移动至少一个光学部件从而改变所述脉冲光束的带宽来向所述光源发送信号以修改所述脉冲光束的带宽。
18.根据权利要求17所述的装置，其中所述光谱特征选择装置的所述光学部件集合包括至少一个棱镜，并且所述控制系统通过向与所述至少一个棱镜相关联的快速致动器发送信号以引起所述棱镜旋转从而改变带宽，来向所述光谱特征选择装置发送所述信号以移动所述至少一个光学部件从而改变所述脉冲光束的带宽。
19.根据权利要求16所述的装置，其中所述光谱特征选择装置的所述光学部件集合包括：
色散光学元件，被布置为与所述脉冲光束交互，以及
多个棱镜，在所述色散光学元件与所述光源之间被布置在所述脉冲光束的路径中。
20.根据权利要求16所述的装置，其中所述光谱特征选择装置包括致动系统，所述致动系统包括至少一个快速致动器，所述至少一个快速致动器与棱镜相关联并且被配置为旋转相关联的所述棱镜，从而调节所述脉冲光束的光谱特征。
21.根据权利要求20所述的装置，其中所述快速致动器包括旋转平台，所述旋转平台围绕旋转轴线旋转并且包括与所述棱镜机械链接的区域。
22.根据权利要求21所述的装置，其中所述旋转平台被配置为围绕所述旋转轴线旋转完整的360°的旋转角度。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10416471B2 (en) 2016-10-17 2019-09-17 Cymer, Llc Spectral feature control apparatus
US20220255286A1 (en) * 2019-05-22 2022-08-11 Cymer, Llc Control system for a plurality of deep ultraviolet optical oscillators

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101025576A (zh) * 2006-02-16 2007-08-29 独立行政法人产业技术综合研究所 激光加工装置及其加工方法
CN102484350A (zh) * 2009-08-25 2012-05-30 西默股份有限公司 光源的主动光谱控制

Family Cites Families (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4525034A (en) * 1982-12-07 1985-06-25 Simmons Clarke V Polarizing retroreflecting prism
JP3175180B2 (ja) 1990-03-09 2001-06-11 キヤノン株式会社 露光方法及び露光装置
JP4102457B2 (ja) 1997-05-09 2008-06-18 株式会社小松製作所 狭帯域化レーザ装置
US6853653B2 (en) 1997-07-22 2005-02-08 Cymer, Inc. Laser spectral engineering for lithographic process
US6671294B2 (en) 1997-07-22 2003-12-30 Cymer, Inc. Laser spectral engineering for lithographic process
US6061382A (en) 1998-05-04 2000-05-09 Lambda Physik Gmbh Laser system and method for narrow spectral linewidth through wavefront curvature compensation
US6393037B1 (en) 1999-02-03 2002-05-21 Lambda Physik Ag Wavelength selector for laser with adjustable angular dispersion
US6567450B2 (en) 1999-12-10 2003-05-20 Cymer, Inc. Very narrow band, two chamber, high rep rate gas discharge laser system
US6865210B2 (en) 2001-05-03 2005-03-08 Cymer, Inc. Timing control for two-chamber gas discharge laser system
US6625191B2 (en) 1999-12-10 2003-09-23 Cymer, Inc. Very narrow band, two chamber, high rep rate gas discharge laser system
JP2001085313A (ja) 1999-09-13 2001-03-30 Nikon Corp 露光方法及び装置、並びにデバイスの製造方法
EP1240694B1 (en) 1999-12-22 2006-11-22 Cymer, Inc. Line narrowed laser with bidirection beam expansion
US7075963B2 (en) 2000-01-27 2006-07-11 Lambda Physik Ag Tunable laser with stabilized grating
US7154928B2 (en) 2004-06-23 2006-12-26 Cymer Inc. Laser output beam wavefront splitter for bandwidth spectrum control
JP4272043B2 (ja) 2003-12-04 2009-06-03 日本電子株式会社 荷電粒子ビーム装置
JP4798687B2 (ja) 2004-07-09 2011-10-19 株式会社小松製作所 狭帯域化レーザ装置
US7355674B2 (en) 2004-09-28 2008-04-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and computer program product
US7366219B2 (en) 2004-11-30 2008-04-29 Cymer, Inc. Line narrowing module
US20060114956A1 (en) 2004-11-30 2006-06-01 Sandstrom Richard L High power high pulse repetition rate gas discharge laser system bandwidth management
US7286207B2 (en) 2005-04-28 2007-10-23 Infineon Technologies, Ag Exposing a semiconductor wafer using two different spectral wavelengths and adjusting for chromatic aberration
US7443484B2 (en) 2005-05-13 2008-10-28 Infineon Technologies Ag Method for exposing a semiconductor wafer by applying periodic movement to a component
US7822084B2 (en) 2006-02-17 2010-10-26 Cymer, Inc. Method and apparatus for stabilizing and tuning the bandwidth of laser light
US8259764B2 (en) 2006-06-21 2012-09-04 Cymer, Inc. Bandwidth control device
JP4972427B2 (ja) 2007-02-15 2012-07-11 株式会社小松製作所 高繰返し動作が可能で狭帯域化効率の高いエキシマレーザ装置
US7659529B2 (en) 2007-04-13 2010-02-09 Cymer, Inc. Method and apparatus for vibration reduction in laser system line narrowing unit wavelength selection optical element
US8144739B2 (en) 2008-10-24 2012-03-27 Cymer, Inc. System method and apparatus for selecting and controlling light source bandwidth
DE102008064504B4 (de) 2008-12-22 2011-04-07 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsbelichtungsverfahren und Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie
NL2005424A (en) 2009-10-30 2011-05-02 Asml Netherlands Bv Lithographic method and apparatus.
US9207119B2 (en) 2012-04-27 2015-12-08 Cymer, Llc Active spectral control during spectrum synthesis
JP6066592B2 (ja) * 2012-06-12 2017-01-25 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
DE102012211256A1 (de) 2012-06-29 2014-01-02 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsbelichtungsanlage für die Projektionslithographie
JP6290084B2 (ja) * 2012-08-23 2018-03-07 ギガフォトン株式会社 光源装置及びデータ処理方法
US9715180B2 (en) 2013-06-11 2017-07-25 Cymer, Llc Wafer-based light source parameter control
US9599510B2 (en) * 2014-06-04 2017-03-21 Cymer, Llc Estimation of spectral feature of pulsed light beam
US9785050B2 (en) 2015-06-26 2017-10-10 Cymer, Llc Pulsed light beam spectral feature control
US9762023B2 (en) 2015-12-21 2017-09-12 Cymer, Llc Online calibration for repetition rate dependent performance variables

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101025576A (zh) * 2006-02-16 2007-08-29 独立行政法人产业技术综合研究所 激光加工装置及其加工方法
CN102484350A (zh) * 2009-08-25 2012-05-30 西默股份有限公司 光源的主动光谱控制

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