JP6847863B2 - パッケージオンパッケージ構造体用のインターポーザ - Google Patents

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Description

関連出願の相互参照
本出願は、参照により内容全体が本明細書に明確に組み込まれる、同一出願人が所有する２０１５年６月８日に出願した米国特許出願第１４／７３３２０１号の優先権を主張する。
本開示は、一般に、パッケージオンパッケージ（ＰｏＰ）構造体に関する。
技術の進歩の結果、コンピューティングデバイスはより小型に、より強力になっている。たとえば、小さく、軽量で、ユーザが容易に持ち運ぶ、ポータブルワイヤレス電話、携帯情報端末（ＰＤＡ）、タブレットコンピュータ、およびページングデバイスなどのワイヤレスコンピューティングデバイスを含む、種々のポータブルパーソナルコンピューティングデバイスが現在では存在する。多くのそのようなコンピューティングデバイスは、その中に組み込まれる他のデバイスを含む。たとえば、ワイヤレス電話は、デジタルスチルカメラ、デジタルビデオカメラ、デジタルレコーダ、およびオーディオファイルプレーヤを含むこともできる。また、そのようなコンピューティングデバイスは、インターネットにアクセスするために使用することができるウェブブラウザアプリケーション、および、スチルカメラまたはビデオカメラを利用しマルチメディア再生機能を提供するマルチメディアアプリケーションなどのソフトウェアアプリケーションを含む、実行可能命令を処理することができる。
ワイヤレスデバイスは、データを記憶するためのメモリデバイス（たとえば、メモリチップ）を含む場合がある。典型的なメモリデバイスは、約３００個から４００個の間の入出力（Ｉ／Ｏ）ポートを有する場合がある。しかしながら、ワイドＩ／Ｏメモリデバイスは、約１７００個から２０００個の間のＩ／Ｏポートを有する場合がある。ワイヤレスコンピューティングデバイス内の構成要素密度を改善する（たとえば、増加させる）ために、ワイドＩ／Ｏメモリデバイスをパッケージングするのに（たとえば、ワイドＩ／Ｏメモリデバイスを論理回路またはダイと垂直に結合／積層するのに）、パッケージオンパッケージ（ＰｏＰ）技法が使用される場合がある。
ＰｏＰ構造体は、ＰｏＰ構造体のある構成要素と、ＰｏＰ構造体の別の構成要素との間で電気信号を転送する電気的インターフェースとしてインターポーザを使用する場合がある。たとえば、インターポーザは、ＰｏＰ構造体のワイドＩ／ＯメモリデバイスのＩ／Ｏポートと、ＰｏＰ構造体の関連の論理回路（たとえば、ダイ）との間で電気信号を転送するために、使用される場合がある。しかしながら、ＰｏＰ構造体用の従来のインターポーザは、比較的大量のダイ面積を占め、ＰｏＰ構造体のパッケージサイズを増加させる場合がある。たとえば、インターポーザは、ワイドＩ／ＯメモリデバイスのＩ／Ｏポートから、ＰｏＰ構造体の他の構成要素に電気信号を転送するために、比較的大きいはんだボールを使用する場合がある。はんだボールは、ワイドＩ／Ｏメモリデバイスと他の構成要素との間の配線長さを増加させる場合があり、そのことがシグナルインテグリティおよびパワーインテグリティを低下させる場合がある。
一実装形態によれば、パッケージオンパッケージ（ＰｏＰ）構造体は、第１のダイと、第２のダイと、第１のダイと第２のダイとの間のインターポーザによって第１のダイおよび第２のダイに電気的に結合されたメモリデバイスとを含む。インターポーザは、モールド内に形成された銅充填ビアを含む。
別の実装形態によれば、パッケージオンパッケージ（ＰｏＰ）構造体を形成するための方法は、第１のダイおよび第２のダイを下部インターポーザに結合するステップを含む。本方法は、第１のダイ、第２のダイ、および下部インターポーザ上にモールドを形成するステップも含む。本方法は、モールド内に１つまたは複数のビアをエッチングするステップをさらに含む。１つまたは複数のビアは、第１のダイと第２のダイとの間に配置される。本方法は、１つまたは複数の銅充填ビアを有するインターポーザを形成するために１つまたは複数のビアを銅で充填するステップも含む。
別の実装形態によれば、非一時的コンピュータ可読媒体は、パッケージオンパッケージ（ＰｏＰ）構造体を形成するためのデータを含む。本データは、製造機器によって使用されるとき、製造機器に、第１のダイおよび第２のダイを下部インターポーザ上に結合させる。本データはさらに、製造機器によって使用されるとき、製造機器に、第１のダイ、第２のダイ、および下部インターポーザ上にモールドを形成させる。本データはまた、製造機器によって使用されるとき、製造機器に、モールド内に１つまたは複数のビアをエッチングさせる。１つまたは複数のビアは、第１のダイと第２のダイとの間に配置される。本データはさらに、製造機器によって使用されるとき、製造機器に、１つまたは複数の銅充填ビアを有するインターポーザを形成するために１つまたは複数のビアを銅で充填させる。
別の実装形態によれば、パッケージオンパッケージ（ＰｏＰ）構造体は、第１の論理機能を実行するための手段と、第２の論理機能を実行するための手段と、データを記憶するための手段とを含む。第１の論理機能を実行するための手段と第２の論理機能を実行するための手段とに結合されたデータを記憶するための手段。ＰｏＰ構造体は、データを記憶するための手段と、第１の論理機能を実行するための手段または第２の論理機能を実行するための手段のうちの少なくとも１つとの間で電気信号を転送するための手段も含む。電気信号を転送するための手段は、第１の論理機能を実行するための手段と第２の論理機能を実行するための手段との間にある。電気信号を転送するための手段は、モールド内に形成された銅充填ビアを含む。
パッケージの２つのダイの間に形成されたインターポーザを有するパッケージオンパッケージ（ＰｏＰ）構造体の特定の例示的な態様の図である。 図１のＰｏＰ構造体を形成する特定の段階を示す図である。 図１のＰｏＰ構造体を形成する別の特定の段階を示す図である。 図１のＰｏＰ構造体を形成する別の特定の段階を示す図である。 図１のＰｏＰ構造体を形成する別の特定の段階を示す図である。 図１のＰｏＰ構造体を形成する別の特定の段階を示す図である。 図１のＰｏＰ構造体を形成する別の特定の段階を示す図である。 図１のＰｏＰ構造体を形成する別の特定の段階を示す図である。 図１のＰｏＰ構造体を形成する別の特定の段階を示す図である。 パッケージの２つのダイの間に形成されたインターポーザを有するＰｏＰ構造体を形成するための方法の特定の例示的な態様のフローチャートである。 パッケージの２つのダイの間に形成されたインターポーザを有するＰｏＰ構造体を含むデバイスのブロック図である。 パッケージの２つのダイの間に形成されたインターポーザを有するＰｏＰ構造体を含む電子デバイスを製造するための製造プロセスの特定の例示的な態様のデータフロー図である。
パッケージの２つのダイの間に形成されたインターポーザを有するパッケージオンパッケージ（ＰｏＰ）構造体を形成するための技法および方法が開示される。たとえば、インターポーザを形成するために、ビアがモールド（たとえば、誘電体モールド）内にエッチングされ、銅電気めっきを使用して充填される場合がある。インターポーザは、ＰｏＰ構造体の下部インターポーザに電気的に結合され、下部インターポーザは、第１のダイおよび第２のダイに電気的に結合される場合がある。インターポーザ、第１のダイ、および第２のダイは、ＰｏＰ構造体の共通のパッケージ内に含まれる。インターポーザが形成され下部インターポーザに電気的に結合された後、メモリデバイス（たとえば、ワイド入出力（Ｉ／Ｏ）メモリチップ）が、インターポーザに取り付けられる場合がある。電気信号（たとえば、データ）が、インターポーザを介してメモリデバイスとダイとの間で転送される場合がある。
開示する態様のうちの少なくとも１つによって提供される１つの特定の利点は、ダイ間に形成されたインターポーザを使用してパッケージオンパッケージ（ＰｏＰ）構造体のメモリチップとダイとの間で電気信号（たとえば、データ）を転送する能力である。メモリチップとダイとの間で電気信号を転送するためにダイ間に形成されたインターポーザを使用することによって、比較的大量のダイ面積を占めるはんだボールを（インターポーザとして）使用する従来のＰｏＰ構造体と比較して、メモリチップとダイとの間の配線長さが減少する場合がある。配線長さを減少させることによって、従来のＰｏＰ構造体と比較して、ＰｏＰ構造体のパッケージサイズが低減する場合がある。加えて、配線長さを減少させることによって、シグナルインテグリティおよびパワーインテグリティが改善する場合がある。
別の構成要素の位置に対する、ある構成要素の位置について説明する文言（たとえば、その上に、その下に、上部、下部など）は、図における構成要素の方位のことを指す。この文言は、限定するものと解釈されるべきでない。たとえば、構造体が回転、反転などをする場合、別の構成要素の位置に対する、ある構成要素の位置が変化する。
図１を参照すると、パッケージの２つのダイの間に形成されたインターポーザを有するパッケージオンパッケージ（ＰｏＰ）構造体１００の特定の例示的な態様が示される。ＰｏＰ構造体１００は、メモリチップ１０２、第１のダイ１０４、第２のダイ１０６、および感光性画定可能モールド１０８を含む。特定の態様では、メモリチップ１０２は、ワイド入出力（Ｉ／Ｏ）メモリデバイスである。たとえば、メモリチップ１０２は、約１７００個から２０００個の間のＩ／Ｏポートを有する場合がある。メモリチップ１０２は、ＰｏＰ構造体１００の「第１のパッケージ」に含まれる場合があり、ダイ１０４、１０６は、ＰｏＰ構造体１００の「第２のパッケージ」に含まれる場合がある。
第１のダイ１０４は、第１の論理機能を実行するように構成された第１の回路（図示せず）を含む場合がある。たとえば、メモリチップ１０２からの第１のデータは（たとえば、第１の電気信号として）、メモリチップ１０２から第１のダイ１０４内の第１の回路に通信される場合があり、第１の回路は、第１のデータに関して第１の論理機能を実行する場合がある。第１の修正データを生成するために第１の論理機能が第１のデータに関して実行された後、第１の修正データは、メモリチップ１０２に通信される場合がある。
同様に、第２のダイ１０６は、第２の論理機能を実行するように構成された第２の回路（図示せず）を含む場合がある。たとえば、メモリチップ１０２からの第２のデータは（たとえば、第２の電気信号として）、メモリチップ１０２から第２のダイ１０６内の第２の回路に通信される場合があり、第２の回路は、第２のデータに関して第２の論理機能を実行する場合がある。第２の修正データを生成するために第２の論理機能が第２のデータに関して実行された後、第２の修正データは、メモリチップ１０２に通信される場合がある。
以下でより詳細に説明するように、ＰｏＰ構造体１００は、メモリチップ１０２と、第１のダイ１０４または第２のダイ１０６のうちの少なくとも１つとの間で電気信号を通信（たとえば、伝送）するために、感光性画定可能モールド１０８および下部インターポーザ１１４を利用する。インターポーザは、第１のダイ１０４と第２のダイ１０６との間の感光性画定可能モールド１０８内に形成される場合がある。たとえば、感光性画定可能モールド１０８は、第１のダイ１０４および第２のダイ１０６と同じ「パッケージ」に含まれる場合がある。下部インターポーザ１１４は、感光性画定可能モールド１０８およびダイ１０４、１０６の下に配置される場合がある。
アンダーフィル１１０は、メモリチップ１０２を感光性画定可能モールド１０８に接続するために使用される場合がある。アンダーフィル１１０は、エポキシ接着剤を含む場合がある。たとえば、第１のパッケージ（たとえば、メモリチップ１０２）は、エポキシ接着剤を使用して第２のパッケージ（たとえば、第１のダイ１０４、第２のダイ１０６、および感光性画定可能モールド１０８）の上にマウントされる場合がある。加えて、メモリチップ１０２のパッド１７０が、マイクロバンプ１７４によって感光性画定可能モールド１０８の上部パッド１７２に電気的に結合される場合がある。マイクロバンプ１７４は、銅、スズ銀、またはスズ銀銅を含む場合がある。したがって、データは（たとえば、電気信号として）、パッド１７０、１７２、およびマイクロバンプ１７４によってメモリチップ１０２と感光性画定可能モールド１０８との間で通信される場合がある。メモリチップ１０２の各パッド１７０は、メモリチップ１０２のＩ／Ｏポートに結合される場合がある。図１の実装形態では、メモリチップ１０２は、４つのパッド１７０を含むように示される。他の実装形態では、メモリチップ１０２は、追加のパッド１７０を含む場合がある。たとえば、メモリチップ１０２がワイドＩ／Ｏメモリデバイスである場合、メモリチップ１０２は、約１７００個から２０００個の間のパッドを含む場合がある。各パッド１７０は、ワイドＩ／Ｏメモリデバイスの対応するＩ／Ｏポートに結合される場合がある。
感光性画定可能モールド１０８は、インターポーザを形成するために銅充填ビア１７６を含む場合がある。各銅充填ビア１７６は、感光性画定可能モールド１０８の対応する上部パッド１７２に電気的に結合される場合がある。図１の実装形態では、感光性画定可能モールド１０８は、４つの銅充填ビア１７６を含むように示される。他の実装形態では、感光性画定可能モールド１０８は、追加の銅充填ビアを含む場合がある。たとえば、メモリチップ１０２がワイドＩ／Ｏメモリデバイスである場合、感光性画定可能モールド１０８は、約１７００個から２０００個の間の銅充填ビアを含む場合がある。感光性画定可能モールド１０８は、対応する銅充填ビア１７６に電気的に結合された下部パッドまたはアンダーバンプ冶金部（ＵＢＭ：ｕｎｄｅｒ ｂｕｍｐ ｍｅｔａｌｌｕｒｇｙ）１７８を含む場合もある。図１の実装形態では、感光性画定可能モールド１０８は、４つの下部パッド１７８を含むように示される。各下部パッド１７８は、感光性画定可能モールド１０８の対応する銅充填ビア１７６に電気的に結合される場合がある。他の実装形態では、感光性画定可能モールド１０８は、追加の下部パッド１７８を含む場合がある。たとえば、メモリチップ１０２がワイドＩ／Ｏメモリデバイスである場合、感光性画定可能モールド１０８は、約１７００個から２０００個の間の下部パッドを含む場合がある。
銅充填ビア１７６は、感光性画定可能モールド１０８内に配置される場合がある。感光性画定可能モールド１０８は、積層または熱圧縮成形技法を使用して堆積される場合がある。感光性画定可能モールド１０８は、高誘電率（たとえば、「感光性誘電体」モード）を有する材料を含む場合があり、感光性画定可能モールド１０８は、銅充填ビア１７６を含む場合がある。バリア／シード堆積層１８０が、銅充填ビアを感光性画定可能モールド１０８から絶縁する場合がある。バリア／シード堆積層１８０は、ＰＶＤ技法を使用して堆積される場合がある。たとえば、バリア／シード堆積層１８０は、感光性画定可能モールド１０８内にリソグラフィによって画定された感光性であるビア内に堆積される場合があり、（銅充填ビア１７６の）銅が、銅充填ビア１７６を形成するために電気めっき技法を使用してビア内に堆積される場合がある。一実装形態によれば、感光性画定可能モールド１０８は、誘電体モールドを含む場合がある。
感光性画定可能モールド１０８は、第１のダイ１０４、第２のダイ１０６、および感光性画定可能モールド１０８を下部インターポーザ１１４に接続するために使用される場合がある。下部インターポーザ１１４は、銅充填ビア１７６に電気的に結合された銅充填ビア１８２および上部パッド１８４を含む場合がある。下部インターポーザ１１４の上部パッド１８４のサブセットが、マイクロバンプ（図示せず）によって感光性画定可能モールド１０８の下部パッド１７８に電気的に結合される場合がある。図１の実装形態では、下部インターポーザ１１４は、感光性画定可能モールド１０８の４つの下部パッド１７８に電気的に結合された４つの上部パッド１８４を含むように示される。
下部インターポーザ１１４は、感光性画定可能モールド１０８と、ダイ１０４、１０６との間に電気接続部を提供する場合がある。たとえば、下部インターポーザ１１４の上部パッド１８４のサブセットは、マイクロバンプ１８８によって第１のダイ１０４の下部パッド１８６に結合される場合があり、下部インターポーザ１１４の上部パッド１８４のサブセットは、マイクロバンプ１９２によって第２のダイ１０６の下部パッド１９０に結合される場合がある。図１の実装形態では、下部インターポーザ１１４の８つの上部パッド１８４は、８つの対応するマイクロバンプ１８８によって第１のダイ１０４の８つの下部パッド１８６に結合されるように示され、下部インターポーザ１１４の８つの上部パッド１８４は、８つの対応するマイクロバンプ１９２によって第２のダイ１０６の８つの下部パッド１９０に結合されるように示される。図１の実装形態では、追加の（または、より少ない）パッド１８４、１８６、１９０およびマイクロバンプ１８８、１９２が存在する場合がある。
下部インターポーザ１１４が、シリコン基板１２０上にマウントされる場合があり、シリコン基板１２０が、アンダーフィル１２２上にマウントされる場合があり、アンダーフィル１２２が、パッケージ基板１２４上にマウントされる場合がある。銅充填ビア１９４が、シリコン基板１２０内に形成される場合があり、パッド１９６が、シリコン基板１２０の銅充填ビア１９４に電気的に結合される場合があり、マイクロバンプ１９８が、パッド１９６をパッケージ基板１２４に電気的に結合する場合がある。
図１のＰｏＰ構造体１００は、ダイ１０４、１０６の間に形成された感光性画定可能モールド１０８を介してメモリチップ１０２とダイ１０４、１０６との間で電気信号（たとえば、データを表す）を転送することを可能にする場合がある。たとえば、メモリチップ１０２と感光性画定可能モールド１０８との間の導電経路（たとえば、メモリチップ１０２の下部パッド１７０、マイクロバンプ１７４、および感光性画定可能モールド１０８の上部パッド１７２）を使用して、メモリチップ１０２から感光性画定可能モールド１０８まで電気信号が伝送される場合がある。感光性画定可能モールド１０８と下部インターポーザ１１４との間の導電経路（たとえば、感光性画定可能モールド１０８の下部パッド１７８、マイクロバンプ（図示せず）、および下部インターポーザ１１４の上部パッド１８４）を介して、感光性画定可能モールド１０８の銅充填ビア１７６を通して下部インターポーザ１１４まで、電気信号が転送される場合がある。下部インターポーザ１１４とダイ１０４、１０６との間の導電経路を介して、下部インターポーザ１１４の銅充填ビア１８２を通して第１のダイ１０４または第２のダイ１０６のいずれかまで、電気信号が転送される場合がある。
メモリチップ１０２とダイ１０４、１０６との間で電気信号を転送するために第１のダイ１０４と第２のダイ１０６との間に形成された感光性画定可能モールド１０８を使用することによって、比較的大量のダイ面積を占めるはんだボールを（インターポーザとして）使用する従来のＰｏＰ構造体と比較して、メモリチップ１０２とダイ１０４、１０６との間の配線長さが減少する場合がある。配線長さを減少させることによって、従来のＰｏＰ構造体と比較して、ＰｏＰ構造体１００のパッケージサイズが低減する場合がある。加えて、配線長さを減少させることによって、シグナルインテグリティおよびパワーインテグリティが改善する場合がある。
図２Ａを参照すると、図１のＰｏＰ構造体１００を形成する特定の段階が示される。図２Ａの段階では、第１のダイ１０４および第２のダイ１０６が下部インターポーザ１１４に結合される。たとえば、第１のダイ１０４が、下部インターポーザ１１４に取り付けられる場合があり、第２のダイ１０６が、下部インターポーザ１１４に取り付けられる場合がある。ダイ１０４、１０６は、リフロープロセス（たとえば、熱プロセス）を使用して下部インターポーザ１１４に取り付けられる場合がある。
加えて、図２Ａの段階では、ウエハ（たとえば、シリコン基板１２０）の裏面が、一時的担体ボンディング技法を使用して一時的担体２０４上に配置される（たとえば、それに取り付けられる）場合がある。たとえば、一時的担体２０４は、一時的のり２０２（または接着剤）を使用してウエハに取り付けられる場合がある。図２Ａの技法は、図５に関して説明する製造機器を使用して実行される場合がある。
図２Ｂを参照すると、図１のＰｏＰ構造体１００を形成する別の特定の段階が示される。図２Ｂの段階では、感光性画定可能モールド１０８（たとえば、感光性「パターニング可能」モールドまたはポリマー）が、第１のダイ１０４の上、第２のダイ１０６の上、および下部インターポーザ１１４の上に堆積される。感光性画定可能モールド１０８は、積層堆積技法、熱圧縮成形技法、または成形堆積技法を使用して堆積される場合がある。一実装形態では、感光性画定可能モールド１０８は、「感光性誘電体」モールドを含む場合がある。図２Ｂの技法は、図５に関して説明する製造機器を使用して実行される場合がある。
図２Ｃを参照すると、図１のＰｏＰ構造体１００を形成する別の特定の段階が示される。図２Ｃの段階では、複数のビアが、感光性画定可能モールド１０８を通してエッチングされる場合がある。たとえば、感光性レジスト（図示せず）が、リソグラフィ（たとえば、感光性リソグラフィ）プロセスを使用して感光性画定可能モールド１０８の上に堆積される（たとえば、パターニングされる）場合がある。感光性レジストを堆積した後、感光性レジストの一部が、ドライエッチプロセス用の領域をパターニングするために「開放される」場合があり、ビアが、ドライエッチプロセス中に感光性画定可能モールド１０８を通してエッチングされる場合がある。ビアが感光性画定可能モールド１０８を通してエッチングされた後、感光性レジストが除去される場合がある。ビアが、図５に関して説明する製造機器を使用してエッチングされる場合がある。
図２Ｄを参照すると、図１のＰｏＰ構造体１００を形成する別の特定の段階が示される。図２Ｄの段階では、シード層およびバリア層（たとえば、バリア／シード堆積層１８０）が、物理気相堆積（ＰＶＤ）プロセスを使用してビア内に堆積される。シード層は銅を含む場合があり、バリア層はタンタルまたはシリコン窒化物を含む場合がある。図２Ｄの技法は、図５に関して説明する製造機器を使用して実行される場合がある。
図２Ｅを参照すると、図１のＰｏＰ構造体１００を形成する別の特定の段階が示される。図２Ｅの段階では、感光性レジスト層２０６が、リソグラフィ（たとえば、感光性リソグラフィ）プロセスを使用してバリア／シード堆積層１８０の上に堆積される（たとえば、パターニングされる）場合がある。図２Ｅの技法は、図５に関して説明する製造機器を使用して実行される場合がある。
図２Ｆを参照すると、図１のＰｏＰ構造体１００を形成する別の特定の段階が示される。図２Ｆの段階では、ビアが、銅電気めっきプロセスを使用して銅で充填される。図２Ｆの技法は、図５に関して説明する製造機器を使用して実行される場合がある。
図２Ｇを参照すると、図１のＰｏＰ構造体１００を形成する別の特定の段階が示される。図２Ｇの段階では、感光性レジスト層２０６と感光性レジスト層２０６の下のバリア／シード堆積層１８０の一部が、平坦化プロセス（たとえば、化学機械平坦化（ＣＭＰ）プロセス）を使用して除去される場合がある。たとえば、ウエハの前面は、感光性レジスト層２０６によってあらかじめカバーされた感光性画定可能モールド１０８の一部を露出させるために平坦化を受ける。図２Ｇの技法は、図５に関して説明する製造機器を使用して実行される場合がある。
図２Ｈを参照すると、図１のＰｏＰ構造体１００を形成する別の特定の段階が示される。図２Ｈの段階では、メモリチップ１０２が、熱圧縮ボンディングを使用して感光性画定可能モールド１０８およびダイ１０４、１０６の上に配置される。たとえば、メモリチップ１０２のパッドが、加熱プロセス（たとえば、リフロー）を使用して感光性画定可能モールド１０８の上部パッドに取り付けられる場合がある。加熱プロセスの後、アンダーフィル１１０が、感光性画定可能モールド１０８とメモリチップ１０２との間に施される場合がある。特定の実装形態では、メモリチップ１０２を取り付ける前に、アンダーフィル１１０が施される場合がある。図２Ｈの技法は、図５に関して説明する製造機器を使用して実行される場合がある。
メモリチップ１０２が取り付けられた後、一時的担体剥離プロセスを使用して、一時的担体２０４がウエハから切り離される場合がある。一時的担体剥離プロセスは、図５に関して説明する製造機器を使用して実行される場合がある。剥離プロセスの後、図１に示すように、ウエハが、パッケージ基板１２４上に堆積される場合がある。
図２Ａ〜図２Ｈに関して説明した段階は、ダイ１０４、１０６の間に形成された感光性画定可能モールド１０８を介してメモリチップ１０２とダイ１０４、１０６との間で電気信号（たとえば、データ）が転送される構造体の製造を可能にする場合がある。たとえば、メモリチップ１０２と感光性画定可能モールド１０８との間の導電経路（たとえば、メモリチップ１０２の下部パッド、マイクロバンプ、および感光性画定可能モールド１０８の上部パッド）を使用して、メモリチップ１０２から感光性画定可能モールド１０８まで電気信号が伝送される場合がある。感光性画定可能モールド１０８と下部インターポーザ１１４との間の導電経路（たとえば、感光性画定可能モールド１０８の下部パッド、マイクロバンプ、および下部インターポーザ１１４の上部パッド）を介して、感光性画定可能モールド１０８の銅充填ビアを通して下部インターポーザ１１４まで、電気信号が転送される場合がある。下部インターポーザ１１４とダイ１０４、１０６との間の導電経路を介して、下部インターポーザ１１４の銅充填ビアを通して第１のダイ１０４または第２のダイ１０６のいずれかまで、電気信号が転送される場合がある。
メモリチップ１０２とダイ１０４、１０６との間で電気信号を転送するために第１のダイ１０４と第２のダイ１０６との間に形成された感光性画定可能モールド１０８を使用することによって、比較的大量のダイ面積を占めるはんだボールを（インターポーザとして）使用する従来のＰｏＰ構造体と比較して、メモリチップ１０２とダイ１０４、１０６との間の配線長さが減少する場合がある。配線長さを減少させることによって、従来のＰｏＰ構造体と比較して、ＰｏＰ構造体１００のパッケージサイズが低減する場合がある。加えて、配線長さを減少させることによって、シグナルインテグリティおよびパワーインテグリティが改善する場合がある。
図３を参照すると、パッケージの２つのダイの間のインターポーザを有するＰｏＰ構造体を形成するための方法３００のフローチャートが示される。方法３００は、図５に関して説明する製造機器を使用して実行される場合がある。
方法３００は、３０２において、第１のダイおよび第２のダイを下部インターポーザに結合するステップを含む。たとえば、図２Ａを参照すると、第１のダイ１０４および第２のダイ１０６が、下部インターポーザ１１４に結合される場合がある。ダイ１０４、１０６は、リフロープロセス（たとえば、熱プロセス）を使用して下部インターポーザ１１４に取り付けられる（たとえば、電気的に結合される）場合がある。
３０４において、モールドが、第１のダイ、第２のダイ、および下部インターポーザ上に形成される場合がある。たとえば、図２Ｂを参照すると、感光性画定可能モールド１０８（たとえば、感光性「パターニング可能」モールド）が、第１のダイ１０４の上、第２のダイ１０６の上、および下部インターポーザ１１４の上に堆積される場合がある。感光性画定可能モールド１０８は、積層堆積技法、熱圧縮成形技法、または成形堆積技法を使用して堆積される場合がある。一実装形態では、感光性画定可能モールド１０８は、感光性誘電体モールドを含む場合がある。
３０６において、１つまたは複数のビアが、モールド内にエッチングされる場合がある。１つまたは複数のビアは、第１のダイと第２のダイとの間に配置される場合がある。たとえば、図２Ｃを参照すると、複数のビアが、感光性画定可能モールド１０８を通してエッチングされる場合がある。たとえば、感光性レジストが、リソグラフィ（たとえば、感光性リソグラフィ）プロセスを使用して感光性画定可能モールド１０８の上に堆積される（たとえば、パターニングされる）場合がある。感光性レジストを堆積した後、感光性レジストの一部が、ドライエッチプロセス用の領域をパターニングするために「開放される」場合があり、ビアが、ドライエッチプロセス中に感光性画定可能モールド１０８を通してエッチングされる場合がある。
一実装形態によれば、方法３００は、１つまたは複数のビア内にバリア／シード堆積層を堆積するステップを含む場合がある。たとえば、図２Ｄを参照すると、シード層およびバリア層（たとえば、バリア／シード堆積層１８０）が、物理気相堆積（ＰＶＤ）プロセスを使用してビア内に堆積される場合がある。シード層は銅から構成される場合があり、バリア層はタンタルまたはシリコン窒化物から構成される場合がある。
３０８において、１つまたは複数のビアは、１つまたは複数の銅充填ビアを有するインターポーザを形成するために銅で充填される場合がある。たとえば、図２Ｆを参照すると、ビアが、銅電気めっきプロセスを使用して銅で充填される場合がある。１つまたは複数の銅充填ビア１７６は、下部インターポーザ１１４に電気的に結合される場合があり、下部インターポーザ１１４は、第１のダイ１０４および第２のダイ１０６に電気的に結合される場合がある。
一実装形態によれば、方法３００は、第１のダイ、第２のダイ、およびインターポーザにメモリデバイスを電気的に結合するステップを含む場合がある。インターポーザは、メモリデバイスと、第１のダイまたは第２のダイのうちの少なくとも１つとの間で信号を転送するように構成される場合がある。たとえば、図２Ｈを参照すると、メモリチップ１０２が、熱圧縮ボンディングを使用して感光性画定可能モールド１０８およびダイ１０４、１０６に結合される場合がある。たとえば、メモリチップ１０２のパッドが、加熱プロセスを使用して感光性画定可能モールド１０８の上部パッドに取り付けられる場合がある。加熱プロセスの後、アンダーフィル１１０が、感光性画定可能モールド１０８とメモリチップ１０２との間に施される場合がある。特定の実装形態では、メモリチップ１０２を取り付ける前に、アンダーフィル１１０が施される場合がある。
図３の方法３００は、ダイ１０４、１０６の間に形成された感光性画定可能モールド１０８を介してメモリチップ１０２とダイ１０４、１０６との間で電気信号（たとえば、データ）を転送することを可能にする場合がある。たとえば、メモリチップ１０２と感光性画定可能モールド１０８との間の導電経路（たとえば、メモリチップ１０２の下部パッド、マイクロバンプ、および感光性画定可能モールド１０８の上部パッド）を使用して、メモリチップ１０２から感光性画定可能モールド１０８まで電気信号が伝送される場合がある。感光性画定可能モールド１０８と下部インターポーザ１１４との間の導電経路（たとえば、感光性画定可能モールド１０８の下部パッド、マイクロバンプ、および下部インターポーザ１１４の上部パッド）を介して、感光性画定可能モールド１０８の銅充填ビアを通して下部インターポーザ１１４まで、電気信号が転送される場合がある。下部インターポーザ１１４とダイ１０４、１０６との間の導電経路を介して、下部インターポーザ１１４の銅充填ビアを通して第１のダイ１０４または第２のダイ１０６のいずれかまで、電気信号が転送される場合がある。
メモリチップ１０２とダイ１０４、１０６との間で電気信号を転送するために第１のダイ１０４と第２のダイ１０６との間に形成された感光性画定可能モールド１０８を使用することによって、比較的大量のダイ面積を占めるはんだボールを（インターポーザとして）使用する従来のＰｏＰ構造体と比較して、メモリチップ１０２とダイ１０４、１０６との間の配線長さが減少する場合がある。配線長さを減少させることによって、従来のＰｏＰ構造体と比較して、ＰｏＰ構造体１００のパッケージサイズが低減する場合がある。加えて、配線長さを減少させることによって、シグナルインテグリティおよびパワーインテグリティが改善する場合がある。
図４を参照すると、ワイヤレス通信デバイスの特定の例示的な態様が示され、全体が４００で指定される。デバイス４００は、メモリ４３２に結合された、デジタル信号プロセッサなどのプロセッサ４１０を含む。
プロセッサ４１０は、メモリ４３２に記憶されたソフトウェア（たとえば、１つまたは複数の命令４６８からなるプログラム）を実行するように構成され得る。メモリデバイス４９０が、プロセッサ４１０に結合される場合がある。メモリデバイス４９０は、図１のＰｏＰ構造体１００を含む場合がある。たとえば、ＰｏＰ構造体１００は、単一のパッケージの２つのダイの間に形成されたインターポーザを含む場合がある。
ワイヤレスインターフェース４４０は、プロセッサ４１０およびアンテナ４４２に結合される場合がある。コーダ／デコーダ（コーデック）４３４をプロセッサ４１０に結合することもできる。スピーカ４３６およびマイクロフォン４３８を、コーデック４３４に結合することができる。ディスプレイコントローラ４２６を、プロセッサ４１０およびディスプレイデバイス４２８に結合することができる。特定の態様では、プロセッサ４１０、ディスプレイコントローラ４２６、メモリ４３２、コーデック４３４、およびワイヤレスインターフェース４４０は、システムインパッケージデバイスまたはシステムオンチップデバイス４２２に含まれる。特定の態様では、入力デバイス４３０および電源４４４が、システムオンチップデバイス４２２に結合される。さらに、特定の態様では、図４に示すように、ディスプレイデバイス４２８、入力デバイス４３０、スピーカ４３６、マイクロフォン４３８、アンテナ４４２、および電源４４４は、システムオンチップデバイス４２２の外部にある。しかしながら、ディスプレイデバイス４２８、入力デバイス４３０、スピーカ４３６、マイクロフォン４３８、アンテナ４４２、および電源４４４の各々を、１つまたは複数のインターフェースまたはコントローラなどの、システムオンチップデバイス４２２の１つまたは複数の構成要素に結合することができる。
説明した態様と併せて、パッケージオンパッケージ（ＰｏＰ）構造体は、第１の論理機能を実行するための手段を含む。たとえば、第１の論理機能を実行するための手段は、図１の第１のダイ１０４、１つもしくは複数の他のデバイス、または１つもしくは複数の他のモジュールを含む。
ＰｏＰ構造体は、第２の論理機能を実行するための手段を含む場合もある。たとえば、第２の論理機能を実行するための手段は、図１の第２のダイ１０６、１つもしくは複数の他のデバイス、または１つもしくは複数の他のモジュールを含む場合がある。
ＰｏＰ構造体は、データを記憶するための手段を含む場合もある。データを記憶するための手段は、第１の論理機能を実行するための手段と第２の論理機能を実行するための手段とに結合される場合がある。たとえば、データを記憶するための手段は、図１のメモリチップ１０２（たとえば、メモリデバイス）、１つもしくは複数の他のデバイス、または１つもしくは複数の他のモジュールを含む場合がある。
ＰｏＰ構造体は、データを記憶するための手段と、第１の論理機能を実行するための手段または第２の論理機能を実行するための手段のうちの少なくとも１つとの間で電気信号を転送するための手段も含む場合がある。電気信号を転送するための手段は、第１の論理機能を実行するための手段と第２の論理機能を実行するための手段との間にある場合がある。電気信号を転送するための手段は、モールド内に形成された銅充填ビアを含む場合がある。たとえば、電気信号を転送するための手段は、図１の感光性画定可能モールド１０８を含む場合がある。
上記で開示したデバイスおよび機能は、コンピュータ可読媒体上に記憶されたコンピュータファイル（たとえば、ＲＴＬ、ＧＤＳＩＩ、ＧＥＲＢＥＲなど）内に設計および構成される場合がある。いくつかまたはすべてのそのようなファイルは、そのようなファイルに基づいてデバイスを製造するために製造ハンドラに提供される場合がある。得られる生成物は、次いで、ダイに切断され、チップにパッケージされるウエハを含む。チップは、次いで、上記で説明したデバイスに使用される。図５は、電子デバイス製造プロセス５００の特定の例示的な態様を示す。
物理デバイス情報５０２が、製造プロセス５００において、研究コンピュータ５０６などで受信される。物理デバイス情報５０２は、図１のＰｏＰ構造体１００の物理的特性などの、半導体デバイスの少なくとも１つの物理的特性を表す設計情報を含む場合がある。たとえば、物理デバイス情報５０２は、研究コンピュータ５０６に結合されたユーザインターフェース５０４を介して入力される物理パラメータ、材料特性、および構造情報を含む場合がある。研究コンピュータ５０６は、メモリ５１０などのコンピュータ可読媒体に結合された、１つまたは複数の処理コアなどのプロセッサ５０８を含む。メモリ５１０は、プロセッサ５０８に、物理デバイス情報５０２をファイルフォーマットに準拠するように変換させ、ライブラリファイル５１２を生成させるように実行可能なコンピュータ可読命令を記憶する場合がある。
特定の態様では、ライブラリファイル５１２は、変換された設計情報を含む、少なくとも１つのデータファイルを含む。たとえば、ライブラリファイル５１２は、電子設計オートメーション（ＥＤＡ）ツール５２０とともに使用するために設けられる、図１のＰｏＰ構造体１００を含む半導体デバイスのライブラリを含む場合がある。
ライブラリファイル５１２は、メモリ５１８に結合された、１つまたは複数の処理コアなどのプロセッサ５１６を含む設計コンピュータ５１４において、ＥＤＡツール５２０とともに使用される場合がある。ＥＤＡツール５２０は、設計コンピュータ５１４のユーザが、ライブラリファイル５１２を使用して図１のＰｏＰ構造体１００を含む回路を設計することを可能にするように、プロセッサ実行可能命令としてメモリ５１８に記憶される場合がある。たとえば、設計コンピュータ５１４のユーザは、設計コンピュータ５１４に結合されたユーザインターフェース５２４を介して回路設計情報５２２を入力する場合がある。回路設計情報５２２は、図１のＰｏＰ構造体１００などの、半導体デバイスの少なくとも１つの物理的特性を表す設計情報を含む場合がある。例示すると、回路設計特性は、特定の回路の識別および回路設計における他の要素に対する関係、位置情報、フィーチャサイズ情報、相互接続情報、または電子デバイスの物理的特性を表す他の情報を含む場合がある。
設計コンピュータ５１４は、回路設計情報５２２を含む設計情報をファイルフォーマットに準拠するように変換するように構成される場合がある。例示すると、ファイル形成は、平面幾何形状、テキストラベル、および回路レイアウトについての他の情報を、グラフィックデータシステム（ＧＤＳＩＩ）ファイルフォーマットなどの階層フォーマットで表すデータベースバイナリファイルフォーマットを含む場合がある。設計コンピュータ５１４は、他の回路または情報に加えて、図１のＰｏＰ構造体１００を記述する情報を含むＧＤＳＩＩファイル５２６などの、変換された設計情報を含むデータファイルを生成するように構成される場合がある。例示すると、データファイルは、システムオンチップ（ＳＯＣ）内にさらなる電子回路および電子構成要素も含む、図１のＰｏＰ構造体１００を含むＳＯＣまたはチップインターポーザ構成要素に対応する情報を含む場合がある。
ＧＤＳＩＩファイル５２６は、ＧＤＳＩＩファイル５２６内の変換された情報に従って図１のＰｏＰ構造体１００を製造するための製造プロセス５２８において受け取られる場合がある。たとえば、デバイス製造プロセスは、代表的なマスク５３２として図５に示す、感光性リソグラフィ処理とともに使用されるマスクなどの１つまたは複数のマスクを生成するために、ＧＤＳＩＩファイル５２６をマスク製造者５３０に提供するステップを含む場合がある。マスク５３２は、試験されて代表的なダイ５３６などのダイに分離されてもよい１つまたは複数のウエハ５３３を生成するために製造プロセス中に使用されてもよい。ダイ５３６は、図１のＰｏＰ構造体１００を含む回路を含む。
特定の態様では、製造プロセス５２８は、プロセッサ５３４によって開始または制御される場合がある。プロセッサ５３４は、コンピュータ可読命令またはプロセッサ可読命令などの実行可能命令を含むメモリ５３５にアクセスする場合がある。実行可能命令は、プロセッサ５３４などのコンピュータによって実行可能な１つまたは複数の命令を含む場合がある。
製造プロセス５２８は、完全に自動化されるか、または部分的に自動化される製造システムによって実装される場合がある。たとえば、製造プロセス５２８は、自動化されてもよく、スケジュールに従って処理ステップを実行してもよい。製造システムは、電子デバイスを形成するために１つまたは複数の動作を実行するための製造機器（たとえば、処理ツール）を含む場合がある。たとえば、製造機器は、集積回路製造プロセス（たとえば、ウェットエッチング、化学気相エッチング、ドライエッチング、堆積、化学気相堆積、平坦化、リソグラフィ、インサイチュベーキング、またはそれらの組合せ）を使用して図２Ａ〜図２Ｈを参照して説明したプロセスのうちの１つまたは複数を実行するように構成される場合がある。
製造システムは、分散型アーキテクチャ（たとえば、階層）を有する場合がある。たとえば、製造システムは、分散型アーキテクチャに従って分散された、プロセッサ５３４などの１つもしくは複数のプロセッサ、メモリ５３５などの１つもしくは複数のメモリ、および／またはコントローラを含む場合がある。分散型アーキテクチャは、１つまたは複数の低レベルシステムの動作を制御または開始する高レベルプロセッサを含む場合がある。たとえば、製作プロセス５２８の高レベル部分は、プロセッサ５３４などの１つまたは複数のプロセッサを含む場合があり、低レベルシステムは各々、１つまたは複数の対応するコントローラを含む場合があり、または、１つまたは複数の対応するコントローラによって制御される場合がある。特定の低レベルシステムの特定のコントローラは、高レベルシステムから１つまたは複数の命令（たとえば、コマンド）を受信する場合があり、サブコマンドを下位のモジュールまたはプロセスツールに発行する場合があり、高レベルシステムに状態データを再び通信する場合がある。１つまたは複数の低レベルシステムの各々は、製作機器の１つまたは複数の対応する部分（たとえば、処理ツール）と関連付けられる場合がある。特定の態様では、製造システムは、製造システム内に分散された複数のプロセッサを含む場合がある。たとえば、製造システムの低レベルシステム構成要素のコントローラは、プロセッサ５３４などのプロセッサを含む場合がある。
代替的に、プロセッサ５３４は、製造システムの高レベルのシステム、サブシステム、または構成要素の一部である場合がある。別の態様では、プロセッサ５３４は、製造システムの様々なレベルおよび構成要素における分散処理を含む。
ダイ５３６は、パッケージングプロセス５３８に与えられる場合があり、そのプロセスにおいて、ダイ５３６は、代表的なパッケージ５４０に組み込まれる。たとえば、パッケージ５４０は、ＰｏＰ構成などの単一のダイ５３６または複数のダイを含む場合がある。パッケージ５４０は、電子デバイス技術合同協議会（ＪＥＤＥＣ）規格などの１つまたは複数の規格または仕様に準拠するように構成される場合がある。
パッケージ５４０に関する情報は、コンピュータ５４６に記憶されたコンポーネントライブラリなどを介して、様々な製品設計者に配布される場合がある。コンピュータ５４６は、メモリ５５０に結合される、１つまたは複数の処理コアなどのプロセッサ５４８を含んでもよい。プリント回路板（ＰＣＢ）ツールは、ユーザインターフェース５４４を介してコンピュータ５４６のユーザから受信されたＰＣＢ設計情報５４２を処理するために、プロセッサ実行可能命令としてメモリ５５０に記憶される場合がある。ＰＣＢ設計情報５４２は、図１のＰｏＰ構造体１００を含むパッケージ５４０に対応するパッケージングされた電子デバイスの、回路板上での物理的位置情報を含む場合がある。
コンピュータ５４６は、ＰＣＢ設計情報５４２を変換して、パッケージングされた電子デバイスの回路板上での物理的位置情報とともに、配線およびビアなどの電気的接続部のレイアウトを含む、データを有するＧＥＲＢＥＲファイル５５２などのデータファイルを生成するように構成されてもよく、パッケージングされた電子デバイスは、図１のＰｏＰ構造体１００を含むパッケージ５４０に対応する。別の態様では、変換されたＰＣＢ設計情報によって生成されるデータファイルは、ＧＥＲＢＥＲフォーマット以外のフォーマットを有する場合がある。
ＧＥＲＢＥＲファイル５５２は、基板組立プロセス５５４において受け取られ、ＧＥＲＢＥＲファイル５５２内に記憶された設計情報に従って製造される代表的なＰＣＢ５５６などのＰＣＢを作成するために使用されてもよい。たとえば、ＧＥＲＢＥＲファイル５５２は、ＰＣＢ製造プロセスの様々なステップを実行するために、１つまたは複数の機械にアップロードされる場合がある。ＰＣＢ５５６は、代表的なプリント回路アセンブリ（ＰＣＡ）５５８を形成するために、パッケージ５４０を含む電子構成要素を実装される場合がある。
ＰＣＡ５５８は、製品製造者５６０に受け取られ、第１の代表的な電子デバイス５６２および第２の代表的な電子デバイス５６４などの１つまたは複数の電子デバイスに統合される場合がある。例示的な非限定的例として、第１の代表的な電子デバイス５６２、第２の代表的な電子デバイス５６４、またはその両方が、図１のＰｏＰ構造体１００がその中に統合される、セットトップボックス、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、エンターテインメントユニット、ナビゲーションデバイス、通信デバイス、携帯情報端末（ＰＤＡ）、固定位置データユニット、およびコンピュータから選択される場合がある。別の例示的な非限定的例として、図５を参照すると、電子デバイス５６２および５６４のうちの１つまたは複数が、ワイヤレス通信デバイスであってもよい。別の例示的な非限定的例として、電子デバイス５６２および５６４のうちの１つまたは複数は、モバイル電話、ハンドヘルドパーソナル通信システム（ＰＣＳ）ユニット、パーソナルデータアシスタントなどの携帯型データユニット、全地球測位システム（ＧＰＳ）対応デバイス、ナビゲーションデバイス、メーター読取り機器などの固定位置データユニット、またはデータもしくはコンピュータ命令を記憶する、もしくは検索する任意の他のデバイス、またはそれらの任意の組合せなどの遠隔ユニットである場合もある。図５は、本開示の教示による遠隔ユニットを示しているが、本開示は、これらの例示されたユニットに限定されない。本開示の態様は、メモリおよびオンチップ回路を含む能動集積回路を含む任意のデバイスにおいて適切に使用される場合がある。
例示的な製造プロセス５００において説明するように、図１のＰｏＰ構造体１００を含むデバイスが製造され、処理され、電子デバイス内に組み込まれる場合がある。図１〜図４に関して開示された態様のうちの１つまたは複数の態様は、様々な処理段階において、ライブラリファイル５１２、ＧＤＳＩＩファイル５２６、およびＧＥＲＢＥＲファイル５５２などの中に含まれ、かつ、研究コンピュータ５０６のメモリ５１０、設計コンピュータ５１４のメモリ５１８、コンピュータ５４６のメモリ５５０、基板組立プロセス５５４などの様々な段階において使用される１つまたは複数の他のコンピュータまたはプロセッサ（図示せず）のメモリに記憶され、マスク５３２、ダイ５３６、パッケージ５４０、ＰＣＡ５５８、プロトタイプ回路またはデバイス（図示せず）などの他の製品、またはそれらの任意の組合せなどの１つまたは複数の他の物理的態様の中に組み込まれる場合もある。様々な代表的な段階が、図１〜図６を参照して示されているが、他の態様では、より少ない段階が使用される場合があるか、または、追加の段階が含まれる場合がある。同様に、図５のプロセス５００は、製造プロセス５００の様々な段階を実行する単一のエンティティによって、または１つもしくは複数のエンティティによって実行される場合がある。
当業者には、本明細書で開示する態様に関して説明する様々な例示的な論理ブロック、構成、モジュール、回路、およびアルゴリズムステップが電子ハードウェア、コンピュータソフトウェア、または両方の組合せとして実装されてもよいことがさらに諒解されよう。様々な例示的な構成要素、ブロック、構成、モジュール、回路、およびステップについて、上記では概してそれらの機能に関して説明してきた。そのような機能がハードウェアとして実装されるか、またはソフトウェアとして実装されるかは、特定の適用例およびシステム全体に課される設計制約に依存する。当業者は、記載された機能を特定の適用例ごとに様々な方法で実装してもよいが、そのような実装の決定は、本開示の範囲からの逸脱を引き起こすものと解釈されるべきでない。
本明細書で開示した態様に関して説明した方法またはアルゴリズムのステップは、ハードウェアにおいて直接具現化されても、プロセッサによって実行されるソフトウェアモジュールにおいて具現化されても、あるいはその２つの組合せにおいて具現化されてもよい。ソフトウェアモジュールは、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）、フラッシュメモリ、読取り専用メモリ（ＲＯＭ）、プログラマブル読取り専用メモリ（ＰＲＯＭ）、消去可能プログラマブル読取り専用メモリ（ＥＰＲＯＭ）、電気的消去可能プログラマブル読取り専用メモリ（ＥＥＰＲＯＭ）、レジスタ、ハードディスク、リムーバブルディスク、コンパクトディスク読取り専用メモリ（ＣＤ−ＲＯＭ）、または当技術分野で知られている任意の他の形態の記憶媒体の中に存在してもよい。例示的な非一時的（たとえば、有形）記憶媒体は、プロセッサが記憶媒体から情報を読み取り、記憶媒体に情報を書き込むことができるように、プロセッサに結合される。代替として、記憶媒体はプロセッサに一体化される場合がある。プロセッサおよび記憶媒体は特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）内に存在してもよい。ＡＳＩＣは、コンピューティングデバイスまたはユーザ端末内に存在してもよい。代替として、プロセッサおよび記憶媒体は、コンピューティングデバイスまたはユーザ端末内に個別の構成要素として存在してもよい。
開示した態様の上記の説明は、開示した態様を当業者が作成または使用できるようにするために提供される。これらの態様への様々な修正は当業者には容易に明らかになり、本明細書で定義された原理は、本開示の範囲から逸脱することなく、他の態様に適用されてもよい。したがって、本開示は、本明細書に示す態様に限定されることを意図するものではなく、以下の特許請求の範囲によって定義される原理および新規の特徴と可能な限り一致する最も広い範囲が与えられるべきである。
１００ パッケージオンパッケージ（ＰｏＰ）構造体
１０２ メモリチップ、メモリデバイス
１０４ 第１のダイ
１０６ 第２のダイ
１０８ 感光性画定可能モールド
１１０ アンダーフィル
１１４ 下部インターポーザ
１２０ シリコン基板
１２２ アンダーフィル
１２４ パッケージ基板
１７０ メモリチップの下部パッド
１７２ 感光性画定可能モールドの上部パッド
１７４ マイクロバンプ
１７６ 銅充填ビア
１７８ 感光性画定可能モールドの下部パッド
１８０ バリア／シード堆積層
１８２ 銅充填ビア
１８４ 下部インターポーザの上部パッド
１８６ 第１のダイの下部パッド
１８８ マイクロバンプ
１９０ 第２のダイの下部パッド
１９２ マイクロバンプ
１９４ 銅充填ビア
１９６ パッド
１９８ マイクロバンプ
２０２ 一時的のり
２０４ 一時的担体
２０６ 感光性レジスト層
４００ ワイヤレス通信デバイス
４１０ プロセッサ
４２２ システムインパッケージデバイス、システムオンチップデバイス
４２６ ディスプレイコントローラ
４２８ ディスプレイ
４３０ 入力デバイス
４３２ メモリ
４３４ コーダ／デコーダ、コーデック
４３６ スピーカ
４３８ マイクロフォン
４４０ ワイヤレスインターフェース
４４２ アンテナ
４４４ 電源
４４６ トランシーバ
４９０ メモリデバイス
５００ 製造プロセス
５０２ 物理デバイス情報
５０４ ユーザインターフェース
５０６ 研究コンピュータ
５０８ プロセッサ
５１０ メモリ
５１２ ライブラリファイル
５１４ 設計コンピュータ
５１６ プロセッサ
５１８ メモリ
５２０ 電子設計オートメーション（ＥＤＡ）ツール
５２２ 回路設計情報
５２４ ユーザインターフェース
５２８ 製造プロセス
５３０ マスク製造者
５３２ マスク
５３３ ウエハ
５３４ プロセッサ
５３５ メモリ
５３６ ダイ
５３８ パッケージングプロセス
５４０ パッケージ
５４２ ＰＣＢ設計情報
５４４ ユーザインターフェース
５４６ コンピュータ
５４８ プロセッサ
５５０ メモリ
５５２ ＧＥＲＢＥＲファイル
５５４ 基板組立プロセス
５５６ ＰＣＢ
５５８ プリント回路アセンブリ（ＰＣＡ）
５６０ 製品製造者
５６２ 第１の電子デバイス
５６４ 第２の電子デバイス

Claims (19)

  1. 第１のダイと、
    第２のダイと、
    前記第１のダイと前記第２のダイとの間のモールドであって、前記モールドがバリア／シード堆積層および銅を含むビアを含み、前記バリア／シード堆積層が前記銅を前記モールドから絶縁するように構成される、モールドと、
    前記ビアによって前記第１のダイおよび前記第２のダイに電気的に結合するように構成されたメモリデバイスと
    を備える、パッケージオンパッケージ（ＰｏＰ）構造体であって、
    前記モールドが感光性誘電体モールドを備える、ＰｏＰ構造体。
  2. 前記ビアが、
    前記メモリデバイスと前記第１のダイとの間で第１の電気信号を転送することと、
    前記メモリデバイスと前記第２のダイとの間で第２の電気信号を転送することと
    を行うように構成される、請求項１に記載のＰｏＰ構造体。
  3. 前記ビアに電気的に結合するように構成された下部インターポーザであって、前記第１の電気信号が前記下部インターポーザを介して前記メモリデバイスと前記第１のダイとの間で転送され、前記第２の電気信号が前記下部インターポーザを介して前記メモリデバイスと前記第２のダイとの間で転送される、下部インターポーザをさらに備える、請求項２に記載のＰｏＰ構造体。
  4. 前記メモリデバイスが、ワイド入出力（Ｉ／Ｏ）メモリデバイスを含む、請求項１に記載のＰｏＰ構造体。
  5. 前記ワイドＩ／Ｏメモリデバイスが、約１７００個から２０００個の間のＩ／Ｏポートを含む、請求項４に記載のＰｏＰ構造体。
  6. 前記メモリデバイスが前記ＰｏＰ構造体の第１のパッケージに含まれる、請求項１に記載のＰｏＰ構造体。
  7. 前記第１のダイ、前記第２のダイ、および前記ビアが前記ＰｏＰ構造体の第２のパッケージに含まれる、請求項１に記載のＰｏＰ構造体。
  8. 前記第１のダイ、前記第２のダイ、前記メモリデバイス、および前記ビアが、ワイヤレスデバイス、通信デバイス、携帯情報端末（ＰＤＡ）、ナビゲーションデバイス、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、エンターテインメントユニット、固定位置データユニット、およびコンピュータに統合される、請求項１に記載のＰｏＰ構造体。
  9. パッケージオンパッケージ（ＰｏＰ）構造体を形成するための方法であって、
    第１のダイおよび第２のダイを下部インターポーザに結合するステップと、
    前記第１のダイ、前記第２のダイ、および前記下部インターポーザ上にモールドを形成するステップと、
    前記モールド内に１つまたは複数のビアをエッチングするステップであって、前記１つまたは複数のビアが前記第１のダイと前記第２のダイとの間に配置される、ステップと、
    前記１つまたは複数のビアを銅で充填する前に前記１つまたは複数のビア内にバリア／シード堆積層を堆積するステップと、
    １つまたは複数のビアを有するインターポーザを形成するために前記１つまたは複数のビアを銅で充填するステップと
    を備える、方法。
  10. 前記モールドが感光性誘電体モールドを備える、請求項９に記載の方法。
  11. 前記１つまたは複数のビアが前記下部インターポーザに電気的に結合され、前記下部インターポーザが前記第１のダイおよび前記第２のダイに電気的に結合される、請求項９に記載の方法。
  12. 前記第１のダイ、前記第２のダイ、および前記インターポーザにメモリデバイスを結合するステップであって、前記インターポーザが前記メモリデバイスと前記第１のダイまたは前記第２のダイのうちの少なくとも１つとの間で電気信号を転送するように構成される、ステップをさらに備える、請求項９に記載の方法。
  13. 前記ＰｏＰ構造体が、前記インターポーザ、前記第１のダイ、前記第２のダイ、前記下部インターポーザ、および前記メモリデバイスを備える、請求項１２に記載の方法。
  14. 前記メモリデバイスが、ワイド入出力（Ｉ／Ｏ）メモリデバイスを含む、請求項１２に記載の方法。
  15. 前記ワイドＩ／Ｏメモリデバイスが、約１７００個から２０００個の間のＩ／Ｏポートを含む、請求項１４に記載の方法。
  16. 前記メモリデバイスが、前記ＰｏＰ構造体の第１のパッケージに含まれる、請求項１２に記載の方法。
  17. 前記第１のダイ、前記第２のダイ、および前記インターポーザが前記ＰｏＰ構造体の第２のパッケージに含まれる、請求項１６に記載の方法。
  18. 前記第１のダイおよび前記第２のダイを前記下部インターポーザ上に結合するステップが製造機器を使用して実行され、前記モールドを形成するステップが、前記製造機器を使用して実行され、前記１つまたは複数のビアをエッチングするステップが、前記製造機器を使用して実行され、前記１つまたは複数のビアを前記銅で充填するステップが、前記製造機器を使用して実行される、請求項９に記載の方法。
  19. 第１の論理機能を実行するための手段と、
    第２の論理機能を実行するための手段と、
    前記第１の論理機能を実行するための前記手段と前記第２の論理機能を実行するための前記手段とに結合された、データを記憶するための手段と、
    データを記憶するための前記手段と、前記第１の論理機能を実行するための前記手段または前記第２の論理機能を実行するための前記手段のうちの少なくとも１つとの間で電気信号を転送するための手段であって、電気信号を転送するための前記手段が、前記第１の論理機能を実行するための前記手段と、前記第２の論理機能を実行するための前記手段との間に存在し、モールド内に形成されたビアを備え、ここで、前記ビアがバリア／シード堆積層および銅を含み、前記バリア／シード堆積層が前記銅を前記モールドから絶縁するように構成される、電気信号を転送するための手段と
    を備える、パッケージオンパッケージ（ＰｏＰ）構造体であって、
    前記モールドが感光性誘電体モールドを備える、ＰｏＰ構造体。
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