JP6846892B2 - 重合体、補償フィルム、光学フィルム及び表示装置 - Google Patents

重合体、補償フィルム、光学フィルム及び表示装置 Download PDF

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Description

本発明は、重合体、補償フィルム、光学フィルム及び表示装置に関する。
フラットパネル表示装置は、自発光型発光表示装置と、別途の光源を必要とする受光型表示装置と、に大別でき、これらの画質を改善するために補償フィルム又は光学フィルムが用いられる。
本発明は、上記従来技術に鑑みてなされたものであって、本発明の目的は、補償フィルムに適用される新規な重合体を提供することにある。
また、本発明の他の目的は、前記重合体を含む補償フィルムを提供することにある。
また、本発明の他の目的は、前記 前記補償フィルム及び偏光子を備える光学フィルムを提供することにある。
また、本発明の他の目的は、前記補償フィルム又は前記光学フィルムを備える表示装置を提供することにある。
上記目的を達成するためになされた本発明の一態様による重合体は、下記一般式1で表わされる第1の構造単位を含む。
Figure 0006846892
前記一般式1において、
は、単結合、O、C(=O)、C(=O)O、C(=O)NRであり、
〜R及びRは、それぞれ独立して、水素、置換若しくは非置換のC1〜C20のアルキル基、置換若しくは非置換のC1〜C20のアルコキシ基、置換若しくは非置換のC3〜C20のシクロアルキル基、置換若しくは非置換のC6〜C20のアリール基、置換若しくは非置換のC3〜C20のヘテロ環式基、置換若しくは非置換のシリル基、ヒドロキシ基、ハロゲン基、ニトロ基、又はこれらの組み合わせであり、
n1は、1〜5である。
好ましくは、前記第1の構造単位は、下記一般式1−1で表わされる。
Figure 0006846892
前記一般式1−1において、
〜Rは、それぞれ独立して、水素、置換若しくは非置換のC1〜C20のアルキル基、置換若しくは非置換のC1〜C20のアルコキシ基、置換若しくは非置換のC3〜C20のシクロアルキル基、置換若しくは非置換のC6〜C20のアリール基、置換若しくは非置換のC3〜C20のヘテロ環式基、置換若しくは非置換のシリル基、ヒドロキシ基、ハロゲン基、ニトロ基、又はこれらの組み合わせであり、
n1は、1〜5である。
また、好ましくは、前記重合体は、下記一般式2で表わされる第2の構造単位を更に含む。
Figure 0006846892
前記一般式2において、
は、置換若しくは非置換のC1〜C20のアルキレン基、置換若しくは非置換のC3〜C20のシクロアルキレン基、置換若しくは非置換のC6〜C20のアリーレン基、置換若しくは非置換のC3〜C20の2価のヘテロ環式基、下記一般式Aで表わされる基、又はこれらの組み合わせであり、
Figure 0006846892
前記一般式Aにおいて、
は、単結合、置換若しくは非置換のC1〜C20のアルキレン基、置換若しくは非置換のC3〜C20のシクロアルキレン基、置換若しくは非置換のC6〜C20のアリーレン基、置換若しくは非置換のC3〜C20の2価のヘテロ環式基、O、C(=O)、C(=O)O、SiR、S、SO、又はこれらの組み合わせであり、
、R、R及びRは、それぞれ独立して、水素、置換若しくは非置換のC1〜C20のアルキル基、置換若しくは非置換のC1〜C20のアルコキシ基、置換若しくは非置換のC3〜C20のシクロアルキル基、置換若しくは非置換のC6〜C20のアリール基、置換若しくは非置換のC3〜C20のヘテロ環式基、置換若しくは非置換のシリル基、ヒドロキシ基、ハロゲン基、ニトロ基、又はこれらの組み合わせである。
更に、好ましくは、前記第2の構造単位は、下記一般式2−1〜2−10のうちのいずれか一つで表わされる。
Figure 0006846892
前記一般式2−1〜2−10において、
〜R12及びR14〜R19は、それぞれ独立して、水素、置換若しくは非置換のC1〜C20のアルキル基、置換若しくは非置換のC1〜C20のアルコキシ基、置換若しくは非置換のC3〜C20のシクロアルキル基、置換若しくは非置換のC6〜C20のアリール基、置換若しくは非置換のC3〜C20のヘテロ環式基、置換若しくは非置換のシリル基、ヒドロキシ基、ハロゲン基、ニトロ基、又はこれらの組み合わせであり、
13は、置換若しくは非置換のC1〜C20のアルキレン基、置換若しくは非置換のC3〜C20のシクロアルキレン基、置換若しくは非置換のC6〜C20のアリーレン基、置換若しくは非置換のC3〜C20の2価のヘテロ環式基、又はこれらの組み合わせである。
更にまた、好ましくは、前記第1の構造単位及び前記第2の構造単位は、1:99〜99:1のモル比にて含まれる。
更にまた、好ましくは、前記第1の構造単位及び前記第2の構造単位は、1:99〜50:50のモル比にて含まれる。
上記目的を達成するためになされた本発明の一態様による補償フィルムは、下記一般式1で表わされる第1の構造単位を有する第1の重合体を含む。
Figure 0006846892
前記一般式1において、
は、単結合、O、C(=O)、C(=O)O、C(=O)NRであり、
〜R及びRは、それぞれ独立して、水素、置換若しくは非置換のC1〜C20のアルキル基、置換若しくは非置換のC1〜C20のアルコキシ基、置換若しくは非置換のC3〜C20のシクロアルキル基、置換若しくは非置換のC6〜C20のアリール基、置換若しくは非置換のC3〜C20のヘテロ環式基、置換若しくは非置換のシリル基、ヒドロキシ基、ハロゲン基、ニトロ基、又はこれらの組み合わせであり、
n1は、1〜5である。
好ましくは、前記第1の構造単位は、下記一般式1−1で表わされる。
Figure 0006846892
前記一般式1−1において、
〜Rは、それぞれ独立して、水素、置換若しくは非置換のC1〜C20のアルキル基、置換若しくは非置換のC1〜C20のアルコキシ基、置換若しくは非置換のC3〜C20のシクロアルキル基、置換若しくは非置換のC6〜C20のアリール基、置換若しくは非置換のC3〜C20のヘテロ環式基、置換若しくは非置換のシリル基、ヒドロキシ基、ハロゲン基、ニトロ基、又はこれらの組み合わせであり、
n1は、1〜5である。
また、好ましくは、前記第1の重合体は、下記一般式2で表わされる第2の構造単位を更に含む。
Figure 0006846892
前記一般式2において、
は置換若しくは非置換のC1〜C20のアルキレン基、置換若しくは非置換のC3〜C20のシクロアルキレン基、置換若しくは非置換のC6〜C20のアリーレン基、置換若しくは非置換のC3〜C20の2価のヘテロ環式基、下記一般式Aで表わされる基、又はこれらの組み合わせであり、
Figure 0006846892
前記一般式Aにおいて、
は、単結合、置換若しくは非置換のC1〜C20のアルキレン基、置換若しくは非置換のC3〜C20のシクロアルキレン基、置換若しくは非置換のC6〜C20のアリーレン基、置換若しくは非置換のC3〜C20の2価のヘテロ環式基、O、C(=O)、C(=O)O、SiR、S、SO、又はこれらの組み合わせであり、
、R、R及びRは、それぞれ独立して、水素、置換若しくは非置換のC1〜C20のアルキル基、置換若しくは非置換のC1〜C20のアルコキシ基、置換若しくは非置換のC3〜C20のシクロアルキル基、置換若しくは非置換のC6〜C20のアリール基、置換若しくは非置換のC3〜C20のヘテロ環式基、置換若しくは非置換のシリル基、ヒドロキシ基、ハロゲン基、ニトロ基、又はこれらの組み合わせである。
更に、好ましくは、前記第2の構造単位は、下記一般式2−1〜2−10のうちのいずれか一つで表わされる。
Figure 0006846892
前記一般式2−1〜2−10において、
〜R12及びR14〜R19は、それぞれ独立して、水素、置換若しくは非置換のC1〜C20のアルキル基、置換若しくは非置換のC1〜C20のアルコキシ基、置換若しくは非置換のC3〜C20のシクロアルキル基、置換若しくは非置換のC6〜C20のアリール基、置換若しくは非置換のC3〜C20のヘテロ環式基、置換若しくは非置換のシリル基、ヒドロキシ基、ハロゲン基、ニトロ基、又はこれらの組み合わせであり、
13は、置換若しくは非置換のC1〜C20のアルキレン基、置換若しくは非置換のC3〜C20のシクロアルキレン基、置換若しくは非置換のC6〜C20のアリーレン基、置換若しくは非置換のC3〜C20の2価のヘテロ環式基、又はこれらの組み合わせである。
更にまた、好ましくは、前記第1の重合体は、前記第1の構造単位及び前記第2の構造単位を1:99〜99:1のモル比にて含む。
更にまた、好ましくは、前記第1の重合体は、前記第1の構造単位及び前記第2の構造単位を1:99〜50:50のモル比にて含む。
更にまた、好ましくは、前記補償フィルムは、前記第1の重合体とは異なる第2の重合体を更に含む。
更にまた、好ましくは、前記補償フィルムは、一軸又は二軸延伸されている。
更にまた、好ましくは、前記補償フィルムは、1.1倍〜5.0倍延伸されている。
更にまた、好ましくは、550nmの波長に対する前記補償フィルムの面内位相差は、10nm〜300nmである。
更にまた、好ましくは、450nm、550nm及び650nmの波長に対する前記補償フィルムの位相差は、下記関係式1〜5のうちのいずれか一つを満たす。
R(450nm)≧R(550nm)>R(650nm)…関係式1
R(450nm)>R(550nm)≧R(650nm)…関係式2
R(450nm)=R(550nm)=R(650nm)…関係式3
R(450nm)≦R(550nm)<R(650nm)…関係式4
R(450nm)<R(550nm)≦R(650nm)…関係式5
前記関係式1〜5において、
R(450nm)は、450nmの波長に対する面内位相差又は厚さ方向の位相差であり、
R(550nm)は、550nmの波長に対する面内位相差又は厚さ方向の位相差であり、
R(650nm)は、650nmの波長に対する面内位相差又は厚さ方向の位相差である。
更にまた、好ましくは、前記第1の重合体は、前記第1の構造単位及び前記第2の構造単位を10:90〜20:80のモル比にて含み、450nm、550nm及び650nmの波長に対する前記補償フィルムの位相差は、下記関係式1〜3のうちのいずれか一つを満たす。
R(450nm)≧R(550nm)>R(650nm)…関係式1
R(450nm)>R(550nm)≧R(650nm)…関係式2
R(450nm)=R(550nm)=R(650nm)…関係式3
前記関係式1〜3において、
R(450nm)は、450nmの波長に対する面内位相差又は厚さ方向の位相差であり、
R(550nm)は、550nmの波長に対する面内位相差又は厚さ方向の位相差であり、
R(650nm)は、650nmの波長に対する面内位相差又は厚さ方向の位相差である。
更にまた、好ましくは、前記第1の重合体は、前記第1の構造単位及び前記第2の構造単位を30:70〜40:60のモル比にて含み、450nm、550nm及び650nmの波長に対する前記補償フィルムの位相差は、下記関係式4又は5を満たす。
R(450nm)≦R(550nm)<R(650nm)…関係式4
R(450nm)<R(550nm)≦R(650nm)…関係式5
前記関係式4及び5において、
R(450nm)は、450nmの波長に対する面内位相差又は厚さ方向の位相差であり、
R(550nm)は、550nmの波長に対する面内位相差又は厚さ方向の位相差であり、
R(650nm)は、650nmの波長に対する面内位相差又は厚さ方向の位相差である。
上記目的を達成するためになされた本発明の一態様による光学フィルムは、前記補償フィルムと、偏光子と、を備える。
上記目的を達成するためになされた本発明の一態様による表示装置は、前記補償フィルム又は前記光学フィルムを備える。
本発明によれば、補償フィルムに有効に適用される新規な重合体を提供し、且つ、所望の位相差及び波長分散性を有する補償フィルムを提供することができる。
本発明の一実施形態による光学フィルムの概略的な断面図である。 光学フィルムの外光反射防止原理を示す概略図である。 偏光フィルムの一例を示す概略図である。 本発明の一実施形態による有機発光表示装置を概略的に示す断面図である。 本発明の一実施形態による液晶表示装置を概略的に示す断面図である。
以下、添付図面に基づき、本発明の好適な実施形態について本発明が属する技術分野において通常の知識を有する者が実施できる程度に詳細に説明する。しかしながら、本発明は、ここで説明される実施形態に何ら限定されるものではなく、他の形態に具体化可能である。
図中、様々な層及び領域の厚さは、明確性を図るために、実際の厚さよりも厚く描かれていることもある。明細書全体に亘って同じ部分に対しては同じ図面符号を付する。なお、層、膜、領域、板などが他の部分の「上」にあるとしたとき、それは、他の部分の「真上」にある場合だけではなく、これらの間にさらに他の部分がある場合も含む。逆に、ある部分が他の部分の「真上」にあるとしたとき、これらの間に他の部分がないことを意味する。
本明細書において、別途に断わりのない限り、「置換」とは、化合物又は官能基中の少なくとも一つの水素原子がハロゲン原子、ヒドロキシ基、ニトロ基、シアノ基、アミノ基、アジド基、アミジノ基、ヒドラジノ基、ヒドラゾノ基、カルボニル基、カルバミル基、チオール基、エステル基、カルボキシル基とその塩、スルホン酸基とその塩、リン酸基とその塩、C1〜C20のアルキル基、C2〜C20のアルケニル基、C2〜C20のアルキニル基、C6〜C30のアリール基、C7〜C30のアラルキル基、C1〜C30のアルコキシ基、C1〜C20のヘテロアルキル基、C3〜C20のヘテロアラルキル基、C3〜C30のシクロアルキル基、C3〜C15のシクロアルケニル基、C6〜C15のシクロアルキニル基、C3〜C30のヘテロシクロアルキル基、及びこれらの組み合わせから選ばれる置換基により置換されることを意味する。
また、本明細書において、別途に断わりのない限り、「ヘテロ」とは、N、O、S、Se、及びPから選ばれるヘテロ原子を1つ〜3つ含むものを意味する。
以下、本発明の一実施形態による重合体について説明する。
本発明の一実施形態による重合体は、一つ又は2以上の構造単位を含み、下記一般式1で表わされる第1の構造単位を含む。
Figure 0006846892
一般式1において、
は、単結合、O、C(=O)、C(=O)O、C(=O)NRであり、
〜R及びRは、それぞれ独立して、水素、置換若しくは非置換のC1〜C20のアルキル基、置換若しくは非置換のC1〜C20のアルコキシ基、置換若しくは非置換のC3〜C20のシクロアルキル基、置換若しくは非置換のC6〜C20のアリール基、置換若しくは非置換のC3〜C20のヘテロ環式基、置換若しくは非置換のシリル基、ヒドロキシ基、ハロゲン基、ニトロ基、又はこれらの組み合わせであり、
n1は、1〜5である。
重合体は、カーボネート結合を有する主鎖及びフェニルアセチレン基を有する側鎖を備える。フェニルアセチレン基を有する側鎖は、主鎖に対して実質的に垂直方向に配置されて重合体に所定の光学的な特性を与える。例えば、重合体は、主鎖方向の屈折率及び側鎖方向の屈折率を調節して、波長による複屈折率を制御する。
第1の構造単位は、例えば、下記一般式1−1で表わされる。
Figure 0006846892
一般式1−1において、R〜R及びn1は、上述した通りである。
重合体は、下記一般式2で表わされる第2の構造単位を更に含む。
Figure 0006846892
一般式2において、
は置換若しくは非置換のC1〜C20のアルキレン基、置換若しくは非置換のC3〜C20のシクロアルキレン基、置換若しくは非置換のC6〜C20のアリーレン基、置換若しくは非置換のC3〜C20の2価のヘテロ環式基、下記一般式Aで表わされる基、又はこれらの組み合わせであり、
Figure 0006846892
一般式Aにおいて、
は、単結合、置換若しくは非置換のC1〜C20のアルキレン基、置換若しくは非置換のC3〜C20のシクロアルキレン基、置換若しくは非置換のC6〜C20のアリーレン基、置換若しくは非置換のC3〜C20の2価のヘテロ環式基、O、C(=O)、C(=O)O、SiR、S、SO、又はこれらの組み合わせであり、
、R、R及びRは、それぞれ独立して、水素、置換若しくは非置換のC1〜C20のアルキル基、置換若しくは非置換のC1〜C20のアルコキシ基、置換若しくは非置換のC3〜C20のシクロアルキル基、置換若しくは非置換のC6〜C20のアリール基、置換若しくは非置換のC3〜C20のヘテロ環式基、置換若しくは非置換のシリル基、ヒドロキシ基、ハロゲン基、ニトロ基、又はこれらの組み合わせである。
第2の構造単位は、例えば、下記一般式2−1〜2−10のうちのいずれか一つで表わされるが、これらに何ら限定されない。
Figure 0006846892
一般式2−1〜2−10において、
〜R12及びR14〜R19は、それぞれ独立して、水素、置換若しくは非置換のC1〜C20のアルキル基、置換若しくは非置換のC1〜C20のアルコキシ基、置換若しくは非置換のC3〜C20のシクロアルキル基、置換若しくは非置換のC6〜C20のアリール基、置換若しくは非置換のC3〜C20のヘテロ環式基、置換若しくは非置換のシリル基、ヒドロキシ基、ハロゲン基、ニトロ基、又はこれらの組み合わせであり、
13は、置換若しくは非置換のC1〜C20のアルキレン基、置換若しくは非置換のC3〜C20のシクロアルキレン基、置換若しくは非置換のC6〜C20のアリーレン基、置換若しくは非置換のC3〜C20の2価のヘテロ環式基、又はこれらの組み合わせである。
重合体が第1の構造単位及び第2の構造単位を含む場合、第1の構造単位及び第2の構造単位は、約1:99〜99:1のモル比にて含まれる。前記範囲内において含まれることにより、所望の光学特性が得られながら、柔軟性が強化されてフィルムとして製造され易い。前記範囲内において、例えば、約1:99〜50:50のモル比にて含まれる。
重合体は、非結晶質であり、例えば、約120〜280℃のガラス転移温度を有し、前記範囲内において約180〜250℃のガラス転移温度を有する。
重合体の重量平均分子量は、固有粘度で表わすときに約0.2〜2.0dl/gであり、前記範囲内において、例えば、約0.3〜1.0dl/gである。前記範囲を有することにより、フィルムの成形性及び生産性の側面からみてなお一層効果的である。
重合体は、公知の重合方法により合成され、例えば、ジヒドロ化合物及びトリホスゲンなどのホスゲン化合物を用いた合成法、ジヒドロ化合物及び炭酸エステルを用いた合成法、ジヒドロ化合物及び活性炭酸誘導体を用いた合成法などが使用可能であるが、これらに何ら限定されない。
重合体は、例えば、薄膜状に形成されて重合体薄膜として使用可能である。重合体フィルムは、例えば、溶融押出法又は溶液キャスティング法により製造可能であるが、これらに何ら限定されない。溶液キャスティング法により製造される場合、例えば、メチレンクロリド、テトラヒドロフラン、ジオキソラン、ジオキサン、ジメチルスルホキシド、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド又はこれらの組み合わせが使用可能であるが、これらに何ら限定されない。重合体フィルムは、例えば、透明であり、透明性が求められるいかなる用途にも使用可能である。重合体フィルムは、例えば、基板、保護フィルム、補償フィルム、光学フィルム、誘電層、絶縁層、接着層など様々な用途に使用可能である。
以下、本発明の一実施形態による補償フィルムについて説明する。
本発明の一実施形態による補償フィルムは、1種又は2種以上の重合体を含む。
補償フィルムは、下記の第1の構造単位を有する第1の重合体を含む。
Figure 0006846892
一般式1において、
は、単結合、O、C(=O)、C(=O)O、C(=O)NRであり、
〜R及びRは、それぞれ独立して、水素、置換若しくは非置換のC1〜C20のアルキル基、置換若しくは非置換のC1〜C20のアルコキシ基、置換若しくは非置換のC3〜C20のシクロアルキル基、置換若しくは非置換のC6〜C20のアリール基、置換若しくは非置換のC3〜C20のヘテロ環式基、置換若しくは非置換のシリル基、ヒドロキシ基、ハロゲン基、ニトロ基、又はこれらの組み合わせであり、
n1は、1〜5である。
第1の重合体は、カーボネート結合を有する主鎖及びフェニルアセチレン基を有する側鎖を備える。フェニルアセチレン基を有する側鎖は、主鎖に対して実質的に垂直方向に配置されて第1の重合体に所定の光学的な特性を与える。例えば、第1の重合体は、主鎖方向の屈折率及び側鎖方向の屈折率を調節して、波長による複屈折率を制御する。
第1の構造単位は、例えば、下記一般式1−1で表わされる。
Figure 0006846892
一般式1−1において、R〜R及びn1は、上述した通りである。
第1の重合体は、下記一般式2で表わされる第2の構造単位を更に含む。
Figure 0006846892
一般式2において、
は置換若しくは非置換のC1〜C20のアルキレン基、置換若しくは非置換のC3〜C20のシクロアルキレン基、置換若しくは非置換のC6〜C20のアリーレン基、置換若しくは非置換のC3〜C20の2価のヘテロ環式基、下記一般式Aで表わされる基、又はこれらの組み合わせであり、
Figure 0006846892
一般式Aにおいて、
は、単結合、置換若しくは非置換のC1〜C20のアルキレン基、置換若しくは非置換のC3〜C20のシクロアルキレン基、置換若しくは非置換のC6〜C20のアリーレン基、置換若しくは非置換のC3〜C20の2価のヘテロ環式基、O、C(=O)、C(=O)O、SiR、S、SO、又はこれらの組み合わせであり、
、R、R及びRは、それぞれ独立して、水素、置換若しくは非置換のC1〜C20のアルキル基、置換若しくは非置換のC1〜C20のアルコキシ基、置換若しくは非置換のC3〜C20のシクロアルキル基、置換若しくは非置換のC6〜C20のアリール基、置換若しくは非置換のC3〜C20のヘテロ環式基、置換若しくは非置換のシリル基、ヒドロキシ基、ハロゲン基、ニトロ基、又はこれらの組み合わせである。
第2の構造単位は、例えば、下記一般式2−1〜2−10のうちのいずれか一つで表わされるが、これらに何ら限定されない。
Figure 0006846892
一般式2−1〜2−10において、
〜R12及びR14〜R19は、それぞれ独立して、水素、置換若しくは非置換のC1〜C20のアルキル基、置換若しくは非置換のC1〜C20のアルコキシ基、置換若しくは非置換のC3〜C20のシクロアルキル基、置換若しくは非置換のC6〜C20のアリール基、置換若しくは非置換のC3〜C20のヘテロ環式基、置換若しくは非置換のシリル基、ヒドロキシ基、ハロゲン基、ニトロ基、又はこれらの組み合わせであり、
13は、置換若しくは非置換のC1〜C20のアルキレン基、置換若しくは非置換のC3〜C20のシクロアルキレン基、置換若しくは非置換のC6〜C20のアリーレン基、置換若しくは非置換のC3〜C20の2価のヘテロ環式基、又はこれらの組み合わせである。
第1の重合体が第1の構造単位及び第2の構造単位を含む場合、第1の構造単位及び第2の構造単位は、約1:99〜99:1のモル比にて含まれる。前記範囲内において含まれることにより、所望の光学特性が得られながらも、柔軟性が強化されてフィルムとして製造され易い。前記範囲内において、例えば、約1:99〜50:50のモル比にて含まれ、前記範囲内において、例えば、約10:90〜50:50のモル比にて含まれる。
補償フィルムは、第1の重合体に加えて、少なくとも一つの第2の重合体を更に含む。補償フィルムは、第2の重合体を更に含むことにより、補償フィルムの光学的・物理的な特性を更に補強することができる。第2の重合体は、補償フィルムの機能を強化できるものであれば、特に制限されないが、例えば、置換若しくは非置換のアリーレン基及びカーボネート基を有する構造単位を含む。
補償フィルムは、例えば、一軸又は二軸方向に延伸されている。例えば、補償フィルムは、一軸延伸されている。
補償フィルムは、上述したように、屈折率及び波長による吸光特性を変化させて所定の位相差を有する。
補償フィルムの位相差(R)は、面内位相差(R)及び厚さ方向の位相差(Rth)で表わされる。補償フィルムの面内位相差(R)は、補償フィルムの面内方向に発生する位相差であり、R=(n−n)dで表わされる。補償フィルムの厚さ方向の位相差(Rth)は、補償フィルムの厚さ方向に発生する位相差であり、Rth={[(nx+)/2]−n}dで表わされる。ここで、nは、補償フィルムの面内屈折率が最も大きい方向(以下、「遅相軸」と称する)における屈折率であり、nは、補償フィルムの面内屈折率が最も小さい方向(以下、「進相軸」と称する)における屈折率であり、nは、補償フィルムの遅相軸及び進相軸に対する垂直方向の屈折率であり、dは、補償フィルムの厚さである。
例えば、550nmの波長に対する補償フィルムの面内位相差(R)は、約10nm〜300nmである。補償フィルムは、n、n、n及び/又は厚さ(d)を変化させて所定の範囲の面内位相差及び厚さ方向の位相差を有するように調節する。
補償フィルムの位相差は、波長に応じて同一又は異なる。
例えば、補償フィルムは、短波長の光に対する位相差が長波長の光に対する位相差よりも大きい正波長分散位相遅延を有し、550nmの波長を基準波長としたとき、例えば、450nm、550nm及び650nmの波長に対する補償フィルムの位相差(R)は、下記関係式1又は2を満たす。
R(450nm)≧R(550nm)>R(650nm)…関係式1
R(450nm)>R(550nm)≧R(650nm)…関係式2
例えば、補償フィルムは、長波長の光に対する位相差および短波長の光に対する位相差が実質的に等しいフラット分散位相遅延を有し、例えば、450nm、550nm及び650nmの波長に対する補償フィルムの位相差(R)は、下記関係式3を満たす。
R(450nm)=R(550nm)=R(650nm)…関係式3
例えば、補償フィルムは、長波長の光に対する位相差が短波長の光に対する位相差よりも大きい逆波長分散位相遅延を有し、例えば、450nm、550nm及び650nmの波長に対する補償フィルムの位相差(R)は、下記関係式4又は5を満たす。
R(450nm)≦R(550nm)<R(650nm)…関係式4
R(450nm)<R(550nm)≦R(650nm)…関係式5
関係式1〜5において、
R(450nm)は450nmの波長に対する面内位相差又は厚さ方向の位相差であり、
R(550nm)は550nmの波長に対する面内位相差又は厚さ方向の位相差であり、
R(650nm)は650nmの波長に対する面内位相差又は厚さ方向の位相差である。
補償フィルムは、波長に応じて所望の位相差を有するように調節する。
補償フィルムは、高い複屈折率を有するので、比較的に薄い厚さを有する。補償フィルムは、例えば、約3μm〜200μmの厚さを有し、前記範囲内において、例えば、約5μm〜150μmの厚さを有し、前記範囲内において、例えば、約5μm〜100μmの厚さを有する。
補償フィルムは、実質的に透明な重合体を含むので、基板として使用可能であり、これにより、補償フィルムの下部の別途の基板が省略される。これにより、補償フィルムの厚さが更に薄くなる。これにより、折り畳み可能な表示装置又は折れ曲がり可能な表示装置などのフレキシブル表示装置にも有効に適用されて光学特性及び表示特性を改善する。
補償フィルムは、例えば、モノマーを準備するステップと、前記モノマーを重合して重合体を準備するステップと、前記重合体をフィルムとして準備するステップと、前記フィルムを延伸するステップと、を含む方法により製造される。
補償フィルムは、例えば、50℃〜500℃の温度において約110%〜1000%の伸び率にて延伸される。ここで、伸び率とは、補償フィルムの延伸前の長さと延伸後の長さとの間の比率をいい、一軸延伸後に補償フィルムが伸びた度合いを意味する。
補償フィルムは、単独にて用いられてもよく、他の補償フィルムと併用されてもよい。
補償フィルムは、偏光子と併用されて表示装置の外部光の反射を防ぐ光学フィルムとして使用可能である。光学フィルムは、例えば、反射防止フィルムであるが、これに何ら限定されない。
図1は、本発明の一実施形態による光学フィルムの概略的な断面図であり、図2は、光学フィルムの外光反射防止原理を示す概略図であり、図3は、偏光フィルムの一例を示す概略図である。
図1を参照すると、本発明の一実施形態による光学フィルム100は、偏光子110と、補償フィルム120と、を備える。補償フィルム120は、偏光子110を通過した光を円偏光させて位相差を発生させ、光の反射及び/又は吸収に影響を及ぼす。
例えば、光学フィルム100は、表示装置の片側又は両側に配設され、特に、表示装置の画面部側に配置されて外部から流入する光が反射されること(以下、「外光反射」と称する)を防ぐ。これにより、外光反射による視認性の低下が防がれる。
図2は、光学フィルムの外光反射防止原理を示す概略図である。
図2を参照すると、入射する非偏光の光は、偏光子110を通過しながら2つの偏光直交成分のうちの一つの偏光直交成分、すなわち、第1の偏光直交成分のみが透過され、偏光の光は、補償フィルム120を通過しながら円偏光に変換される。前記円偏光の光は、基板、電極などを含む表示パネル50において反射されながら円偏光方向に変わり、前記円偏光の光が補償フィルム120を再び通過しながら2つの偏光直交成分のうちの残りの偏光直交成分、すなわち、第2の偏光直交成分のみが透過される。前記第2の偏光直交成分は、偏光子110を通過できずに外部に光が放出されないので、外光反射防止効果を有する。
偏光子110は、例えば、偏光板又は偏光フィルムである。
図3を参照すると、偏光子110は、例えば、高分子樹脂71及び二色性染料72の溶融混合物により製造された一体型構造の偏光フィルムである。
高分子樹脂71は、例えば、疎水性高分子樹脂であり、例えば、ポリエチレン(PE)、ポリプロピレン(PP)及びこれらの共重合体などのポリオレフィン;ナイロン及び芳香族ポリアミドなどのポリアミド;ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンテレフタレートグリコール(PETG)及びポリエチレンナフタレート(PEN)などのポリエステル;ポリメチル(メタ)アクリレートなどのポリアクリル;ポリスチレン(PS)及びアクリトニトリル−スチレン共重合体などのポリスチレン;ポリカーボネート;塩化ビニル系樹脂;ポリイミド;スルホン樹脂;ポリエーテルスルホン;ポリエーテル−エーテルケトン;ポリフェニレンスルフィド;ビニルアルコール樹脂;ビニリデンクロリド樹脂;ビニルブチラール樹脂;アリレート樹脂;ポリオキシメチレン;エポキシ、これらの共重合体又はこれらの組み合わせである。
中でも、高分子樹脂71は、例えば、ポリオレフィン樹脂、ポリアミド樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアクリル樹脂、ポリスチレン樹脂、これらの共重合体又はこれらの組み合わせであり、例えば、ポリエチレン(PE)、ポリプロピレン(PP)、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンテレフタレートグリコール(PETG)、ポリエチレンナフタレート(PEN)、ナイロン、これらの共重合体又はこれらの組み合わせである。
中でも、高分子樹脂71は、ポリオレフィンである。ポリオレフィンは、例えば、ポリエチレン(PE)、ポリプロピレン(PP)、ポリエチレン及びポリプロピレンの共重合体(PE−PP)から選ばれる少なくとも2つの混合物であり、例えば、ポリプロピレン(PP)及びポリエチレン−ポリプロピレン共重合体(PE−PP)の混合物である。
高分子樹脂71は、約400〜780nmの波長領域における透過度が約85%以上である。高分子樹脂71は、一軸方向に延伸されている。前記一軸方向は、後述する二色性染料72の長手方向に等しい。
二色性染料72は、高分子樹脂71に分散されており、高分子樹脂71の延伸方向に沿って一方向に配列されている。二色性染料72は、所定の波長領域に対して2つの偏光直交成分のうちの一つの偏光直交成分のみを透過させる。
二色性染料72は、。高分子樹脂71100重量部に対して約0.01〜5重量部にて含まれる。前記範囲内に含まれることにより、偏光フィルムとして形成するときに透過度を低下させないつつも十分な偏光特性を示す。前記範囲内において、高分子樹脂71の100重量部に対して約0.05〜1重量部にて含まれる。
偏光子110は、約100μm以下の比較的に薄い厚さを有し、例えば、約30μm〜約95μmの厚さを有する。前記範囲の厚さを有することにより、トリアセチルセルロース(TAC)などの保護層が求められる偏光板と比較して、厚さを大幅に減らすことができ、これにより、薄型表示装置が得られる。
補償フィルム120は、上述した通りである。
光学フィルム100は、補償フィルム120の片面に配設される補正層(図示せず)を更に備える。補正層は、例えば、色変移防止層であるが、これに何ら限定されない。
光学フィルム100は、周縁に沿って伸びている遮光層(図示せず)を更に備える。遮光層は、光学フィルム100の周縁に沿って帯状に形成され、例えば、偏光子110と補償フィルム120との間に配設される。遮光層は、不透明な物質、例えば、黒色の物質を含む。例えば、遮光層は、黒色のインキにより製造される。
光学フィルム100は、様々な表示装置に適用される。
本発明の一実施形態による表示装置は、表示パネルと、表示パネルの片面に配設される光学フィルムと、を備える。表示パネルは、液晶表示パネル又は有機発光表示パネルであるが、これに何ら限定されない。
以下、表示装置の一例としての有機発光表示装置について説明する。
図4は、本発明の一実施形態による有機発光表示装置を概略的に示す断面図である。
図4を参照すると、本発明の一実施形態による有機発光表示装置は、有機発光表示パネル400と、有機発光表示パネル400の片面に配設される光学フィルム100と、を備える。
有機発光表示パネル400は、ベース基板410と、下部電極420と、有機発光層430と、上部電極440及び封止基板450を備える。
ベース基板410は、ガラス製又はプラスチック製である。
下部電極420及び上部電極440のうちの一つはアノードであり、残りの一つはカソードである。アノードは、正孔が注入される電極であり、仕事関数が高く、発光された光が外部に出射される透明導電物質により製造され、例えば、酸化インジウムスズ(ITO)又は酸化インジウム亜鉛(IZO)である。カソードは、電子が注入される電極であり、仕事関数が低く、有機物質に影響を及ぼさない導電物質により製造され、例えば、アルミニウム(Al)、カルシウム(Ca)及びバリウム(Ba)から選ばれる。
有機発光層430は、下部電極420及び上部電極440に電圧が印加されたときに光を発する有機物質を含む。
下部電極420と有機発光層430との間及び上部電極440と有機発光層430との間には付帯層(図示せず)が更に配設される。付帯層は、電子及び正孔間のバランスを取るための正孔伝達層、正孔注入層、電子注入層及び電子伝達層を備える。
封止基板450は、ガラス製、金属製又は高分子製であり、下部電極420と、有機発光層430及び上部電極440を封止して外部から水分及び/又は酸素が流入することを防ぐ。
光学フィルム100は、光が出射される側に配置される。例えば、ベース基板410側に光が出射される背面発光構造である場合にベース基板410の外側に配置され、封止基板450側に光が出射される前面発光構造である場合に封止基板450の外側に配置される。
光学フィルム100は、上述した一体型の偏光子110と、一体型の補償フィルム120と、を備える。偏光子110及び補償フィルム120はそれぞれ上述した通りであり、偏光子110を通過した光が有機発光表示パネル400の電極などの金属により反射されて表示装置の外側に出射されることを防いで外部から流入する光による視認性の低下を防ぐ。したがって、有機発光表示装置の表示特性が改善される。
以下、表示装置の一例としての液晶表示装置について説明する。
図5は、本発明の一実施形態による液晶表示装置を概略的に示す断面図である。
図5を参照すると、本発明の一実施形態による液晶表示装置は、液晶表示パネル500と、液晶表示パネル500の片面又は両面に配設される光学フィルム100と、を備える。
液晶表示パネル500は、ねじれネマティック(twist nematic:TN)モード、パターン垂直配向(patterned vertical alignment:PVA)モード、面内スイッチング(in plane switching:IPS)モード、光学補償ベンド(optically compensated bend:OCB)モードなどである。
液晶表示パネル500は、第1の表示板510と、第2の表示板520と、第1の表示板510と第2の表示板520との間に介在されている液晶層530と、を備える。
第1の表示板510は、例えば、基板(図示せず)の上に形成されている薄膜トランジスタ(図示せず)及びここに接続されている第1の電場生成電極(図示せず)を備え、第2の表示板520は、例えば、基板(図示せず)の上に形成されているカラーフィルタ(図示せず)及び第2の電場生成電極(図示せず)を備える。しかしながら、これに何ら限定されるものではなく、カラーフィルタが第1の表示板(510)に組み込まれてもよく、第1の電場生成電極及び第2の電場生成電極が第1の表示板510に並置されてもよい。
液晶層530は、複数の液晶分子を含む。液晶分子は、正又は負の誘電率異方性を有する。液晶分子が正の誘電率異方性を有する場合、電場がない状態でその長軸が第1の表示板510及び第2の表示板520の表面に対して略平行をなすように配向され、電場が印加された状態でその長軸が第1の表示板510及び第2の表示板520の表面に対して略垂直をなすように配向される。これとは逆に、液晶分子が負の誘電率異方性を有する場合、電場がない状態でその長軸が第1の表示板510及び第2の表示板520の表面に対して略垂直に配向され、電場が印加された状態でその長軸が第1の表示板510及び第2の表示板520の表面に対して略平行に配向される。
光学フィルム100は液晶表示パネル500の外側に配設され、図面には、液晶表示パネル500の下部及び上部にそれぞれ形成されていると示されているが、これに何ら限定されるものではなく、液晶表示パネル500の下部及び上部のうちのいずれか一方にのみ形成されてもよい。
以下、実施例を挙げて上述した実施形態についてより詳細に説明する。但し、下記の実施例は単に説明のためのものであり、本発明の範囲を制限するものではない。
重合体の合成
合成例1
(1)ステップ1
Figure 0006846892
2Lのフラスコに1−ブロモ−4−ヨードベンゼン141g、フェニルアセチレン50.9g、トリエチルアミン700ml及びテトラヒドロフラン700mlを入れて窒素置換を行う。次いで、塩化パラジウム(II)(PbCl)0.882g、ヨウ化銅(I)(CuI)1.91g及びトリフェニルホスゲン(PPh)5.21gを入れて窒素雰囲気及び室温において8時間攪拌する。次いで、60℃で12時間攪拌し、2−メチル−3−ブチン−2−オール50.6g、塩化パラジウム(II)0.435g、ヨード化銅(I)0.956g及びトリフェニルホスフィン2.66gを入れて48時間還流する。次いで、不溶物をろ別し、溶媒を減圧蒸留して酢酸エチルで再結晶化させて2−メチル−4−(フェニルエチニル)フェニル)ブタ−3−イン−2−オール104gを得る。
次いで、2Lのフラスコに2−メチル−4−(フェニルエチニル)ブタ−3−イン−2−オール61.8g、水酸化テトラメチルアンモニウム(10%のメタノール溶液)74.1ml及びトルエン1160mlを入れ、75℃及び0.3気圧で1時間攪拌する。次いで、反応溶液を水で洗浄して溶媒を減圧蒸留し、カラムクロマトグラフィで精製して1−エチニル−4−(フェニルエチニル)ベンゼン47.0gを得る。
(2)ステップ2
Figure 0006846892
1Lのフラスコに1−エチニル−4−(フェニルエチニル)ベンゼン14.9g、5−ブロモ−1,3−フェニレンジアセチレート20.1g及びトリエチルアミン350mlを入れて窒素置換する。次いで、塩化パラジウム(II)0.130g、ヨウ化銅(I)0.274g及びトリフェニルホスフィン0.766gを入れて窒素雰囲気で48時間還流し、攪拌する。次いで、室温まで冷却させて不溶物をろ別する。次いで、溶媒を減圧蒸留し、カラムクロマトグラフィで精製して5−((4−フェニルエチニル)フェニル)エチニル)1,3−フェニレンジアセテート28.0gを得る。
次いで、2Lのフラスコに5−((4−フェニルエチニル)フェニル)エチニル)1,3−フェニレンジアセテート28.0g、水酸化カリウム15.9g、メタノール1120ml及び水28mlを入れて1時間攪拌し、還流する。次いで、室温まで冷却させて1N−HClで中和する。次いで、溶媒の量が約1/3になるまで減圧蒸留して析出された固体をろ別する。得られた固体を水で洗浄し、60℃で真空乾燥して生成物を得る。次いで、得られた生成物をカラムクロマトグラフィで精製して5−((4−(フェニルエチニル)フェニル)エチニル)ベンゼン−1,3−ジオール5.66gを得る。
(3)ステップ3
Figure 0006846892
機械的攪拌器付き200mLのフラスコに水酸化ナトリウム1.94g、水29mL、5−((4−(フェニルエチニル)フェニル)エチニル)ベンゼン−1,3−ジオール0.302g、2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)プロパン2.00gを入れる。次いで、ジクロロメタン32mlに溶解させたトリホスゲン1.44gを添加して15分間攪拌する。次いで、トリエチルアミン9mgを添加して室温で90分間攪拌する。次いで、ジクロロメタンで希釈し、1%の塩酸及び水で洗浄し、メタノールを用いて再沈殿させた後、60℃で12時間真空乾燥させてポリカーボネート2.10gを得る。
反応式3において、x:yは約9:1である。
合成例2
ステップ1及び2は、合成例1と同様である。
ステップ3
機械的攪拌器付き200mLのフラスコに水酸化ナトリウム1.64g、水24mL、5−((4−(フェニルエチニル)フェニル)エチニル)ベンゼン−1,3−ジオール0.509g及び2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)プロパン1.50gを入れる。次いで、ジクロロメタン27mlに溶解させたトリホスゲン0.866gを添加して15分間攪拌する。次いで、トリエチルアミン6mgを添加して室温で90分間攪拌する。次いで、ジクロロメタンで希釈し、1%の塩酸及び水で洗浄し、メタノールを用いて再沈殿させた後、60℃で12時間真空乾燥させてポリカーボネートを得る。
反応式3において、x:yは約8:2である。
合成例3
ステップ1及び2は、合成例1と同様である。
ステップ3
機械的攪拌器付き200mLのフラスコに水酸化ナトリウム1.50g、水22mL、5−((4−(フェニルエチニル)フェニル)エチニル)ベンゼン−1,3−ジオール0.699g及び2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)プロパン1.20gを入れる。次いで、ジクロロメタン48mlに溶解させたトリホスゲン1.11gを添加して15分間攪拌する。次いで、トリエチルアミン7mgを添加して室温で90分間攪拌する。次いで、ジクロロメタンで希釈し、1%の塩酸及び水で洗浄し、メタノールを用いて再沈殿させた後、60℃で12時間真空乾燥させてポリカーボネートを得る。
反応式3において、x:yは約7:3である。
合成例4
ステップ1及び2は、合成例1と同様である。
ステップ3
機械的攪拌器付き200mLのフラスコに水酸化ナトリウム1.61g、水24mL、5−((4−(フェニルエチニル)フェニル)エチニル)ベンゼン−1,3−ジオール0.997g及び2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)プロパン1.10gを入れる。次いで、ジクロロメタン52mlに溶解させたトリホスゲン0.975gを添加して15分間攪拌する。次いで、トリエチルアミン6mgを添加して室温で90分間攪拌する。次いで、ジクロロメタンで希釈し、1%の塩酸及び水で洗浄し、メタノールを用いて再沈殿させた後、60℃で12時間真空乾燥させてポリカーボネートを得る。
反応式3において、x:yは約6:4である。
フィルムの製造
合成例1〜4において得られたポリカーボネートをテトラヒドロフラン及びジオキサンの混合溶媒(1/1,v/v)に溶解させて20wt%のポリカーボネート溶液を製造する。次いで、ガラス基板の上に前記ポリカーボネート溶液を塗布して40℃で1時間、次いで、80℃で1時間乾燥して薄膜を形成する。次いで、ガラス基板から前記薄膜を引き離して厚さ100μmのポリカーボネートフィルムを製造する。
評価1
ポリカーボネートフィルムの黄色度及び透光度を測定する。
黄色度及び透光度は、分光測色計MC−3600d(コニカミノルタ社製)を用いてASTMD1925に準拠して透過光で測定し、透光度は、MC−3600d(コニカミノルタ社製)を用いて複数回測定し、その平均値を用いる。
その結果は、下記表1の通りである。
Figure 0006846892
表1を参照すると、合成例1〜4によるポリカーボネートにより製造されたポリカーボネートフィルムは、良好な黄色度及び透光度を有することが確認できる。
補償フィルムの製造
実施例1
合成例1において得られたポリカーボネートにより製造されたポリカーボネートフィルムを180℃で240%の延伸倍率で一軸延伸して厚さ46μmの補償フィルムを製造する。
実施例2
合成例1において得られたポリカーボネートにより製造されたポリカーボネートフィルムを230℃で180%の延伸倍率で一軸延伸して厚さ56μmの補償フィルムを製造する。
実施例3
合成例2において得られたポリカーボネートにより製造されたポリカーボネートフィルムを180℃で180%の延伸倍率で一軸延伸して厚さ56μmの補償フィルムを製造する。
実施例4
合成例2において得られたポリカーボネートにより製造されたポリカーボネートフィルムを180℃で200%の延伸倍率で一軸延伸して厚さ52μmの補償フィルムを製造する。
実施例5
合成例2において得られたポリカーボネートにより製造されたポリカーボネートフィルムを180℃で240%の延伸倍率で一軸延伸して厚さ45μmの補償フィルムを製造する。
実施例6
合成例2において得られたポリカーボネートにより製造されたポリカーボネートフィルムを210℃で180%の延伸倍率で一軸延伸して厚さ54μmの補償フィルムを製造する。
実施例7
合成例2において得られたポリカーボネートにより製造されたポリカーボネートフィルムを230℃で180%の延伸倍率で一軸延伸して厚さ54μmの補償フィルムを製造する。
実施例8
合成例3において得られたポリカーボネートにより製造されたポリカーボネートフィルムを180℃で180%の延伸倍率で一軸延伸して厚さ51μmの補償フィルムを製造する。
実施例9
合成例3において得られたポリカーボネートにより製造されたポリカーボネートフィルムを180℃で200%の延伸倍率で一軸延伸して厚さ46μmの補償フィルムを製造する。
実施例10
合成例3において得られたポリカーボネートにより製造されたポリカーボネートフィルムを180℃で240%の延伸倍率で一軸延伸して厚さ40μmの補償フィルムを製造する。
実施例11
合成例3において得られたポリカーボネートにより製造されたポリカーボネートフィルムを210℃で180%の延伸倍率で一軸延伸して厚さ49μmの補償フィルムを製造する。
実施例12
合成例3において得られたポリカーボネートにより製造されたポリカーボネートフィルムを230℃で180%の延伸倍率で一軸延伸して厚さ51μmの補償フィルムを製造する。
実施例13
合成例4において得られたポリカーボネートにより製造されたポリカーボネートフィルムを180℃で200%の延伸倍率で一軸延伸して厚さ48μmの補償フィルムを製造する。
実施例14
合成例4において得られたポリカーボネートにより製造されたポリカーボネートフィルムを180℃で240%の延伸倍率で一軸延伸して厚さ46μmの補償フィルムを製造する。
実施例15
合成例4において得られたポリカーボネートにより製造されたポリカーボネートフィルムを230℃で200%の延伸倍率で一軸延伸して厚さ51μmの補償フィルムを製造する。
評価2
実施例1〜15による補償フィルムの面内位相差、厚さ方向の位相差及び波長分散性を評価する。
面内位相差及び厚さ方向の位相差は、Axoscan装備(アクソメトリクス社製)を用いて測定する。
面内位相差及び面内位相差の波長分散性は、表2の通りである。
Figure 0006846892
表2を参照すると、実施例1〜15による補償フィルムは、短波長の光に対する位相差が長波長の光に対する位相差よりも大きい正波長分散位相遅延を有し、又は長波長の光に対する位相差が短波長の光に対する位相差よりも大きい逆波長分散位相遅延を有することが確認できる。具体的に、実施例1〜7による補償フィルムは正波長分散位相遅延を有し、実施例8〜15による補償フィルムは逆波長分散位相遅延を有することが確認できる。これにより、重合体の含有比、フィルムの延伸温度及び伸び率など様々な要因を調節することにより、所望の位相差及び波長分散性を有する補償フィルムが得られるということが確認できる。
以上、本発明の好適な実施形態について詳細に説明したが、本発明はこれらに何ら限定されるものではなく、特許請求の範囲及び発明の詳細な説明並びに添付図面の範囲内において種々に変形して実施することが可能であり、これもまた本発明の範囲に属するということはいうまでもない。
100:光学フィルム
110:偏光子
120:補償フィルム
50:表示パネル
400:有機発光表示パネル
410:ベース基板
420:下部電極
430:有機発光層
440:上部電極
450:封止基板
500:液晶表示パネル
510:第1の表示板
520:第2の表示板
530:液晶層

Claims (21)

  1. 下記一般式1で表わされる第1の構造単位を含む重合体:
    Figure 0006846892
    前記一般式1において、
    は、単結合、O、C(=O)、C(=O)O、C(=O)NRであり、
    〜R及びRは、それぞれ独立して、水素、置換若しくは非置換のC1〜C20のアルキル基、置換若しくは非置換のC1〜C20のアルコキシ基、置換若しくは非置換のC3〜C20のシクロアルキル基、置換若しくは非置換のC6〜C20のアリール基、置換若しくは非置換のC3〜C20のヘテロ環式基、置換若しくは非置換のシリル基、ヒドロキシ基、ハロゲン基、又はニトロ基であり、
    n1は、1〜5である。
  2. 前記第1の構造単位は、下記一般式1−1で表わされる、請求項1に記載の重合体:
    Figure 0006846892
    前記一般式1−1において、
    〜Rは、それぞれ独立して、水素、置換若しくは非置換のC1〜C20のアルキル基、置換若しくは非置換のC1〜C20のアルコキシ基、置換若しくは非置換のC3〜
    C20のシクロアルキル基、置換若しくは非置換のC6〜C20のアリール基、置換若しくは非置換のC3〜C20のヘテロ環式基、置換若しくは非置換のシリル基、ヒドロキシ基、ハロゲン基、又はニトロ基であり、
    n1は、1〜5である。
  3. 下記一般式2で表わされる第2の構造単位を更に含む、請求項1又は2に記載の重合体:
    Figure 0006846892
    前記一般式2において、
    は、置換若しくは非置換のC1〜C20のアルキレン基、置換若しくは非置換のC3〜C20のシクロアルキレン基、置換若しくは非置換のC6〜C20のアリーレン基、置換若しくは非置換のC3〜C20の2価のヘテロ環式基、又は下記一般式Aで表わされる基であり、
    Figure 0006846892
    前記一般式Aにおいて、
    は、単結合、置換若しくは非置換のC1〜C20のアルキレン基、置換若しくは非置換のC3〜C20のシクロアルキレン基、置換若しくは非置換のC6〜C20のアリーレン基、置換若しくは非置換のC3〜C20の2価のヘテロ環式基、O、C(=O)、C(=O)O、SiR、S、又はSO あり、
    、R、R及びRは、それぞれ独立して、水素、置換若しくは非置換のC1〜C20のアルキル基、置換若しくは非置換のC1〜C20のアルコキシ基、置換若しくは非置換のC3〜C20のシクロアルキル基、置換若しくは非置換のC6〜C20のアリール基、置換若しくは非置換のC3〜C20のヘテロ環式基、置換若しくは非置換のシリル基、ヒドロキシ基、ハロゲン基、又はニトロ基である。
  4. 前記第2の構造単位は、下記一般式2−1〜2−10のうちのいずれか一つで表わされる、請求項3に記載の重合体:
    Figure 0006846892
    前記一般式2−1〜2−10において、
    〜R12及びR14〜R19は、それぞれ独立して、水素、置換若しくは非置換のC1〜C20のアルキル基、置換若しくは非置換のC1〜C20のアルコキシ基、置換若しくは非置換のC3〜C20のシクロアルキル基、置換若しくは非置換のC6〜C20のアリール基、置換若しくは非置換のC3〜C20のヘテロ環式基、置換若しくは非置換のシリル基、ヒドロキシ基、ハロゲン基、又はニトロ基であり、
    13は、置換若しくは非置換のC1〜C20のアルキレン基、置換若しくは非置換のC3〜C20のシクロアルキレン基、置換若しくは非置換のC6〜C20のアリーレン基、又は置換若しくは非置換のC3〜C20の2価のヘテロ環式基である。
  5. 前記第1の構造単位及び前記第2の構造単位は、1:99〜99:1のモル比にて含まれる、請求項3又は4に記載の重合体。
  6. 前記第1の構造単位及び前記第2の構造単位は、1:99〜50:50のモル比にて含
    まれる、請求項3から5のいずれか一項に記載の重合体。
  7. 下記一般式1で表わされる第1の構造単位を有する第1の重合体を含む補償フィルム:
    Figure 0006846892
    前記一般式1において、
    は、単結合、O、C(=O)、C(=O)O、C(=O)NRであり、
    〜R及びRは、それぞれ独立して、水素、置換若しくは非置換のC1〜C20のアルキル基、置換若しくは非置換のC1〜C20のアルコキシ基、置換若しくは非置換のC3〜C20のシクロアルキル基、置換若しくは非置換のC6〜C20のアリール基、置換若しくは非置換のC3〜C20のヘテロ環式基、置換若しくは非置換のシリル基、ヒドロキシ基、ハロゲン基、又はニトロ基であり、
    n1は、1〜5である。
  8. 前記第1の構造単位は、下記一般式1−1で表わされる、請求項7に記載の補償フィルム:
    Figure 0006846892
    前記一般式1−1において、
    〜Rは、それぞれ独立して、水素、置換若しくは非置換のC1〜C20のアルキ
    ル基、置換若しくは非置換のC1〜C20のアルコキシ基、置換若しくは非置換のC3〜C20のシクロアルキル基、置換若しくは非置換のC6〜C20のアリール基、置換若しくは非置換のC3〜C20のヘテロ環式基、置換若しくは非置換のシリル基、ヒドロキシ基、ハロゲン基、又はニトロ基であり、
    n1は、1〜5である。
  9. 前記第1の重合体は、下記一般式2で表わされる第2の構造単位を更に含む、請求項7又は8に記載の補償フィルム:
    Figure 0006846892
    前記一般式2において、
    は置換若しくは非置換のC1〜C20のアルキレン基、置換若しくは非置換のC3〜C20のシクロアルキレン基、置換若しくは非置換のC6〜C20のアリーレン基、置換若しくは非置換のC3〜C20の2価のヘテロ環式基、又は下記一般式Aで表わされる基であり、
    Figure 0006846892
    前記一般式Aにおいて、
    は、単結合、置換若しくは非置換のC1〜C20のアルキレン基、置換若しくは非置換のC3〜C20のシクロアルキレン基、置換若しくは非置換のC6〜C20のアリーレン基、置換若しくは非置換のC3〜C20の2価のヘテロ環式基、O、C(=O)、C(=O)O、SiR、S、又はSO あり、
    、R、R及びRは、それぞれ独立して、水素、置換若しくは非置換のC1〜C20のアルキル基、置換若しくは非置換のC1〜C20のアルコキシ基、置換若しくは非置換のC3〜C20のシクロアルキル基、置換若しくは非置換のC6〜C20のアリール基、置換若しくは非置換のC3〜C20のヘテロ環式基、置換若しくは非置換のシリル基、ヒドロキシ基、ハロゲン基、又はニトロ基である。
  10. 前記第2の構造単位は、下記一般式2−1〜2−10のうちのいずれか一つで表わされる、請求項9に記載の補償フィルム:
    Figure 0006846892
    前記一般式2−1〜2−10において、
    〜R12及びR14〜R19は、それぞれ独立して、水素、置換若しくは非置換のC1〜C20のアルキル基、置換若しくは非置換のC1〜C20のアルコキシ基、置換若しくは非置換のC3〜C20のシクロアルキル基、置換若しくは非置換のC6〜C20のアリール基、置換若しくは非置換のC3〜C20のヘテロ環式基、置換若しくは非置換のシリル基、ヒドロキシ基、ハロゲン基、又はニトロ基であり、
    13は、置換若しくは非置換のC1〜C20のアルキレン基、置換若しくは非置換のC3〜C20のシクロアルキレン基、置換若しくは非置換のC6〜C20のアリーレン基、又は置換若しくは非置換のC3〜C20の2価のヘテロ環式基である。
  11. 前記第1の重合体は、前記第1の構造単位及び前記第2の構造単位を1:99〜99:1のモル比にて含む、請求項9又は10に記載の補償フィルム。
  12. 前記第1の重合体は、前記第1の構造単位及び前記第2の構造単位を1:99〜50:50のモル比にて含む、請求項9から11のいずれか一項に記載の補償フィルム。
  13. 前記第1の重合体とは異なる第2の重合体を更に含む、請求項7から12のいずれか一項に記載の補償フィルム。
  14. 前記補償フィルムは、一軸又は二軸延伸されている、請求項7から13のいずれか一項に記載の補償フィルム。
  15. 前記補償フィルムは、1.1倍〜5.0倍延伸されている、請求項14に記載の補償フィルム。
  16. 550nmの波長に対する前記補償フィルムの面内位相差は、10nm〜300nmである、請求項7から15のいずれか一項に記載の補償フィルム。
  17. 450nm、550nm及び650nmの波長に対する前記補償フィルムの位相差は、下記関係式1〜5のうちのいずれか一つを満たす、請求項7から16のいずれか一項に記載の補償フィルム:
    R(450nm)≧R(550nm)>R(650nm)…関係式1
    R(450nm)>R(550nm)≧R(650nm)…関係式2
    R(450nm)=R(550nm)=R(650nm)…関係式3
    R(450nm)≦R(550nm)<R(650nm)…関係式4
    R(450nm)<R(550nm)≦R(650nm)…関係式5
    前記関係式1〜5において、
    R(450nm)は、450nmの波長に対する面内位相差又は厚さ方向の位相差であり、
    R(550nm)は、550nmの波長に対する面内位相差又は厚さ方向の位相差であり、
    R(650nm)は、650nmの波長に対する面内位相差又は厚さ方向の位相差である。
  18. 前記第1の重合体は、前記第1の構造単位及び前記第2の構造単位を10:90〜20:80のモル比にて含み、
    450nm、550nm及び650nmの波長に対する前記補償フィルムの位相差は、下記関係式1〜3のうちのいずれか一つを満たす、請求項9から17のいずれか一項に記載の補償フィルム:
    R(450nm)≧R(550nm)>R(650nm)…関係式1
    R(450nm)>R(550nm)≧R(650nm)…関係式2
    R(450nm)=R(550nm)=R(650nm)…関係式3
    前記関係式1〜3において、
    R(450nm)は、450nmの波長に対する面内位相差又は厚さ方向の位相差であり、
    R(550nm)は、550nmの波長に対する面内位相差又は厚さ方向の位相差であり、
    R(650nm)は、650nmの波長に対する面内位相差又は厚さ方向の位相差である。
  19. 前記第1の重合体は、前記第1の構造単位及び前記第2の構造単位を30:70〜40:60のモル比にて含み、
    450nm、550nm及び650nmの波長に対する前記補償フィルムの位相差は、下記関係式4又は5を満たす、請求項9から17のいずれか一項に記載の補償フィルム:
    R(450nm)≦R(550nm)<R(650nm)…関係式4
    R(450nm)<R(550nm)≦R(650nm)…関係式5
    前記関係式4及び5において、
    R(450nm)は、450nmの波長に対する面内位相差又は厚さ方向の位相差であり、
    R(550nm)は、550nmの波長に対する面内位相差又は厚さ方向の位相差であり、
    R(650nm)は、650nmの波長に対する面内位相差又は厚さ方向の位相差である。
  20. 請求項7から19のいずれか一項に記載の補償フィルムと、
    偏光子と、
    を備える光学フィルム。
  21. 請求項7から19のいずれか一項に記載の補償フィルム又は請求項20に記載の光学フィルムを備える表示装置。
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