JP2017115119A - 重合体、補償フィルム、光学フィルム及び表示装置 - Google Patents
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Abstract
Description
L1は、単結合、O、C(=O)、C(=O)O、C(=O)NRaであり、
R1〜R5及びRaは、それぞれ独立して、水素、置換若しくは非置換のC1〜C20のアルキル基、置換若しくは非置換のC1〜C20のアルコキシ基、置換若しくは非置換のC3〜C20のシクロアルキル基、置換若しくは非置換のC6〜C20のアリール基、置換若しくは非置換のC3〜C20のヘテロ環式基、置換若しくは非置換のシリル基、ヒドロキシ基、ハロゲン基、ニトロ基、又はこれらの組み合わせであり、
n1は、1〜5である。
R1〜R5は、それぞれ独立して、水素、置換若しくは非置換のC1〜C20のアルキル基、置換若しくは非置換のC1〜C20のアルコキシ基、置換若しくは非置換のC3〜C20のシクロアルキル基、置換若しくは非置換のC6〜C20のアリール基、置換若しくは非置換のC3〜C20のヘテロ環式基、置換若しくは非置換のシリル基、ヒドロキシ基、ハロゲン基、ニトロ基、又はこれらの組み合わせであり、
n1は、1〜5である。
L2は、置換若しくは非置換のC1〜C20のアルキレン基、置換若しくは非置換のC3〜C20のシクロアルキレン基、置換若しくは非置換のC6〜C20のアリーレン基、置換若しくは非置換のC3〜C20の2価のヘテロ環式基、下記一般式Aで表わされる基、又はこれらの組み合わせであり、
L3は、単結合、置換若しくは非置換のC1〜C20のアルキレン基、置換若しくは非置換のC3〜C20のシクロアルキレン基、置換若しくは非置換のC6〜C20のアリーレン基、置換若しくは非置換のC3〜C20の2価のヘテロ環式基、O、C(=O)、C(=O)O、SiRbRc、S、SO2、又はこれらの組み合わせであり、
R6、R7、Rb及びRcは、それぞれ独立して、水素、置換若しくは非置換のC1〜C20のアルキル基、置換若しくは非置換のC1〜C20のアルコキシ基、置換若しくは非置換のC3〜C20のシクロアルキル基、置換若しくは非置換のC6〜C20のアリール基、置換若しくは非置換のC3〜C20のヘテロ環式基、置換若しくは非置換のシリル基、ヒドロキシ基、ハロゲン基、ニトロ基、又はこれらの組み合わせである。
R6〜R12及びR14〜R19は、それぞれ独立して、水素、置換若しくは非置換のC1〜C20のアルキル基、置換若しくは非置換のC1〜C20のアルコキシ基、置換若しくは非置換のC3〜C20のシクロアルキル基、置換若しくは非置換のC6〜C20のアリール基、置換若しくは非置換のC3〜C20のヘテロ環式基、置換若しくは非置換のシリル基、ヒドロキシ基、ハロゲン基、ニトロ基、又はこれらの組み合わせであり、
R13は、置換若しくは非置換のC1〜C20のアルキレン基、置換若しくは非置換のC3〜C20のシクロアルキレン基、置換若しくは非置換のC6〜C20のアリーレン基、置換若しくは非置換のC3〜C20の2価のヘテロ環式基、又はこれらの組み合わせである。
L1は、単結合、O、C(=O)、C(=O)O、C(=O)NRaであり、
R1〜R5及びRaは、それぞれ独立して、水素、置換若しくは非置換のC1〜C20のアルキル基、置換若しくは非置換のC1〜C20のアルコキシ基、置換若しくは非置換のC3〜C20のシクロアルキル基、置換若しくは非置換のC6〜C20のアリール基、置換若しくは非置換のC3〜C20のヘテロ環式基、置換若しくは非置換のシリル基、ヒドロキシ基、ハロゲン基、ニトロ基、又はこれらの組み合わせであり、
n1は、1〜5である。
R1〜R5は、それぞれ独立して、水素、置換若しくは非置換のC1〜C20のアルキル基、置換若しくは非置換のC1〜C20のアルコキシ基、置換若しくは非置換のC3〜C20のシクロアルキル基、置換若しくは非置換のC6〜C20のアリール基、置換若しくは非置換のC3〜C20のヘテロ環式基、置換若しくは非置換のシリル基、ヒドロキシ基、ハロゲン基、ニトロ基、又はこれらの組み合わせであり、
n1は、1〜5である。
L2は置換若しくは非置換のC1〜C20のアルキレン基、置換若しくは非置換のC3〜C20のシクロアルキレン基、置換若しくは非置換のC6〜C20のアリーレン基、置換若しくは非置換のC3〜C20の2価のヘテロ環式基、下記一般式Aで表わされる基、又はこれらの組み合わせであり、
L3は、単結合、置換若しくは非置換のC1〜C20のアルキレン基、置換若しくは非置換のC3〜C20のシクロアルキレン基、置換若しくは非置換のC6〜C20のアリーレン基、置換若しくは非置換のC3〜C20の2価のヘテロ環式基、O、C(=O)、C(=O)O、SiRbRc、S、SO2、又はこれらの組み合わせであり、
R6、R7、Rb及びRcは、それぞれ独立して、水素、置換若しくは非置換のC1〜C20のアルキル基、置換若しくは非置換のC1〜C20のアルコキシ基、置換若しくは非置換のC3〜C20のシクロアルキル基、置換若しくは非置換のC6〜C20のアリール基、置換若しくは非置換のC3〜C20のヘテロ環式基、置換若しくは非置換のシリル基、ヒドロキシ基、ハロゲン基、ニトロ基、又はこれらの組み合わせである。
R6〜R12及びR14〜R19は、それぞれ独立して、水素、置換若しくは非置換のC1〜C20のアルキル基、置換若しくは非置換のC1〜C20のアルコキシ基、置換若しくは非置換のC3〜C20のシクロアルキル基、置換若しくは非置換のC6〜C20のアリール基、置換若しくは非置換のC3〜C20のヘテロ環式基、置換若しくは非置換のシリル基、ヒドロキシ基、ハロゲン基、ニトロ基、又はこれらの組み合わせであり、
R13は、置換若しくは非置換のC1〜C20のアルキレン基、置換若しくは非置換のC3〜C20のシクロアルキレン基、置換若しくは非置換のC6〜C20のアリーレン基、置換若しくは非置換のC3〜C20の2価のヘテロ環式基、又はこれらの組み合わせである。
R(450nm)>R(550nm)≧R(650nm)…関係式2
R(450nm)=R(550nm)=R(650nm)…関係式3
R(450nm)≦R(550nm)<R(650nm)…関係式4
R(450nm)<R(550nm)≦R(650nm)…関係式5
R(450nm)は、450nmの波長に対する面内位相差又は厚さ方向の位相差であり、
R(550nm)は、550nmの波長に対する面内位相差又は厚さ方向の位相差であり、
R(650nm)は、650nmの波長に対する面内位相差又は厚さ方向の位相差である。
R(450nm)>R(550nm)≧R(650nm)…関係式2
R(450nm)=R(550nm)=R(650nm)…関係式3
R(450nm)は、450nmの波長に対する面内位相差又は厚さ方向の位相差であり、
R(550nm)は、550nmの波長に対する面内位相差又は厚さ方向の位相差であり、
R(650nm)は、650nmの波長に対する面内位相差又は厚さ方向の位相差である。
R(450nm)<R(550nm)≦R(650nm)…関係式5
R(450nm)は、450nmの波長に対する面内位相差又は厚さ方向の位相差であり、
R(550nm)は、550nmの波長に対する面内位相差又は厚さ方向の位相差であり、
R(650nm)は、650nmの波長に対する面内位相差又は厚さ方向の位相差である。
L1は、単結合、O、C(=O)、C(=O)O、C(=O)NRaであり、
R1〜R5及びRaは、それぞれ独立して、水素、置換若しくは非置換のC1〜C20のアルキル基、置換若しくは非置換のC1〜C20のアルコキシ基、置換若しくは非置換のC3〜C20のシクロアルキル基、置換若しくは非置換のC6〜C20のアリール基、置換若しくは非置換のC3〜C20のヘテロ環式基、置換若しくは非置換のシリル基、ヒドロキシ基、ハロゲン基、ニトロ基、又はこれらの組み合わせであり、
n1は、1〜5である。
L2は置換若しくは非置換のC1〜C20のアルキレン基、置換若しくは非置換のC3〜C20のシクロアルキレン基、置換若しくは非置換のC6〜C20のアリーレン基、置換若しくは非置換のC3〜C20の2価のヘテロ環式基、下記一般式Aで表わされる基、又はこれらの組み合わせであり、
L3は、単結合、置換若しくは非置換のC1〜C20のアルキレン基、置換若しくは非置換のC3〜C20のシクロアルキレン基、置換若しくは非置換のC6〜C20のアリーレン基、置換若しくは非置換のC3〜C20の2価のヘテロ環式基、O、C(=O)、C(=O)O、SiRbRc、S、SO2、又はこれらの組み合わせであり、
R6、R7、Rb及びRcは、それぞれ独立して、水素、置換若しくは非置換のC1〜C20のアルキル基、置換若しくは非置換のC1〜C20のアルコキシ基、置換若しくは非置換のC3〜C20のシクロアルキル基、置換若しくは非置換のC6〜C20のアリール基、置換若しくは非置換のC3〜C20のヘテロ環式基、置換若しくは非置換のシリル基、ヒドロキシ基、ハロゲン基、ニトロ基、又はこれらの組み合わせである。
R6〜R12及びR14〜R19は、それぞれ独立して、水素、置換若しくは非置換のC1〜C20のアルキル基、置換若しくは非置換のC1〜C20のアルコキシ基、置換若しくは非置換のC3〜C20のシクロアルキル基、置換若しくは非置換のC6〜C20のアリール基、置換若しくは非置換のC3〜C20のヘテロ環式基、置換若しくは非置換のシリル基、ヒドロキシ基、ハロゲン基、ニトロ基、又はこれらの組み合わせであり、
R13は、置換若しくは非置換のC1〜C20のアルキレン基、置換若しくは非置換のC3〜C20のシクロアルキレン基、置換若しくは非置換のC6〜C20のアリーレン基、置換若しくは非置換のC3〜C20の2価のヘテロ環式基、又はこれらの組み合わせである。
L1は、単結合、O、C(=O)、C(=O)O、C(=O)NRaであり、
R1〜R5及びRaは、それぞれ独立して、水素、置換若しくは非置換のC1〜C20のアルキル基、置換若しくは非置換のC1〜C20のアルコキシ基、置換若しくは非置換のC3〜C20のシクロアルキル基、置換若しくは非置換のC6〜C20のアリール基、置換若しくは非置換のC3〜C20のヘテロ環式基、置換若しくは非置換のシリル基、ヒドロキシ基、ハロゲン基、ニトロ基、又はこれらの組み合わせであり、
n1は、1〜5である。
L2は置換若しくは非置換のC1〜C20のアルキレン基、置換若しくは非置換のC3〜C20のシクロアルキレン基、置換若しくは非置換のC6〜C20のアリーレン基、置換若しくは非置換のC3〜C20の2価のヘテロ環式基、下記一般式Aで表わされる基、又はこれらの組み合わせであり、
L3は、単結合、置換若しくは非置換のC1〜C20のアルキレン基、置換若しくは非置換のC3〜C20のシクロアルキレン基、置換若しくは非置換のC6〜C20のアリーレン基、置換若しくは非置換のC3〜C20の2価のヘテロ環式基、O、C(=O)、C(=O)O、SiRbRc、S、SO2、又はこれらの組み合わせであり、
R6、R7、Rb及びRcは、それぞれ独立して、水素、置換若しくは非置換のC1〜C20のアルキル基、置換若しくは非置換のC1〜C20のアルコキシ基、置換若しくは非置換のC3〜C20のシクロアルキル基、置換若しくは非置換のC6〜C20のアリール基、置換若しくは非置換のC3〜C20のヘテロ環式基、置換若しくは非置換のシリル基、ヒドロキシ基、ハロゲン基、ニトロ基、又はこれらの組み合わせである。
R6〜R12及びR14〜R19は、それぞれ独立して、水素、置換若しくは非置換のC1〜C20のアルキル基、置換若しくは非置換のC1〜C20のアルコキシ基、置換若しくは非置換のC3〜C20のシクロアルキル基、置換若しくは非置換のC6〜C20のアリール基、置換若しくは非置換のC3〜C20のヘテロ環式基、置換若しくは非置換のシリル基、ヒドロキシ基、ハロゲン基、ニトロ基、又はこれらの組み合わせであり、
R13は、置換若しくは非置換のC1〜C20のアルキレン基、置換若しくは非置換のC3〜C20のシクロアルキレン基、置換若しくは非置換のC6〜C20のアリーレン基、置換若しくは非置換のC3〜C20の2価のヘテロ環式基、又はこれらの組み合わせである。
R(450nm)>R(550nm)≧R(650nm)…関係式2
R(450nm)<R(550nm)≦R(650nm)…関係式5
R(450nm)は450nmの波長に対する面内位相差又は厚さ方向の位相差であり、
R(550nm)は550nmの波長に対する面内位相差又は厚さ方向の位相差であり、
R(650nm)は650nmの波長に対する面内位相差又は厚さ方向の位相差である。
合成例1
ステップ1及び2は、合成例1と同様である。
機械的攪拌器付き200mLのフラスコに水酸化ナトリウム1.64g、水24mL、5−((4−(フェニルエチニル)フェニル)エチニル)ベンゼン−1,3−ジオール0.509g及び2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)プロパン1.50gを入れる。次いで、ジクロロメタン27mlに溶解させたトリホスゲン0.866gを添加して15分間攪拌する。次いで、トリエチルアミン6mgを添加して室温で90分間攪拌する。次いで、ジクロロメタンで希釈し、1%の塩酸及び水で洗浄し、メタノールを用いて再沈殿させた後、60℃で12時間真空乾燥させてポリカーボネートを得る。
ステップ1及び2は、合成例1と同様である。
機械的攪拌器付き200mLのフラスコに水酸化ナトリウム1.50g、水22mL、5−((4−(フェニルエチニル)フェニル)エチニル)ベンゼン−1,3−ジオール0.699g及び2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)プロパン1.20gを入れる。次いで、ジクロロメタン48mlに溶解させたトリホスゲン1.11gを添加して15分間攪拌する。次いで、トリエチルアミン7mgを添加して室温で90分間攪拌する。次いで、ジクロロメタンで希釈し、1%の塩酸及び水で洗浄し、メタノールを用いて再沈殿させた後、60℃で12時間真空乾燥させてポリカーボネートを得る。
ステップ1及び2は、合成例1と同様である。
機械的攪拌器付き200mLのフラスコに水酸化ナトリウム1.61g、水24mL、5−((4−(フェニルエチニル)フェニル)エチニル)ベンゼン−1,3−ジオール0.997g及び2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)プロパン1.10gを入れる。次いで、ジクロロメタン52mlに溶解させたトリホスゲン0.975gを添加して15分間攪拌する。次いで、トリエチルアミン6mgを添加して室温で90分間攪拌する。次いで、ジクロロメタンで希釈し、1%の塩酸及び水で洗浄し、メタノールを用いて再沈殿させた後、60℃で12時間真空乾燥させてポリカーボネートを得る。
合成例1〜4において得られたポリカーボネートをテトラヒドロフラン及びジオキサンの混合溶媒(1/1,v/v)に溶解させて20wt%のポリカーボネート溶液を製造する。次いで、ガラス基板の上に前記ポリカーボネート溶液を塗布して40℃で1時間、次いで、80℃で1時間乾燥して薄膜を形成する。次いで、ガラス基板から前記薄膜を引き離して厚さ100μmのポリカーボネートフィルムを製造する。
ポリカーボネートフィルムの黄色度及び透光度を測定する。
実施例1
合成例1において得られたポリカーボネートにより製造されたポリカーボネートフィルムを180℃で240%の延伸倍率で一軸延伸して厚さ46μmの補償フィルムを製造する。
合成例1において得られたポリカーボネートにより製造されたポリカーボネートフィルムを230℃で180%の延伸倍率で一軸延伸して厚さ56μmの補償フィルムを製造する。
合成例2において得られたポリカーボネートにより製造されたポリカーボネートフィルムを180℃で180%の延伸倍率で一軸延伸して厚さ56μmの補償フィルムを製造する。
合成例2において得られたポリカーボネートにより製造されたポリカーボネートフィルムを180℃で200%の延伸倍率で一軸延伸して厚さ52μmの補償フィルムを製造する。
合成例2において得られたポリカーボネートにより製造されたポリカーボネートフィルムを180℃で240%の延伸倍率で一軸延伸して厚さ45μmの補償フィルムを製造する。
合成例2において得られたポリカーボネートにより製造されたポリカーボネートフィルムを210℃で180%の延伸倍率で一軸延伸して厚さ54μmの補償フィルムを製造する。
合成例2において得られたポリカーボネートにより製造されたポリカーボネートフィルムを230℃で180%の延伸倍率で一軸延伸して厚さ54μmの補償フィルムを製造する。
合成例3において得られたポリカーボネートにより製造されたポリカーボネートフィルムを180℃で180%の延伸倍率で一軸延伸して厚さ51μmの補償フィルムを製造する。
合成例3において得られたポリカーボネートにより製造されたポリカーボネートフィルムを180℃で200%の延伸倍率で一軸延伸して厚さ46μmの補償フィルムを製造する。
合成例3において得られたポリカーボネートにより製造されたポリカーボネートフィルムを180℃で240%の延伸倍率で一軸延伸して厚さ40μmの補償フィルムを製造する。
合成例3において得られたポリカーボネートにより製造されたポリカーボネートフィルムを210℃で180%の延伸倍率で一軸延伸して厚さ49μmの補償フィルムを製造する。
合成例3において得られたポリカーボネートにより製造されたポリカーボネートフィルムを230℃で180%の延伸倍率で一軸延伸して厚さ51μmの補償フィルムを製造する。
合成例4において得られたポリカーボネートにより製造されたポリカーボネートフィルムを180℃で200%の延伸倍率で一軸延伸して厚さ48μmの補償フィルムを製造する。
合成例4において得られたポリカーボネートにより製造されたポリカーボネートフィルムを180℃で240%の延伸倍率で一軸延伸して厚さ46μmの補償フィルムを製造する。
合成例4において得られたポリカーボネートにより製造されたポリカーボネートフィルムを230℃で200%の延伸倍率で一軸延伸して厚さ51μmの補償フィルムを製造する。
実施例1〜15による補償フィルムの面内位相差、厚さ方向の位相差及び波長分散性を評価する。
110:偏光子
120:補償フィルム
50:表示パネル
400:有機発光表示パネル
410:ベース基板
420:下部電極
430:有機発光層
440:上部電極
450:封止基板
500:液晶表示パネル
510:第1の表示板
520:第2の表示板
530:液晶層
Claims (21)
- 下記一般式2で表わされる第2の構造単位を更に含む、請求項1又は2に記載の重合体:
L2は、置換若しくは非置換のC1〜C20のアルキレン基、置換若しくは非置換のC3〜C20のシクロアルキレン基、置換若しくは非置換のC6〜C20のアリーレン基、置換若しくは非置換のC3〜C20の2価のヘテロ環式基、下記一般式Aで表わされる基、又はこれらの組み合わせであり、
L3は、単結合、置換若しくは非置換のC1〜C20のアルキレン基、置換若しくは非置換のC3〜C20のシクロアルキレン基、置換若しくは非置換のC6〜C20のアリーレン基、置換若しくは非置換のC3〜C20の2価のヘテロ環式基、O、C(=O)、C(=O)O、SiRbRc、S、SO2、又はこれらの組み合わせであり、
R6、R7、Rb及びRcは、それぞれ独立して、水素、置換若しくは非置換のC1〜C20のアルキル基、置換若しくは非置換のC1〜C20のアルコキシ基、置換若しくは非置換のC3〜C20のシクロアルキル基、置換若しくは非置換のC6〜C20のアリール基、置換若しくは非置換のC3〜C20のヘテロ環式基、置換若しくは非置換のシリル基、ヒドロキシ基、ハロゲン基、ニトロ基、又はこれらの組み合わせである。 - 前記第2の構造単位は、下記一般式2−1〜2−10のうちのいずれか一つで表わされる、請求項3に記載の重合体:
R6〜R12及びR14〜R19は、それぞれ独立して、水素、置換若しくは非置換のC1〜C20のアルキル基、置換若しくは非置換のC1〜C20のアルコキシ基、置換若しくは非置換のC3〜C20のシクロアルキル基、置換若しくは非置換のC6〜C20のアリール基、置換若しくは非置換のC3〜C20のヘテロ環式基、置換若しくは非置換のシリル基、ヒドロキシ基、ハロゲン基、ニトロ基、又はこれらの組み合わせであり、
R13は、置換若しくは非置換のC1〜C20のアルキレン基、置換若しくは非置換のC3〜C20のシクロアルキレン基、置換若しくは非置換のC6〜C20のアリーレン基、置換若しくは非置換のC3〜C20の2価のヘテロ環式基、又はこれらの組み合わせである。 - 前記第1の構造単位及び前記第2の構造単位は、1:99〜99:1のモル比にて含まれる、請求項3又は4に記載の重合体。
- 前記第1の構造単位及び前記第2の構造単位は、1:99〜50:50のモル比にて含まれる、請求項3から5のいずれか一項に記載の重合体。
- 前記第1の重合体は、下記一般式2で表わされる第2の構造単位を更に含む、請求項7又は8に記載の補償フィルム:
L2は置換若しくは非置換のC1〜C20のアルキレン基、置換若しくは非置換のC3〜C20のシクロアルキレン基、置換若しくは非置換のC6〜C20のアリーレン基、置換若しくは非置換のC3〜C20の2価のヘテロ環式基、下記一般式Aで表わされる基、又はこれらの組み合わせであり、
L3は、単結合、置換若しくは非置換のC1〜C20のアルキレン基、置換若しくは非置換のC3〜C20のシクロアルキレン基、置換若しくは非置換のC6〜C20のアリーレン基、置換若しくは非置換のC3〜C20の2価のヘテロ環式基、O、C(=O)、C(=O)O、SiRbRc、S、SO2、又はこれらの組み合わせであり、
R6、R7、Rb及びRcは、それぞれ独立して、水素、置換若しくは非置換のC1〜C20のアルキル基、置換若しくは非置換のC1〜C20のアルコキシ基、置換若しくは非置換のC3〜C20のシクロアルキル基、置換若しくは非置換のC6〜C20のアリール基、置換若しくは非置換のC3〜C20のヘテロ環式基、置換若しくは非置換のシリル基、ヒドロキシ基、ハロゲン基、ニトロ基、又はこれらの組み合わせである。 - 前記第2の構造単位は、下記一般式2−1〜2−10のうちのいずれか一つで表わされる、請求項9に記載の補償フィルム:
R6〜R12及びR14〜R19は、それぞれ独立して、水素、置換若しくは非置換のC1〜C20のアルキル基、置換若しくは非置換のC1〜C20のアルコキシ基、置換若しくは非置換のC3〜C20のシクロアルキル基、置換若しくは非置換のC6〜C20のアリール基、置換若しくは非置換のC3〜C20のヘテロ環式基、置換若しくは非置換のシリル基、ヒドロキシ基、ハロゲン基、ニトロ基、又はこれらの組み合わせであり、
R13は、置換若しくは非置換のC1〜C20のアルキレン基、置換若しくは非置換のC3〜C20のシクロアルキレン基、置換若しくは非置換のC6〜C20のアリーレン基、置換若しくは非置換のC3〜C20の2価のヘテロ環式基、又はこれらの組み合わせである。 - 前記第1の重合体は、前記第1の構造単位及び前記第2の構造単位を1:99〜99:1のモル比にて含む、請求項9又は10に記載の補償フィルム。
- 前記第1の重合体は、前記第1の構造単位及び前記第2の構造単位を1:99〜50:50のモル比にて含む、請求項9から11のいずれか一項に記載の補償フィルム。
- 前記第1の重合体とは異なる第2の重合体を更に含む、請求項7から12のいずれか一項に記載の補償フィルム。
- 前記補償フィルムは、一軸又は二軸延伸されている、請求項7から13のいずれか一項に記載の補償フィルム。
- 前記補償フィルムは、1.1倍〜5.0倍延伸されている、請求項14に記載の補償フィルム。
- 550nmの波長に対する前記補償フィルムの面内位相差は、10nm〜300nmである、請求項7から15のいずれか一項に記載の補償フィルム。
- 450nm、550nm及び650nmの波長に対する前記補償フィルムの位相差は、下記関係式1〜5のうちのいずれか一つを満たす、請求項7から16のいずれか一項に記載の補償フィルム:
R(450nm)≧R(550nm)>R(650nm)…関係式1
R(450nm)>R(550nm)≧R(650nm)…関係式2
R(450nm)=R(550nm)=R(650nm)…関係式3
R(450nm)≦R(550nm)<R(650nm)…関係式4
R(450nm)<R(550nm)≦R(650nm)…関係式5
前記関係式1〜5において、
R(450nm)は、450nmの波長に対する面内位相差又は厚さ方向の位相差であり、
R(550nm)は、550nmの波長に対する面内位相差又は厚さ方向の位相差であり、
R(650nm)は、650nmの波長に対する面内位相差又は厚さ方向の位相差である。 - 前記第1の重合体は、前記第1の構造単位及び前記第2の構造単位を10:90〜20:80のモル比にて含み、
450nm、550nm及び650nmの波長に対する前記補償フィルムの位相差は、下記関係式1〜3のうちのいずれか一つを満たす、請求項9から17のいずれか一項に記載の補償フィルム:
R(450nm)≧R(550nm)>R(650nm)…関係式1
R(450nm)>R(550nm)≧R(650nm)…関係式2
R(450nm)=R(550nm)=R(650nm)…関係式3
前記関係式1〜3において、
R(450nm)は、450nmの波長に対する面内位相差又は厚さ方向の位相差であり、
R(550nm)は、550nmの波長に対する面内位相差又は厚さ方向の位相差であり、
R(650nm)は、650nmの波長に対する面内位相差又は厚さ方向の位相差である。 - 前記第1の重合体は、前記第1の構造単位及び前記第2の構造単位を30:70〜40:60のモル比にて含み、
450nm、550nm及び650nmの波長に対する前記補償フィルムの位相差は、下記関係式4又は5を満たす、請求項9から17のいずれか一項に記載の補償フィルム:
R(450nm)≦R(550nm)<R(650nm)…関係式4
R(450nm)<R(550nm)≦R(650nm)…関係式5
前記関係式4及び5において、
R(450nm)は、450nmの波長に対する面内位相差又は厚さ方向の位相差であり、
R(550nm)は、550nmの波長に対する面内位相差又は厚さ方向の位相差であり、
R(650nm)は、650nmの波長に対する面内位相差又は厚さ方向の位相差である。 - 請求項7から19のいずれか一項に記載の補償フィルムと、
偏光子と、
を備える光学フィルム。 - 請求項7から19のいずれか一項に記載の補償フィルム又は請求項20に記載の光学フィルムを備える表示装置。
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