JP6832757B2 - プラズマ処理装置及びシーズニング方法 - Google Patents

Description

本発明の種々の側面及び実施形態は、プラズマ処理装置及びシーズニング方法に関するものである。

従来から、プラズマを用いて被処理体にプラズマ処理を行うプラズマ処理装置が知られている。このようなプラズマ処理装置では、例えば、処理容器の内部に、処理ガスを射出し、処理ガスに対してプラズマ生成用の電圧を印加してプラズマを生成して、被処理体に対してプラズマによるエッチングや成膜といった種々のプラズマ処理を行う。処理容器は、例えば、アルミニウムにより形成されるが、被処理体に対する金属汚染を抑制するため、アルマイト処理などの酸化処理が行われ、表面に絶縁性の酸化被膜が形成されている。また、プラズマ処理装置では、処理容器の側壁に、被処理体の搬入出用のシャッターなどの搬送路が形成されている。

特開２００７−１６５６５９号公報

プラズマ処理装置は、処理容器のプラズマ処理が行われる側の表面に導電性の金属膜が形成される場合がある。例えば、プラズマ処理装置では、処理容器の電気の流れを均一にするため、シャッター部分に導電性の金属膜が形成される。

しかしながら、プラズマ処理装置は、金属膜を形成した場合、金属膜からの金属汚染が発生する。

開示するプラズマ処理装置は、１つの実施態様において、処理容器と、制御部とを有する。処理容器は、プラズマが生成される空間側の表面に導電性の金属膜が形成されている。制御部は、処理容器内に、フッ素含有ガスを射出し、フッ素含有ガスに対して電圧を印加してプラズマを生成するシーズニングを行う。

開示するプラズマ処理装置の１つの態様によれば、金属膜からの金属汚染を抑制できるという効果を奏する。

図１は、一実施形態に係るプラズマ処理装置を概略的に示す図である。 図２は、一実施形態に係るプラズマ処理装置のシャッター付近の構成を示す拡大図である。 図３は、一実施形態に係るシールド部材の斜視図である。 図４は、図３に示すシールド部材の一部を拡大して示す破断斜視図である。 図５は、一実施形態に係るシャッターの分解斜視図である。 図６は、シーズニングによる金属膜の化学的な変化を模式的に示した図である。 図７は、金属膜のシーズニング前後の成分の一例を示した図である。 図８は、フッ化被膜による金属汚染の低減効果の一例を示した図である。 図９は、フッ化被膜生成の加速の効果の一例を示した図である。 図１０は、一実施形態に係るシーズニング方法の流れの一例を示すフローチャートである。

以下、図面を参照して本願の開示するプラズマ処理装置及びシーズニング方法の実施形態について詳細に説明する。なお、各図面において同一又は相当の部分に対しては同一の符号を付すこととする。また、本実施形態により開示する発明が限定されるものではない。各実施形態は、処理内容を矛盾させない範囲で適宜組み合わせることが可能である。

［プラズマ処理装置の構成］
図１は、一実施形態に係るプラズマ処理装置を概略的に示す図である。図１においては、プラズマ処理装置の縦断面が概略的に示されている。図１に示すプラズマ処理装置１０は、被処理体にプラズマ処理を行うための装置である。一実施形態において、被処理体は、例えば、ウエハＷとする。

プラズマ処理装置１０は、処理容器１２を備えている。処理容器１２は、その内部において、プラズマが生成される処理空間Ｓを画成している。プラズマ処理装置１０では、処理空間ＳにウエハＷが収容され、当該ウエハＷに対するプラズマ処理が施される。

一実施形態において、処理容器１２は、側壁１２ａ、底部１２ｂ、及び、天部１２ｃを含んでいる。側壁１２ａ、底部１２ｂ、及び、天部１２ｃは、例えば、アルミニウムにより形成されるが、ウエハＷに対する金属汚染を抑制するため、アルマイト処理などの酸化処理が行われ、表面に絶縁性の酸化被膜が形成されている。側壁１２ａは、略円筒形状を有している。この側壁１２ａは、その中心軸線である軸線Ｚを中心にして鉛直方向に延在している。以下、本明細書では、軸線Ｚが延在する方向を、「軸線Ｚ方向」、「鉛直方向」、「上下」ということがある。また、軸線Ｚに対して放射方向を「径方向」ということがある。さらに、軸線Ｚを中心とする円弧に沿った方向を「周方向」ということがある。

側壁１２ａの下端側には底部１２ｂが設けられており、当該側壁１２ａの上端側には天部１２ｃが設けられている。また、側壁１２ａには、ウエハＷを処理容器１２内に搬入し、処理容器１２の内部からウエハＷを搬出するための搬送路ＣＰが形成されている。この搬送路ＣＰは、ゲートバルブＧＶによって開閉することが可能となっている。

プラズマ処理装置１０は、載置台２０を更に備えている。載置台２０は、処理容器１２内に配置されている。処理容器１２には、載置台２０を囲むように、処理容器１２の側壁１２ａの内面に沿ってシールド部材６０が設けられている。シールド部材６０は、プラズマ処理によって発生する反応生成物が側壁１２ａの内面に堆積することを防止するための部材である。シールド部材６０は、略円筒形状の部材であり、その中心軸線は軸線Ｚに略一致し、処理容器１２を構成する。このシールド部材６０には、搬送路ＣＰに対面する開口ＯＰ（図２及び図３参照）が形成されている。

図１に示すように、処理容器１２内には、シールド部材６０の開口ＯＰを開閉するためのシャッター７０が設けられている。シャッター７０は、昇降可能である。シャッター７０は、駆動装置４０に接続されている。駆動装置４０は、シャッター７０を上下に移動させる。具体的には、シャッター７０は、プラズマ処理時など、開口ＯＰを閉鎖する場合には、第１領域に位置する。一方、シャッター７０は、ウエハＷの搬入出時など、開口ＯＰを搬送路ＣＰに対して開放する場合には、第２領域に位置する。この第２領域は、第１領域よりも下方の領域である。なお、シールド部材６０及びシャッター７０の詳細については、後述する。

載置台２０は、下部電極ＬＥ、及び、静電チャックＥＳＣを含んでいる。下部電極ＬＥは、マッチングユニットＭＵを介して、高周波電源ＲＦＧに接続されている。高周波電源ＲＦＧは、イオン引き込み用の高周波電力（高周波バイアス電力）を発生する。静電チャックＥＳＣは、下部電極ＬＥ上に設けられている。静電チャックＥＳＣは、その上面に載置されたウエハＷをクーロン力によって吸着して、当該ウエハＷを保持する。

一例において、下部電極ＬＥは、第１プレート２２ａ及び第２プレート２２ｂを含んでいる。第１プレート２２ａは、略円盤状の部材である。また、第１プレート２２ａは、導電性の部材であり、例えば、アルミニウムから構成されている。この第１プレート２２ａは、略筒状の支持部ＳＰ１によって支持されている。支持部ＳＰ１は、底部１２ｂから上方に延びており、第１プレート２２ａの下面の周縁領域に当接している。この支持部ＳＰ１は、石英といった絶縁体から構成されている。

第２プレート２２ｂは、第１プレート２２ａ上に設けられている。第２プレート２２ｂは、略円盤状の部材である。また、第２プレート２２ｂは、導電性の部材であり、例えば、アルミニウムから構成されている。この第２プレート２２ｂは、第１プレート２２ａに導通している。

第１プレート２２ａには、マッチングユニットＭＵを介して高周波電源ＲＦＧが電気的に接続されている。高周波電源ＲＦＧは、ウエハＷに引き込むイオンのエネルギーを制御するのに適した一定の周波数、例えば、１３．６５ＭＨｚの高周波バイアス電力を出力する。マッチングユニットＭＵは、高周波電源ＲＦＧ側のインピーダンスと、主に電極、プラズマ、処理容器１２といった負荷側のインピーダンスとの間で整合をとるための整合器を収容している。この整合器の中に自己バイアス生成用のブロッキングコンデンサが含まれている。

第２プレート２２ｂの内部には、冷媒室ＲＣが設けられている。この冷媒室ＲＣには、チラーユニットから配管ＰＰ１，ＰＰ２を介して所定の温度の冷媒、例えば、冷却水が循環するように供給される。このように循環する冷媒によって、静電チャックＥＳＣ上のウエハＷの温度が、制御され得る。さらに、伝熱ガス供給部からの伝熱ガス、例えば、Ｈｅガスが供給管ＰＰ３を介して静電チャックＥＳＣの上面とウエハＷの裏面との間に供給される。

静電チャックＥＳＣは、第２プレート２２ｂの上面の上に設けられている。静電チャックＥＳＣは、略円盤形状を有している。静電チャックＥＳＣは、ウエハＷを静電吸着力で保持する。そのため、静電チャックＥＳＣは、誘電体膜の間に挟まれた電極膜ＥＦを含んでいる。電極膜ＥＦには、直流電源ＤＳがスイッチＳＷを介して電気的に接続されている。静電チャックＥＳＣは、直流電源ＤＳから印加される直流電圧により発生するクーロン力によって、その上面にウエハＷを吸着し、当該ウエハＷを保持することができる。

また、静電チャックＥＳＣの誘電体膜内には、ヒータＨＣ及びヒータＨＥが設けられている。ヒータＨＣは、静電チャックＥＳＣの中央領域に設けられている。ヒータＨＣには、ヒータ電源ＨＰ１が接続されている。ヒータ電源ＨＰ１は、ヒータＨＣに対して交流電力を供給する。ヒータＨＥは、ヒータＨＣよりも径方向外側に設けられている。ヒータＨＥには、ヒータ電源ＨＰ２が接続されている。ヒータ電源ＨＰ２は、ヒータＨＥに交流電力を供給する。

また、静電チャックＥＳＣ及び下部電極ＬＥには、これらを鉛直方向に貫通する貫通孔が形成されており、当該貫通孔には、プッシャーピンＬＰが通されている。プッシャーピンＬＰは、ウエハＷの搬入出時に上昇し、その上端においてウエハＷを支持する。

また、静電チャックＥＳＣの径方向外側には、フォーカスリングＦＲが設けられている。フォーカスリングＦＲは、静電チャックＥＳＣを囲むように、静電チャックＥＳＣのエッジ及びウエハＷのエッジに沿って環状に延在している。フォーカスリングＦＲは、石英といった誘電体から構成されている。フォーカスリングＦＲは、ウエハＷのエッジの外側におけるシース電位を調整するために設けられており、ウエハＷのプラズマ処理の面内均一性に寄与する。

フォーカスリングＦＲの下方には、筒状部ＴＰ１が設けられている。筒状部ＴＰ１は、アルミナといった絶縁体から構成されている。筒状部ＴＰ１は、円筒形状を有しており、下部電極ＬＥの外周面に沿って延在している。なお、筒状部ＴＰ１の表面には、酸化処理が施されて酸化被膜が形成されていてもよい。或いは、筒状部ＴＰ１の表面には、イットリア（Ｙ２Ｏ３）製の膜が形成されていてもよい。

筒状部ＴＰ１とフォーカスリングＦＲとの間には、環状部ＡＰが設けられている。環状部ＡＰは、アルミナといった絶縁体から構成されている。環状部ＡＰは、第２プレート２２ｂの外周面に沿って環状に延在している。この環状部ＡＰの上面は、フォーカスリングＦＲの下面に接している。また、環状部ＡＰの下部は、直径が小さく形成されており、下部の周囲に筒状部ＴＰ１が設けられている。環状部ＡＰ及び筒状部ＴＰ１の下方には、支持部ＳＰ１が設けられている。

筒状部ＴＰ１の外周面及び環状部ＡＰの外周面から側壁１２ａ及びシールド部材６０までの間の空間は、排気路ＶＬになっている。排気路ＶＬは、底部１２ｂまで延びており、当該底部１２ｂに取り付けられた排気管を介して排気装置３０に接続されている。排気装置３０は、圧力調整器、及びターボ分子ポンプなどの真空ポンプを有している。この排気装置３０を動作させることにより、載置台２０の外周から排気路ＶＬを介してガスを排気することができ、また、処理容器１２内の処理空間Ｓを所望の真空度まで減圧することができる。

鉛直方向において排気路ＶＬの中間には、バッフル板ＢＰが設けられている。バッフル板ＢＰは、軸線Ｚを中心として環状に延在する円錐状の部材である。このバッフル板ＢＰには、複数の貫通孔が形成されている。このバッフル板ＢＰの内側縁部は、筒状部ＴＰ１と底部１２ｂとの間に設けられている。また、バッフル板ＢＰの外側縁部は、シールド部材６０によって支持されている。

また、プラズマ処理装置１０は、プラズマ生成部ＰＧ及びガス供給部ＧＳを更に備えている。プラズマ生成部ＰＧは、ガス供給部ＧＳから供給されるガスを励起させるためのエネルギーを処理容器１２内に導入する。一実施形態において、プラズマ生成部ＰＧは、天部１２ｃに設けられている。一例において、プラズマ生成部ＰＧは、マイクロ波を処理容器１２内に導入する。プラズマ生成部ＰＧは、容量結合型のプラズマ源であってもよい。この場合には、プラズマ生成部ＰＧは、上部電極であってもよい。プラズマ生成部ＰＧが上部電極である場合には、プラズマ生成用の高周波電力を発生する高周波電源は、上部電極及び下部電極ＬＥのうち一方に接続され得る。或いは、プラズマ生成部ＰＧは、誘導結合型のプラズマ源であってもよい。或いは、プラズマ生成部ＰＧは、マイクロ波供給部であってもよい。

ガス供給部ＧＳは、処理容器１２内にガスを供給する。このガスがプラズマ生成部ＰＧによって与えられるエネルギーによって励起され、励起されたガスによりプラズマ処理が行われる。一例においては、図１に示すように、ガス供給部ＧＳは、ガス導入管５０を有する。ガス導入管５０は、処理容器１２の外部から内部まで延在している。ガス導入管５０には、ガスソース５２が接続されている。ガスソース５２は、ウエハＷに対して行うプラズマ処理に応じたガスを流量制御された状態で供給する。なお、ガス供給部ＧＳは、図１に示された形態に限定されるものではない。例えば、ガス供給部ＧＳは、ガス導入管５０に代えて、又は、これに加えて、天部１２ｃからガスを供給するものであってもよい。また、プラズマ生成部ＰＧが上部電極である場合には、ガス供給部ＧＳは、上部電極によって構成されるシャワーヘッドであってもよい。

上記のように構成されたプラズマ処理装置１０は、制御部１００によって、その動作が統括的に制御される。制御部１００は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）を有しプラズマ処理装置１０の各部を制御するプロセスコントローラ１０１と、ユーザインターフェイス１０２と、記憶部１０３とを備える。

ユーザインターフェイス１０２は、オペレータがプラズマ処理装置１０を操作するためのコマンド等の入力に用いられるキーボードや、プラズマ処理装置１０の稼動状況を可視化して表示するディスプレイ等を含む。ユーザインターフェイス１０２は、各種の操作を受け付ける。例えば、ユーザインターフェイス１０２は、後述するシーズニングの開始を指示する所定操作を受け付ける。

記憶部１０３には、プラズマ処理装置１０で実行される各種処理をプロセスコントローラ１０１が実現するための制御プログラム（ソフトウエア）や、処理条件のデータ等が記憶されたレシピが格納されている。プロセスコントローラ１０１は、記憶部１０３内に記憶された制御プログラムを読み出し、読み出した制御プログラムに基づいて動作する。そして、プロセスコントローラ１０１は、ユーザインターフェイス１０２を介して受け付けた指示等に応じて、レシピ等を記憶部１０３から読み出し、読み出したレシピ等に基づいてプラズマ処理装置１０を制御する。これにより、プラズマ処理装置１０によって所望の処理が行われる。また、プロセスコントローラ１０１は、コンピュータで読み取り可能な記録媒体などに格納された制御プログラムやレシピ等を、当該記録媒体から読み出して実行することも可能である。コンピュータで読み取り可能な記録媒体とは、例えば、ハードディスク、ＤＶＤ（Digital Versatile Disc）、フレキシブルディスク、半導体メモリ等である。また、プロセスコントローラ１０１は、他の装置の記憶部内に格納された制御プログラムやレシピ等を、例えば通信回線を介して当該他の装置から取得して実行することも可能である。

例えば、プラズマ処理装置１０においてウエハＷにプラズマ処理を行う場合、制御部１００は、プラズマ処理装置１０に対して例えば以下の制御を行う。

制御部１００は、駆動装置４０を制御して、シャッター７０を下方の第２領域に移動させることにより、開口ＯＰの内側を開放する。そして、制御部１００は、ゲートバルブＧＶを開放する。これにより、開口ＯＰを介して静電チャックＥＳＣ上に処理対象となるウエハＷが搬入される。

次に、制御部１００は、ゲートバルブＧＶを閉じる。そして、制御部１００は、駆動装置４０を制御して、シャッター７０を上方の第１領域に移動させることにより、開口ＯＰの内側を閉じる。そして、制御部１００は、スイッチＳＷをオンに制御し、静電チャックＥＳＣにウエハＷを吸着させる。

次に、制御部１００は、排気装置３０を稼働させ、処理容器１２内の処理空間Ｓ内を所望の真空度まで真空排気する。そして、制御部１００は、ガスソース５２を制御して、ガス導入管５０を介して処理容器１２内に所定の流量の処理ガスを供給する。

そして、制御部１００は、処理容器１２の内部に、処理ガスを射出し、処理ガスに対してプラズマ生成用の電圧を印加してプラズマを生成して、ウエハＷに対してプラズマ処理を行う。例えば、制御部１００は、高周波電源ＲＦＧに所定の高周波電力を発生させ、下部電極ＬＥに印加させると共に、プラズマ生成部ＰＧを制御し、ガス供給部ＧＳから供給されるガスを励起させるためのエネルギーを処理容器１２内に導入する。これにより、処理空間Ｓに、処理ガスのプラズマが生成される。そして、処理空間Ｓに生成されたプラズマに含まれるイオンやラジカルにより、静電チャックＥＳＣ上のウエハＷにエッチング等の所定の処理が行われる。

［シールド部材及びシャッターの構成］
次に、シールド部材６０及びシャッター７０の詳細な構成について説明する。図２は、一実施形態に係るプラズマ処理装置のシャッター付近の構成を示す拡大図である。図２の例は、シャッター７０が第１領域に位置してシールド部材６０の開口ＯＰを閉鎖している状態を示している。また、図３は、一実施形態に係るシールド部材の斜視図である。図４は、図３に示すシールド部材の一部を拡大して示す破断斜視図である。また、図５は、一実施形態に係るシャッターの分解斜視図である。

図３に示すように、シールド部材６０は、本体６０ｍを有している。本体６０ｍは、略円筒形状を有しており、図１に示すように、その中心軸線が軸線Ｚに略一致するように側壁１２ａに沿って設けられている。

一実施形態において、図２、図３、及び図４に示すように、本体６０ｍは、フランジ部６０ｆを含んでいる。フランジ部６０ｆは、本体６０ｍの最上部を構成している。フランジ部６０ｆは、本体６０ｍの外径を当該本体６０ｍの最上部において拡大している。このフランジ部６０ｆは、図２に示すように、側壁１２ａによって支持されている。具体的には、側壁１２ａは上下に分離可能な二つのパーツを含んでおり、これら二つのパーツ間にフランジ部６０ｆは挟持されている。

また、本体６０ｍは、図２、図３、及び図４に示すように、下部６０ｂを含んでいる。下部６０ｂは、本体６０ｍの最下部を構成している。下部６０ｂは、高さ方向、即ち軸線Ｚが延在する方向（以下、「軸線Ｚ方向」という）に所定の厚みを有し、本体６０ｍの最下部において当該本体６０ｍの内径及び外径を縮小している。

本体６０ｍには、開口ＯＰが形成されている。この開口ＯＰは、図２に示すように、搬送路ＣＰに面するように設けられている。図２、図３、及び図４に示すように、本体６０ｍは、この開口ＯＰを上方及び周方向の両側から囲む薄肉部６０ｃを含んでいる。また、本体６０ｍは、薄肉部６０ｃの上側及び周方向の両側において本体６０ｍを構成する厚肉部６０ｄを含んでいる。この薄肉部６０ｃの径方向の厚みは、厚肉部６０ｄの当該径方向の厚みよりも薄くなっている。また、薄肉部６０ｃの内周面及び厚肉部６０ｄの内周面は連続しており、本体６０ｍの内周面６０ｉを構成している。したがって、薄肉部６０ｃの外周面は、厚肉部６０ｄの外周面よりも、軸線Ｚに近づけられている。

薄肉部６０ｃは、端面６０ｔ１及び一対の端面６０ｔ２を有している。端面６０ｔ１は、開口ＯＰの上方において周方向に延びており、下方を向いた面となっている。また、一対の端面６０ｔ２は、端面６０ｔ１の周方向の両縁から鉛直方向に延びており、周方向に交差する面となっている。これら端面６０ｔ１，６０ｔ２と本体６０ｍの内周面６０ｉとの間の境界である縁６０ｅは、開口ＯＰを上方から画成するよう周方向に延在しており、また、開口ＯＰを周方向の両側から画成するよう鉛直方向に延在している。また、開口ＯＰは、下部６０ｂの縁６０ｇによって下方から画成されている。この縁６０ｇは、下部６０ｂの外周面の上縁を構成している。

図４に示すように、厚肉部６０ｄは、端面６０ｐ１及び一対の端面６０ｐ２を有している。端面６０ｐ１は、周方向に延びる面であり、下方を向いた面となっている。端面６０ｐ１は、端面６０ｔ１よりも上方且つ径方向外側において延在している。また、一対の端面６０ｐ２は、端面６０ｐ１の周方向の両縁から鉛直方向に延びており、周方向に交差する面となっている。一対の端面６０ｐ２は、一対の端面６０ｔ２よりも周方向において開口ＯＰから離れており、また、一対の端面６０ｔ２よりも径方向外側において延在している。

下部６０ｂの外周面は、薄肉部６０ｃの内周面、即ち内周面６０ｉよりも軸線Ｚに若干近づけられている。即ち、下部６０ｂの外周面の軸線Ｚからの距離は、内周面６０ｉの軸線Ｚからの距離よりも小さくなっている。この下部６０ｂの外周面、薄肉部６０ｃの端面６０ｔ１，６０ｔ２、及び、厚肉部６０ｄの端面６０ｐ１，６０ｐ２は、シャッター７０が上下動して当該シャッター７０の第１部分７０ａが収容される空間を画成している。

シールド部材６０は、例えば、アルミニウムから構成されている。なお、シールド部材６０の表面には、酸化処理が施されて酸化被膜が形成されていてもよい。或いは、シールド部材６０の表面には、イットリア（Ｙ２Ｏ３）製の膜が形成されていてもよい。

ところで、処理容器１２は、プラズマ処理を行うため、電気的特性が均一であることが好ましい。例えば、処理容器１２は、電流の流れが均一であることが好ましい。しかし、シールド部材６０は、酸化被膜やイットリア（Ｙ２Ｏ３）膜が形成された場合、開口ＯＰ付近でシャッター７０と絶縁されるため、電気的特性が不均一となる。

そこで、シールド部材６０には、シャッター７０と電気的に導通するために導電性の金属膜が形成されている。例えば、シールド部材６０には、下部６０ｂの下面側に、周方向に延在する金属膜６２ａが形成されている。また、シールド部材６０には、端面６０ｐ１に、周方向に延在する金属膜６２ｂが形成されている。金属膜６２ａ，６２ｂに用いる金属は、導電性の金属であればよく、例えば、ハステロイ、ＳＵＳ（ステンレス鋼）、アルミ、ニッケル、クロムが挙げられる。例えば、下部６０ｂの下面及び端面６０ｐ１に、ハステロイを溶射して金属膜６２ａ，６２ｂを形成する。

図５に示すように、シャッター７０は、第１部分７０ａ及び第２部分７０ｂを有している。第１部分７０ａは、シャッター７０が開口ＯＰを閉鎖するときに、当該開口ＯＰに対面する部分である。第１部分７０ａは、例えば、アルミニウムから構成されている。第１部分７０ａの表面には、酸化処理が施されて酸化被膜が形成されていてもよい。或いは、第１部分７０ａの表面には、イットリア（Ｙ２Ｏ３）製の膜が形成されていてもよい。

第１部分７０ａは、周方向に延在する板状をなしている。一実施形態では、第１部分７０ａは、厚肉部７０ｃ及び薄肉部７０ｄを含んでいる。厚肉部７０ｃは、内面、及び、当該内面よりも軸線Ｚから遠い外面を含んでいる。厚肉部７０ｃの内面の曲率半径は、軸線Ｚからの開口ＯＰまでの距離と略一致している。また、厚肉部７０ｃは、端面７０ｔ１及び一対の端面７０ｔ２を含んでいる。端面７０ｔ１は、厚肉部７０ｃの上端の面であり、周方向に延びており、上方を向いた面となっている。また、一対の端面７０ｔ２は、端面７０ｔ１の周方向の両縁から鉛直方向に延びており、周方向に交差する面となっている。

薄肉部７０ｄは、厚肉部７０ｃの径方向外側の領域から周方向及び上方に突出するように設けられている。この薄肉部７０ｄは、端面７０ｐ１及び一対の端面７０ｐ２を含んでいる。端面７０ｐ１は、薄肉部７０ｄの上端の面であり、周方向に延びており、上方を向いた面となっている。この端面７０ｐ１は、端面７０ｔ１よりも上方且つ径方向外側において延在している。また、一対の端面７０ｐ２は、端面７０ｐ１の周方向の両縁から鉛直方向に延びており、周方向に交差する面となっている。一対の端面７０ｐ２は、一対の端面７０ｔ２よりも径方向外側に設けられており、第１部分７０ａの周方向の中心に対して、一対の端面７０ｔ２よりも離れている。

第２部分７０ｂは、第１部分７０ａの下端に結合している。第２部分７０ｂは、一実施形態では、アルミニウムから構成されている。第２部分７０ｂの表面には、酸化処理が施されて酸化被膜が形成されていてもよい。或いは、第２部分７０ｂの表面には、イットリア（Ｙ２Ｏ３）製の膜が形成されていてもよい。この第２部分７０ｂは、周方向に延在する板状をなしている。第２部分７０ｂの径方向の長さは、第１部分７０ａの径方向の長さよりも長くなっている。第１部分７０ａは、当該第１部分７０ａの下端が第２部分７０ｂの径方向外側の領域上に位置するように、設置される。即ち、第２部分７０ｂは、径方向外側の領域において、第１部分７０ａを搭載する。第１部分７０ａと第２部分７０ｂは、互いにねじ留めされることにより、結合される。換言すると、第１部分７０ａ及び第２部分７０ｂは、互いに分離可能な構造となっている。

シャッター７０には、シールド部材６０と電気的に導通するために導電性の金属膜が形成されている。例えば、第２部分７０ｂの径方向内側の領域７０ｒの上面側には、金属膜７０ｇが形成されている。また、第１部分７０ａの端面７０ｐ１には、金属膜７０ｈが形成されている。金属膜７０ｇは、周方向に延在し、シャッター７０が第１領域に位置した際に、シールド部材６０の金属膜６２ａと接触する位置に形成されている。金属膜７０ｈは、周方向に延在し、シャッター７０が第１領域に位置した際に、シールド部材６０の金属膜６２ｂと接触する位置に形成されている。金属膜７０ｇ及び金属膜７０ｈに用いる金属は、導電性の金属であればよく、例えば、ハステロイ、ＳＵＳ（ステンレス鋼）、アルミ、ニッケル、クロムなどが挙げられる。例えば、第２部分７０ｂの領域７０ｒの上面側及び第１部分７０ａの端面７０ｐ１に、ハステロイを溶射して金属膜７０ｈ、７０ｇを形成する。

かかるシャッター７０によって開口ＯＰを閉鎖する際には、当該シャッター７０は、第２領域から上方に移動され第１領域に配置される。第１領域においてシャッター７０が配置されると、図２に示すように、シャッター７０の第１部分７０ａは、開口ＯＰに対面するようになっている。具体的には、第１部分７０ａの厚肉部７０ｃの内面が開口ＯＰに沿うようになっている。この状態において、第１部分７０ａの端面７０ｔ１は、シールド部材６０の端面６０ｔ１に対して対面する。また、第１部分７０ａの一対の端面７０ｔ２はそれぞれ、シールド部材６０の一対の端面６０ｔ２に対面する。また、第１部分７０ａの端面７０ｐ１は、シールド部材６０の端面６０ｐ１に対して対面する。これにより、シャッター７０の第１部分７０ａの端面７０ｐ１に形成された金属膜７０ｈが、シールド部材６０の端面６０ｐ１に形成された金属膜６２ｂと接触して、シールド部材６０とシャッター７０の第１部分７０ａとが電気的に接続される。

また、シャッター７０が第１領域に配置されているときには、第１部分７０ａの一対の端面７０ｐ２はそれぞれ、シールド部材６０の一対の端面６０ｐ２に対面する。さらに、シャッター７０の端面７０ｔ１と端面７０ｐ１の間、及び、一対の端面７０ｐ２と一対の端面７０ｐ２の間を接続する面が、シールド部材６０の端面６０ｔ１と端面６０ｐ１の間、及び、一対の端面６０ｔ２と一対の端面６０ｐ２の間を接続する面と、対面する。

また、シャッター７０が第１領域に配置されているときには、シャッター７０の第２部分７０ｂが、シールド部材６０の下部６０ｂに下方から対面する。これにより、シャッター７０の第２部分７０ｂに形成された金属膜７０ｇが、シールド部材６０の下部６０ｂに形成された金属膜６２ａと接触して、シールド部材６０とシャッター７０の第２部分７０ｂとが電気的に接続される。

プラズマ処理装置１０は、シャッター７０とシールド部材６０との接触部分にハステロイで金属膜６２ａ，６２ｂ、金属膜７０ｇ，７０ｈを形成することで、接触部分の耐摩耗性および耐腐食性を向上させることができる。

ところで、シャッター７０とシールド部材６０の間には、若干の隙間が発生する。このため、プラズマ処理装置１０では、ウエハＷに対してプラズマ処理を行った場合、金属膜６２ａ，６２ｂ、金属膜７０ｇ，７０ｈなどの金属膜からの金属汚染がウエハＷに発生する。例えば、金属膜６２ａ，６２ｂ、金属膜７０ｇ，７０ｈとしてハステロイを用いた場合、Ｃｒ（クロム）による金属汚染がウエハＷに発生する。

そこで、プラズマ処理装置１０は、金属汚染の抑制として、処理容器１２内の金属材料の表面にフッ化被膜を生成するシーズニングを行う。例えば、プラズマ処理装置１０は、処理容器１２内にフッ素含有ガスを射出し、フッ素含有ガスに対して電圧を印加してプラズマを生成するシーズニングを行う。

ところで、フッ素含有ガスのみでは、フッ化被膜の生成に時間がかかる。そこで、プラズマ処理装置１０は、フッ素及び臭素を含有するガスを用いてプラズマを生成する、または、フッ素含有ガスの前に臭素含有ガスを用いてプラズマを生成するシーズニングを行う。フッ素含有ガスとしては、例えば、ＣＦ４（四フッ化炭素）、Ｃ４Ｆ８（オクタフルオロシクロブタン）、ＳＦ６（六フッ化硫黄）が挙げられる。臭素含有ガスとしては、例えば、ＨＢｒ（臭化水素）が挙げられる。臭素含有ガスは、エッチング等で用いられる臭素を含有した処理ガスであってもよく、処理ガスとは異なり、臭素のみを含有したガスであってもよい。すなわち、

例えば、プラズマ処理装置１０は、フッ素含有ガスと臭素含有ガスを交互に用いてプラズマの生成を複数回繰り返すシーズニングを行う。一実施形態において、プラズマ処理装置１０は、ＨＢｒ含有ガスを用いてプラズマを生成した後、ＣＦ４含有ガスを用いてプラズマを生成することを複数回繰り返すシーズニングを行う。

プラズマ処理装置１０は、ユーザインターフェイス１０２から、フッ化被膜を生成するシーズニングの開始を指示する所定操作を受け付ける。オペレータは、例えば、プラズマ処理装置１０を新規に設置した場合や、処理容器１２内が洗浄されて金属膜上のフッ化被膜が除去された場合など、フッ化被膜の生成が必要なタイミングで、ユーザインターフェイス１０２に対して、フッ化被膜を生成するシーズニングの開始を指示する所定操作を行う。

プラズマ処理装置１０の制御部１００は、シーズニングの開始を指示する所定操作を受け付けると、所定の終了条件を満たすまで、ＨＢｒ含有ガスを用いてプラズマを生成した後、ＣＦ４含有ガスを用いてプラズマを生成することを複数回繰り返すシーズニングを行う。終了条件は、回数として、予め設定されていてもよく、ユーザインターフェイス１０２から、回数を入力させてもよい。また、終了条件は、金属汚染量の許容値として、予め設定されていてもよく、ユーザインターフェイス１０２から、許容値を入力させてもよい。

［シーズニングによる金属膜の変化］
次に、シーズニングによる金属膜の変化を説明する。図６は、シーズニングによる金属膜の化学的な変化を模式的に示した図である。金属膜は、溶射されたハステロイの金属膜であるものとする。図６の（Ａ）は、シーズニング前の状態を示している。図６の（Ｂ）は、シーズニング後の状態を示している。図６の（Ａ）に示すように、ハステロイの金属膜は、表面が酸化されている。例えば、Ｃｒは、酸化されたＣｒ２Ｏ３の状態で存在する。この状態で、例えば、腐食性ガスを用いたプラズマ処理が行われた場合、Ｃｒ２Ｏ３がＣｒＯＦとなって飛散して、ウエハＷに金属汚染が発生する。

一方、シーズニングを行った場合、図６の（Ｂ）に示すように、ハステロイの金属膜は、表面にフッ化被膜が生成されている。例えば、Ｃｒは、フッ化されたＣｒＦ２の状態で存在する。この状態で、例えば、プラズマ処理が行われた場合、フッ化被膜が保護膜となって金属反応が抑制されるため、ウエハＷに対する金属汚染の発生を抑制できる。

図７は、金属膜のシーズニング前後の成分の一例を示した図である。図７は、シーズニング前の金属膜とシーズニング後の金属膜をそれぞれ検出領域φ１００μｍとし、検出領域φの検出の深さ４〜５ｎｍをＸＰＳ（Ｘ線光電分光法）により表面分析を行った結果の一例を示している。図７に示すように、シーズニング前の金属膜は、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｎｉ２Ｏ３、Ｃｒ２Ｏ３、ＭｏＯ３などが存在する。また、シーズニング前の金属膜は、Ｎｉが１３．１％、Ｃｒが１２．４％、Ｍｏが４．３％、Ｏが７０．２％存在する。一方、シーズニング後の金属膜は、ＮｉＦ２、ＣｒＦ２、ＭｏＯ３などが存在する。また、シーズニング後の金属膜は、Ｎｉが２３．１％、Ｃｒが４．５％、Ｍｏが１．１％、Ｏが３０．４％、Ｆが４０．９％存在する。

ところで、上述のように、フッ素含有ガスのみでは、フッ化被膜の生成に時間がかかるが、臭素含有ガスを用いることで、フッ化被膜の生成を加速させることができる。

フッ素及び臭素含有ガスを用いたフッ化被膜の生成の加速の一例を説明する。以下では、ハステロイの金属膜にＨＢｒ含有ガスを用いてプラズマを生成した後、ＣＦ４含有ガスを用いてプラズマを生成する場合の化学変化を例に説明する。

プラズマ処理装置１０は、新規に設置した場合やメンテナンスにより処理容器１２内を大気に開放した場合などにより、処理容器１２内の部材上に水分が付着している。プラズマ処理装置１０では、ＨＢｒ含有ガスを用いてプラズマを生成すると、ＨＢｒが部材上の水分と反応し、以下の（１）に示すように臭化水素酸（酸性の水溶液）が発生する。

ＨＢｒ＋Ｈ２Ｏ→ＨＢｒ＿ａｑｕａ （１）

そして、プラズマ処理装置１０では、臭化水素酸がハステロイのＣｒと反応し、以下の（２）に示すように中間生成物が発生する。

６ＨＢｒ＿ａｑｕａ＋２Ｃｒ→２ＣｒＢｒ３（中間生成物）＋３Ｈ２↑ （２）

この中間生成物は、不安定であるが、プラズマ処理装置１０では、ＣＦ４含有ガスを用いてプラズマを生成すると、以下の（３）に示すようにＦと切替わることで、フッ化を加速すると推測される。

２ＣｒＢｒ３＋ＣＦ４＋３Ｈ２Ｏ→２ＣｒＦ２＋ＣＯ↑＋Ｏ２↑＋６ＨＢｒ↑ （３）

［フッ化被膜による金属汚染の低減効果］
次に、フッ化被膜による金属汚染の低減効果の一例を説明する。図８は、フッ化被膜による金属汚染の低減効果の一例を示した図である。図８に示す「シーズニング前」は、フッ化被膜を生成するシーズニングを行っていないプラズマ処理装置１０でウエハＷに、腐食性ガスを用いたプラズマ処理を行った場合のＣｒの汚染量を示している。Ｎ数は、プラズマ処理装置１０のシールド部材６０及びシャッター７０を新しいものに４回交換してそれぞれプラズマ処理を行った場合のそれぞれでのウエハＷのＣｒの汚染量を示している。

図８に示す「シーズニング後」は、フッ化被膜を生成するシーズニングを行ったプラズマ処理装置１０でウエハＷに、腐食性ガスを用いたプラズマ処理を行った場合のＣｒの汚染量を示している。シーズニングは、ＨＢｒ含有ガスを用いて１分間プラズマを生成した後、ＣＦ４含有ガスを用いて１分間プラズマを生成することを１回のサイクル処理として、サイクル処理を１５０回繰り返している。Ｎ数は、プラズマ処理装置１０のシールド部材６０及びシャッター７０を新しいものに交換して４回測定した場合のそれぞれのＣｒの汚染量を示している。なお、シーズニングは、処理容器１２内にウエハＷを置いて行ってもよく、処理容器１２内にウエハＷを置いていなくてもよい。例えば、プラズマ処理装置１０は、シーズニング中、１回のサイクル処理ごとに、ウエハＷを処理容器１２内に新たなウエハＷの搬入、処理済みのウエハＷの搬出を行うようにしてもよい。

図８に示すように、「シーズニング後」は、「シーズニング前」と比較して、Ｃｒの汚染量が低下している。これは、シーズニングによって、金属膜６２ａ，６２ｂ、金属膜７０ｇ，７０ｈなどの金属膜にフッ化被膜が生成されたことにより、Ｃｒの放出が抑制されたためと考えられる。プラズマ処理装置１０は、１回のサイクル処理のシーズニングでも金属膜にフッ化被膜が生成されるため、金属汚染を抑えることができる。また、プラズマ処理装置１０は、サイクル処理を繰り返すシーズニングを行うことで、金属汚染の汚染量を、所望の許容値まで低減できる。なお、シーズニングでは、ＨＢｒ含有ガス及びＣＦ４含有ガスでプラズマを生成する時間を長くし、サイクル処理の回数を減らしてもよい。

［フッ化被膜生成の加速の効果］
次に、フッ化被膜生成の加速の効果の一例を説明する。プラズマ処理装置１０は、フッ素含有ガスに対して電圧を印加してプラズマを生成するシーズニングでも金属膜にフッ化被膜を生成できる。しかし、プラズマ処理装置１０は、フッ素含有ガスのみでフッ化被膜を生成するシーズニングでは、汚染量を抑制できる十分なフッ化被膜の生成に時間がかかる。そこで、プラズマ処理装置１０は、臭素含有ガスを用いてプラズマを生成した後、フッ素含有ガスを用いてプラズマを生成するシーズニングを行うことで、フッ化被膜の生成を加速させている。

図９は、フッ化被膜生成の加速の効果の一例を示した図である。図９に示す「ＣＦ４シーズニング」は、ＣＦ４含有ガスを用いてプラズマを生成するシーズニングを行ったものである。「ＨＢｒ／ＣＦ４シーズニング」は、ＨＢｒ含有ガスを用いてプラズマを生成した後、ＣＦ４含有ガスを用いてプラズマを生成するシーズニングを行ったものである。「シーズニングウエハ枚数」は、シーズニングとしてプラズマ処理を行ったウエハＷの枚数である。「ＣＦ４シーズニング」と「ＨＢｒ／ＣＦ４シーズニング」は、１回のサイクル処理ごとに、ウエハＷを入れ替えており、１５０枚分のシーズニングを行っている。また、「ＣＦ４シーズニング」と「ＨＢｒ／ＣＦ４シーズニング」では、次のようにして１回のサイクル処理のプラズマの処理時間を合わせている。

「ＣＦ４シーズニング」では、ウエハＷを処理容器１２内に搬入し、ＣＦ４含有ガスを射出し、ＣＦ４含有ガスに対して電圧を印加してプラズマを１分間生成する。次に、「ＣＦ４シーズニング」では、ウエハＷを処理容器１２内から搬出し、クリーニングのために、ＣＦ４含有ガスを射出し、ＣＦ４含有ガスに対して電圧を印加してプラズマを１分間生成する。

「ＨＢｒ／ＣＦ４シーズニング」では、ウエハＷを処理容器１２内に搬入し、ＨＢｒ含有ガスを射出し、ＨＢｒ含有ガスに対して電圧を印加してプラズマを１分間生成する。次に、「ＨＢｒ／ＣＦ４シーズニング」では、ウエハＷを処理容器１２内から搬出し、クリーニングのために、ＣＦ４含有ガスを射出し、ＣＦ４含有ガスに対して電圧を印加してプラズマを１分間生成する。

Ｃｒ汚染量は、１５１枚目のウエハＷのＣｒの汚染量を示している。図９に示すように、「ＨＢｒ／ＣＦ４シーズニング」は、ウエハＷ１５０枚分のシーズニングで、フッ化被膜が十分に生成されているため、Ｃｒの汚染量が「２５」となっている。一方、「ＣＦ４シーズニング」は、ウエハＷ１５０枚分のシーズニングでも、フッ化被膜が十分に生成されていないため、Ｃｒの汚染量が「２３６」となっている。すなわち、「ＨＢｒ／ＣＦ４シーズニング」は、「ＣＦ４シーズニング」と比較して、必要とするフッ化被膜を早く生成できる。「ＣＦ４シーズニング」は、「ＨＢｒ／ＣＦ４シーズニング」に比べて、必要とするフッ化被膜の生成に、例えば、１０倍程度の時間を要する。図９の例の場合、「ＣＦ４シーズニング」では、ウエハＷ１５００枚分のシーズニングを行うと、Ｃｒの汚染量が「ＨＢｒ／ＣＦ４シーズニング」のＣｒの汚染量と同程度になる。

［シーズニング方法の流れ］
次に、一実施形態に係るプラズマ処理装置１０を用いたシーズニング方法について説明する。図１０は、一実施形態に係るシーズニング方法の流れの一例を示すフローチャートである。

制御部１００は、ユーザインターフェイス１０２から、フッ化被膜を生成するシーズニングの開始を指示する所定操作を受け付けると、例えば以下のシーズニングの制御を行う。

制御部１００は、ＨＢｒ含有ガスを用いて１分間プラズマを生成する（ステップＳ１００）。次に、制御部１００は、ＣＦ４含有ガスを用いて１分間プラズマを生成する（ステップＳ１０１）。なお、制御部１００は、処理容器１２内にウエハＷを搬入し、ウエハＷにＨＢｒ含有ガスやＣＦ４含有ガスのプラズマ処理を行うようにしてもよい。

制御部１００は、所定の終了条件を満たしたか否かを判定する（ステップＳ１０２）。終了条件は、回数として、予め設定されていてもよく、ユーザインターフェイス１０２から、回数を入力させてもよい。また、終了条件は、金属汚染量の許容値として、予め設定されていてもよく、ユーザインターフェイス１０２から、許容値を入力させてもよい。終了条件を満たしていない場合（ステップＳ１０２否定）、制御部１００は、上述のステップ１００へ移行し、処理を継続する。

終了条件を満たした場合（ステップＳ１０２肯定）、制御部１００は、シーズニングの処理を終了する。

このように、実施形態に係るプラズマ処理装置１０は、処理容器１２と、制御部１００とを有する。処理容器１２は、プラズマが生成される空間側の表面に導電性の金属膜６２ａ，６２ｂ、金属膜７０ｇ，７０ｈが形成されている。制御部１００は、処理容器１２内に、フッ素含有ガスを射出し、フッ素含有ガスに対して電圧を印加してプラズマを生成するシーズニングを行う。これにより、プラズマ処理装置１０は、金属膜６２ａ，６２ｂ、金属膜７０ｇ，７０ｈにフッ化被膜を生成できるため、金属膜６２ａ，６２ｂ、金属膜７０ｇ，７０ｈからの金属汚染を抑制できる。

また、実施形態に係るプラズマ処理装置１０は、フッ素及び臭素を含有するガスを用いてプラズマを生成する、または、フッ素含有ガスの前に臭素含有ガスを用いてプラズマを生成するシーズニングを行う。これにより、プラズマ処理装置１０は、フッ化被膜の生成を加速させることができる。

また、実施形態に係るプラズマ処理装置１０は、フッ素含有ガスと臭素含有ガスを交互に用いてプラズマの生成を複数回繰り返すシーズニングを行う。これにより、プラズマ処理装置１０は、金属汚染の汚染量を、所望の許容値まで低減できる。

また、実施形態に係るプラズマ処理装置１０は、金属膜が、処理容器１２に設けられたシャッター７０との接触面に設けられている。これにより、プラズマ処理装置１０は、処理容器１２のシャッター７０部分の電気的特性の不均一を抑制できる。

以上、本発明を実施形態を用いて説明したが、本発明の技術的範囲は上記実施の形態に記載の範囲には限定されない。上記実施の形態に多様な変更または改良を加えることが可能であることが当業者には明らかである。また、そのような変更または改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得ることが、特許請求の範囲の記載から明らかである。

Ｗ ウエハ
１０ プラズマ処理装置
１２ 処理容器
６２ａ，６２ｂ 金属膜
７０ｇ，７０ｈ 金属膜
１００ 制御部

Claims (16)

1. プラズマが生成される空間側の表面に導電性の金属膜が形成された処理容器と、
   前記処理容器内に、フッ素含有ガスと臭素含有ガスを交互に射出し、前記フッ素含有ガスと前記臭素含有ガスに対して電圧を印加してプラズマの生成を複数回繰り返すシーズニングを行う制御部と、
   を有することを特徴とするプラズマ処理装置。
2. 前記金属膜は、クロムが含まれることを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理装置。
3. 前記金属膜は、前記処理容器に設けられたシャッターとの接触面に設けられている
   ことを特徴とする請求項１又は２に記載のプラズマ処理装置。
4. 前記制御部は、前記処理容器内を大気に開放した場合に前記シーズニングを実施する
   ことを特徴とする請求項１〜３の何れか１つに記載のプラズマ処理装置。
5. 前記制御部は、前記処理容器内にウエハがない状態で前記シーズニングを実施する
   ことを特徴とする請求項１〜４の何れか１つに記載のプラズマ処理装置。
6. 前記制御部は、前記処理容器内にウエハを配置した状態で前記シーズニングを実施する
   ことを特徴とする請求項１〜４の何れか１つに記載のプラズマ処理装置。
7. 前記制御部は、前記処理容器内にウエハを配置した状態で前記臭素含有ガスを射出し、前記臭素含有ガスに対して電圧を印加してプラズマの生成し、配置した前記ウエハを前記処理容器から搬出した状態で前記フッ素含有ガスを射出し、前記フッ素含有ガスに対して電圧を印加してプラズマの生成することを複数回繰り返すシーズニングを行う
   ことを特徴とする請求項１〜４の何れか１つに記載のプラズマ処理装置。
8. 前記フッ素含有ガスは、ＣＦ ₄ ガス、Ｃ ₄ Ｆ ₈ ガス、ＳＦ ₆ ガスの何れかであり、
   前記臭素含有ガスは、ＨＢｒガスである
   ことを特徴とする請求項１〜４の何れか１つに記載のプラズマ処理装置。
9. プラズマが生成される空間側の表面に導電性の金属膜が形成された処理容器内に、フッ素含有ガスと臭素含有ガスを交互に射出し、
   前記フッ素含有ガスと前記臭素含有ガスに対して電圧を印加してプラズマの生成を複数回繰り返すシーズニングを行う
   ことを特徴とするシーズニング方法。
10. 前記金属膜は、クロムが含まれることを特徴とする請求項９に記載のシーズニング方法。
11. 前記金属膜は、前記処理容器に設けられたシャッターとの接触面に設けられている
    ことを特徴とする請求項９又は１０に記載のシーズニング方法。
12. 前記シーズニングは、前記処理容器内を大気に開放した場合に実施する
    ことを特徴とする請求項９〜１１の何れか１つに記載のシーズニング方法。
13. 前記シーズニングは、前記処理容器内にウエハがない状態で実施する
    ことを特徴とする請求項９〜１１の何れか１つに記載のシーズニング方法。
14. 前記シーズニングは、前記処理容器内にウエハを配置した状態で実施する
    ことを特徴とする請求項９〜１１の何れか１つに記載のシーズニング方法。
15. 前記シーズニングは、前記処理容器内にウエハを配置した状態で前記臭素含有ガスを射出し、前記臭素含有ガスに対して電圧を印加してプラズマの生成し、配置した前記ウエハを前記処理容器から搬出した状態で前記フッ素含有ガスを射出し、前記フッ素含有ガスに対して電圧を印加してプラズマの生成することを複数回繰り返し行う
    ことを特徴とする請求項９〜１１の何れか１つに記載のシーズニング方法。
16. 前記フッ素含有ガスは、ＣＦ ₄ ガス、Ｃ ₄ Ｆ ₈ ガス、ＳＦ ₆ ガスの何れかであり、
    前記臭素含有ガスは、ＨＢｒガスである
    ことを特徴とする請求項９〜１５の何れか１つに記載のシーズニング方法。

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