JP2016076515A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】金属汚染物質に起因した半導体装置の特性劣化を低減することができる半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】一つの実施形態によれば、半導体装置の製造方法が提供される。半導体装置の製造方法は、ドライエッチングを行うチャンバ内へハイドロカーボンガスを導入する工程と、チャンバ内のハイドロカーボンガスをプラズマ化させてチャンバの内周面をハイドロカーボン膜によって被覆する工程と、ハイドロカーボン膜によって内周面が被覆されたチャンバ内において半導体基板に対してドライエッチングを行う工程とを含む。
【選択図】図3
【解決手段】一つの実施形態によれば、半導体装置の製造方法が提供される。半導体装置の製造方法は、ドライエッチングを行うチャンバ内へハイドロカーボンガスを導入する工程と、チャンバ内のハイドロカーボンガスをプラズマ化させてチャンバの内周面をハイドロカーボン膜によって被覆する工程と、ハイドロカーボン膜によって内周面が被覆されたチャンバ内において半導体基板に対してドライエッチングを行う工程とを含む。
【選択図】図3
Description
本実施形態は、半導体装置の製造方法に関する。
従来、半導体装置の製造工程の一つとして、半導体基板をチャンバと呼ばれる処理室内でドライエッチングする工程がある。チャンバは、ドライエッチングを行う前にクリーニングされるのが一般的である。しかしながら、クリーニング後のチャンバは、内周面に金属汚染物質が付着している場合がある。
かかる金属汚染物質は、半導体基板のエッチング中にチャンバの内周面から剥離して半導体基板に付着すると、その半導体基板を使用して製造される半導体装置の特性を劣化させることがある。例えば、イメージセンサの画素アレイに金属汚染物質が付着した場合、金属汚染物質は、撮像画像における白キズの原因となる。
一つの実施形態は、金属汚染物質に起因した半導体装置の特性劣化を低減することができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
一つの実施形態によれば、半導体装置の製造方法が提供される。半導体装置の製造方法は、ドライエッチングを行うチャンバ内へハイドロカーボンガスを導入する工程と、前記チャンバ内の前記ハイドロカーボンガスをプラズマ化させて前記チャンバの内周面をハイドロカーボン膜によって被覆する工程と、前記ハイドロカーボン膜によって内周面が被覆された前記チャンバ内において半導体基板に対してドライエッチングを行う工程とを含む。
以下に添付図面を参照して、実施形態に係る半導体装置の製造方法を詳細に説明する。なお、この実施形態により本発明が限定されるものではない。図1〜図4は、実施形態に係る半導体装置の製造工程の説明図である。
以下では、CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)イメージセンサの各画素間に、RIE(Reactive Ion Etching)によってSTI(Shallow Trench Isolation)用のトレンチを形成する製造工程を例に挙げて説明する。なお、本実施形態に係る半導体装置の製造方法は、製造工程中にドライエッチングが含まれるものであれば、任意の半導体装置の製造方法への適用が可能である。
図1の(a)に示すように、本実施形態に係るドライエッチング装置1は、チャンバ2、ステージ3、アンテナコイル4、ブロッキングコンデンサ5、および高周波電源6,7を備える。なお、ここでは図示を省略したが、ドライエッチング装置1は、チャンバ2内へ反応性ガスを供給するガス供給部と、チャンバ2内部の雰囲気をチャンバ2の外部へ排気する排気部とを備える。
チャンバ2は、RIEを行う処理室である。かかるチャンバ2は、グランドに接続され、内部にステージ3が設けられる。ステージ3は、載置される処理対象基板W4(図4参照)などの半導体基板を吸着保持するテーブルである。ステージ3は、ブロッキングコンデンサ5および高周波電源6を介してグランドに接続される。アンテナコイル4は、チャンバ2の天板上に設けられる平面視渦巻き状のコイルである。アンテナコイル4は、高周波電源7を介してグランドに接続される。
ドライエッチング装置1は、チャンバ2の内部へ反応性ガスを導入し、チャンバ2内部を略真空にした状態で、高周波電源7からアンテナコイル4へ高周波電圧を印加すると共に、高周波電源6からステージ3へ高周波電圧を印加して反応性ガスをプラズマ化する。
プラズマ中の電子は、アンテナコイル4に面するチャンバ2の天井、およびステージ3へ引き寄せられる。チャンバ2の天井に引き寄せられる電子は、チャンバ2がグランドに接続されているためグランドへ流れる。このため、チャンバ2の天井の電位は一定となる。一方、ブロッキングコンデンサ5は、直流電流を遮断するので、引き寄せる電子を蓄積して上部電極が負に帯電する。
そして、ドライエッチング装置1は、プラズマ中の陽イオンを負に帯電したブロッキングコンデンサ5へ引き寄せ、ステージ3に載置される処理対象基板W4(図4参照)に衝突させることによってRIEを行う。
かかるドライエッチング装置1は、RIEを繰り返すと、RIEによって処理対象基板W4から削り取られたシリコンを含む反応生成物がチャンバ2の内周面に付着して、図1の(a)に示すように、チャンバ2の内周面に反応生成物膜9が形成されることがある。
このとき、ドライエッチング装置1では、チャンバ2内へ反応性ガスを導入する配管(例えば、ステンレス配管)の金属と反応性ガスとの反応によって生成される金属汚染物質8が反応生成物膜9の表面や、チャンバ2の内周面に付着することがある。
かかる金属汚染物質8は、処理対象基板W4へ付着すると、処理対象基板W4を使用して製造されるCMOSイメージセンサの白キズ特性を悪化させることがある。このため、ドライエッチング装置1は、所定枚数の処理対象基板W4に対してRIEを行う毎に、チャンバ2のクリーニングを行う必要がある。
チャンバ2のクリーニングを行う場合、図1の(b)に示すように、ステージ3上に、例えば、シリコンウェハなどのクリーニング用基板W1を載置する。これにより、後述のクリーニングプラズマからステージ3の上面を保護することができる。なお、ステージ3へのクリーニング用基板W1の載置は、省略してもよい。
続いて、チャンバ2内へ、例えば、フッ素系のクリーニングガスを導入する。その後、図1の(c)に示すように、高周波電源6によってステージ3へ高周波電圧を印加すると共に、高周波電源7からアンテナコイル4へ高周波電圧を印加することによって、クリーニングガスをプラズマ化させてクリーニングプラズマを発生させる。
これにより、反応生成物膜9は、クリーニングプラズマによってアッシングされる。その後、チャンバ2内部のアッシングされた反応生成物膜9を含む雰囲気をチャンバ2の外部へ排気してチャンバ2のクリーニングを行う。かかるクリーニングによって、チャンバ2の内周面に付着した反応生成物膜9は除去されるが、チャンバ2の内周面には、金属汚染物質8が残留することがある。
そこで、本実施形態では、クリーニングの後に、第1シーズニングを行うことによって、チャンバ2の内周面から金属汚染物質8を除去する。第1シーズニングでは、図2の(a)に示すように、ステージ3へクリーニング用基板W1に代えて、例えば、シリコンウェハなどの第1シーズニング用基板W2を載置する。これにより、後述の腐食性プラズマおよび酸素プラズマからステージ3の上面を保護することができる。なお、ステージ3への第1シーズニング用基板W2の載置は、省略してもよい。
続いて、チャンバ2内へ、酸素を含む腐食性ガスを導入する。腐食性ガスは、例えば、HBr(臭化水素)ガスまたはCl(塩素)ガス、もしくは、これらの混合ガスである。その後、図2の(b)に示すように、高周波電源6によってステージ3へ高周波電圧を印加すると共に、高周波電源7からアンテナコイル4へ高周波電圧を印加し、酸素を含む腐食性ガスをプラズマ化させて腐食性プラズマおよび酸素プラズマを発生させる。
これにより、チャンバ2の内周面に付着した金属汚染物質8は、腐食性プラズマおよび酸素プラズマと反応してチャンバ2の内周面から剥離される。ここで、腐食性ガスが酸素を含んでいないHBrガスであった場合、金属汚染物質8が例えばCr(クロム)であると、Crは、HBrプラズマと反応して2元化合物であるCr−Brとなってチャンバ2の内周面から剥離される。
これに対して、本実施形態では、第1シーズニングに酸素を含む腐食性ガスを用いるので、腐食性ガスがHBrであり、金属汚染物質8がCrであった場合、Crは、HBrプラズマおよび酸素プラズマと反応して、3元化合物であるCr−Br−Oとなる。かかる3元化合物は、2元化合物に比べて蒸気圧が高く蒸発しやすい物質である。
このように、第1シーズニングでは、金属汚染物質8を2元化合物よりも蒸発しやすい3元化合物に変質させることができるので、酸素を含まない腐食性ガスを用いるシーズニングを行う場合よりも効果的に金属汚染物質8をチャンバ2から剥離することができる。
その後、第1シーズニングでは、図2の(c)に示すように、チャンバ2の内部の雰囲気をチャンバ2の外部へ排気することによって、チャンバ2の内周面から剥離された金属汚染物質8をチャンバ2の外部へ排出する。
ただし、第1シーズニングを行っても、図2の(c)に示すように、チャンバ2の内周面に付着した金属汚染物質8を完全には除去できない場合もありうる。また、チャンバ2の内周面に付着していた金属汚染物質8を完全に除去できたとしても、第1シーズニングに使用する腐食性ガスと、このガスを供給する配管の金属とが反応して、新たに生じた金属汚染物質8がチャンバ2の内周面に付着する場合もありうる。
そこで、本実施形態では、第1シーズニングの後に、第2シーズニングを行い、金属汚染物質8ごとチャンバ2の内周面を被膜で覆うことによって、チャンバ2の内周面に残存した金属汚染物質8が処理対象基板W4(図4参照)に付着することを抑制する。
具体的には、図3の(a)に示すように、第2シーズニングでは、ステージ3へ第1シーズニング用基板W2に代えて、例えば、シリコンウェハなどの第2シーズニング用基板W3を載置する。これにより、後述のハイドロカーボンプラズマからステージ3の上面を保護することができる。なお、ステージ3への第2シーズニング用基板W3の載置は、省略してもよい。
続いて、チャンバ2内へ、ハイドロカーボンガスを導入する。ハイドロカーボンガスは、例えば、メタンガスまたはエチレンガス、もしくは、これらの混合ガスである。その後、図3の(b)に示すように、高周波電源6によってステージ3へ高周波電圧を印加すると共に、高周波電源7からアンテナコイル4へ高周波電圧を印加し、ハイドロカーボンガスをプラズマ化させてハイドロカーボンプラズマを発生させる。
そして、図3の(c)に示すように、発生させたハイドロカーボンプラズマによって、チャンバ2の内周面に付着した金属汚染物質8を含むチャンバ2の内周面全体を被覆するようにハイドロカーボン膜10を形成する。このように、本実施形態では、金属汚染物質8ごとチャンバ2の内周面をハイドロカーボン膜10によって被覆するので、金属汚染物質8をハイドロカーボン膜10内に封止することができる。
ここで、金属汚染物質8を含むチャンバ2の内周面全体を被覆する被膜を形成して、チャンバ2の内周面に付着した金属汚染物質8を被膜内に封止するだけなら、チャンバ2内で腐食性ガスをプラズマ化させて腐食性被膜を形成してもよい。
しかし、チャンバ2内で腐食性ガスをプラズマ化させて、チャンバ2の内周面に腐食性被膜を形成する場合、発生させた腐食性プラズマがガスを導入する配管の金属と反応して、新たに生じた金属汚染物質8が成膜した腐食性被膜の表面に付着する場合がある。
かかる場合、金属汚染物質8は、後に処理対象基板W4(図4参照)に対してRIEを行う工程において、腐食性被膜から剥離して処理対象基板W4(図4参照)に付着すると、CMOSイメージセンサの白キズ特性を悪化させることがある。
これに対して、本実施形態では、第2シーズニングに配管の金属と反応しないハイドロカーボンガスを使用するので、ガスを供給する配管の金属に起因した金属汚染物質8が新たに生じることがない。したがって、第2シーズニングによれば、成膜するハイドロカーボン膜10の表面に、新たに生じた金属汚染物質8が付着することを予防することができうる。
そして、本実施形態では、第2シーズニングによって内周面をハイドロカーボン膜10で被覆したチャンバ2を使用して、処理対象基板W4に対して本体処理を行う。具体的には、図4の(a)に示すように、本体処理では、ステージ3へ第2シーズニング用基板W3に代えて、処理対象基板W4を載置する。なお、処理対象基板W4の上面には、予めCMOSイメージセンサの各画素間の上面が選択的に露出するようにパターニングを施したレジストマスク11を形成しておく。
続いて、チャンバ2内へ、腐食性ガスを導入する。腐食性ガスは、例えば、HBrガスまたはClガス、もしくは、これらの混合ガスである。その後、図4の(b)に示すように、高周波電源6によってステージ3へ高周波電圧を印加すると共に、高周波電源7からアンテナコイル4へ高周波電圧を印加し、腐食性ガスをプラズマ化させて腐食性プラズマを発生させる。
そして、本処理では、発生した腐食性プラズマ中の陽イオンを処理対象基板W4のレジストマスク11によって被覆されていない部分に衝突させることによってRIEを行い、その後、レジストマスク11をアッシングして除去し、本処理を終了する。これにより、図4の(c)に示すように、処理対象基板W4の表面には、STI用のトレンチが形成される。
このように、本処理では、チャンバ2の内周面に付着している金属汚染物質8は、ハイドロカーボン膜10によって被覆されて封止されているため、RIE中にチャンバ2の内周面から剥離して処理対象基板W4に付着することがない。
上述したように、実施形態に係る半導体装置の製造方法では、ドライエッチングを行うチャンバ内へハイドロカーボンガスを導入してプラズマ化させ、チャンバの内周面をハイドロカーボン膜によって被覆する。そして、ハイドロカーボン膜によって内周面が被覆されたチャンバ内において半導体基板に対してドライエッチングを行う。
これにより、実施形態に係る半導体装置の製造方法では、チャンバの内周面に金属汚染物質が付着していても、金属汚染物質をハイドロカーボン膜によって被覆して封止することができる。
したがって、実施形態に係る半導体装置の製造方法によれば、ドライエッチングを行う工程において、金属汚染物質が半導体基板に付着することを抑制することによって、金属汚染物質に起因した半導体装置の特性劣化を低減することができる。
しかも、実施形態に係る半導体装置の製造方法では、チャンバへガスを導入する配管などの金属と反応しないハイドロカーボンガスを使用してハイドロカーボン膜を形成するので、ハイドロカーボン膜の形成時に新たな金属汚染物質の発生を予防することができる。
また、実施形態に係る半導体装置の製造方法では、ハイドロカーボンガスを導入する前のチャンバ内へ酸素を含む腐食性ガスを導入して酸素を含む腐食性ガスをプラズマ化させる。これにより、実施形態に係る半導体装置の製造方法では、金属汚染物質を2元化合物よりも蒸気圧の高い3元化合物へ変化させることができる。
そして、実施形態に係る半導体装置の製造方法では、酸素を含む腐食性ガスのプラズマ化を終了してから、チャンバ内へハイドロカーボンガスの導入を開始するまでの期間に、チャンバ内の雰囲気を排気する。これにより、実施形態に係る半導体装置の製造方法では、蒸発しやすい物質に変化させた金属汚染物質をチャンバの外部へ排出させることができる。
実施形態に係る半導体装置の製造方法では、ドライエッチングを終了したチャンバ内へクリーニングガスを導入してプラズマ化させる。これにより、実施形態に係る半導体装置の製造方法では、ドライエッチングによってチャンバの内周面に付着した反応生成物をアッシングすることができる。
また、実施形態に係る半導体装置の製造方法では、一般に広く流通しているメタンガスまたはエチレンガスを使用することによって、容易にハイドロカーボン膜を成膜することができる。
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
1 ドライエッチング装置、 2 チャンバ、 3 ステージ、 4 アンテナコイル、 5 ブロッキングコンデンサ、 6,7 高周波電源、 8 金属汚染物質、 9 反応生成物膜、 10 ハイドロカーボン膜、 11 マスク、 W1 クリーニング用基板、 W2 第1シーズニング用基板、 W3 第2シーズニング用基板、 W4 処理対象基板
Claims (5)
- ドライエッチングを行うチャンバ内へハイドロカーボンガスを導入する工程と、
前記チャンバ内の前記ハイドロカーボンガスをプラズマ化させて前記チャンバの内周面をハイドロカーボン膜によって被覆する工程と、
前記ハイドロカーボン膜によって内周面が被覆された前記チャンバ内において半導体基板に対してドライエッチングを行う工程と
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記ハイドロカーボンガスを導入する前の前記チャンバ内へ酸素を含む腐食性ガスを導入する工程と、
前記チャンバ内の前記酸素を含む腐食性ガスをプラズマ化させる工程と
をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記酸素を含む腐食性ガスのプラズマ化を終了してから、前記チャンバ内へ前記ハイドロカーボンガスの導入を開始するまでの期間に、前記チャンバ内の雰囲気を排気する工程
をさらに含むことを特徴とする請求項2に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記ドライエッチングを終了した前記チャンバ内へクリーニングガスを導入する工程と、
前記チャンバ内のクリーニングガスをプラズマ化させる工程と
をさらに含むことを特徴とする請求項1〜3のいずれか一つに記載の半導体装置の製造方法。 - 前記ハイドロカーボンガスは、
メタンガスまたはエチレンガス
を含むことを特徴とする請求項1〜4のいずれか一つに記載の半導体装置の製造方法。
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JP2014204051A JP2016076515A (ja) | 2014-10-02 | 2014-10-02 | 半導体装置の製造方法 |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2018152520A (ja) * | 2017-03-14 | 2018-09-27 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及びシーズニング方法 |
-
2014
- 2014-10-02 JP JP2014204051A patent/JP2016076515A/ja active Pending
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