JP6828733B2 - インターポーザー、半導体装置、インターポーザーの製造方法、半導体装置の製造方法 - Google Patents
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- Printing Elements For Providing Electric Connections Between Printed Circuits (AREA)
Description
本発明は、インターポーザーや半導体装置、特に、パッケージ基板とＩＣチップとの間に介在するインターポーザーや、ＩＣチップを接続するためのインターポーザーを備える半導体装置に関するものである。
従来、ファインピッチのＩＣチップをドータボード等の外部基板と接続するために、パッケージ基板が用いられている。
パッケージ基板の材料としては、セラミックまたは樹脂が用いられている。
ここで、セラミックパッケージ基板は、焼成したメタライズを用いるため、抵抗値が高くなる。さらに、セラミックの誘電率は高く、高周波、高性能のＩＣを搭載することが難しい。
一方、樹脂製パッケージ基板は、めっきによる銅配線を用いるため、配線抵抗を下げることが可能であり、樹脂の誘電率は低く、高周波、高性能のＩＣを搭載することが相対的に容易である。
パッケージ基板の材料としては、セラミックまたは樹脂が用いられている。
ここで、セラミックパッケージ基板は、焼成したメタライズを用いるため、抵抗値が高くなる。さらに、セラミックの誘電率は高く、高周波、高性能のＩＣを搭載することが難しい。
一方、樹脂製パッケージ基板は、めっきによる銅配線を用いるため、配線抵抗を下げることが可能であり、樹脂の誘電率は低く、高周波、高性能のＩＣを搭載することが相対的に容易である。
ここで、パッケージ基板とＩＣチップとの間にインターポーザーを介在させる技術として、例えば、特許文献１〜特許文献４の技術がある。
また、近年では、ハイエンド向けのインターポーザーとして、基板の材質にシリコンやガラスを用いたインターポーザーの研究が活発に行われるようになり、大きな注目が集まっている。
基材としてシリコンやガラスを用いたインターポーザーでは、内部に貫通穴を形成し、その貫通穴を導電性物質で充填するＴＳＶ（Ｔｈｒｏｕｇｈ−Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｖｉａ）や、ＴＧＶ（Ｔｈｒｏｕｇｈ−Ｇｌａｓｓ Ｖｉａ）と呼ばれる技術が用いられることが大きな特徴である。この技術により形成された貫通電極は、表裏を最短距離で接続することで配線長が短縮され、信号伝送速度の高速化等、優れた電気特性が期待されている。
また、近年では、ハイエンド向けのインターポーザーとして、基板の材質にシリコンやガラスを用いたインターポーザーの研究が活発に行われるようになり、大きな注目が集まっている。
基材としてシリコンやガラスを用いたインターポーザーでは、内部に貫通穴を形成し、その貫通穴を導電性物質で充填するＴＳＶ（Ｔｈｒｏｕｇｈ−Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｖｉａ）や、ＴＧＶ（Ｔｈｒｏｕｇｈ−Ｇｌａｓｓ Ｖｉａ）と呼ばれる技術が用いられることが大きな特徴である。この技術により形成された貫通電極は、表裏を最短距離で接続することで配線長が短縮され、信号伝送速度の高速化等、優れた電気特性が期待されている。
また、線膨張係数がＩＣチップと同等、もしくは、ＩＣチップに近い値となるため、加熱時の基板寸法変化が小さくなり、より高密度な実装・高密度配線を実現する可能性がある。さらに、貫通電極を採用することで、多ピン並列接続が可能となり、ＬＳＩ自体を高速化させるが必要無く、優れた電気特性が得られるため、低消費電力化の実現が期待されている。
特に、近年では、ガラスを基板の材質として用いたガラスインターポーザーに大きな注目が集まっている。また、ガラスインターポーザーへの大きな関心の一つとして、低コスト化の実現が挙げられる。それは、シリコンインターポーザーが、ウエハサイズでしか製造できないのに対し、ガラスインターポーザーは、大型パネルでの大量処理が可能であると考えられており、これまでハイエンド向けのインターポーザーで大きな課題とされていた、コストの問題を解決できる可能性があるためである。
特に、近年では、ガラスを基板の材質として用いたガラスインターポーザーに大きな注目が集まっている。また、ガラスインターポーザーへの大きな関心の一つとして、低コスト化の実現が挙げられる。それは、シリコンインターポーザーが、ウエハサイズでしか製造できないのに対し、ガラスインターポーザーは、大型パネルでの大量処理が可能であると考えられており、これまでハイエンド向けのインターポーザーで大きな課題とされていた、コストの問題を解決できる可能性があるためである。
しかしながら、ガラスインターポーザーを製造するにあたり、いくつかの克服すべき課題も多い。
その課題の一つに、ガラスと銅の熱膨張率の差が大きく、また、弾性率も大きいことに対して、銅とガラスの密着強度が充分ではないため、実装時の高温プロセスや信頼性試験の温度サイクル等により、銅等からなる導電層パターンが、ガラス面から剥離してしまうという現象が挙げられる。
本発明は、このような問題点を解決しようとするものであり、熱膨張、熱収縮による導電層パターンの剥離を防止することで充分な信頼性を有することが可能な、インターポーザー、半導体装置、インターポーザーの製造方法、半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
その課題の一つに、ガラスと銅の熱膨張率の差が大きく、また、弾性率も大きいことに対して、銅とガラスの密着強度が充分ではないため、実装時の高温プロセスや信頼性試験の温度サイクル等により、銅等からなる導電層パターンが、ガラス面から剥離してしまうという現象が挙げられる。
本発明は、このような問題点を解決しようとするものであり、熱膨張、熱収縮による導電層パターンの剥離を防止することで充分な信頼性を有することが可能な、インターポーザー、半導体装置、インターポーザーの製造方法、半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
本発明の一態様は、貫通孔を有する基材と、前記基材上に積層され、且つ導通ビアを形成した絶縁性樹脂層と、前記絶縁性樹脂層に積層された配線群と、からなるインターポーザーであって、
無機密着層が前記貫通孔内のみに形成され、
前記無機密着層の上に導電層を形成し、
前記導電層は、前記導通ビアを介して前記配線群と電気的に接続され、
前記無機密着層の熱膨張率は、前記基材の熱膨張率よりも大きく、且つ前記導電層の熱膨張率よりも小さいことを特徴とするインターポーザーである。
無機密着層が前記貫通孔内のみに形成され、
前記無機密着層の上に導電層を形成し、
前記導電層は、前記導通ビアを介して前記配線群と電気的に接続され、
前記無機密着層の熱膨張率は、前記基材の熱膨張率よりも大きく、且つ前記導電層の熱膨張率よりも小さいことを特徴とするインターポーザーである。
また、本発明の一態様は、前記導電層と前記導通ビアとの間に形成された導電性のランドを備え、
前記導電層は、前記導電性のランドを介して前記導通ビアと電気的に接続され、
前記無機密着層は、前記ランドと前記基材との間に配置されていることを特徴とするインターポーザーである。
また、本発明の一態様は、前記ランドの外径は、前記貫通孔の内径と同じであることを特徴とするインターポーザーである。
また、本発明の一態様は、前記無機密着層は、酸化錫、酸化インジウム、酸化亜鉛、ニッケル、ニッケルリン、クロム、酸化クロム、チッ化アルミ、酸化アルミ、タンタル、チタン、銅のうち、単体の材料の単層の膜、または、２種類以上の材料を複合させた２層以上の単層または積層の膜であることを特徴とするインターポーザーである。
前記導電層は、前記導電性のランドを介して前記導通ビアと電気的に接続され、
前記無機密着層は、前記ランドと前記基材との間に配置されていることを特徴とするインターポーザーである。
また、本発明の一態様は、前記ランドの外径は、前記貫通孔の内径と同じであることを特徴とするインターポーザーである。
また、本発明の一態様は、前記無機密着層は、酸化錫、酸化インジウム、酸化亜鉛、ニッケル、ニッケルリン、クロム、酸化クロム、チッ化アルミ、酸化アルミ、タンタル、チタン、銅のうち、単体の材料の単層の膜、または、２種類以上の材料を複合させた２層以上の単層または積層の膜であることを特徴とするインターポーザーである。
また、本発明の一態様は、前記導電層を形成する導電性材料が、銅、銀、金、ニッケル、白金、パラジウム、ルテニウム、錫、錫銀、錫銀銅、錫銅、錫ビスマス、錫鉛のうちいずれかの単体金属、または二つ以上の化合物、または、少なくとも一つの金属粉と樹脂材料との混合物、のいずれかであることを特徴とするインターポーザーである。
また、本発明の一態様は、前記絶縁性樹脂層の材料として、エポキシ／フェノール系樹脂、ポリイミド樹脂、シクロオレフィン、ＰＢＯ樹脂のうちいずれか一つの材料、または、少なくとも二つの材料を組み合わせた複合材料を用いることを特徴とするインターポーザーである。
また、本発明の一態様は、前記導通ビアの前記基材側の径は、前記貫通孔の内径よりも小さいこと特徴とするインターポーザーである。
また、本発明の一態様は、前記基材がガラスからなることを特徴とするインターポーザーである。
また、本発明の一態様は、前記絶縁性樹脂層の材料として、エポキシ／フェノール系樹脂、ポリイミド樹脂、シクロオレフィン、ＰＢＯ樹脂のうちいずれか一つの材料、または、少なくとも二つの材料を組み合わせた複合材料を用いることを特徴とするインターポーザーである。
また、本発明の一態様は、前記導通ビアの前記基材側の径は、前記貫通孔の内径よりも小さいこと特徴とするインターポーザーである。
また、本発明の一態様は、前記基材がガラスからなることを特徴とするインターポーザーである。
また、本発明の一態様は、上述したインターポーザーと、前記インターポーザーに積層された半導体素子と、を備えることを特徴とする半導体装置である。
また、本発明の一態様は、基材に貫通孔を形成する貫通孔形成工程と、
前記基材の両表面と前記貫通孔の内径面に無機材料からなる無機密着層を形成する無機密着層形成工程と、
前記無機密着層の上に導電性材料からなる導電層を形成するとともに前記貫通孔内に充填した導電性材料で貫通電極を形成する導電層・貫通電極形成工程と、
前記貫通電極を残して、前記基材に積層した前記無機密着層及び前記導電層を除去する不要層除去工程と、
前記基材及び前記貫通電極上に絶縁性樹脂層を形成する絶縁性樹脂層工程と、
前記絶縁性樹脂層のうち前記貫通電極上に形成した部分にビア孔を形成するビア形成工程と、
前記絶縁性樹脂層上に導電性物質で配線群及び導通ビアを形成する配線群・導通ビア形成工程と、を含むことを特徴とするインターポーザーの製造方法である。
また、本発明の一態様は、基材に貫通孔を形成する貫通孔形成工程と、
前記基材の両表面と前記貫通孔の内径面に無機材料からなる無機密着層を形成する無機密着層形成工程と、
前記無機密着層の上に導電性材料からなる導電層を形成するとともに前記貫通孔内に充填した導電性材料で貫通電極を形成する導電層・貫通電極形成工程と、
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前記基材及び前記貫通電極上に絶縁性樹脂層を形成する絶縁性樹脂層工程と、
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前記絶縁性樹脂層上に導電性物質で配線群及び導通ビアを形成する配線群・導通ビア形成工程と、を含むことを特徴とするインターポーザーの製造方法である。
また、本発明の一態様は、基材に貫通孔を形成する貫通孔形成工程と、
前記基材の両表面と前記貫通孔の内径面に無機材料からなる無機密着層を形成する無機密着層形成工程と、
前記無機密着層の上に導電性材料からなる導電層を形成するとともに前記貫通孔内に充填した導電性材料で貫通電極を形成し、さらに、前記貫通孔内に充填した導電性材料の皮膜の内側を導電性の樹脂材料にて充填する導電層・貫通電極形成工程と、
前記基材の最表面まで前記導電層と前記無機密着層を除去し、さらに、前記貫通電極の上下端に前記導電性材料及び前記樹脂材料からなるランドを形成するランド形成工程と、
前記基材及び前記ランド上に絶縁性樹脂層を形成する絶縁性樹脂層工程と、
前記絶縁性樹脂層のうち前記ランド上に形成した部分にビア孔を形成するビア形成工程と、
前記絶縁性樹脂層上及び前記ビア孔に、導電性物質で配線群及び導通ビアを形成する配線群・導通ビア形成工程と、を含むことを特徴とするインターポーザーの製造方法である。
前記基材の両表面と前記貫通孔の内径面に無機材料からなる無機密着層を形成する無機密着層形成工程と、
前記無機密着層の上に導電性材料からなる導電層を形成するとともに前記貫通孔内に充填した導電性材料で貫通電極を形成し、さらに、前記貫通孔内に充填した導電性材料の皮膜の内側を導電性の樹脂材料にて充填する導電層・貫通電極形成工程と、
前記基材の最表面まで前記導電層と前記無機密着層を除去し、さらに、前記貫通電極の上下端に前記導電性材料及び前記樹脂材料からなるランドを形成するランド形成工程と、
前記基材及び前記ランド上に絶縁性樹脂層を形成する絶縁性樹脂層工程と、
前記絶縁性樹脂層のうち前記ランド上に形成した部分にビア孔を形成するビア形成工程と、
前記絶縁性樹脂層上及び前記ビア孔に、導電性物質で配線群及び導通ビアを形成する配線群・導通ビア形成工程と、を含むことを特徴とするインターポーザーの製造方法である。
また、本発明の一態様は、基材に貫通孔を形成する貫通孔形成工程と、
前記基材の両表面と前記貫通孔の内径面に無機材料からなる無機密着層を形成する無機密着層形成工程と、
前記無機密着層の上に導電性材料からなる導電層を形成するとともに前記貫通孔内に充填した導電性材料で貫通電極を形成し、さらに、前記貫通孔内を樹脂材料にて充填する導電層・貫通電極形成工程と、
前記貫通電極の上下端に無電解めっきと電解銅めっきを順に行って導電層を形成した後、前記導電層と前記無機密着層をパターニングして前記貫通電極にランドを形成するランド形成工程と、
前記基材及び前記ランド上に絶縁性樹脂層を形成する絶縁性樹脂層工程と、
前記絶縁性樹脂層のうち前記ランド上に形成した部分にビア孔を形成するビア形成工程と、
前記絶縁性樹脂層上及び前記ビア孔に、導電性物質で配線群及び導通ビアを形成する配線群・導通ビア形成工程と、を含むことを特徴とするインターポーザーの製造方法である。
前記基材の両表面と前記貫通孔の内径面に無機材料からなる無機密着層を形成する無機密着層形成工程と、
前記無機密着層の上に導電性材料からなる導電層を形成するとともに前記貫通孔内に充填した導電性材料で貫通電極を形成し、さらに、前記貫通孔内を樹脂材料にて充填する導電層・貫通電極形成工程と、
前記貫通電極の上下端に無電解めっきと電解銅めっきを順に行って導電層を形成した後、前記導電層と前記無機密着層をパターニングして前記貫通電極にランドを形成するランド形成工程と、
前記基材及び前記ランド上に絶縁性樹脂層を形成する絶縁性樹脂層工程と、
前記絶縁性樹脂層のうち前記ランド上に形成した部分にビア孔を形成するビア形成工程と、
前記絶縁性樹脂層上及び前記ビア孔に、導電性物質で配線群及び導通ビアを形成する配線群・導通ビア形成工程と、を含むことを特徴とするインターポーザーの製造方法である。
また、本発明の一態様は、前記基材がガラスからなること特徴とするインターポーザーの製造方法である。
また、本発明の一態様は、上述したインターポーザーの製造方法で製造されたインターポーザーに導通パッドを形成する導通パッド形成工程と、
前記導通パッド上に半導体素子を固定する半導体素子固定工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法である。
また、本発明の一態様は、上述したインターポーザーの製造方法で製造されたインターポーザーに導通パッドを形成する導通パッド形成工程と、
前記導通パッド上に半導体素子を固定する半導体素子固定工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法である。
また、本発明の一態様は、貫通電極を有したガラス基材を用いたインターポーザー、もしくは、このインターポーザー上に固定された半導体素子とからなる半導体装置であって、前記貫通電極はガラス基材に設けた貫通孔に、熱膨張率が前記ガラス基材より大きく導電性材料よりも小さい無機導電性材料からなる密着層を介し、導電性材料からなる導電層を積層し、さらに、貫通孔内に導電性材料が充填されているか、あるいは、貫通孔内の導電性材料皮膜に非導電性材料が充填されて孔口部が導電化されることで、前記貫通電極のガラス基材表面にランドが形成されており、ガラス基材表面上に絶縁性樹脂層とその上に配線群が形成され、この配線群は前記絶縁性樹脂層に設けられた導通ビアによって前記ランドと電気的に接続しており、ランドの径が貫通孔の径と同じであり、かつ、ガラス基材表面では前記無機導電性材料、前記導伝層が除去されて、前記ランド部のみが導電化されていることを特徴とする。これにより、ガラス基材の両表面と貫通孔内に、熱膨張率がガラス基材と導電性材料との間に位置する無機密着層を介し、導電性材料からなる貫通電極とその上下端にランドを形成する。更に、その上に積層した絶縁性樹脂層の導通ビアを介して貫通電極と両面の配線群との導通を確保し、ガラスインターポーザーならびにガラスインターポーザー上に半導体素子を固定して半導体装置を製造することにより、熱膨張、熱収縮による導電層パターンとガラス基材との剥離を防止し、充分な信頼性を有するインターポーザー及び半導体装置を提供することが可能となる。
また、本発明の一態様は、インターポーザーもしくは半導体装置において、前記ガラス基材に形成された無機密着層が酸化錫、酸化インジウム、酸化亜鉛、ニッケル、ニッケルリン、クロム、酸化クロム、チッ化アルミ、酸化アルミ、タンタル、チタン、銅など単体ないし２種類以上の複合材料からなる、単層ないし２層以上の積層膜からなることを特徴とする。
また、本発明の一態様は、インターポーザーもしくは半導体装置において、前記導電層及び貫通電極を形成する導電性材料が、銅、銀、金、ニッケル、白金、パラジウム、ルテニウム、錫、錫銀、錫銀銅、錫銅、錫ビスマス、錫鉛の単体金属ないし積層または化合物、あるいはこれらの金属粉と樹脂材料との混合物のいずれかであることを特徴とする。
また、本発明の一態様は、インターポーザーもしくは半導体装置において、前記導電層及び貫通電極を形成する導電性材料が、銅、銀、金、ニッケル、白金、パラジウム、ルテニウム、錫、錫銀、錫銀銅、錫銅、錫ビスマス、錫鉛の単体金属ないし積層または化合物、あるいはこれらの金属粉と樹脂材料との混合物のいずれかであることを特徴とする。
また、本発明の一態様は、インターポーザーもしくは半導体装置において、前記絶縁性樹脂層として、エポキシ／フェノール、ポリイミド、シクロオレフィン、ＰＢＯのいずれかもしくはそれらの複合材料を用いることを特徴とする。
また、本発明の一態様は、インターポーザーもしくは半導体装置において、前記絶縁性樹脂層に形成した導通ビアのボトムの径が前記貫通電極の径より小さいことを特徴とする。
また、本発明の一態様は、インターポーザーもしくは半導体装置において、前記絶縁性樹脂層に形成した導通ビアのボトムの径が前記貫通電極の径より小さいことを特徴とする。
また、本発明の一態様は、インターポーザーもしくは半導体装置おいて、ガラス基材に貫通電極を有したインターポーザーもしくは、このインターポーザー上に固定された半導体素子とからなる半導体装置の製造方法であって、
ガラス基材に貫通孔を形成する工程と、
前記基材の貫通孔の内壁と両表面に前記無機材料からなる無機密着層を形成する工程と、
前記基材の貫通孔の内壁と両表面の前記無機密着層の上に、導電性材料からなる導電層と貫通電極を形成し、貫通孔内を導電性材料にて充填する工程と、
前記貫通電極を残し表面の導電層を除去する工程と、
前記ガラス基材上に絶縁性樹脂層を形成する工程と、
前記絶縁性樹脂層の前記貫通電極上にビア孔を形成する工程と、
前記絶縁性樹脂層上に導電性物質で配線群と導通ビアを形成する工程とを、有することを特徴とする。
ガラス基材に貫通孔を形成する工程と、
前記基材の貫通孔の内壁と両表面に前記無機材料からなる無機密着層を形成する工程と、
前記基材の貫通孔の内壁と両表面の前記無機密着層の上に、導電性材料からなる導電層と貫通電極を形成し、貫通孔内を導電性材料にて充填する工程と、
前記貫通電極を残し表面の導電層を除去する工程と、
前記ガラス基材上に絶縁性樹脂層を形成する工程と、
前記絶縁性樹脂層の前記貫通電極上にビア孔を形成する工程と、
前記絶縁性樹脂層上に導電性物質で配線群と導通ビアを形成する工程とを、有することを特徴とする。
また、本発明の一態様は、インターポーザーもしくは半導体装置において、ガラス基材に貫通電極を有したインターポーザーもしくは、このインターポーザー上に固定された半導体素子とからなる半導体装置の製造方法であって、
ガラス基材に貫通孔を形成する工程と、
前記基材の貫通孔の内壁と両表面に前記無機材料からなる無機密着層を形成する工程と、
前記基材の貫通孔の内壁と両表面の前記無機密着層の上に、導電性材料からなる導電層と貫通電極を形成し、更に貫通孔内の導電性材料皮膜の内側を導電性の樹脂材料にて充填する工程と、
前記ガラス基材の最表面まで導電層と無機密着層を除去し、貫通電極の上下端に導電性材料と前記導電性の樹脂材料とからなるランド部を形成する工程と、
前記ガラス基材上に絶縁性樹脂層を形成する工程と、
前記絶縁性樹脂層の前記貫通電極のランド上にビア孔を形成する工程と、
前記絶縁性樹脂層上に導電性物質で配線群と導通ビアを形成する工程とを、有することを特徴とする。
ガラス基材に貫通孔を形成する工程と、
前記基材の貫通孔の内壁と両表面に前記無機材料からなる無機密着層を形成する工程と、
前記基材の貫通孔の内壁と両表面の前記無機密着層の上に、導電性材料からなる導電層と貫通電極を形成し、更に貫通孔内の導電性材料皮膜の内側を導電性の樹脂材料にて充填する工程と、
前記ガラス基材の最表面まで導電層と無機密着層を除去し、貫通電極の上下端に導電性材料と前記導電性の樹脂材料とからなるランド部を形成する工程と、
前記ガラス基材上に絶縁性樹脂層を形成する工程と、
前記絶縁性樹脂層の前記貫通電極のランド上にビア孔を形成する工程と、
前記絶縁性樹脂層上に導電性物質で配線群と導通ビアを形成する工程とを、有することを特徴とする。
また、本発明の一態様は、インターポーザーもしくは半導体装置において、ガラス基材に貫通電極を有したインターポーザーもしくは、このインターポーザー上に固定された半導体素子とからなる半導体装置の製造方法であって、
ガラス基材に貫通孔を形成する工程と、
前記基材の貫通孔の内壁と両表面に前記無機材料からなる無機密着層を形成する工程と、
前記基材の貫通孔の内壁と両表面の前記無機密着層の上に、導電性材料からなる導電層と貫通電極を形成し、更に貫通孔内の導電性材料皮膜の内側を絶縁性ないし導電性の樹脂にて充填する工程と、
前記貫通電極の上下端に無電解めっきと電解銅めっきにて導電層を形成した後、導電層と無機密着層をパターニングし前記貫通電極にランド部を形成する工程と、
前記ガラス基材上に絶縁性樹脂層を形成する工程と、
前記絶縁性樹脂層の前記貫通電極のランド上にビア孔を形成する工程と、
前記絶縁性樹脂層上に導電性物質で配線群と導通ビアを形成する工程とを、有することを特徴とする。
ガラス基材に貫通孔を形成する工程と、
前記基材の貫通孔の内壁と両表面に前記無機材料からなる無機密着層を形成する工程と、
前記基材の貫通孔の内壁と両表面の前記無機密着層の上に、導電性材料からなる導電層と貫通電極を形成し、更に貫通孔内の導電性材料皮膜の内側を絶縁性ないし導電性の樹脂にて充填する工程と、
前記貫通電極の上下端に無電解めっきと電解銅めっきにて導電層を形成した後、導電層と無機密着層をパターニングし前記貫通電極にランド部を形成する工程と、
前記ガラス基材上に絶縁性樹脂層を形成する工程と、
前記絶縁性樹脂層の前記貫通電極のランド上にビア孔を形成する工程と、
前記絶縁性樹脂層上に導電性物質で配線群と導通ビアを形成する工程とを、有することを特徴とする。
本発明の一態様であれば、熱膨張、熱収縮による導電層パターンの剥離を防止することで充分な信頼性を有することが可能な、インターポーザー、半導体装置、インターポーザーの製造方法、半導体装置の製造方法を提供することが可能となる。
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しつつ説明する。
（第一実施形態）
以下、本発明の第一実施形態（以下、本実施形態と記載する）について、図面を参照しつつ説明する。
（インターポーザー１００の構成）
図１中に示すように、インターポーザー１００は、基材１と、貫通電極３と、無機密着層４と、導電層５（導電層パターン）と、ランド６と、絶縁性樹脂層７と、配線群８と、導通ビア９を備えている。
基材１は、ＳｉＯ２を主成分とする、ガラスからなる基板（ガラス基板）であり、貫通孔１３を有している。
また、基材１の熱膨張率は、低膨張ガラスで３〜４ｐｐｍ／℃、ソーダガラスで８〜９ｐｐｍ／℃であり、製造方法や、Ｎａ等の金属成分の添加により、３〜９ｐｐｍ／℃の制御が可能である。なお、熱膨張率は、ＪＩＳ：Ｒ３１０２やＪＩＳ：Ｋ７１９７に従い、ＴＭＡ（熱機械分析）にて測定した。
また、基材１に貫通孔１３を形成する方法としては、例えば、ＣＯ２レーザーやＵＶレーザー、ピコ秒レーザーやフェムト秒レーザー、エキシマレーザーや放電加工、感光性ガラスやブラスト加工等を使用可能であり、基材１の厚さや貫通孔１３の孔径で選択すれば良い。
（第一実施形態）
以下、本発明の第一実施形態（以下、本実施形態と記載する）について、図面を参照しつつ説明する。
（インターポーザー１００の構成）
図１中に示すように、インターポーザー１００は、基材１と、貫通電極３と、無機密着層４と、導電層５（導電層パターン）と、ランド６と、絶縁性樹脂層７と、配線群８と、導通ビア９を備えている。
基材１は、ＳｉＯ２を主成分とする、ガラスからなる基板（ガラス基板）であり、貫通孔１３を有している。
また、基材１の熱膨張率は、低膨張ガラスで３〜４ｐｐｍ／℃、ソーダガラスで８〜９ｐｐｍ／℃であり、製造方法や、Ｎａ等の金属成分の添加により、３〜９ｐｐｍ／℃の制御が可能である。なお、熱膨張率は、ＪＩＳ：Ｒ３１０２やＪＩＳ：Ｋ７１９７に従い、ＴＭＡ（熱機械分析）にて測定した。
また、基材１に貫通孔１３を形成する方法としては、例えば、ＣＯ２レーザーやＵＶレーザー、ピコ秒レーザーやフェムト秒レーザー、エキシマレーザーや放電加工、感光性ガラスやブラスト加工等を使用可能であり、基材１の厚さや貫通孔１３の孔径で選択すれば良い。
貫通電極３は、導電性材料で形成されており、貫通孔１３内に配置されている。
貫通電極３を形成する導電性材料としては、例えば、銅、銀、金、ニッケル、白金、パラジウム、ルテニウム、錫、錫銀、錫銀銅、錫銅、錫ビスマス、錫鉛のうちいずれかの単体金属、または、いずれかの単体金属の積層や化合物が使用可能であり、無機密着層４との密着性や、電気的に接続安定性の高い材料を選定すれば良い。
また、貫通電極３を形成する導電性材料としては、例えば、上述した材料のうち少なくとも一つの金属粉と樹脂材料との混合物である導電性ペーストも使用可能である。
また、貫通電極３を形成する方法としては、特に規定しないが、無電解めっき法や電解めっき法を用いることが可能である。
貫通電極３を形成する導電性材料としては、例えば、銅、銀、金、ニッケル、白金、パラジウム、ルテニウム、錫、錫銀、錫銀銅、錫銅、錫ビスマス、錫鉛のうちいずれかの単体金属、または、いずれかの単体金属の積層や化合物が使用可能であり、無機密着層４との密着性や、電気的に接続安定性の高い材料を選定すれば良い。
また、貫通電極３を形成する導電性材料としては、例えば、上述した材料のうち少なくとも一つの金属粉と樹脂材料との混合物である導電性ペーストも使用可能である。
また、貫通電極３を形成する方法としては、特に規定しないが、無電解めっき法や電解めっき法を用いることが可能である。
なお、めっき法で形成する貫通電極３の形態としては、コンフォーマルめっき形態やフィルドめっき形態がある。コンフォーマルめっき形態では、貫通孔１３の中央にスルーホール状の孔が残っており、絶縁性樹脂や導電性ペーストをスクリーン印刷法で充填すれば良い。ここで、導電性ペーストで充填する場合は、コンフォーマルめっき皮膜とともにランド６とし、導通ビア９と導通を確保することが可能である。また、導電性ペーストの表面に無電解めっき層や電解めっき層を導電層５として形成し、さらに、コンフォーマルめっき皮膜との導通性を向上してランド６とし、導通ビア９と導通を確保することも可能である。一方、絶縁性樹脂で充填する場合は、絶縁性樹脂の表面に無電解めっき層や電解めっき層を形成して、コンフォーマルめっき皮膜との導通性を確保してランド６とし、導通ビア９と導通を確保すれば良い。
また、貫通電極３を形成する方法としては、例えば、無機密着層４を形成した後に、導電性ペーストをスクリーン印刷法で充填して、貫通電極３とする方法を用いることも可能である。
なお、導電性材料として多く使用される銅の熱膨張率は、１６ｐｐｍ／℃程度である。
無機密着層４は、基材１の両面と貫通孔１３内に形成されている。また、無機密着層４のうち、貫通孔１３内に形成されている部分は、貫通電極３と貫通孔１３の内径側壁面（内径面）との間に配置されている。
なお、導電性材料として多く使用される銅の熱膨張率は、１６ｐｐｍ／℃程度である。
無機密着層４は、基材１の両面と貫通孔１３内に形成されている。また、無機密着層４のうち、貫通孔１３内に形成されている部分は、貫通電極３と貫通孔１３の内径側壁面（内径面）との間に配置されている。
また、無機密着層４の材料としては、基材１と導電性材料との密着性が高く、且つ熱膨張率が基材１より高い材料である、酸化錫、酸化インジウム、酸化亜鉛、ニッケル（熱膨張率：１５ｐｐｍ／℃）、ニッケルリン、クロム（熱膨張率：８ｐｐｍ／℃）、酸化クロム、チッ化アルミ、酸化アルミ、タンタル（熱膨張率：６ｐｐｍ／℃）、チタン（熱膨張率：９ｐｐｍ／℃）、銅（熱膨張率：１６ｐｐｍ／℃）等の材料が使用可能である。これにより、基材１と、貫通電極３及び導電層５との間の密着力を向上させることが可能となる。これに加え、無機密着層４が基材１に比べて熱膨張率が高い事で、貫通電極３及び導電層５と基材１の線膨張係数の差によって発生する、層間にかかる応力を低減することが可能となる。
また、無機密着層４の熱膨張率の上限は、導電性材料の熱膨張率の上限よりも低いことが望ましい。
また、無機密着層４の材料として、上述した密着力の高い材料を使用することにより、導電性材料と基材１の熱膨張率の差によって発生する、層間にかかる応力を低減して、導電性材料の剥離を回避することが可能となる。
また、無機密着層４は、上記の材料を、単体、または、ＩＴＯ膜（熱膨張率：９ｐｐｍ／℃）のように、二種類以上の複合材料を単層にて使用する事が可能である。また、無機密着層４は、クロム／銅、チタン／銅のように、二種類以上の複合材料を２層以上の積層膜にて使用することが可能である。
また、無機密着層４の材料として、上述した密着力の高い材料を使用することにより、導電性材料と基材１の熱膨張率の差によって発生する、層間にかかる応力を低減して、導電性材料の剥離を回避することが可能となる。
また、無機密着層４は、上記の材料を、単体、または、ＩＴＯ膜（熱膨張率：９ｐｐｍ／℃）のように、二種類以上の複合材料を単層にて使用する事が可能である。また、無機密着層４は、クロム／銅、チタン／銅のように、二種類以上の複合材料を２層以上の積層膜にて使用することが可能である。
また、無機密着層４の膜厚は特に規定しないが、０．１μｍ以上１μｍ以下の範囲内であれば、基材１との密着性と、熱膨張率の差を緩和する効果を得ることが可能である。
また、無機密着層４の形成方法は特に規定しないが、スパッタ成膜法、無電解めっき法等を用いることが可能である。
導電層５は、導電性材料で形成されており、無機密着層４を介して、基材１の両面に配置されている。
導電層５を形成する導電性材料としては、例えば、銅、銀、金、ニッケル、白金、パラジウム、ルテニウム、錫、錫銀、錫銀銅、錫銅、錫ビスマス、錫鉛のうちいずれかの単体金属、または、いずれかの単体金属の積層や化合物が使用可能であり、無機密着層４との密着性や、電気的に接続安定性の高い材料を選定すれば良い。
また、無機密着層４の形成方法は特に規定しないが、スパッタ成膜法、無電解めっき法等を用いることが可能である。
導電層５は、導電性材料で形成されており、無機密着層４を介して、基材１の両面に配置されている。
導電層５を形成する導電性材料としては、例えば、銅、銀、金、ニッケル、白金、パラジウム、ルテニウム、錫、錫銀、錫銀銅、錫銅、錫ビスマス、錫鉛のうちいずれかの単体金属、または、いずれかの単体金属の積層や化合物が使用可能であり、無機密着層４との密着性や、電気的に接続安定性の高い材料を選定すれば良い。
また、導電層５を形成する導電性材料としては、例えば、上述した材料のうち少なくとも一つの金属粉と樹脂材料との混合物である導電性ペーストも使用可能である。
また、導電層５を形成する方法としては、特に規定しないが、無電解めっき法や電解めっき法を用いることが可能である。
ランド６は、導電層５を挟んで貫通電極３の上下端に形成されている。
ランド６の形状は、例えば、基材１の表面と同じ高さで形成する形状や、基材１の表面よりも数ミクロン高く形成する形状とすることが可能である。
また、ランド６を形成する方法としては、特に規定しないが、貫通孔１３の内部を導電性材料や絶縁性樹脂で充填した後、導電層５や、貫通孔１３内に充填した樹脂を基材１の表面まで研磨除去して貫通電極３の上下端を露出させてランド６とする工法や、貫通電極３の上下端に位置する導電層５をパターニングしてランド６とする工法を用いることが可能である。
また、導電層５を形成する方法としては、特に規定しないが、無電解めっき法や電解めっき法を用いることが可能である。
ランド６は、導電層５を挟んで貫通電極３の上下端に形成されている。
ランド６の形状は、例えば、基材１の表面と同じ高さで形成する形状や、基材１の表面よりも数ミクロン高く形成する形状とすることが可能である。
また、ランド６を形成する方法としては、特に規定しないが、貫通孔１３の内部を導電性材料や絶縁性樹脂で充填した後、導電層５や、貫通孔１３内に充填した樹脂を基材１の表面まで研磨除去して貫通電極３の上下端を露出させてランド６とする工法や、貫通電極３の上下端に位置する導電層５をパターニングしてランド６とする工法を用いることが可能である。
また、ランド６を形成する方法としては、例えば、貫通孔１３の両端をランド６の形状に削り、導電性材料を充填する工法を用いることが可能である。この場合、ランド６以外の無機密着層４は、研磨、または、パターニングの際のエッチング処理により除去するものとする。
なお、貫通電極３をフィルドめっき形態で形成した場合、貫通電極３上にそのままスタック形成して、ランド６を形成することが可能である。
ランド６の外径は、貫通孔１３の内径と同じとする。なお、ランド６の外径は、導通ビア９の形成の加工精度を加味して、貫通孔１３の内径よりも大きくしてもよい。この場合、加工精度の変動要因として、基材１の伸縮、ビア孔の加工方式の位置精度バラツキなどが挙げられ、ランド６の外径の上限として、貫通孔１３の内径よりも２０μｍまで大きくすれば、ランド６より導通ビア９が脱落することなく、良好な導通性を得ることが可能となる。
なお、貫通電極３をフィルドめっき形態で形成した場合、貫通電極３上にそのままスタック形成して、ランド６を形成することが可能である。
ランド６の外径は、貫通孔１３の内径と同じとする。なお、ランド６の外径は、導通ビア９の形成の加工精度を加味して、貫通孔１３の内径よりも大きくしてもよい。この場合、加工精度の変動要因として、基材１の伸縮、ビア孔の加工方式の位置精度バラツキなどが挙げられ、ランド６の外径の上限として、貫通孔１３の内径よりも２０μｍまで大きくすれば、ランド６より導通ビア９が脱落することなく、良好な導通性を得ることが可能となる。
絶縁性樹脂層７は、導電層５上に形成されている。
また、絶縁性樹脂層７は、必要な層数が積層されている。なお、絶縁性樹脂層７の層数は、例えば、製品の設計により設定すれば良い。
また、絶縁性樹脂層７の材料としては、エポキシ／フェノール系樹脂、ポリイミド樹脂、シクロオレフィン、ＰＢＯ樹脂のうちいずれか一つの材料、または、少なくとも二つの材料を組み合わせた複合材料を用いることが可能である。
この場合、例えば、絶縁性樹脂層７の材料を、熱膨張率が３０〜１００ｐｐｍ／℃と導電性材料よりも高く、かつ弾性率が高い材料とすることにより、導電層５を覆うことで導電層５と基材１との層間にかかる応力を減少させて、導電層５の剥離を抑制する効果を付与することが可能となる。
また、絶縁性樹脂層７は、必要な層数が積層されている。なお、絶縁性樹脂層７の層数は、例えば、製品の設計により設定すれば良い。
また、絶縁性樹脂層７の材料としては、エポキシ／フェノール系樹脂、ポリイミド樹脂、シクロオレフィン、ＰＢＯ樹脂のうちいずれか一つの材料、または、少なくとも二つの材料を組み合わせた複合材料を用いることが可能である。
この場合、例えば、絶縁性樹脂層７の材料を、熱膨張率が３０〜１００ｐｐｍ／℃と導電性材料よりも高く、かつ弾性率が高い材料とすることにより、導電層５を覆うことで導電層５と基材１との層間にかかる応力を減少させて、導電層５の剥離を抑制する効果を付与することが可能となる。
また、絶縁性樹脂層７の材料としては、例えば、ドライフィルムや液レジが使用可能であり、特に規定するものではない。
配線群８は、絶縁性樹脂層７上に形成されている。
また、配線群８は、必要な層数が積層されている。なお、配線群８の層数は、例えば、製品の設計により設定すれば良い。
また、配線群８の形成方法は特に規定しないが、無電解めっき、または、スパッタ膜をシード層として、電解めっきにて厚付けし、セミアディティブ法やサブトラクティブ法によりパターン形成する方法を用いてもよい。
配線群８は、絶縁性樹脂層７上に形成されている。
また、配線群８は、必要な層数が積層されている。なお、配線群８の層数は、例えば、製品の設計により設定すれば良い。
また、配線群８の形成方法は特に規定しないが、無電解めっき、または、スパッタ膜をシード層として、電解めっきにて厚付けし、セミアディティブ法やサブトラクティブ法によりパターン形成する方法を用いてもよい。
導通ビア９は、絶縁性樹脂層７に形成されており、導電層５と配線群８を、電気的に接続させている。
また、導通ビア９の基材１側の径（ボトムの径）は、貫通孔１３及び貫通電極３の径よりも小さくする。これにより、スタックド構造で導通ビア９を積層する事が可能になり、絶縁性樹脂層７上の配線群８とランド６を形成する上で、ランド６間に配置可能な配線本数を増やすことが可能になると共に、基材１に形成する貫通孔１３の孔ピッチを狭く形成することが可能になる。
また、導通ビア９は、絶縁性樹脂層７に形成したビア孔内に、コンフォーマルめっき等、導電性物質を充填する加工を行って形成する。
また、導通ビア９の基材１側の径（ボトムの径）は、貫通孔１３及び貫通電極３の径よりも小さくする。これにより、スタックド構造で導通ビア９を積層する事が可能になり、絶縁性樹脂層７上の配線群８とランド６を形成する上で、ランド６間に配置可能な配線本数を増やすことが可能になると共に、基材１に形成する貫通孔１３の孔ピッチを狭く形成することが可能になる。
また、導通ビア９は、絶縁性樹脂層７に形成したビア孔内に、コンフォーマルめっき等、導電性物質を充填する加工を行って形成する。
絶縁性樹脂層７にビア孔を形成する方法は、例えば、絶縁性樹脂層７の材料により選択すれば良く、絶縁性樹脂層７の材料が熱硬化性樹脂であれば、ＣＯ２レーザーやＵＶレーザー等が用いた加工により形成可能であり、レーザー加工の後は、レーザー加工で発生したスミアを除去する為にデスミア処理を行えば良い。また、絶縁性樹脂層７の材料が感光性レジストの場合は、フォトリソ法にて形成すれば良い。
以上により、本実施形態のインターポーザー１００は、多層構造の貫通電極付きインターポーザーである。また、本実施形態のインターポーザー１００であれば、基材１の両面に形成した配線群８の間で、高い導通信頼性を実現することが可能となる。
なお、図１中に示す絶縁性樹脂層７及び配線群８の必要層数や、導通パッド部の金属層の形状や高さは、一例であり、特に規定するものではない。
以上により、本実施形態のインターポーザー１００は、多層構造の貫通電極付きインターポーザーである。また、本実施形態のインターポーザー１００であれば、基材１の両面に形成した配線群８の間で、高い導通信頼性を実現することが可能となる。
なお、図１中に示す絶縁性樹脂層７及び配線群８の必要層数や、導通パッド部の金属層の形状や高さは、一例であり、特に規定するものではない。
（半導体装置２００の構成）
図２中に示すように、半導体装置２００は、インターポーザー１００と、半導体素子１１を備えている。
インターポーザー１００は、ハンダボール１４を用いて、図示しないプリント基板に搭載する。
半導体素子１１は、図示しないハンダボールを用いて、インターポーザー１００の片面（図２中では、上側の面）に搭載する。
なお、図２中に示す半導体素子１１の形状や、半導体素子１１とインターポーザー１００との接続方式は、一例であり、特に規定するものではない。
以上により、本実施形態の半導体装置２００であれば、接続対象である半導体素子１１やインターポーザー１００との間で導通パッドの材料を最適化することで、高い接続強度を得るとともに、実装時の熱変形の最適化により、高い接続信頼性を実現することが可能となる。
図２中に示すように、半導体装置２００は、インターポーザー１００と、半導体素子１１を備えている。
インターポーザー１００は、ハンダボール１４を用いて、図示しないプリント基板に搭載する。
半導体素子１１は、図示しないハンダボールを用いて、インターポーザー１００の片面（図２中では、上側の面）に搭載する。
なお、図２中に示す半導体素子１１の形状や、半導体素子１１とインターポーザー１００との接続方式は、一例であり、特に規定するものではない。
以上により、本実施形態の半導体装置２００であれば、接続対象である半導体素子１１やインターポーザー１００との間で導通パッドの材料を最適化することで、高い接続強度を得るとともに、実装時の熱変形の最適化により、高い接続信頼性を実現することが可能となる。
本発明の実施例について、インターポーザーの製造方法と、半導体装置の製造方法を含めて説明する。
（本発明例１）
以下、本発明例１について、図１及び図２を参照しつつ、図３から図８を用いて説明する。
基板１は、厚さが０．３ｍｍ、大きさが２００ｍｍ×２００ｍｍ、熱膨張率が４ｐｐｍ／℃の低膨張ガラスで形成した。
無機密着層４は、スパッタにて、０．１μｍ厚のＣｒ膜（熱膨張率：８ｐｐｍ／℃）と、０．２μｍ厚のＣｕ膜を積層して形成した。
また、電解銅めっき２（熱膨張率：１６ｐｐｍ／℃）の層を、導電性材料を用いて形成し、貫通電極３をフィルド銅めっき構成で形成し、導電層５は、他の構成に応じた膜厚で形成した。
（本発明例１）
以下、本発明例１について、図１及び図２を参照しつつ、図３から図８を用いて説明する。
基板１は、厚さが０．３ｍｍ、大きさが２００ｍｍ×２００ｍｍ、熱膨張率が４ｐｐｍ／℃の低膨張ガラスで形成した。
無機密着層４は、スパッタにて、０．１μｍ厚のＣｒ膜（熱膨張率：８ｐｐｍ／℃）と、０．２μｍ厚のＣｕ膜を積層して形成した。
また、電解銅めっき２（熱膨張率：１６ｐｐｍ／℃）の層を、導電性材料を用いて形成し、貫通電極３をフィルド銅めっき構成で形成し、導電層５は、他の構成に応じた膜厚で形成した。
絶縁性樹脂層７の材料には、エポキシ系樹脂からなるＡＢＦを使用した。
配線群８の材料には、シード層に無電解銅めっきを使用し、電解銅めっきの厚さを８μｍとし、配線群のＬＳ値を１０μｍとし、セミアディティブ法により形成した。
導通ビア９は、コンフォーマルめっきにて形成した。絶縁性樹脂層７への導通ビア９の形成には、ＵＶ−ＹＡＧレーザーを使用した。
基材１への貫通孔１３の形成には、ピコ秒レーザーを使用した。貫通孔１３と導通ビア９の内径は、５０μｍφとした。
本発明例１のインターポーザー１００の製造方法としては、貫通孔形成工程と、無機密着層形成工程と、導電層・貫通電極形成工程と、不要層除去工程と、絶縁性樹脂層工程と、ビア形成工程と、配線群・導通ビア形成工程を含む方法を用いた。
貫通孔形成工程では、図３中に示すように、基板１に対し、ピコ秒レーザーにて貫通孔１３を形成した。
配線群８の材料には、シード層に無電解銅めっきを使用し、電解銅めっきの厚さを８μｍとし、配線群のＬＳ値を１０μｍとし、セミアディティブ法により形成した。
導通ビア９は、コンフォーマルめっきにて形成した。絶縁性樹脂層７への導通ビア９の形成には、ＵＶ−ＹＡＧレーザーを使用した。
基材１への貫通孔１３の形成には、ピコ秒レーザーを使用した。貫通孔１３と導通ビア９の内径は、５０μｍφとした。
本発明例１のインターポーザー１００の製造方法としては、貫通孔形成工程と、無機密着層形成工程と、導電層・貫通電極形成工程と、不要層除去工程と、絶縁性樹脂層工程と、ビア形成工程と、配線群・導通ビア形成工程を含む方法を用いた。
貫通孔形成工程では、図３中に示すように、基板１に対し、ピコ秒レーザーにて貫通孔１３を形成した。
無機密着層形成工程では、図４中に示すように、基材１の両面に対し、スパッタＣｒ膜とスパッタＣｕ膜を連続して成膜し、基材１の表面と貫通孔１３内に、無機密着層４を形成した。
導電層・貫通電極形成工程では、図５中に示すように、基材１の両面に対し、無機密着層４の上に、導電性材料を用いて電解銅めっき２を形成した。これに加え、貫通孔１３内に銅めっきを充填したフィルドめっき構成により、貫通孔１３内に貫通電極３を形成した。
不要層除去工程では、図６中に示すように、基材１の両面に形成した電解銅めっき２を、ケミカルポリッシュで除去し、さらに、無機密着層４のＣｒスパッタ膜を硝酸セリウムアンモニウム水溶液にてエッチング除去して、基材１に貫通電極３を配置したコア基板１０を形成した。
導電層・貫通電極形成工程では、図５中に示すように、基材１の両面に対し、無機密着層４の上に、導電性材料を用いて電解銅めっき２を形成した。これに加え、貫通孔１３内に銅めっきを充填したフィルドめっき構成により、貫通孔１３内に貫通電極３を形成した。
不要層除去工程では、図６中に示すように、基材１の両面に形成した電解銅めっき２を、ケミカルポリッシュで除去し、さらに、無機密着層４のＣｒスパッタ膜を硝酸セリウムアンモニウム水溶液にてエッチング除去して、基材１に貫通電極３を配置したコア基板１０を形成した。
絶縁性樹脂層工程及びビア形成工程では、図７中に示すように、コア基板１０の両面に絶縁性樹脂層７をラミネートし、貫通電極３上の絶縁性樹脂層７にＵＶ−ＹＡＧレーザーにてビア孔を形成した。ここで、ビア孔の径は、貫通電極３の径よりも小径とした。また、ＵＶ−ＹＡＧレーザー加工にて生じたビア孔内の塵を、アルカリ水溶液系の処理液でデスミアしてクリーニングした。
配線群・導通ビア形成工程では、絶縁性樹脂層７の上に、シード層として無電解銅めっきを形成した。さらに、シード層の上へ、図８中に示すように、ネガ形レジストにて配線群８と導通ビア９が開口したレジストパターンを形成し、セミアディティブ法により、導電性材料として電解銅めっきを８μｍ厚で形成した後、レジスト及び不要部分のシード層を除去して、配線群８と導通ビア９を形成した。
配線群・導通ビア形成工程では、絶縁性樹脂層７の上に、シード層として無電解銅めっきを形成した。さらに、シード層の上へ、図８中に示すように、ネガ形レジストにて配線群８と導通ビア９が開口したレジストパターンを形成し、セミアディティブ法により、導電性材料として電解銅めっきを８μｍ厚で形成した後、レジスト及び不要部分のシード層を除去して、配線群８と導通ビア９を形成した。
また、本発明例１の半導体装置２００の製造方法としては、上述したインターポーザーの製造方法で製造されたインターポーザー１００に導通パッドを形成する導通パッド形成工程と、導通パッド上に半導体素子１１を固定する半導体素子固定工程を含む方法を用いた。
導通パッド形成工程では、基板１へ感光性のソルダーレジスト１２を積層して露光及び現像を行い、Ｎｉ／Ａｕめっきにて導通パッド部を形成した。
半導体素子固定工程では、ハンダにより、導通パッド上に半導体素子１１を固定した。
なお、本発明例１では、片面の配線群８の層数を２層とし、表面の被覆層をソルダーレジスト１２とし、導通パッド表面の表面処理をＮｉ／Ａｕとしたが、これらの構成は、特に限定するものではない。
導通パッド形成工程では、基板１へ感光性のソルダーレジスト１２を積層して露光及び現像を行い、Ｎｉ／Ａｕめっきにて導通パッド部を形成した。
半導体素子固定工程では、ハンダにより、導通パッド上に半導体素子１１を固定した。
なお、本発明例１では、片面の配線群８の層数を２層とし、表面の被覆層をソルダーレジスト１２とし、導通パッド表面の表面処理をＮｉ／Ａｕとしたが、これらの構成は、特に限定するものではない。
（本発明例２）
以下、本発明例２について、図１から図８を参照しつつ、図９から図１５を用いて説明する。
基板１は、厚さが０．３ｍｍ、大きさが２００ｍｍ×２００ｍｍ、熱膨張率が４ｐｐｍ／℃の低膨張ガラスで形成した。
無機密着層４は、スパッタにて、０．１μｍ厚のＣｒ膜（熱膨張率：８ｐｐｍ／℃）と、０．２μｍ厚のＣｕ膜を積層して形成した。
また、電解銅めっき２（熱膨張率：１６ｐｐｍ／℃）の層を、導電性材料を用いて形成し、貫通電極３をコンフォーマル銅めっき構成で形成し、導電層５を８μｍの膜厚で形成した。
また、貫通電極３のスルーホールの内部には、銅粉と有機樹脂の混合材料からなる導電性ペーストを充填した。
以下、本発明例２について、図１から図８を参照しつつ、図９から図１５を用いて説明する。
基板１は、厚さが０．３ｍｍ、大きさが２００ｍｍ×２００ｍｍ、熱膨張率が４ｐｐｍ／℃の低膨張ガラスで形成した。
無機密着層４は、スパッタにて、０．１μｍ厚のＣｒ膜（熱膨張率：８ｐｐｍ／℃）と、０．２μｍ厚のＣｕ膜を積層して形成した。
また、電解銅めっき２（熱膨張率：１６ｐｐｍ／℃）の層を、導電性材料を用いて形成し、貫通電極３をコンフォーマル銅めっき構成で形成し、導電層５を８μｍの膜厚で形成した。
また、貫通電極３のスルーホールの内部には、銅粉と有機樹脂の混合材料からなる導電性ペーストを充填した。
絶縁性樹脂層７の材料には、エポキシ系樹脂からなるＡＢＦを使用した。
配線群８の材料には、シード層に無電解銅めっきを使用し、電解銅めっきの厚さを８μｍとし、配線群のＬＳ値を１０μｍとし、セミアディティブ法により形成した。
導通ビア９は、コンフォーマルめっきにて形成した。絶縁性樹脂層７への導通ビア９の形成には、ＵＶ−ＹＡＧレーザーを使用した。
基材１への貫通孔１３の形成には、ピコ秒レーザーを使用した。貫通孔１３と導通ビア９の内径は、５０μｍφとした。
導通パッド部は、Ｎｉ／Ａｕめっきにて形成し、半導体素子１１とは、ハンダによる接続を想定した。
配線群８の材料には、シード層に無電解銅めっきを使用し、電解銅めっきの厚さを８μｍとし、配線群のＬＳ値を１０μｍとし、セミアディティブ法により形成した。
導通ビア９は、コンフォーマルめっきにて形成した。絶縁性樹脂層７への導通ビア９の形成には、ＵＶ−ＹＡＧレーザーを使用した。
基材１への貫通孔１３の形成には、ピコ秒レーザーを使用した。貫通孔１３と導通ビア９の内径は、５０μｍφとした。
導通パッド部は、Ｎｉ／Ａｕめっきにて形成し、半導体素子１１とは、ハンダによる接続を想定した。
本発明例２のインターポーザー１００の製造方法としては、貫通孔形成工程と、無機密着層形成工程と、導電層・貫通電極形成工程と、ランド形成工程と、絶縁性樹脂層工程と、ビア形成工程と、配線群・導通ビア形成工程を含む方法を用いた。
貫通孔形成工程では、図９中に示すように、基板１に対し、ピコ秒レーザーにて貫通孔１３を形成した。
無機密着層形成工程では、図１０中に示すように、基材１の両面に対し、スパッタＣｒ膜とスパッタＣｕ膜を連続して成膜し、基材１の表面と貫通孔１３内に、無機密着層４を形成した。
導電層・貫通電極形成工程では、図１１中に示すように、基材１の両面に対し、無機密着層４の上に、導電性材料を用いて電解銅めっき２を形成した。これに加え、貫通孔１３内に銅めっきを充填したコンフォーマルめっき構成により、貫通孔１３内に貫通電極３を形成した。また、貫通電極３のスルーホール内部は、導電性ペーストを真空印刷にて充填させた後に硬化させた。
貫通孔形成工程では、図９中に示すように、基板１に対し、ピコ秒レーザーにて貫通孔１３を形成した。
無機密着層形成工程では、図１０中に示すように、基材１の両面に対し、スパッタＣｒ膜とスパッタＣｕ膜を連続して成膜し、基材１の表面と貫通孔１３内に、無機密着層４を形成した。
導電層・貫通電極形成工程では、図１１中に示すように、基材１の両面に対し、無機密着層４の上に、導電性材料を用いて電解銅めっき２を形成した。これに加え、貫通孔１３内に銅めっきを充填したコンフォーマルめっき構成により、貫通孔１３内に貫通電極３を形成した。また、貫通電極３のスルーホール内部は、導電性ペーストを真空印刷にて充填させた後に硬化させた。
ランド形成工程では、図１２中に示すように、基材１の両面に形成した電解銅めっき２と、貫通電極３のうち、貫通孔１３から突出した導電性ペーストを、ケミカルポリッシュにて基材１上の厚さが３μｍになるまで研磨し、スルーホール部の導電性ペーストの蓋として機能するめっきとして、基材１の表面に電解銅めっきを厚さ５μｍで形成した。さらに、ランド形成工程では、図１３中に示すように、貫通電極３の両端に、貫通電極３と同じ大きさのランド６を形成するために、感光性レジストでランド６を被覆したレジストパターンを形成し、基材１の表面のランド６以外の部分の銅めっきと、無機密着層４のＣｒスパッタ膜とをウエットエッチングして、基材１に貫通電極３を配置したコア基板１０を形成した。
絶縁性樹脂層工程及びビア形成工程では、図１４中に示すように、コア基板１０の両面に絶縁性樹脂層７をラミネートし、貫通電極３上の絶縁性樹脂層７にＵＶ−ＹＡＧレーザーにてビア孔を形成した。ここで、ビア孔の径は、貫通電極３の径よりも小径とした。また、ＵＶ−ＹＡＧレーザー加工にて生じたビア孔内の塵を、アルカリ水溶液系の処理液でデスミアしてクリーニングした。
配線群・導通ビア形成工程では、絶縁性樹脂層７の上に、シード層として無電解銅めっきを形成した。さらに、シード層の上へ、図１５中に示すように、ネガ形レジストにて配線群８と導通ビア９が開口したレジストパターンを形成し、セミアディティブ法により、導電性材料として電解銅めっきを８μｍ厚で形成した後、レジスト及び不要部分のシード層を除去して、配線群８と導通ビア９を形成した。
配線群・導通ビア形成工程では、絶縁性樹脂層７の上に、シード層として無電解銅めっきを形成した。さらに、シード層の上へ、図１５中に示すように、ネガ形レジストにて配線群８と導通ビア９が開口したレジストパターンを形成し、セミアディティブ法により、導電性材料として電解銅めっきを８μｍ厚で形成した後、レジスト及び不要部分のシード層を除去して、配線群８と導通ビア９を形成した。
また、本発明例２の半導体装置２００の製造方法としては、上述したインターポーザーの製造方法で製造されたインターポーザー１００に導通パッドを形成する導通パッド形成工程と、導通パッド上に半導体素子１１を固定する半導体素子固定工程を含む方法を用いた。
導通パッド形成工程では、基板１へ感光性のソルダーレジスト１２を積層して露光及び現像を行い、Ｎｉ／Ａｕめっきにて導通パッド部を形成した。
半導体素子固定工程では、ハンダにより、導通パッド上に半導体素子１１を固定した。
なお、本発明例２では、片面の配線群８の層数を２層とし、表面の被覆層をソルダーレジスト１２とし、導通パッド表面の表面処理をＮｉ／Ａｕとしたが、これらの構成は、特に限定するものではない。
導通パッド形成工程では、基板１へ感光性のソルダーレジスト１２を積層して露光及び現像を行い、Ｎｉ／Ａｕめっきにて導通パッド部を形成した。
半導体素子固定工程では、ハンダにより、導通パッド上に半導体素子１１を固定した。
なお、本発明例２では、片面の配線群８の層数を２層とし、表面の被覆層をソルダーレジスト１２とし、導通パッド表面の表面処理をＮｉ／Ａｕとしたが、これらの構成は、特に限定するものではない。
（本発明例１及び２の評価）
本発明例１の実施により、基材１と電解銅めっき２の間に位置し、熱膨張率を有する無機密着層４を形成する事で、基材１と貫通電極３の密着性が向上し、且つ熱膨張熱収縮の条件下での信頼性試験にて、貫通電極３の剥離を回避することが可能なインターポーザー１００を得ることが可能であることを確認した。
また、本発明例２の実施により、基材１と電解銅めっき２の間に位置し、熱膨張率を有する無機密着層４を形成する事で、基材１と貫通電極３の密着性が向上し、且つ熱膨張熱収縮の条件下での信頼性試験にて、貫通電極３の剥離を回避することが可能なインターポーザー１００を得ることが可能であることを確認した。
本発明例１の実施により、基材１と電解銅めっき２の間に位置し、熱膨張率を有する無機密着層４を形成する事で、基材１と貫通電極３の密着性が向上し、且つ熱膨張熱収縮の条件下での信頼性試験にて、貫通電極３の剥離を回避することが可能なインターポーザー１００を得ることが可能であることを確認した。
また、本発明例２の実施により、基材１と電解銅めっき２の間に位置し、熱膨張率を有する無機密着層４を形成する事で、基材１と貫通電極３の密着性が向上し、且つ熱膨張熱収縮の条件下での信頼性試験にて、貫通電極３の剥離を回避することが可能なインターポーザー１００を得ることが可能であることを確認した。
（比較例）
以下、比較例について、図１から図１５を参照しつつ、図１６から図２２を用いて説明する。
基板１は、厚さが０．３ｍｍ、大きさが２００ｍｍ×２００ｍｍ、熱膨張率が４ｐｐｍ／℃の低膨張ガラスで形成した。
無機密着層４は、スパッタにて、０．２μｍ厚のＣｕ膜で形成した。
また、電解銅めっき２（熱膨張率：１６ｐｐｍ／℃）の層を、導電性材料を用いて形成し、貫通電極３をコンフォーマル銅めっき構成で形成し、導電層５を８μｍの膜厚で形成した。
また、貫通電極３のスルーホールの内部には、銅粉と有機樹脂の混合材料からなる導電性ペーストを充填した。
以下、比較例について、図１から図１５を参照しつつ、図１６から図２２を用いて説明する。
基板１は、厚さが０．３ｍｍ、大きさが２００ｍｍ×２００ｍｍ、熱膨張率が４ｐｐｍ／℃の低膨張ガラスで形成した。
無機密着層４は、スパッタにて、０．２μｍ厚のＣｕ膜で形成した。
また、電解銅めっき２（熱膨張率：１６ｐｐｍ／℃）の層を、導電性材料を用いて形成し、貫通電極３をコンフォーマル銅めっき構成で形成し、導電層５を８μｍの膜厚で形成した。
また、貫通電極３のスルーホールの内部には、銅粉と有機樹脂の混合材料からなる導電性ペーストを充填した。
絶縁性樹脂層７の材料には、エポキシ系樹脂からなるＡＢＦを使用した。
配線群８の材料には、シード層に無電解銅めっきを使用し、電解銅めっきの厚さを８μｍとし、配線群のＬＳ値を１０μｍとし、セミアディティブ法により形成した。
導通ビア９は、コンフォーマルめっきにて形成した。絶縁性樹脂層７への導通ビア９の形成には、ＵＶ−ＹＡＧレーザーを使用した。
基材１への貫通孔１３の形成には、ピコ秒レーザーを使用した。貫通孔１３と導通ビア９の内径は、５０μｍφとした。
比較例のインターポーザー１００を製造する方法では、まず、図１６中に示すように、基板１に対し、ピコ秒レーザーにて貫通孔１３を形成した。
配線群８の材料には、シード層に無電解銅めっきを使用し、電解銅めっきの厚さを８μｍとし、配線群のＬＳ値を１０μｍとし、セミアディティブ法により形成した。
導通ビア９は、コンフォーマルめっきにて形成した。絶縁性樹脂層７への導通ビア９の形成には、ＵＶ−ＹＡＧレーザーを使用した。
基材１への貫通孔１３の形成には、ピコ秒レーザーを使用した。貫通孔１３と導通ビア９の内径は、５０μｍφとした。
比較例のインターポーザー１００を製造する方法では、まず、図１６中に示すように、基板１に対し、ピコ秒レーザーにて貫通孔１３を形成した。
次に、図１７中に示すように、基材１の両面に対し、スパッタＣｕ膜を成膜し、基材１の表面と貫通孔１３内に、無機密着層４を形成した。
そして、図１８中に示すように、無機密着層４の上に、導電性材料を用いて電解銅めっき２を形成した。これに加え、貫通孔１３内に銅めっきを充填したコンフォーマルめっき構成により、貫通孔１３内に貫通電極３を形成した。また、貫通電極３のスルーホール内部は、導電性ペーストを真空印刷にて充填させた後に硬化させた。
次に、図１９中に示すように、基材１の両面に形成した電解銅めっき２と、貫通電極３のうち、貫通孔１３から突出した導電性ペーストを、ケミカルポリッシュにて基材１上の厚さが３μｍになるまで研磨し、スルーホール部の導電性ペーストの蓋として機能するめっきとして、基材１の表面に電解銅めっきを厚さ５μｍで形成した。
そして、図１８中に示すように、無機密着層４の上に、導電性材料を用いて電解銅めっき２を形成した。これに加え、貫通孔１３内に銅めっきを充填したコンフォーマルめっき構成により、貫通孔１３内に貫通電極３を形成した。また、貫通電極３のスルーホール内部は、導電性ペーストを真空印刷にて充填させた後に硬化させた。
次に、図１９中に示すように、基材１の両面に形成した電解銅めっき２と、貫通電極３のうち、貫通孔１３から突出した導電性ペーストを、ケミカルポリッシュにて基材１上の厚さが３μｍになるまで研磨し、スルーホール部の導電性ペーストの蓋として機能するめっきとして、基材１の表面に電解銅めっきを厚さ５μｍで形成した。
そして、図２０中に示すように、貫通電極３と電気的に導通のとれた配線群８を形成するために、感光性レジストで配線群８を被覆したレジストパターンを形成し、基材１の表面の、配線群８以外の銅めっきと無機密着層４のＣｒスパッタ膜をウエットエッチングして、基材１に導電層５と貫通電極３を配置したコア基板１０を形成した。
さらに、図２１中に示すように、コア基板１０の両面に絶縁性樹脂層７をラミネートし、貫通電極３上の絶縁性樹脂層７にＵＶ−ＹＡＧレーザーにてビア孔を形成した。ここで、ビア孔の径は、貫通電極３の径よりも小径とした。また、ＵＶ−ＹＡＧレーザー加工にて生じたビア孔内の塵を、アルカリ水溶液系の処理液でデスミアしてクリーニングした。
さらに、図２１中に示すように、コア基板１０の両面に絶縁性樹脂層７をラミネートし、貫通電極３上の絶縁性樹脂層７にＵＶ−ＹＡＧレーザーにてビア孔を形成した。ここで、ビア孔の径は、貫通電極３の径よりも小径とした。また、ＵＶ−ＹＡＧレーザー加工にて生じたビア孔内の塵を、アルカリ水溶液系の処理液でデスミアしてクリーニングした。
そして、絶縁性樹脂層７の上に、シード層として無電解銅めっきを形成した。さらに、シード層の上へ、図２２中に示すように、ネガ形レジストにて配線群８と導通ビア９が開口したレジストパターンを形成し、セミアディティブ法により、導電性材料として電解銅めっきを８μｍ厚で形成した後、レジスト及び不要部分のシード層を除去して、配線群８と導通ビア９を形成した。
また、比較例の半導体装置２００を製造する方法では、上述したインターポーザーの製造方法で製造されたインターポーザー１００に対し、基板１へ感光性のソルダーレジスト１２を積層して露光及び現像を行い、Ｎｉ／Ａｕめっきにて導通パッド部を形成した。
そして、ハンダにより、導通パッド上に半導体素子１１を固定した。
また、比較例の半導体装置２００を製造する方法では、上述したインターポーザーの製造方法で製造されたインターポーザー１００に対し、基板１へ感光性のソルダーレジスト１２を積層して露光及び現像を行い、Ｎｉ／Ａｕめっきにて導通パッド部を形成した。
そして、ハンダにより、導通パッド上に半導体素子１１を固定した。
（比較例の評価）
比較例の実施により、基材１の両面の配線群８間で導通の取れた両面配線群を得ることは可能であったものの、熱膨張熱収縮の条件下での信頼性試験にて、銅配線と基材１の熱膨張率の差により、貫通電極３と導電層５が基材１から剥離する不具合を生じたことを確認した。
（本発明例と比較例との対比）
以上説明したように、本発明によれば、熱膨張や熱収縮による、基材１からの貫通電極３及び導電層５の剥離を防止することが可能であるとともに、充分な信頼性を有するインターポーザー１００及び半導体装置２００を提供することが可能であることを確認した。
比較例の実施により、基材１の両面の配線群８間で導通の取れた両面配線群を得ることは可能であったものの、熱膨張熱収縮の条件下での信頼性試験にて、銅配線と基材１の熱膨張率の差により、貫通電極３と導電層５が基材１から剥離する不具合を生じたことを確認した。
（本発明例と比較例との対比）
以上説明したように、本発明によれば、熱膨張や熱収縮による、基材１からの貫通電極３及び導電層５の剥離を防止することが可能であるとともに、充分な信頼性を有するインターポーザー１００及び半導体装置２００を提供することが可能であることを確認した。
本発明は、インターポーザー及び半導体装置に係り、特に、パッケージ基板とＩＣチップとの間に介在するインターポーザーや、ＩＣチップを接続するためのインターポーザーを備える半導体装置に利用可能である。
１…基材、２…電解銅めっき、３…貫通電極、４…無機密着層、５…導電層、６…ランド、７…絶縁性樹脂層、８…配線群、９…導通ビア、１０…コア基板、１１…半導体素子、１２…ソルダーレジスト、１３…貫通孔、１００…インターポーザー、２００…半導体装置
Claims (11)
- 内径が均一な貫通孔を有し、且つガラスからなる基材と、前記基材上に積層され、且つ導通ビアを形成した絶縁性樹脂層と、前記絶縁性樹脂層に積層された配線群と、からなるインターポーザーであって、
無機密着層が前記貫通孔の内径側壁面のみに形成され、
前記無機密着層の上に導電層を形成し、
前記無機密着層の膜厚は、０．１μｍ以上１μｍ以下の範囲内であり、
前記導電層は、前記導通ビアを介して前記配線群と電気的に接続され、
前記導電層と前記導通ビアとの間に形成された導電性のランドを備え、
前記無機密着層の熱膨張率は、前記基材の熱膨張率よりも大きく、且つ前記導電層の熱膨張率よりも小さく、
前記ランドの外径は、前記貫通孔の内径よりも大きく、且つ上限値が前記貫通孔の内径に２０μｍを加算した値であり、
前記絶縁性樹脂層の材料として、熱膨張率が３０〜１００ｐｐｍ／℃であるとともに、エポキシ／フェノール系樹脂、ポリイミド樹脂、シクロオレフィン、ＰＢＯ樹脂のうちいずれか一つの材料、または、少なくとも二つの材料を組み合わせた複合材料を用いることを特徴とするインターポーザー。 - 前記ランドは、前記貫通孔に充填した前記導電層の上下端の前記導通ビアを受ける部分から形成され、且つ前記基材の表面の前記貫通孔の周囲には形成されていないことを特徴とする請求項１に記載したインターポーザー。
- 前記導電層は、前記導電性のランドを介して前記導通ビアと電気的に接続され、
前記無機密着層は、前記ランドと前記基材との間に配置されていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載したインターポーザー。 - 前記無機密着層は、酸化錫、酸化インジウム、酸化亜鉛、ニッケル、ニッケルリン、クロム、酸化クロム、チッ化アルミ、酸化アルミ、タンタル、チタン、銅のうち、単体の材料の単層の膜、または、２種類以上の材料を複合させた２層以上の単層または積層の膜であることを特徴とする請求項１から請求項３のうちいずれか１項に記載したインターポーザー。
- 前記導電層を形成する導電性材料が、銅、銀、金、ニッケル、白金、パラジウム、ルテニウム、錫、錫銀、錫銀銅、錫銅、錫ビスマス、錫鉛のうちいずれかの単体金属、または二つ以上の化合物、または、少なくとも一つの金属粉と樹脂材料との混合物、のいずれかであることを特徴とする請求項１から請求項４のうちいずれか１項に記載したインターポーザー。
- 前記導通ビアの前記基材側の径は、前記貫通孔の内径よりも小さいこと特徴とする請求項１から請求項５のうちいずれか１項に記載したインターポーザー。
- 請求項１から請求項６のうちいずれか１項に記載したインターポーザーと、前記インターポーザーに積層された半導体素子と、を備えることを特徴とする半導体装置。
- ガラスからなる基材に貫通孔を形成する貫通孔形成工程と、
前記基材の両表面と前記貫通孔の内径側壁面に、膜厚が０．１μｍ以上１μｍ以下の範囲内であり、且つ無機材料からなる無機密着層を形成する無機密着層形成工程と、
前記無機密着層の上に導電性材料からなる導電層を形成するとともに、前記貫通孔内に導電性材料で貫通電極を形成する導電層・貫通電極形成工程と、
前記貫通孔内の前記貫通電極を残して、前記基材に積層した前記無機密着層及び前記導電層を除去する不要層除去工程と、
前記基材及び前記貫通電極上に絶縁性樹脂層を形成する絶縁性樹脂層工程と、
前記絶縁性樹脂層のうち前記貫通電極上に形成した部分にビア孔を形成するビア形成工程と、
前記絶縁性樹脂層上に導電性物質で配線群及び導通ビアを形成する配線群・導通ビア形成工程と、を含み、
前記絶縁性樹脂層の材料として、熱膨張率が３０〜１００ｐｐｍ／℃であるとともに、エポキシ／フェノール系樹脂、ポリイミド樹脂、シクロオレフィン、ＰＢＯ樹脂のうちいずれか一つの材料、または、少なくとも二つの材料を組み合わせた複合材料を用いることを特徴とするインターポーザーの製造方法。 - ガラスからなる基材に内径が均一な貫通孔を形成する貫通孔形成工程と、
前記基材の両表面と前記貫通孔の内径側壁面に、膜厚が０．１μｍ以上１μｍ以下の範囲内であり、且つ無機材料からなる無機密着層を形成する無機密着層形成工程と、
前記無機密着層の上に導電性材料からなる導電層を形成するとともに前記貫通孔の内壁側面に導電性材料で貫通電極を形成し、さらに、前記貫通孔の内壁側面の前記貫通電極の内壁側を導電性の樹脂材料にて充填する導電層・貫通電極形成工程と、
前記基材の最表面まで前記導電層と前記無機密着層を除去し、さらに、前記貫通電極の上下端に前記導電性材料からなるランドを形成するランド形成工程と、
前記基材及び前記ランド上に絶縁性樹脂層を形成する絶縁性樹脂層工程と、
前記絶縁性樹脂層のうち前記ランド上に形成した部分にビア孔を形成するビア形成工程と、
前記絶縁性樹脂層上及び前記ビア孔に、導電性物質で配線群及び導通ビアを形成する配線群・導通ビア形成工程と、を含み、
前記ランド形成工程では、前記ランドの外径を、前記貫通孔の内径よりも大きく、且つ上限値が前記貫通孔の内径に２０μｍを加算した値として前記ランドを形成し、
前記絶縁性樹脂層の材料として、熱膨張率が３０〜１００ｐｐｍ／℃であるとともに、エポキシ／フェノール系樹脂、ポリイミド樹脂、シクロオレフィン、ＰＢＯ樹脂のうちいずれか一つの材料、または、少なくとも二つの材料を組み合わせた複合材料を用いることを特徴とするインターポーザーの製造方法。 - ガラスからなる基材に内径が均一な貫通孔を形成する貫通孔形成工程と、
前記基材の両表面と前記貫通孔の内径側壁面に、膜厚が０．１μｍ以上１μｍ以下の範囲内であり、且つ無機材料からなる無機密着層を形成する無機密着層形成工程と、
前記無機密着層の上に導電性材料からなる導電層を形成するとともに前記貫通孔の内壁側面に導電性材料で貫通電極を形成し、さらに、前記貫通孔の内壁側面の前記貫通電極の内側を樹脂材料にて充填する導電層・貫通電極形成工程と、
前記貫通電極の上下端に無電解めっきと電解銅めっきを順に行って導電層を形成した後、前記導電層と前記無機密着層をパターニングして前記貫通電極にランドを形成するランド形成工程と、
前記基材及び前記ランド上に絶縁性樹脂層を形成する絶縁性樹脂層工程と、
前記絶縁性樹脂層のうち前記ランド上に形成した部分にビア孔を形成するビア形成工程と、
前記絶縁性樹脂層上及び前記ビア孔に、導電性物質で配線群及び導通ビアを形成する配線群・導通ビア形成工程と、を含み、
前記ランド形成工程では、前記ランドの外径を、前記貫通孔の内径よりも大きく、且つ上限値が前記貫通孔の内径に２０μｍを加算した値として前記ランドを形成し、
前記絶縁性樹脂層の材料として、熱膨張率が３０〜１００ｐｐｍ／℃であるとともに、エポキシ／フェノール系樹脂、ポリイミド樹脂、シクロオレフィン、ＰＢＯ樹脂のうちいずれか一つの材料、または、少なくとも二つの材料を組み合わせた複合材料を用いることを特徴とするインターポーザーの製造方法。 - 請求項８から請求項１０のうちいずれか１項に記載したインターポーザーの製造方法で製造されたインターポーザーに導通パッドを形成する導通パッド形成工程と、
前記導通パッド上に半導体素子を固定する半導体素子固定工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
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