JP6826025B2 - 超電導線用の半製品を生成する方法 - Google Patents
超電導線用の半製品を生成する方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6826025B2 JP6826025B2 JP2017245509A JP2017245509A JP6826025B2 JP 6826025 B2 JP6826025 B2 JP 6826025B2 JP 2017245509 A JP2017245509 A JP 2017245509A JP 2017245509 A JP2017245509 A JP 2017245509A JP 6826025 B2 JP6826025 B2 JP 6826025B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sections
- nbti
- melting
- selective
- electron beam
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000011265 semifinished product Substances 0.000 title claims description 22
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 81
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 81
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 68
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 64
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 43
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 35
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 15
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 10
- 238000005253 cladding Methods 0.000 claims description 10
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 30
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 24
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 14
- 238000002715 modification method Methods 0.000 description 7
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 6
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 6
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 5
- 238000010309 melting process Methods 0.000 description 5
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 5
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 4
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 4
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 238000000748 compression moulding Methods 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 2
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 2
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 2
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 2
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 2
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 2
- 229910001275 Niobium-titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 238000010297 mechanical methods and process Methods 0.000 description 1
- 239000012768 molten material Substances 0.000 description 1
- RJSRQTFBFAJJIL-UHFFFAOYSA-N niobium titanium Chemical compound [Ti].[Nb] RJSRQTFBFAJJIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 238000011426 transformation method Methods 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/01—Manufacture or treatment
- H10N60/0156—Manufacture or treatment of devices comprising Nb or an alloy of Nb with one or more of the elements of group IVB, e.g. titanium, zirconium or hafnium
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B12/00—Superconductive or hyperconductive conductors, cables, or transmission lines
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B33—ADDITIVE MANUFACTURING TECHNOLOGY
- B33Y—ADDITIVE MANUFACTURING, i.e. MANUFACTURING OF THREE-DIMENSIONAL [3-D] OBJECTS BY ADDITIVE DEPOSITION, ADDITIVE AGGLOMERATION OR ADDITIVE LAYERING, e.g. BY 3-D PRINTING, STEREOLITHOGRAPHY OR SELECTIVE LASER SINTERING
- B33Y10/00—Processes of additive manufacturing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B13/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing conductors or cables
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/80—Constructional details
- H10N60/85—Superconducting active materials
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
- Powder Metallurgy (AREA)
Description
NbTi含有構造の少なくともいくつかの層の生成において、材料堆積のために設けられる当該層の照射領域の生成中に、照射領域の1つ又は複数の第1の区間内における選択的レーザ溶融又は選択的電子ビーム溶融の1つ又は複数のプロセスパラメータが、照射領域の1つ又は複数の第2の区間に比べて異なる、方法によって達成される。
本発明による方法の好ましい一変形形態では、1つ又は複数の第2の区間内での選択的レーザ溶融又は選択的電子ビーム溶融において、Tiの含有量が1つ又は複数の第1の区間に比べて減少する。このようにして、超電導Nb53wt%Ti47wt%相に適した通常の組成比を有する粉末組成から、(通常使用温度の4.2Kで)超電導でなく且つ人工ピン止め中心の形成によく適しているNb60wt%Ti40wt%相(=Nb44at%Ti56at%相)を容易に生成することができる。Tiを減少させる場合、Nbに比べて有意に低いTiの沸点が用いられる。局所粉末材料又は局所溶解プールへのレーザビーム又は電子ビームの印加に関して印加時間を短くするか又はベーム出力を下げると、Tiの減少は全く又はほとんどなく、印加時間を長くするか又はビーム出力を上げることにより、Tiの減少は押し進められ得る。
2 NbTi含有構造
3 構造プラットフォーム
4 ガイド
5 層
5a 最上層
5b 最上層の下にある層
6 粉末/粉末材料
7 粉末底部
8 ガイド
9 リザーバ
10 装置底面
11 スライダ
12 レーザ(レーザ光源)
12a 電子銃
13 レーザビーム
13a 電子ビーム
14 ミラー系
14a レンズ系
15 電子制御装置
16 非照射領域
20 照射領域
21 軌道
23 第1の区間
24 第2の区間
25 基準点
26 溶解プール
27 前縁
28 後縁
30 マトリックス
31 含有物
32 隣接空間構造
40 被覆管
41 半完成ブロック
50 半製品
51 横断面縮小後の半製品
D 直径
L 長さ
MA 最大拡張
Claims (21)
- 超電導線用の半製品(50、51)を生成する方法であって、
前記半製品(50、51)は、少なくとも1つのNbTi含有構造(2)を備え、
前記NbTi含有構造(2)は、Nb及びTiを含有する粉末(6)の選択的レーザ溶融又は選択的電子ビーム溶融によって層状に生成され、
前記NbTi含有構造(2)の少なくともいくつかの層(5、5a、5b)の生成において、前記層(5、5a、5b)それぞれの材料堆積のために設けられる照射領域(20)の生成中に、前記選択的レーザ溶融又は前記選択的電子ビーム溶融の1つ又は複数のプロセスパラメータを、前記照射領域(20)の1つ又は複数の第1の区間(23)内では、前記照射領域(20)の1つ又は複数の第2の区間(24)に比べて異ならせることで、区間(23,24)の間の1つ又は複数の境界面、1種類の1つ又は複数の区間(23,24)、あるいは、1種類の1つ又は複数の区間(23,24)の成分が、人工ピン止め中心として働く
ことを特徴とする方法。 - 前記NbTi含有構造(2)の少なくともいくつかの層(5、5a、5b)の生成において、前記層(5、5a、5b)それぞれの材料堆積のために設けられる照射領域(20)の生成中に、前記選択的レーザ溶融又は前記選択的電子ビーム溶融の1つ又は複数のプロセスパラメータを、前記照射領域(20)の1つ又は複数の第1の区間(23)内では、前記照射領域(20)の1つ又は複数の第2の区間(24)に比べて異ならせて、前記1つ又は複数の第1の区間(23)で第1の固化材料を得て、前記1つ又は複数の第2の区間(24)で前記第1の固化材料とは異なる第2の固化材料を得ることで、前記第1の区間(23)と前記第2の区間(24)との間の1つ又は複数の境界面、1種類の1つ又は複数の区間(23,24)、あるいは、1種類の1つ又は複数の区間(23,24)の成分が、人工ピン止め中心として働くことを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記1つ又は複数の第2の区間(24)内での選択的レーザ溶融又は選択的電子ビーム溶融において、Tiの含有量は、前記1つ又は複数の第1の区間(23)に比べて減少することを特徴とする請求項1又は2に記載の方法。
- 前記1つ又は複数の第2の区間(24)内での選択的レーザ溶融又は選択的電子ビーム溶融において、溶解プール(26)の最高温度を前記1つ又は複数の第1の区間(23)に対して高くすることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の方法。
- 前記1つ又は複数の第2の区間(24)内での選択的レーザ溶融又は選択的電子ビーム溶融において、溶解プール(26)の局所滞留時間を前記1つ又は複数の第1の区間(23)に対して増やすことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の方法。
- 前記1つ又は複数の第2の区間(24)内での選択的レーザ溶融又は選択的電子ビーム溶融において、ビーム出力を前記1つ又は複数の第1の区間(23)に対して高めることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の方法。
- 前記1つ又は複数の第2の区間(24)内での選択的レーザ溶融又は選択的電子ビーム溶融において、レーザビーム(13)又は電子ビーム(13a)の基準点(25)の送り速度(v2)を前記1つ又は複数の第1の区間(23)における前記基準点(25)の送り速度(v1)に対して下げることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載の方法。
- 前記1つ又は複数の第2の区間(24)内での選択的レーザ溶融又は選択的電子ビーム溶融において、前記レーザビーム(13)又は電子ビーム(13a)の集束を前記1つ又は複数の第1の区間(23)に対して変更することを特徴とする請求項7に記載の方法。
- 前記1つ又は複数の第2の区間(24)内での選択的レーザ溶融又は選択的電子ビーム溶融において、レーザビーム(13)又は電子ビーム(13a)の集束を前記1つ又は複数の第1の区間(23)に対して変更することを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載の方法。
- 前記1つ又は複数の第1の区間(23)内での選択的レーザ溶融又は選択的電子ビーム溶融において、第1のレーザ光源又は第1の電子銃が使用され、前記1つ又は複数の第2の区間(24)内での選択的レーザ溶融又は選択的電子ビーム溶融において、第2のレーザ光源又は第2の電子銃が、前記第1のレーザ光源又は前記第1の電子銃の代わりに、もしくは前記第1のレーザ光源又は前記第1の電子銃に加えて使用されることを特徴とする請求項1乃至9のいずれか1項に記載の方法。
- 前記NbTi含有構造(2)は、長手方向の長さLと長手方向軸線に垂直な最大直径Dとを有して生成され、L≧3*Dであることを特徴とする請求項1乃至10のいずれか1項に記載の方法。
- 前記NbTi含有構造(2)は、前記NbTi含有構造(2)の長手方向軸線に対して垂直に層状に生成されることを特徴とする請求項11に記載の方法。
- 前記NbTi含有構造(2)は、前記NbTi含有構造(2)の長手方向軸線に沿って層状に生成されることを特徴とする請求項11に記載の方法。
- 前記照射領域(20)内の前記1つ又は複数の第2の区間(24)の各々が、5μm〜1000μmの最大拡張(MA)を有することを特徴とする請求項1乃至13のいずれか1項に記載の方法。
- 複数の第2の区間(24)が、連続する層(5、5a、5b)内で重なり合わないことを特徴とする請求項1乃至14のいずれか1項に記載の方法。
- 複数の第2の区間(24)が、連続する層(5、5a、5b)内で少なくとも部分的に重なり合って、前記複数の第2の区間(24)の隣接空間構造(32)が前記NbTi含有構造(2)内に形成されるようにすることを特徴とする請求項1乃至14のいずれか1項に記載の方法。
- 前記NbTi含有構造(2)に、横断面を縮小させる変形が施されることを特徴とする請求項1乃至16のいずれか1項に記載の方法。
- 前記NbTi含有構造(2)の生成後に、該NbTi含有構造(2)が被覆管(40)内に挿入されることを特徴とする請求項1乃至17のいずれか1項に記載の方法。
- 複数のNbTi含有構造(2)が、前記選択的レーザ溶融又は前記選択的電子ビーム溶融によって層状に生成され、次いで、半製品ブロック(41)の凹部内に挿入されることを特徴とする請求項1乃至17のいずれか1項に記載の方法。
- 前記1つ又は複数の第2の区間(24)は、前記照射領域(20)内に実質的に一様に分散されることを特徴とする請求項1乃至19のいずれか1項に記載の方法。
- 前記NbTi含有構造(2)は、NbTi含有ロッド構造であることを特徴とする請求項1乃至20のいずれか1項に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102017201039.8A DE102017201039A1 (de) | 2017-01-23 | 2017-01-23 | Verfahren zur Fertigung eines Halbzeugs für einen Supraleiterdraht |
DE102017201039.8 | 2017-01-23 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018138692A JP2018138692A (ja) | 2018-09-06 |
JP6826025B2 true JP6826025B2 (ja) | 2021-02-03 |
Family
ID=60972037
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017245509A Active JP6826025B2 (ja) | 2017-01-23 | 2017-12-21 | 超電導線用の半製品を生成する方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10622537B2 (ja) |
EP (1) | EP3352235B1 (ja) |
JP (1) | JP6826025B2 (ja) |
CN (1) | CN108346492B (ja) |
DE (1) | DE102017201039A1 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP3828530A4 (en) | 2018-07-24 | 2022-03-16 | Hochiki Corporation | FIRE DETECTION DEVICE |
TR201921955A2 (tr) * | 2019-12-27 | 2021-07-26 | Bahcesehir Ueniversitesi | Süperiletken şeritlerde kontrollü olarak çivileme merkezleri oluşturulması yöntemi. |
CN111403105B (zh) * | 2019-12-30 | 2021-10-19 | 浙江百川导体技术股份有限公司 | 一种铜包钢合金线的制备方法 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB1097418A (en) * | 1964-04-30 | 1968-01-03 | North American Aviation Inc | High magnetic field superconductor |
GB1272656A (en) * | 1969-10-13 | 1972-05-03 | Central Electr Generat Board | Improvements in or relating to conductors for superconducting power transmission cables |
JPS5524207A (en) | 1978-08-04 | 1980-02-21 | Kokka Kogyo Kk | Magnetic spring |
US4746373A (en) | 1985-05-16 | 1988-05-24 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of manufacturing compound superconductors |
US5230748A (en) * | 1989-06-08 | 1993-07-27 | Composite Materials Technology, Inc. | Superconductor and process of manufacture |
JPH03283478A (ja) * | 1990-03-30 | 1991-12-13 | Toshiba Corp | 紫外線パルスレーザー装置 |
US5223348A (en) | 1991-05-20 | 1993-06-29 | Composite Materials Technology, Inc. | APC orientation superconductor and process of manufacture |
JPH06275145A (ja) | 1993-03-18 | 1994-09-30 | Hitachi Ltd | NbTi超電導線及びその製造方法 |
ATE466720T1 (de) | 2006-06-20 | 2010-05-15 | Univ Leuven Kath | Verfahren und vorrichtung zur in-situ-überwachung und rückkopplungssteuerung selektiver laserpulverbearbeitung |
US9101979B2 (en) | 2011-10-31 | 2015-08-11 | California Institute Of Technology | Methods for fabricating gradient alloy articles with multi-functional properties |
DE102012210770A1 (de) | 2012-06-25 | 2014-01-02 | Bruker Eas Gmbh | NbTi-Supraleiter mit in Umfangsrichtung verteilten Al-Blöcken zur Gewichtsreduzierung |
DE202012102334U1 (de) | 2012-06-25 | 2012-07-17 | Bruker Eas Gmbh | NbTi-Supraleiter mit in Umfangsrichtung verteilten Al-Blöcken zur Gewichtsreduzierung |
JP6247813B2 (ja) | 2012-08-08 | 2017-12-13 | 株式会社神戸製鋼所 | NbTi系超電導線材 |
CN103617860B (zh) * | 2013-11-26 | 2016-06-01 | 中国科学院电工研究所 | 一种Nb3Al超导接头 |
US9023765B1 (en) * | 2014-01-31 | 2015-05-05 | Jefferson Science Associates, Llc | Additive manufacturing method for SRF components of various geometries |
-
2017
- 2017-01-23 DE DE102017201039.8A patent/DE102017201039A1/de not_active Withdrawn
- 2017-12-21 JP JP2017245509A patent/JP6826025B2/ja active Active
-
2018
- 2018-01-11 EP EP18151152.8A patent/EP3352235B1/de active Active
- 2018-01-23 CN CN201810061243.4A patent/CN108346492B/zh active Active
- 2018-01-23 US US15/877,916 patent/US10622537B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE102017201039A1 (de) | 2018-07-26 |
EP3352235B1 (de) | 2019-05-01 |
JP2018138692A (ja) | 2018-09-06 |
CN108346492B (zh) | 2020-02-14 |
US20180212135A1 (en) | 2018-07-26 |
CN108346492A (zh) | 2018-07-31 |
US10622537B2 (en) | 2020-04-14 |
EP3352235A1 (de) | 2018-07-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6826025B2 (ja) | 超電導線用の半製品を生成する方法 | |
DE102012218222B4 (de) | Halbzeugdraht für einen Nb3Sn-Supraleiterdraht und Verfahren zur Herstellung eines Nb3Sn-Supraleiterdrahts | |
JP4034802B2 (ja) | 超電導線材製造用NbまたはNb基合金棒およびNb3Sn超電導線材の製造方法 | |
US20170062099A1 (en) | Superconducting wires and methods of making thereof | |
US20120035059A1 (en) | Metal Assembly Constituting A Precursor For A Superconductor, A Superconductor And A Method Suitable For The Production Of A Superconductor | |
JP2006004684A (ja) | 超電導線材の製造方法 | |
JP5517866B2 (ja) | 超電導線材の製造方法およびその線材 | |
JP7148103B2 (ja) | Nb3Sn超伝導線材用前駆体、その製造方法、および、それを用いたNb3Sn超伝導線材の製造方法 | |
JP6086469B2 (ja) | Nb3Al超伝導線材の製造方法 | |
JP6694453B2 (ja) | 少なくとも2部品からなる構造体、特に超伝導線の半完成品を生成するための方法 | |
DE3721147A1 (de) | Verfahren zur herstellung von draht- und/oder bandfoermigen supraleitern aus keramischer sintermasse | |
RU2122253C1 (ru) | СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КОМПОЗИТНОГО СВЕРХПРОВОДНИКА НА ОСНОВЕ СОЕДИНЕНИЯ Nb3Sn | |
JP4386306B2 (ja) | Nb3Al化合物系超電導線の製造方法 | |
RU2105371C1 (ru) | СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СВЕРХПРОВОДЯЩЕГО ПРОВОДА ИЗ Nb3AL И УСТАНОВКА ДЛЯ ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ СПОСОБА | |
RU2547814C1 (ru) | СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ Nb3Sn СВЕРХПРОВОДНИКА МЕТОДОМ ВНУТРЕННЕГО ИСТОЧНИКА ОЛОВА | |
JP4815596B2 (ja) | Nb3Sn超伝導線、その製造方法、及びNb3Sn超伝導線の製造に用いられる単芯複合線 | |
JP3673831B2 (ja) | Nb3Sn線材の製造方法 | |
JP2942896B2 (ja) | 酸化物超伝導体の線材とその作製方法 | |
JP2006185861A (ja) | Nb3Sn超電導線材およびその製造方法 | |
JP3013253B2 (ja) | 酸化物超伝導体の線材とその作製方法 | |
JP2015213005A (ja) | 超伝導部材の製造方法 | |
JPH0419920A (ja) | 超電導発電機用Nb↓3Sn超電導線の製造方法 | |
JP2001243844A (ja) | Nb3Ge系超電導線の製造方法 | |
DE2339050A1 (de) | Verfahren und vorrichtung zum herstellen eines supraleiters mit einer aus wenigstens zwei elementen bestehenden supraleitenden intermetallischen verbindung | |
JPS5832308A (ja) | 化合物系複合超電導線の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20180510 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20190318 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190416 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20190712 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190909 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20200128 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200525 |
|
C60 | Trial request (containing other claim documents, opposition documents) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C60 Effective date: 20200525 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20200526 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20200625 |
|
C21 | Notice of transfer of a case for reconsideration by examiners before appeal proceedings |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C21 Effective date: 20200630 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200728 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20201022 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20210105 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20210114 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6826025 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |