JPH06275145A

JPH06275145A - ＮｂＴｉ超電導線及びその製造方法

Info

Publication number: JPH06275145A
Application number: JP5059009A
Authority: JP
Inventors: Ryukichi Takahashi; 龍吉高橋; Fumio Iida; 文雄飯田; Naofumi Tada; 直文多田
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1993-03-18
Filing date: 1993-03-18
Publication date: 1994-09-30

Abstract

(57)【要約】【目的】本発明はＮｂＴｉ超電導線及びその製造方法
に関し、特にメカニカルアローイングによりセラミック
ス超微粉末をＮｂＴｉフィラメント内部に均一に分散さ
せて、高臨界電流密度の超電導線を提供することにあ
る。【構成】機械的合金化手法によりセラミックス超微粉
末（４）を、メカニカルアローイングによりＮｂＴｉフ
ィラメント中に分散させ（３）、これを安定化材（２）
と複合化し超電導線（１）とする。【効果】機械的合金化手法によりＮｂＴｉフィラメン
ト中に均一に分散されたセラミックス超微粉末が、人工
ピニングセンターとして機能するため、高電流密度のＮ
ｂＴｉ超電導線が得られる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、ＮｂＴｉ超電導線及び
その製法に係わり、特にＮｂＴｉ超電導線の臨界電流密
度の向上させることのできる超電導線に関する。

【０００２】

【従来の技術】ＮｂＴｉ超電導線は、現在すでに実用に
供されており、ＮｂＴｉ超電導線を巻回することによっ
て構成される超電導磁石からの要求仕様により、種々の
性能の超電導線材が工業的に製造されている。

【０００３】しかしながら、よりコンパクトで高電流密
度を有する磁気浮上列車、核磁気共鳴装置、粒子加速
器、核融合装置などの、超電導磁石装置を得るために
は、使用する超電導線の臨界電流密度の一層の向上が重
要な課題である。

【０００４】従来より、超電導線の臨界電流密度を向上
させるために、超電導線中にピニングセンターを導入す
る方法が知られている。超電導線中に設けられたピニン
グセンタは、超電導フィラメント中に侵入した磁束がロ
ーレンツ力によって動こうとするのを妨げる、所謂ピン
止め効果を発揮し、これにより臨界電流密度を高める。
また、超電導フィラメント中のピニングセンタの数が多
く、そのピン止め力が大きいほど、超電導線の臨界電流
密度は、向上することが期待される。

【０００５】これまで、ピニングセンタとしては、超電
導体中で形成される格子欠陥や、結晶粒界、ならびにα
−Ｔｉ等の常電導析出物等の不均質点が用いられてい
る。これら不均質点のピニングセンタは、ＮｂＴｉ超電
導線を製造する工程の途中での機械加工や熱処理によっ
て形成される。

【０００６】また、ピニングセンタの数を増やすため
に、積極的にピンニングセンタを超電導体フィラメント
内部に形成しようとする、所謂人工ピニングセンターの
導入も検討されてきている。

【０００７】従来、人工的に多数のピニングセンターを
導入しＮｂＴｉ超電導線の臨界電流密度を向上させるた
めに、例えば、特開平３−２４６８２２号公報に記載の
ように、ＮｂまたはＴａを人工的なピン止め点として利
用した超電導線が提案されている。この超電導線は、フ
ィラメント母材のＮｂＴｉ合金棒の長手方向に複数本の
貫通孔をあけ、その中にＮｂまたはＴａ棒を挿入して線
引きすることにより製造される。また、特公昭５５−２
４２０７号公報では、超電導材料の微細粉末に非超電導
粉末を添加して、混合粉末とし、これを金属パイプに充
填して、線引き加工後熱処理を施すことによりフィラメ
ントを形成する方法が提案されている。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】人工的に導入したピニ
ングセンタが、ピニングセンタとして効果的に作用する
ための、ピニングセンタの粒径は、フィラメントを取り
巻く安定化材のコヒーレント長の関係により、０．１μ
ｍ以下である必要がある。０．１μｍ以下という大きさ
は、格子欠陥や結晶粒界ならびに析出物等の不均質点と
同程度である。

【０００９】しかしながら、上記従来技術の特開平３−
２４６８２２号公報に記載されている超電導線の製造方
法は、フィラメント母材の長手方向に貫通孔を空けて、
ＮｂやＴａ等の棒を挿入し、その後これらを一緒に線引
きするものであるが、ＮｂやＴａは、非常に変形しにく
い性質をもっている。そのため、フィラメント中のＮｂ
やＴａの線は、線引きされにくく、線引きによって１μ
ｍ以下にすることは困難である。また、無理に線引きし
た場合には、ＮｂやＴａの線が途切れ途切れになる。し
たがって、この方法では、人工的なピニングセンタとし
て機能する０．１μｍ以下の直径の線を得ることは非常
に難しい。

【００１０】また、この構造では、ＮｂやＴａの線は、
フィラメントの長手方向に連続しているため、もし０．
１μｍ以下の線が得られたとしても、フィラメントの長
手方向については、ピニングセンタとしての作用が少な
い。

【００１１】また、特公昭５５−２４２０７号公報に記
載されている方法は、超電導材料の微細粉末に、ピニン
グセンタを形成するための非超電導体の粉末を添加し
て、ボールミル等で混合粉末として、これでフィラメン
トを作製している。しかしながら、単にボールミル等で
粉末を混合・粉砕することによりえられる粒子の大きさ
には限界があり、ある程度以下（数分の１μｍ）に小さ
くすることができない。したがって、この方法で作製さ
れたフィラメント中の非超電導体材料の粒子の大きさ、
および、非超電導体材料の粒子の間隔は、数分の１μｍ
以上となり、これ以上に小さくすることはできない。ま
た、ボールミル等の粉砕でえられる粒子の大きさのばら
つきは非常に大きい。よって、この方法で、ピニングセ
ンタとして機能する０．１μｍ以下の非超電導材料の粒
子を、フィラメント中に均一に分散させることはできな
い。

【００１２】本発明の目的は、上記従来技術の欠点を排
除し、ピン止め効果によって、高臨界電流密度を得るこ
とのできる高性能の超電導線及びこれを得るに好適な製
造方法を提供することにある。

【００１３】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明によれば、フィラメントと、前記フィラメント
を流れる電流を一時的に回避させるための安定化部材と
を有する超電導線において、前記フィラメントは、超電
導材料と、前記超電導材料中に分散されたセラミックス
粒子とを含み、前記セラミックス粒子の粒径は、０．１
μｍ以下であることを特徴とする超電導線が提供され
る。

【００１４】また、上記目的を達成するために、本発明
によれば、超電導材料の粉末とセラミックスの粉末と
を、メカニカルアローイング法により合金化し、フィラ
メント材料を作製する第１の工程と、得られたフィラメ
ント材料を、前記安定化材中に設けられた中空のなかに
配置する第２の工程とを有することを特徴とする超電導
線の製造方法が提供される。

【００１５】

【作用】本発明においては、超電導材料の粉末とセラミ
ックスの粉末とを、メカニカルアローイング法（機械的
合金化方法）により合金化し、フィラメント材料を作製
する。これにより、上述の従来の方法では達成すること
のできなかった粒径０．１μｍ以下のセラミックス粒子
を得て、しかも、これを超電導材料中に均一に分散させ
ている。

【００１６】メカニカルアロイング法とは、近年耐熱合
金の分野で注目されている方法で、二種類以上の金属粉
末をボールミル等を用いて機械的に合金化する手法であ
る。すなわち、合金化しようとする複数の元素の粉末
に、機械的な折畳みと圧延を繰り返し、これにより超微
細組織を形成するものである。この機械的な折畳みと圧
延は、粉末の場合、ボールミル装置によって行われる
が、従来のボールミルにおける粉砕および混合とは、粉
末に対する作用が全く異なる。

【００１７】メカニカルアローイングでは、例えば、圧
延率（１／ａ）＝０．３とすると、繰り返し１０回で元
の厚さの約１０万分の１の厚さの層状組織となる。した
がって、複数の金属が数ｎｍの結晶粒度で分散した超微
細組織が得られる。この現象は、２種以上の固溶しない
材料においても生じるので、固溶しない超電導材料とセ
ラミックスとを強制的に合金化した材料を得ることがで
きる。したがって、このメカニカルアロイング法によっ
て作られる合金の構造には（１）超微細粒（ナノクリス
タル）（２）広い組成範囲の強制固溶体（３）準安定結
晶相（４）アモルファス相が有る。

【００１８】本発明は、この原理を応用し、超電導材料
の粉末とセラミックスの粉末とに機械的な折畳みと圧延
を繰り返すことによって、従来得られなかったような、
０．１μｍ以下のセラミックスの粉末を超電導材料の中
に分散させる。

【００１９】本発明においては、超電導線を構成するフ
ィラメント中に均一に分散せられたセラミックス超微粉
末が、人工ピニングセンターとして機能し、通常の超電
導線の製造過程で実施される機械加工や熱処理手段によ
り形成されるピニングセンターと重畳され、超電導体内
部の侵入磁束のローレンツ力による駆動力に対する大き
な拘束力となるため、結果としてＮｂＴｉ超電導線の高
臨界電流密度化を達成できる。

【００２０】本発明において用いることのできる超電導
材料としては、例えば、ＮｂＴｉがある。また、セラミ
ックス超微粉末は、超電導材料との反応生成物を生じな
い、金属酸化物、窒化物、炭化物を用いることができ
る。例えば、超電導材料としてＮｂＴｉを用いた場合に
は、セラミックスとして、Ａｌ₂Ｏ₃、ＭｇＯ、Ｓｉ
Ｏ₂、Ｙ₂Ｏ₃、ＺｒＯ₂、ＡｌＮ、ＢＮ、Ｓｉ₃Ｎ₄、Ｔｉ
Ｎ、ＮｂＮ、ＶＮ、ＴｉＣ、ＮｂＣのうち１種または２
種以上を用いることができる。これらセラミックス超微
粉末は、ＮｂＴｉフィラメントと金属間化合物を生成し
ないため、これらセラミックス超微粉末の導入によって
塑性加工性を阻害する副次的な反応生成物が生成せず、
健全に加工できる。

【００２１】また、メカニカルアローイング手法を用い
てセラミックス超微粉末をＮｂＴｉフィラメントに分散
・混入させた場合、従来法と比較し、超電導体全体にわ
たってより均一な分散・混入が可能であり、高臨界電流
密度を持つ高性能のＮｂＴｉ超電導線を得ることができ
る。

【００２２】

【実施例】以下、本発明の一実施例を図面を用いて説明
する。

【００２３】（実施例１）本発明の第１の実施例の超電
導線の構造を図２を用いて説明する。

【００２４】図２のように、本実施例の超電導線１は、
Ｃｕ製の安定化材２と、その中に埋め込まれた多数のＮ
ｂＴｉフィラメント３とを備えて構成されている。

【００２５】つぎに、超電導線１の製造方法を図１を用
いて、順に説明する。

【００２６】別途工業的に提供されるＮｂ−４６．５ｗ
％Ｔｉの合金粉末（平均粒径約３０μｍ）を準備した
（ステップ１０１）。なお、前記合金粉末の不純物を分
析したところ、Ｃ＜２００ｐｐｍ、Ｏ＜１０００ｐｐ
ｍ、Ｎ＜１５０ｐｐｍ、Ｈ＜３５ｐｐｍ、Ｆｅ＜２００
ｐｐｍ、Ｓｉ＜１００ｐｐｍ、Ｔａ＜１０００ｐｐｍ、
Ｃｒ＜６０ｐｐｍ、Ｎｉ＜６０ｐｐｍ、Ｃｕ＜１００ｐ
ｐｍ、Ａｌ＜１２５ｐｐｍであった。

【００２７】また、別途、平均粒径が、約０．０５μｍ
の純度９９．９９９ｗ％のＡｌ₂Ｏ₃ 粉末を用意した（ス
テップ１０２）。

【００２８】つぎに、遊星型ボールミル装置を用意し、
前述のＮｂ−Ｔｉ合金粉末と、Ａｌ₂Ｏ₃粉末とを充填
した。ボールミル容器は、Ａｌ₂Ｏ₃製であり、中に約
２０個の直径１０ｍｍのＺｒＯ₂製ボールが入れられて
いる。ボールミルとボールは事前にアルコール及びアセ
トンで十分に洗浄しておき、不純物の混入を極力避ける
ように配慮した。

【００２９】この後、ボールミル容器内を約５ミリトー
ルまで真空引きした後、高純度Ａｒガスで置換し、上記
遊星型ボールミルを回転速度２５０ｒｐｍで約２４時間
運転し、上記混合粉末の機械的な合金化処理を施し合金
化粉末を得た（ステップ１０３ａ）。この合金化処理に
より、Ｎｂ−Ｔｉ合金粉末とＡｌ₂Ｏ₃粉末とには、機
械的な折畳みと圧延とが繰り返され、これにより０．１
μｍ以下の粒径のセラミックスが合金中に分散された超
微細組織の合金化粉末が形成された。

【００３０】この後、このようにして得た上記合金化粉
末を、別途事前に十分に洗浄化処理せられた高純度無酸
素銅パイプに封入し（ステップ１０３ｂ）、両端を熔接
後、減面加工により外径５．５ｍｍのシングル線を製作
した（ステップ１０４）。この後、このシングル線３２
８０本を別途準備した事前に十分に洗浄化処理せられた
高純度無酸素銅パイプに挿入し（ステップ１０５）、静
水圧押出し、伸線加工による細線化手段により複合体を
得た（ステップ１０６）。これに３７５℃で約１００時
間の時効熱処理を施した後（ステップ１０７）、ピッチ
約３０ｍｍのツイストを施し（ステップ１０８）、外径
約１．６３ｍｍ、銅比１．０のＮｂＴｉ複合多心超電導
線１を得た。

【００３１】この超電導線を透過型電子顕微鏡及び電子
線マイクロアナライザーにより詳細に観察したところ、
ＮｂＴｉフィラメント３の平均直径は、２０μｍであ
り、このフィラメント３の長手方向及びその直交断面内
に、平均粒径０．０１５μｍのＡｌ₂Ｏ₃超微粉末４
が、平均間隔３０ｎｍで分散されていた。また上記Ａｌ
₂Ｏ₃微粉末４とＮｂＴｉフィラメント間に副次的な反
応生成物の発生は認められなかった。また上記超電導線
の一部を硝酸を用いて銅をすべて除去した後、ＮｂＴｉ
フィラメント３を走査型電子顕微鏡で観測したところ、
ネッキングや断線等は観察されず、良好に細線化されて
いた。

【００３２】また、上記得られた超電導線１の短尺試料
を用い、１×１０~¹³ Ωｍの抵抗基準を用いて臨界電流
を求めこれを臨界電流密度に換算したところ、６Ｔで２
０５０Ａ／ｍｍ² を得た。

【００３３】なお、本実施例ではＡｌ₂Ｏ₃微粉末を用い
たがＭｇＯ、ＳｉＯ₂、Ｙ₂Ｏ₃、ＺｒＯ₂等の酸化物セ
ラミックス微粉末を用いてもよい。

【００３４】（実施例２）本発明の第２の実施例の超電
導線ついて説明する。

【００３５】実施例１に示されたＡｌ₂Ｏ₃微粉末にかわ
り、別途準備した平均粒径が約０．０５μｍの純度９
９．９９９ｗ％のＡｌＮ粉末を用い、実施例１と同一の
手法により実施例１と略同一諸元を有する超電導線を得
た。作製方法は、実施例１と同様であるので説明を省略
する。

【００３６】この超電導線を透過型電子顕微鏡及び電子
線マイクロアナライザーにより詳細に観察したところ、
ＮｂＴｉフィラメント３の平均直径は２０μｍであり、
フィラメント３の長手方向及びその直交断面内に、平均
粒径０．０１５μｍのＡｌＮ超微粉末が平均間隔３０ｎ
ｍで分散されていた。

【００３７】また、上記ＡｌＮ微粉末とＮｂＴｉフィラ
メント間に副次的な反応生成物の発生は認められなかっ
た。また上記超電導線の一部を硝酸を用いて銅をすべて
除去した後ＮｂＴｉフィラメントを走査型電子顕微鏡で
観測したところ、ネッキングや断線等は観察されず、良
好に細線化されていた。

【００３８】また、上記得られた超電導線の短尺試料を
用い実施例１と同一の方法を用いて臨界電流を求めこれ
を臨界電流密度に換算したところ、実施例１の超電線と
略同一の結果を得た。

【００３９】なお、本実施例ではＡｌＮ微粉末を用いた
がＢＮ、Ｓｉ₃Ｎ₄、ＴｉＮ、ＮｂＮ、ＶＮ等の窒素物セ
ラミックス微粉末を用いてもよい。

【００４０】（実施例３）さらに本発明の第３の実施例
の超電導線について説明する。

【００４１】実施例１に示されたＡｌ₂Ｏ₃微粉末にかわ
り、別途準備した平均粒径が約０．０５μｍの純度９
９．９９９ｗ％のＴｉＣ粉末を用い、実施例１と同一の
手法により実施例１と略同一諸元を有する超電導線を得
た。製造方法は、実施例１と同様であるので詳細な説明
を省略する。

【００４２】この超電導線を透過型電子顕微鏡及び電子
線マイクロアナライザーにより詳細に観察したところ、
平均直径２０μｍのＮｂＴｉフィラメントの長手方向及
びその直交断面内に、平均粒径０．０１５μｍのＴｉＣ
超微粉末が平均間隔３０ｎｍで分散されていることがわ
かった。また上記ＴｉＣ微粉末とＮｂＴｉフィラメント
間に副次的な反応生成物の発生は認められなかった。ま
た上記超電導線の一部を硝酸を用いて銅をすべて除去し
た後ＮｂＴｉフィラメントを走査型電子顕微鏡で観測し
たところ、ネッキングや断線等は観察されず、良好に細
線化されていた。

【００４３】また、上記得られた超電導線の短尺試料を
用い実施例１と同一の方法を用いて臨界電流を求めこれ
を臨界電流密度に換算したところ、実施例１の超電線と
略同一の結果を得た。

【００４４】なお、本実施例ではＡｌＮ微粉末を用いた
がＮｂＣ等の炭化物セラミックス微粉末を用いてもよ
い。

【００４５】（実施例４）本発明の第４の実施例の超電
導線について説明する。

【００４６】別途工業的に提供されるＮｂ−４６．５ｗ
％Ｔｉの合金粉末（平均粒径約３０μｍ）を準備した。
これを、別途準備した平均粒径が約０．０５μｍの純度
９９．９９９ｗ％のＡｌ₂Ｏ₃粉末及び純度９９．９９９
ｗ％のＡｌＮ粉末を用い、実施例１と同一の手法により
実施例１と略同一諸元を有する超電導線を得た。

【００４７】この超電導線を透過型電子顕微鏡及び電子
線マイクロアナライザーにより詳細に観察したところ、
平均直径２０μｍのＮｂＴｉフィラメントの長手方向及
びその直交断面内に、平均粒径０．０１５μｍのＡｌ₂
Ｏ₃粉末及びＡｌＮ超微粉末が平均間隔３０ｎｍで分散
されていることがわかった。また上記ＴｉＣ微粉末とＮ
ｂＴｉフィラメント間に副次的な反応生成物の発生は認
められなかった。また上記超電導線の一部を硝酸を用い
て銅をすべて除去した後ＮｂＴｉフィラメントを走査型
電子顕微鏡で観測したところ、ネッキングや断線等は観
察されず、良好に細線化されていた。

【００４８】（比較例１）性能比較用試料として、Ｎｂ
Ｔｉフィラメント中に、人工ピニングを導入しない上記
超電導線と略同一の諸元を持つＮｂＴｉ超電導線を作製
した。作製方法としては、上述の第１の実施例のステッ
プ１０２および１０３ａを行わず、従来通り、ステップ
１０１、１０３ｂから１０８により作製した。上記方法
と同一手法によりその臨界電流密度を評価したところ、
６Ｔで１６５０Ａ／ｍｍ² であった。

【００４９】（比較例２）さらに、比較例として、実施
例１と同じＮｂ−Ｔｉ合金粉末と、Ａｌ₂Ｏ₃粉末を用
いて、従来のボールミルを用いた撹拌混合により超電導
線を作製した。

【００５０】製造方法は、実施例１のステップ１０３ａ
の代わりに、ボールミルによる撹拌混合のステップを行
った。他のステップは、実施例１と全く同様にした。

【００５１】図３に得られた超電導線のフィラメントの
断面を示す。フィラメント３の直径は、上述の実施例と
同じく２０μｍであった。しかし、この比較例は、上述
の実施例のように、機械的合金化方法を用いていないた
め、セラミックス１４の粒径は、数分の１μｍから数μ
ｍと非常に大きく、粒径のばらつきも大きかった。しか
も、セラミックス１４とセラミックス１４との間隔が大
きくばらついており、場所によっては、２つの粒子が接
触しているところや、数十μｍ以上間隔の合いていると
ころもあった。

【００５２】また、この超電導線の臨界電流密度を求め
たところ、比較例１に示した人工ピニングを導入しない
超電導線と同程度であり、セラミックス１４は、人工ピ
ニングとして効果的に機能していないことがわかった。

【００５３】上述のように、本実施例で示した超電導線
１は、機械的合金化方法を用いているので、０．１μｍ
以下のセラミックスを均一に分散したフィラメント３を
有している。したがって、セラミックスが人工ピニング
として有効に機能しており、そのため、上述のように、
比較例１、２よりも格段に大きな臨界電流密度を得るこ
とができた。

【００５４】尚、以上の実施例では最終超電導線の長手
方向断面形状が円形の場合を示したが、長方形、正方形
等の任意形状であってもよいことは言うまでもない。

【００５５】また金属パイプとして無酸素銅を用いた
が、ＣｕＮｉ、Ａｌ及びこれら３者を複合して用いても
よい。

【００５６】また、本実施例によって得られた超電導線
をさらに複数本撚線成形し所謂コンパクテッドストラン
ドとしたり、これを銅、Ａｌ等の金属電気良導体と複合
化したりして用いてもよい。

【００５７】また、上記超電導線を巻回することによ
り、高電流密度を有しコンパクトな磁気浮上列車、核磁
気共鳴装置、粒子加速器、核融合装置等の超電導磁石装
置を得ることができる。

【００５８】

【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、Ｎ
ｂＴｉフィラメント中にセラミックス超微粉末を分散さ
せることにより、これを人工ピニングとして機能させピ
ン止め力を増大させることにより、ＮｂＴｉ超電導線の
臨界電流密度を向上せしめることができるという工業上
優れた効果があり、コンパクトで高電流密度を有する磁
気浮上列車、核磁気共鳴装置、粒子加速器、核融合装置
等の超電導磁石装置を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例に係わるＮｂＴｉ超電導線の
製作工程を示すフローチャート。

【図２】本発明の一実施例に係わるＮｂＴｉ超電導線１
についての、（Ａ）全体横断面図、（Ｂ）セラミックス
超微粉末４の分散されたフィラメント３の横断面、
（Ｃ）フィラメント３の縦断面。

【図３】比較例として作製した従来法によるＮｂＴｉ超
電導線中のＮｂＴｉフィラメントについての（Ａ）横断
面、（Ｂ）縦断面。

【符号の説明】

１…超電導線２…安定化材３…フィラメント４、１４…セラミックス粒子

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】超電導体フィラメントと安定化材とを有す
る超電導線の製造方法であって、超電導材料の粉末とセラミックスの粉末とを、メカニカ
ルアローイング法により合金化し、フィラメント材料を
作製する第１の工程と、得られたフィラメント材料を、前記安定化材中に設けら
れた中空のなかに配置する第２の工程とを有することを
特徴とする超電導線の製造方法。
【請求項２】請求項１において、前記超電導材料は、Ｎ
ｂＴｉであり、前記セラミックスは、金属酸化物、金属
窒化物および金属炭化物のうち少なくとも何れかを含む
ことを特徴とする超電導線の製造方法。
【請求項３】請求項１において、前記第１の工程におい
て、前記フィラメント材料中の前記セラミックス粒子の
粒径が０．１μｍ以下の予め定めた粒径になった場合、
メカニカルアローイングを終了することを特徴とする超
電導線の製造方法。
【請求項４】フィラメントと、前記フィラメントを流れ
る超電導電流を一時的に回避させるための安定化部材と
を有する超電導線において、前記フィラメントは、超電導材料と、前記超電導材料中
に分散されたセラミックするとを含み、前記セラミックス粒子の粒径は、０．１μｍ以下である
ことを特徴とする超電導線。
【請求項５】請求項４において、前記セラミックス粒子
は、前記フィラメント中に１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下
の間隔で分散していることを特徴とする超電導線。
【請求項６】請求項４において、前記フィラメントは、
超電導材料としてＮｂＴｉを含み、前記セラミックス
は、金属酸化物、金属窒化物および金属炭化物の少なく
とも何れかを含むことを特徴とする超電導線。