JP6819890B2 - 駆動回路及び処理装置 - Google Patents

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Description

本発明は、駆動回路及び処理装置に関する。
例えば、レーザ光によってレジストの露光を行うレーザ露光装置や、レーザ光によって対象物の切断などの加工を行うレーザ加工装置など、発光素子から照射された光によって対象物の処理を行う処理装置が知られている。
処理装置は、発光素子と、発光素子を駆動する駆動回路と、を備える。駆動回路は、発光素子に流れる電流を制御することによって、発光素子から照射される光の強度を制御する。処理装置においては、発光素子から照射される光の強度が、対象物の処理精度に影響を与える。このため、このような処理装置及びその駆動回路においては、より高い処理精度を得るために、発光素子に流れる電流をより適切に制御できるようにすることが望まれている。
特開２００１−９６７９４号公報 特開２００２−３０３８１４号公報 特開２００２−３０７６４５号公報 特開２００３−２６６７６３号公報 特開２０１０−１６７５７５号公報
本発明は、発光素子に流れる電流をより適切に制御することができる駆動回路及び処理装置を提供する。
本発明の一態様によれば、駆動回路は、発光素子と電気的に接続される電流制御用スイッチング素子と、前記電流制御用スイッチング素子と電気的に接続された出力端子と、前記発光素子から所望の強度の光を照射するための基準となる基準信号が入力される第１入力端子と、前記発光素子に流れる電流の検出結果に対応した検出信号が入力される第２入力端子と、を有し、前記第１入力端子の電圧と前記第２入力端子の電圧とに基づいて前記発光素子及び前記電流制御用スイッチング素子に流れる電流を制御する差動増幅回路と、前記発光素子に流れる電流の立上がりのオーバーシュート量を調整可能とする調整部と、を備える。
本発明の一態様によれば、発光素子に流れる電流をより適切に制御することができる駆動回路及び処理装置が提供される。
実施形態に係る駆動回路及び処理装置を模式的に表すブロック図である。 実施形態に係る制御部の動作の一例を模式的に表すグラフ図である。 実施形態に係る駆動回路及び処理装置の変形例を模式的に表すブロック図である。
以下、図面を参照し、実施形態について説明する。なお、各図面中、同じ要素には同じ符号を付している。
図１は、実施形態に係る駆動回路及び処理装置を模式的に表すブロック図である。
図１に表したように、処理装置２は、駆動回路１０と、発光素子１２と、を備える。処理装置２は、例えば、直列に接続された複数の発光素子１２を備える。図１では、直列に接続された４つの発光素子１２を便宜的に図示している。発光素子１２の数は、４つに限ることなく、任意の数でよい。発光素子１２の数は、１つでもよい。発光素子１２は、例えば、レーザダイオードである。但し、発光素子１２は、レーザダイオードに限ることなく、例えば発光ダイオードなどの他の発光素子でもよい。
発光素子１２は、駆動回路１０と電気的に接続されている。また、発光素子１２は、直流電源ＰＳと電気的に接続されている。直流電源ＰＳは、発光素子１２に直流電力を供給する。発光素子１２は、直流電源ＰＳからの直流電力の供給に応じて光を照射する。なお、「電気的に接続」は、２つの部材が配線などを介して直接的に接続された状態でもよいし、他の導電部材などを介して間接的に接続された状態でもよい。
駆動回路１０は、発光素子１２を駆動する。換言すれば、駆動回路１０は、直流電源ＰＳから発光素子１２への直流電力の供給を駆動する。駆動回路１０は、発光素子１２からの光の照射、及び光の照射の停止の切り替えを行うとともに、発光素子１２から照射される光の強度の調整を行う。このように、処理装置２は、発光素子１２を駆動回路１０で駆動し、所定のパターンの光を発光素子１２から光学系を通して照射することにより、対象物に所定の処理を施す。
処理装置２は、より具体的には露光装置や加工装置などである。露光装置である場合、処理装置２は、例えば、半導体ウェハなどを処理対象物とし、発光素子１２から光学系を通して照射された光により、ウェハ表面に塗布されたレジストに対して所定のパターンを露光する。加工装置である場合、処理装置２は、例えば、金属板などを処理対象物とし、発光素子１２から光学系を通して照射された光により、切断加工や穴あけ加工などの種々の加工を対象物に施す。
処理装置２は、制御部１４をさらに備える。制御部１４は、駆動回路１０の動作を制御する。駆動回路１０は、制御部１４の制御に基づいて、発光素子１２を駆動する。例えば、ネットワークなどを介して外部から入力される制御信号に基づいて、駆動回路１０を動作させてもよい。
駆動回路１０は、スイッチング素子２０と、電流制御用スイッチング素子２１と、差動増幅回路２２と、を備える。電流制御用スイッチング素子２１は、発光素子１２と電気的に接続される。電流制御用スイッチング素子２１は、例えば、発光素子１２と直列に接続される。発光素子１２は、直流電源ＰＳと電流制御用スイッチング素子２１との間に設けられる。例えば、発光素子１２がレーザダイオードである場合、発光素子１２のいずれかのアノードが直流電源ＰＳと電気的に接続され、発光素子１２のいずれかのカソードが電流制御用スイッチング素子２１と電気的に接続される。
スイッチング素子２０は、電流制御用スイッチング素子２１と直列に接続される。スイッチング素子２０は、例えば、電流制御用スイッチング素子２１とグランド（共通電位）との間に設けられる。これにより、各スイッチング素子２０、２１をオン状態にすることによって発光素子１２に電流が流れ、発光素子１２から光が照射される。そして、各スイッチング素子２０、２１の少なくとも一方をオフ状態にすることによって発光素子１２への電流の供給が停止され、発光素子１２からの光の照射が停止される。
各スイッチング素子２０、２１には、例えば、バイポーラトランジスタやＦＥＴなどが用いられるが、これらに限ることなく、発光素子１２への電流の供給及び供給の停止を切替可能な任意のスイッチング素子でよい。
電流制御用スイッチング素子２１は、第１主端子２１ａと、第２主端子２１ｂと、制御端子２１ｃと、を有する。第１主端子２１ａは、発光素子１２と電気的に接続される。制御端子２１ｃは、第１主端子２１ａと第２主端子２１ｂとの間に流れる電流を制御する。例えば、電流制御用スイッチング素子２１がＦＥＴである場合、第１主端子２１ａはドレインであり、第２主端子２１ｂはソースであり、制御端子２１ｃはゲートである。同様に、スイッチング素子２０は、第１主端子２０ａと、第２主端子２０ｂと、制御端子２０ｃと、を有している。
電流制御用スイッチング素子２１は、制御端子２１ｃに印加された電圧に応じて、第１主端子２１ａと第２主端子２１ｂとの間に流れる電流の大きさを調整する。すなわち、駆動回路１０は、電流制御用スイッチング素子２１の制御端子２１ｃの電圧を調整することによって、発光素子１２に流れる電流の大きさを調整する。換言すれば、駆動回路１０は、電流制御用スイッチング素子２１の制御端子２１ｃの電圧を調整することによって、発光素子１２から照射される光の強度を調整する。駆動回路１０は、例えば、発光素子１２に実質的に一定の電流が流れるように、制御端子２１ｃの電圧を調整する。駆動回路１０は、例えば、定電流回路である。
差動増幅回路２２は、第１入力端子２２ａと、第２入力端子２２ｂと、出力端子２２ｃと、を有する。出力端子２２ｃは、電流制御用スイッチング素子２１の制御端子２１ｃと電気的に接続されている。第１入力端子２２ａには、発光素子１２から所望の強度の光を照射するための基準となる基準信号が入力される。第２入力端子２２ｂには、発光素子１２に流れる電流の検出結果に対応した検出信号が入力される。検出信号は、換言すれば、発光素子１２に流れる電流の検出結果を差動増幅回路２２にフィードバックするフィードバック信号である。なお、出力端子２２ｃと電流制御用スイッチング素子２１の第１主端子２１ａとの間には抵抗とコンデンサを配置してもよい。
差動増幅回路２２は、第１入力端子２２ａの電圧と第２入力端子２２ｂの電圧とに基づいて発光素子１２及び電流制御用スイッチング素子２１に流れる電流を制御する。差動増幅回路２２は、基準信号と検出信号との差に応じた電圧を電流制御用スイッチング素子２１の制御端子２１ｃに印加する。これにより、差動増幅回路２２は、基準信号に対応した実質的に一定の電流が発光素子１２に流れるようにする。
検出信号は、例えば、基準信号に対応した所望の電流が発光素子１２に流れた時に、基準信号と同じ値になるように設定される。差動増幅回路２２は、出力端子２２ｃから制御端子２１ｃに電圧を印加することで、実質的に一定の電流が発光素子１２に流れるようにする。
発光素子１２に流れる電流が基準信号に対応した所望の電流よりも大きくなった場合、検出信号が大きくなり、基準信号との差が所定量よりも小さくなる。従って、制御端子２１ｃに印加される電圧が小さくなり、発光素子１２に流れる電流が小さくなるように制御される。反対に、発光素子１２に流れる電流が基準信号に対応した所望の電流よりも小さくなった場合、検出信号が小さくなり、基準信号との差が所定量よりも大きくなる。従って、制御端子２１ｃに印加される電圧が大きくなり、発光素子１２に流れる電流が大きくなるように制御される。これにより、発光素子１２に流れる電流を基準信号に対応した値に近付け、実質的に一定の電流となるように制御することができる。
差動増幅回路２２は、例えば、オペアンプ２４を有する。第１入力端子２２ａは、例えば、オペアンプ２４の非反転入力端子である。第２入力端子２２ｂは、例えば、オペアンプ２４の反転入力端子である。差動増幅回路２２は、オペアンプ２４を有する構成に限ることなく、例えば、複数のトランジスタなどを組み合わせ同じ機能を有する構成としてもよい。
第１入力端子２２ａは、制御部１４と電気的に接続されている。基準信号は、制御部１４から入力される。制御部１４は、例えば、対象物の種類や対象物に施す処理の種類などに応じて適切な強度の光が発光素子１２から照射されるように、第１入力端子２２ａに基準信号を入力する。また、制御部１４は、基準信号を小さくする（例えば０Ｖにする）ことで、制御端子２１ｃに印加される電圧を小さくし、電流制御用スイッチング素子２１をオフ状態とすることができる。すなわち、発光素子１２を消灯させた状態で維持することができる。
駆動回路１０は、例えば、ボルテージフォロワ３０と、ローパスフィルタ３２と、を有する。ボルテージフォロワ３０は、制御部１４と第１入力端子２２ａとの間に設けられる。ボルテージフォロワ３０は、例えば、制御部１４から出力された信号の変動を抑制するバッファとして機能する。ボルテージフォロワ３０は、例えば、出力端子と反転入力端子とを短絡させたオペアンプによって構成される。
ローパスフィルタ３２は、ボルテージフォロワ３０と第１入力端子２２ａとの間に設けられる。ローパスフィルタ３２は、例えば、ボルテージフォロワ３０と第１入力端子２２ａとの間に接続された抵抗素子３３と、第１入力端子２２ａと抵抗素子３３とを接続する信号ラインとグランド（共通電位）との間に接続されたコンデンサ３４と、を有する。ローパスフィルタ３２は、例えば、制御部１４（ボルテージフォロワ３０）から出力された信号に含まれる高周波成分を低減させる。
このように、ボルテージフォロワ３０とローパスフィルタ３２とを設けることにより、より適切な基準信号を第１入力端子２２ａに入力することができる。ボルテージフォロワ３０及びローパスフィルタ３２は、必要に応じて設けられ、省略可能である。
駆動回路１０は、抵抗素子３６を有する。抵抗素子３６の一端は、電流制御用スイッチング素子２１の第２主端子２１ｂと電気的に接続されている。抵抗素子３６の他端は、スイッチング素子２０の第１主端子２０ａと電気的に接続されている。これにより、抵抗素子３６とスイッチング素子２０の両端には、発光素子１２に流れる電流に対応した電圧が生じる。抵抗素子３６は、換言すれば、発光素子１２に流れる電流を検出するための抵抗である。
抵抗素子３６の一端は、第２入力端子２２ｂと電流制御用スイッチング素子２１の第２主端子２１ｂと電気的に接続されている。これにより、抵抗素子３６とスイッチング素子２０の両端で発生した電圧が、検出信号として第２入力端子２２ｂに入力される。但し、第２入力端子２２ｂへの検出信号の入力方法は、上記に限ることなく、任意の方法でよい。
また、スイッチング素子２０の第２主端子２０ｂは、グランド（共通電位）と電気的に接続される。スイッチング素子２０の制御端子２０ｃは、制御部１４と電気的に接続される。制御部１４は、オン・オフを周期的に繰り返すパルス信号をスイッチング素子２０の制御端子２０ｃに入力する。
パルス信号がオン（ハイ）の場合、パルス信号の電圧値は、スイッチング素子２０の閾値の電圧値よりも十分に高くなる。従って、パルス信号がオンの場合には、前述のように、基準信号及び検出信号に基づいて発光素子１２に流れる電流が制御される。
一方、パルス信号がオフ（ロー）の場合、パルス信号の電圧値は、スイッチング素子２０の閾値の電圧値よりも低くなる。すなわち、パルス信号がオフの場合には、発光素子１２からの光の照射が停止される。
このように、制御部１４は、差動増幅回路２２の第１入力端子２２ａに基準信号を入力するとともに、スイッチング素子２０の制御端子２０ｃにパルス信号を入力することにより、発光素子１２をパルス発振させる。
制御部１４は、例えば、対象物の種類や対象物に施す処理の種類などに応じて、スイッチング素子２０の制御端子２０ｃに入力するパルス信号のデューティ比を変化させる。これにより、例えば、対象物に加わるエネルギーなどを、より調整し易くすることができる。発光素子１２の発振は、パルス発振に限ることなく、連続発振でもよい。連続発振のみを行う場合、制御部１４からスイッチング素子２０の制御端子２０ｃへのパルス信号の入力及びスイッチング素子２０は、省略可能である。
また、この例では、発光素子１２をパルス発振させるためのパルス信号をスイッチング素子２０の制御端子２０ｃに入力する信号源として制御部１４を示している。信号源は、制御部１４に限ることなく、パルス信号をスイッチング素子２０の制御端子２０ｃに入力可能な任意の信号源でよい。例えば、専用の発振回路などを信号源として用いてもよい。
駆動回路１０は、発光素子１２に流れる電流の立上がりのオーバーシュート量を調整する調整部５０を、さらに備える。調整部５０は、例えば、可変コンデンサ５２と、可変抵抗５６と、を含む。
可変コンデンサ５２と可変抵抗５６は、直列に接続されている。可変コンデンサ５２と可変抵抗５６は、差動増幅回路２２の出力端子２２ｃと電流制御用スイッチング素子２１の第１主端子２１ａとの間に設けられている。可変コンデンサ５２の一端は、可変抵抗５６と電気的に接続されている。可変コンデンサ５２の他端は、電流制御用スイッチング素子２１の第１主端子２１ａと電気的に接続されている。
可変コンデンサ５２の容量値を小さくするほど、発光素子１２に流れる電流の立上がりが急峻になり、オーバーシュートが発生し易くなる。すなわち、調整部５０では、可変コンデンサ５２の容量値を小さくすることで、発光素子１２に流れる電流の立上がりのオーバーシュート量を大きくすることができ、可変コンデンサ５２の容量値を大きくすることで、発光素子１２に流れる電流の立上がりのオーバーシュート量を小さくすることができる。
可変抵抗５６は、差動増幅回路２２の出力端子２２ｃと可変コンデンサ５２との間に設けられている。可変抵抗５６は、例えば、制御端子２１ｃに印加される電圧を調整する。
可変抵抗５６の抵抗値を大きくすると、オーバーシュートが発生し易くなる。このように、調整部５０では、可変抵抗５６の抵抗値を大きくすることで、発光素子１２に流れる電流の立上がりのオーバーシュート量を大きくすることができ、可変抵抗５６の抵抗値を小さくすることで、発光素子１２に流れる電流の立上がりのオーバーシュート量を小さくすることができる。
可変コンデンサ５２及び可変抵抗５６は、制御部１４と電気的に接続されている。制御部１４は、可変コンデンサ５２の容量値、及び可変抵抗５６の抵抗値の少なくともいずれかを変化させることにより、発光素子１２に流れる電流の立上がりのオーバーシュート量を調整する。すなわち、制御部１４は、調整部５０によるオーバーシュート量の調整を制御する。
可変コンデンサ５２には、例えば、デジタルプログラマブルコンデンサが用いられる。これにより、制御部１４の制御によって、可変コンデンサ５２の容量値を変化させることができる。可変抵抗５６には、例えば、デジタルポテンショメータが用いられる。これにより、制御部１４の制御によって、可変抵抗５６の抵抗値を変化させることができる。
制御部１４は、例えば、操作部６０及び記憶部６２と電気的に接続されている。操作部６０には、例えば、キーボード、マウス、タッチパネルなどの任意の入力装置が用いられる。操作部６０は、オペレータなどからの操作を受け付け、受け付けた操作に応じた種々の操作指示を制御部１４に入力する。制御部１４は、例えば、操作部６０から入力された操作指示に応じて、調整部５０によるオーバーシュート量の調整を制御する。すなわち、制御部１４は、操作部６０から入力された操作指示に応じて、可変コンデンサ５２の容量値、及び可変抵抗５６の抵抗値の少なくともいずれかを変化させる。
記憶部６２は、関連付け情報６２ａを記憶している。関連付け情報６２ａは、例えば、対象物の処理に関する処理情報と、その処理を行う際のオーバーシュート量の最適値と、を関連付けて記憶している。処理情報は、例えば、対象物の種類を表す情報と、対象物に施す処理の情報と、を含む。対象物の種類を表す情報は、例えば、対象物の材質、大きさ、厚さなどを含む。対象物に施す処理の情報は、例えば、切断加工や穴あけ加工などの処理の種類の情報や、光を照射するパターンの情報などを含む。処理情報に含まれる情報は、上記に限ることなく、対象物への処理を行う上で必要となる任意の情報でよい。
制御部１４は、操作部６０から操作指示の一つとして処理情報を受け取る。処理装置２のオペレータは、対象物への処理を行う際に、操作部６０を操作し、制御部１４に処理情報を入力する。制御部１４は、処理情報を受け取ると、記憶部６２に記憶された関連付け情報６２ａを参照し、入力された処理情報に対応するオーバーシュート量の最適値を関連付け情報６２ａから読み出す。そして、制御部１４は、読み出した最適値に応じて、調整部５０によるオーバーシュート量の調整を制御する。これにより、対象物の種類及び処理の内容などに応じた最適なオーバーシュート量となるように、調整部５０による調整を自動的に行うことができる。
このように、制御部１４は、操作部６０の操作によって調整部５０によるオーバーシュート量の調整を手動で設定できるようにするとともに、操作部６０から入力された処理情報及び記憶部６２に記憶された関連付け情報６２ａを基に、調整部５０によるオーバーシュート量の調整を自動で設定できるようにする。
調整部５０の調整は、手動による設定のみでもよいし、自動による設定のみでもよい。調整部５０を手動のみで設定する場合には、記憶部６２は、省略可能である。調整部５０を手動のみで設定する場合、操作部６０は、制御部１４と電気的に接続されたものに限ることなく、例えば、可変コンデンサ５２の容量値や可変抵抗５６の抵抗値などを直接的に変化させるダイヤルなどとしてもよい。すなわち、操作部６０は、調整部５０に設けてもよい。
処理情報は、例えば、ネットワークなどを介して他の機器から入力してもよい。この場合、操作部６０は、省略可能である。また、記憶部６２は、制御部１４と電気的に接続されたものに限ることなく、例えば、制御部１４内に組み込まれたものなどでもよい。
このように、本実施形態に係る処理装置２及び駆動回路１０では、発光素子１２に流れる電流の立上がりのオーバーシュート量を調整部５０によって調整することができる。これにより、発光素子１２に流れる電流をより適切に制御することができる。すなわち、発光素子１２から照射される光の強度をより適切に制御することができる。
本願発明者は、鋭意の検討の結果、処理装置２において対象物に処理を行う際に、発光素子１２に流れる電流の立上がりのオーバーシュート量を調整することによって、加工や露光などの処理の精度を高めることができることを見出した。
例えば、熱容量の高い材料が用いられた対象物に対して線状のパターンを形成する場合、光の照射開始から対象物の温度が上昇するまでに時間がかかり、光の照射を開始した部分において所望の形状を得られない場合がある。従って、この場合には、オーバーシュート量を多くし、照射開始時点の光の強度を高くする。これにより、対象物の温度上昇を早め、処理の精度をより高めることができる。
反対に、熱容量の低い材料が用いられた対象物に対して線状のパターンを形成する場合に、オーバーシュート量を過度に多くし過ぎると、照射開始部分に過度なエネルギーを加えてしまう可能性が生じる。従って、この場合には、オーバーシュート量を少なくする。
このように、本願発明者は、対象物によって必要となるオーバーシュート量が異なることを見出した。本実施形態に係る処理装置２及び駆動回路１０では、調整部５０によってオーバーシュート量を調整することができる。すなわち、対象物に適したオーバーシュート量となるように、対象物に応じてオーバーシュート量を調整することができる。これにより、様々な対象物に対して処理を行う場合にも、処理の精度を向上させることができる。
また、例えば、対象物と最適なオーバーシュート量との関係を予め測定しておき、関連付け情報６２ａとして記憶部６２に記憶させておく。これにより、前述のように、調整部５０の調整を自動的に行うことができる。これにより、処理装置２の利便性をより向上させることができる。
図２は、実施形態に係る制御部の動作の一例を模式的に表すグラフ図である。
図２の横軸は、時間であり、縦軸は、発光素子１２に流れる電流である。
図２に表したように、制御部１４は、例えば、発光素子１２をパルス発振させ、対象物に対して１つのパターンの処理を行う際に、パターンの開始から終了に向かってオーバーシュート量がパルス発振毎に徐々に少なくなるように、調整部５０を制御する。
例えば、発光素子１２をパルス発振させる毎に、対象物の温度が上昇していく可能性がある。すなわち、２つ目以降のパルスにおいて光を照射する時には、最初のパルスにおいて光を照射する時よりも対象物の温度が上昇している可能性がある。この場合に、例えば、一定のオーバーシュート量を設定して線状のパターンを対象物に形成しようとすると、対象物の温度上昇に応じて線幅が徐々に広くなってしまう可能性がある。
従って、このような場合には、オーバーシュート量をパルス発振毎に徐々に少なくする。例えば、対象物の温度上昇に合わせてオーバーシュート量を少なくする。これにより、例えば、対象物の温度変化に合わせて、より適切なエネルギーを対象物に加えることができる。線幅の広がりなどを抑制し、処理精度をより向上させることができる。なお、対象物の温度変化が少ない場合などには、オーバーシュート量をパルス毎に変化させる必要はない。オーバーシュート量は、実質的に一定に設定してもよい。
図３は、実施形態に係る駆動回路及び処理装置の変形例を模式的に表すブロック図である。
なお、上記実施形態と機能・構成上実質的に同じものについては、同符号を付し、詳細な説明は省略する。
図３に表したように、処理装置２ａは、検査部６４をさらに有する。検査部６４は、処理後の対象物を検査し、検査結果を表す検査情報を制御部１４に入力する。検査部６４は、例えば、処理後の対象物の画像データをカメラによって取得し、画像処理によって処理後の対象物を検査する。そして、検査部６４は、例えば、処理が行われた部分の寸法の情報を検査情報として取得する。
制御部１４は、検査部６４から入力された検査情報を基に、調整部５０によるオーバーシュート量の調整を制御する。例えば、線状のパターンの形成において、照射開始部分の線幅が狭い場合などには、オーバーシュート量を多くする。これにより、検査結果を次の対象物の処理にフィードバックすることができる。従って、処理精度をより向上させることができる。
なお、検査情報は、他の検査装置などから制御部１４に入力してもよいし、操作部６０を介してオペレータなどに手動で入力させてもよい。この場合、検査情報に応じて調整部５０を制御する場合にも、検査部６４は、省略可能である。
上記各実施形態では、調整部５０が、可変コンデンサ５２と可変抵抗５６とを有し、可変コンデンサ５２の容量値、及び可変抵抗５６の抵抗値のいずれかによってオーバーシュート量を調整できるようにしている。調整部５０の構成は、上記に限るものではない。調整部５０は、例えば、コンデンサ及び抵抗器の少なくともいずれかに可変機能を有していればよい。調整部５０は、可変コンデンサ５２と抵抗器を有するものでもよいし、コンデンサと可変抵抗５６を有するものでもよい。調整部５０の構成は、発光素子１２に流れる電流の立上がりのオーバーシュート量を調整可能な任意の構成でよい。
以上、具体例を参照しつつ、本発明の実施形態について説明した。しかし、本発明は、これらの具体例に限定されるものではない。本発明の上述した実施形態を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての形態も、本発明の要旨を包含する限り、本発明の範囲に属する。その他、本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものである。
２、２ａ…処理装置、 １０…駆動回路、 １２…発光素子、 １４…制御部、 ２０…スイッチング素子、 ２１…電流制御用スイッチング素子、 ２２…差動増幅回路、 ２４…オペアンプ、 ３０…ボルテージフォロワ、 ３２…ローパスフィルタ、 ３３…抵抗素子、 ３４…コンデンサ、 ３６…抵抗素子、 ５０…調整部、 ５２…可変コンデンサ、 ５６…可変抵抗、 ６０…操作部、 ６２…記憶部、 ６４…検査部

Claims (7)

  1. 発光素子と電気的に接続される電流制御用スイッチング素子と、
    前記電流制御用スイッチング素子と電気的に接続された出力端子と、前記発光素子から所望の強度の光を照射するための基準となる基準信号が入力される第１入力端子と、前記発光素子に流れる電流の検出結果に対応した検出信号が入力される第２入力端子と、を有し、前記第１入力端子の電圧と前記第２入力端子の電圧とに基づいて前記発光素子及び前記電流制御用スイッチング素子に流れる電流を制御する差動増幅回路と、
    前記発光素子に流れる電流の立上がりのオーバーシュート量を調整可能とする調整部と、
    を備えた駆動回路。
  2. 前記電流制御用スイッチング素子は、前記発光素子と電気的に接続される主端子を有し、
    前記調整部は、前記出力端子と前記電流制御用スイッチング素子の前記主端子との間に設けられた可変コンデンサを含む請求項１記載の駆動回路。
  3. 前記電流制御用スイッチング素子は、前記発光素子と電気的に接続される主端子を有し、
    前記調整部は、前記出力端子と前記電流制御用スイッチング素子の前記主端子との間に設けられた可変抵抗を含む請求項１又は２に記載の駆動回路。
  4. 発光素子と、
    前記発光素子を駆動する請求項１〜３のいずれか１つに記載の駆動回路と、
    前記駆動回路の動作を制御する制御部と、
    を備えた処理装置。
  5. 前記制御部は、対象物の処理に関する処理情報と、前記処理を行う際の前記オーバーシュート量の最適値と、を関連付けて記憶した関連付け情報を基に、前記調整部による前記オーバーシュート量の調整を制御する請求項４記載の処理装置。
  6. 前記制御部は、処理後の対象物の検査結果を表す検査情報を基に、前記調整部による前記オーバーシュート量の調整を制御する請求項４又は５に記載の処理装置。
  7. 前記制御部は、前記発光素子をパルス発振させるとともに、対象物に対して１つのパターンの処理を行う際に、前記パターンの開始から終了に向かって前記オーバーシュート量が前記パルス発振毎に徐々に少なくなるように、前記調整部を制御する請求項４〜６のいずれか１つに記載の処理装置。
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