JP6813574B2 - インジウムまたはインジウム合金の堆積方法および物品 - Google Patents
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前記の課題は、独立請求項による方法および物品を使用することによって解決される。好ましい実施態様については、従属請求項が参照される。
本発明によるインジウムまたはインジウム合金の堆積方法は、以下の段階を含む:
i. 少なくとも1つの金属または金属合金表面を有する基板を準備する段階
ii. 第1のインジウムまたはインジウム合金層を、前記表面の少なくとも一箇所の上に堆積する段階、ここで、複合相層が、前記金属または金属合金表面の一部と、前記第1のインジウムまたはインジウム合金層の一部とで形成される、
iii. 前記複合相層になっていない第1のインジウムまたはインジウム合金層の部分を、部分的または完全に除去する段階
iv. 第2のインジウムまたはインジウム合金層を、段階iiiで得られた表面の少なくとも一箇所の上に堆積する段階。
i.a 少なくとも1つの金属または金属合金表面を前処理する段階
を含む。
・ 開路電位を測定する段階
を含む。
ii.a インジウムまたはインジウム合金めっき浴を準備する段階、
ii.b 前記インジウムまたはインジウム合金めっき浴を、金属または金属合金表面と接触させる段階、および
ii.c 基板と少なくとも1つのアノードとの間に電流を印加し、それによってインジウムまたはインジウム合金を基板の前記金属または金属合金表面の少なくとも一箇所の上に堆積する段階。
ii.c 基板と少なくとも1つのアノードとの間に電流を印加する段階。
v. 第2のインジウムまたはインジウム合金層を部分的または完全に除去する段階、
vi. 段階vにおいて得られた表面の少なくとも一箇所の上に第3のインジウムまたはインジウム合金を堆積する段階。
i. 少なくとも1つの金属または金属合金表面を有する基板を準備する段階、
i.a. 少なくとも1つの金属または金属合金表面を任意に前処理する段階、
ii. 第1のインジウムまたはインジウム合金層を、前記表面の少なくとも一箇所の上に電解堆積する段階、ここで、複合相層が前記表面の金属または金属合金の一部、および前記第1のインジウムまたはインジウム合金層の一部で形成される、
iii. 前記複合相層になっていない前記第1のインジウムまたはインジウム合金層を、部分的または完全に電解剥離する段階、
iv. 段階iiiにおいて得られた表面の少なくとも一箇所の上に、第2のインジウムまたはインジウム合金層を堆積する段階、
v. 前記第2のインジウムまたはインジウム合金のインジウム層を部分的または完全に、任意に電解剥離する段階、および
vi. 段階vにおいて得られた表面の少なくとも一箇所の上に第3のインジウムまたはインジウム合金層を任意に堆積する段階。
a) 少なくとも1つの金属または金属合金表面、
b) インジウムまたはインジウム合金と、前記表面からの金属または金属合金とで形成される複合相層、および
c) 本発明による方法によって形成された1つまたはそれより多くのインジウムまたはインジウム合金層
を、この順で含む前記物品を提供するために有用である。
試料として、NiシートまたはNiめっきされた真鍮シートを使用し、それらをガルバノテープ(ビニルテープ 471、3M社製)でテープ付けして、所望の開口サイズにした。
Novaソフトウェアによって制御されたAutolabポテンシオスタット(Metrohm)を、電気化学的な調査のための電源として使用した。電流対電圧曲線を、三電極設定を使用して、掃引速度10mV/s(対Ag+│AgCl参照)で記録した。
インジウムまたはインジウム合金層のトポグラフィーを、白色光干渉計(Atos GmbH)を用いて評価した。表面粗さを測定するための画像のサイズは、面積60×60μmであった。表面粗さは、NanoScope Analysisソフトウェアによって計算された。トポグラフィーのデータから推測される値は、平均粗さSaに相応して与えられる。表面粗さは、通常、粗さが最も顕著である試料の中心で測定された。
層厚は、各々の基板の5つの点で、XRFによって、XRF機器Fischerscope XDV−SDD(Helmut Fischer GmbH、ドイツ)を使用して測定された。堆積物の層状構造を仮定して、層厚をかかるXRFデータから計算できる。
105g/Lの硫酸インジウム、150g/Lのスルファミン酸ナトリウム、26.4g/Lのスルファミン酸、45.8g/Lの塩化ナトリウム、8.0g/Lのグルコース、および2.3g/Lのトリエタノールアミンを含有するインジウムまたはインジウム合金の水性めっき浴を、脱イオン水中で全ての成分を溶解させることによって調製した。
ニッケル表面を有する基板(試料)を、実施例1のインジウムまたはインジウム合金めっき浴中に20℃で浸漬して、その上にインジウムを堆積した。インジウムの堆積のための電位は−1.1Vであった(段階ii)。15秒後、電位を−0.3Vに変更して、複合相層からインジウムを剥離した(段階iii)。電流が一定になったらすぐに(それは、複合相層になっていないインジウムの実質的に全てが除去されたことを示す)、電位を再度−1.1Vに変更した。0.55C/cm2の総電荷が適用されるまで堆積を継続した(段階iv)。次いで試料をインジウムまたはインジウム合金めっき浴から取り出し、濯ぎ、そして乾燥させた。
例1において概説した方法を繰り返し、且つインジウムを、ルテニウム表面を有する基板上に堆積した。電流・電圧曲線を、インジウムの堆積のために有用な作用電位を同定するために使用し、この場合、それは−1.4Vであると測定された。それ以外では、例1と同じパラメータおよび同じインジウムまたはインジウム合金の水性めっき浴を使用した。試料の表面は、平均粗さSa=75.3nmを有し、且つ相対的な表面積の増加(RSAI)は13.7%であった。
例2において概説した方法を繰り返し、且つインジウムを、ルテニウム表面を有する基板上に堆積した。電流・電圧曲線を、インジウムの堆積のために有用な作用電位を同定するために使用し、この場合、それは−1.4Vであると測定された。それ以外では、例2と同じパラメータおよび同じインジウムまたはインジウム合金の水性めっき浴を使用した。試料の表面は、平均粗さSa=49.1nmを有し、且つ相対的な表面積の増加(RSAI)は3.1%であった。
例1において概説した方法を繰り返し、且つインジウムを、CoWP(コバルトタングステンリン合金)表面を有する基板上に堆積した。電流・電圧曲線を、インジウムの堆積のために有用な作用電位を同定するために使用し、この場合、それは−1.2Vであると測定された。それ以外では、例1と同じパラメータおよび同じインジウムまたはインジウム合金の水性めっき浴を使用した。試料の表面は平均粗さSa=80nmを有した。
例2において概説した方法を繰り返し、且つインジウムを、CoWP(コバルトタングステンリン合金)表面を有する基板上に堆積した。電流・電圧曲線を、インジウムの堆積のために有用な作用電位を同定するために使用し、この場合、それは−1.2Vであると測定された。それ以外では、例2と同じパラメータおよび同じインジウムまたはインジウム合金の水性めっき浴を使用した。試料の表面は平均粗さSa=61nmを有した。
例5において概説した方法を繰り返し、且つインジウムを、CoWP(コバルトタングステンリン合金)表面を有する基板上に堆積したが、この場合、インジウムの堆積のための作用電位を−1.4Vに設定した。それ以外では、例5と同じパラメータおよび同じインジウムまたはインジウム合金の水性めっき浴を使用した。試料の表面は平均粗さSa=64nmを有した。
例6において概説した方法を繰り返し、且つインジウムを、CoWP(コバルトタングステンリン合金)表面を有する基板上に堆積したが、この場合、インジウムの堆積のための作用電位を−1.4Vに設定した。それ以外では、例6と同じパラメータおよび同じインジウムまたはインジウム合金の水性めっき浴を使用した。試料の表面は平均粗さSa=39nmを有した。
例1において概説した方法を繰り返し、且つインジウムを、パラジウム表面を有する基板上に堆積した。電流・電圧曲線を、インジウムの堆積のために有用な作用電位を同定するために使用し、この場合、それは−1.2Vであると測定された。それ以外では、例1と同じパラメータおよび同じインジウムまたはインジウム合金の水性めっき浴を使用した。試料の表面は平均粗さSa=30.3nmを有した。
例2において概説した方法を繰り返し、且つインジウムを、パラジウム表面を有する基板上に堆積した。電流・電圧曲線を、インジウムの堆積のために有用な作用電位を同定するために使用し、この場合、それは−1.2Vであると測定された。それ以外では、例2と同じパラメータおよび同じインジウムまたはインジウム合金の水性めっき浴を使用した。試料の表面は平均粗さSa=28.7nmを有した。作用電位が−1.3Vに設定された場合、平均粗さSa=27.8nmであった。
Claims (13)
- インジウムまたはインジウム合金の堆積方法であって、以下の段階:
i. ニッケル、コバルト、ルテニウム、チタン、タンタル、タングステンおよび前述のものの合金からなる群から選択される1つまたはそれより多くからなる少なくとも1つの金属または金属合金表面を有する基板を準備する段階
ii. 第1のインジウムまたはインジウム合金層を、前記表面の少なくとも一箇所の上に堆積する段階、ここで、複合相層が、前記金属または金属合金表面の一部と、前記第1のインジウムまたはインジウム合金層の一部とで形成される、
iii. 前記複合相層になっていない第1のインジウムまたはインジウム合金層の少なくとも90質量%を除去する段階、ここで、前記複合相層は本質的に除去されない、
iv. 第2のインジウムまたはインジウム合金層を、段階iiiで得られた表面の少なくとも一箇所の上に堆積する段階
を含む前記方法。 - 段階iiにおける前記第1のインジウムまたはインジウム合金層が、インジウムまたはインジウム合金の電解堆積によって形成されることを特徴とする、請求項1に記載の方法。
- 段階ivにおけるインジウムまたはインジウム合金の堆積を、電解堆積、無電解堆積、化学気相堆積または物理気相堆積によって行うことを特徴とする、請求項1または2に記載の方法。
- 段階ivにおけるインジウムまたはインジウム合金の堆積が、インジウムまたはインジウム合金の電解堆積であることを特徴とする、請求項3に記載の方法。
- 前記複合相層になっていない前記第1のインジウムまたはインジウム合金層の除去が、定電流の剥離工程または定電位の剥離工程であることを特徴とする、請求項1から4までのいずれか1項に記載の方法。
- ・ 開路電位を測定する段階
を含むことを特徴とする、請求項1から5までのいずれか1項に記載の方法。 - 開路電位よりも高いアノード電位を用いた定電位の剥離工程を使用して、前記複合相層になっていない前記第1のインジウムまたはインジウム合金層を除去することを特徴とする、請求項5または6に記載の方法。
- 段階iiおよび段階ivにおけるインジウムまたはインジウム合金の電解堆積は、開路電位よりも高いカソード電位を使用する定電位のインジウム堆積工程であることを特徴とする、請求項7に記載の方法。
- 前記基板が、プリント回路板、ウェハ基板、IC基板、チップキャリア、回路キャリア、相互接続装置およびディスプレイ装置から選択されることを特徴とする、請求項1から8までのいずれか1項に記載の方法。
- 前記少なくとも1つの合金表面は、前記金属の2つまたはそれより多く、または前記金属の1つまたはそれより多くとリン、ホウ素、もしくはリンおよびホウ素、または前記金属のそれぞれの窒化物およびケイ化物で形成されることを特徴とする、請求項1から9までのいずれか1項に記載の方法。
- 前記少なくとも1つの金属または金属合金表面は、ニッケル、または以下: ニッケルリン合金、ニッケルホウ素合金、ニッケルタングステンリン合金、ニッケルタングステンホウ素合金、ニッケルタングステンリンホウ素合金、ニッケルモリブデンリン合金、ニッケルモリブデンホウ素合金、ニッケルモリブデンリンホウ素合金、ニッケルマンガンリン合金、ニッケルマンガンホウ素合金およびニッケルマンガンリンホウ素合金からなる群から選択されるニッケル合金の1つからなることを特徴とする、請求項1から10までのいずれか1項に記載の方法。
- 前記複合相層とその上の全てのインジウムまたはインジウム合金層との合計の厚さが、1〜1000nmにわたることを特徴とする、請求項1から11までのいずれか1項に記載の方法。
- 少なくとも1つの金属または金属合金表面を有する基板を有する物品であって、
a) 少なくとも1つの金属または金属合金表面、
b) インジウムまたはインジウム合金の一部と、前記金属または金属合金表面の一部とで形成される複合相層、および
c) 1つまたはそれより多くのインジウムまたはインジウム合金層
を、この順で含む前記物品を製造するための、請求項1から12までのいずれか1項に記載の方法。
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