JP2018529848A5 - - Google Patents

Claims (14)

1. インジウムまたはインジウム合金の堆積方法であって、以下の段階：
   ｉ． ニッケル、コバルト、ルテニウム、チタン、タンタル、タングステンおよび前述のものの合金からなる群から選択される１つまたはそれより多くからなる少なくとも１つの金属または金属合金表面を有する基板を準備する段階
   ｉｉ． 第１のインジウムまたはインジウム合金層を、前記表面の少なくとも一箇所の上に堆積する段階、ここで、複合相層が、前記金属または金属合金表面の一部と、前記第１のインジウムまたはインジウム合金層の一部とで形成される、
   ｉｉｉ． 前記複合相層になっていない第１のインジウムまたはインジウム合金層の部分を、部分的または完全に除去する段階、ここで、前記複合相層は本質的に除去されない、
   ｉｖ． 第２のインジウムまたはインジウム合金層を、段階ｉｉｉで得られた表面の少なくとも一箇所の上に堆積する段階
   を含む前記方法。
2. 段階ｉｉにおける前記第１のインジウムまたはインジウム合金層が、インジウムまたはインジウム合金の電解堆積によって形成されることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
3. 前記複合相層になっていない前記第１のインジウムまたはインジウム合金層の少なくとも９０質量％が、段階ｉｉｉにおいて除去されることを特徴とする、請求項１または２に記載の方法。
4. 段階ｉｖにおけるインジウムまたはインジウム合金の堆積を、電解堆積、無電解堆積、化学気相堆積または物理気相堆積によって行うことを特徴とする、請求項１から３までのいずれか１項に記載の方法。
5. 段階ｉｖにおけるインジウムまたはインジウム合金の堆積が、インジウムまたはインジウム合金の電解堆積であることを特徴とする、請求項４に記載の方法。
6. 前記複合相層になっていない前記第１のインジウムまたはインジウム合金層の除去が、定電流の剥離工程または定電位の剥離工程であることを特徴とする、請求項１から５までのいずれか１項に記載の方法。
7. ・ 開路電位を測定する段階
   を含むことを特徴とする、請求項１から６までのいずれか１項に記載の方法。
8. 開路電位よりも高いアノード電位を用いた定電位の剥離工程を使用して、前記複合相層になっていない前記第１のインジウムまたはインジウム合金層を除去することを特徴とする、請求項６または７に記載の方法。
9. 段階ｉｉおよび段階ｉｖにおけるインジウムまたはインジウム合金の電解堆積は、開路電位よりも高いカソード電位を使用する定電位のインジウム堆積工程であることを特徴とする、請求項８に記載の方法。
10. 前記基板が、プリント回路板、ウェハ基板、ＩＣ基板、チップキャリア、回路キャリア、相互接続装置およびディスプレイ装置から選択されることを特徴とする、請求項１から９までのいずれか１項に記載の方法。
11. 前記少なくとも１つの合金表面は、前記金属の２つまたはそれより多く、または前記金属の１つまたはそれより多くとリン、ホウ素、もしくはリンおよびホウ素、または前記金属のそれぞれの窒化物およびケイ化物で形成されることを特徴とする、請求項１から１０までのいずれか１項に記載の方法。
12. 前記少なくとも１つの金属または金属合金表面は、ニッケル、または以下： ニッケルリン合金、ニッケルホウ素合金、ニッケルタングステンリン合金、ニッケルタングステンホウ素合金、ニッケルタングステンリンホウ素合金、ニッケルモリブデンリン合金、ニッケルモリブデンホウ素合金、ニッケルモリブデンリンホウ素合金、ニッケルマンガンリン合金、ニッケルマンガンホウ素合金およびニッケルマンガンリンホウ素合金からなる群から選択されるニッケル合金の１つからなることを特徴とする、請求項１から１１までのいずれか１項に記載の方法。
13. 前記複合相層とその上の全てのインジウムまたはインジウム合金層との合計の厚さが、１〜１０００ｎｍにわたることを特徴とする、請求項１から１２までのいずれか１項に記載の方法。
14. 少なくとも１つの金属または金属合金表面を有する基板を有する、請求項１から１３までのいずれか１項に記載の方法によって提供される物品であって、
    ａ） 少なくとも１つの金属または金属合金表面、
    ｂ） インジウムまたはインジウム合金の一部と、前記金属または金属合金表面の一部とで形成される複合相層、および
    ｃ） １つまたはそれより多くのインジウムまたはインジウム合金層
    を、この順で含む前記物品。