JP6808801B2 - Cu/セラミック基板 - Google Patents
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Description
図1は、本発明の実施の形態によるCu/セラミック基板10を示す。Cu/セラミック基板10は、セラミック板12と、金属板14と、金属板16と、化合物層18と、化合物層20とを備える。
先ず、セラミック板12を準備する。セラミック板12は、従来から公知の方法で製造される。
先ず、金属板14及び金属板16を準備する。続いて、金属板14及び金属板16の表面、具体的には、セラミック板12と接合されるべき面に、Cuの酸化物層を形成する。酸化物層を形成する方法としては、従来から公知の方法が採用される。酸化物層を形成する方法は、乾式であってもよいし、湿式であってもよい。
先ず、金属板16を加熱炉内に配置する。続いて、金属板16にセラミック板12を重ねる。続いて、セラミック板12に金属板14を重ねる。その後、加熱炉により、金属板14、金属板16及びセラミック板12を加熱する。加熱温度は、1065〜1084℃である。ここで、加熱温度の下限は、Cu−O共晶点であり、加熱温度の上限は、Cuの融点である。加熱時間は、例えば、1〜60分である。加熱するときの雰囲気は、窒素雰囲気である。上記加熱条件で加熱することにより、金属板14とセラミック板12との接触界面に化合物層18が形成され、金属板16とセラミック板12との接触界面に化合物層20が形成される。加熱後の冷却は、例えば、自然冷却等でよい。
gの液相領域は、Alの液相領域よりも広くなると推定される。つまり、二元系酸化物として2価の酸化物を形成できる元素の液相領域は、Alの液相領域よりも広くなると推定される。なお、図4Bに記載のHaliteとは、MgOを化学組成とし、NaCl構造を有する2価の酸化物を示す。
Claims (4)
- Al2O3を主成分とするセラミック板と、
Cuを主成分とし、前記セラミック板の少なくとも一方の面に重ね合わされて、前記セラミック板と接合される金属板と、
前記セラミック板と前記金属板との接合界面に形成され、Alと、Mnと、Oとからなる金属酸化物を含む化合物層とを備え、
前記Mnは、酸素原子の酸化数が−2の場合、酸化数が+2以下である二元系酸化物を形成でき、且つ、前記二元系酸化物のバンドギャップは、Cu2Oのバンドギャップよりも大きい、Cu/セラミック基板。 - 請求項1に記載のCu/セラミック基板であって、
前記金属酸化物は、MnAl2O4で表される、Cu/セラミック基板。 - 請求項1又は2に記載のCu/セラミック基板であって、
前記セラミック板は、Al2O3の一部に代えて、ZrO2を1〜30wt%含む、Cu/セラミック基板。 - 請求項3に記載のCu/セラミック基板であって、
前記金属酸化物は、MnZrO3で表される、Cu/セラミック基板。
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